全系列场效应管参数
场效应管系列参数
场效应管系列参数上一页场效应管系列参数(1)型号沟道类型耐压(V)V电流( I ) A功率(PD/P沟)W内阻(Rds)脚位IRF530*N100V14A88W<0.16GDS IRF540*N100V28A150W<77m GDS IRF630*N200V9A74W<0.4GDS IRF640*N200V18A125W<0.18GDS IRF644*N250V14A125W<0.28GDS IRF730*N400V 5.5A74W<1.0GDS IRF740*N400V10A125W<0.55GDS IRF830*N500V 4.5A74W<1.5GDS IRF840*N500V8A125W<0.85GDS IRF1010E*N60V81A170W<12m GDS IRF2807*N<GDS IRF3205*N55V110A200W<8m GDS IRF3710*N<GDS IRFP054#N60V70A230W<14m GDS IRFP064#N60V70A300W<9m GDS IRFP140#N100V31A180W<77m GDS IRFP150#N100V41A230W<55m GDS IRFP240#N200V20A150W<0.18GDS IRFP250#N200V30A190W<85m GDS IRFP260#N200V46A280W<55m GDS IRFP264#N250V38A280W<75m GDS IRFP350#N400V16A190W<0.3GDS IRFP360#N400V23A280W<0.2GDS IRFP450#N500V14A190W<0.4GDS IRFP460#N500V20A280W<0.27GDS IRFZ44N*N60V50A150W<28m GDS IRFZ46N*N50V50A150W<24m GDS IRFZ48N*N60V50A190W<18m GDS IRFZ24N*N60V17A60W<0.1GDS场效应管系列参数(2)型号沟道类型耐压(V)V电流( I ) A功率(PD/P沟)W内阻(Rds)脚位2SK30N NF/Uni,Ra50V Idss>0.3ma Up<5v DGS 2SK117N NF/ra,50V Idss>0.6ma Up<1.5v<SGD 2SK701N60V+_2A15W<0.6R SDG 2SK702N100V+_5A50W<0.45R GDS 2SK703N100V+_5A35W<0.45R GDS 2SK787N900V+_8A150W<1.6R GDS 2SK790N500V15A150W<0.4R GDS 2SK792N900V3A100W<4.5R GDS 2SK794N900V5A150W<2.5R GDS 2SK827N450V+_18A150W<0.38R GDS 2SK832N900V+_4A85W<4R GDS 2SK851N200V30A150W<85mr GDS 2SK957N900V2A40W<8.5R GDS 2SK962N900V8A150W<2R GDS 2SK1019N450V35A300W<0.2R GDS 2SK1020N500V30A300W<0.25R GDS 2SK1082N800V7A125W<2.2R GDS 2SK1117N600V6A100W<GDS 2SK1118N600V6A45W<GDS 2SK1119N1000V4A100W<GDS 2SK1120N1000V8A150W<GDS 2SK1169N450V20A120W<0.25R GDS 2SK1170N500V20A120W<0.27R GDS 2SK1271N1400V+_5A240W<4R GDS 2SK1317N1500V 2.5A100W<12R GDS 2SK1358N900V9A150W<1.4R GDS 2SK1359N1000V5A125W<3.8R GDS 2SK1426N60V100A200W<12mr GDS 2SK1500N500V+_25A160W<0.25R GDS延吉市大众摩配商店版权所有。
5000种场效应管参数
5000种场效应管参数场效应管是一种常用的半导体器件,用于放大和开关电路。
与双极性晶体管相比,场效应管具有较高的输入阻抗和较低的功耗。
根据不同的应用需求,场效应管有很多不同的参数。
以下是5000种场效应管的一些常见参数:1.管子类型:场效应管分为N型和P型两种类型。
N型场效应管是以负电压作用于栅极时导通,而P型场效应管是以正电压作用于栅极时导通。
2.最大漏极电流:场效应管可以通过的最大漏极电流。
不同型号的场效应管具有不同的最大漏极电流。
3.开启电压:场效应管进入导通状态所需的门源电压。
不同型号的场效应管具有不同的开启电压。
4.截止电压:场效应管进入截止状态所需的门源电压。
不同型号的场效应管具有不同的截止电压。
5.静态漏极电阻:当场效应管工作在饱和状态时,漏极电压变化与漏极电流之间的比值。
6.转导电导:场效应管的输出电流和输入电压之间的比例关系。
7.最大功耗:场效应管能够承受的最大功率。
8.响应时间:场效应管从关态到开态或开态到关态的响应时间。
9.管脚电容:场效应管各管脚之间的电容。
10.峰值电压:场效应管可以承受的最大电压。
此外,还有许多其他参数,如漏极反向电流、漏极与源极之间的电阻、起始电流、迁移率、温度系数等,这些参数也是来描述场效应管性能的重要指标。
需要注意的是,由于场效应管有很多不同型号,每种型号的参数都有所不同。
因此,在实际应用中,需要根据具体的需求选择合适的场效应管型号。
以上仅列举了一小部分场效应管的参数,实际上还有许多其他参数。
场效应管参数大全
场效应管参数大全百度空间无限的未知真心真诚理解真情永恒K2645: 600V,1.2Ω,9A,50WK2141: 600V,1.1Ω,6A,35WK3326: 500V,0.85Ω,10A,40WK1388: 30V,0.022Ω,35A,60WK1101: 450V,0.5Ω,10A,50WK1507: 9A 600V2SK1537 N-FET 900V 5A 100WK2045 600V, 6A , 35W 。
代K1404, K2101, 2SK2118。
K1118,K2645,K2564,K2545,K1507,K2761,K1117,K2333代k214107N03L 30V 80A 150W N10N20 10A 200V N 沟道MOS管10N60 10A 600V11N80 11A 800V 156W11P06 60V 9.4A P沟道直插13N60 13A 600V N 沟道15N03L 30V 42A 83W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N40N03H 30V 40A N4232 内含P沟道,N沟道MOS管各一,4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各一,50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道小贴片MOS55N03 25V 55A 103W5N90 5A 900V5P25 250V 5A6030LX 30V 52A 42W N603AL 30V 25A 60W N 沟道小贴片MOS6A60 600V 6A N6N70 700V 6A N6P25 250V 6A70L0270N06 70A 60V 125W7N60 600V 7A N,铁7N70 7A 700V85L028N25 250V ,8A ,同IRF63495N03 25V 75A 125W9916H 18V 35A 58W 小贴片,全新9N60 9A 600V9N70 9A 700VAF4502CS 内含P沟道,N沟道MOS管各一A04403 30V 6.1A 单P沟道 8脚贴片A04404 30V 8.5A 单N沟道 8脚贴片A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴片A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴片A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴片A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04414 30V,8.5A,3WM 单N沟道,8脚A04418 30V 11.5A N沟道8脚贴片A04422 30V 11A N 沟道 8脚贴片A04423 30V 15A 3.1W 单P沟道,8脚贴A04600 内含P沟道,N沟道MOS管各一A0D405 30V,18A,P高压板MOS管贴A0D408 30V,18A,P高压板MOS管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D420 30V,10A,N高压板MOS管贴A0D442 60V,38/27A,N 高压板MOS管贴A0D442 60V38/27A,N高压板MOS管贴A0D444 60V,12A,N 高压板MOS管贴A0P600 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P605 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P607 内含P、N沟道各1,60V 4。
