常 用 场 效 应 管 参 数 表
常用场效应管型号全参数管脚识别及检测表
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。
要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。
场效应管参数对照表
场效应管参数对照表场效应管（Field Effect Transistor，简称FET），是一种常用的半导体器件，其工作原理基于场效应。
场效应管分为两种基本类型：N-沟道型场效应管（N-channel FET）和P-沟道型场效应管（P-channel FET）。
场效应管有着很多特性参数，下面是场效应管常见参数的对照表。
1. 驱动电压（Vds）：场效应管的驱动电压是指在引脚之间的电压差，也成为漏极与源极之间的电压。
该驱动电压决定了场效应管的导通与截止，一般用正参考电压。
2. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指场效应管悬浮增益区通过导通的初始电压，也就是漏极电流开始出现的电压。
阈值电压决定了FET是否在导通状态，一般用负参考电压。
3.漏极电流（Id）：漏极电流是指通过场效应管漏极的电流，当驱动电压大于阈值电压时，场效应管导通，漏极电流会随之增加。
4. 器件尺寸（Size）：场效应管的尺寸通常由器件的长度（L）和宽度（W）决定。
尺寸越大，场效应管的漏极电流也越大。
5. 开关速度（Switching Speed）：场效应管的开关速度指的是从导通到截止或者从截止到导通的反应时间。
开关速度快的场效应管适用于高频应用。
6. 衰减（Attenuation）：场效应管的衰减是指信号经过场效应管后的信号衰减量。
7. 耐压（Vdss）：耐压是指场效应管在截止状态下可以承受的最大电压。
一般情况下，Vdss会比驱动电压Vds的值要大。
8. 输入电容（Ciss）：输入电容是指场效应管输入端的容量。
输入电容决定了场效应管对输入信号的响应速度。
9. 输出电阻（Rds）：输出电阻是指场效应管导通状态下，漏极与源极之间的等效电阻。
输出电阻越小，对负载输出能力越强。
10. 控制源电压（Vgs）：控制源电压是指场效应管的栅极电压，通过改变栅极电压，可以控制场效应管的导通与截止。
以上是几个常见的场效应管参数对照表。
不同应用场景的场效应管参数有所不同，使用时需根据具体需求来选择合适的场效应管。
场效应管工作原理
场效应管⼯作原理场效应管⼯作原理MOS场效应管电源开关电路。
这是该装置的核⼼，在介绍该部分⼯作原理之前，先简单解释⼀下MOS 场效应管的⼯作原理。
MOS 场效应管也被称为MOS FET，既Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor（⾦属氧化物半导体场效应管）的缩写。
它⼀般有耗尽型和增强型两种。
本⽂使⽤的为增强型MOS场效应管，其内部结构见图5。
它可分为NPN型PNP型。
NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。
由图可看出，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。
我们知道⼀般三极管是由输⼊的电流控制输出的电流。
但对于场效应管，其输出电流是由输⼊的电压（或称电场）控制，可以认为输⼊电流极⼩或没有输⼊电流，这使得该器件有很⾼的输⼊阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
为解释MOS场效应管的⼯作原理，我们先了解⼀下仅含有⼀个P—N结的⼆极管的⼯作过程。
如图6所⽰，我们知道在⼆极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，⼆极管导通，其PN结有电流通过。
这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电⼦被吸引⽽涌向加有正电压的P型半导体端，⽽P型半导体端内的正电⼦则朝N型半导体端运动，从⽽形成导通电流。
同理，当⼆极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电⼦被聚集在P型半导体端，负电⼦则聚集在N型半导体端，电⼦不移动，其PN结没有电流通过，⼆极管截⽌。
对于场效应管（见图7），在栅极没有电压时，由前⾯分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截⽌状态（图7a）。
