电子技术基础试卷1
电子技术基础试卷及答案
《电子技术基础》第一章半导体二极管试卷一、单项选择题1.测量二极管(小功率)的管脚极性时,万用表的电阻档应选( )。
(2 分)A.R×1B.R×10C.R×100或R×1kD.R×10k2.测量二极管反向电阻时,若用两手将两管脚捏紧,其电阻值会( )。
(2 分)A.变大B.先变大后变小C.变小D.不变3.二极管正反向电阻相差( )。
(2 分)A.越小越好B.越大越好C.无差别最好D.无要求4.用万用表R×100Ω挡来测试二极管,其中( )说明管子是好的。
(2 分)A.正、反向电阻都为零B.正、反向电阻都为无穷大C.正向电阻为几百欧,反向电阻为几百千欧D.反向电阻为几百欧,正向电阻为几百欧5.变容二极管工作时,应加( )。
(2 分)A.反向电压B.正向电压C.正向电压或反向电压6.把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,负极直接接到硅二极管的负极,则该管( )。
(2 分)A.基本正常B.击穿C.烧坏D.电流为零7.在电路中测得某二极管正负极电位分别为3V与10V,判断二极管应是( )。
(2 分)A.正偏B.反偏C.零偏8.2AP9表示( )。
(2 分)A.N型材料整流管B.N型材料稳压管C.N型材料普通管D.N型材料开关管9.变容二极管常用在( )电路中。
(2 分)A.高频B.低频C.直流10.用于整流的二极管型号是( )。
(2 分)A.2AP9B.2CW14CC.2CZ52BD.2CK84A二、判断题11.( )发光二极管可以接收可见光线。
(2 分)12.( ) 二极管加反向电压时一定截止。
(2 分)13.( )当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小;当反向电压大于反向击穿电压后,其反向电流迅速增加。
(2 分)14.( )PN结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大。
(2 分)15.( )有两个电极的元件都叫二极管。
电子技术基础试题(一)
电子技术基础试题(一)一、选择题：（每小题3分，共30分）1、D 触发器在D=1时，输入一个CP 脉冲，其逻辑功能是（ ）。
A ．置1 B ．清0 C ．保持 D ．翻转2、如图电路中，设二极管为硅管，正向压降为 0.7V ，则Y= （ ）。
A ．0.7V B ．3.7V C ．10VD ．1.5V3、以下表述正确的是（ ）。
A ．组合逻辑电路和时序逻辑电路都具有记忆能力。
B ．组合逻辑电路和时序逻辑电路都没有记忆能力。
C ．组合逻辑电路有记忆能力，而时序逻辑电路没有记忆能力。
D ．组合逻辑电路没有记忆能力，而时序逻辑电路有记忆能力。
4、逻辑函数式Y=A+A ，化简后的结果是（ ）。
A ．2AB ．AC ． 1D ．A 25、逻辑函数式Y=EF+E +F 的逻辑值为（ ）。
A ．EFB ．EF C ． 0 D ． 16、基本 RS 触发器电路中，触发脉冲消失后，其输出状态（ ）。
A ．恢复原状态 B ．保持现状态 C ．出现新状态 D.都有可能7、用万用表欧姆档测小功率晶体三极管好坏时，应选择的档位（ ）。
A ． Rx100或Rx1K B. Rx10K C. Rx1 D.都可以8、当晶体三极管发射结反偏，集电极反偏时，晶体三极管的工作状态是（ ）。
A ． 放大状态 B. 饱和状态 C. 截止状态 D.无法判定 9、三极管的基极电流I B 、集电极电流I C 和射极电流I E 的关系是A ． I E = IB + IC B. I E = I B – I C C. I E = I C – I B D.I C = I B + I E 10、基本放大器的电压放大倍数Av=ViV O ，当输入电压为10mV 时，测得输出电压为500mV ，则电压放大倍数是（ ）。
A ． 10 B. 50 C. 500 D.100 二．填空题：（每题3分，共30分）1．半导体二极管的最主要特性是__________________________ 。
数字电子技术基础习题及答案
数字电子技术试卷(1)一．填空（16）1．十进制数123的二进制数是 1111011 ；十六进制数是 7B 。
2．是8421BCD 码，其十进制为 861 。
3．逻辑代数的三种基本运算是 与 ， 或 和 非 。
4．三态门的工作状态是 0 ， 1 ， 高阻 。
5．描述触发器逻辑功能的方法有 真值表，逻辑图，逻辑表达式，卡诺图，波形图 。
6．施密特触发器的主要应用是 波形的整形 。
7．设4位D/A 转换器的满度输出电压位30伏，则输入数字量为1010时的输出模拟电压为 。
8．实现A/D 转换的主要方法有 ， ， 。
三．化简逻辑函数（14）1．用公式法化简--+++=A D DCE BD B A Y ，化为最简与或表达式。
