电子技术习题集-答案
电子技术基础(含答案)
《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为08001）共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。
一、单选题1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在（）状态。
A. 击穿B. 截止C. 放大D. 饱和2.二极管的主要特性是（）。
A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在N型半导体中（）。
A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有电子D.没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。
A.放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。
A.50B.80C.100D.6.稳压管的稳压是其工作在（）。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。
A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管处于（）状态。
A.饱和B.截止C.放大D.击穿10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。
A.大于B.小于C.等于D.大于或等于11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。
A.自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。
A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结反偏13.下列关于半导体的说确的是（）。
电路与模拟电子技术习题集(模拟电子技术部分)答案1.
洛阳理工学院 模拟电子技术 试卷（总）一、单选题1. 杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（B ）。
A.温度；B.杂质浓度；C.电子空穴对数目；D 其它 2. 稳压二极管稳压时应工作在（C ）状态。
A ．正向导通；B ．反向截止；C ．反向电击穿 ；D ．反向热击穿3. N 型半导体是在本征半导体中掺入（C ）；P 型半导体是在本征半导体中掺入（A ）。
A.三价元素，如硼等； B.四价元素，如锗等；C.五价元素，如磷等4.PN 结加正向电压时，有（A ）形成电流，其耗尽层（D ）；加反向电压时，由（B ）形成电流，其耗尽层（C ）。
A.扩散运动； B.漂移运动； C. 变宽； D.变窄5.当温度升高时，二极管的反向饱和电流（A ）。
A.增大； B.不变； C.减小6.一个平衡PN 结，用导线将P 区和N 区连起来，而导线中（ B ）。
A.有微弱电流B.无电流C.有瞬间微弱电流 7.晶体管在大电流工作时，随Ic 的增加β值将（ B ）。
A.增加； B.下降； C.不变8.某三极管各电极电位如图1.1所示，由此可判断该三极管处于（A ）。
A ．放大状态B ．截止状态C ．饱和状态 9. 双极型三极管用于放大时，应使（B ）。
A ．发射结正偏、集电结反偏；B ．发射结、集电结均正偏；C ．发射结反偏、集电结正偏；D ．发射结、集电结均反偏10. 共射放大电路输出电压出现饱和失真时，是由于（B ）造成的。
A ．静态工作点过低； B.静态工作点过高； C.信号频率过高； D.信号频率过低11．共射、共基、共集三种组态放大电路中，既有电压放大作用，又有电流放大作用的是（A ）组态。
A ．共射； B. 共基； C. 共集； D.三种都是12. 测得NPN 型三极管各电极对地的电位分别为V e =2.1V ，V b =2.8V ，V c =4.4V ，说明此三极管工作在（A ）。
A ．放大区；B ．饱和区；C ．截止区；D ．反向击穿区 13. 下列放大电路输入电阻高、输出电阻低的是（B ）。
电子技术基础(含答案).docx
精品文档《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为 08001）共有单选题 , 简答题 , 计算题 1, 作图题 1, 作图题 2, 计算题 2, 分析题 , 化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有 [ 计算题 2, 作图题 2] 等试题类型未进入。
一、单选题1.测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是U =1.2V ，U =0.5V ，U =3V，该三极管处在（）B E C状态。
A. 击穿B.截止C.放大D.饱和2.二极管的主要特性是（）。
A. 放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在 N 型半导体中（）。
A. 只有自由电子B. 只有空穴C.有空穴也有电子D. 没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。
A. 放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流 I B=10μA时，I C=1mA；而 I B=20μA时，IC=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。
A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、 -10V和 -9.3V，则该管为（）。
