RS1G快速恢复二极管规格书
US1G超快恢复整流SMA(DO-214AC)二极管规格书
1Surface Mount Ultrafast RectifierUS1A thru US1M FEATURES•Low profile package•Ideal for automated placement •Glass passivated chip junction •Ultrafast reverse recovery time •Low switching losses, high efficiency •High forward surge capability•Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C•Compliant to RoH S Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC•Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definitionTYPICAL APPLICATIONSFor use in high frequency rectification and freewheeling application in switching mode converters and inverters for consumer, computer, and telecommunication.MECHANICAL DATACase: DO-214AC (SMA)Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating Base P/N-M3 - halogen-free, RoH S compliant, and commercial gradeTerminals: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD 22-B102M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test Polarity: Color band denotes cathode endPRIMARY CHARACTERISTICSIF(AV) 1.0 A V RRM 50 V to 1000 VI FSM 30 A t rr 50 ns, 75 ns V F 1.0 V, 1.7 V T J max.150 °CDO-214AC (S MA)MAXIMUM RATINGS (T A = 25°C unless otherwise noted)PARAMETERSYMBOLUS1AUS1BUS1DUS1GUS1JUS1KUS1MUNITMaximum repetitive peak reverse voltage V RRM 501002004006008001000V Maximum RMS voltage V RMS 3570140280420560700V Maximum DC blocking voltageV DC 501002004006008001000V Maximum average forward rectified current at T L = 110 °C I F(AV) 1.0A Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated loadI FSM 30A Operating and storage temperature rangeT J , T STG- 55 to + 150°C2Note(1)Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycleNote(1)PCB mounted on 0.2" x 0.2" (5.0 mm x 5.0 mm) copper pad areaRATINGS AND CHARACTERSITICS CURVES(T A = 25 °C unless otherwise noted)Fig. 1 - Forward Current Derating Curve Fig. 2 - Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge CurrentELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted)PARAMETERTEST CONDITIONS SYMBOL US1A US1B US1D US1G US1J US1K US1M UNIT Maximum instantaneous forward voltage1.0 AV F (1) 1.01.7V Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage T A = 25 °C I R 10μAT A = 100 °C50Maximum reverse recovery timeI F = 0.5 A, I R = 1.0 A,I rr = 0.25 A t rr 5075ns Typical junction capacitance4.0 V, 1 MHzC J1510pFTHERMAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted)PARAMETERSYMBOL US1AUS1BUS1DUS1G US1JUS1KUS1MUNIT Maximum thermal resistanceR θJA (1)75°C/WR θJL (1)27ORDERING INFORMATION (Example)PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (g)PREFERRED PACKAGE CODEBASE QUANTITYDELIVERY MODEUS1J-M3/61T 0.06461T 18007" diameter plastic tape and reel US1J-M3/5AT0.0645AT750013" diameter plastic tape and reelFig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Fig. 4 - Typical Reverse Leakage CharacteristicsFig. 