解；D B A Y +=-2．用卡诺图化简∑∑=mdD C B A Y ），，，，（）＋，，，，（84210107653),,,(，化为最简与或表达式。
四．电路如图1所示，要求写出输出函数表达式，并说出其逻辑功能。
（15）解；C B A Y ⊕⊕=， C B A AB C )(1++=，全加器，Y 为和，1C 为进位。
五．触发器电路如图2（a ）,（b ）所示，⑴写出触发器的次态方程； ⑵对应给定波形画出Q 端波形（设初态Q ＝0）(15)解；（1）AQ Q Q n +=-+1，（2）、A Q n =+1六．试用触发器和门电路设计一个同步的五进制计数器。
（15）七．用集成电路定时器555所构成的自激多谐振荡器电路如图3所示，试画出V O ，V C 的工作波形，并求出振荡频率。
（15）数字电子技术试卷(2)二．填空（16）1．十进制数的二进制数是；十六进制数是。
2．逻辑代数中逻辑变量得取值为 0、1 。
3．组合逻辑电路的输出状态只与当前输入有关而与电路原状态无关。
4．三态门的输出有0、1、高阻，三种状态，当多个三态门的输出端连在一根总线上使用时，应注意只能有1个三态门被选通。
5．触发器的基本性质有有两个稳态，在触发信号作用下状态可相互转变，有记忆功能6．单稳态触发器的主要应用是延时。
电子技术基础试题库(1~6章)
电子技术基础第一学期试题库（1~6章）一、填空题：（每空1分）1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为，和三类。
答：导体、半导体、绝缘体。
2、半导体具有特性，特性和特性。
答：热敏、光敏、掺杂。
3、PN结具有特性，即加正向电压时，加反向电压时。
答：单向导电、导通、截止。
4、硅二极管导通时的正向管压降约v,锗二极管导通时的管压降约v。
答：0.7V、0.3V。
（中）5、使用二极管时，应考虑的主要参数是和。
答：最大整流电流、最高反向工作电压。
5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性。
答：小于、较好。
6、发光二极管将信号转换成信号；光电二极管将信号转换成信号。
答：电、光、光、电。
7、三极管有三个电极，即极、极和极。
答：集电极、基极、发射极。
8、半导体三极管有型和型。
答：NPN、PNP。
（中）9、三极管基极电流I B的微小变化，将会引起集电极电流I C的较大变化，这说明三极管具有作用。
答：电流放大。
10、硅三极管发射结的死区电压约v，锗三极管的死区电压约v。
晶体三极管处在正常放大状态时，硅管的导通电压约为v，锗管约为v。
答：0 .5、0.2、0.7、0.3。
11、三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是。
答：I C=βI B。
（中）25、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而，硅三极管的穿透电流比锗三极管的。
答：增加、小。
12、三极管的极限参数分别是，，和。
答：集电极最大允许电流、集-射间的反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。
（中）13、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
答：放大、开关。
14、放大电路按三极管连接方式可分为，和。
答：共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器。
15、放大电路设置静态工作点的目的是。
答：使放大器能不失真地放大交流信号。
16、放大器中晶体三极管的静态工作点是指，和。
2020—2021学年上学期电子信息科学与技术专业《电子技术基础》期末考试题试卷(试卷一)
2020—2021学年上学期电子信息科学与技术专业《电子技术基础》期末考试题试卷（试卷一）一、填空题。
1．可控硅又称＿＿＿＿，常用的有＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿两大类，广泛应用于＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿设备中。
2．利用＿＿＿＿＿＿＿＿＿元件的＿＿＿＿＿＿＿＿＿特性可实现整流，若要实现可控整流可采用＿＿＿＿＿＿＿＿＿元件。
3．单向可控硅内部有＿＿＿个PN 结，双向可控硅有＿＿＿个PN 结。
4．要使导通的可控硅关断，必须＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
5．可控硅具有＿＿＿＿电控制＿＿＿＿＿电的作用。
