模拟电子技术习题
模拟电子技术习题及答案
模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。
1．2 单选题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。
A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。
A．减小 B．基本不变 C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。
A．增大 B．基本不变 C．减小5．变容二极管在电路中主要用作( D )。
、A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器1．3 是非题1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
( √ )2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )3．二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。
( × )4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
( × )1．4 分析计算题1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压UD(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。
模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)
《模拟电子技术》复习试题一一、填空（每空1分，共20分）1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。
2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。
3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。
4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。
5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，T接成共基1组态，T接成共集组态，1R和2R的作用是为T1管提供基极偏2置。
6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。
7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。
8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πωϕ±=T 。
二、简答（共3小题，每小题5分，共15分）1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。
601.06===B C I I β， 985.01≈+=ββα （各1分，共2分）2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？R应如何接入？（在图中连接）f答：应接入电压串联负反馈（1分）R接法如图（1分）f（2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。
答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分）3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。
答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。
模拟电子技术习题及答案
习题55.1在以下几种情况下，应分别采用哪种类型的滤波电路〔低通、高通、带通、带阻〕。
（1）从输入信号中提取100kHz～200kHz的信号；（2）抑制1MHz以上的高频噪声信号；（3）有用信号频率为1GHz以上的高频信号；（4）干扰信号频率介于1 kHz～10 kHz；解答：〔1〕带通滤波器；〔2〕低通滤波器；〔3〕高通滤波器；〔4〕带阻滤波器。
5.2在以下各种情况下，应分别采用哪种类型〔低通、高通、带通、带阻〕的滤波电路。
〔1〕抑制50Hz交流电源的干扰；〔2〕处理具有1Hz固定频率的有用信号；〔3〕从输入信号中取出低于2kHz的信号；〔4〕抑制频率为100kHz以上的高频干扰。
解：〔1〕带阻滤波器〔2〕带通滤波器〔3〕低通滤波器〔4〕低通滤波器5.3填空：〔1〕为了防止50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
〔2〕输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
（3）为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路。
〔4〕为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用滤波电路。
解：〔1〕带阻〔2〕带通〔3〕低通〔4〕有源5.4无源一阶RC低通滤波电路的截止频率决定于的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。