A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷9.测得 NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V ， U E=2.1V ， U C＝ 3.6V ，则该管处于（）状态。
精品文档10.P 型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。
A. 大于B.小于C.等于D.大于或等于11.N 型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。
A. 自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。
《电子技术基础》(中职电工类第五版)全章节习题集+答案
《电子技术基础》（中职电工类第五版）全章节习题集+参考答案一．填空题：(共59题)1.PN结正向偏置时，应该是P区的电位比N区的电位高。
2.硅二极管导通时的正向管压降约为0.7V 。
3.锗二极管导通时的正向管压降约为0.2V 。
4.半导体三极管放大的实质是小电流控制大电流。
5.工作在截止和饱和状态的三极管可作为开关器件使用。
6.三极管的极限参数分别是I CM、P CM和U CEO。
7.在共射极放大电路中输出电压和输入电压的相位相反。
8.小功率三极管的输入电阻经验公式= 30 0+9.放大电路产生非线性失真的根本原因静态工作点不合适。
10.在放大电路中负载电阻值越大其电压放大倍数越大。
11.反馈放大器是由基本放大电路和反馈电路组成。
12.电压负反馈的作用是稳定输出电压。
13.电流负反馈的作用是稳定输出电流。
14.反馈信号增加原输入信号的反馈叫正反馈。
15.反馈信号减弱原输入信号的反馈叫负反馈。
16.放大直流信号时放大器应采用的耦合方式为直接耦合。
17.为克服零漂常采用长尾式和具有恒流源的差动放大电路。
18.集成运放按电路特性分类可分为通用型和专用型。
19.线性状态的理想集成运算放大器，两输入端电位差=0。
20.线性状态的理想集成运算放大器，两输入端的电流=0。
21.单门限电压比较器中的集成运放工作在开环状态。
22.单门限电压比较器中的集成运放属于线性应用。
23.将交流电变换成直流的过程叫整流。
24.在单相桥式整流电路中，如果负载电流是20A,则流过每只晶体二极管的电流是10 A。
25.在输出电压平均值相等的情况下，三相半波整流电路中二极管承受的最高反向电压是三相桥式整流电路的2倍.26.整流二极管的冷却方式有自冷、风冷和水冷三种。
27.检查硅整流堆正反向电阻时对于高压硅堆应用兆欧表。
28.三端可调输出稳压器的三端是指输入、输出和调整三端。
29.三端固定输出稳压器CW7812型号中的12表示为+12 V。
电力电子技术习题及答案
电力电子技术习题集习题一1. 试说明什么是电导调制效应及其作用。
2. 晶闸管正常导通的条件是什么，导通后流过的电流由什么决定？晶闸管由导通变为关断的条件是什么，如何实现？3. 有时晶闸管触发导通后，触发脉冲结束后它又关断了，是何原因？4. 图1-30中的阴影部分表示流过晶闸管的电流波形，其最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值、有效值。
如不考虑安全裕量，额定电流100A 的晶闸管，流过上述电流波形时，允许流过的电流平均值I d 各位多少？(f)图1-30 习题1-4附图5. 在图1-31所示电路中，若使用一次脉冲触发，试问为保证晶闸管充分导通，触发脉冲宽度至少要多宽？图中，E =50V ；L =0.5H ；R =0.5Ω; I L =50mA （擎住电流）。
图1-31习题1-5附图 图1-32习题1-9附图6. 为什么晶闸管不能用门极负脉冲信号关断阳极电流，而GTO 却可以？7. GTO 与GTR 同为电流控制器件，前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同？8. 试比较GTR 、GTO 、MOSFET 、IGBT 之间的差异和各自的优缺点及主要应用领域。
9. 请将VDMOS （或IGBT ）管栅极电流波形画于图1-32中，并说明电流峰值和栅极电阻有何关系以及栅极电阻的作用。
10. 全控型器件的缓冲吸收电路的主要作用是什么？试分析RCD 缓冲电路中各元件的作用。
11. 限制功率MOSFET 应用的主要原因是什么？实际使用时如何提高MOSFET 的功率容量？习题二1．具有续流二极管的单相半波可控整流电路，带阻感性负载，电阻为5Ω，电感为0.2H，电源电压的有效值为220V，直流平均电流为10A，试计算晶闸管和续流二极管的电流有效值，并指出晶闸管的电压定额（考虑电压2-3倍裕度）。
2．单相桥式全控整流电路接电阻性负载，要求输出电压在0～100V连续可调，输出电压平均值为30 V时，负载电流平均值达到20A。
电力电子技术_习题集(含答案)
《电力电子技术》课程习题集一、单选题1.晶闸管内部有（）PN结。
A、一个B、二个C、三个D、四个2.电力二极管内部有（）个PN结。
A、一个B、二个C、三个D、四个3.双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）电极。
A、一个B、两个C、三个D、四个4.比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR5.下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、GTRB、MOSFETC、IGBTD、SR6.比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、IGBT7.下列半导体器件中属于电压型控制器件的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR8.压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来作（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护9.晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护10.普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
