模拟电子技术基础简明教程课后答案(第三版)
模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行版 (第一、二章的课后习题答案)
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
模拟电子技术基础简明教程[第三版]习题答案解析1
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第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ，u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得，开启电压U GS(th)=2V ，I DO =2.5mA ，4 1.22.84.53.5D m GS i g mS u ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P 型沟道或N 型沟道，增强型或耗尽型）。
如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ；如为增强型，标出其开启电压U GS(th)。
(a)绝缘栅型N 沟道增强型；(b)结型P 沟道耗尽型；(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型；(d)绝缘栅型P 沟道增强型。
习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ，I DO =4mA ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ，夹断电压U GS(off)=4V ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-18图习题1-19图R b R e i U +oU R i U +oU R 1i U '+2i i N U U N '=L R '=定电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数将增u A ↑。
u A ，↓。
u A ↓。
u A ④增大β，则I BQ 基本不变u A完美WORD 格式编辑i U +oU +(b)解：①可先用近似估算法求I BQ100.70.0220510CC BEQb V U mA AR μ--==≈=Q 1完美WORD 格式编辑Q 1Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ，u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此，需减小R c 和R b ，可减为R c ＝4k Ω，R b ＝250Q 3R b 211k Ωi U oU (b)P2-7()153CE CC C c e C V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线， 2.67.2点，且斜率为，其中1LR -'R b 211k Ωi U oU图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60，V ，R b =530k Ω，R L =5M Ω，试：①估算静态工作点；值；，输入电阻u A R b C 1R iU o U ++_(u R A β=-( u RAβ=-?ouiUAU==o ii i oU RU R R=+iU o U+_(uRAβ=-iU o U +R e 2k Ω(u A r β=-+R b 1-i U sU oU +-i UR b-sU +-R oU iU (1(1u A r +=+(1(1u A r +=+R -1o U iU 2o U r beR cR biU 1o U 2o U -+-1o i be U U r =-+2(1(1o i be U U r +=+12o o U U ≈-oU R b 2=10R =3k(//c u R A r β=R 1i U oU -m (1)i gs d s m s gs U U I R g R U =+=+(//)o m gs d L U g U R R =-(1o m i U g R U =-+R SgsU o m gs sU g U R =(1)i gs o m s gsU U U g R U =+=+1o m i m U g R U g =+12u be A r =-22k =ΩCR E1Us习题2-27P110答：①测静态工作点Q ：直流稳压电源、万用表(直流电压档)：直流稳压电源、正弦波信号发生②测电压放大倍数Au器、示波器、交流毫伏表。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行版_(第一章的课后习题答案)
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示：①如在二极管两端通过1k Ω的电阻加上1.5V 的电压，如图(b)，此时二极管的电流I 和电压U 各为多少？②如将图(b)中的1.5V 电压改为3V ，则二极管的电流和电压各为多少？U/VI/mA 0 0.5 1 1.52123(a )+ U -I 1.5V 1k Ω(b )解：根据图解法求解①电源电压为1.5V 时1.5U I=+0.8,0.7I A U V≈≈②电源电压为3V 时3U I =+2.2,0.8I A U V≈≈可见，当二极管正向导通后，如电源电压增大，则二极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大。