6．单向可控硅触发电路常用＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿组成触发电路，双向可控硅常用＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿组成触发电路。
7．单结晶体管的负阻特性指的是当＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿电流增加时，＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿反而减少。
8．双向可控硅有三个电极＿＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿＿。
院（系） 班级 姓名 学号……………………………………………装…………………………订………………………9．二极管的状态有＿＿＿＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿＿，三极管的状态有＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿，可控硅的状态有＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿。
10．单向可控硅导通必须具备两个条件：一是：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿，二是：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
11．电子线路中的电信号按其信号形式分为＿＿＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿两大类，其中＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿都是离散的信号叫数字信号。
12．数字信号的基本工作信号是＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿进制的数字信号，对应在电路上需要在＿＿＿＿＿＿种不同状态下工作，即＿＿＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿＿。
13．数字电路主要研究电路的输出信号与输入信号之间的＿＿＿＿＿＿＿关系。
14．二极管作为开关使用时，应满足条件：其＿＿＿＿＿＿电阻和＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿电阻有＿＿＿＿＿＿＿差别。
电子技术基础试题库及参考答案
电子技术基础试题库及参考答案试卷一一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共13小题，总计34分)1、(本小题2分)由开关组成的逻辑电路如图所示，设开关接通为“1”，断开为“0”，电灯亮为“1”，电灯暗为“0”，则该电路为 ( )。
(a)“与”门(b)“或”门(c) “非”门2、(本小题2分)若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )。
(a) 正、反向电阻相等(b) 正向电阻大，反向电阻小(c) 反向电阻比正向电阻大很多倍(d) 正、反向电阻都等于无穷大3、(本小题2分)运算放大器电路如图所示，RF1和RF2均为反馈电阻，其反馈极性为 ( ) 。
(a) RF1引入的为正反馈，RF2引入的为负反馈(b) RF1和RF2引入的均为负反馈(c) RF1和RF2引入的均为正反馈(d) RF1引入的为负反馈，RF2引入的为正反馈4、(本小题2分)振荡电路的幅度特性和反馈特性如图所示，通常振荡幅度应稳定在（）。
(a) O 点(b) A 点(c) B 点(d) C 点5、(本小题2分)电容三点式振荡电路如图所示，其振荡频率为（）。
(a)fL C C C Co ≈+121212π()(b) fLC CC Co≈+121212π()(c) fLC CC Co≈+11212()6、(本小题2分)整流电路如图所示，直流电压表V（内阻设为无穷大）的读数均为90 V，二极管承受的最高反向电压为141 V 的电路是下列图中（）。
7、(本小题2分)若晶闸管的控制电流由小变大，则正向转折电压（）。
(a) 由大变小 (b) 由小变大(c) 保持不变8、(本小题2分)某数/模转换器的输入为8 位二进制数字信号（D7 ~ D0），输出为 0~ 的模拟电压。
若数字信号的最低位是“1”其余各位是“0”，则输出的模拟电压为( )。
(a) (b) (c)9、(本小题3分)电路如图所示，已知U CC＝12V，RC＝3k，β＝40且忽略U BE,若要使静态时U C E＝9V，则R B应取（）。