A、有效值B、最大值C、平均值D、最小值11.晶闸管在电路中的门极正向偏压（）愈好。
A、愈大B、愈小C、不变D、为零12.快速熔断器在晶闸管整流电路中主要是用来作（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护13.当晶闸管的额定电压小于实际要求时，可以用两个以上同型号的器件相( )。
A、串联B、并联C、串并联14.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )。
A、导通状态B、关断状态C、饱和状态D、不定15.当晶闸管的额定电流小于实际要求时，可以用两个以上同型号的器件相 ( )。
A、串联B、并联C、串并联16.晶闸管整流电路中直流电动机应该属于（）负载。
A、电阻性B、电感性C、反电动势D、不定17.晶闸管可控整流电路中的控制角α减小，则输出的电压平均值会（）。
A、不变B、增大C、减小D、不定18.三相可控整流与单相可控整流相比较，输出直流电压的纹波系数（）。
电工与电子技术习题集答案
1通常电路中的耗能元件是指 A A. 电阻元件 B. 电感元件 C. 电容元件 D. 电源元件2电阻元件的性能有 B A. 储能性 B. 耗能性 C. 惯性 D. 记忆性3将W 25、V 220的白炽灯和W 60、V 220的白炽灯串联后接到V 220的电源上，比较两灯的亮度是 A A. W 25的白炽灯较亮 B. W 60的白炽灯较亮 C. 二灯同样亮 D. 无法确定哪个灯亮4一个电热器从V 220的电源吸取W 1000的功率，若将此电热器接到V 110的电源上，则吸收的功率为 D A. W 2000 B. W 1000 C. W 500 D. W 2505电路如图11005所示，A 点的电位A V 为 C A. V 12 B. V 12- C. V 6- D. V 6V ΩV12图11005aoΩ图110066已知电路如图11006所示，则b 、c 两点间的电压bc U 为 C A. V 0 B. V 8 C. V 2 D. V 2-7电路如图11007所示，A 点的电位A U 为 C A. V 8 B. V 6- C. V 5- D. V 10-A图11007ABV6图110088一段有源电路如图11008所示，A 、B 两端的电压AB U 为 D A. V 10 B. V 2 C. V 10- D. V 2-9一段有源电路如图11009所示，A 、B 两端的电压AB U 为 C A. V 12 B. V 0 C. V 12- D. V 6AB图1100910一段有源电路如图11010所示，A 、B 两端的电压AB U 为 C A. V 0 B. V 16 C. V 16- D. V 8B图1101011电路如图11011所示，电压与电流的关系式为 B A. IR E U -= B. IR E U += C. IR E U +-= D. IR E U --=图1101112电路如图11012所示，电压与电流的关系式为 B A. IR E U += B. IR E U -= C. IR E U +-= D. IR E U -=-图11012A. 仅是电压源B. 仅是电流源C. 电压源和电流源都产生功率D. 确定的条件不足V图1101314电路如图11014所示，电路中产生功率的元件是 B A. 仅是电压源 B. 仅是电流源 C. 电压源和电流源都产生功率 D. 确定的条件不足Ω图1101415电路如图11015所示，电路中产生功率的元件是 C A. 仅是电压源 B. 仅是电流源 C. 电压源和电流源都产生功率 D. 确定的条件不足Ω图11015A. 仅是电压源B. 仅是电流源C. 电压源和电流源都产生功率D. 确定的条件不足图1101617电路如图11017所示，电路中输出功率的元件是 D A. 仅是电压源 B. 仅是电流源C. 电压源和电流源都输出功率D. 确定的条件不足图1101718在图11018的电路中，总电流I为已知，则支路电流1I为 BA.IRRR211+ B.IRRR212+C.IRRR121+D.IRRR221+2图11018１(a) 2(b) 3(c) 4(c) 5(b) 6(a) 7(b) 8(b) 9(a) 10(b)11 由KCL I 3＝I 1－I 5＝11－6＝5mA I 2=I 3－I 4=5－12=－7mAI 6=I 1－I 2=11－(－7)=18mA12 (1) V A ＝R 3 I S －U S ＝20 V(2) V A= -+S U R R R 223 = －2.4 V13 设 下 图 A B 支 路 除 外 的 无 源 二 端 网 络 的 等 效 电 阻 为 R AB 。
电子技术习题集-答案
第2章 习题2.1.1 如右下图所示电路中，E 12V =， D 为硅二极管，R 10K =Ω，则二极管D 和和电阻R 上的电压各为多少？流过二极管的电流多大？解： 二极管正偏导通:D U 0.7V ≈; R U 120.711.3V =-=D R 11.3I I 1.13mA 10===2.1.2 在下图中的各电路图中，i u 12sin t ω=V ，二极管D 的正向压降忽略不计。
试分别画出输出电压o u 的波形。
（a ） （b ） （c ）解：2.1.3二极管电路如图所示，试分别判断图（a ）和（b ）中的二极管是导通还是截止，并求出AB 两端电压AB U 。
设二极管是理想的。
(a) (b)解：(a) D 导通，AB U 6V =-； （b ）D1导通，D2截止；AB U 0V =；2.2.1在下图中，所有稳压二极管均为硅管且稳压电压Z U 6V =，输入电压i u 12sin t ω=V ，画出输出电压o u 波形图。
解：2.2.2在下图所示的(a)和（b ）分别为稳压管的并联和串联连接，哪种稳压管的用法不合理？试说明理由。
解：（a ）由于稳压管的击穿电压各不相同，击穿电压低的管子工作，而另一个不工作。