习题1-4已知在下图中，u I = 10sin ωt (V)，R L =1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u D 以及输出电压u O 的波形，并在波形图上标出幅值。
设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
+ u D -R L(a )+u D-i D +u I -u I /V ωt 010i D /m A ωt 100ωt 0u I /V -10u o /V ωt10习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-[1]
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习题2-1试判断图P2-1中各电路有无放大作用，简单说明理由。
答：(a无放大作用（发射结反偏）；
(b不能正常放大（发射结无直流偏置）；(c无放大作用（集电结无直流偏置）；(d无放大作用（发射结无直流偏置）；(e有放大作用（是射极跟随器）；(f 无放大作用（输出交流接地）；(g无放大作用（输入交流接地）；(h不能正常放大（栅极无直流偏置）；(i无放大作用（电源极性接反）；
习题2-3在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数时，试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 和U CE Q 将增大、减少还是基本不变。
①增大R b ；②增大V CC ；③增大β。
答：①增大R b ，则I BQ 减少，I CQ 减少，U CE Q 增大。
②增大V CC ，则I BQ 增大，I CQ 增大，U CE Q 不确定。
③增大β，则I BQ 基本不变，I CQ 增大，U CE Q 减少。
习题2-19 P107
解：(a共基电路
(b共射电路(c共集电路(d共射电路(e共射－共基电路
①
②时
时
③当时，如果
去掉射极输出器，则
习题2-
微变等效电路：
Rb①
②RL=∞时，
Rb12=时，
③如果去掉射极输出器，则时，
时，
习题2-27 P110 答：①测静态工作点Q ：直流稳压电源、万用表(直流电压档②测电压放大倍数Au ：直流稳压电源、正弦波信号发生器、示波器、交流毫伏表。
③测最大输出电压幅度Uom ：同②④测输入电阻Ri ：同②⑤测输出电阻Ro ：同②。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行版_(第一章的课后习题答案)
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)习题答案1-3(DOC)
第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ，u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得，开启电压U GS(th)=2V ，I DO =2.5mA ，4 1.22.84.53.5D m GS i g mS u ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P 型沟道或N 型沟道，增强型或耗尽型）。
如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ；如为增强型，标出其开启电压U GS(th)。
(a)绝缘栅型N 沟道增强型；(b)结型P 沟道耗尽型；(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型；(d)绝缘栅型P 沟道增强型。
习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ，I DO =4mA ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ，夹断电压U GS(off)=4V ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-18图习题1-19图R b (a)交流通路R e i U +--oU R (b)交流通路i U +--oU R 1(c)交流通路i U '+-21i i N U U N '=23L N R R ⎛⎫'= ⎪NPN 三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数时，试定性说明、I CQ 和U CE Q 将增大、减少还是基本不变。
定电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数将增u A ↓，↑。
u A ，↓。
u A ↓。
u A ④增大β，则I BQ 基本不变，r be ↑，基本不变u Ai U +--oU +(b)解：①可先用近似估算法求I BQ100.70.0220510CC BEQb V U mA AR μ--==≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q 点处，0.5,U V I ≈≈Q 1Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ，u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此，需减小R c 和R b ，可减为R c ＝4k Ω，R b ＝250Q 3R b 211k Ω2i U oU +_(b)图P2-7解：①直流负载线方程为：()153CE CC C c e C u V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线， 2.67.2点，且斜率为，其中1LR -'R b 211k Ω2i U oU ++图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60，V ，R b =530k Ω，R L =5M Ω，试：①估算静态工作点；值；，输入电阻。
