光刻与刻蚀工艺
光刻与刻蚀工艺
思考题：为什么光刻胶越薄，分辨率越高？
Jincheng Zhang
光刻工艺 Photolithography Process
光刻基本步骤
• 涂胶 Photoresist coating • 对准和曝光 Alignment and exposure • 显影 Development
Jincheng Zhang
Comparison of Photoresists
Jincheng Zhang
正胶 Positive Photoresist
曝光部分可以溶解在显影液中 正影（光刻胶图形与掩膜图形相同） 更高分辨率（无膨胀现象） 在IC制造应用更为普遍
Jincheng Zhang
Jincheng Zhang
预烘和底胶蒸气涂覆
Jincheng Zhang
光刻3－涂胶 （Spin Coating）
硅圆片放置在真空卡盘上 高速旋转 液态光刻胶滴在圆片中心 光刻胶以离心力向外扩展 均匀涂覆在圆片表面 设备--光刻胶旋涂机
Jincheng Zhang
光刻胶厚度与旋转速率和粘性的关系
问题
为什么不能用光学显微镜检查0.25um尺寸的图形? 因为特征尺寸 (0.25 µm = 250nm) 小于可见光的波长， 可见光波长为390nm (紫光) to 750nm (红光)
Jincheng Zhang
图形检测
未对准问题：重叠和错位 - Run-out, Run-in, 掩膜旋转，晶圆旋转，X方向错位，
Jincheng Zhang
光刻工序
Jincheng Zhang
1、清洗硅片 Wafer Clean
Jincheng Zhang
2、预烘和底膜涂覆 Pre-bake and Primer Vapor
光刻与刻蚀工艺
1、涂胶
第十六页，共118页。
1、涂胶
❖涂胶目的 ❖在硅片表面形成厚度均匀、附着性强、并
且没有(méi yǒu)缺陷的光刻胶薄膜。 ❖怎样才能让光刻胶粘的牢一些？
第十七页，共118页。
可以(kěyǐ)开始涂胶了……
❖ 怎么涂？ ❖旋转涂胶法：把胶滴在硅片，然后使硅片
高速旋转，液态胶在旋转中因离心力作用 (zuòyòng)由轴心沿径向（移动）飞溅出去， 但粘附在硅表面的胶受粘附力的作用 (zuòyòng)而留下。在旋转过程中胶所含的 溶剂不断挥发，故可得到一层均匀的胶膜 ❖ 怎样才算涂的好？
❖一个英制等级100的洁净室相当于公制等级
第八页，共118页。
洁净室（4）
❖ 对一般的IC制造区 域，需要等级100的洁 净室，约比一般室内 空气低4个数量级。
❖ 在图形(túxíng)曝 光的工作区域，则需 要等级10或1的洁净室。
第九页，共118页。
lithography
❖Introduction ❖光刻 ❖洁净室 ❖工艺流程(ɡōnɡ yì liú chénɡ) ❖光刻机 ❖光刻胶 ❖掩膜版
第十四页，共118页。
resist substrate
maБайду номын сангаасk
negative tone
光刻工艺(gōngyì)过程
❖ 涂胶 coating ❖ 前烘 prebaking ❖ 曝光(bào guāng) exposure ❖ 显影 development ❖ 坚膜 postbake ❖ 刻蚀 etch ❖ 去胶 strip ❖ 检验 inspection
第二十八页，共118页。
❖显4、影之显后影的(x检iǎ查n yǐng)（Development）
半导体八大工艺顺序
半导体八大工艺顺序半导体八大工艺顺序，是指半导体制造过程中的八个主要工艺步骤。
这些工艺步骤包括晶圆清洗、光刻、沉积、刻蚀、扩散、离子注入、退火和包封。
下面将逐一介绍这些工艺步骤的顺序及其作用。
1. 晶圆清洗晶圆清洗是半导体制造过程中的第一步。
在这一步骤中，晶圆将被放入化学溶液中进行清洗，以去除表面的杂质和污染物。
这样可以确保后续工艺步骤的顺利进行，同时也可以提高器件的质量和性能。
2. 光刻光刻是半导体制造中的关键工艺步骤之一。
在这一步骤中，将使用光刻胶覆盖在晶圆表面上，并通过光刻机将图形投射到光刻胶上。
然后，利用化学溶液将未曝光的光刻胶去除，从而形成所需的图形。
3. 沉积沉积是指在晶圆表面上沉积一层薄膜的工艺步骤。
这一层薄膜可以用于改变晶圆表面的性质，增加其导电性或绝缘性。
常用的沉积方法包括化学气相沉积和物理气相沉积。
4. 刻蚀刻蚀是将多余的材料从晶圆表面去除的工艺步骤。
在这一步骤中，利用化学溶液或等离子刻蚀机将不需要的材料去除，从而形成所需的图形和结构。
5. 扩散扩散是将杂质或掺杂物diffused 到晶圆中的工艺步骤。
这一步骤可以改变晶圆的电学性质，并形成PN 结等器件结构。
常用的扩散方法包括固体扩散和液相扩散。
6. 离子注入离子注入是将离子注入到晶圆中的工艺步骤。
这可以改变晶圆的导电性和掺杂浓度，从而形成电子器件的结构。
离子注入通常在扩散之前进行。
7. 退火退火是将晶圆加热至一定温度并保持一段时间的工艺步骤。
这可以帮助晶圆中的杂质扩散和掺杂物活化，从而提高器件的性能和稳定性。