(b)可以串联连接，输出电压为两个稳压管稳压电压之和。
2.2.2在如图所示的稳压管稳压电路中, I U 14V =，波动范围10%±；稳压管的稳定电压Z U 6V =，稳定电流Z I 5mA =，最大耗散功率ZM P 180mW =；限流电阻R 200Ω=；输出电流o I 20mA =。
（1）求I U 变化时稳压管的电流变化范围；（2）如果负载电阻开路，会发生什么现象？解：输入电压波动范围：Imin I U 0.9U (0.914)V 12.6V ==⨯=Imax I U 1.1U (1.114)V 15.4V ==⨯=I U 波动时流过限流电阻R 的电流变化范围为：Imin Z R min U U 12.66I 0.033(A)33mA R 200--====Imax Z R max U U 15.46I 0.047(A)47mA R 200--====稳压管最大稳定电流ZM ZM Z P 180I 30mA U 6=== （1）Z D min R min o I I I 332013mA =-=-=Z D max R max o I I I 472027mA =-=-=（2）如果负载电阻开路，即o I 0mA =，则稳压管中电流为限流电阻上的电流。
电力电子技术 第6-8章 习题集答案
第6-8章一、简答题1、试说明PWM控制的基本原理。
答：PWM控制就是对脉冲的宽度进行调制的技术，即退过对一系列脉冲的宽度进行调制，来等效地获得所需要波形（含形状和幅值）。
在采样控制理论中一条重要的结论：冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同，冲量即窄脉冲的面积。
效果基本相同是指环节的输出响应波形基本相同，上述原理称为面积等效原理。
以正弦PWM控制为例。
把正弦半波分成N等份，就可把其看成N个彼此相连的脉冲列所组的波形。
这些脉冲宽度相等，都等于π/N，但幅值不等且脉冲顶部不是水平直线而是曲线，各脉冲幅值按正弦规律变化。
如果把上述脉冲列利用相同数量的等幅而不等宽的矩形脉冲代替，使矩形脉冲的中点和相应弦波部分的中点重合，且使矩形脉冲和相应的正弦波部分面积（冲量）相等，就得到PWM波形。
各PWM脉冲的幅值相等而宽度是按正弦规律变化的。
根据面积等效原理，PWM波形和正弦半波是等效的。
对于正弦波的负半周，也可以用同样的方法得到PWM波形。
可见，所得到的PWM波形和期望得到的正弦波等效。
2、什么是异步调制？什么是同步调制？两者各有何特点？分段同步调制有什么优点？答：载波信号和调制信号不保持同步的调制方式称为异步调制。
在异步调制方式中，通常保持载波频率f c固定不变，因而当信号波频率f r变化时，载波比N是变化的。
异步调制的主要特点是：在信号波的半个周期内，PWM波的脉冲个数不固定，相位也不固定，正负半周期的脉冲不对称，半周期内前后1/4周期的脉冲也不对称。
这样，当信号波频率较低时，载波比N较大，一周期内的脉冲数较多，正负半周期脉冲不对称和半周期内前后1/4周期脉冲不对称产生的不利影响都较小，PWM波形接近正弦波。
而当信号波频率增高时，载波比N减小，一周期内的脉冲数减少，PWM脉冲不对称的影响就变大，有时信号波的微小变化还会产生PWM脉冲的跳动。
这就使得输出PWM波和正弦波的差异变大。
电力电子技术_习题集(含答案)
《电力电子技术》课程习题集一、单选题1.晶闸管内部有（）PN结。
A、一个B、二个C、三个D、四个2.电力二极管内部有（）个PN结。
A、一个B、二个C、三个D、四个3.双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）电极。
A、一个B、两个C、三个D、四个4.比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR5.下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、GTRB、MOSFETC、IGBTD、SR6.比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、IGBT7.下列半导体器件中属于电压型控制器件的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR8.压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来作（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护9.晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护10.普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
A、有效值B、最大值C、平均值D、最小值11.晶闸管在电路中的门极正向偏压（）愈好。
A、愈大B、愈小C、不变D、为零12.快速熔断器在晶闸管整流电路中主要是用来作（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护13.当晶闸管的额定电压小于实际要求时，可以用两个以上同型号的器件相( )。
A、串联B、并联C、串并联14.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )。
A、导通状态B、关断状态C、饱和状态D、不定15.当晶闸管的额定电流小于实际要求时，可以用两个以上同型号的器件相 ( )。
A、串联B、并联C、串并联16.晶闸管整流电路中直流电动机应该属于（）负载。
A、电阻性B、电感性C、反电动势D、不定17.晶闸管可控整流电路中的控制角α减小，则输出的电压平均值会（）。
A、不变B、增大C、减小D、不定18.三相可控整流与单相可控整流相比较，输出直流电压的纹波系数（）。
电子技术基础(含答案)
83.已知图所示电路中晶体管的＝100，rbe=1kΩ。
（1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，估算Rb约为多少千欧；