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+
习题1-3 某二极管的伏安特性如图(a)所示�
①如在二极管两端通过1kΩ的电阻加上1.5V的电压�如图 (b)�此时二极管的电流 I 和电压U各为多少�
②如将图(b)中的1.5V电压改为3V�则二极管的电流和电
压各为多少�
I/mA
解�根据图解法求解 3
②
I � U �U Z � 30mA R
� IZ � I � I RL � 30 � 6 � 24mA
③
I RL
� UZ RL
� 3mA
� IZ � I � I RL � 20 � 3 � 17mA
习题1-8 设有两个相同型号的稳压管�稳压值均为6V� 当工作在正向时管压降均为0.7V�如果将他们用不同的方 法串联后接入电路�可能得到几种不同的稳压值�试画出
2kΩ 20kΩ
10V
(c)
IB � 0.465mA IC � 23.25mA U CE � �36.5V
以上算出的IC 与UCE值是荒谬 的�实质上此时三极管巳工作 在饱和区�故IB=0.465 mA� IC≈ VCC/ RC=5mA� UC E=UC ES ≈0.3V�见图P1-14(g)中C点。
习题1-16 已知一个N沟道增强型MOS场效应管的输出特性 曲线如图P1-16所示。试作出uDS=15V时的转移特性曲线�并 由特性曲线求出该场效应管的开启电压 UGS(th )和 IDO值�以及 当 uDS =15V� uGS =4V时的跨导 gm。
uDS=15V
由图可得�开启电压 UGS(th )=2V� IDO =2.5mA�
(b)交流通路
习题1-4 已知在下图中�uI = 10sinωt (V)�RL=1kΩ�试 对应地画出二极管的电流 iD、电压uD以及输出电压uO的波 形�并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向
模拟电子技术基础简明教程(第三版) 杨素行 课后答案
+习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
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+习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)课后答案第9章习题答案
9-6试用产生正弦波振荡的相位平衡条件判断图9-42中 的各电路能否产生正弦振荡。
Байду номын сангаас
电路引入正反馈，能产生 电路引入正反馈， 正弦振荡。 正弦振荡。
9-6试用产生正弦波振荡的相位平衡条件判断图9-42中 的各电路能否产生正弦振荡。
RC移相式正弦波发生电路， 移相式正弦波发生电路， 移相式正弦波发生电路 需要三节或三节以上的RC 需要三节或三节以上的 移相环节。 移相环节。 不能产生正弦振荡 产生正弦振荡。 不能产生正弦振荡。 详见书p250。 详见书 。
正反馈，满足相位平衡条件。 正反馈
共基
9-9判断图9-45各电路能否满足产生正弦振荡的相位平 衡条件。
负反馈，不满足相位平衡条件。 负反馈
9－16 集成运放的最大输 出电压是±13V，输入信号 出电压是±13V， 的低频信号。 是uI＝5sinωt的低频信号。 的低频信号 按理想情况画出U ＋ 按理想情况画出 R=＋ 2.5V、0V、 －2.5V时输 、 、 时输 出电压的波形。 出电压的波形。
－
＋
－
9-7试分析图9-43中各电路是否满足产生正弦振荡的相 位平衡条件，其中d分图是交流等效电路。
正反馈，满足相位平衡条件。 正反馈
9-7试分析图9-43中各电路是否满足产生正弦振荡的相 位平衡条件，其中d分图是交流等效电路。
负反馈，不满足相位平衡条件。 负反馈
9-7试分析图9-43中各电路是否满足产生正弦振荡的相 位平衡条件，其中d分图是交流等效电路。
0
当UR>0时：方波波形不变，三角波波形向上平移 当UR<0时：方波波形不变，三角波波形向下平移
9-22方波和三角波发生电路如图9-57所示。 2.画出u01和u 的波形，标明峰-峰值。如果A1的反相端 改接UREF，方波和三角波的波形有何变化？ 解：
模拟电子技术基础简明教程(第三版)习题答案1-3(DOC)
第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ，u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得，开启电压U GS(th)=2V ，I DO =2.5mA ，4 1.22.84.53.5D m GS i g mS u ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P 型沟道或N 型沟道，增强型或耗尽型）。
如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ；如为增强型，标出其开启电压U GS(th)。