8. 包封包封是将晶圆封装在外部保护材料中的工艺步骤。
这可以保护晶圆不受外部环境的影响，同时也可以方便晶圆的安装和使用。
半导体制造过程中的八大工艺顺序是一个复杂而精密的过程。
每个工艺步骤都起着至关重要的作用，只有严格按照顺序进行，才能生产出高质量的半导体器件。
希望通过本文的介绍，读者对半导体制造过程有了更深入的了解。
光刻和蚀刻技术
光刻和蚀刻技术? 光刻和蚀刻技术，用光胶、掩膜、和紫外光进行微制造，由薄膜沉积，光刻和蚀刻三个工序组成。
? 光刻前首先要在基片表面覆盖一层薄膜，薄膜的厚度为数埃到几十微米，称为薄膜沉积。
然后在薄膜表面用甩胶机均匀地覆盖上一层光胶，将掩膜上微流控芯片设计图案通过曝光成像的原理转移到光胶层的工艺过程称为光刻。
? 光刻的质量则取决于光抗蚀剂（有正负之分）和光刻掩膜版的质量。
掩膜的基本功能是基片受到光束照射（如紫外光）时，在图形区和非图形区产生不同的光吸收和透过能力。
? 蚀刻是在光刻过的基片上可通过湿刻（wet etching）和干刻（dry etching）等方法将阻挡层上的平面二维图形加工成具有一定深度的立体结构。
选用适当的蚀刻剂，使它对光胶、薄膜和基片材料的腐蚀速度不同，可以在薄膜或基片上产生所需的微结构。
? 复杂的微结构可通过多次重复薄膜沉积－光刻－蚀刻这三个工序来完成。
? 微流控基片通过预处理，涂胶，前烘，曝光，显影及坚膜，去胶等步骤后，材料上呈现所需要的图形，即通道网络。
盖板与微流控芯片基片的封接? 基片和盖板封接后形成封闭的小池，可用来储存试剂或安装电极。
试剂必须要通过芯片上的小孔才能进入通道网络，所以通过微加工技术所制得的具有不同结构和功能单元的微流控芯片基片，在与盖板封接之前必须在微通道末端打一小孔，组装成微流控成品才能使用。
小孔可钻在基片上，也可钻在盖板上。
? 玻璃芯片的打孔方法包括金刚石打孔法，超声波打孔法，和激光打孔法。
打孔后一定要将芯片制作和打孔过程中所残留的小颗粒、有机物和金属物等清除干净，包括化学清洗，提高芯片表面平整度，以保证封接过程顺利进行对玻璃和石英材质刻蚀的微结构一般使用热键合方法，将加工好的基片和相同材质的盖片洗净烘干对齐紧贴后平放在高温炉中，在基片和盖片上下方各放一块抛光过的石墨板，在上面的石墨板上再压一块重0.5kg的不锈钢块，在高温炉中加热键合。
? 在玻璃、石英与硅片的封接中已广泛采用阳极键合的方法。
5光刻与刻蚀工艺
高抗蚀性 好黏附性
思考题：为什么光刻胶越薄，分辨率越高？
Jincheng Zhang
光刻工艺 Photolithography Process
光刻基本步骤
• 涂胶 Photoresist coating • 对准和曝光 Alignment and exposure • 显影 Development
4、前烘 Soft Bake
Jincheng Zhang
5、对准 Alignment
Jincheng Zhang
6、曝光Exposure
Jincheng Zhang
7、后烘 Post Exposure Bake
Jincheng Zhang
8、显影 Development
Jincheng Zhang
集成电路工艺基础
5、光刻与刻蚀工艺（曝光、刻蚀）
微电子学院 戴显英 2017年9月
掌握
光刻胶的组成 +PR 和 –PR的区别 描述光刻工艺的步骤 四种对准和曝光系统 Explain relationships of resolution and depth of focus to wavelength and numerical aperture.
100到130坚膜温度通常高于前烘温度jinchengzhang坚膜的控制坚膜不足光刻胶不能充分聚合造成较高的光刻胶刻蚀速率黏附性变差光刻胶流动造成分辨率变差jinchengzhang光刻胶流动过坚膜会引起太多的光刻胶流动影响光刻的分辨率正常坚膜jinchengzhang问题每种光刻胶都有不同的敏感性和粘性都需要不同的旋转速率斜坡速率旋转时间烘干时间和温度曝光强度和时间显影液和显影条件因此图形转移将失败
光刻与刻蚀工艺流程
光刻与刻蚀工艺流程光刻和刻蚀是微电子加工过程中常用的两个工艺步骤。
光刻用于创建芯片上的图案，而刻蚀则用于移除不需要的材料。
以下是光刻和刻蚀的工艺流程。
光刻工艺流程：1.沉积光刻胶：首先，在硅片上沉积一层光刻胶。
这是一个具有高度选择性和可重复性的光敏聚合物材料，能够在曝光过程中改变化学性质。
2.乾燥和前处理：将光刻胶乾燥，然后对其进行前处理，例如去除表面的污垢和残留物。
3.涂布光刻胶：用涂胶机将光刻胶均匀地涂布在硅片的表面。
4.烘烤：将涂覆有光刻胶的硅片进行烘烤，以去除溶剂并使光刻胶层变得坚硬和耐久。
5.对位：将掩模对位仪对准硅片上的光刻胶层，确保光刻胶上的图案与所需的芯片图案完全一致。
6.曝光：通过紫外线照射机将光传递到光刻胶上，使其形成与掩模图案相同的图案。
7.显影：使用显影液处理光刻胶，显影液会将未曝光的部分光刻胶溶解掉，只留下曝光过的部分。
刻蚀工艺流程：1.腐蚀栅极：首先，通过化学腐蚀将栅极区域的金属材料去除，只保留未覆盖的部分，以便后续步骤。