（2）若测得 和 的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻RL为多少千欧？
84.放大电路如图所示，已知图中Rb1＝10kΩ， Rb2＝2．5kΩ，Rc＝2kΩ，Re＝750Ω，RL＝1．5kΩ，Rs＝10kΩ，Vcc＝15V，β＝150。设Cl，C2，C3都可视为交流短路，试用小信号分析法计算电路的电压增益AV，源电压放大倍数AVS，输入电阻Ri，输出电阻Ro。
21.如果三极管的发射结反偏，则三极管处于的状态是（ ）
A.放大B.饱和C.截止D.倒置
22.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ ）失真。
A.饱和B.截止C.交越D.频率
23.射极输出器的主要特点是（ ）
A.电压放大倍数无穷大，输出电阻高，输入电阻低
B.电压放大倍数接近1，输出电阻低，输入电阻高
A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零
16.以下电路中，可用作电压跟随器的是（ ）。
A．差分放大电路B．共基放大电路C．共射放大电路D．共集放大电路
17.共模抑制比KCMRR是（ ）。
A. 差模输入信号与共模输入信号之比
B. 输入量中差模成份与共模成份之比
C. 差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)之比
C.除放大电路以外还有信号通道 D.输出与输入信号成非线性的关系
40.对于放大电路，所谓开环是指（ ）。
A．无信号源 B．无反馈通路 C．无电源 D．无负载
41.整流的目的是（ ）。
A.将交流变为直流 B.将高频变为低频 C.将正弦波变为方波D.将直流变为交流
模拟电子技术习题集(一)
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。
图解：U O1≈，U O2＝0，U O3≈－，U O4≈2V，U O5≈，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
图解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率P C M＝200mW ，试画出它的过损耗区。
电工电子技术习题集
第1章 电路和电路元件一、选择题1. 电路中所示支路的电压U 为( )。
A.16VB.12VC.-12VD.-16V3. 电路中所示支路的电压为( )。
A.-8VB.12VC.-12VD.8V4. 电路中所示支路的电压为( )。
A.16VB.12VC.-12VD.-16V5. 如图所示电路中，A 点的电位为( )。
A.1VB.-1VC.4VD.6V6. 如图所示电路中，A 点的电位为( )。
A.2VB.-2VC.3VD.-3V7. 如图所示电路中，B 点的电位为( )。
A.1VB.-1VC.4VD.-4VΩk 4Ωk 210. 如图所示电路中，A 点的电位为( )。
A.1VB.-1VC.4VD.-4V11. 理想电压源外接电阻越大，则( )。
A ．输出功率越大 B.输出功率越小 C ．电流越大 D.功率不变 12. 如图所示电路中，求电流I 的值为( )。
A.1AB. 2AC. 4AD. 8A17. 图所示电路中，电流源发出的功率为( )。
A.100WB. -100WC. 50WD. 200W18.图所示电路中，若U=-15V，则5V电压源发出的功率为( )。
A.10WB. -10WC. 50WD. 200W-1Ω+5Ω21.图所示电路中，电流源吸收的功率为( )。
A.10WB. -10WC. 50WD. -50W+5Ω23.图所示电路中，电压源吸收的功率为( )。
A.30WB. -30WC. 50WD. -50W+15V25.图所示电路中，电流源发出的功率为( )。
A.30WB. -30WC. 75WD. -75W27.如图所示电路电压U为( )。
A.1VB. 2VC. 4VD. -1V3Ω第2章 电路分析基础2.1 基尔霍夫定律一、选择题1. 如图所示电路中，电流I 为（ ）。
A.3AB.-3AC.-7 AD.7AΩ31I I 34. 如图所示电路中，电流I 3为（ ）。
A.3A B.-3AC.-7 AD.7AabU6. 如图所示电路中，电流I 为（ ）。
电工电子技术基础学习知识习题集解答
第1章习题1-1 判断题1．电荷的定向移动形成电流。
（√）2．直流电路中，电流总是从高电位流向低电位。
（√）3．电阻的体积越大，其额定的耗散功率越大。
（√）4．电阻的额定功率越大，它消耗的电能就越大。
（×）5．电阻串联时，各电阻上消耗的功率与其电阻的阻值成反比。
（×）6．电流表必须串联在电路中应用，而电压表则必须并联在电路中应用。
（√）7．在选择电器时，电器的额定电压一定要等于电源的额定电压。
（√）8．额定功率越大的电器，其消耗的电能一定多。
（×）9．电压源和电流源是同一电源的两种不同的等效模型。
（√）10．电容器和电阻器虽然结构不同，其实是同一类型的电气元件。
（×）11．电容器并联总电容量增加；电容器串联总电容量减小。
（√）12．对于同一个电容器，两端的电压越高其储存的电场能量越小。