解答：时间常数，3dB5.5无源一阶RC高通滤波电路的截止频率决定于的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。
解答：时间常数，3dB5.6 一阶滤波电路阻带幅频特性以 /十倍频斜率衰减，二阶滤波电路那么以 /十倍频斜率衰减。
阶数越 ，阻带幅频特性衰减的速度就越快，滤波电路的滤波性能就越好。
解答：-20 dB ，-40 dB ，高。
5.7 试求题图所示电路的传递函数和频率响应表达式。
题图解答：()1v sR C A s sR C =+，j (j )1j v R CA R Cωωω=+5.8 题图5.8中所示为一个一阶低通滤波器电路，试推导输入与输出之间的传递函数，并计算截止角频率H ω。
模拟电子技术练习题(专升本)
《模拟电子技术》练习题一、填空题1． 在N 型半导体中， 是多数载流子， 是少数载流子。
2． 电路如图1-1所示，设二极管的导通电压U D ＝，则图1-1（a ）中U O ＝ V ，图1-1（b ）中U O ＝ V 。
（a ）（b ）图1-13．图1-2中二极管为理想器件，则VD 1工作在 状态；VD 2工作在 状态；电流 O I mA 。
4．PN 结具有 特性；稳压二极管的稳压区在其伏安特性曲线的 区内。
5．在晶体管放大电路中，测得一晶体管三个管脚1、2和3对地的直流电位分别为U 1 = -5 V ，U 2 = -8 V ，U 3 = V ，则与该晶体管对应的电极是：管脚1为 极，2为 极，3为 极，晶体管为 型（PNP 或NPN ），所用材料为 （硅或锗）。
6. 电压放大电路要求是要有较 的输入电阻和较 的输出电阻。
7． 在由NPN 管构成的基本共射放大电路中，若静态工作点设置得过高，则将产生 失真；乙类功率放大电路的缺点是存在 失真；直接耦合放大电路的最大问题是存在 现象。
8．共射放大电路的输出电压与输入电压的相位 （填“相同”或“相反” ）；共集放大电路的输出电压与输入电压的相位 。
9．射极输出器具有输入电阻 和输出电阻 的特点。
10．为稳定输出电压，应引入 负反馈；为提高输入电阻，应引入 负反馈；当信号源的内阻较大时，为增强负反馈的效果，应引入 负反馈；由集成运I O放构成线性放大电路时，应引入 反馈（填“正反馈”或“负反馈” ）。
11．集成运放有两个工作区，即线性区和非线性区，则图1-3（a ）所示的集成运放工作于 区，图（b ）所示的集成运放工作于 区。
图1-3二、单项选择题（每小题3分，共15分）1．如图2-1所示电路，二极管D 1和D 2的工作状态为（ ）。
A ．D 1截止，D 2导通 B ．D 1导通，D 2截止 C ．D 1和D 2均导通D ．D 1和D 2均截止2．在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9V ，，，则这三个极分别为（ ）。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
模拟电子技术第一章习题
间必须连接 。
14.若两个输入信号电压的大小 ，极性 ，就称为共模输入信号。
15．为消除乙类功放的交越失真，给BJT发射结加一定的 偏压，使Q点上移，摆脱电压的影响。
这时，电路工作在 状态。
16．互补对称功放采用 类型的两个BJT组成推挽输出器，在输入交流信号作用下，两管 工作，为使输出电压波形对称，要求两管的性能 。
17 . 简单的差分放大器双端输出时，对 信号有较强的抑制能力 , 而对 信号有较强的放大作用。
18. 零点漂移产生的因素很多，其中以 变化所引起的漂移最为严重。
19.OCL甲乙类功放电路的最大效率可达_________。
20.某差动放大期电路两输入端的信号为ui1=12mV，ui2=4mV，差模电压放大倍数为Aud=-75，共模电压放大倍数为Auc=-0.5，则输出电压u0为_________。
二、选择题1.晶体二极管具有___________特性。
A.单向导电B.集电极电压饱和C.双向导电D.集电极电流截止2.二极管两端加上正向电压后有一段"死区电压"。
锗管为______V伏）。
A.0B.0.3C.0.4D.0.73.二极管两端加上正向电压后有一段"死区电压"。
硅管为____V（伏）。
A.0B.0.3C.0.4D.0.74.锗二极管的死区电压为（ ）V。
A.0.5B.0.2C.0.35.PN结外加反向电压时，其内电场（ ）。
A.减弱B.不变 B.增强6.PN结外加正向电压时，其空间电荷区（ ）。
A.不变B.变宽C.变窄7．在检修电子线路时，设管子为NPN型，如果测得U CE=E C V，则说明管子工作在（ ）状态。
A、截止区B、饱和区C、放大区D、过损耗区8．NPN管工作在放大区时，三个极的电位特征是（ ）。
A.VC＞VB＞VEB.VC＜VB＜VEC.VE＜VB＞VCD.VE＞VB＜VC9．PN结在外加正向电压的作用下，扩散电流（ ）漂移电流。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
模拟电子技术习题库
06～07学年第一学期中级部《电子技术基础》试题出卷人：王敬孝一、填空题（每空1分共165分）§1—11.根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体、绝缘体和半导体三类。
2.常用的半导体材料是硅和锗，它们都是四价元素。
3.半导体中导电的不仅有电子，而且还有空穴，这是半导体区别于导体导电的重要特征。