5 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Fig. 6 - Typical Reverse Leakage Characteristics Fig. 7 - Typical Junction CapacitanceFig. 8 - Typical Transient Thermal Impedance3PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)4。
US1G快恢复二极管
TECHNICAL SPECIFICATION
ห้องสมุดไป่ตู้
SMA/DO-214AC
B A C D F G
A B MAX. .110(2.79) .177(4.50) MIN. .100(2.54) .157(3.99) E F MAX. .208(5.28) .090(2.29) MIN. .194(4.93) .078(1.98)
US 1A 50 35 50
US 1B 100 70 100
US 1D 200 140 200
US 1G 400 280 400
US 1J 600 420 600
US US UNITS 1K 1M 800 1000 V 560 700 V 800 1000 V
A A 1.7 V µA µA nS pF
MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
US1A THRU US1M
SURFACE MOUNT ULTRA FAST SWITCHING RECTIFIER
VOLTAGE: 50 TO 1000V CURRENT: 1.0A
FEATURES
• Ideal for surface mount pick and place application • Low profile package • Built-in strain relief • High surge capability • Glass passivated chip • Ultra fast recovery for high efficiency • High temperature soldering guaranteed: 260oC/10sec/at terminal
RS1M快恢复二极管
最大正向平均整流电流：1.0A
反向恢复时间：500ns(纳秒)
当电流=1.0A时，正向压降：1.3V
最大反ห้องสมุดไป่ตู้直流电流(TA=25℃)：0.5mA
额定直流阻断电压TA=100℃：10.0mA
操作结和存储温度范围：-50~+150℃
肖特基二极管SSL54
肖特基二极管SB1045L
rs1m属于快恢复二极管系列封装smado214ac其比较突出的特点是反向恢复时间短具体参数请看下方
RS1M快恢复二极管
RS1M二极管 参数
2017年08月24日11:56
RS1M属于快恢复二极管系列，封装SMA/DO-214AC，其比较突出的特点是，反向恢复时间短，具体参数请看下方。
最大重复峰值反向电压：1000V
肖特基二极管SB540L
肖特基二极管SS34
快和超快恢复二极管型号参数
20 20 10 10 10 10 20 20 20 20 10 10 10 10 20 20 20 10 10 10 45 45 45 40 40 35
35 35 35 35 50 50 35 35 35 35 35 35 50 50 35 35 35 35 35 35 30 30 30 75 75 150
30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 25 25 30 30 30 30 30 30 Max.Peak Forward Surge Current IFSM A 50 50 50 50 50 50
1.0 1.0 1.3 1.3 1.7 1.7 1.0 1.0 1.0 1.0 1.3 1.3 1.7 1.7 1.0 1.0 1.0 1.3 1.7 2.2 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.2
超快恢复二极管
反向重 最大平均正 复峰值 向电流 电压 VRRM V IO @ TA A ℃ 最大正向峰 值浪涌电流 IFSM A 正向电压降 VF @ IF V A 最大反向 典型结电 最大转速 电流 容 恢复时间 TA=25℃ 封装 IR Cj Trr μ A pF ns
型号
/main.asp 1 安培（含铅整流器） SF11S 50 SF12S 100 SF13S 150 SF14S 200 SF15S 300 SF16S 400 SF17S 500 SF18S 600 SF11 SF12 SF13 SF14 SF15 SF16 SF17 SF18 50 100 150 200 300 400 500 600 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 1.0 1.0 1.0 1.0 1.3 1.3 1.7 1.7 1.0 1.0 1.0 1.0 1.3 1.3 1.7 1.7 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 30 30 30 30 15 15 15 15 30 30 30 30 15 15 15 15 35 35 35 35 35 35 50 50 35 35 35 35 35 35 50 50 A-405 A-405 A-405 A-405 A-405 A-405 A-405 A-405 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41