电子技术基础》考试试卷(附参考答案)
《电子技术基础》考试试卷（附参考答案）一.填空（40分，每题5分）1.负反馈对放大电路性能的影响主要体现在（1）（2）（3）（4），闭环Auf= 。
2.通常使用来判断正负反馈，共射极放大电路反馈信号从基极注入为反馈，从发射极注入为反馈，当输出端短路后，反馈元件上有电压是反馈，若无电压是反馈。
3.负反馈在放大电路中的应用其主要类型有（1），，（2），，（3），（4）。
射极输出器是属于反馈。
4. OCL,OTL是功率放大电路，消除交越失真的方法是，它们电路上的共同特点是，不同点有，实用电路常工作在状态。
5. 集成运放主要功能是，运算电路有（1）（2）（3）（4）；基本转换电路是（1）（2）。
6.功率放大电路的主要任务是，主要要求有（1）（2）（3）（4）。
7.直流稳压电源的功能是，晶体管串联型稳压电路是由，，和四部分电路组成。
8.放大电路设置偏置的目的是，引入负反馈目的是。
功率放大电路的工作状态分为，，。
二.判断（8分，在括号里打“√”或打“X”）1.放大器负反馈深度越大，放大倍数下降越多。
（）2.由集成稳压电路组成的稳压电源其输出电压是不可调节的。
（）3.负反馈能修正信号源的失真。
（）4.直流负反馈的作用可以稳定静态工作点。
（）5.零点漂移是放大器输出不能为零。
（）6.抑制零点漂移最有效的是采用差动放大为输入级。
（）7.放大器引入负反馈可以提高电压放大倍数稳定工作状态。
（）8.集成运放的基本运算是加法和减法运算。
（）三.识读电路（24分，写出电路名称，信号传输方式和所采用的偏置）1. 2.3. 4.5. 6.四.简答（18分）1．指出电路运算功能，并写出运算公式。
（1）.（2）(3). (4).2.简述万用表检测电阻的使用方法。
五.计算（10分）1. 求如图所示放大电路的静态工作点和输入，输出电阻，电压放大倍数。
2.如图所示电路已知Rf=120k,U。
=1.5v,Ui=0.5v。
求R1的大小。
参考答案一，1，提高放大电路工作稳定性（降低了电压放大倍数）减小失真展宽通频带改善输入，输出电阻Au/(1+FAu)。
电工电子技术基础试卷及答案
电子技术第一二章考试题
一、填空（2×15=30分）
1.三极管根据结构不同，可分为NPN、PNP类型
2.三极管最重要的特性是具有电流放大的作用
3.当三极管处于放大区时，它的发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置
4.通常采用的耦合方式有阻容耦合、变压器耦合和直接耦合
5.反馈有正反馈和负反馈两种类型
6.二极管的主要特性是单向导电性，硅二极管的导通压降为0.6~0.8V，锗管的导通压降为
0.1~0.3V
7.画出稳压二极管的符号
8.判断正、负反馈的方法叫瞬时极性法
二、简答（20分）
1.什么叫反馈？
答：将放大电路输出端的电压或电流信号的一部分或全部，通过某种电路引回到放大电路的输入端。
2.对于电压放大电路，我们对它有什么要求？
答：能够得到符合要求的电压放大倍数
失真尽量小
三、计算（30分）
1.如图，已知Ucc=12V，R B1=20kΩ, R B2=10kΩ，R C=R E=2 kΩ,硅管的β=50，求静态工作
点（I B、I C、U CE）
2.如图所示，已知Ucc=12V，R B1=22kΩ, R B2=4.7kΩ，R C=1 kΩ，R E=2.5 kΩ,硅管的β=50，
r be=1.3 kΩ，求：
1)静态工作点
2)空载时的电压放大倍数
3)带4 kΩ负载时的电压放大倍数。
电子技术基础模拟试卷一
..平鲁职中2017年对口升学《电子技术基础》模拟考试试卷一、判断题（10分）1、二极管导通时，电流是从其正极流出，从负极流入的。
（）2、二极管的反向漏电流越小，其单向导电性越好。
（）3、在整流电路中，整流二极管只有在截止时，才有可能发生击穿现象。
（）4、整流电路在加电容滤波后，其输出电压波动性减小，故输出电压也随之减小。
（）5、稳压二极管正常工作时，其工作点在伏安特性曲线的反向截止区。
（）6、晶体三极管的输入特性曲线反映υBE与i C之间的关系。
（）7、晶体三极管的主要性能是具有电流和电压放大作用。
（）8、NPN管处于放大状态时，发射结加正向电压，集电结加反向电压。
（）9、放大电路通常用i b、i c、υce表示静态工作点。
（）10、为消除放大电路的截止失真，应将上偏置电阻R b调小些。
（）二、填空题（40分）1、半导体中存在着两种载流子，其中带正电的载流子称为,带负电的载流子称为。
2、二极管的主要特性是具有。
3、锗二极管的死区电压是V,硅二极管的死区电压是V，锗二极管导通时的电压降是V，硅二极管正向导通时的电压降是V.4、在二极管的四个主要参数中，反向截止时应注意的参数是和。