2.沉积绝缘层：然后，在晶圆上沉积一层绝缘层材料，用以隔离电路的不同层次。
3.涂胶和曝光：使用同样的光刻胶工艺，在绝缘层表面涂覆光刻胶，并将掩模对位仪对准绝缘层上的光刻胶层。
4.显影：通过显影液处理光刻胶，保留所需的图案，暴露绝缘层。
5.刻蚀绝缘层：使用化学腐蚀或物理刻蚀技术，将未被光刻胶保护的绝缘层材料去除，使其与下方的层次保持相同的图案。
6.清洗和检验：最后，对晶圆进行清洗，以去除残留的光刻胶和刻蚀剂。
然后，对刻蚀图案进行检验，确保其质量和精确度。
这就是光刻和刻蚀的工艺流程。
通过这些步骤，可以在微电子芯片上创建复杂的电路和结构，以实现功能丰富的科技产品。
半导体八大工艺顺序
半导体八大工艺顺序半导体八大工艺顺序是指半导体器件制造过程中的八个主要工艺步骤。
这些工艺步骤的顺序严格按照一定的流程进行，确保半导体器件的质量和性能。
下面将逐一介绍这八大工艺顺序。
第一步是晶圆清洁工艺。
在半导体器件制造过程中，晶圆是最基本的材料。
晶圆清洁工艺旨在去除晶圆表面的杂质和污染物，确保后续工艺步骤的顺利进行。
第二步是光刻工艺。
光刻工艺是将图形模式转移到晶圆表面的关键步骤。
通过光刻工艺，可以在晶圆表面形成所需的图形结构，为后续工艺步骤提供准确的参考。
第三步是沉积工艺。
沉积工艺是将材料沉积到晶圆表面的过程，包括化学气相沉积、物理气相沉积和溅射等技术。
通过沉积工艺，可以在晶圆表面形成所需的材料结构。
第四步是刻蚀工艺。
刻蚀工艺是将多余的材料从晶圆表面去除的过程，以形成所需的图形结构。
刻蚀工艺通常使用化学刻蚀或物理刻蚀的方式进行。
第五步是离子注入工艺。
离子注入工艺是向晶圆表面注入掺杂物质的过程，以改变晶体的电学性质。
通过离子注入工艺，可以实现半导体器件的掺杂和调控。
第六步是热处理工艺。
热处理工艺是将晶圆置于高温环境中进行退火、烘烤或氧化等处理的过程。
通过热处理工艺，可以改善晶体的结晶质量和电学性能。
第七步是清洗工艺。
清洗工艺是在制造过程中对晶圆进行清洗和去除残留污染物的过程，以确保半导体器件的质量和可靠性。
第八步是封装测试工艺。
封装测试工艺是将完成的半导体器件封装成最终产品，并进行性能测试和质量检验的过程。
通过封装测试工艺，可以确保半导体器件符合规格要求，并具有稳定可靠的性能。
总的来说，半导体八大工艺顺序是半导体器件制造过程中的关键步骤，每个工艺步骤都至关重要，任何一环节的不慎都可能影响整个制造过程的质量和性能。
通过严格按照八大工艺顺序进行制造，可以确保半导体器件具有优良的性能和可靠性，从而满足现代电子产品对半导体器件的高要求。
光刻与刻蚀工艺流程
光刻与刻蚀工艺流程光刻和刻蚀是半导体工艺中重要的步骤，用于制备芯片中的电路。
光刻是一种通过使用光敏剂和光刻胶来转移图案到硅片上的技术。
刻蚀则是指使用化学物质或物理能量来去除或改变表面的材料。
光刻工艺流程分为四个主要步骤：准备硅片、涂敷光刻胶、曝光和开发。
首先，准备硅片。
这包括清洗硅片表面以去除杂质和污染物，然后通过浸泡于化学溶液中或使用化学气相沉积等方法在硅片上形成一层光刻胶的基础层。
第二步是涂敷光刻胶。
将光刻胶倒入旋转涂胶机的旋转碟中，然后将硅片放置在碟上。
通过旋转碟和光刻胶的黏度控制，使光刻胶均匀地铺在硅片上。
光刻胶的厚度取决于所需的图案尺寸和深度。
第三步是曝光。
在光刻机中，将掩膜对准硅片，然后使用紫外线照射光刻胶。
掩膜是一个透明的玻璃或石英板，上面有所需的电路图案。
曝光过程中，光刻胶中的光敏剂会发生化学反应，使得光刻胶在被曝光的区域变得溶解性，而未被曝光的区域仍保持完整。
最后一步是开发。
在开发过程中，使用盐酸、溶液或者有机溶剂等化学溶液将未曝光的光刻胶从硅片上溶解掉。
溶解后就会出现光刻胶的图案，这相当于将掩膜中的图案转移到硅片上。
在完成开发后，再对硅片进行清洗和干燥的处理。
刻蚀工艺流程通常根据需要的深度和形状来选择不同的刻蚀技术。
常见的刻蚀技术有湿刻蚀和干刻蚀。
湿刻蚀是将硅片浸泡在一个含有化学溶液的反应槽中，溶液会去除不需要的材料。
刻蚀速度取决于化学溶液中的浓度和温度以及刻蚀时间。
湿刻蚀通常用于较浅的刻蚀深度和简单的结构。
干刻蚀是使用物理能量如等离子体来去除材料。
等离子体刻蚀分为反应离子束刻蚀(RIE)和电感耦合等离子体刻蚀(ICP)。
在等离子体刻蚀中，通过加热到高温的氩气等离子体释放离子，离子会以高速束流撞击竖立在硅片表面的物质，去除不需要的材料。
干刻蚀通常用于深刻蚀和复杂的纳米级结构。
在刻蚀过程中，为了保护不需要刻蚀的区域，通常会将硅片用光刻胶进行覆盖。
在刻蚀结束后，光刻胶可以去除，暴露出所需要的图案。
光刻与刻蚀工艺
光刻工艺的基本步骤
涂胶
将光刻胶涂敷在硅片表面，以形成 光刻胶层。
烘烤
通过烘烤使光刻胶层干燥并固化。
曝光
将掩膜版上的图形对准硅片上的光 刻胶层，并使用曝光设备将图形转 移到光刻胶上。
显影
使用显影液将曝光后的光刻胶进行 化学处理，使图形更加清晰地展现 出来。
光刻工艺的重要性
光刻工艺是半导体制造中的关键环节，直接影响芯片的制造 质量和性能。
