模电1.2
模电第2讲1.2
2. 当负载变化时： 若IL不变 RL↓ IZ↓ IR↓ UR↓ UO ↑ UO↓
§1.2.5 稳压二极管
例：
电路如右图所示： UZ=6V，IZmin=5mA,
IZmax=25mA, RL=600Ω，
求R的取值范围。
§1.2.6 其它类型二极管 发光二极管
定义： 将电能转换成光能
uI
uO UREF
uI
UD UREF
uO
2、二极管限幅电路
R = 1kΩ，UREF = 3V，硅二极管。 恒压降模型求解，uI = 6sinwt V， uI 绘出uO的波形。
UD
UREF uO
uI≥UREF+UD时：
uO/V
uO=UREF+UD=3.7V
uI<UREF+UD时：
uI
uO=uI = 6sinwt V
0
静态电流
UQ
u/V
小信号作用
模型分析法应用举例
小信号工作情况分析
例2：电路如右图，求输出电压uO。
其中VDD = 5V，R = 5k，
恒压降模型的UD=0.7V，us = 0.1sinwt V。
iD
us
uD
uD
us
ud uO
uO UO uo 4.3 0.0994sinwt (V )
回顾
• 为什么将自然界导电性能中等的半导体材料 制成本征半导体，导电性能极差，又将其掺
杂，改善导电性能？
• 为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子
还是少子是影响温度稳定性的主要因素？怎
样去判断半导体器件温度稳定性的好坏？
• 为什么半导体器件有最高工作频率？
二极管与PN结有什么联系？
模电习题讲解与解析(第6版)2020
vi2
∵i3＝i4，
0
vn R3
vn vo R4
vo
(1
R4 R3
)vn
vo表达式
vo
(1
R4 R3
)(
R2 R1 R2
vi1
R1 R1 R2
vi2 )
当R1=R2 =R3 时， vo vi1 vi2
分析：A1、 A2 电压跟随器
A3： vo1“”端 ，vo2“+”端， 加减电路
R2 R1
)
2
＝
(1
6V
20 ) 10
2
0 2 2 vo 10 20
vO ＝6V
in=0
in=0
(c) vn ＝ vp ＝0 ， in＝0
vo vn＝ 2V
vo ＝ 2V
(d) vn ＝ vp ＝2V， in＝0
vo ＝ vn ＝ vp ＝2V
方法一：公式法 vi“+”端 ，同相放大电路 同相放大电路通用公式：
vo vo vo ＝0.6+1.2V ＝1.8V
vp1
vp2
方法二：虚短虚断法 : vp ＝ vn， ip＝in＝0
A1： i1＝i21 , vn1＝vp1＝0
vi1 vn1 R1
vn1 vo1 , R21
vo1
R21 R1
vi
100 0.6＝1.2V
50
A2：i2＝i22 ,
vo1 vn2 vn2 vo ,
工 作 区 ③
+
DZ
符号
①
(b) 伏安特性
稳压管, RL//DZ ，VO =VZ
解: (1) VO = VZ ， IR = IO + IZ ， VI = VR + VO
模拟电子技术第一章1.2 典型习题
第一章绪论一、写出下列正弦波电压信号的表达式；（1）峰-峰值10v，频率10kHz；（2）均方根值220v，频率50Hz；（3）峰-峰值100mv，周期1ms；（4）峰-峰值0.25v，角频率1000rad/s.二、在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰-峰值分别为5uA和5mA，输出端接2kΩ电阻负载，测量到正弦电压信号峰-峰值为1V。
试计算该放大电路的电压增益Àv、电流增益Ài、功率增益Àp，并分别换成dB数。
三、当负载电阻R l=1kΩ时，电压放大电路输出电压比负载开路（R l=∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻R0。
四、一电压放大电路输出端接1kΩ负载电阻时，输出电压为1V（rms），负载电阻断开时，输出电压上升到1.1V（rms），求该放大电路的输出电阻R。