(a)绝缘栅型N 沟道增强型；(b)结型P 沟道耗尽型；(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型；(d)绝缘栅型P 沟道增强型。
习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ，I DO =4mA ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ，夹断电压U GS(off)=4V ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-18图习题1-19图(b)解：①可先用近似估算法求I BQ100.70.0220510CC BEQb V U mA AR μ--==≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q 点处，0.5,U V I ≈≈Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ，u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此，需减小R c 和R b ，可减为R c ＝4k Ω，R b ＝250Q 3(b)P2-7()153CE CC C c e C V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线， 2.67.2点，且斜率为，其中1LR -'图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60，V，R b=530kΩ，R L=5MΩ，试：①估算静态工作点；值；R bC1R+习题2-27P110答：①测静态工作点Q ：直流稳压电源、万用表(直流电压档)：直流稳压电源、正弦波信号发生②测电压放大倍数Au器、示波器、交流毫伏表。
模拟电子技术基础简明教程课后答案(第三版)
3 U I I 2.2 A , U 0.8V
0 0.5 1 1.5 2 U/V (a)
可见，当二极管正向导通后，如电源电压增大，则二 极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大。
习题 1-4 已知在下图中， uI = 10sinω t (V)， RL=1kΩ，试 对应地画出二极管的电流 i D、电压 uD以及输出电压 uO的波 形，并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向 电流可以忽略。 uI/V 10 + uD 0 t + + i D/mA uI iD uD 10 RL 0 (a) t uI/V 0 t - 10 uo/V 10 0 t
3
10 A 1.25 A
在 80℃时的反向电流约为： 2
3
10 A 80 A
习题 1-3 某二极管的伏安特性如图 (a)所示： ①如在二极管两端通过 1kΩ的电阻加上 1.5V的电压，如图 (b)，此时二极管的电流 I 和电压U各为多少？ ②如将图 (b)中的 1.5V电压改为 3V，则二极管的电流和电 I/mA 压各为多少？ 3 + U 解：根据图解法求解 ①电源电压为 1.5V时 2 I 1.5V 1kΩ (b) 1 1.5 U I I 0.8 A , U 0.7V ②电源电压为 3V时
0 1 1%
t t0
30 1 1%
50 20
30 1 30 1% 39
ICEO 1 ICBO 320 A 0.32mA
习题 1-12 一个实际 PNP型锗三极管的输入、输出特性曲线分 别如图 P1-12(a)和 (b)所示。 ①查看该三极管的穿透电流 ICEO约为多大？输入特性的死区电 压约为多大？ ②为了使 PNP型三极管工作在放大区，其 uBE和 uBC的值分别应 该大于零还是小于零？并与 NPN型三极管进行比较。 解：①查图可知， ICEO =0.5mA，死区电压约为 0.2V； ②为了使三极管工作在放大区， 对 PNP型： uBE<0， uBC >0； 对 NPN型： uBE>0， uBC <0。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行版_(第一章的课后习题答案)
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-[1]
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习题2-1试判断图P2-1中各电路有无放大作用，简单说明理由。
答：(a)无放大作用（发射结反偏）；(b)不能正常放大（发射结无直流偏置）；(c)无放大作用（集电结无直流偏置）；(d)无放大作用（发射结无直流偏置）；(e)有放大作用（是射极跟随器）；(f)无放大作用（输出交流接地）；(g)无放大作用（输入交流接地）；(h)不能正常放大（栅极无直流偏置）；(i)无放大作用（电源极性接反）；R b(a)交流通路R i U +--o UR (b)交流通路i U +--oU R 1(c)交流通路i U '+-21i i N U U N '=23L N R R N ⎛⎫'= ⎪⎝⎭习题2-3在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数时，试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 和U CE Q 将增大、减少还是基本不变。
①增大R b ；②增大V CC ；③增大β。
答：①增大R b ，则I BQ 减少，I CQ 减少，U CE Q 增大。
②增大V CC ，则I BQ 增大，I CQ 增大，U CE Q 不确定。