当有⼀个正电压加在N沟道的MOS 场效应管栅极上时，由于电场的作⽤，此时N型半导体的源极和漏极的负电⼦被吸引出来⽽涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电⼦聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），从⽽形成电流，使源极和漏极之间导通。
场效应管
D (mA) 可变电阻区
i
uGS= 0V uGS = -1V uGS = -2V uGS= -3V
u
DS
时,iD 是 vDS 的线性函数，
管子的漏源间呈现为线
性电阻，且其阻值受 vGS
控制。 （2）管压降vDS 很小。
沟道未 夹断
用途：做压控线性电阻和无触点的、闭合状态
的电子开关。
gm
VDS
2、 极间电容： Cgs和Cgd约为1~3pF，和 Cds约为
0.1~1pF。高频应用时，应考虑极间电容的影响。
vDS 3、 输出电阻rd：rd iD
三、极限参数
VGS
1、 最大漏极电流IDM：管子正常工作时漏极电流 的上限值。
2、 最大耗散功率 PDM ：决定于管子允许的温升。
3、当vGD< VGS(off)时，vGS对iD的控制作用
当vGD = vGS - vDS <VGS(off) 时，即vDS > vGS VGS(off) > 0，导电沟道夹断， iD 不随vDS 变化 ； 但vGS 越小，即|vGS| 越大，沟道电阻越大，对同 样的vDS ， iD 的值越小。所以，此时可以通过改变
③ 场效应管的输入电阻远大于晶体管的输入电
阻，其温度稳定性好、抗辐射能力强、噪声系数小，
但易受静电影响。
④ 场效应管的漏极和源极可以互换，而互换后 特性变化不大；晶体管的集电极和发射极互换后特 性相差很大，只有在特殊情况下才互换使用。但要 注意的是，场效应管的某些产品在出厂时，已将衬 底和源极连接在一起，此时，漏极和源极不可以互 换使用。
JFET 结型
9.2 结型场效应管
一、结型场效应管的结构
常用N沟道场效应管及参数
常用N沟道场效应管及参数N沟道场效应管（N-channel MOSFET）是一种常用的场效应管，也称为N沟道型MOSFET。
它是电子设备中最常见的功率晶体管之一，被广泛用于各种电路中，如放大、开关、调节电路等。
本文将介绍N沟道场效应管的常用型号及其参数。
1.2N7000：2N7000是一款低功率N沟道MOSFET，具有较低开启电压和适中的功率处理能力。
它经常用于电路中的开关和开关保护。
2.IRF3205：IRF3205是一款高功率N沟道MOSFET，具有较低的导通电阻和较高的功率承载能力。
它广泛应用于高功率开关电源和电机驱动等领域。
3.IRF540：IRF540是另一种高功率N沟道MOSFET，具有类似的特点和应用于IRF3205，被广泛应用于功率放大和电源控制电路中。
4.2SK2231：2SK2231是一款高压高功率N沟道MOSFET，具有较高的耐压和较大的功率承载能力。
它常用于高压电源和交流电机驱动等领域。
N沟道场效应管的参数：1.饱和漏源电压（VDS）：指在控制极（栅极）与源极之间的电压达到一定值时，MOSFET的通态转变，从导通状态进入截止状态。
一般，N沟道MOSFET的饱和电压应小于供电电压。
2. 控制极电压（VGS）：指控制极（栅极）与源极之间的电压，通过改变VGS可以控制MOSFET的导通和截止。
对于饱和区工作的N沟道MOSFET，VGS一般应大于阈值电压（Vth）才能使其导通。
3. 极间电容（Ciss， Coss， Crss）：指MOSFET的栅-源电容、栅-极电容和栅-源-极电容，它们在高频应用中具有重要的影响。
极间电容的大小与MOSFET的尺寸和结构等因素有关。
4.漏极电流（ID）：指通过MOSFET的源-漏电流，是导通状态下的重要参数。
漏极电流的大小与MOSFET的控制极电压和源-漏电阻有关。
5.导通电阻（RDS(ON)）：指在MOSFET导通状态下的导通电阻，反映了MOSFET导通时的电阻特性。
场效应管参数大全2教学文稿
125
2SK2605
TOSHIBA
N-MOSFET用于高速高电压开关、 开关整流
800
5
45
2SK2606
TOSHIBA
N-MOSFET用于DC-DC转换、继电
器和电动机驱动
800
8
85
2SK2607
TOSHIBA
N-MOSFET用于高速高电压开关、 断路器、DC-DC转换和电动机驱 动
800
9
150
转换
500
12
100
2SK2569
E
HITACHI
N-MOSFET用于低频功率开关
50
0.2
0.15
2SK2570
HITACHI
N-MOSFET用于低频功率开关
20
0.2
0.15
2SK2570-
01MR
FUJI
N-MOSFET功率放大，开关效应
管
300
10
40