5、半波整流与桥式整流相比，输出电压脉动成分较小的是电路。
6、若半波整流电路负载两端的平均电压为4.5V，则二极管的最高反向电压应大于V.7、若桥式整流电路中变压器二次单相电压为10V，则二极管的最高反向工作电压就不小于V，若负载电流为800mA，则每只二极管的平均电流应大于mA。
8、在整流电路与负载之间接入滤波电路，可以把脉动直流电中的成分滤除掉。
当负载功率较小时，采用滤波方式效果最好。
而当负载功率较大时，则应改用滤波方式较好。
9、整流电路的功能是，滤波电路的作用是工作电压。
10、发光二极管的功能是，光电二极管的功是。
11、三极管具有两个PN结：（1）结，（2）结；还有三个区：（1）,（2）,(3) 。
12、放大电路的基本性能是具有能力。
中职电子技术基础考试试题(1)
第 1 页 共 2 页《电子技术基础》试题时间：90分钟一、填空题（1*35=35）1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为 、 、 和 三类。
2、PN 结正偏时，P 区接电源的 极，N 区接电源的 极。
3、二极管的主要特征是 ，硅二极管的死区电压为 ，锗二极管的死区电压为 。
6、晶体三极管有两个PN 结，即 结和 结；有三个电极，即 、 和 。
7、晶体三极管的输出特性可以分为三个区域，即 、 、和 。
8、放大电路按三极管连接方式可分为 、 、和 。
9、放大器中晶体三极管静态工作点是指 、 和 。
10、画放大电路的直流通路时，把 看成开路；画放大电路的交流通路时，把 和 看成短路。
11、多级放大电路常用的级间耦合方式有 、 、和 。
12、通常采用 法判别正反馈还是负反馈。
13、射极输出器也叫 ，是 负反馈放大器；它的电压放大倍数 ，输出电压与输入电压相位 。
14、要使电路产生稳定的振荡，必须满足 和 两个条件。
二、判断题。
（2*5=10）1、（ ）PN 结正向偏置时导通，反向偏置时截止。
2、（ ）晶体二极管是线性元件。
3、（ ）负反馈提高了放大器放大倍数的稳定性。
4、（ ）直接耦合放大器级数越多，零漂越小。
5、（ ）理想集成运放的同相输入端和反相输入端之间不存在“虚短”、“虚断”现象。
三、选择题。
（ 3*10=30 ）1、如果晶体二极管的正反向电阻都很大，则晶体二极管（ ）。
A 、正常B 、已被击穿C 、内部断路2、当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，该管工作在（ ）。
A 、放大状态B 、饱和状态C 、截止状态3、NPN 型晶体三极管中，管子各极电位是U B =4、7V ， U C =4、3V ，U E =4V ，则该晶体三极管的工作状态是（ ）。
班级 姓名 学号A、截止状态B、饱和状态C、放大状态4、三极管放大作用的实质是（）。
A、三极管可以把小电流放大成大电流。
B、三极管可以把小电流放大成大电压。
电工电子技术基础期末考试试卷1附答案
A.i1超前i260oB.11滞后i260oC.相位差无法判断5.硬磁材料在反复磁化过程中()oA.容易饱和B.难以去磁C.容易去磁6.变压器的铁芯要用( )A.硅钢片登成B.整块铁芯C.整块铝芯7.判定通电导体或通电线圈产生磁场的方向用( )A.右手定则B.右手螺旋定则C.左手定则8.当线圈中通入( )，就会产生自感现象。
A.电流B.恒定电流C.变化的电流9.理想电压源的内阻是( )。
A.0B.8C.22010.磁感应线上任一点( )方向，就是该点的磁场方向。
A.指向N极B.切线C.直线三、判断题(每题2分共20分)()1.若电源线电压为38OV,三相负载的额定电压为220V,则此负载应采取三角形连接。
()2.用交流电流表测得交流电的数值是有效值。
()3.电流对人体的危害和电流通过人体的路径无关。
()4.三相越接近对称，中线电流就越小。
()5.电路中参考点的改变，各点的电位也将改变。
()6.电路中的任一回路都是网孔。
()7.穿越线圈的磁通量越大，其感生电动势越大。
()8.纯电容两端电压的相位比通过其电流的相位超前90度。
()9.直流稔压电源由变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路等四部分组成。
()10.导体两端有电压，导体中就会有电流。
四、简答题(每题5分共10分)1.什么是本征半导体?什么是N型半导体?什么是P型半导体？《电工电子技术基础》期末考试试卷1一、填空题（每空1分共30分）1 .串联电路中的（）处处相等，总电压等于各电阻上电压之和。
2 .如果用交流电压表测量某交流电压，其读数为380伏，此交流电压的最大值为（）伏。
