肖特基势垒二极管[发明专利]
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专利名称：肖特基势垒二极管
专利类型：发明专利
发明人：佐佐木公平,胁本大树,小石川结树,韶光秀申请号：CN201880013136.2
申请日：20180219
公开号：CN110326115A
公开日：
20191011
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：提供一种包括GaO系半导体的肖特基势垒二极管，其具有比以往的肖特基势垒二极管低的开启电压。
作为一个实施方式，提供肖特基势垒二极管(1)，其具有：半导体层(10)，其包括GaO系单晶；阳极电极(11)，其与半导体层(10)形成肖特基接合，并且与半导体层(10)接触的部分包括Fe或者Cu；以及阴极电极(12)。
申请人：株式会社田村制作所,诺维晶科股份有限公司
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京市隆安律师事务所
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