2SK2571
PANASONIC
N-MOSFET用于不接触继电器、螺
800
7
80
2SK2563
SHINDENGEN
N-MOSFET用于AC 100-200V输入
开关电源、换流、功率因素控制 电路
600
4
30
2SK2564
SHINDENGEN
N-MOSFET用于AC 100-200V输入
开关电源、换流、功率因素控制 电路
600
8
50
2SK2568
HITACHI
N-MOSFET用于开关整流、DC-DC
250
13
60
2SK2599
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表公司内部编号：（GOOD-TMMT-MMUT-UUPTY-UUYY-DTTI-常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。
g4pf50w场效应管代换参数
g4pf50w场效应管代换参数引言场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种常见的电子元件，广泛应用于电子设备中，如放大电路、开关电路和振荡电路等。
g4pf50w是一种特定型号的场效应管，本文将重点讨论g4pf50w场效应管的代换参数。
什么是场效应管代换参数场效应管的代换参数成为了选型和设计的重要参考依据。
它们是从场效应管的静态特性出发，通过一些特定的方法和公式计算得到的一组参数值。
通过这些参数，可以对不同型号的场效应管进行比较和分析，并确定在特定应用中的适用性。
代换参数的定义场效应管的代换参数包括静态电流增益（IDSS）、静态漏极电流（ID）、转导电导（gm）、源级电阻（rs）、输入电容（Ciss）、反射容性（Crss）等。
g4pf50w场效应管的代换参数及其意义静态电流增益（IDSS）静态电流增益（IDSS）是场效应管导通时的漏极电流与栅极间电压之间的关系。
它是一个表示场效应管工作参数的重要指标。
IDSS值越大，表示场效应管导通时的漏极电流越大，功率放大能力越强。
静态漏极电流（ID）静态漏极电流（ID）指代换状态下场效应管导通时的漏极电流值。
它是表征场效应管导通能力的重要参数。
ID值越大，表示场效应管导通时的漏极电流越大，输出功率能力越强。
转导电导（gm）转导电导（gm）是描述场效应管变流增益能力的重要参数，代表了输出电流和输入电压之间的关系。
gm值越大，表示场效应管具有更好的变流放大能力。
源级电阻（rs）源级电阻（rs）是指场效应管漏极电流变化时源极电压的变化关系，是场效应管内部的等效电阻。
rs值越小，表示场效应管内部电流变化对源极电压影响较小，输出随负载变化的能力越强。
输入电容（Ciss）输入电容（Ciss）是指场效应管的输入端栅极与源极之间的等效电容。
Ciss值越大，表示场效应管在输入信号频率较高时对输入信号的阻抗较小，能够更好地匹配输入信号源。
反射容性（Crss）反射容性（Crss）是指场效应管导通状态下的栅极与漏极之间的等效电容。
场效应管参数大全
1412k 代 3332K,7111K,1672K,7051K,5452K,4652K,5462K,8111K 。8112KS2 ,1012K ,4041K 代。 W53 , A6 ,V006 5402K W001 A5 V009 TEF-N 7351KS2 V006 A9 :7051K
W05,A01, Ω5.0,V054 :1011K W06,A53, Ω220.0,V03 :8831K W04,A01, Ω58.0,V005 :6233K W53,A6, Ω1.1,V006 :1412K W05,A9, Ω2.1,V006 :5462K 恒永 情真 解理 诚真 心真知未的限无 间空度百 全大数参管应效场
N A01 V008 61MK01SF N W04 A01 006 21MK01SF V02��SGV�MHO571.0�SDR�A11��V55�数参�管场道沟 P 是 4209UFRI 道沟 P A11 V55 贴�4209RF 插直�道沟�A21�V06 60P71UQF 插直(152-OT W05 A4.9 V001 01P21UQF N W69 A5。4 V009 09N6FAQF N W011 A3。11 V005 05N61FAQF N W311 A7。6 V008 08N01FAQF 8�管 SOM 道沟 N 双。用板压高 5499SDF 应效场道沟 P W5。2 A3。