五、某放大电路输出电阻R i=10kΩ，如果用1uA电流驱动，放大电流短路输出电流为10mA，开路输出电流为10V，求放大电路接4kΩ负载电阻时的电压增益Àv、电流增益Ài，功率增益Àp，并分别转换成dB数表示。
六、有以下三种放大电路备用：（1）高输出电阻型；R i1=1MΩ，Àvo1=10，R o1=10KΩ；（2）高增益型：R i2=10KΩ，Àvo2=100，R o2=1KΩ：（3）低输出电阻型：R i3=10KΩ，Àvo3=1,R o3=20Ω。
用用这三种放大电路组合，设计一个能在100Ω负载电阻上提供至少0.5W功率的放大电路。
已知信号源开路电压为30mv（rms），内阻为R a=0.5MΩ。
七、如图1.2.6所示电流放大电路的输出端直接与输入端相连，求输入电阻R i。
I。
1八、如图1.2.7所示放大电路，当输出开路电压增益Àvo趋近于无穷大时，证明：（1）放大电路增益Àv=V。
o/V。
s≈-R2/R1;（2）V。
模电1-2双极型三极管
I C I B I CEO
I CEO (1 ) I CBO
ICEO——穿透电流
(2)交流参数
①交流电流放大系数 A. 共发射极交流电流放大系数
IC I B
u CE CONST
B. 共基极交流电流放大系数α
IC I E
u CB CONST
当ICBO和ICEO很小时，
I CBO 1
称为共发射极直流电流放大系数
I C I B 1 I CBO I B I CEO
IB
定义: 1 I CBO I CEO 为穿透电流
IC IB
表示集电极电流IC和基极电流IB之间的关系
例：工作在放大电路中的三极管 三个电极对地电位分别为：VA= 6V、VB=11.3V、VC = 12V， 则三极管对应的电极是： A为 集电 极、 B为 基 极、 C为 发射 极。 晶体管属 PNP 型 硅 三极管；
所示，试判断三极管的工作状态。
放大
截止
饱和
例2：用数字电压表测得VB =4.5 V 、VE = 3.8 V 、 VC =8 V，试判断三极管的工作状态。
3.三极管的开关特性
• (1)开关作用
• 截止状态 • IB＝0，IC＝0，UCE＝VCC
I CS V CC U CES RC I CS V CC
在放大区基本不变
在输出特性曲线上决定
值与IC的关系
B.共基极直流电流放大系数
I C I CBO IE IC IE
有如下关系:
1
1
②极间反向电流
模拟电子技术(模电)习题整理及参考答案
《模拟电子技术》习题整理
第一章
1.1
（1）信号是反映消息的物理量，电信号是指随时间而变化的电压或电流。
（2）模拟信号在时间和数值上均具有连续性，数字信号在时间和数值上均具有离散性。
（3）模拟电路是处理模拟信号的电路。
（4）构成具有各种功能模拟电路的基本电路是放大电路。
1.2 （1）在设计电子系统时，应尽量可能做到哪几点？
答：必须满足功能和性能的指标要求；
在满足功能和性能指标要求的前提下，电路要尽量简单，所用元器件尽可能少；
考虑电磁兼容性；
系统的调试应简单方便，而且生产工艺应简单。
第二章
2.9 求解电路输出电压与输入电压的运算关系式。
解：
2.13 求解电路的运算关系。
第三章
3.2
（1）N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素，如磷等；P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素，如硼等。
（2）PN结加正向电压时，由扩散运动形成电流，其耗尽层变窄；加反向电压时，由漂移运动形成电流，其耗尽层变宽。
第四章
第五章
第六章
第七章
7.3
（1）为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应引入电流串联负反馈。
（3）为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载的能力，应引入电压串联负反馈。