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料常用的全系列场效应管MOS管型号参数封装资料有很多,以下是一些常见的型号和参数封装资料:1.IRF3205IRF3205是一种常见的N沟道MOSFET管,栅极电压为20V,漏极电流为110A,最大功耗为200W,电阻为8mΩ。
2.IRF4905IRF4905是一种N沟道MOSFET管,栅极电压为55V,漏极电流为74A,最大功耗为200W,电阻为0.02Ω。
3.IRF540NIRF540N是一种N沟道MOSFET管,栅极电压为100V,漏极电流为33A,最大功耗为150W,电阻为0.077Ω。
4.IRF520IRF520是一种N沟道MOSFET管,栅极电压为100V,漏极电流为9.2A,最大功耗为75W,电阻为0.27Ω。
5.IRLB3034PBFIRLB3034PBF是一种N沟道MOSFET管,栅极电压为40V,漏极电流为195A,最大功耗为200W,电阻为1.4mΩ。
6.IRL540IRL540是一种N沟道MOSFET管,栅极电压为100V,漏极电流为28A,最大功耗为150W,电阻为0.05Ω。
这些型号的MOSFET管通常都具有三个主要的参数,即栅极电压(Vgs),漏极电流(Id),以及最大功耗(Pd)或电阻(Rds(on))。
栅极电压指的是在正常操作时栅极和源极之间的电压,超过这个电压可能会损坏器件。
漏极电流指的是从漏极流出的最大电流,超过这个电流可能会损坏器件。
最大功耗或电阻指的是在正常操作时器件能够承受的最大功耗或电阻。
此外,还有一些其他的参数可以帮助选择合适的MOSFET管,例如电流增益(hfe)和恢复时间(tr、tf)。
电流增益是指当栅极电压变化时,漏极电流的变化率。
恢复时间指的是从开关状态到非开关状态的时间。
这些型号的封装通常包括TO-220、TO-262、D2PAK、TO-247等。
每种封装都有其自身的特点和适用范围,需要根据具体的应用来选择合适的封装。
全系列场效应管参数
K2843600V10A45W N07N03L 30V 80A 150W N10N20 10A 200V N 沟道MOS管10N60 10A 600V11N80 11A 800V 156W11P06 60V 9.4A P沟道直插13N60 13A 600V N 沟道15N03L 30V 42A 83W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N40N03H 30V 40A N4232 内含P沟道,N沟道MOS管各一,4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各一,50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道小贴片MOS55N03 25V 55A 103W5N90 5A 900V5P25 250V 5A6030LX 30V 52A 42W N603AL 30V 25A 60W N 沟道小贴片MOS6A60 600V 6A N6N70 700V 6A N6P25 250V 6A70L0270N06 70A 60V 125W7N60 600V 7A N,铁7N70 7A 700V85L028N25 250V ,8A ,同IRF63495N03 25V 75A 125W9916H 18V 35A 58W 小贴片,全新9N60 9A 600V9N70 9A 700VAF4502CS 内含P沟道,N沟道MOS管各一A04403 30V 6.1A 单P沟道8脚贴片A04404 30V 8.5A 单N沟道8脚贴片A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴片A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴片A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴片A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04414 30V,8.5A,3WM 单N沟道,8脚A04418 30V 11.5A N沟道8脚贴片A04422 30V 11A N 沟道8脚贴片A04423 30V 15A 3.1W 单P沟道,8脚贴A04600 内含P沟道,N沟道MOS管各一A0D405 30V,18A,P高压板MOS管贴A0D408 30V,18A,P高压板MOS管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D420 30V,10A,N高压板MOS管贴A0D442 60V,38/27A,N 高压板MOS管贴A0D442 60V38/27A,N高压板MOS管贴A0D444 60V,12A,N 高压板MOS管贴A0P600 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P605 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P607 内含P、N沟道各1,60V 4。
场效应管系列参数
场效应管系列参数场效应管是一种被广泛应用于电子设备中的半导体器件,具有很多重要的参数。
本文将详细介绍场效应管的系列参数,包括栅极电压(Vgs)、漏极电流(Id)、漏极电压(Vd)、传导电阻(Rds)、增益(Gm)、饱和电流(Idss)、漏极电流温度系数(Idss Temp Coefficient)、漏极电流失调(Drain Current Mismatch)等参数。
1. 栅极电压(Vgs):栅极电压是控制场效应管工作的重要参数,它决定了栅极与漏极之间的电场强度。
通过调节栅极电压,可以改变漏极电流的大小。
2.漏极电流(Id):漏极电流是场效应管主要的输出电流,它决定了场效应管能够输出的电流大小。
漏极电流的大小与栅极电压及其他工作条件相关。
3.漏极电压(Vd):漏极电压是场效应管工作时的主要参考电压,它决定了场效应管的工作状态。
通常情况下,漏极电压要保持在一定的范围内,过高或过低都可能导致失效。
4. 传导电阻(Rds):传导电阻是场效应管导通状态时产生的电阻,它会对电路的功率损耗产生影响。
传导电阻的大小与场效应管的结构和工艺有关,一般来说,传导电阻越小,导通时的功率损耗越小。
5.增益(Gm):增益是场效应管的重要参数之一,它表示了场效应管输出电流与输入电压之间的关系。
增益的大小与场效应管的工作状态有关,一般来说,增益越大,表示场效应管具有更好的放大能力。
6. 饱和电流(Idss):饱和电流是场效应管在栅极电压为零时的最大漏极电流。
它是指场效应管工作在饱和区时,漏极电流的最大可接受值。
饱和电流的大小与场效应管的类型和工作状态有关。
7.漏极电流温度系数:漏极电流温度系数表示了场效应管漏极电流随温度变化的情况。
漏极电流温度系数的大小与场效应管的材料和结构有关,一般来说,漏极电流温度系数越小,表示场效应管对温度的变化越不敏感。
8.漏极电流失调:漏极电流失调是指多个场效应管在相同工作条件下漏极电流的差异。
由于制造工艺和器件本身的不完美性,不同场效应管之间的漏极电流会存在一定的差异。
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资1.IRF系列:IRF540N、IRF840、IRF3205等IRF系列是一种N沟道MOS管,具有低电源电流和高开关速度特点,可以工作在高频率下。
常用的封装有TO-220、TO-247、D2-Pak等。
-IRF540N参数:导通电阻:0.077Ω最大耗散功率:150W最大漏电流:50μA最大栅源电压:100V最大漏源电压:100V最大栅极电荷:49nC-IRF840参数:导通电阻:0.85Ω最大耗散功率:125W最大漏电流:10μA最大栅源电压:500V最大漏源电压:500V最大栅极电荷:90nC-IRF3205参数:导通电阻:8mΩ最大耗散功率:110W最大漏电流:250μA最大栅源电压:20V最大漏源电压:55V最大栅极电荷:75nC2.IRFP系列:IRFP250N、IRFP460等IRFP系列是一种P沟道MOS管,具有低导通电阻和高开关速度特点,适合高频率下的应用。
常用的封装有TO-247、TO-3P等。
-IRFP250N参数:导通电阻:0.095Ω最大耗散功率:200W最大漏电流:250μA最大栅源电压:100V最大漏源电压:200V最大栅极电荷:73nC-IRFP460参数:导通电阻:0.27Ω最大耗散功率:180W最大栅源电压:500V最大漏源电压:500V最大栅极电荷:123nC3.IRL系列:IRL540N、IRL3713等IRL系列是一种低电平驱动的MOS管,具有低导通电阻和高开关速度特点,适合低电平驱动电路。
常用的封装有TO-220、D2-Pak等。
-IRL540N参数:导通电阻:0.054Ω最大耗散功率:120W最大漏电流:50μA最大栅源电压:55V最大漏源电压:100V最大栅极电荷:32nC-IRL3713参数:导通电阻:7.5mΩ最大耗散功率:60W最大漏电流:50μA最大栅源电压:20V最大栅极电荷:20nC以上是常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资的介绍,不同型号的MOS管具有不同的特点和适用场景,用户可以根据实际需求选择适合的型号和封装方式。