5 V03 5349SDF 封 252-OT 道沟 N A07 A66 V03 0766DDF ,SOM 片贴小 道沟 N W35 V06 A21 5503DF W3 A41 V03 W1187F OI21-54SC N W051 A57 V06 L0607PEC )大(片贴 W05 A04 V03 LA307BEC N W001 A8.3 V008 A08ZUB W57 A32 V05 01ZUB )缀后意注(N W1 A3.0 V052 A452NSB N 置内,片贴脚 8,MG1154PA 同 1154PA A7。4 V06�1 各道沟 N、P 含内 706P0A A5.7 V03,1 各道沟 N,P 含内 506P0A A5.7 V03,1 各道沟 N,P 含内 006P0A 贴管 SOM 板压高 N,A21,V06 444D0A 贴管 SOM 板压高 N,A72/83V06 244D0A 贴管 SOM 板压高 N�A72/83�V06 244D0A 贴管 SOM 板压高 N,A01,V03 024D0A 贴管 SOM 板压高 P A81/62 V06 904D0A 贴管 SOM 板压高 P A81/62 V06 904D0A 贴 管 SOM 板压高 P�A81�V03 804D0A 贴 管 SOM 板压高 P�A81�V03 504D0A 一各管 SOM 道沟 N�道沟 P 含内 00640A 贴脚 8,道沟 P 单 W1.3 A51 V03 32440A 片贴脚 8 道沟 N A11 V03 22440A 片贴脚 8 道沟 N A5.11 V03 81440A 脚 8�道沟 N 单 MW3,A5.8,V03 41440A 片贴脚 8,道沟 P 单 W3 A51 V03 31440A 片贴脚 8,道沟 P 单 W3 A51 V03 31440A 脚 8,应效场道沟 P W3 A8 V03 11440A 片贴脚 8 道沟 N 单 A81 V03 01440A 脚 8,应效场道沟 P A51 V03 90440A 片贴脚 8,道沟 N 单 A21 V03 80440A 片贴脚 8,道沟 P 单 W3 A21 V03 70440A 片贴脚 8,道沟 P 单 W3 A21 V03 70440A 贴脚 8,道沟 N 单,A5.11,V03 60440A 片贴脚 8 道沟 P 单 W3 A6 V03 50440A 片贴脚 8 道沟 N 单 A5.8 V03 40440A 片贴脚 8 道沟 P 单 A1.6 V03 30440A 一各管 SOM 道沟 N�道沟 P 含内 SC2054FA
MOS管(新)
为受控于VGS的可变电阻 11
(3) 放大区 产生夹断后，VDS增大，ID不变的区域，VDS VGS - VT
VDSID不变 处于饱和区的场效应管相当于一个压控电流源
在预夹断临界条件下VDS =VGS - VT 由此得到饱和区的V-I特性表达式：
iD K n (v G S V T )2 K n V T 2 (v V G T S 1 )2 ID O (v V G T S 1 )2
结反向，所以不存在导电
沟道。
(a) VGS =0， ID =0
VGS必须大于0
管子才能工作。
最新课件
4
（b） 0＜VGS＜ VT （ VT 称为开 启电压)
在Sio2介质中产生一个垂直于 导体表面的电场，排斥P区多 子空穴而吸引少子电子。 但 由于电场强度有限，吸引到 绝缘层的少子电子数量有限， 不足以形成沟道，将漏极和 源极沟通，所以不可能以形 成漏极电流ID。
这种在VGS =0时没有导电沟道，
依靠栅源电压的作用而形成感生
沟道的FET称为增强型FET
VGS >0g吸引电子反型层导电沟道
VGS 反型层变厚 VDS最新课件 ID
6
（2）漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用
（a）如果VGS＞VT且固定为某一值， VGD=VGS－VDS VDS为0或较小时，
2、夹断电压VP ：在VDS为一固定数值时，使 ID对应一微小电流 时的 |VGS | 值。（耗尽）
3、饱和漏极电流IDSS ：在VGS = 0时， VDS > |VP |时的漏 极电流。（耗尽）
4、极间电容 ：漏源电容CDS约为 0.1~1pF，栅源电容CGS和栅 漏极电容CGD约为1~3pF。
最新课件
aod407场效应管参数
aod407场效应管参数AOD407是一种N通道增强型场效应管，其参数包括以下几个主要方面：1.最大漏极电压（UDSS）：AOD407的最大漏极电压为100V，这意味着在正常工作时，漏极电压不应超过这个值。
如果实际电压超过这个值，可能会损坏场效应管。
2.最大功耗（PD）：AOD407的最大功耗为150W，这意味着在使用过程中，场效应管产生的热量不应超过这个值。
如果实际功耗超过这个值，可能会导致场效应管过热甚至烧毁。
3.最大漏极电流（ID）：AOD407的最大漏极电流为28A，这意味着在正常工作时，漏极电流不应超过这个值。