3 .有两个电阻R1和Rz ，已知Ri ：R 2=I:2,若它们在电路中串联，则两电阻上的电压之比U RI :U R 2=（）;两电阻上电流之比I RI ：I R 2=（）:若它们在电路中并联，则两电阻上的电压之比U R ∣：U R 2=（ ）:两电阻上电流之比I RI ：%=（）≡4 .如图，该电路有（）个节点，（）个网孔，（）个回路，（）条支路。
7月全国自考电子技术基础(一)试题及答案解析
全国2018年7月电子技术基础(一)试题课程代码：02234一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。
每小题2分，共30分)1.由理想二极管构成的限幅电路如下图所示，当输入电压Ui=9V时，输出电压Uo为多少？( )。
A.3VB.6VC.9VD.15V2.三极管的主要参数Iceo的定义是( )。
A.集电极—发射极反向饱和电流B.集电极—基极反向饱和电流C.集电极最大允许电流D.集电极—发射极正向导通电流3.场效应管的转移特性如下图，则该管为( )。
A.Ｎ沟道耗尽型FETB.Ｎ沟道增强型FETC.Ｐ沟道耗尽型FETD.Ｐ沟道增强型FET4.普通硅二极管的死区电压为( )。
A.0.1VB.0.2VC.0.5VD.1.0V5.某三极管型号是３ＤＧ６，则根据该型号可知，该三极管是( )。
A.硅NPN型管B.硅PNP型管C.锗NPN型管D.锗PNP型管6.某三极管接在电路上，它的三个管脚的电位分别为U1=6V，U2=5.4V，U3=12V，则对应该管的管脚排列依次是( )。
A.E、B、CB.B、E、CC.B、C、ED.C、B、E17.共集电极放大电路的特点是( )。
A.输入电阻很小，输出电阻很大B.输入电阻很大，输出电阻很小C.电压放大倍数很高D.可用作振荡器8.测得某交流放大电路的输出端开路电压的有效值Uo=4V,当接上负载电阻RL=6kΩ时，输出电压下降为Uo=3V，则交流放大器的输出电阻ro是( )。
A.6kΩB.4kΩC.2kΩD.1kΩ9.下图所示电路是( )。
A.加法运算电路B.减法运算电路C.积分运算电路D.微分运算电路10.下图的放大器输出Ｕo为( )。
A.Uo=-UiRf/RiB.Uo=UiRf/RiC.Uo=(1+Rf/Ri)UiD.Uo=- (1+Rf/Ri)Ui11.以下哪个选项不是导致直接耦合放大器的零点漂移的主要原因?( )A.三极管ICBO随温度变化B.三极管UBE随温度变化C.三极管ICM随温度变化D.三极管β随温度变化12.单相桥式整流电路中，变压器次级电压为10V，则整流二极管承受的最大反压为( )。
数字电子技术基础试卷1
数字电子技术基础试卷(本科)及参考答案试卷一及其参考答案试卷一一、（20分）选择填空。
从每个小题的四个选项中选出一个正确答案，并将其编号填入该题后的括号中。
1．十进制数3.625的二进制数和8421BCD码分别为（）A．11.11 和11.001 B．11.101 和0011.011000100101C．11.01 和11.011000100101 D．11.101 和11.1012．下列几种说法中错误的是（）A．任何逻辑函数都可以用卡诺图表示。
B．逻辑函数的卡诺图是唯一的。
C．同一个卡诺图化简结果可能不是唯一的。
D．卡诺图中1的个数和0的个数相同。
3．和TTL电路相比，CMOS电路最突出的优点在于（）A．可靠性高B．抗干扰能力强C．速度快D．功耗低4．为了把串行输入的数据转换为并行输出的数据，可以使用（）A．寄存器B．移位寄存器C．计数器D．存储器5．单稳态触发器的输出脉冲的宽度取决于（）A．触发脉冲的宽度B．触发脉冲的幅度C．电路本身的电容、电阻的参数D．电源电压的数值6．为了提高多谐振荡器频率的稳定性，最有效的方法是（）A．提高电容、电阻的精度B．提高电源的稳定度C．采用石英晶体振荡器C．保持环境温度不变7．已知时钟脉冲频率为f cp，欲得到频率为0.2f cp的矩形波应采用（）A．五进制计数器B．五位二进制计数器C．单稳态触发器C．多谐振荡器8．在图1-8用555定时器组成的施密特触发电路中，它的回差电压等于（）A．5V B．2VC．4V D．3VI+5V 8 41 562 3555（1）+4V 图1-8二、（12分）已知输入信号A 、B 、C 的波形，试画出图2所示各电路输出（L 1、L 2、L3）的波形。
设触发器的初态为0。
A +5VAB C L 1B C&&=11J 1K1AB C QL 2C1 S 0 Y W S 1 S 2 G D 0 D 1 D 2 D 3 D 4 D 5 D 6 D 7A B C1L 374HC151图2三、（10分）如图3所示，为检测水箱的液位，在A 、B 、C 、三个地方安置了三个水位检测元件，当水面低于检测元件时，检测元件输出低电平，水面高于检测元件时，检测元件输出高电平。
电子信息工程技术专业《电子技术基础》专科秋季学期期末考试题试卷(卷一)
电子信息工程技术专业 《电子技术基础》专科秋季学期期末考试题试卷 （卷一） 题号 一 二 三 四 五 六 总 分 得分 一、单项选择题。