全系列场效应管VMOS、IGBT参数
产 品 型 号
沟道
主 要 参 数
外 型
厂 家
IRF064
N
60V、40A、180W
TO——3P
IR
IRFP150
N
100V、40A、180W
TO——3P
IR
IRFP240
N
200V、18A、180W
TO——3P
IR
IRFP250
N
200V、32A、180W
TO——3P
TO——3P
东芝
K793
N
850V、5A、125W
TO——3P
东芝
K794
N
900V、5A、150W
TO——3P
东芝
K825
N
500V、15A、125W
TO——3P
NEC
K872
N
900V、6A、150W
TO——3P
NEC
K962
N
900V、8A、150W
TO——3P
富士通
K1017
N
450V、20A、150W
富士通
IMBH60-100
N
1000V、60A、300W
TO——3P大
富士通
GT60M103
N
1000V、60A、300W
TO——3P大
东芝
GT60M104
N
1000V、60A、300W
TO——3P大
东芝
GT60M303
IGBT
1000V60A300W
TO——3P大
东芝
GT40M101
IGBT
1500V40A300W
TO——3P
全系列常用场效应管参数大全
全系列常用场效应管参数大全场效应管是一种主要用于放大和开关电路的电子元器件,具有众多的参数。
以下是常用的场效应管参数:1.静态特性参数:(1) 阈值电压(Vth):场效应管的控制电压,使得其导通或截止的电压值。
(2) 静态漏源电流(Idss):当栅极电压为零时,漏极电流的最大值。
(3)鼓励因子(μ):增强型场效应管的漏源电流与栅极电流之比。
2.动态特性参数:(1) 输入电容(Ciss):输入端的电容值,是栅极与源极之间的电容。
(2) 输出电容(Coss):输出端的电容值,是漏极与源极之间的电容。
(3) 反馈电容(Crss):栅极与漏极之间的电容。
(4) 压摆率(Slew Rate):指场效应管的输出电压在单位时间内的变化速率。
(5) 开关时间(Turn-on/off Time):指将场效应管从导通状态切换到截止状态或从截止状态切换到导通状态所需的时间。
(6) 最大工作频率(fmax):指场效应管的最大可靠工作频率。
(7) 功耗(Power Dissipation):指场效应管在单位时间内消耗的电功率。
3.温度特性参数:(1) 热阻(Thermal Resistance):指场效应管的散热能力。
(2) 温度系数(Temperature Coefficient):指场效应管的电性能随温度变化的程度。
(3)工作温度范围:指场效应管能够正常工作的温度范围。
4.包装特性参数:(1)封装类型:常见的封装类型有TO-92、TO-220、SOT-23等。
(2)引脚布局:指场效应管引脚的排列方式。
5.其他特性参数:(1) 最大电压(Maximum Voltage):指场效应管能够承受的最大电压。
(2) 最大电流(Maximum Current):指场效应管能够承受的最大电流。
(3) 开关能力(Switching Capability):指场效应管切换时的能力,包括开关速度和能量转移等方面。
以上是常用的场效应管参数,不同型号的场效应管具有不同的参数范围和性能,使用时需要根据实际需求选择合适的型号。
场效应管参数大全
场效应管参数大全场效应管(Field Effect Transistor)是一种三端电子器件,由源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)组成。
在场效应管中,栅极控制电流的流动,输出电流由源极到漏极流动。
场效应管广泛应用于电子设备和集成电路中,是数字和模拟电路中最重要的组成元件之一、下面是场效应管的一些重要参数:1. 阈值电压(Threshold Voltage):场效应管的阈值电压(Vth)是指在栅极电压低于该值时,管子处于截止(OFF)状态,没有漏极电流流过。
阈值电压是场效应管的重要特性之一,对于管子的工作状态和电路设计都有重要影响。
2. 最大漏极电流(Maximum Drain Current):最大漏极电流(Idmax)是指在给定的栅极-漏极电压下,场效应管可以承受的最大漏极电流。
超过最大漏极电流的电流将损坏管子。
3. 转导电导(Transconductance):转导电导(gm)是指单位栅极-漏极电压变化时,漏极电流的变化量。
转导电导是场效应管的重要参数,也用来衡量管子的增益和灵敏度。
4. 漏极电压(Drain-Source Voltage):漏极电压(Vds)是指场效应管的漏极与源极之间的电压差。
漏极电压对场效应管的工作状态和性能有重要影响。
5. 饱和电流(Saturation Current):饱和电流(Idsat)是指在给定的栅极电压下,场效应管的漏极电流达到饱和状态时的电流值。
6. 耗散功率(Power Dissipation):耗散功率是指场效应管在工作中消耗的功率。
场效应管的耗散功率深受设计要求和环境温度的影响。
7. 开启时间和关闭时间(Turn-On and Turn-Off Time):开启时间是指场效应管由截止状态转变为导通状态所需的时间,关闭时间是指从导通状态转变为截止状态所需的时间。
8. 输入和输出电容(Input/Output Capacitance):输入和输出电容是指场效应管输入和输出端之间的电容。
5000种场效应管参数
ID型号厂家用途构造沟道方式v111(V)区分ixing(A) 12SJ11东芝DC, LF A, C J P D20GDS-10m22SJ12东芝DC, LF A, J P D20GDS-10m32SJ13东芝DC, LF A, C J P D20GDS-100m42SJ15富士通DC, LF A J P18GDO-10m52SJ16富士通DC, LF A J P18GDO-10m62SJ17C-MIC J P20GDO0.5m72SJ18LF PA J(V)P170GDO-582SJ19NEC LF D J(V)P140GDO-100m92SJ20NEC LF PA J(V)P100GDO-10102SJ22C-MIC J P D80GDO0.5m112SJ39三菱LF A J P D50GDO-10m122SJ40三菱LF A,A-SWJ P D50GDO-10m132SJ43松下LF A J P D50GDS20m142SJ44NEC LF LN A J P D40GDO-10m152SJ45NEC LF A J P D40GDO-10m162SJ47日立LF PA MOS P E-100DSX-7172SJ48日立LF PA, HS P MOS P E-120DSX-7182SJ49日立LF PA,HS PS MOS P E-140DSX-7192SJ49(H)日立HS PSW MOS P E-140DSX-7202SJ50日立LF/HF PA,HS MOS P E-160DSX-7212SJ50(H)日立HS PSW MOS P E-160DSX-7222SJ51日立LF LN A J P D40GDO-10m232SJ55日立LF/HF PA,HS MOS P E-180DSX-8242SJ56日立LF/HF PA,HS MOS P E-200DSX-8252SJ56(H)日立HF PA, HS P MOS P E-200DSX-8262SJ68日立LF LN A J P D-40DSX-10m272SJ69日立LF LN A J P D-40DSX-10m282SJ70日立LF LN A J P D-40DSX-10m292SJ72东芝LF LN A J P D25GDS-10m302SJ73东芝LF LN A J P D25GDS-10m312SJ74东芝LF LN A J P D25GDS-10m322SJ75东芝LF LN A J P D25GDS-10m332SJ76日立LF D,HS PSW MOS P E-140DSX-500m342SJ77日立LF D,HS PSW MOS P E-160DSX-500m352SJ77(K)日立HF PA, HS P MOS P E-160DSX-500m362SJ78日立LF D,HS PSW MOS P E-180DSX-500m372SJ79日立LF D, HS PS MOS P E-200DSX-500m382SJ79(K)日立HF PA, HS P MOS P E-200DSX-500m392SJ81日立LF PA MOS P-120DSX-7402SJ82日立LF PA MOS P-140DSX-7412SJ83日立LF PA MOS P-160DSX-7422SJ84松下LF A J P D15GDS-10m432SJ85日立LF PA MOS P442SJ86日立LF PA MOS P452SJ87日立LF PA MOS P462SJ90东芝LF LN A J P D30GDS-10m472SJ91东芝LF PA MOS P-140DSX-8482SJ92东芝LF PA MOS P-140DSX-7492SJ96日立LF/HF PA, H MOS P-60DSX-8502SJ99日立LF/HF PA, H MOS P E-140DSS-8512SJ100日立LF/HF PA, H MOS P E-160DSS-8522SJ101日立LF/HF PA, H