第十章。
模电实验指导书
《模拟电子技术》实验指导书1 概述1.1 模拟电子技术基础实验的性质与任务模拟电子技术课程是一门应用性很强的课程，，具有较强的工程实践性，实验是不可缺少的教学环节。
在实验的过程中，往往可以发现新问题，产生新的设想，有利于培养学生的创新意识和创造能力。
通过实验，使学生达到下述要求：1)看懂基本电子线路图，具有分析电路的能力；具有合理选用元器件并构成小系统电路的能力。
2)掌握查阅和利用技术资料解决实际问题的方法；具有分析和排除基本电子线路一般故障的能力。
3)掌握常用电子测量仪器的选择、仪器说明书的使用和仪器的使用方法；掌握各种电信号的基本测试方法。
4)能够根据实验任务拟定实验方案，独立完成实验的、实事求是的、文字通顺和字迹端正的实验报告。
5)具有一定的综合设计能力和创新意识。
6)具有严肃、认真的工作习惯，实事求是的科学态度和团队协作精神；具有守纪律、爱护公物的优良品质。
7)掌握实验室的安全用电知识。
1.2 模拟电子技术基础实验的基本程序实验的基本程序一般有如下几个环节：1）实验准备。
实验能否顺利进行并收到预期的效果，很大程度上取决于实验前的预习和准备工作是否充分。
因此每次实验前，必须详细阅读实验讲义，明确每次实验的目的与任务，掌握必要的实验理论和方法，了解实验内容和实验设备的使用方法，在此基础上简要地写出实验预习报告。
2）实验操作。
正确的操作程序和良好的工作方法是实验顺利进行的保证。
3）实验总结。
写出实验报告，对电路的设计方法和实验方法加以总结。
1.3 实验报告实验报告是实验工作的全面总结。
写报告的过程，就是对电路的设计方法和实验方法加以总结，对实验数据加以处理，对所观察的现象、所出现的问题以及采取的解决方法加以分析、总结的过程。
实验报告要求文句通顺、简明扼要、字迹端正、图表清晰、结论正确、分析合理。
对于工科学生来说，撰写实验报告是一种基本技能训练，通过写实验报告，能够深化对技术基础理论的认识，提高技术基础理论的应用能力；提高记录、处理实验数据、分析与判断实验结果的能力；培养严谨的学风和实事求是的科学态度；锻炼科技文章的写作能力等。
模电第1章-电路模型和电路的基本定律
1.4 电路的基本元件及其特性
电路的基本元件是构成电路的基本元素。电路中 普遍存在着电能的消耗、磁场能[量]的储存和电场能 [量]的储存这三种基本的能［量］转换过程。表征这 三种物理性质的电路参数是电阻、电感和电容。 只含一个电路参数的元件分别称为理想电阻元 件、理想电感元件和理想电容元件，通常简称电 阻元件、电感元件和电容元件。 元件的基本物理性质是指当把它们接入电路时， 在元件内部将进行什么样的能量转换过程以及表现 在元件外部的特征。
1.4 电路的基本元件及其特性
1.4.1 电阻元件和欧姆定律 电阻：是电路中阻止电流流动、表示能量损耗大 小的参数。电阻有线性电阻和非线性电阻之分（这 里只讨论线性电阻）。 所谓线性电阻，是指电阻元件的阻值R是个常数， 加在该电阻元件两端的电压u和通过该元件中的电流 i之间成正比关系，即 u=Ri 非线性电阻的伏安特性:其曲线可以是通过坐标原点 或不通过坐标原点的曲线，也可以是不通过坐标原点 的直线。
P UI
或 p ui
（2）当电流、电压取非关联的参考方向时
P -UI 或 p -ui
如果P＞0（或p＞0）时，表示元件吸收功率，是负载 如果P＜0（或p＜0）时，表示元件发出功率，是电源
1.2.2 功率的计算 例: 如图所示各元件电流和电压的参考方向，已知 U1=3V，U2=5V，U3=U4=－2V，I1=－I2=－2A， I3=1A，I4=3A。试求各元件的功率，并指出是吸收 还是发出功率？是电源还是负载？整个电路的总功 率是否满足功率守恒定律？（a）（b）来自1.2.2 功率的计算
电功率: 该元件两端的电压与通过该元件电流的乘积
P UI
如果电压和电流都是时变量时，瞬时功率写成
p ui
模电实验报告