1．三类负荷对供电可靠性的要求是（ ）。
A. 任何时候都不能突然停电； B. 一般情况下不能突然停电； C. 可以随时突然停电； 2．磁电式电工仪表一般用来测量（ ）电流、电压。
A ．交流； B ．直流； 3．感应式电工仪表一般用来测量（ A ）。
A ．电能量； B ．电功率； 4．电磁式仪表的优点是（ ）测量直流，（ ）测量交流。
A ．能； B ．不能； 5．二进制数01111转换为十进制数为( A )。
A ．15； B ．21； …○…………○………装…………○…………订…………○…………线…………○…………院系：专业班级：学号：姓名：座位号：C．18；6．8421BCD码0111表示十进制数为( B )。
A．8；B．7；C．42；7．欲表示十进制数的8个数码,需要二进制数码的位数是( B )。
A．2位；B．3位；C．4位；8．逻辑函数式A+AC,化简后结果是( )。
A．C；B．A；C．AC；9．逻辑函数式F=ABC+ABC的逻辑值为( )。
A．0 ；B．1；C．ABC；10．基本RS触发器电路中，触发脉冲消失后，其输出状态( B )。
A．恢复原状态；B．保持原状态；C．出现新状态；11．三输入D、E、F或门的逻辑表达式为( A )。
A ．D+E+F ；B ． D+E ；C ．F ED ++；12．触发器的状态是Q=1,Q =0,称为（ A ）。
A ．“1”态；B ．“0”态；C ．两个都不是；13．JK 触发器,当J=0,K=1时,其输出状态是( A )。
A ．Q=0；B ．Q=1；C ．不确定；14.功率晶体管GTR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( )。
A.一次击穿；B.二次击穿；C.临界饱和；D.反向截止；15.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成( )；A.大功率三极管；B.逆阻型晶闸管；C.双向晶闸管；D.可关断晶闸管；16.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是( )；A.干扰信号；B.触发电压信号；C.触发电流信号；D.干扰信号和触发信号；17.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )；A.导通状态；B.关断状态；C.饱和状态；D.不定；18.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )；A. 90°；B. 120°；C. 150°；D. 180°；19.单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为( )；A. U2；B. U2；C. 2U2；D. U2；20.单相全控桥电阻性负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为( )；A. U2；B. 2U2；C. U2；D. U2；21.单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是( )；A. 0°～90°；B. 0°～180°；C. 90°～180°；D. 180°～360°；22.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ=( )；A.π-α；B.π+α；C.π-δ-α；D.π+δ-α；23.对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关( )；A. α负载电流Id以及变压器漏抗XC；B. α以及负载电流Id；C. α和U2；D. α和U2以及变压器漏抗XC；24.三相半波可控整流电路的自然换相点是( )；A.交流相电压的过零点；B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处；C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°；D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°；25.可在第一和第四象限工作的变流电路是( )；A.三相半波可控变电流电路；B.单相半控桥；C.接有续流二极管的三相半控桥；D.接有续流二极管的单相半波可控变流电路；26.快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是( )；A. 功率晶体管；B. IGBT；C. 功率MOSFET；D. 晶闸管；27.若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是( )；A.增大三角波幅度；B.增大三角波频率；C.增大正弦调制波频率；D.增大正弦调制波幅度；28.采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为( )；A.减小输出幅值；B.增大输出幅值；C.减小输出谐波；D.减小输出功率；29.电流型逆变器中间直流环节贮能元件是( )；A.电容；B.电感；C.蓄电池；D.电动机；30．把电力系统中实施电能远距离传输的环节叫做（）。