③增大β，则I BQ 基本不变，I CQ 增大，U CE Q 减少。
定电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数将增u A ↓，↑。
u A ，↓。
u A ↓。
u A ④增大β，则I BQ 基本不变，r be ↑，基本不变u Ai U +--oU +(b)解：①可先用近似估算法求I BQ100.70.0220510CC BEQb V U mA AR μ--==≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q 点处，0.5,U V I ≈≈Q 1Q 2Q 1Q 2因此，需减小R c 和R b ，可减为R c ＝4k Ω，R b ＝250Q 3放大电路如图P2-7(a)所示，试按照给定参数，P2-7(b)中：①画出直流负载线；R b 211k Ωi U oU _(b)图P2-7(b)mA的一条水平线， 2.67.2点，且斜率为，其中1LR -'R b 211k Ωi U oU ++C图P2-6(b)，输入电阻。
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0V (a)
+12V (b)
-6V (c)
+10V (d)
放大
截止
放大
饱和
-5V +0.3V +4.7V
+4.7V -1.3V
-10V +11.7V
+8V
0V (e)
+5V (f)
-1V (g)
+12V (h)
截止
临界饱和
习题 1-6 某稳压管在温度为 20℃，工作电流为 5 mA时， 稳定电压 U Z=10V，已知其动态内阻 rZ=8Ω，电压的温度系 数α U=0.09%/ ℃，试问： ①当温度不变，工作电流改为 20 mA时， U Z约为多少？ ②当工作电流仍为 5 mA，但温度上升至 50℃时， U Z约为 多少？
三极管工作在放大区， 见图 P1-14(g)中 F点。
C A B F
图 P1-14(g)
D、 E
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习题 1-15 分别测得两个放大电路中三极管的各极电位如图 P1-15所示。试识别它们的管脚，分别标上e、 b、 c，并判断 这两个三极管是 NPN型还是 PNP型，硅管还是锗管。
1 3 (+3V) 2 (+9V) (+3.2V) (a)
+10V (d) +8V
0V (e)
+5V (f)
-1V (g)
+12V (h)
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解：判断依据： NPN型： uBE>0， uBC <0，放大； uBE>0， uBC >0，饱和； uBE<0， uBC <0，截止。 PNP型： uBE<0， uBC >0，放大； uBE<0， uBC <0，饱和； uBE>0， uBC >0，截止。
习题 1-1 欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正 向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理 想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。 习题 1-2 假设一个二极管在 50℃时的反向电流为 10μ A， 试问它在 20℃和 80℃时的反向电流大约分别为多大？已知 温度每升高 10℃，反向电流大致增加一倍。 解：在 20℃时的反向电流约为： 2
RL
I Z I I RL 20 6 14mA
U UZ 30mA R
② I
I Z I I RL 30 6 24mA I Z I I RL 20 3 17mA
③ I RL
UZ 3mA RL
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习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压值均为 6V， 当工作在正向时管压降均为 0.7V，如果将他们用不同的方 法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出 各种不同的串联方法。
3 解： ① U Z I Z rZ (20 5) 10 8 0.12V
U Z 10 0.12 10.12V
② U Z U Z U T 0.09% (50 20) 2.7%
U Z 10 1 2.7% 10.27
习题 1-7 在下图中，已知电源电压 U = 10V，R = 200Ω， RL=1kΩ，稳压管的 UZ = 6V，试求： ①稳压管中的电流 IZ = ？ ②当电源电压 U升高到 12V时， IZ 将变为多少？ ③当 U仍为 10V，但 RL改为 2kΩ时， IZ 将变为多少？ R U 解：① I RL Z 6mA + RL IZ U VDZ U UZ I 20mA R
I B 0.465mA I C 23.25mA U CE 36.5V
以上算出的 IC 与 UCE值是荒谬 的，实质上此时三极管巳工作 在饱和区，故 IB =0.465 mA， IC≈ VCC/ RC=5mA， UCE=UCES ≈ 0.3V，见图 P1-14(g)中 C点。
(d) IB 0