如果实际电流超过这个值，可能会损坏场效应管。
4.最大开关频率（fMAX）：AOD407的最大开关频率为500kHz，这意味着在正常工作时，开关频率不应超过这个值。
如果实际开关频率超过这个值，可能会导致场效应管发热或损坏。
5.输入电容（CIN）：AOD407的输入电容为8pF，这意味着在正常工作时，输入电容不应超过这个值。
如果实际输入电容超过这个值，可能会影响场效应管的开关速度和效率。
6.门极阈值电压（VGS）：AOD407的门极阈值电压为2.5V，这意味着在正常工作时，门极电压不应低于这个值。
如果实际门极电压低于这个值，可能会导致场效应管无法正常导通。
7.导通电阻（RON）：AOD407的导通电阻为0.012Ω，这意味着在正常工作时，导通电阻不应超过这个值。
如果实际导通电阻超过这个值，可能会影响场效应管的导通效率和热性能。
总之，AOD407是一种高性能的N通道增强型场效应管，具有较高的开关速度、低导通电阻和较低的输入电容等特点。
在使用过程中，需要注意其最大功耗、最大漏极电流、最大开关频率等参数，以确保场效应管的正常工作和可靠性。
同时，还需要注意其门极阈值电压和导通电阻等参数，以避免场效应管无法正常导通或导通效率低下等问题。
场效应管
U GS 2 I D I DSS (1 ) UP
偏置电路
外加偏置电路
R1和R2提供一个固定栅压
R2 UG ED R1 R 2 R2 E D -I R D S R1 R 2
正常工作
UGS = UG-US
注：要求UG>US，才能提供一个正偏压，增强型管子才能
三种基本放大电路
当UDS增加到UGDUT时， 此时预夹断区域加长，伸向S极。 UDS增加的
部分基本降落在随之加长的夹断沟道上， ID基本
趋于不变。 动画3-3
耗尽型MOS场效应管
N沟道耗尽型MOS场效应管结构
耗尽型MOS管存在 原始导电沟道
+++++++
耗尽型MOS管
1 gm
微变参数
5. 极间电容
主要的极间电容有：
Cgs—栅极与源极间电容 Cgd —栅极与漏极间电容
Cgb —栅极与衬底间电容
Csd —源极与漏极间电容 Csb —源极与衬底间电容 Cdb —漏极与衬底间电容
场效应管的微变等效电路
低频微变等效电路
由输出特性： ID=f(UGS,UDS)
Δ ID Δ ID Δ ID Δ I DU g0Δ U GS g dsΔ UΔ U GS 0Δ U DS Δ DS mΔ U GS Δ U GS Δ U DS DS
结型场效应管
结型场效应管（JFET)的特性曲线
与MOS的特性曲线基本相同，只不过MOS的栅压可正可负，而结型场效 应三极管的栅压只能是P沟道的为正或N沟道的为负。 转移特性曲线 输出特性曲线
UP
结 型 场 效 应 管
N 沟 道 耗 尽 型
常用场效应管参数表
IRF432 IR N 500 4.0 75 TO-3
IRF433 IR N 450 4.0 75 TO-3
IRF440 IR N 500 8.0 125 TO-3
IRF623 IR N 150 4 40 TO-220AB
IRF624 IR N 250 3.8 40 TO-220AB
IRF625 IR N 250 3.3 40 TO-220AB
IRF630 IR N 200 9 75 TO-220AB
IRF251 IR N 150 30 150 TO-204AE
IRF252 IR N 200 25 150 TO-204AE
IRF253 IR N 150 25 150 TO-204AE
IRF254 IR N 250 22 150 TO-204AE
IRF631 IR N 150 9 75 TO-220AB
IRF632 IR N 200 8 75 TO-220AB
IRF633 IR N 150 8 75 TO-220AB
IRF634 IR N 250 8.1 75 TO-220AB
IRF611 IR N 150 3.3 43 TO-220AB
IRF612 IR N 200 2.6 43 TO-220AB
IRF613 IR N 150 2.6 43 TO-220AB
IRF614 IR N 250 2.0 20 TO-220AB
IRF235 IR N 250 6.5 75 TO-204AA
IRF240 IR N 200 18 125 TO-204AE
IRF241 IR N 150 18 125 TO-204AE
3.4 场效应管的主要参数及小信号等效模型
应管，是栅极与沟道间PN结的反向击穿电压，对于MOS 管 ，是使绝缘层击穿时的电压。
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场效应管的主要参数及小信号等效模型