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电子上期期末考试试卷
考号姓名
一、填空题（30空×1分=30分）
1、在N型半导体中是多子，在P型半导体中是少子。
2、PN结加正向电压时，加反向电压时，这种特性称为PN结的特性。
3、三极管的极限参数有：____________、____________和____________。
4、加在二极管两端的反向电压超过U(BR)时，二极管将被。
流过二极管的正向电流长时间超过I FM时，二极管将被。
5、三极管的发射极电流、集电极电流和基极电流关系为。
6、NPN三极管三个电极的电位关系是。
7、三极管输出特性曲线可以分为区、区和________________区。
8、放大器的放大倍数有____________、__________和____________。
9、放大器必须设置，能避免产生非线性失真。
10、二极管特性：________________性，它的符号________。
11、三极管有________、________、________三个电极，________和
________两个PN结。
12、基本共发射放大电路又称为____________，其缺点是____________，
它的输出电压与输入电压相位____ ______，因此这种放大电路又称为____________。
二、选择（将正确的答案填入对应的表格中10×2分=20分）
1、在N型半导体中（）。
A、只有自由电子
B、只有空穴
C、有空穴也有自由电子
2、下列说法错误的是（）。
A、I E =I B +I C适合各类三极管
B、I C =βI B适合各类三极管
C所有三极管放大都要满足发射结正偏，集电结反偏
D所有三极管放大，三极电位都要满足：Uc>Ub>Ue
3、工作在放大区的某三极管，当I B1=20μA时，I C1=1mA时，当I B2=40μA时，I C2=2.1mA,则其β值为( ).
A 、50
B 、52.5 C、55 D、57.5
4、三极管的两个PN结都反偏，则晶体三极管的状态是（）。
A、放大
B、饱和
C、截止
D、导通
5、关于输入、输出电阻的说法，错误的是（）。
A、输入输出电阻是一个等效电阻，并不是指电路中某一个实际电阻
B、输入、输出电阻可以用来分析电路的静态工作情况
C、对放大器的要求是输入电阻大、输出电阻小
D、从输入、输出电阻角度来看，共集电极电路性能最优
6、NPN三极管放大器中，若三极管基极和发射极短路，则三极管（）。
A、发射结正偏
B、集电结正偏
C、截止
D、饱和
7、关于共集电极电路，下列说法错误的是（）。
A、无任何放大作用
B、无反相作用
C 、Ri大Ro小D、无电压放大作用
8、希望电路的带负载能力强，可选用（）
A、共射放大电路
B、共基放大电路
C、共集放大电路
D、那种都行
9、共射基本放大电路中的集电极电阻R C的主要的作用是（）
A、实现电流放大；
B、提高输出电阻；
C、实现电压放大；
D、都不对
10、NPN型三极管在饱和区时的电位大小为（）
A、U B最高
B、U E最高
C、U C最高
D、不能确定
三、简答题（16分）
1、甲、乙两人根据实测数据估算NPN硅管的ß值，甲测得Vce=5V，I b=20mA时，I c=1.4mA，甲认为三极管的ß值约为70；乙测得Vce=0.5V，Ib=0.1mA时，Ic=3mA，他认为ß约为30；分别判断他们的结论是否正确，说明理由。
2、三极管在哪三种工作状态？各状态下电压和电流各有什么特点？
3、共集电极放大电路的特点：
4、P型半导体N型半导体的异同点
三、画图题（14分）
1、请画出NPN型三极管组成的基本放大电路，并在图中标出I B，I C，U BE，U CE的位置。
（5分）
2、画出二极管和三极管的符号，并标出各极的电流方向（9分）
五、计算题（10分）
1、测得工作在放大电路中三极管各电极电位如图，
试问：（1）材料是什么？（2）类型是什么？
（3）指出管脚。
2、某放大电路中三极管的三个电极1、2、3的电流如图所示，用万用表直流电流档测得I1=2mA，I2=0.04mA，I3=-2.04mA,,试确定三极、管型，并计算其β。
六、实验题（10分）
1请叙述判断二极管极性与质量优劣的方法。