超快恢复二极管型号参数
超快恢复二极管型号参数二极管（Diode）是一种常见的电子器件，其具有只允许电流在一个方向上通过的特性。
在电子电路中，二极管常被用于整流、调制、变频、开关等各种应用中。
超快恢复二极管（Ultra-Fast Recovery Diode）是一种具有较快恢复时间的二极管，其特点是在一个很短的时间内能够从导通状态恢复到封锁状态。
首先，额定电流（IO）是指二极管在规定的工作条件下，可以持续承受的最大电流。
该参数通常以安培（A）为单位，例如IO=1A表示二极管的额定电流为1安培。
其次，额定反向电压（VRRM）是指二极管所能承受的最大反向电压。
它是通过测试，将二极管的阳极连接到正向电源并施加反向电压，观察二极管是否发生击穿来确定的。
该参数通常以伏特（V）为单位，例如VRRM=100V表示二极管的额定反向电压为100伏特。
最大导通电压降（VF）是指二极管在正向导通状态下的电压降。
正向导通时，二极管前后的电压存在一个较小的压降，该参数通常以伏特（V）为单位，例如VF=0.7V表示二极管的最大导通电压降为0.7伏特。
最大反向电流（IR）是指二极管在反向工作状态下所能承受的最大反向电流。
当反向电流大于该参数时，二极管可能发生击穿并损坏。
该参数通常以安培（A）为单位。
恢复时间（Trr）是指二极管从正向导通状态恢复到封锁状态所需的时间。
超快恢复二极管的恢复时间通常较短，一般在纳秒级别，它对于高频开关电路的性能起到重要影响。
该参数通常以纳秒（ns）为单位。
除了以上几个主要参数，超快恢复二极管的其他参数还包括最大工作温度（Tjmax）、封装方式、引线间距和引线排列等。
这些参数会根据不同的厂家和产品型号而有所差异。
总结起来，超快恢复二极管的型号参数主要包括额定电流、额定反向电压、最大导通电压降、最大反向电流和恢复时间等。
这些参数对于选择和应用超快恢复二极管起到至关重要的作用，需要根据具体的电路需求进行合理选择。
超快恢复二极管型号参数
5.0
5.0
60
50
DO-201AD
Part Number
反向重复
峰值电压
最大平均正
向电流
最大正向峰值浪涌电流
正向电压降
最大反向电流TA=25℃
典型结电容
最大转速恢复时间
Package
VRRM
IO @ TA
IFSM
VF @ IF
IR
Cj
Trr
V
A
℃
A
V
A
μA
pF
ns
6安培（含铅整流器）
SF61
600
2.0
55
50
1.7
2.0
5.0
30
50
DO-15
3安培（含铅整流器）
SF31
50
3.0
55
125
1.0
3.0
5.0
80
35
DO-201AD
SF32
100
3.0
55
125
1.0
3.0
5.0
80
35
DO-201AD
SF33
150
3.0
55
125
1.0
3.0
5.0
80
35
DO-201AD
SF34
200
SOD-57
Part Number
Peak Repetitive Reverse Voltage
Max.AverageRectified Current
Max.PeakForward Surge Current
Forward Voltage Drop
Max. Reverse Current TA=25℃
US1B超快恢复整流SMA(DO-214AC)二极管规格书
1Surface Mount Ultrafast RectifierUS1A thru US1M FEATURES•Low profile package•Ideal for automated placement •Glass passivated chip junction •Ultrafast reverse recovery time •Low switching losses, high efficiency •High forward surge capability•Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C•Compliant to RoH S Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC•Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definitionTYPICAL APPLICATIONSFor use in high frequency rectification and freewheeling application in switching mode converters and inverters for consumer, computer, and telecommunication.MECHANICAL DATACase: DO-214AC (SMA)Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating Base P/N-M3 - halogen-free, RoH S compliant, and commercial gradeTerminals: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD 22-B102M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test Polarity: Color band denotes cathode endPRIMARY CHARACTERISTICSIF(AV) 1.0 A V RRM 50 V to 1000 VI FSM 30 A t rr 50 ns, 75 ns V F 1.0 V, 1.7 V T J max.150 °CDO-214AC (S MA)MAXIMUM RATINGS (T A = 25°C unless otherwise noted)PARAMETERSYMBOLUS1AUS1BUS1DUS1GUS1JUS1KUS1MUNITMaximum