2. 场效应管的小信号等效模型 （1）表示场效应管特性参数的方程
iD = f (uGS，uDS)
令 ，
Q点附近gm、rds为常数。用交流正弦量的有效值可 表示为：
② 最大耗散功率PDM PDM=uDSiD，与晶体管的PCM相似。一个管子的PDM
确定后，可在输出特性曲线上画出它的临界损耗线。
③ 漏源击穿电压U(BR)DS 是漏、源极间所能承受的最大电压 ，即uDS增大到 使iD开始急剧上升时的uDS值。
④ 栅源击穿电压U(BR)GS 是栅、源极间所能承受的最大电压。对于结型场效
的最小uGS值。
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场效应管的主要参数及小信号等效模型
④ 直流输入电阻RGS 栅源间所加直流电压与产生电压对漏极电流的控制能力。
（2）极限参数 ① 最大漏极电流IDM 是管子在工作时允许的最大漏极电流。
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场效应管的主要参数及小信号等效模型
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场效应管的主要参数及小信号等效模型 （2）场效应管微变等效电路
（3）工作点处跨导gm的估算 ① 结型场效应管或耗尽型MOS 管
由
及
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有
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场效应管的主要参数及小信号等效模型
故工作点处的跨导
② 增强型MOS管 同理：
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模拟电子技术基础
3.4 场效应管的主要参数 及小信号等效模型
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场效应管的主要参数及小信号等效模型
三极管参数表
常用三极管参数表下表是常用三极管的一些参数以及替换型号器件型号电压电流代换型号LM9011 SS9011LM901240V SS901240V A129840V CS9013 JE9013LM901340V SS901340V C326550V CS9014 JE9014LM9014 SS901450V C1623LM9015 SS9015TEC9015 50V TEC9015A 50V TEC9015B 50V TEC9015C 50V BC557 2N3906 BC557 2N3906 BC557 2N3906 BC557 2N39063DG9011 50V9011 50V9012 40V9012(HH)9012LT13DG90139013 40V9013(HH)9013LT13DG90149014 50V9014LT19015 50V2N4124 CS9011 JE90113DG9016 30V JE90169016 30V SS9016TEC9016 40V BF240 BF254 BF5948050 40V SS80508050LT1 40V KA3265ED8050 50V BC337SDT85501 60V 10A 3DK104CSDT85502 80V 10A 3DK104CSDT85503 100V 10A 3DK104DSDT85504 140V 10A 3DK104ESDT85505 170V 10A 3DK104FSDT85506 60V 10A 3DK104CSDT85507 80V 10A 3DK104CSDT85508 100V 10A 3DK104DSDT85509 140V 10A 3DK104EED8550 50V BC3378550 40V LM8550 SS85508550LT1 40V KA32652SA1015 50V BC177 BC204 BC212BC213BC251 BC257 BC307 BC512 BC557 CG1015 CG673 2SC1815 60V BC174 BC182 BC184 BC190 BC384 BC414 BC546 DG458 DG18152SC1815L 60V BC550 2SC2240 2S26742SC2675 2SC33782SC1815LT1 60V 9014LT12SC945 60V BC107 BC171 BC174 BC182BC183 BC190 BC207 BC237 BC382 BC546 BC547 BC582 DG945 2N2220 2N2221 2N2222 3DG120B 3DG4312 MMBT3904 