（√）1-2 计算题1 一直流电流流过导体，已知在1min内通过导体横截面的电荷量为6000C，问该电流有多大？如果在1s内通过导体横截面的电荷量为6000C，问该电流有多大？解：根据I=Q/t, 有（1）I=6000C/60s=100A（2）I=6000C/1s=6000A2 试在图1-30中标出电流、电动势、电压的实际方向，并问通过电流表A1和A2的电流是否相等？B 、C 、D 各点的电位谁高谁低？图1-30 题2图解：因为A1、A2是串联关系，流过的电流相等；电位的排序为：B ＞C ＞D3 有两条长度为1 km 、截面积为2 mm 2的导线，一条是铝线，一条是铜线，这两条导线在常温下的电阻各为多少？要想使铝导线的电阻与铜导线的电阻相同，铝导线的截面积应增加为多大？解：（1）铝导线常温下的电阻：=⨯⨯⨯==--63610210100283.0S l R 铝铝ρ14.15Ω （2）铜导线常温下的电阻：=⨯⨯⨯==--63610210100175.0S l R 铜铜ρ8.75Ω （3）铝导线的电阻与铜导线的电阻相同时铝导线的截面积为：2636m m 23.31073.810100283.0=⨯⨯⨯=--铝S 4 有两只灯泡，额定功率都为40 W ，一只额定电压为36V ，另一只额定电压为12V ，两只灯泡工作时的电阻各为多少？如果将两只灯泡串联后接于48V 的电源上，哪只灯泡的电压超过了额定电压？将会有什么现象发生？解：（1）工作电压为36VR =U 2/P =32.4Ω （2）工作电压为12VR =U 2/P =3.8Ω（3）串联接于48V 电源上 两电阻之和为R =32.4+3.8=36.2Ω 根据串联电阻分压公式有2.4348364.3211=⨯==U R R U V U 2=48-43.2=4.8V额定电压为36V 的灯泡过压，灯丝会烧断。
(完整版)电子技术基础(含答案)
《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为08001）共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。
一、单选题1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在（）状态。
A. 击穿B. 截止C. 放大D. 饱和2.二极管的主要特性是（）。
A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在N型半导体中（）。
A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有电子D.没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。
A.放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。
A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。
A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管处于（）状态。
A.饱和B.截止C.放大D.击穿10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。
A.大于B.小于C.等于D.大于或等于11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。
A.自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。
A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结反偏13.下列关于半导体的说法正确的是（）。
《电工与电子基础技术》习题集参考答案
《电工与电子基础技术》习题集参考答案电工与电子基础技术习题一一、填空题：（每小题3分，共30分）1、电路是指（）流通的路径，由（）、（）、（）和（）四个基本部分组成。
2、在汽车单线制电路中，从（）到（）只用一根导线相连，称为（）；另一个电极与车架相连，称为（）。
3、电路图主要有（）图、（）图、（）图等图。
4、电路原理图简称（），它主要反映电路中各元器件之间的（），并不考虑各元器件的（）和（）。
5、框图是一种用（）、（）和（）等来表示电路工作原理和构成概况的电路图。
6、由于制作电路板时一般要用印刷油漆的方法将需要保留铜箔处覆盖，所以这种电路图的元器件的安装图称为（）图。
7.电路常见的三种工作状态为（）、（）、和（）。
8.汽车电路中具有一定电位的部位与金属机体相碰时发生的短路现象，称为（）。
9、（）的电路称为部分电路，（）的电路称为全电路。
10、人们把（）随（）变化的关系特性称为电源的外特性。
二、判断题（对的打√，错的打х，每小题2分共20分）1、负载也称为用电器。
（）2.从根本上说，框图也是一种原理图。
（）3、交流电流表和直流电流表都有“+”“-”两个接线端子. （）4、电路中有电流流动是电场力做功的结果。
（）5、电路中任意两点之间的电位差等于这两点之间的电压。
（）6、电压也称电位差。
（）7、交流电压表和直流电压表都有“+”“-”两个接线端子。
（）8、燃料电池虽然是一种高效、清洁、环保的电源，但它是一种蓄电池，需要充电。
（）9、电路无论空载还是满载，电源两端的电压都保持恒定不变。
（）10、在开路状态下，开路电流为零，电源端电压也为零。
（）三、选择题（每小题2分共20分）1、以下三种形式的电路图中，（）只能用来表示电路的大致组成情况和工作流程，更多应用于描述较为复杂的电气系统。
A、电路原理图B、框图C、印制电路图2、以下三种形式的电路图中，( )是分析和排除电路故障的基础，它最为常用，也最重要。
A、电路原理图B、框图C、印制电路图3、规定电流的方向为( )定向移动的方向。
电子技术课后习题集详解
习题解答【1-1】填空：1．本征半导体是，其载流子是和。
两种载流子的浓度。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
3．漂移电流是在作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是，与此有关的两个主要参数是和。
5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。
它工作在。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。
7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。
8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件。