4.掺杂半导体中多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度，而少数载流子的浓度与温度和光照有很大关系。
5.半导体按导电类型分为N 型半导体和P 型半导体。
6.P 型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是电子；N 型半导体的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
7.PN 结又叫阻挡层，耗尽层，也叫空间电荷区。
8.PN 结正偏时，P 区接电源的正 极，N 区接电源的负 极；PN 结反偏时，P 区接电源的负极，N 区接电源的正极。
9.PN 结具有单向导电性能，即加正向电压时PN 结导通，加反向电压时的PN 结截止。
§1—210.二极管实质就是一个PN 结，P 区的引出端叫正极或阳极，N 区的引出端叫负极或阴极。
11、按二极管制造工艺的不同，二极管可分为点接触型、面接触型和平面型三种。
12、按晶体二极管所用的材料可分为硅和锗两类。
13、2CW 是硅材料的稳压二极管。
2AK 是锗材料的开关二极管。
14、2CZ 是硅材料的整流二极管。
2AP 是锗材料的普通二极管15、二极管的正向接法是P 接电源的正极，N 接电源的负极，反向接法时相反。
16、二极管的主要特性是单向导电，硅二极管的死区电压约0.5V ，锗二极管的死区电压约0.2V 。
17、硅二极管导通时的正向压降约0.7V ，锗二极管导通时的正向压降约0.3V 。
18、使用二极管时，应考虑的主要参数是FM I 、RM I 、RM U 。
19、电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会烧坏；如果加在二极管两端的反向电压过高，二极管会击穿。
20、有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已短路损坏，有一硅二极管正反向电阻接近于无穷大表明二极管已开路损坏。
模拟电子技术基础部分练习题含答案
模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。
A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。
A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。
A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。
A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
《模拟电子技术》复习题10套及答案
.《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型.图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
《模拟电子技术》练习题
《模拟电子技术》练习题一一、选择题1、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和B 截止C交越D频率2、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。
A U-=U+B I-=I+=0C Uo=UiD Au=13、如果希望提高某放大器的输入电阻和增强其带负载能力，则应当选用( )。
A 电流并联负反馈B 电流串联负反馈C 电压并联负反馈D电压串联负反馈4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真，下半周失真时为（）失真。
A、饱和B、截止C、交越D、频率5、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。
A、压串负B、流串负C、压并负6、为了使放大器带负载能力强，一般引入（）负反馈。
A、电压B、电流C、串联7、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。
A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号8、当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C( )u B( )u E。
A >B <C =D ≤9、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的( )。
A 大B 小C 相等10、二极管两端电压大于( )电压时，二极管才导通。
A 击穿电压B 死区C 饱和11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流( )。
A增大 B减小 C不变 D无法判定12、如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为( )。
A放大状态 B 截止状态 C饱和状态 D 不能确定。
13、晶体三极管是( )控制型器件。
A 电流控制电流源B电流控制电压源C电压控制电流源D电压控制电压源14、晶体二极管用于放大时，使其发射结、集电结处于( )。
A 发射结正偏、集电结正偏B发射结正偏、集电结反偏C 发射结反偏、集电结正偏D发射结反偏、集电结反偏15、要提高放大器的输入电阻及减小输出电阻，应采用( )负反馈放大电路。