40V BCW72 3DG120CMMBT3906 40V BCW70 3DG120CMMBT2222 木知BCX19 3DG120CMMBT2222A 75V 3DK10CMMBT5401 160V 3CA3FMMBTA92 300V 3CG180HBC807 50V BC338 BC537 BC635 3DK14BBC807R 50V BCX17 BCX17R BCW68BCW68RBC807-W 50V BCX17 BCW68 2SB1219ABC817 50V BCX19 BCW65 BCX66BC817R 50V BCX19 BCX19R BCW65BCW65R BCX66 BCW66RBC817-W 50V BCX19 BCW65 BCW66 2SD1820 2SD1949BC846 80V BCV71 BCV72BC846R 80V BCV71 BCV71R BCV72 BCV72RBC846-W 80V BCV71 BCV72 BCV72RBC847 50V BCW71 BCW72 BCW81BC847R 50V BCW71 BCW71R BCW72BCW72R BCW81 BCW81RBC847-W 50V BCW71 BCW72 BCW812SC4101 2SC4102BC848 30V BCW31 BCW32 BCW33 BCW71BCW72 BCW81BC848R 30V BCW31 BCW31R BCW32BCW32R BCW33 BCW33R BCW71 BCW71R BCW72 BCW72R BCW81 BCW81RBC848-W 30V BCW31 BCW32 BCW33 BCW71 BCW72 BCW81 2SC4101 2SC4102 2SC4117BC856 50V BCW89BC856R 80V BCW89 BCW89RBC856-W 80V BCW89 2SA1507 2SA1527BC857 50V BCW69 BCW70 BCW89BC857R 50V BCW69 BCW69R BCW70BCW70R BCW89 BCW89RBC857-W 50V BCW69 BCW70 BCW892SA1507 2SA1527BCW89BC858R 30V BCW29 BCW29R BCW30BC858 30V BCW29 BCW30 BCW69 BCW70 BCW30R BCW69 BCW69R BCW70 BCW70R BCW89BCW89RBC858-W 30V BCW29 BCW30 BCW69 BCW70 BCW89 2SA1507 2SA15272SA733 60V BC177 BC204 BC212 BC213 BC251 BC257 BC307 BC513 BC557 3CG120C 3CG4312MMUN211150V UN2111MUN2111 50V MMUN2111UN2111 50V FN1A4M DTA114EK RN24022SA1344MMUN2112 50V UN2112MUN2112 50V MMUN2112UN2112 50V FN1F4M DTA124EK RN24032SA1342MMUN2113 50V UN2113MUN2113 50V MMUN2113UN2113 50V FN1L4M DTA144EK RN24042SA1341MMUN221150V UN2211MUN2211 50V MMUN2211UN2211 50V DTC114EK FA1A4M RN14022SC3398MMUN2212 50V UN2212MUN2212 50V MMUN2212UN2212 50V DTC124EK FA1F4M RN14032SC3396MMUN2213 50V UN2213MUN2213 50V MMUN2213UN2213 50V DTC144EK FA1L4M RN14042SC33952SC3356 20V 2SC3513 2SC3606 2SC38292SC3838K 30V BF517 BF799 2SC30152SC3016彩显中易损大功率三极管主要参数表型号功率(W) 反压(V) 电流(A) 功能BU208A 50 1500 5电源开关管BU508A 75 1500 8电源开关管BU2508AF 45 1500 8行管* BU2508DF 125 1500 8行管* BU2508D 1251500 8 行管BU2520AF 45 1500 10行管BU2520AX 45 1500 10行管* BU2520DF 125 1500 10行管BU2522AF 45 1500 10行管* BU2522DF 80 1500 10行管* BU2525DF 45 800 12行管BUH51560 1500 8 行管C1520 10 250 视放C1566 250 视放C1573 250 视放C1875 50 1500 电源开关管C3153 100 900 6电源开关管C3026 50 1700 5 行管C3457 50 1100 3电源开关管C3459 90 1100 电源开关管C3460 100 1100 6电源开关管C3461 140 1100 8 行管*C3683 50 1500 5 行管C3686 50 1400 8 行管C3687 150 1500 8 行管C3481 120 1500 5电源开关管迦9 oom o g o s coQ *迦08。