MOS P E-40DSS-5532SJ102日立LF/HF PA, H MOS P E-60DSS-5542SJ103东芝LF A,A-SWJ P D50GDS-10m552SJ104东芝LF A, A-SW J P D25GDS-10m 562SJ105东芝LF A,A-SWJ P D50GDS-10m 572SJ106东芝LF A,A-SWJ P D50GDS-10m 582SJ107东芝LF A,A-SWJ P D25GDS-10m 592SJ108东芝LF LN A J P D25GDS-10m 602SJ109东芝LF LN A J P D30GDS-10m 612SJ110东芝LF A,A-SWJ P D25GDS-10m 622SJ111东芝LF LN A J P D25GDS-10m 632SJ112日立HS PSW, RF MOS P E-100DSS-10 642SJ113日立HS PSW, RF MOS P E-100DSS-10 652SJ114日立HS PSW, RF MOS P E-200DSS-8 662SJ115东芝LF PA MSO P E-160DSS-8 672SJ116日立HS PSW, RF MOS P E-400DSS-8 682SJ117日立HS PSW, RF MOS P E-400DSS-2 692SJ118日立HS PSW, RF MOS P E-140DSS-8 702SJ119日立HS PSW, RF MOS P E-160DSS-8 712SJ120(L)日立HS PSW, RF MOS P E-40DSS-2 722SJ122日立HS PSW, RF MOS P E-60DSS-10 732SJ123东芝LF PA, HS S MOS P E-70DSS-10 742SJ125三菱LF PA,A-SW J P D50DGO-10m 752SJ126东芝HS SW MOS P E-60DSX-10 762SJ127日立HS PSW MOS P E-120DSS-10 772SJ128,128Z NEC SW MOS P E-100DSS±2 782SJ129松下LF A J P D50GDS-10m 792SJ130(L)(S日立HS SW MOS P E-300DSS-1 802SJ131SW MOS P E-170DSS-10 812SJ132,132Z NEC SW MOS P E-30DSS±2 822SJ133,133Z NEC SW MOS P E-60DSS±2 832SJ134NEC SW MOS P E-100DSS±6 842SJ135NEC SW MOS P E-100DSS±5 852SJ136NEC SW MOS P E-60DSS±12 862SJ137NEC SW MOS P E-60DSS±10 872SJ138NEC SW MOS P E-100DSS±12 882SJ139NEC SW MOS P E-100DSS±10 892SJ140NEC SW MOS P E-60DSS±19 902SJ141NEC SW MOS P E-60DSS±13 912SJ142NEC SW MOS P E-100DSS±13 922SJ143NEC SW MOS P E-60DSS±16 932SJ144东芝LF A-SW J P D50GDS-10m 942SJ145三菱LF A-SW J P D50GDO-10m 952SJ146松下SW MOS P E-50DSS-100m 962SJ147东芝DDC, Motor MOS P E-60DSS-12 972SJ148东芝HS SW, A-SW MOS P E-60DSX-200m 982SJ151NEC SW MOS P E-100DSS±3 992SJ152NEC SW MOS P E-100DSS±3 1002SJ153NEC SW MOS P E-60DSS±6 1012SJ154NEC SW MOS P E-60DSS±5 1022SJ155松下SW MOS P E-50DSS-3 1032SJ156松下SW MOS P E-50DSS-5 1042SJ157松下SW MOS P E-100DSS-3 1052SJ158松下SW MOS P E-100DSS-5 1062SJ159松下SW MOS P E-160DSS-3 1072SJ160日立LF PA MOS P E-120DSX-7 1082SJ161日立LF PA MOS P E-140DSX-7 1092SJ162日立LF PA MOS P E-160DSX-71102SJ163松下SW J P D65GDS-10m 1112SJ164松下SW J P D65GDS-10m 1122SJ165NEC HS SW MOS P E-50DSS-0.1 1132SJ166NEC HS SW MOS P E-50DSS-0.1 1142SJ167东芝HS SW, A-SW MOS P E-60DSS-200m 1152SJ168东芝HS SW, A-SW MOS P E-60DSS-200m 1162SJ169日立SW-Reg, DDC MOS P E-60DSS-12 1172SJ170日立SW-Reg, DDC MOS P E-80DSS-12 1182SJ171日立SW-Reg, DDC MOS P E-50DSS-9.7 1192SJ172日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-10 1202SJ173日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-15 1212SJ174日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-20 1222SJ175日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-10 1232SJ176日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-15 1242SJ177日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-20 1252SJ178NEC HS SW MOS P E-30DSS±1 1262SJ179NEC HS SW MOS P E-30DSS±1.5 1272SJ180NEC HS SW MOS P E-30DSS±1 1282SJ181(L)(S日立SW-Reg, DDC MOS P E-600DSS-0.5 1292SJ182(L)(S日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-3 1302SJ183东芝Relay-D, DD MOS P E-60DSS-5 1312SJ184NEC HS SW MOS P E-50DSS-100m 1322SJ185NEC HS SW MOS P E-50DSS-100m 1332SJ186日立SW-Reg, DDC MOS P E-200DSS-0.5 1342SJ187三洋SW MOS P E-30DSS-1 1352SJ188三洋SW MOS P E-30DSS-2 1362SJ189三洋SW MOS P E-30DSS-4 1372SJ190三洋SW MOS P E-60DSS-1 1382SJ191三洋SW MOS P E-60DSS-2 1392SJ192三洋SW MOS P E-60DSS-4 1402SJ193三洋SW MOS P E-100DSS-1 1412SJ194三洋SW MOS P E-100DSS-2 1422SJ195三洋SW MOS P E-100DSS-4 1432SJ196NEC SW MOS P E-60DSS±1 1442SJ197NEC SW MOS P E-60DSS±1 1452SJ198NEC SW MOS P E-100DSS±0.5 1462SJ199NEC SW MOS P E-100DSS±1 1472SJ200东芝LF PA MOS P E-180DSS-10 1482SJ201东芝LF PA MOS P E-200DSS-12 1492SJ202NEC SW MOS P E-16DSS-100m 1502SJ203NEC SW MOS P E-16DSS-200m 1512SJ204NEC SW MOS P E-30DSS-200m 1522SJ205NEC SW MOS P E-16DSS±0.5 1532SJ206NEC SW MOS P E-30DSS±0.5 1542SJ207NEC SW MOS P E-16DSS±1 1552SJ208NEC SW MOS P E-16DSS±2 1562SJ209NEC SW MOS P E-100DSS-100m 1572SJ210NEC SW MOS P E-60DSS-200m 1582SJ211NEC SW MOS P E-100DSS-200m 1592SJ212NEC SW MOS P E-60DSS±0.5 1602SJ213NEC SW MOS P E-100DSS±0.5 1612SJ214(L)(S日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-105 