A．电流并联B电压并联C电流串联 D电压串联16、空穴为少子的半导体称为( )。
模拟电子技术习题集
第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。
（）（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
（）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是。
A. ISeUB.C.（3）稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。
图T1.3解：UO1≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，UO4≈2V，UO5≈1.3V，UO6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。
求图T1.4所示电路xxUO1和UO2各为多少伏。
图T1.4解：UO1＝6V，UO2＝5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示，其集电极最大耗散功率PCM＝200mW，试画出它的过损耗区。
图T1.5解图T1.5解：根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将各点xx曲线，即为临界过损耗线，如解图T1.5所示。
《模拟电子技术》练习题
《模拟电子技术》练习题一一、选择题1、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和B 截止C交越D频率2、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。
A U-=U+B I-=I+=0C Uo=UiD Au=13、如果希望提高某放大器的输入电阻和增强其带负载能力，则应当选用( )。
A 电流并联负反馈B 电流串联负反馈C 电压并联负反馈D电压串联负反馈4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真，下半周失真时为（）失真。
A、饱和B、截止C、交越D、频率5、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。
A、压串负B、流串负C、压并负6、为了使放大器带负载能力强，一般引入（）负反馈。
A、电压B、电流C、串联7、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。
A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号8、当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C( )u B( )u E。
A >B <C =D ≤9、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的( )。
A 大B 小C 相等10、二极管两端电压大于( )电压时，二极管才导通。
A 击穿电压B 死区C 饱和11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流( )。
A增大 B减小 C不变 D无法判定12、如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为( )。
A放大状态 B 截止状态 C饱和状态 D 不能确定。
13、晶体三极管是( )控制型器件。
A 电流控制电流源B电流控制电压源C电压控制电流源D电压控制电压源14、晶体二极管用于放大时，使其发射结、集电结处于( )。
A 发射结正偏、集电结正偏B发射结正偏、集电结反偏C 发射结反偏、集电结正偏D发射结反偏、集电结反偏15、要提高放大器的输入电阻及减小输出电阻，应采用( )负反馈放大电路。
A．电流并联 B电压并联 C电流串联 D电压串联16、空穴为少子的半导体称为( )。
模拟电子技术例题习题
模拟电子技术B 1.6 已知图P1.6所示电路中稳压管的稳定电压UZ＝ 6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流 IZmax＝25mA。 （1）分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输 出电压UO的值； （2）若UI＝35V时负载开路，则会出现什么现象? 为什么？
例题习题
（1）当UI＝15V时，若UO＝UZ＝6V，则 IR=(15-6)V/1K =9mA IDZ=-3mA<IZmin，所以稳压管未击穿。故 当UI＝35V时，若UO＝UZ＝6V，则 RL 500 UIO U I =29mA 15V 5V R=(35-6)V/1K R RL 1000 500 IDZ=17mA， IZMAX>IDZ>IZMIN，所以UO＝UZ＝6V （2）当UI＝35V时，若空载，则有 IDZ= IR=(35-6)V/1K =29mA，IDZ>IZMAX 稳压管将因功耗过大而损坏。
第8页
模拟电子技术B
例题习题
1.8 现测得放大电路中这两只 管子两个电极的电流如图P1.8 所示。分别求另一电极的电流， 标出其实际方向，并在圆圈中 画出管子，且分别求它们的电 流放大系数β。 【解】 （a） I C 1mA 100 I B 10 A （b）
IC 5mA 50 I B 100 A