场效应管的主要参数
场效应管的主要参数Idss —饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.Up —夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.Ut —开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.gM —跨导.是表示栅源电压UGS —对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数.BVDS —漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.PDSM —最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.IDSM —最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSMCds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-漏电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt---电压上升率（外电路参数）ID---漏极电流（直流）IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG---栅极电流（直流）IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流IGDO---源极开路时，截止栅电流IGSO---漏极开路时，截止栅电流IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感（外电路参数）LD---漏极电感Ls---源极电感rDS---漏源电阻rDS(on)---漏源通态电阻rDS(of)---漏源断态电阻rGD---栅漏电阻rGS---栅源电阻Rg---栅极外接电阻（外电路参数）RL---负载电阻（外电路参数）R(th)jc---结壳热阻R(th)ja---结环热阻PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率PIN--输入功率POUT---输出功率PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）to(on)---开通延迟时间td(off)---关断延迟时间ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温T a---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VDS---漏源电压（直流）VGS---栅源电压（直流）VGSF--正向栅源电压（直流）VGSR---反向栅源电压（直流）VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）VGS(th)---开启电压或阀电压V（BR）DSS---漏源击穿电压V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)---漏源通态电压VDS(sat)---漏源饱和电压VGD---栅漏电压（直流）Vsu---源衬底电压（直流）VDu---漏衬底电压（直流）VGu---栅衬底电压（直流）Zo---驱动源内阻η---漏极效率（射频功率管）Vn---噪声电压aID---漏极电流温度系数ards---漏源电阻温度系数结型场效应管的管脚识别:判定栅极G:将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道.判定源极S、漏极D:在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极.。