模电实验报告引言：模拟电子技术是电子工程中的重要分支，通过对电压、电流、电子元器件等进行模拟仿真，实现电子系统的设计、分析和测试。
本实验旨在通过实际操作，加深对模拟电子技术的理解和掌握，以及培养实验能力和动手能力。
一、实验目的本实验的主要目的是通过以下几个方面的实验，掌握模拟电子技术的基本原理和实际应用：1. 学习并掌握放大器的工作原理及其电路结构；2. 理解并掌握放大器的特性参数，如增益、带宽等；3. 了解并掌握反馈电路对放大器性能的影响；4. 学习并掌握滤波器的工作原理和电路结构；5. 理解并掌握滤波器的频率响应和滤波特性。
二、实验内容本实验分为两个部分，第一部分为放大器实验，第二部分为滤波器实验。
1. 放大器实验1.1 非反馈放大器实验通过搭建非反馈放大器电路，测量并计算其电压增益，并对其频率响应进行分析。
1.2 反馈放大器实验通过搭建反馈放大器电路，测量并计算其电压增益，并对其频率响应进行分析。
2. 滤波器实验通过搭建低通滤波器和高通滤波器电路，测量并计算其频率响应，并分析其滤波特性。
三、实验步骤以下为放大器实验和滤波器实验的基本步骤，具体实验步骤请参考实验手册。
1. 放大器实验1.1 非反馈放大器实验步骤：a) 搭建非反馈放大器电路；b) 连接信号源和示波器，调节信号源输出频率和幅度；c) 测量输入信号和输出信号的电压，并计算电压增益；d) 分析电路的频率响应。
1.2 反馈放大器实验步骤：a) 搭建反馈放大器电路；b) 连接信号源和示波器，调节信号源输出频率和幅度；c) 测量输入信号和输出信号的电压，并计算电压增益；d) 分析电路的频率响应。
2. 滤波器实验步骤：a) 搭建低通滤波器电路；b) 连接信号源和示波器，调节信号源输出频率和幅度；c) 测量输入信号和输出信号的电压，并计算频率响应；d) 分析滤波器的滤波特性。
四、实验结果与分析根据实验步骤所得的测量数据，进行数据处理和分析。
计算放大器的电压增益、带宽等参数，并绘制频率响应曲线和滤波特性曲线。
模电实验交流14V提供1.2~15V的直流电源实验报告
西藏大学模拟实验电路实验报告班级：10通信姓名：指导老师：日期：2012/11/28目录西藏大学 0模拟实验电路实验报告 0一、实验目的 (1)二、实验器材 (1)三、实验原理 (1)①桥式整流电路 (1)②三端可调节输出正电压稳压器 (1)四、实验步骤 (2)五、实验结果与误差分析 (3)①理论结果 (3)②仿真结果 (3)③测试结果 (4)④误差分析 (4)一、实验目的1、加深理解桥式整流电路的原理。
2、了解三端稳压器并学会利用。
3、组员紧密合作，完成该实验。
二、实验器材实验器材数量（个）备注模拟电路试验箱 1 含桥式整流电路、三端稳压器、交流电压源、滑动变阻器（0~10KΩ）1MΩ电阻 1100Ω电阻 1二极管 1 注意二极管放置位置电容 2 所选为电解质电容，注意正负极10uf电容 2 所选为电解质电容，注意正负极三、实验原理①桥式整流电路桥式整流器是利用二极管的单向导通性进行整流的最常常利用的电路，常常利用来将交流电转变成直流电。
②三端可调节输出正电压稳压器由于稳压器只有输入、输出和公共引出端，故称之为三端稳压器。
LM317是可调节3-端正电压稳压器，在输出电压范围为至37V 时能够提供超过的电流。
此稳压器超级易于利用，只需要两个外部电阻来设置输出电压。
另外还利用内部限流、热关断和安全工作区补偿使之大体能避免烧断保险丝。
)(122adj REFREF REF O I R R V R I V V ++=+= 212)1(R I R R V adj REF ++= 其中REF V =，adj I =50uA 。
由于adjI <<1I ，故能够忽略，上式可化简为)1(12R R V V REF O += 式中别离是：out 与adj 之间的电阻、adj 与点位参考点间的电阻；1I 为流经电阻1R 的电流，2I 为流经电阻2R 的电流，adj I adj 端的电流。
为稳压器内部比较放大器同向输入端的电压。