非接触式光刻
投影式非接触
利用光学系统将掩膜板上的图像投影到光刻胶涂层上，优点是无需直接接触，缺点是难度较高，需要精确的控 制系统。
电子束光刻
利用电子束在光刻胶上直接曝光，优点是分辨率高、无需掩膜板，缺点是生产效率低。
投影式光刻
接触式投影
掩膜板与光刻胶涂层之间保持接触，通过投影系统将图像投影到光刻胶上，优点是操作简单、高效， 缺点是图像质量可能受到掩膜板损伤和光刻胶污染的影响。
涂胶/显影技术
01
02
03
涂胶
在晶圆表面涂上一层光敏 胶，以保护非曝光区域并 提高图像对比度。
显影
用适当的溶剂去除曝光区 域的光敏胶，以形成所需 的图案。
控制胶厚
保持胶厚均匀，以避免图 像的扭曲和失真。
烘烤与曝光技术
烘烤
通过加热去除晶圆表面的湿气，以提高光敏胶的灵敏度和图像质 量。
曝光
将掩模图像投影到光敏胶上，通过光化学反应将图像转移到晶圆 上。
扫描投影
利用扫描系统将掩膜板上的图像投影到光刻胶上，优点是分辨率高、生产效率高，缺点是需要精确的 控制系统和高质量的掩膜板。
03
光刻工艺中的关键技术
光学系统
紫外光源
产生短波长的光，以获得更好的分辨率和更来自的 特征尺寸。反射镜和透镜
光刻与刻蚀工艺
光时的敏感度变差。
前烘的加热方式
前烘通常采用干燥循环热风、红外线辐射以及热平板传导等 热处理方式。
在ULSI工艺中，常用的前烘方法是真空热平板烘烤。真空热 平板烘烤可以方便地控制温度，同时还可以保证均匀加热。
8.1.4、显影
以正胶为例，在显影过程中，曝光区的光刻胶在显 影液中溶解，非曝光区的光刻胶则不会溶解。曝光后 在光刻胶层中形成的潜在图形，显影后便显现出来。
Ø 对于m一定，即给定一种粒子，例加电子，则其动能愈高， ΔL愈小， 分辨率愈高。
8.3、光刻胶的基本属性
光学光刻胶通常包含有三种成份： ①聚合物材料(树脂)：附着性和抗腐蚀性 ②感光材料：感光剂 ③溶剂：使光刻胶保持为液态
光刻胶通常可分为正胶和负胶，经过曝光和 显影之后所得到的图形是完全相反的。 Ø 正胶的感光区在显影时溶掉，没有感光的 区域在显影时不溶解，因此形成的光刻胶图 形是掩模版图形的正影像。 Ø 负胶的情况与正胶相反，经过显影后光刻 胶层上形成的是掩模版的负性图形。 Ø正胶的分辨率比负胶高。
显影方式与检测
目前广泛使用的显影的方式是喷洒方法。 可分为三个阶段： ①硅片被置于旋转台上，并且在硅片表面上喷洒显影液； ②然后硅片将在静止的状态下进行显影； ③显影完成之后，需要经过漂洗，之后再旋干。
喷洒方法的优点在于它可以满足工艺流水线的要求。
显影之后，一般要通过光学显微镜、扫描电镜(SEM)或者激光系统来检查 图形的尺寸是否满足要求。
ΔL在这里表示分清线宽L必然存在的误差。若ΔL就是线宽，那么它就是 物理上可以得到的最细线宽，因而最高的分辨率
Rmax
1 2L
p h
光子曝光的最高的分辨率
光刻与刻蚀工艺流程
Mask制作
！！！ 留意：正图 / 反图 ！！！
曝光剂量
曝光剂量是指光刻胶所吸取紫外光的总和，曝光剂量可用下 式来表示：
E(x)I(x)t
式中Ex为光刻胶的曝光剂量〔mJ/cm2〕，Ix为曝光灯发出的 光强〔mW/cm2〕，t为曝光时间(s)。
在光刻工艺中， 当曝光剂量Ex >E0时：光刻胶显影后能完全去除； 当曝光剂量Ex <E0时: 光刻胶显影时会残留余胶；
❖ 高区分率 High Resolution； ❖ 高光敏性 High PR Sensitivity ❖ 准确对准 Precision Alignment
+PR & -PR
Negative Photo-resist 负性光刻胶－负胶
Positive Photo-resist 正性光刻胶－正胶
曝光后不可溶解 显影时未曝光的被溶解 便宜
曝光后可溶解 显影时曝光的被溶解 高分辨率
+PR & -PR根本原理
正胶工艺
基板处理
负胶工艺
涂胶 + 烘烤 曝光
显影、光刻
+PR & -PR 树脂分子构造
正胶：曝光时切断树脂聚合体主链和从链之 间的联系，到达减弱聚合体的目的，所以曝光 后光刻胶在随后的显影处理中溶解度上升，曝 光后溶解度几乎是未曝光时的10倍；更高区分 率〔无膨胀现象〕在IC制造应用更为普遍；
光刻胶涂布-旋转涂布法
滴胶 基片
旋转
旋涂结果
旋转涂布也称为甩胶，用转速和旋转时间可自由设定的甩胶机来进展，是利用高 速旋转的离心力作用，将光刻胶在基片外表均匀地开放，多余的光刻胶被甩掉， 最终获得肯定厚度的光刻胶膜，光刻胶的膜厚是由光刻胶的粘度和甩胶的转速来 掌握，通常这种方法可以获得优于±2%的涂布均匀性〔边缘除外〕。光刻胶涂 布的厚度与转速、时间、胶的特性有关系，此外旋转时产生的气流也会有肯定的 影响。同时也存在肯定的缺陷：气泡、彗星(胶层上存在的一些颗粒)、条纹、边 缘效应等，其中边缘效应对于小片和不规章片尤为明显。
第八章光刻与刻蚀工艺
双叠氮交联剂的感光波长范围为260~460nm，已适用于高 压汞灯等光源。但添加适宜的增感剂，感光度也有所提高。
若曝光气氛中存在氧，将导致灵敏度下降，因此，必须在 氮气或真空条件下曝光操作。