repetitive peak reverse voltage V RRM 501002004006008001000V Maximum RMS voltage V RMS 3570140280420560700V Maximum DC blocking voltageV DC 501002004006008001000V Maximum average forward rectified current at T L = 110 °C I F(AV) 1.0A Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated loadI FSM 30A Operating and storage temperature rangeT J , T STG- 55 to + 150°C2Note(1)Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycleNote(1)PCB mounted on 0.2" x 0.2" (5.0 mm x 5.0 mm) copper pad areaRATINGS AND CHARACTERSITICS CURVES(T A = 25 °C unless otherwise noted)Fig. 1 - Forward Current Derating Curve Fig. 2 - Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge CurrentELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted)PARAMETERTEST CONDITIONS SYMBOL US1A US1B US1D US1G US1J US1K US1M UNIT Maximum instantaneous forward voltage1.0 AV F (1) 1.01.7V Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage T A = 25 °C I R 10μAT A = 100 °C50Maximum reverse recovery timeI F = 0.5 A, I R = 1.0 A,I rr = 0.25 A t rr 5075ns Typical junction capacitance4.0 V, 1 MHzC J1510pFTHERMAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted)PARAMETERSYMBOL US1AUS1BUS1DUS1G US1JUS1KUS1MUNIT Maximum thermal resistanceR θJA (1)75°C/WR θJL (1)27ORDERING INFORMATION (Example)PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (g)PREFERRED PACKAGE CODEBASE QUANTITYDELIVERY MODEUS1J-M3/61T 0.06461T 18007" diameter plastic tape and reel US1J-M3/5AT0.0645AT750013" diameter plastic tape and reelFig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Fig. 4 - Typical Reverse Leakage CharacteristicsFig. 5 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Fig. 6 - Typical Reverse Leakage Characteristics Fig. 7 - Typical Junction CapacitanceFig. 8 - Typical Transient Thermal Impedance3PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)4。
肖特基二极管和快康复二极管的差异
肖特基二极管和快康复二极管的差异快康复二极管是指反向康复时刻很短的二极管（5us以下），技能上多选用掺金办法，构造上有选用PN结型构造，有的选用改进的PIN构造。
其正向压降高于一般二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。
从功用上可分为快康复和超快康复两个等级。
前者反向康复时刻为数百纳秒或更长，后者则在十0纳秒以下。
肖特基二极管是以金属和半导体触摸构成的势垒为根底的二极管，简称肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode），具有正向压下降（0.4--0.5V）、反向康复时刻很短（十-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。
这两种管子一般用于开关电源。
肖特基二极管和快康复二极管差异：前者的康复时刻比后者小一百倍分配，前者的反向康复时刻大约为几纳秒~！前者的利益还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！快康复二极管在制作技能上选用掺金,单纯的松懈等技能,可取得较高的开关速度,一同也能得到较高的耐压.如今快康复二极管首要运用在逆变电源中做整流元件.肖特基二极管：反向耐压值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于十nS的反向康复时刻。
它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。
其正向开端电压较低。
其金属层除资料外，还能够选用金、钼、镍、钛等资料。