1622SJ215日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-35 1632SJ216日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-35 1642SJ217日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-451652SJ218日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-45 1662SJ219(L)(S日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-15 1672SJ220(L)(S日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-20 1682SJ221日立Motor/Relay MOS P E-100DSS-20 1692SJ222日立Motor/Relay MOS P E-100DSS-15 1702SJ223(L)(S日立HS PSW MOS P E-60DSS-2 1712SJ224东芝SW, DDC, Mo MOS P E-60DSS-12 1722SJ225三洋HS 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MOS P E-30DSS-10 2002SJ258三洋HS SW MOS P E-30DSS-12 2012SJ259三洋HS SW MOS P E-30DSS-20 2022SJ263三洋HS SW MOS P E-60DSS-6 2032SJ264三洋HS SW MOS P E-60DSS-8 2042SJ265三洋HS SW MOS P E-60DSS-15 2052SJ266三洋HS SW MOS P E-60DSS-8 2062SJ267三洋HS SW MOS P E-60DSS-10 2072SJ268三洋HS SW MOS P E-60DSS-18 2082SJ272三洋HS SW MOS P E-100DSS-4 2092SJ273三洋HS SW MOS P E-100DSS-6 2102SJ274三洋HS SW MOS P E-100DSS-12 2112SJ275三洋HS SW MOS P E-100DSS-6 2122SJ276三洋HS SW MOS P E-100DSS-8 2132SJ277三洋HS SW MOS P E-100DSS-60 2142SJ278日立HS PSW, DDC MOS P E-60DSS-1 2152SJ279(L)(S日立HS PSW, DDC MOS P E-60DSS-5 2162SJ280(L)(S日立HS PSW, DDC MOS P E-60DSS-30 2172SJ281三洋HS SW MOS P E-250DSS-3 2182SJ284三洋HS SW MOS P E-30DSS-0.3 2192SJ285三洋HS SW MOS P E-60DSS-0.22202SJ287三洋HS SW MOS P E-30DSS-0.5 2212SJ288三洋HS SW MOS P E-60DSS-0.5 2222SJ290日立HS PSW MOS P E-60DSS-15 2232SJ291日立HS PSW MOS P E-60DSS-20 2242SJ292日立HS PSW MOS P E-60DSS-30 2252SJ293日立HS PSW MOS P E-60DSS-15 2262SJ294日立HS PSW MOS P E-60DSS-20 2272SJ295日立HS PSW MOS P E-60DSS-30 2282SJ296(L)(S日立HS PSW MOS P E-60DSS-15 2292SJ297(L)(S日立HS PSW, DDC MOS P E-60DSS-20 2302SJ298日立HS PSW MOS P E-20DSS-5 2312SJ299(L)(S日立HS PSW MOS P E-20DSS-5 2322SJ300日立HS PSW MOS P E-20DSS-10 2332SJ302,302Z NEC SW, DDC MOS P E-60DSS±16 2342SJ303NEC SW, DDC MOS P E-60DSS±14 2352SJ304东芝HS, SW, DDC MOS P E-60DSS-14 2362SJ306三洋HS SW MOS P E-250DSS-3 2372SJ307三洋HS SW MOS P E-250DSS-6 2382SJ308三洋HS SW MOS P E-250DSS-9 2392SJ312东芝HS SW, DDC M OS P E-60DSS-14 2402SJ313东芝LF PA MOS P E-180DSS-1 2412SJ314-01L,富士电机MOS P E-60DSS-5 2422SJ315东芝DDC MOS P E-60DSS-5 2432SJ316三洋HS SW MOS P E-12DSS-1 2442SJ317日立SW, PA MOS P E-12DSS±2 2452SJ318(L)(S日立HS PSW MOS P E-20DSS-5 2462SJ319(L)(S日立HS PSW MOS P E-200DSS-3 2472SJ320三洋HS SW MOS P E-250DSS-4 2482SJ321日立HS PSW MOS P E-60DSS-15 2492SJ322日立HS PSW MOS P E-60DSS-20 2502SJ323日立HS PSW MOS P E-60DSS-30 2512SJ324,324Z NEC SW, DDC MOS P E-30DSS±2 2522SJ325,325Z NEC SW, DDC MOS P E-30DSS±4 2532SJ326, 326NEC SW, DDC MOS P E-60DSS±2 2542SJ327, 327NEC SW, DDC MOS P E-60DSS±4 2552SJ328, 328NEC SW, DDC MOS P E-60DSS±20 2562SJ329NEC SW, DDC MOS P E-60DSS±15 2572SJ330NEC SW, DDC MOS P E-60DSS±20 2582SJ331NEC SW, DDC MOS P E-60DSS±30 2592SJ332(L)(S日立HS PSW MOS P E-20DSS-10 2602SJ333(L)(S日立HS PSW MOS P E-30DSS-7 2612SJ334东芝HS SW, DDC M OS P E-60DSS-30 2622SJ337三洋HS SW MOS P E-12DSS-8 2632SJ341日立HS PSW MOS P E-20DSS-5 2642SJ349东芝HS SW, DDC M OS P E-60DSS-20 2652SJ350日立HS PSW MOS P E-120DSS-6 2662SJ351日立LF/RF PA, H MOS P E-180DSX-8 2672SJ352日立LF/RF PA, H MOS P E-200DSX-8 2682SJ353NEC MOS P E-60DSS±1.5 2692SJ355NEC MOS P E-30DSS±2 2702SJ356NEC MOS P E-60DSS±2 2712SJ357NEC MOS P E-30DSS±3 2722SJ358NEC MOS P E-60DSS±3 2732SJ359东芝HS SW, DDC M OS P E-60DSS-5 2742SJ360东芝HS SW, DDC M OS P E-60DSS-12752SJ361日立HS PSW MOS P E-20DSS-2 2762SJ363日立HS PSW MOS P E-30DSS-2 2772SJ365新电元HS SW MOS P E-60DSS-2 2782SJ366新电元HS SW MOS P E-60DSS-5 2792SJ367新电元HS SW MOS P E-60DSS-5 2802SJ368新电元HS SW MOS P E-60DSS-5 2812SJ369新电元HS SW MOS P E-60DSS-10 2822SJ370新电元HS SW MOS P E-60DSS-10 2832SJ371新电元HS SW MOS P E-60DSS-15 2842SJ372新电元HS SW MOS P E-60DSS-15 2852SJ373新电元HS SW MOS P E-60DSS-20 2862SJ374新电元HS SW MOS P E-60DSS-20 2872SJ375新电元HS SW MOS P E-60DSS-30 2882SJ376新电元HS SW MOS P E-60DSS-30 2892SJ377东芝HS SW, DDC M OS P E-60DSS-5 2902SJ378东芝HS SW, DDC M OS P E-60DSS-5 2912SJ379东芝HS SW, DDC M OS P E-100DSS-8 2922SJ380东芝HS SW, DDC M OS P E-100DSS-12 2932SJ381三洋MOS P E-12DSS-2 2942SJ382三洋MOS P E-12DSS-4 2952SJ383三洋MOS P E-12DSS-8 2962SJ384(L)(S日立HS PSW MOS P E-60DSS-15 2972SJ386日立HS PSW MOS P E-30DSS-3 2982SJ387(L)(S日立HS PSW MOS P E-20DSS-10 2992SJ388(L)(S日立HS PSW MOS P E-30DSS-10 3002SJ389(L)(S日立HS PSW MOS P E-60DSS-10 3012SJ390日立HS PSW MOS P E-60DSS-10 3022SJ399日立HS PSW MOS P E-30DSS-0.2 3032SJ408(L)(S日立HS PSW MOS P E-60DSS-50 3042SJ409(L)(S日立HS PSW MOS P E-100DSS-20 3052SJ410日立HS PSW MOS P E-200DSS-6 3062SJ128Z NEC SW MOS P E-100DSS±2 3072SJ132Z NEC SW MOS P E-30DSS±2 3082SJ133Z NEC SW MOS P E-60DSS±2 3092SJ302Z NEC SW,DDC MOS P E-60DSS±16 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3000多种常用三极管场效应管参数