原始光刻胶膜可被某些溶剂溶解；受适当波长的光照射后 发生聚合或交联反应，聚合为不可溶物质；显影后，硅片表面 的光刻胶图形与掩模版相反。其成分主要为感光性树脂，其次 包括溶剂和增感剂。以感光性树脂的种类来分类：
（1）聚乙烯醇肉桂酸脂类
产品有北京化工厂的北化103胶、上海化学试剂厂的上试 1 号胶、美国的柯达光致抗蚀剂（KPR）以及日本东京应化光致 抗蚀剂（TPR）。
2、正性光刻胶（正胶）
原始光刻胶膜不能被某些溶剂溶解；受适当波长的光照射 后，发生光分解反应，分解为可溶性物质；显影后，硅片表面 的光刻胶图形与掩模版相同；未经感光的光刻胶仍然保持它在 紫外光照射下发生光分解反应的活性，因此此类光刻胶在光刻 工艺中能够多次曝光。
主要成分为邻叠氮醌类化合物。产品有：北京化工厂的205、 206、212正性胶，上海试剂一厂的702、703胶等，美国Shipley 公司生产的AZ-1350系列等。
第八章 光刻与刻蚀工艺
1
§8.1 概述
一、光刻技术的特点
1、光刻是一种表面加工技术； 2、光刻是复印图像和化学腐蚀相结合的综合性技术； 3、器件的尺寸越小，集成电路的集成度越高，对光刻精 度的要求就越高，难度就越大。
二、光刻的目的
在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩模版完全对应的几 何图形，从而达到选择性扩散和金属薄膜布线的目的。
(完整版)光刻与刻蚀工艺
光刻工艺过程
❖涂胶 coating ❖前烘 prebaking ❖曝光 exposure ❖显影 development ❖坚膜 postbake ❖刻蚀 etch ❖去胶 strip ❖检验 inspection
1、涂胶
SiO2
Si （1）氧化、清洗
光刻胶 SiO2
Si （2）涂胶、前烘
1、涂胶
❖ 在图形曝光的工 作区域，则需要等级 10或1的洁净室。
lithography
❖Introduction
❖ 光刻 ▪ 洁净室 ▪ 工艺流程 ▪ 光刻机 ▪ 光刻胶 ▪ 掩膜版
光刻原理（1）
❖ 掩膜版图形转移到光刻胶
▪ 在光刻过程中，光刻胶受到光辐射之后发生光 化学反应，其内部分子结构发生变化，在显影 液中光刻胶感光部分与未感光部分的溶解速度 相差非常大。
❖涂胶目的
▪ 在硅片表面形成厚度均匀、附着性强、并且没 有缺陷的光刻胶薄膜。
❖怎样才能让光刻胶粘的牢一些？
可以开始涂胶了……
❖ 怎么涂？
▪ 旋转涂胶法：把胶滴在硅片，然后使硅片高速旋转， 液态胶在旋转中因离心力作用由轴心沿径向（移动） 飞溅出去，但粘附在硅表面的胶受粘附力的作用而留 下。在旋转过程中胶所含的溶剂不断挥发，故可得到 一层均匀的胶膜
▪ （2）等级为M3.5的洁净室（公制），直径大 于或等于0.5um的尘埃粒子总数不超过103.5 （约3500个/m3)
❖ 100个/ft3= 3500个/m3
▪ 一个英制等级100的洁净室相当于公制等级 M3.5的洁净室。
洁净室（4）
❖ 对一般的IC制造 区域，需要等级100 的洁净室，约比一般 室内空气低4个数量 级。
Resist coat (wafer track)
光刻和刻蚀工艺流程
光刻和刻蚀工艺流程第一步：光刻掩膜准备光刻工艺的第一步是制备掩膜。
掩膜是一种类似于胶片的薄膜，上面有制作好的电路图形。
通常，光刻掩膜由专门的光刻工艺工程师根据电路图形设计，并通过专业软件生成掩膜图形。
之后将掩膜图形转移到掩膜胶片上。
第二步：光刻胶涂覆接下来，在待加工的硅片表面涂覆一层光刻胶。
光刻胶是一种特殊的光敏物质，具有对紫外光敏感的特性。
使用旋涂机将光刻胶均匀涂覆在硅片上。
第三步：软烘烤硅片上涂覆好光刻胶之后，需要进行软烘烤步骤。
软烘烤的作用是去除光刻胶中的溶剂以及帮助光刻胶更好地附着在硅片表面上。
软烘烤的温度和时间根据不同的光刻胶种类和工艺要求进行调节。
第四步：曝光曝光是光刻工艺的关键步骤。
在曝光台上，将掩膜和被涂覆光刻胶的硅片对准，并通过紫外光照射。
光刻胶中被曝光的部分会发生化学变化，形成光刻胶的图形。
第五步：后烘烤曝光之后，需要进行后烘烤。
烘烤的目的是加强光刻胶的图形，使其更稳定并提高精度。
烘烤温度和时间根据不同的光刻胶种类和工艺要求进行调节。
第六步：显影显影是将光刻胶中未曝光的部分溶解掉的步骤。
将硅片浸入特定的显影液中，显影液会将光刻胶中溶解掉的部分清除掉，形成具有电路图形的光刻胶。
第七步：刻蚀刻蚀是将未被光刻胶保护的硅片表面精确地去除掉部分的步骤，以形成电路图形。
刻蚀液根据硅片的材料和刻蚀目标而确定。
将硅片浸入刻蚀液中，刻蚀液会剥离掉没有光刻胶保护的硅片表面，形成光刻胶的图形。
第八步：去光刻胶刻蚀完成后，需要将光刻胶从硅片上去除。
通常使用酸性或碱性溶液将光刻胶溶解掉。
去光刻胶后，就得到了具有电路图形的硅片。
以上就是光刻和刻蚀的工艺流程。
光刻和刻蚀工艺对于微电子芯片的制造至关重要，能够提供精确的电路图形，是制造集成电路的基础步骤。