I BQ
VBB U BEQ Rb
3V 0.7V 460 A 5 K
ICQ=βIBQ=50460μA=23mA。
uo=VCC-ICQRC<UBE
所以T处于饱和状态
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模拟电子技术B
例题习题
第2章 基本放大电路
1. 静态工作点 (Quiescent Point) 放大电路没有输入信号时的工作状态称为静态。 静 态工作点Q（直流值）：UBEQ、IBQ、 ICQ 和UCEQ
模拟电子技术习题(2020年7月整理).pdf
模拟电子技术练习题一、单选题(每题1分)1. 基本组态双极型三极管放大电路中，输入电阻最大的是____A______电路。
A.共发射极B.共集电极C. 共基极D. 不能确定2. 差分放大电路由双端输入改为单端输入，则差模电压放大倍数（D ）。
A．不变B．提高一倍C．提高两倍D．减小为原来的一半3. 把差分放大电路中的发射极公共电阻改为电流源可以（）A．增大差模输入电阻B．提高共模增益??C．提高差模增益D．提高共模抑制比4. 选用差分放大电路的主要原因是（A ）。
A．减小温漂B．提高输入电阻C．稳定放大倍数D．减小失真5. 对恒流源而言，下列说法不正确的为（D）。
A．可以用作偏置电路B．可以用作有源负载C．交流电阻很大D．直流电阻很大6. 放大电路A、B的放大倍数相同，但输入电阻、输出电阻不同，用它们对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路条件下测得A的输出电压小，这说明A的（B）。
A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D.输出电阻小7. 深度电流串联负反馈放大器相当于一个（D）。
A. 压控电压源B. 压控电流源C. 流控电压源D. 流控电流源8. 负反馈放大电路中，反馈信号（A）。
A. 仅取自输出信号B. 取自输入信号或输出信号C. 仅取自输入信号D. 取自输入信号和输出信号9. 引入（C）反馈，可稳定电路的增益。
A. 电压B. 电流C. 负D. 正10. 构成反馈通路的元器件（A）。
A. 只能是电阻元件B. 只能是三极管、集成运放等有源器件C. 只能是无源器件D. 可以是无源器件，也可以是有源器件二、判断题(每题1分)1. 与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。
（）2. 差分放大电路中单端输出与双端输出相比，差模输出电压减小，共模输出电压增大，共模抑制比下降。
（）3. 差分放大电路单端输出时，主要靠电路的对称性来抑制温漂。
（）4. 单端输出的长尾式差分放大电路，主要靠公共发射极电阻引入负反馈来抑制温漂。
模拟电子技术习题集
第一部分电子技术第一章数字电路一、判断题（√）1、逻辑运算中,能把所有可能条件组合及其结果—-对应列出的表格称为真值表。
（√)2、带有放大环节的稳压电源其放大环节的放大倍数越大，输出电压越稳定。
（√)3、逻辑电路中的与门和或门是相对的，即正与门就是负或门，正或门就是负与门。
（√）4、单稳态电路输出脉冲宽度取决于充电电容的大小.（√)5、与非门的多余端不允许接地。
（×）6、用偶数个与非门首尾相接可组成环形多谐振荡器.(√)7、凡具有两个稳定状态的器件都可构成二进制计数器.(×）8、TTL与非门输入端同时悬空时，相当于输入端不加电平,故输出为高电平。
(√）9、使用TTL数字集成电路时,电源电压极性不能接反,其额定值为5V。
（×）10、若一个异或门的两个输入端的电平相同，即同为高电平或同为低电平，则输出为高电平。
（√）11、异步计数器各个触发器之间的翻转是不同步的，与CP脉冲也是不同步的. (√)12、要将变化缓慢的电压信号整形成脉冲信号,应采用施密特触发器.（×）13、将尖顶波变换成与它对应的等宽的脉冲，应采用单稳态触发器。
（×）14、TTL数字集成电路中，或门不使用的输入端接高电平。
(√)15、环形计数器实际上是一个自循环的移位寄存器。
（√)16、一个触发器可以存储一位二进制代码，用N个触发器就可以存储N位二进制代码。
(√）17、用二进制代码表示具有某种含义的信息称为编码。
在数字电路中，能实现编码功能的电路称编码器。
（×)18、主一从J－K触发器的输出状态中有土个是不确定的状态。
（×)19、寄存器存放数码的串行方式是数码各位从各对应位输入端同时输入到寄存器中。
二、单项选择题l、具有记忆功能的电路是( D ）。
A：与非门B：异或门C：加法器D：触发器2、组合电路是由( B )组成的.A:存储电路B：门电路C:逻辑电路D：数字电路3、下列逻辑电路错误的是( B ）。
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一、选择题：（共10题，每题1分。
合计10分） 第一章：1.PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ ）。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽 2.PN 结加反向电压时，空间电荷区将（ ）。
A. 变宽B. 变窄C. 基本不变 3.在本征半导体中加入（ ）元素可形成P 型半导体。
A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。
A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将（ ）。