其半导体资料选用硅或砷化镓，多为N型半导体。
这种器材是由大都载流子导电的，所以，其反向丰满电流较以少量载流子导电的PN结大得多。
因为肖特基二极管中少量载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时刻常数绑缚，因此，它是高频和活络开关的志趣器材。
其作业频率可达十0GHz。
而且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管能够用来制作太阳能电池或发光二极管。
快康复二极管：有0.8-1.1V的正导游通压降，35-85nS的反向康复时刻，在导通和截止之间活络改换，跋涉了器材的运用频率并改进了波形。
快恢复二极管
快恢复二极管快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。
快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。
因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。
通常，5~20A的快恢复二极管管采用TO–220FP塑料封装，20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO–3P塑料封装，5A以下的快恢复二极管则采用DO–41、DO–15或DO–27等规格塑料封装。
采用TO–220或TO–3P封装的大功率快恢复二极管，有单管和双管之分。
双管的管脚引出方式又分为共阳和共阴1．性能特点1）反向恢复时间反向恢复时间tr的定义是：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。
它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。
反向恢复电流的波形如图1所示。
IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。
Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IR M。
当t≤t0时，正向电流I=IF。
当t＞t0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在t=t1时刻，I=0。
然后整流器件上流过反向电流IR，并且IR逐渐增大；在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。
此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并在t=t3时刻达到规定值Irr。
从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。
2）快恢复、超快恢复二极管的结构特点快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。
由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr 值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。
快恢复整流二极管参数
快恢复整流二极管参数整流二极管是一种用于将交流电转换为直流电的器件。
它具有许多参数，包括最大反向电压、最大正向电流、正向电压降以及导通时间等。
整流二极管的最大反向电压是指其能够承受的最大反向电压。
当反向电压超过这个值时，二极管会发生击穿。
因此，选取整流二极管时，需要根据应用的具体需求选择适当的最大反向电压。
最大反向电压一般以伏特（V）为单位。
最大正向电流是指二极管正向导通时能够承受的最大电流。
超过这个值时，二极管可能会过热损坏。
最大正向电流也是选取整流二极管时需要考虑的重要参数之一，以毫安（mA）为单位进行规定。
正向电压降是指当二极管正向导通时的电压降。
整流二极管在导通时会产生一定的电压降，这是由于电流通过二极管时，会存在导通压降。
正向电压降也是整流二极管的重要参数之一，决定了二极管在导通状态下的电压损失。
正向电压降以伏特（V）为单位。
导通时间是指整流二极管从关断状态到导通状态所需要的时间。
导通时间是速度二极管工作性能的一个重要指标，它决定了整流二极管在电路中的响应速度。
导通时间一般以纳秒（ns）为单位，常用于高频电路中。
除了上述参数外，整流二极管还有许多其他参数，如封装类型、质量因数等。
选用整流二极管时，需要根据具体的应用需求综合考虑各种参数。
总之，整流二极管作为一种用于将交流电转换为直流电的器件，具有许多重要参数，如最大反向电压、最大正向电流、正向电压降以及导通时间等。
只有理解和合理选择这些参数，才能使整流二极管能够更好地适应各种应用场景，并实现稳定可靠的直流电转换。
快恢复二极管 FR1G DO-214AA SMB系列规格书推荐
100 60 40
20 pF
10
6 4
2 1
.1 .2 .4
TJ=25°C
1 Volts
2
4
10 20 40
Junction Capacitance - pFversus
Reverse Voltage - Volts
100 200 400
1000
Figure 1 Typical Forward Characteristics 20
10 6
4
2 Amps 1
.6 .4
25°C
.2 .1 .06 .04
.02
.01 .4
.6
.8
1.0 1.2 1.4
Volts
Instantaneous Forward Current - Amperesversus Instantaneous Forward Voltage - Volts
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
2 of 3
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RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES FR1A THRU FR1M
