第六章 MOS电路版图设计讲解

VDD MP Vo MN
(2) 根据负载CL情况和速度 要求(tr和tf) 确定等效的 PMOS管和NMOS管的最小 W/L 。
o增大 Vi
0
V*
VDD
6.1.1 MOS管宽长比(W/L)的确定 2. CMOS逻辑门电路（续） (3) 根据上述结果最终确定等效的 Vi PMOS管和NMOS管的最小W/L。 (4) 根据电路结构和等 效的W/L确定每个管 的W/L 。 无比电路VOL与o无关 nor2
选上升和下降时间都是300ns.
§6-2 版图的布局布线
思考题
1. 布局布线的策略是什么？ 2. 复用单元设计有什么好处？
6.2.1 布局 1.布局的基本原则 芯片的布局设计是要解决电路图或逻辑 图中的每个元件、功能单元在版图中的位置 摆布、压焊点分布、电源线和地线以及主要 信号线的走向等。 首先确定电路中主要单元（元件）的位 置，再以主要单元为中心安置次主要单元和 次要单元。 相关单元（包括压点）要尽量靠近，以 主要单元为主调整单元（器件）的形状和位 置，方便布线，缩短布线。
6.2.1 布局 2.布局示例1 电子表芯片
液晶显示译码电路
定时电路
比较电路
走时电路
分频电路 振荡器
报 时 驱 动
调节控制电路
6.2.1 布局 2.布局示例2 存储器模块
读写 控制
输入输出
地址 译码
SRAM存储矩阵
6.2.2 布线 1. 布线基本原则 最常用的布线层有金属、多晶硅和扩 散区，其寄生电阻和寄生电容有所不同。 电源线、地线选择金属层布线，线宽要 考虑电流容量（一般1mA/m)。 长信号线一般选择金属层布线，应尽量 避免长距离平行走线。 多晶硅布线和扩散区布线不能交叉而 且要短。必须用多晶硅走长线时，应同时 用金属线在一定长度内进行短接。
VDD A B
VDD MP Vo MN
F
6.1.1 MOS管宽长比(W/L)的确定 3. 传输门电路
(1)MOS的W/L直接影响传输门的导通电阻，
因而影响传输速度。因此，根据传输速
度的要求（考虑负载情况和前级驱动情
况）来确定传输门，一般应当考虑NMOS 管和PMOS管特性的对称性。
(5) 根据输入结构和 等效输入管的W/L确 A 定每个输入管的W/L 。
B
VDD
ML Vi MI Vo
V DD F
C
MD ME Vo
Vi
6.1.1 MOS管宽长比(W/L)的确定 2. CMOS逻辑门电路 (1) 根据抗干扰能力(噪声容限、 输入转折电压V*)确定0范围。 V* =
VDD+ VTP +VTN o 1 + o VDD VO Vi
6.2.2 布线 2. 布线示例
6.2.3 优化设计 1. 源漏区面积优化 相邻同型MOS 管源漏区相连接时 采用有源区直接连 接可以减小源漏区 面积，减小寄生电 容和漏电，也减小 了芯片面积。
1
2
6.2.3 优化设计 2. 器件排序优化 通过排序优化可以提高速度，减小漏电。
OUT OUT D A B C
A
D
B
C
OUT
OUT
GND
GND
6.2.3 优化设计 3. 宽沟器件的优化设计
(1)宽沟器件可以由 多个器件合成，方便 布局布线，减小栅极 电阻。 (2)宽沟器件源漏区 开孔要充分，提高沟 道特性的一致性（尤 其是模拟电路）。
6.2.3 优化设计 4. 复用单元的设计
将常用结构的 组合图形（包括电 路单元）按设计规 则要求设计为可复 用的单元，供设计 过程中调用， 减少设计错 误，并便于 修改。
第六章 MOS电路版图设计
§6-1 MOS管图形尺寸的设计
思考题
1. MOS管沟道的宽长比(W/L)如何确定？
2. MOS管沟道的宽度(W)和长度(L)如何 确定？ 3. MOS管源漏区尺寸如何确定？
6.1.1 MOS管宽长比(W/L)的确定 1. NMOS逻辑门电路 VDD (1)NMOS逻辑门电路是有比电路， ML 根据VOL的要求，确定最小R 。 Vi Vo 2 MI (VDD VTL ) VOL E/E 饱和负载 2 (V V )
(2)对于窄沟（长沟）器件，应根据工艺水平 先考虑确定沟道宽度W，然后再根据已确定 W/L的值来确定L的值。 L W
6.1.4 MOS管源漏区尺寸的确定
一般是根据MOS管的沟道宽度W和相 关的设计规则来确定源漏区最小尺寸。源 漏区尺寸越小，寄生电容以及漏电就越小。 对于W/L较大的器件一般采用叉指状 图形。
F
f tr , t f p , n k p .kn W , L VNM Pd f
设计指标
参数 Vdd 单位 V 最小值 9.5 典型值 10 最大值 10.5
VNL
VNH CL f VTN VTP tox µ n µ p L
3
3 PF MHz V V Å cm2/ V.s cm2/ V.s µ m 1.0 -3.5 1500 280 160 10 15 1 1.5 -3.0 1700 290 180
6.1.2 MOS管沟道长度(L)的确定 (1)要考虑MOS管的耐压能力， 一般MOS管的击穿电压由源 漏穿通电压决定： W L
BVDSP=qNBL /2osi
(2)要考虑工艺水平。 (3)要考虑沟道长度调制效应对特性的影响。
2
6.1.3 MOS管沟道宽度(W)的确定
(1)根据已确定的W/L 和L的值来确定W的值。
R OH TI
VTD 2 VOL 2 (V V ) OH TE R
E/D
VDD MD Vi ME Vo
(2) 根据负载CL情况和速度要求(tr 和tf) 确定负载管和等效输入管的 最小W/L 。
6.1.1 MOS管宽长比(W/L)的确定 1. NMOS逻辑门电路（续） VDD
(3) 根据静态功耗的要求 来确定负载管最大的W/L 。 (4) 根据上述结果最终 确定负载管和等效输 入管的W/L 。
MOS管的源漏区具 有可互换性。
CMOS门电路设计举例
• • • • 设计一个双输入端与非门 VDD 设计考虑四个方面： 1，高低电平不用考虑； 2，以工作频率为依据，根据速度和工艺水 A 平选W/L； B • 3，根据W，L校验VNL和VNH； • 4，整个设计均从最坏情况入手。 nand2 设计过程是：