9．场效应管属于控制型器件，而双极型晶体管是控制型器件。
10．当温度升高时，双极性晶体管的β将，反向饱和电流I CEO将，正向结压降U BE将。
11．用万用表判断电路中处于放大状态的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。
12．晶体管工作有三个区域，在放大区时，应保证和；在饱和区，应保证和；在截止区，，应保证和。
13．当温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。
解：1.完全纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。
2.杂质浓度，温度。
3.少数载流子，(内)电场力。
4. 单向导电性，正向导通压降U F 和反向饱和电流I S 。
5. 反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（U Z ），工作电流（I Emin ），最大管耗（P Zmax ）和动态电阻（r Z ）6. 增大;7. NPN ，PNP ，自由电子，空穴(多子，少子)。
8. 结型，绝缘栅型，多数，单极型。
9. 电压，电流。
10. 变大，变大，变小。
11. 各管脚对地电压;12. 发射结正偏，集电结反偏；发射结正偏，集电结正偏；发射结反偏，集电结反偏。
13. 左移，上移，增大.。
【1-2】在图1-2的各电路图中，E =5V ，u i =10t sin V ，二极管D 视为理想二极管，试分别画出输出电压u o 的波形。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
第2章习题2.1.1如右下图所示电路中，E12V=， D为硅二极管，R10K=Ω，则二极管D和和电阻R上的电压各为多少？流过二极管的电流多大？解：二极管正偏导通:DU0.7V≈;RU120.711.3V=-=D R11.3I I 1.13mA10===2.1.2 在下图中的各电路图中，iu12sin tω=V，二极管D的正向压降忽略不计。
试分别画出输出电压ou 的波形。
（a）（b）（c）解：2.1.3二极管电路如图所示，试分别判断图（a）和（b）中的二极管是导通还是截止，并求出AB两端电压ABU。
设二极管是理想的。
(a) (b)解：(a) D导通，ABU6V=-；（b）D1导通，D2截止；ABU0V=；2.2.1在下图中，所有稳压二极管均为硅管且稳压电压ZU6V=，输入电压iu12sin tω=V，画出输出电压ou波形图。
解：2.2.2在下图所示的(a)和（b）分别为稳压管的并联和串联连接，哪种稳压管的用法不合理？试说明理由。
解：（a）由于稳压管的击穿电压各不相同，击穿电压低的管子工作，而另一个不工作。
(b)可以串联连接，输出电压为两个稳压管稳压电压之和。
2.2.2在如图所示的稳压管稳压电路中,IU14V=，波动范围10%±；稳压管的稳定电压ZU6V=，稳定电流ZI5mA=，最大耗散功率ZMP180mW=；限流电阻R200Ω=；输出电流oI20mA=。
（1）求IU变化时稳压管的电流变化范围；（2）如果负载电阻开路，会发生什么现象？解：输入电压波动范围：Imin IU0.9U(0.914)V12.6V==⨯=Imax IU 1.1U(1.114)V15.4V==⨯=I U 波动时流过限流电阻R 的电流变化范围为：Imin Z R min U U 12.66I 0.033(A)33mA R 200--====Imax Z R max U U 15.46I 0.047(A)47mA R 200--====稳压管最大稳定电流ZM ZM Z P 180I 30mA U 6=== （1）Z D min R min o I I I 332013mA =-=-=Z D max R max o I I I 472027mA =-=-=（2）如果负载电阻开路，即o I 0mA =，则稳压管中电流为限流电阻上的电流。
由于其大于ZM I （30mA ），稳压管会因电流过大而损坏。
2.3.1 有一电压为110V ，电阻为75Ω的直流负载，如果采用单相桥式整流电路（不带滤波器）供电，试确定整流二极管参数。
解：采用单相桥式整流电路，变压器二次侧电压有效值：o U 110U 122.2V 0.90.9=== 二极管最大反向电压：RM U 2U 2122.2173V ==⨯=负载电流o 110I 1.5A 75=≈ 二极管电流为负载电流一半：D o 1I I 0.75A 2== 选取RM U 173V >，D I 0.75A >的整流二极管可满足要求。
如1N4003(200V,1A)、2CZ55E(300V,1A)等。
2.3.2 带电容滤波的桥式整流电路如图所示，已知变压器二次侧电压为20V ，滤波电容C 足够大，电网波动范围10%±，输出电压O Z U U 12V ==，负载电流O I 变化范围5～15mA ，稳压管中电流允许变化范围为5～30mA 。
（1）选取限流电阻R ；（2）确定整流二极管的参数。
解：（1）限流电阻R 选择：稳压电路输入电压I C U U 1.2U 1.22024V ===⨯=考虑电网波动：Imax U 1.12426.4V =⨯=；Imin U 0.92421.6V =⨯=则限流电阻：Imin Z max Zmin Omax U U 21.612R 0.48(K )I I 515--===Ω++Imax Z min Zmax Omin U U 26.412R 0.41(K )I I 305--===Ω++选用标称值430Ω电阻的限流电阻（即R 430=Ω）。
（2）流过限流电阻R 的最大电流Imax Z max U U 26.412I 0.033A 33mA R 430--====整流二极管电流D 1I 3317mA 2=⨯≈ 最大反向电压RM U 1.12U 1.122031V ==⨯⨯≈整流二极管应满足：最大整流电流17mA >;最大反向峰值电压>31V;可选用1N4001（50V ，1A ）。
2.3.3 如图所示为CW117构成的输出电压可调的稳压电源。