2N4920 2N4923 2N5038 2N5090 2N5109 2N5116 2N5154 2N5179 2N5192 2N5240 2N5298 2N5308 2N5320 2N5322 2N5401 2N5416 2N5433 2N5457 2N5458 2N5460 2N5461 2N5462 2N5484 2N5485 2N5551 2N5589 2N5639 2N5672 2N5680 2N5682 2N5684 2N5686 2N5770 2N5771 2N5876 2N5878 2N5879 2N5884 2N5886 2N6031 2N6050 2N6059 2N6083 2N6098 2N6099 2N6109 2N6124
关键参数 Ge-PNP 35V 0.15A 0.165W Ge-NPN 25V 0.3A 0.15W 10MHz Ge-PNP 30V 0.3A 0.15W 5MHz Ge-PNP 30V 0.3A 0.15W B>60 Si-NPN 75V 1A 0.8W 60MHz Si-NPN 75V 1A 0.8W 70MHz Si-NPN 120V 0.5A 0.8W Si-NPN 120V 1A 1W <120MHz Ge-PNP 60V 5A 12.5W Si-PNP 30V 50mA 0.15W 18MHz Si-PNP 15V 50mA 0.15W 10MHz Si-NPN 40V 0.8A 0.8W 250MHz Si-NPN 40V 0.8A 0.5W 300MHz 2xSi-NPN 100V 0.5A 0.6W >50 2xSi-NPN 100V 0.5A 0.6W >50 Si-NPN 120V 1A 0.8W 50MHz Si-NPN 40V 0.2A .36W 12/18ns Si-NPN 30V 40mA 0.2W >1GHz Si-PNP 12V 0.2A 1.2W 60/90ns Si-PNP 60V 0.6A 0.6W 45/100 Si-PNP 60V 0.6A 0.4W 45/100 Si-PNP 60V 0.6A 0.4W 45/100 Si-NPN 45V 0.03A >60Mz Si-NPN 25V 0.1A 0.2W 300MHz Ge-PNP 40V 0.1A 0.15W 200MHz Si-NPN 140V 1A 0.8W 100MHz Si-NPN 60V 0.7A 5W 100MHz Si-NPN 90V 4A 25W 3MHz Si-NPN 100V 15A 115W 800kHz Si-NPN 100V 15A 115W 800kHz Si-NPN 100V 15A 115W 800kHz Si-PNP 50V 0.2A 0.36W Si-NPN 40V 0.5A 11.6W 500MHz Si-NPN 450V 1A 10W 15MHz Si-NPN 300V 1A 10W 15MHz Si-NPN 160V 3A 25W POWER Si-NPN 160V 10A 117W 0.8MHz Si-PNP 120V 0.1A 0.6W >150MHz Si-PNP 45V 0.6A 0.7W 200MHz Si-NPN 65V 0.35A 7W 500MHz Si-NPN 30V 0.05A 0.2W 1.4GHz Si-NPN 250/175V 2A 35W >10MHz Si-NPN 40V 0.25A 23W 400MHz Si-NPN 40V 0.2A 0.2W Si-NPN 140V 1A 0.5W 200MHz Si-NPN 30V 0.03A 0.36W 100MHz
系列场效应管型号技术参数
500V20A150W105/240nS0.4
2SK787
NMOS
GDS
高速开关
900V8A150W95/240nS1.6
2SK790
NMOS
GDS
高速功放开关
500V15A150W0.4可驱电机
2SK791
NMOS
GDS
电源功放开关
850V3A100W4.5可驱电机
2SK794
NMOS
GDS
2404 (铁)
NMOS
GD S
功放开关
400V30A200W
IRF530
NMOS
GDS
功放开关
100V14A79W51/36nS0.18
IRF540
NMOS
GDS
功放开关
100V28A150W110/75nS0.077
IRF541
NMOS
GDS
功放开关
80V28A150W110/75nS0.077
2SK1119
NMOS
GDS
电源开关
-1000V4A100W3.8
2SK1120
NMOS
GDS
电源开关
-1000V8A150W1.8
2SK1161
NMOS
GDS
电源开关
450V10A100W75/135nS0.8
2SK1170
NMOS
GDS
电源开关
500V20A120W147/290nS0.27
2SK1180
2SK1535
NMOS
GDS
通用
900V3A30W45/110nS5.0
2SK1537
NMOS
GDS
通用
全系列场效应管参数
. K2843 600V 10A 45W N07N03L 30V 80A 150W N10N20 10A 200V N 沟道MOS管10N60 10A 600V11N80 11A 800V 156W11P06 60V 9.4A P沟道直插13N60 13A 600V N 沟道15N03L 30V 42A 83W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N40N03H 30V 40A N4232 内含P沟道,N沟道MOS管各一,4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各一,50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道小贴片MOS 55N03 25V 55A 103W5N90 5A 900V5P25 250V 5A6030LX 30V 52A 42W N603AL 30V 25A 60W N 沟道小贴片MOS6A60 600V 6A N6N70 700V 6A N6P25 250V 6A70L0270N06 70A 60V 125W7N60 600V 7A N,铁7N70 7A 700V85L028N25 250V ,8A ,同IRF63495N03 25V 75A 125W9916H 18V 35A 58W 小贴片,全新9N60 9A 600V9N70 9A 700VAF4502CS 内含P沟道,N沟道MOS管各一A04403 30V 6.1A 单P沟道8脚贴片A04404 30V 8.5A 单N沟道8脚贴片A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴片A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴片A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴片A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚.A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04414 30V,8.5A,3WM 单N沟道,8脚A04418 30V 11.5A N沟道8脚贴片A04422 30V 11A N 沟道8脚贴片A04423 30V 15A 3.1W 单P沟道,8脚贴A04600 内含P沟道,N沟道MOS管各一A0D405 30V,18A,P高压板MOS管贴A0D408 30V,18A,P高压板MOS管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D420 30V,10A,N高压板MOS管贴A0D442 60V,38/27A,N 高压板MOS管贴A0D442 60V38/27A,N高压板MOS管贴A0D444 60V,12A,N 高压板MOS管贴A0P600 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P605 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P607 内含P、N沟道各1,60V 4。