模拟电子技术一二章总结
模电一二章总结1.1半导体基础知识物质按照其导电能力可以分为导体、半导体、和绝缘体三种类型。
导电能力介于导体和绝缘体之间的物质叫做半导体。
半导体之所以被用来制造电子元器件是因为它具有不同于其他物质的特性。
这些独特的性质集中体现在它的电阻率可以因某些外界因素的改变而明显的变化。
（1）掺杂性：半导体的电阻率受掺入的“杂质”影响极大，在半导体中即使掺入的杂质十分微量，也能使其电阻率大大地下降，利用这种独特的性质可以制成各种各样的晶体管器件。
（2）热敏性：一些半导体对温度的反应很灵敏，其电阻率随着温度的上升而明显下降，利用这种特性很容易制成各种热敏元件，如热敏电阻、温度传感器等。
（3）光敏性：有些半导体的电阻率随着光照的增强而明显下降，利用这些特性可以做成各种光敏元件，如光敏电阻歌光电管等。
1.1.1本征半导体一、晶体结构用物理方法，使半导体材料的原子按结晶方式规则的排列，形成的半导体叫做单晶体。
如果半导体材料中的原子排列不规则，则形成的半导体晶体叫做多晶体。
高度提纯、结构完整的半导体单晶体叫做本征半导体。
硅和锗在使用时都要做成本征半导体。
在组成本征半导体时，硅（锗）原子按一定规律整齐排列，组成一定形式的空间点阵。
每个硅（锗）原子最外层的四个价电子与相邻的四个硅（锗）原子的各一个价电子形成四对共价键结构。
共价键中的电子受两个原子核引力的束缚，使得每个硅（锗）原子最外层形成拥有八个共有电子的稳定结构。
二、本征激发和两种载流子价电子受激发挣脱共价键的束缚，离开原子，跃迁到导带成为能参与导电的自由电子；同时在共价键中留下相同数量的空位，上述现象称为本征激发。
（1）在绝对零度和无外界激发时，本征半导体中无载流子共价键内的两个电子称为束缚电子。
共价键有很强的结合力，如果没有足够的能量，则价电子不能挣脱原子核的束缚成为自由电子。
此时，在本征半导体中，没有可以自由运动的带电粒子——载流子，因而在外电场作用时不会产生电流。
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六、温度对晶体管特性的影响
T (℃) I CEO uBE不变时iB ，即iB不变时uBE
七、主要参数
iC iE 1
• 直流参数： 、 、ICBO、 ICEO • 交流参数：β、α、fT（β＝1，特征频率）
• 极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO
注意事项:
红表笔是(表内)负极 , 黑表笔是(表内)正极 在 R1k 挡进行测量 测量时手不要接触引脚
1k
1k
C
B
E B
C E
数字万用表
1. 可直接用电阻挡的PN结挡分别测量判断两个结 的好坏 2. 插入三极管挡(hFE)，测量 值或判断管型及管脚
注意事项: 红表笔是(表内)正极 , 黑表笔是(表内)负极 NPN和PNP管分别按EBC排列插入不同的孔 需要准确测量 值时，应先进行校正 三、晶体三极管的选用 1. 根据电路工作要求选择高、低频管 2. 根据电路工作要求选择PCM、 ICM 、 U(BR)CEO 应保证： P > P ICM > ＩCｍ U（BR）CEO > ＶCＣ
大功率管 > 1 W 二、放大电路中晶体管的偏置要求
发射结正偏，集电结反偏
VCC VBB
三、NPN型三极管内部载流子的传输过程 IC I CN
1) 发射区向基区扩散多子电子 基区空穴向发射区扩散形成IEP 2) 电子到达基区后 大部分继续向集电结方向运动， 漂移通过集电结，形成ICN。少数 与空穴复合，形成 IBN 。 基区空穴来源： 基极电源提供( IB ) 集电区少子漂移 (ICBO)
IE = IC + IB
IC IB
≈
iC iB
共射交流电流 放大系数
I CEO (1 ) I CBO
穿透电流 共基直流电流 放大系数
集电结反向电流
为什么基极开路集电极回 路会有穿透电流？
1
IC IE
五、晶体管的共射输入特性和输出特性
1、输入特性
iB f (uBE ) U CE