Figure 4 Maximum Non-Repetitive Forward Surge Current 90
rs1j二极管参数
rs1j二极管参数
RS1J二极管是一种高速开关二极管，具有快速恢复时间和低反向电流特性。
其主要参数包括最大反向电压、最大正向电流、最大导通电压、正向压降和恢复时间等。
1. 最大反向电压（VRRM）：指二极管在正常工作条件下所能承受的
最大反向电压。
RS1J二极管的最大反向电压为600V，适用于高压应
用场合。
2. 最大正向电流（IFAV）：指二极管在正常工作条件下所能承受的最
大正向电流。
RS1J二极管的最大正向电流为1A，适用于低功率应用
场合。
3. 最大导通电压（VF）：指二极管在正常工作条件下所具有的最小正
向压降。
RS1J二极管的最大导通电压为1.2V，具有较低的能耗特性。
4. 正向压降（VFmax）：指在规定条件下，二极管正常导通时所具有
的最小正向压降。
RS1J二极管的正向压降范围为0.95V-1.2V，与其
它快速恢复二极管相比较低。
5. 恢复时间（trr）：指二极管从正向导通到反向截止时所需的时间。
RS1J二极管的恢复时间为25ns，具有较快的开关速度。
总之，RS1J二极管是一种高性能的快速恢复二极管，具有低反向电流、快速恢复时间和低正向压降等特点。
它适用于电源、开关电路、逆变
器等领域，满足高效、低功耗的要求。
快恢复超快恢复二极管参数
快恢复超快恢复二极管参数超快恢复二极管是一种特殊类型的二极管，具有较快的恢复速度和较低的反向恢复时间。
它是一种用于高频电子设备和电源应用的重要元件，主要用于电源开关、变频器、高速开关和功率逆变器等领域。
超快恢复二极管与普通二极管相比，其主要优势在于其快速恢复能力。
在普通二极管中，当正向电流通过二极管时，载流子将增加，并在介质中积聚。
当正向电流停止时，载流子会在介质中产生逆向电流，导致恢复时间较长。
而超快恢复二极管采用了特殊的设计与工艺，可以更快地消除介质中的载流子，并实现更快的恢复时间。
超快恢复二极管的参数包括反向电压、正向电流和逆向恢复时间等。
其中，反向电压是指二极管能够承受的最大反向电压。
正向电流是指二极管能够通过的最大正向电流。
逆向恢复时间是指从正向电流到恢复到一定程度的时间。
超快恢复二极管的反向电压范围通常较大，可以达到几百伏特甚至更高。
这使得超快恢复二极管能够在高压应用中使用，从而更好地满足电源应用的需求。
此外，正向电流参数通常较大，可以支持更大的功率输出。
逆向恢复时间参数通常较短，一般在几纳秒至几十纳秒之间。
这使得超快恢复二极管能够在高频应用中实现更快的开关速度和更高的效率。
除了上述参数外，超快恢复二极管还具有其他一些特点。
例如，具有较低的正向压降和较小的开关损耗。
这使得它能够在高频电子设备中实现更低的功耗和更高的效率。
此外，超快恢复二极管还具有较低的漏电流和较高的温度稳定性，能够在宽温度范围内稳定工作。
总之，超快恢复二极管是一种重要的电子元件，具有快速恢复能力和较低的反向恢复时间。
它广泛应用于高频电子设备和电源领域，能够实现更高的开关速度和效率。
随着科技的不断发展，超快恢复二极管的参数将进一步优化和提高，为电子设备的发展提供更好的支持。
FOSAN富信电子 二级管 RS1AF-RS1MF-产品规格书
安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.RS1AF-RS1MFSMAF Fast Recovery Diode快恢复二极管■Features 特点Built-in strain relief 内应力释放Fast Recovery time 快恢复时间Surface mount device 表面贴装器件Case 封装:SMAF■Maximum Rating 最大额定值(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号RS 1AF RS 1BF RS 1DF RS 1GF RS 1JF RS 1KF RS 1MF Unit 单位Repetitive Peak Reverse Voltage 重复峰值反向电压V RRM 501002004006008001000V DC Reverse Voltage 直流反向电压V R 501002004006008001000V RMS Reverse Voltage 反向电压均方根值V R(RMS)3570140280420560700V Forward Rectified Current 正向整流电流I F 1A Peak Surge Current 峰值浪涌电流I FSM 30AThermal Resistance J-A 结到环境热阻R θJA 30℃/WJunction/Storage Temperature 结温/储藏温度T J,T stg-50to+150℃℃■Electrical Characteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号RS1AF-RS1GFRS1JF RS1KF-RS1MFUnit 单位Condition 条件Forward Voltage 正向电压V F 1.3V I F =1A Reverse Current 反向电流I R 5(T A =25℃)100(T A =100℃)µA V R =V RRM Reverse Recovery Time 反向恢复时间Trr 150250500nS I F =0.5A,I R =1A Irr=0.25A Junction Capacitance 结电容C J15pFV R =4V,f=1MHzANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.RS1AF-RS1MF ■Typical Characteristic Curve典型特性曲线ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.RS1AF-RS1MF ■Dimension外形封装尺寸。