已知CW117的输出电压REF U 1.25V =，输出电流3I 允许范围为10mA ～1.5A ，23U 允许范围为3～40V 。
试计算：（1）1R 的最大值；（2）O U 的最小值；（3）1R 100Ω=时，P R 需调节为多大可以使输出O U 30V =； 解：（1）负载断开时，CW117电流最小，为10mA ； 因此：REF 1max 3min U 1.25R 0.125(K )125I 10Ω≤==Ω= （2）输出电压最小值Omin REF U U 1.25V == （3）REFO 1P 1U U (R R )R =+ O 1P 1REF U R 30100R R 1002300 2.3K U 1.25ΩΩ⨯=-=-==第3章习题3.1.1测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。
在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
3.2.1试分析图所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
3.3.2某固定偏置放大电路，已知U CC =12V ，U BE =0.7V ，U CE =5V ，I C =2 mA ，采用β=50的3DG6晶体管，要求：(1) 画出固定偏置放大电路; (2) 计算R B 和R C 的阻值; (3) 若换用β=70的同型号晶体管，其他参数不变, 试问I C 和U CE 等于多少？3.3.3电路如图所示，已知R B k =400 Ω，R C k =1 Ω，U BE .V =06 ，要求:(1) 今测得U CE V =15，试求发射极电流I E 以及晶体管的β; (2)欲将晶体管的集射极电压U CE 减小到8V ， 试求R B 应如何调整？并求出其值。
(3) 画出微变等效电路。
3.4.2 放大电路如图所示, 晶体管的电流放大系数β=50，07BEU.V=，RB1=110 kΩ，R B2= 10 kΩ，R C=6kΩ，R E=400Ω，R L＝6kΩ，要求：(1) 计算静态工作点；(2) 画出微变等效电路；(3) 计算电压放大倍数。
3.4.3 某放大电路如图所示。
已知图中CC S B1B2U=15V,R=500Ω,R=40KΩ,R=20KΩ,，，，，，，。
晶体管T的be BEβ=50,r=1kΩ,U0.7V≈。
试求：（1）电路的静态工作点CQI和CEQV；（2）画出微变等效电路(3) 输入电阻iR及输出电阻oR；（4）电压放大倍数ouiUAU=&&&及oussUAU=&&&3.4.4 电路如图所示，已知晶体管的r be =2k Ω，β=75，输入信号u t S sin mV =5ω，R S k =6Ω，R B1k =270 Ω，R B2k =100 Ω，R C .k =51 Ω，R E1=150 Ω，R E2k =1 Ω。
要求：(1) 画出微变等效电路; (2)求电路的输出电压U o ; (3) 若调节电路参数，使基极电流I B A =16μ，试分析说明当u t S mV=50sin ω时，电路输出电压会不会出现截止失真，为什么? ++++u ou S－R B1R B2R CR E1R E2C 1C 2C E+12V•R SBC E+－3.6.1电路如图所示。
晶体管T 为3DG4A 型硅管，其20024be ββ,r .k Ω===。
电路中的U CC =24V ，R B = 96kΩ，R C =R E =2.4kΩ，电容器C 1、C 2、C 3 的电容量均足够大，正弦波输入信号的电压有效值U i =1V 。
试求： (1) 输出电压U o1、U o2的有效值；(2) 用内阻为10kΩ的交流电压表分别测量u o1、u o2时，交流电压表的读数各为多少？3.6.2 电路如图（a ）、(b)所示，已知U CC =+12V ，β=70，r be =1.4k Ω，当信号源电压均为u tm S V =5sin ω时，计算出各自的输出电压u o ，并比较计算结果，说明图(b)电路中射极跟随器所起的作用。
3.7.1 放大电路如图所示，各管的β= 100，r be = 1 k Ω，试计算放大电路的静态值，电压放大倍数A u ，输入电阻r i 和输出电阻r o 。
+++－++R B1R CR E1R Lu iu o C 1C 2C 3C ER B2R B3'R E2''R E2T 2T 112+-376k Ω75.k Ω200k Ω09.k Ω1k Ω400k Ω65Ω3k Ω3.7.2 放大电路如图所示，已知晶体管T 1，T 2的电流放大系数ββ1250==，U BE 1=U BE 2=06. V ，r be 1.k =165 Ω，r be 2.k =057 Ω，要求：(1) 用估算法求各级静态工作点I B1，I C1，U CE1，I B2，I C2，U CE2；(2) 画出微变等效电路；(3) 计算各级放大电路的输入电阻r i 和输出电阻r o ；(4) 计算各级放大电路的电压放大倍数A u 1和A u 2，以及总电压放大倍数A u ；(5) 去掉第二级，将2k Ω负载电阻作为第一级的负载，再求第一级的电压放大倍数；(6) 从(4)，(5)项的计算结果中，能说明什么问题？++u o u iC 1C 2++C 3C 4+20VT 2T 1+-+-51k Ω75.k Ω100k Ω2k Ω2k Ω2k Ω8k Ω3.8.1在图所示的差分放大电路中，β=50，U BE =0.7V ，输入电压u i1=10mV,u i2=2mV 。
(1)计算放大电路的静态值I B ，I C 及各电极的电位V E ，V C 和V B ；（2）把输入电压u i1，u i2分解为共模分量u ic1，u ic2和差模分量u id1，u id2；(3)求单端共模输出u oc1和u oc2；(4)求单端差模输出u od1和u od2；(5)求单端总输出u o1和u o2；（6）求双端共模输出u oc 、双端差模输出u od 和双端总输出u o 。
第4章习题4.1 场效应晶体管与双极型晶体管比较有何特点？4.2 典型的共漏电路——源极输出器如图所示，试求其电压增益VmA、输入电阻iR和输出电阻oR。