全系列场效应管参数
全系列场效应管参数场效应管(Field Effect Transistor,FET)是一种电子器件,广泛应用于电子电路中的放大、开关和调节等功能。
场效应管有三种主要类型:结型场效应管(JFET)、金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)和绝缘体门极场效应管(IGFET)。
(一)结型场效应管(JFET)结型场效应管是最早出现的一种场效应管。
它可以分为N沟道型(N-channel)和P沟道型(P-channel)两种。
1.N沟道型JFET的主要参数:(1)漏极电流(IDSS):即在栅极与源极之间施加零偏压时,漏级电流的最大值。
它是JFET工作时的参考电流。
(2)增益参数(gm):漏极电流对栅极-源极电压变化的响应速度,也是电流放大系数。
(3)转导电导(gm):指沟道中的电流与栅极电压之间的关系。
(4)金属-半导体界面反向电容(Cgd):栅极-漏极间的电容。
(5)漏极电流温度系数(IDSS/°C):指漏极电流随温度变化的百分比。
2.P沟道型JFET的主要参数与N沟道型类似。
(二)金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)金属氧化物半导体场效应管是目前最常用的场效应管。
它也可以分为N沟道型和P沟道型两种。
1.N沟道型MOSFET的主要参数:(1)漏极电流(ID):漏极电流的大小。
(2)增益参数(gm):漏极电流对栅极电压变化的响应速度,类似于JFET中的增益参数。
(3)沟道电阻(RDSon):沟道中的电阻。
(4)栅极电压范围(VGS):栅极电压的最大允许范围。
(5)漏极-源极电流温度系数(ID/°C):指漏极-源极电流随温度变化的百分比。
2.P沟道型MOSFET的主要参数与N沟道型类似。
(三)绝缘体门极场效应管(IGFET)绝缘体门极场效应管是一种特殊的MOSFET,其中绝缘层用于隔离栅极和沟道。
1.二极管结型(D-MOSFET)的主要参数:(1)漏极电流(ID):漏级电流的大小。
(2)增益参数(gm):漏级电流对栅极电压变化的响应速度。
全系列场效应管VMOS、IGBT参数
厂家 富士通 东芝 东芝 东芝 东芝 富士通 富士通 东芝 东芝 东芝 东芝 东芝 东芝 日立 IXYS IXYS 富士通 富士通 富士通 富士通 富士通 东芝 东芝 东芝 东芝 东芝 东芝 东芝 东芝 东芝
IR IR IR IR IR IR IR IR IR IR MOT
产品型号 MTM30N50 MTM35N50 MTW15N50 MTW20N50 J116 K313 IXYS48N50 S180N10 S61N50 E57N50 E53N50 E26N90 E40N55 IRF510 IRF520 IRF530 IRF540 IRF620 IRF630 IRF634 IRF640 IRFS640 IRF654 IRF730 IRF740 IRFS740 IRFS830 IRFS840 IRF840 IRF1010 IRF2807 IRF3710 IRF4905S IRF BC30 IRF BC40 IRFZ44N IRFZ46N IRFZ48N IRF9640 IRF9630
IXFK180N10 IXFK44N60 IMBH12-140 IMNH50-090 IMBH50D-060 IMBH60D-100 IMBH60-100 GT60M103 GT60M104 GT60M303 GT40M101 GT40T301 GT40T101 GT25Q101 GT15Q101 GT8Q101 IRG4PH5U IRGPC50U IRGPC50F IRG4PC50F IRG4PC50UD
全系列场效应管 VMOS、IGBT 参数
产品型号 IRF064 IRFP150 IRFP240 IRFP250 IRFP260 IRFP264 IRFP350 IRFP360 IRFP450 IRFP460 IRFPC50 IRFPE50 IRFPF50 IRFPG50 IRFPC60
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K2843600V10A45W N07N03L 30V 80A 150W N10N20 10A 200V N 沟道MOS管10N60 10A 600V11N80 11A 800V 156W11P06 60V 9.4A P沟道直插13N60 13A 600V N 沟道15N03L 30V 42A 83W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N40N03H 30V 40A N4232 内含P沟道,N沟道MOS管各一,4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各一,50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道小贴片MOS55N03 25V 55A 103W5N90 5A 900V5P25 250V 5A6030LX 30V 52A 42W N603AL 30V 25A 60W N 沟道小贴片MOS6A60 600V 6A N6N70 700V 6A N6P25 250V 6A70L0270N06 70A 60V 125W7N60 600V 7A N,铁7N70 7A 700V85L028N25 250V ,8A ,同IRF63495N03 25V 75A 125W9916H 18V 35A 58W 小贴片,全新9N60 9A 600V9N70 9A 700VAF4502CS 内含P沟道,N沟道MOS管各一A04403 30V 6.1A 单P沟道8脚贴片A04404 30V 8.5A 单N沟道8脚贴片A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴片A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴片A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴片A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04414 30V,8.5A,3WM 单N沟道,8脚A04418 30V 11.5A N沟道8脚贴片A04422 30V 11A N 沟道8脚贴片A04423 30V 15A 3.1W 单P沟道,8脚贴A04600 内含P沟道,N沟道MOS管各一A0D405 30V,18A,P高压板MOS管贴A0D408 30V,18A,P高压板MOS管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D420 30V,10A,N高压板MOS管贴A0D442 60V,38/27A,N 高压板MOS管贴A0D442 60V38/27A,N高压板MOS管贴A0D444 60V,12A,N 高压板MOS管贴A0P600 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P605 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P607 内含P、N沟道各1,60V 4。
7A AP4511 同AP4511GM,8脚贴片,内置N BSN254A 250V 0.3A 1W N(注意后缀)BUZ10 50V 23A 75WBUZ80A 800V 3.8A 100W NCEB703AL 30V 40A 50W 贴片(大)CEP7060L 60V 75A 150W NCS45-12IOF7811W 30V 14A 3WFD3055 12A 60V 53W N沟道小贴片MOS, FDD6670 30V 66A 70A N 沟道TO-252封FDS9435 30V 5。
3A 2。
5W P沟道场效应FDS9945 高压板用。
双N沟道MOS管,8 FQAF10N80 800V 6。
7A 113W NFQAF16N50 500V 11。
3A 110W NFQAF6N90 900V 4。
5A 96W NFQU12P10 100V 9.4A 50W TO-251(直插FQU17P06 60V,12A,沟道,直插FR9024(贴55V 11A P沟道FS10KM12 600 10A 40W NFS10KM16 800V 10A NFS10SM16A 800V 10A 200W NFS10SM18 900V 10A 200W NFS10UM12 600V 10A 150W NFS3KM16 800V 3A 30W NFS3KM18 900V 3A 30W NFS5ASJ-3 150V 5A 小贴片FS7KM12 600 7A 40W NFS7KM16 800V 7A 40W NFS7KM18 7A 900VFS7TM12 600V 7A NFS7UM12 600V 7A 125W NFU9024(直55V 11A P沟道CT15Q101 1200V 15A 150W NCT25Q101 1200V 25A 200W NGT80J101 600V 80A 200WIRF540 100V 28A 150W NIRF620 200V 5A 40W NIRF630 200V 9A 75W NIRF634 250V 8A 75W NIRF640 200V 18A 125W NIRF644 250V 14A 125W NIRF730 400V 5。