随着技术的不断发展，光刻和刻蚀工艺也在不断改进，以满足高集成度和高性能的微电子芯片的制造需求。
光刻与刻蚀工艺
光刻与刻蚀工艺pptxx年xx月xx日contents •光刻与刻蚀工艺简介•光刻工艺详细介绍•刻蚀工艺详细介绍•光刻与刻蚀工艺的挑战与对策•光刻与刻蚀工艺的发展趋势目录01光刻与刻蚀工艺简介1光刻工艺原理23利用光子能量将光刻胶上的分子激活，使其可进行化学反应。
光学曝光将光刻胶上的图形转移到半导体基板上的过程。
图形转移对光刻胶和半导体基板表面进行化学处理，以实现图形的精细加工。
表面处理利用液体化学试剂将半导体表面的材料溶解。
刻蚀工艺原理湿法刻蚀利用等离子体或离子束等高能粒子将半导体表面的材料去除。
干法刻蚀刻蚀过程中，被刻蚀材料与阻挡层材料的去除速率之比。
选择比1光刻与刻蚀工艺的关系23光刻工艺是制造芯片的核心技术，通过光刻胶上的图形控制半导体表面的加工。
刻蚀工艺是将光刻胶上的图形转移到半导体表面的关键步骤，要求高精度和高一致性。
光刻和刻蚀工艺的组合直接决定了芯片制造的质量、产量和成本。
02光刻工艺详细介绍03运动控制系统运动控制系统精确控制掩膜与光刻胶之间的相对位置，确保图形对准和重复性。
光刻机工作原理01曝光系统曝光系统将掩膜上的图形转换为光刻胶上的图形，是光刻机的核心部分。
02投影系统投影系统将曝光系统输出的光线聚焦到光刻胶表面，实现小比例图形转移。
光学接触剂是低分子聚合物，具有高度透明性和低折射率。
光学接触剂正性光刻胶受到光照后会发生交联反应，形成网状结构，耐腐蚀性强。
正性光刻胶负性光刻胶受到光照后会发生降解反应，形成可溶性物质，易于清除。
负性光刻胶光刻胶的分类与性质增加对比度通过优化涂层和选择合适的光源和波长，增加光刻胶与衬底之间的对比度。
提高分辨率采用短波长光源和高级数值孔径透镜，提高光刻机分辨率。
提高精度和一致性采用先进的控制系统和误差修正技术，提高光刻胶图形的精度和一致性。
光刻工艺的优化03刻蚀工艺详细介绍离子刻蚀机以离子束或离子束辅助化学反应的方式进行刻蚀。
具有各向异性刻蚀、高分辨率和低损伤等优点，但刻蚀速率较慢，设备昂贵。
chap8光刻与刻蚀工艺
改善驻波效应的技术：在光刻胶层底 部或顶部使用抗反射涂层，同时在曝光 后进行烘焙。
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8.6
紫外线曝光
接触式光刻：分辨率较高，但是容易造 成掩膜版和光刻胶膜的损伤。 接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一 个很小的间隙 (10 ～ 25m) ，可以大大减 小掩膜版的损伤，分辨率较低。 投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜 版上的图形投影到衬底上的曝光方法， 目前用的最多的曝光方式。
定义：用光刻方法制成的微图形，只 给出了电路的行貌，并不是真正的器件 结构。因此需将光刻胶上的微图形转移 到胶下面的各层材料上去，这个工艺叫 做刻蚀。 • 目的：把经过曝光, 显影后的光刻胶 微图形中下层材料的裸露部分去掉, 即 在下层材料上重现与光刻胶相同的图形。
12
八、去胶
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8.2 分辨率
聚乙烯醇肉桂 酸酯 KPR胶的 光交联(聚合)
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1.负性胶由光产 生交联
常用负胶有聚肉桂酸 酯类、聚酯类和聚烃 类,
显影 曝光
胶 衬底 掩膜 胶 衬底
2.正性胶 由光产生 分解
胶 衬底
胶 衬底
负胶
正胶
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聚乙烯醇肉桂酸酯 KPR
常用负胶有聚肉桂酸酯类、聚酯类 和聚烃类
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DNQ-酚醛树脂光刻胶的化学反应
1
二、光刻的目的：光刻的目的就是
在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩
膜版完全对应的几何图形，从而实现选
择性扩散和金属薄膜布线的目的。 三、在ULSI中对光刻的基本要求： 1、高分辨率：分辨率的表示方法：第一 种是以每毫米最多能够容纳的线条数来 表示。即线宽。条数/mm；第二种是以剥 蚀后的二氧化硅尺寸减去光刻掩膜版的 图形尺寸除以2表示。
chap8光刻与刻蚀工艺
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2、高灵敏度：为了提高产量要求曝光所需 要的时间越短越好，也就是要求灵敏度高。也 称感光度，以光刻胶发生化学反应所需要的最 小曝光量的倒数来表示。 3、精密的套刻对准 4、大尺寸硅片的加工 5、低缺陷 四、光刻三要素： 光刻胶、掩膜版和光刻机
8
8.1 光刻工艺流程