少数载 流子的 运动
因集电区面积大，在外电场作用下大 部分扩散到基区的电子漂移到集电区 因基区薄且多子浓度低，使极少 数扩散到基区的电子与空穴复合 因发射区多子浓度高使大量 电子从发射区扩散到基区
基区空穴 的扩散
扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极 电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。
四、三极管的电流分配关系
门限电压UON
Ge： 0.1V Si： 0.5V
正常工作电压UQ
~0.2V ~ 0.7V
5、稳压二极管
工作时加反偏电压 反向特性很陡
6、其它二极管
1. 3
晶体三极管
半导体晶体管 (Semiconductor Transistor)
双极型晶体管 BJT
(Bipolar Junction Transistor) 微观上，多子和少子都参与导电
C Cｍ
3. 一般三极管的 值在40~100之间为好, 9013、9014等 低噪声、高 的管子不受此限制….. 4. 穿透电流 ICEO越小越好，硅管比锗管的小
附录：半导体器件的命名方式
第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 字母(汉拼) 字母(汉拼) 数字 字母(汉拼) 数字 材料和极性 器件类型 器件序号 规格号 电极数 P — 普通管 2—二极管 A — 锗材料N型 W — 稳压管 B — 锗材料P型 Z — 整流管 C — 硅材料N型 K — 开关管 D — 硅材料P型 U — 光电管 A — 锗材料PNP X — 低频小功率管 B — 锗材料NPN G — 高频小功率管 D — 低频大功率管 C — 硅材料PNP D — 硅材料NPN A — 高频大功率管 例如: 2CP 2AP 2CZ 2CW 3AX31 3DG12B 3DD6 3CG 3DA 3AD 3DK 常用小功率进口三极管 9011 9018 3—三极管
e c
最大，独立方向
IE = I C + IB
1.15测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所示。 在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
管号 上 中 下 管型 材料
T1 e b c PNP Si
T2 c b e NPN Si
T3 e b c NPN Si
T4 b e c PNP Ge
T5 c e b PNP Ge
T6 b e c NPN Ge
1.17 电路如图P1.17所示，试问β大于多少时晶体管饱和？
解：取UCES ＝UBE ，若管子饱和， 则
VCC U BE VCC U BE Rb RC Rb RC
所以， Rb 100 时，
RC
管子饱和。
— 交流电流放大系数
3
O
2
4
iC ( 2.45 1.65) 103 A 0.8 一般为几十 几百 80 6 10 i B 10 10 A
极限参数
iC ICM
ICEO O
安 全 PCM 工 作 区
已知: ICM = 20 mA, PCM = 100 mW， U(BR)CEO = 20 V， 当 UCE = 10 V 时，IC < 10 mA 当 UCE = 1 V，则 IC < 20 mA 当 IC = 2 mA，则 UCE < 20 V
uO＝0.1V。因为
IB
u I U BE 480μ A Rb
I C I B 24 mA
U EC VCC I C RC＜VCC
1.19 分别判断图P1.19所示各电路中晶体管是否有可能工作在 放大状态。
解：(a)可能;(b)可能 (c)不能 （d）不能，T的发
射结会因电流过大而
iCmax 56 临界饱和时的 iB
1、分别分析uI=0V、5V时T是工作在截止状态还是导通状态； 2、已知T导通时的UBE＝0.7V，若当uI=5V，则β在什么范围内T 处于放大状态，在什么范围内T处于饱和状态？
