一种GaAs单晶生长工艺[发明专利]

专利名称：一种GaAs单晶生长工艺专利类型：发明专利
发明人：周雯婉
申请号：CN202210171746.3
申请日：20220224
公开号：CN114540955A
公开日：
20220527
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本申请涉及单晶生长技术领域，具体公开了一种GaAs单晶生长工艺。

本申请的GaAs单晶生长工艺，包括如下步骤：S1、多晶合成：（1）装料：将砷和镓放入炉中；（2）合成多晶：调整炉内压强以及温度至多晶物料完全熔化，降温；（3）冷却出炉：降低温度，取出即得多晶半成品；
S2、多晶清洗：将多晶半成品置于清洗液中清洗，即得多晶成品；S3、单晶生长：（1）装料：向石英坩埚装入籽晶、多晶成品、余砷，放入石英安培瓶内并抽真空、烘烤、封焊；（2）装炉：依VGF 工艺装入炉中；（3）长晶：依VGF工艺完成单晶生长，即得。

本申请制得的GaAs单晶质量佳。

申请人：北京通美晶体技术股份有限公司
地址：101149 北京市通州区工业开发区东二街4号
国籍：CN
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