A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在（ ）区。
A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿 第二章：1. 对于直接耦合基本放大电路，（ ）的输入电压与输出电压反相。
A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法2. 对于直接耦合放大电路，（ ）的输入电压和输出电压同相。
A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路3. 以下基本放大电路中，（ ）电路不具有电压放大能力。
A. 共射 B.共集 C. 共基4. 工作在放大区的某三极管，如果当C I 从1mA 变为1.9mA ，E I 从1.01mA 变为1.92mA ，那么它的 约为（ ）。
A. 1B. 86C. 905. 对于n 沟道增强型MOS 管，只能满足（ ），管子才能工作在恒流区。
A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u <GS u -)(th GS UC. DS u =GS u -)(th GS U6. 对于n 沟道增强型MOS 管，只能满足（ ），管子才能工作在可变电阻区。
A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u <GS u -)(th GS U C. DS u =GS u -)(th GS U第三章：1. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（ ）。
A. 便于设计B. 放大交流信号C. 不易制作大容量电容 2. 选用差分放大电路的原因是（ ）。
A. 克服温漂B. 提高输入电阻C. 稳定放大倍数 3. 差分放大电路的共模信号是两个输入端的信号的（ ）。
A. 差 B. 和 C. 平均值 第四章：1. 通用型集成运放适用于放大（ ）。
A. 高频信号B. 低频信号C. 任何频率信号 2. 集成运放制造工艺使得同类半导体管的（ ）。
A. 指标参数准确B. 参数不受温度影响C. 参数一致性好 3. 为增大电压放大倍数，集成运放的中间级采用（ ）。
A.共射放大电路B.共集放大电路C.共基放大电路 第六章：1. 欲减小电路从信号源索取的电路，增强带负载能力，应在放大电路中引入（ ）负反馈。
A. 电压并联 B. 电压串联 C. 电流并联 D. 电流串联2. 欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（ ）负反馈。
A. 电压并联 B. 电压串联 C. 电流并联 D. 电流串联3. 欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（ ）负反馈。
A. 电压并联 B. 电压串联 C. 电流并联 D. 电流串联 第八章：1. 在正弦波振荡电路中，当信号频率f =0f 时，RC 串并联网络呈（ ）。
A. 容性 B. 阻性 C. 感性2. 在正弦波振荡电路中，为了使反馈信号能够取代输入信号，电路中必须（ ）。
A. 开环 B. 引入正反馈 C. 引入负反馈3. 已知下图所示方框图输出的波形如图所示，则电路2为（ ）。
−→−01U −→−02UA. 正弦波振荡电路B. 同相输入的过零比较器C. 反相输入的积分运算电路 第九章：1.功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可获得的最大（ ）。
A.交流功率B.直流功率C.平均功率2.功率放大电路与电压放大电路，电流放大电路的共同点是（ ）。
A.都使输出电压大于输入电压 B.都使输出电流大于输入电流 C.都使输出功率大于信号源提供的输入功率3.功率放大电路与电压放大电路的区别是（ ）。
A.前者比后者电源电压高B.前者比后者电压放大倍数数值大C.前者比后者效率高 第十章：1. 整流的目的是（ ）。
A. 将交流变为直流B. 将高频变为低频C. 将正弦波变为方波 2. 直流稳压电源中滤波电路的目的是（ ）。
1电路2电路A. 将交流变为直流B. 将高频变为低频C. 将交、直流混合量中的交流成分滤掉 3. 直流稳压电源中的滤波电路应选用（ ）。
A. 高通滤波电路B. 低通滤波电路C. 带通滤波电路 4. 在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则（ ）。
A. 输出电压约为2U DB. 变为半波整流C. 整流管将因电流过大而烧坏 5. 型号为W78L09的三端稳压器，其输出电压为（ ），输出电流为（ ）。
A. +9V ，0.1A B. +9V ，0.5A C. －9V ，0.1AD. －9V ，0.5A 6. 型号为W79M09的三端稳压器，其输出电压为（ ），输出电流为（ ）。
A. +9V ，0.1AB. +9V ，0.5AC. －9V ，0.1AD. －9V ，0.5A 二、填空题（合计27分） 第一章：1. PN 结的结电容是 电容和 电容之和。
2. 使晶体管工作在放大状态的外部条件是 。
3. 从输出特性曲线可以看出，晶体管有三个工作区域，即 、 和 。
4. 某电路中一只NPN 型晶体管三个极的直流电位分别为U B ＝1V ，U E ＝0.3V ，U C ＝0.7V ，则该管子工作在 工作状态。