以负胶为例来说明这八个步骤，一般 可分为： 打底膜->涂胶->前烘->曝光->显影-> 后烘（坚膜）->腐蚀（刻蚀）->去胶。
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图形转移——刻蚀
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图形转移——剥离（lift-off）
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去胶
溶剂去胶 （strip）：Piranha (H2SO4:H2O2)。 正胶：丙酮
氧化去胶 450 C O2+胶CO2+H2O 干法去胶（Ash)
等离子去胶（Oxygen plasma ashing） 高频电场 O2电离O－＋O＋ O＋活性基与胶反应 CO2， CO ，H2O。
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8.5 抗反射涂层工艺
使用抗反射涂层（ARC）工艺，可以降低驻波 效应的影响。 驻波效应：曝光光波在进入到光刻胶层之后， 如果没有被完全吸收，就会有一部分光波穿过光 刻胶膜达到衬底表面，这一部分光波在衬底表面 被反射之后，又回到光刻胶中。这样，反射光波 与光刻胶中的入射光波发生干涉，从而形成驻波。 表现为以λ/2n为间隔，在光刻胶中形成强 弱相间的曝光区域。会导致线宽发生变化，减低 分辨率。
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紫外曝光的方法及各自特点
接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩膜 版和光刻胶膜的损伤。 接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小 的间隙(10～25mm)，可以大大减小掩膜版的损 伤，分辨率较低。 投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的 图形投影到衬底上的曝光方法，目前用的最多 的曝光方式。
光刻与刻蚀工艺
光刻与刻蚀工艺光刻与刻蚀工艺，这听起来好像是个特别高大上、特别复杂的东西，对吧？但其实啊，它就像是我们生活中的一场精心编排的舞蹈，每一个步骤都精准而有序。
先来说说光刻。
这就好比是在一张巨大的画布上作画，只不过这画布不是普通的纸，而是小小的芯片。
想象一下，你拿着一支超级精细的“画笔”，要在这小小的芯片上画出极其复杂的图案，而且不能有一丝一毫的差错。
这“画笔”其实就是光刻机发出的光线，通过一系列的操作，把设计好的电路图案精确地“印”在芯片表面。
我记得有一次，我在实验室里观察光刻的过程。
那台光刻机就像是一个神秘的大家伙，安静地矗立在那里。
操作人员小心翼翼地调整着各种参数，眼睛紧紧盯着屏幕上的图像。
当光线照射在芯片上的那一刻，我仿佛看到了一场魔法的诞生，那些细微的线条逐渐清晰起来，就像夜空中绽放的烟花一样绚烂。
刻蚀呢，就像是一位精细的雕刻大师，拿着刻刀在已经画好图案的芯片上进行雕琢。
它要把不需要的部分一点点地去除掉，留下的就是我们需要的电路结构。
这个过程就像是在豆腐上雕花，需要极度的细心和耐心。
比如说，有一次我看到一块芯片在进行刻蚀工艺，旁边的工程师们紧张得大气都不敢出。
刻蚀液缓缓地流淌在芯片表面，一点点地侵蚀着多余的部分。
每一秒钟都显得那么漫长，大家都在等待着最终完美的结果。
光刻和刻蚀工艺的结合，就像是一场完美的双人舞。
光刻画出了优美的线条，刻蚀则将这些线条雕琢得更加精致。
它们相互配合，缺一不可，共同为制造出高性能的芯片而努力。
在现代科技的舞台上，光刻与刻蚀工艺是当之无愧的明星。
从我们日常使用的手机，到超级计算机，再到各种智能设备，都离不开它们的功劳。
就拿我们的手机来说吧，芯片的性能直接决定了手机的运行速度和功能。
而光刻与刻蚀工艺的不断进步，让芯片变得越来越小，性能却越来越强大。
以前的手机又大又笨重，功能也很有限。
但现在，小小的手机里却蕴含着巨大的能量，这都要归功于光刻与刻蚀工艺的不断创新和发展。
而且啊，这光刻与刻蚀工艺的发展可不是一帆风顺的。
光刻与刻蚀工艺
张道礼 教授 Email: zhang-daoli@ Voice: 87542894
微电子工艺学
6.1 概述
扩散掺杂 掺 杂 离子注入掺杂 物理气相淀积 微电子单项工艺 薄膜制备 化学气相淀积
外 延
光 图形转移 刻 蚀 刻
6.1 概述
在集成电路制造中，主要的光刻设备是利用紫外光(≈0.2～ 0.4m)的光学仪器。 刻蚀：在光刻胶掩蔽下，根据需要形成微图形的膜层不同，采 用不同的刻蚀物质和方法在膜层上进行选择性刻蚀。 这样，去掉光刻胶以后，三维设计图形就转移到了衬底的相关 膜层上。图形转移工艺是如此重要，以至一种微电子工艺技术的水 平通常以光刻和刻蚀的图形线宽（特征尺寸）表示。
8.2 光刻工艺
光刻胶的性能参数