5A 74W NIRF740 400V 10A 125W NIRF830 500V 5.9A 4125W NIRF840 500V 8.0A 125W NIRF9630 200V 6.5A 75W PIRF9634 250V 4.3A 74W PIRF9640 200V 11A PIRFBC40 600V 3A 125W NIRFI744 450V 4.9A 40WIRFPC50 600V 10A 180W NIRFPE40 800V 5.4A 150W NIREPF40 900V 4.7A 150WIRFPG50 1000V 6.1A 190WIRFU210B 200V 2.6A 25W 可以做行推动管IRFU310A 400V 1.7A 25W 可以做行推动管IRFU420 500V 2。
4A 小个贴片IRLI640G 200V 18A 125W NJ306 250V 3A 25W PJ307 250V 6A 30W PJ449 250V 6A 35W PJ503 30V 4A 1W PJ512 250V 5A 30W PJ516 250V 6.5A 35W PJ569 300V 5A 30W PJ584 250V 4.5A 25W PJ585 250V 6.5A 30WK1035 150V 12A 45W NK1117 600V 6A 100W NK1118 600V 6A 45W NK1186 100V 9A 30W NK1341 900V 6A 100W NK1359 1000V 5A 125W N K1363 900V 8A 90W NK1404 600V 5A 35W NK1464 900V 8A 80W NK1502 900V 7A 120W NK1507 600V 9A 50W NK1527 500V 40A 250W NK1796 900V 10A 150W NK1917 250V 10A 50W NK1924 600V 6A 70W NK2038 800V 5A 125W NK2077 800V 7A 150WK2078 800V 9A 150W NK2082 900V 9A 150W NK2134 200V 7A 70W NK2139 600V 5A 35W NK2141 600V 6A 40W NK2161 200V 9A 25W NK2333 700V 6A NK2487 900V 8 140W NK2545 600V 6A 40W NK2605 800V 5A 45W NK2645 600V 8A 50W NK2648 800V 9A 150W NK2717 900V 5A 45W NK2718 900V 2.5A 40W NK2761 600V 9A 50W NK2799 350V 10A NK2843 600V 10A 45W NK2847 900V 8A 85W NK2850 900V 6A 125WK2996 600V 10A 45W NK320 450V 5A 50W NK3264 800V 7A 60W NK3569 600V ,10A 45W N沟道K553 500V 5A 50W NK703 100V 5A 35W NK727 900V 5A 125W NK890 200V 10A 75W NK903 800V 3A 40W NK904 800V 3A 80W NK956 800V 9A 150W NL3103S 30V 64A 94WMTP75N03 25V 75A 150WPHP45N03 30V 45A 86W NSP8M3 内含P沟道,N沟道MOS管各一TPC8401 内含P沟道,N沟道MOS管各一W20NA50 500V 20A 250W N型号厂家方式v111(V) xing (A) pdpch(W) IRF48 IR N 60 50 190IRF024 IR N 60 17 60IRF034 IR N 60 30 90IRF035 IR N 60 25 90IRF044 IR N 60 30 150IRF045 IR N 60 30 150IRF054 IR N 60 30 180IRF120 IR N 100 8.0 40IRF121 IR N 60 8.0 40IRF122 IR N 100 7.0 40IRF123 IR N 60 7.0 40IRF130 IR N 100 14 75IRF131 IR N 60 14 75IRF132 IR N 100 12 75IRF133 IR N 60 12 75IRF140 IR N 100 27 125IRF141 IR N 60 27 125IRF142 IR N 100 24 125IRF143 IR N 60 24 125IRF150 IR N 100 40 150IRF151 IR N 60 40 150IRF152 IR N 100 33 150IRF153 IR N 60 33 150IRF220 IR N 200 5.0 40IRF221 IR N 150 5.0 40IRF222 IR N 200 4.0 4.0IRF223 IR N 150 4.0 40IRF224 IR N 250 3.8 40IRF225 IR N 250 3.3 40IRF230 IR N 200 9.0 75IRF231 IR N 150 9.0 75IRF232 IR N 200 8.0 75IRF233 IR N 150 8.0 75IRF234 IR N 250 8.1 75IRF235 IR N 250 6.5 75IRF240 IR N 200 18 125IRF241 IR N 150 18 125IRF242 IR N 200 16 125IRF243 IR N 150 16 125IRF244 IR N 250 14 125IRF245 IR N 250 13 125IRF253 IR N 150 25 150IRF254 IR N 250 22 150IRF255 IR N 250 20 150IRF320 IR N 400 3.0 40IRF321 IR N 350 3.0 40IRF322 IR N 400 2.5 40型号厂家方式v111(V) xing (A) pdpch(W)? 型号厂家方式? v111(V) xing (A)? pdpch(W) IRF333 IR N 350 4.5 75IRF340 IR N 400 10 125IRF341 IR N 350 10 125IRF342 IR N 400 8.0 125IRF343 IR N 350 8.0 125IRF350 IR N 400 15 150IRF351 IR N 350 15 150IRF352 IR N 400 13 150IRF353 IR N 350 13 150IRF360 IR N 400 25 300IRF362 IR N 400 22 300IRF420 IR N 500 2.5 50IRF421 IR N 450 2.5 50IRF422 IR N 500 2.0 50IRF423 IR N 450 2.0 50IRF430 IR N 500 4.5 75IRF431 IR N 450 4.5 75IRF432 IR N 500 4.0 75IRF433 IR N 450 4.0 75IRF440 IR N 500 8.0 125IRF441 IR N 450 8.0 125IRF442 IR N 500 7.0 125IRF443 IR N 450 7.0 125IRF448 IR N 500 9.6 130IRF449 IR N 500 8.6 130IRF450 IR N 500 13 150IRF451 IR N 450 13 150IRF452 IR N 500 12 150IRF453 IR N 450 12 150IRF460 IR N 500 21 300IRF462 IR N 500 19 300IRF510 IR N 100 5.6 43IRF511 IR N 80 5.6 43IRF512 IR N 100 4.9 43IRF513 IR N 80 4.9 43IRF523 IR N 80 8 60IRF530 IR N 100 14 79IRF531 IR N 80 14 79IRF532 IR N 100 12 79IRF533 IR N 80 12 79IRF540 IR N 100 28 150IRF541 IR N 80 28 150IRF542 IR N 100 25 150IRF543 IR N 80 25 150IRF610 IR N 200 3.3 43IRF611 IR N 150 3.3 43IRF612 IR N 200 2.6 43K2645: 600V,1.2Ω,9A,50WK2141: 600V,1.1Ω,6A,35WK3326: 500V,0.85Ω,10A,40WK1388: 30V,0.022Ω,35A,60WK1101: 450V,0.5Ω,10A,50WK1507: 9A?? 600V2SK1537 N-FET 900V 5A 100WK2045 600V, 6A , 35W 。