5. 某电路中一只NPN 型晶体管三个极的直流电位分别为U B ＝－1V ，U E ＝－1.7V ，U C ＝0V ，则该管子工作在 工作状态。
6. 某电路中一只NPN 型晶体管三个极的直流电位分别为U B ＝0V ，U E ＝0V ，U C ＝15V ，则该管子工作在 工作状态。
第二章：1. 对于放大电路的最基本要求，一是 ，二是 。
2. 对于直流通路，电容视为 ；对于交流通路，无内阻的直流电源视为 。
（填“开路”或“短路”）3. 晶体管共射h 参数等效模型只能用于放大电路 动态小信号参数的分析。
（填“低频”或“高频”） 第三章：1. 多级放大电路有四种常见的耦合方式，即 、 、 和 。
2. 直接耦合放大电路的优点是 。
3. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
第四章：1. 集成运放的第一级中通常采用电流源作为有源负载，其目的是为了 。
2. 集成运放的输出级通常采用be U 倍增电路。
其目的是为了 。
3. 若将集成运放理想化，则差模输入信号id r = ，o r = 。
第五章：1. 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。
2. 放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。
3. 对于单管共射放大电路，当f ＝ f L 时，o U 与i U 相位关系是 。
4. 对于单管共射放大电路，当f ＝ f H 时，o U 与iU 相位关系是 。
5. 放大电路的级数越多，频带越 。
（填“宽”或“窄”）6. 为了改善单管放大电路的低频特性，需 下限频率。
（填“降低”或“增大”） 第六章：1. 为了稳定放大倍数，应引入 负反馈。
2. 为了增大放大电路的输入电阻，应引入 负反馈。
3. 为了增大放大电路的输出电阻，应引入 负反馈。
第七章：1. 欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用 运算电路。
2. 欲将方波电压转换成尖顶波电压，应选用 运算电路。
3. 欲将三角波电压转换成方波电压，应选用 运算电路。
第八章：1. 正弦波振荡电路的起振条件为 。
2. 正弦波振荡电路的四个组成部分分别为 、 、 和 。
3. 正弦波振荡的平衡条件为 。
第九章：1. 目前使用最广泛的互补功率放大电路是 和 。
2. 功率放大电路的转换效率是指 与 之比。
3. 在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有 。
第十章：1. 单相半波整流电路输出电压的脉动系数S= 。
2. 在直流电源中，当变压器副边电压有效值2U =20V 时，单相半波整流电路的输出电压平均值)AV (o U ≈ V ，若负载电阻L R =20Ω，则负载电流平均值)AV (o I ≈ A 。
3. 单相桥式整流电路输出电压的脉动系数S= 。
三、作图题（合计4分） 第二章：1. 要求保留原来的共射接法。
2. 要求保留原来的共射接法。
设电容1C 对交流信号可视为短路。
3. 要求保留原来的共射接法。
四、综合计算题第二章：（16分）1. 电路如下图所示，晶体管的β＝100，r＝100Ω，U BE＝0.7V，分别计算R L＝∞和R Lb'b＝5kΩ时的Q点、A u、R i和R o。
要求分别画出该电路的直流通路和交流等效电路。
2. 电路如下图所示，晶体管的β=100，U BE＝0.7V，r＝100Ω。
bb'(1) 求电路的Q点、A u、R i和R o。
（2）若电容C e开路，求电路的A u、R i和R o。
要求分别画出电路的直流通路和交流等效电路。
3. 电路如图所示，晶体管的β＝60，U BE＝0.7V，r＝100Ω。
bb'（1）求解Q点、A u、R i和R o。
要求分别画出电路的直流通路和交流等效电路。
(2) 设U s＝10mV（有效值），则U i＝?,U o＝? 若C3开路，则U i＝?,U o＝？第三章：（5分）1.下图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为100，U BE ＝0.7V ，b b 'r ＝100Ω。
试计算T 1管和T 2管的发射极静态电流I EQ ，以及动态参数A d 、R i 和R o 。
要求画出电路的交流等效电路。
2.下图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为80，U BE ＝0.7V ，b b 'r ＝100Ω。
试计算R w 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流I EQ ，以及动态参数A d 、R i 和R o 。
要求画出电路的交流等效电路。
3.下图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为100，U BE ＝0.7V ，Ωk 2be ＝r 。
T 1管和T 2管的发射极静态电流均为0.5mA。
（1）R e的值应为多少？T1管和T2管的管压降U CEQ分别等于多少？（2）计算A u、R i和R o的数值（设共模输出电压可忽略不计）第五章：（4分）1. 已知某共射放大电路的波特图如下图所示，试写出A 的表达式。
u2. 已知某电路的幅频特性如下图所示，试问：（1）该电路的耦合方式；（2）该电路由几级放大电路组成；（3）当f ＝104 Hz时，附加相移为多少？当f ＝105 Hz时，附加相移又约为多少？（4）试写出A 的表达式，并近似估算该电路的上限频率f H。