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习题 1-5 欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电 流 IZ、动态电阻 rZ以及温度系数αU，是大一些好还是小一 些好？ 答：动态电阻 rZ愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的 电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流 IZ愈大， 则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过 其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数α U的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳 压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
+
+
+
(1) 12V
(1) 6.7V
(1) 1.4V
习题 1-9 一个三极管的输出特性如图所示， ①试在图中求出 uCE=5V， iC =6mA处的电流放大系数 、、 和 ，并进行比较。 ②设三极管的极限参数为 ICM=20mA， U(BR)CEO =15V， PCM =100m W，试在特性曲线图中画出三极管的安全工作区。 解：① 由图可得：
0 1 1%
t t0
30 1 1%
50 20
30 1 30 1% 39
ICEO 1 ICBO 320 A 0.32mA
习题 1-12 一个实际 PNP型锗三极管的输入、输出特性曲线分 别如图 P1-12(a)和 (b)所示。 ①查看该三极管的穿透电流 ICEO约为多大？输入特性的死区电 压约为多大？ ②为了使 PNP型三极管工作在放大区，其 uBE和 uBC的值分别应 该大于零还是小于零？并与 NPN型三极管进行比较。 解：①查图可知， ICEO =0.5mA，死区电压约为 0.2V； ②为了使三极管工作在放大区， 对 PNP型： uBE<0， uBC >0； 对 NPN型： uBE>0， uBC <0。
IC 0 U CE VCC 100kΩ 20kΩ 200kΩ 10V (e) (c) 10V
IB 0 IC 0 U CE VCC 10V
三极管工作在截止区， 见图 P1-14(g)中 E点 （与 D点重合）。
I B 0.0465mA I C 2.325mA U CE VCC 10V
习题 1-19 已知一个 P型沟道耗尽型MOS场效应管的饱和漏 极电流 IDSS = - 2.5mA，夹断电压UGS(off)=4V，请示意画出其转 移特性曲线。
习题 2-1 试判断图 P2-1中各电路有无放大作用，简单说明 理由。 答： (a)无放大作用（发射结反偏）； (b)不能正常放大（发射结无直流偏置）； (c)无放大作用（集电结无直流偏置）； (d)无放大作用（发射结无直流偏置）； (e)有放大作用（是射极跟随器）； (f)无放大作用（输出交流接地）； (g)无放大作用（输入交流接地）； (h)不能正常放大（栅极无直流偏置）； (i)无放大作用（电源极性接反）；
1 1
1
0.99
IC1 0.99mA , I E1 1mA 当 I B1 10 A 时，
② 2
2 19 1 2
当 I E 2 1mA时， IC 2 0.95mA , I B 2 50 A
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习题 1-11 设某三极管在 20℃时的反向饱和电流 ICBO =1μ A， β =30；试估算该管在 50℃的 ICBO和穿透电流 ICEO大致等于多 少。已知每当温度升高 10℃时， ICBO大约增大一倍，而每当温 度升高 1℃时， β大约增大 1% 。 解： 20℃时， ICEO 1 I CBO 31 A 50℃时， ICBO 8 A
(b) I B 0.0465mA
I C 3.25mA U CE 3.55V 三极管工作在放大区， 见图 P1-14(g)中 A点。
I C 2.325mA U CE 5.35V
三极管工作在放大区， 见图 P1-14(g)中 B点。
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2kΩ 20kΩ 10V (c)
2kΩ 20kΩ 2V 10V
1 3 (-11V) 2 (-6V) (-6.7V) (a)
解：本题的前提是两个三极管均工作在放大区。 (a)1——发射极e， 3——基级 b， 2——集电极 c，三极管 类型是 NPN锗管。 (b)2——发射极e， 3——基级 b， 1——集电极 c，三极管 类型是 PNP硅管。
习题 1-16 已知一个 N沟道增强型MOS场效应管的输出特性 曲线如图 P1-16所示。试作出 uDS =15V时的转移特性曲线，并 由特性曲线求出该场效应管的开启电压 UGS(th)和 IDO值，以及 当 uDS =15V， uGS =4V时的跨导 gm。 uDS =15V
习题 1-13 测得某电路中几个三极管各极的电位如图 P1-13所 示，试判断各三极管分别工作在截止区、放大区还是饱和区。
+5V +0.7V +2V +12V -5.3V 0V +10.75V +10.3V
0V (a) -5V +0.3V +4.7V
+12V (b) +4.7V -1.3V
-6V (c) -10V +11.7V
(a)绝缘栅型N沟道增强型； (b)结型 P沟道耗尽型； (c)绝缘栅型N沟道耗尽型； (d)绝缘栅型 P沟道增强型。
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习题 1-18 已知一个 N型沟道增强型MOS场效应管的开启电 压 UGS(th) = +3V， IDO =4mA，请示意画出其转移特性曲线。
习题 1-18图
习题 1-19图
3 U I I 2.2 A , U 0.8V