PCM iCuCE
uCE=1V时的就是ICM
2.7
ΔiC
iC iB
IE = IC + IB
I C I B I CEO
I E (1 ) I B I CEO
I E IC I B 常用 I C I B I E (1 ) I B
最大，独立方向 IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 共射直流电流 放大系数
回顾
1、本征载流子浓度与温度有关 2、杂质半导体 N型半导体 多子： 自由电子 少子： 空穴 P型半导体 空穴 自由电子 热敏性
特点：载流子浓度[电阻率]由掺杂决定。但对温度仍然敏感
3、PN 结具有单向导电性： 正偏导通，呈小电阻，电流较大;
反偏截止，电阻很大，电流近似为零。
4、二极管的伏安特性
正向电阻，反向电阻 直流电阻，交流电阻
I CBO
IB
I BN I EP
IE
IB = IBN + IEP– ICBO
3) 集电区收集漂过集电结的载流子，形成集电极电流 I C
I C=ICN +ICBO
发射极电流 IE = ICN + IBN + IEP
（发射结正偏） uBE U ON 放大的条件 （集电结反偏） uCB 0，即uCE uBE
U(BR)CEO
uCE
1. ICM — 集电极最大允许电流，超过时 值明显降低。 PC = iC uCE。 2. PCM — 集电极最大允许功率损耗 超过时集电结温升导致烧毁
通过uBE是否大于Uon判断管 子是否导通。
uI U BE 5 0.7 iB 43μA Rb 100 iCmax VCC 12 2.4mA Rc 5
六、电路如图T1.6所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。试 问：（1）Rb＝50kΩ时，uO＝？
（2）若T临界饱和，则Rb≈？ 解：（1）Rb ＝50kΩ时，基极电 流、集电极电流和管压降分别为
IB = I BN +IEP ICBO
外部 IE＝IB＋IC
IC = ICN + ICBO 发射极电流 IE = ICN + IBN + IEP
管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确 定，故电流的比例关系确定，定义：共射直流电流放大系数
I C I CBO I C I CN 理解为： 漂移与复合的比值 I BN I EP I B I CBO I B I C I B (1 ) I CBO I B I CEO 穿透电流
最大集电 极电流 基极开路时c-e间击穿电压
最大集电极耗散功 率，PCM＝iCuCE
安全工作区
从输出特性曲线求 共发射极电流放大系数
4 iC / mA 3 2
Q
— 直流电流放大系数
1
50 µ A 40 µ A 30 µ A 20 µ A 10 µ A IB = 0uCE /V
6 8
I 45 2.C 10 A 82 6 I30 10 A B
（3）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA 时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 。 A. 83 1.14 B. 91 C. 100
测得放大电路中的两只管子两个电极的电流如图P1.8
所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈 中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数。
1.18 电路如图P1.18所示，晶体管的β ＝50，|UBE|＝0.2V，饱和 管压降|UCES|＝0.1V；稳压管的稳定电压UZ＝5V，正向导通电 压UD＝0.5V。试问：当uI＝0V时uO＝？当uI＝－5V时uO＝？ 解：当uI＝0时，晶体管截止，稳压管 击穿，uO＝－UZ＝－5V。