a. 光学性质：如灵敏度、分辨率、对比度、折射率；
b. 力学和化学性质 ：如固溶度、黏滞度、抗蚀性、热稳定性、流 动性和对环境气氛的敏感度；
c. 其它性质：如纯度、金属含量、可使用范围、有效期和燃点；
一、分辨率 分辨率是指每毫米宽度内能够光刻出可分辨的最多线对数，它 是对光刻工艺可以达到的最小图形尺寸的一种描述。在线宽 L 与 线条间距相等的情况下，分辨率为：R 1 (mm 1 ) ，光刻分辨率受 2L 光刻系统、光刻胶和光刻等多方面因素影响。
+
_ 显影后的理想光刻胶剖面
_
8.2 光刻工艺
Imin
Imax
另一个可以从对比度中得到的光刻胶性能指标是调制传输函 I max I min MTF 数（MTF），它可以用来描述曝光图形的质量： I max I min 其中Imax 和Imin 分别为曝光图形上最大和最小辐照强度。 D D 光刻胶临界调制传输函数（CMTF）为：CMTF D100 D0 100 0 CMTF的典型值约为0.4。如果一个实际光刻图形的MTF小 于所用光刻胶的CMTF，则光刻图形上的最小尺寸线条不能被分 辨。反之，则可能被分辨。 101/ 1 对比度与CMTF的关系为： CMTF 101/ 1 对于曝光系统，如果该系统对各种线条的MTF均已知，则 根据光刻胶对比度可计算出该系统能够形成的最小图形尺寸。
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光刻胶 SiO2
Si （5）腐蚀
6、去胶
SiO2
Si （6）去胶
6、去胶
经过刻蚀或离子注入后，将光刻胶从表面除去
去胶方法
湿法去胶
• 有机溶液去胶
–不腐蚀金属，去除Al上的光刻胶需用有机溶剂
• 无机溶液去胶
干法去胶
• 等离子体将光刻胶剥除 • 刻蚀效果好，但有反应残留物玷污问题，故与湿法腐蚀搭配使 用
lithography
Introduction
光刻
洁净室
工艺流程
光刻机
• 分辨率－曝光光源 • 套准
光刻胶
光刻机
光刻机的性能可由下面三个参数来判别
分辨率
光刻机
光刻机的性能可由下面三个参数来判别
套准精度
产率 • 对一给定的掩膜版，每小时能曝光完成的晶 片数量
Resist coat (wafer track)
resist
substrate
Expose (illumination tool) positive tone Develop (wafer track) etch (ion implantation) resist strip
mask
negative tone
光刻工艺过程
涂胶 coating
前烘 prebaking
曝光 exposure
显影 development 坚膜 postbake 刻蚀 etch 去胶 strip 检验 inspection
1、涂胶
SiO2
（1）氧化、清洗
光刻胶 SiO2
Si （2）涂胶、前烘
曝光光源
光刻机发展为两大类型，即光学光刻机和非光 光刻机的种类 学光刻机，如图所示。 光学光刻机采用紫
外线作为光源，而 非光学光刻机的 光源则来自电磁 光谱的其他成分。
光学
接触式 接近式
非光学 X 射线
电子束
投影式 步进式
曝光光源
普通光源
光的波长范围大，图形边缘衍射现象严重，满 足不了特征尺寸的要求。
光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机
光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、 基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体 光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化 学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中 的溶解特性改变
光刻过程的主要步骤：
曝光、显影、刻蚀
Process flow optical litho
条件:
温度 ：90 to 120 ℃
时间：60s to 120s
2、前烘（softbake）－－再次改善光刻胶粘附性
前烘不足
光刻胶与硅片黏附性变差 因光刻胶中溶剂含量过高致使曝光的精确度下降
前烘过量
延长时间，产量降低 过高的温度使光刻胶层的粘附性会因光刻胶变脆而降 低 过高的温度会使光刻胶中的感光剂发生反应，使光刻 胶在曝光时的敏感度变差
在光刻过程中，光刻胶受到光辐射之后发生光 化学反应，其内部分子结构发生变化，在显影 液中光刻胶感光部分与未感光部分的溶解速度 相差非常大。 利用光刻胶的这种特性，就可以在硅片的表面 涂上光刻胶薄层，通过掩膜版对光刻胶辐照， 从而使某些区域的光刻胶感光之后，再经过显 影就可以在光刻胶上留下掩膜版的图形。
光刻胶的主要成分
ULSI的芯片尺寸为1～2cm2 提高经济效益和硅片利用率
洁净室（1）
洁净室（2）
洁净室的等级定义方式：
（1）英制系统：
• 每立方英尺中直径大于或等于0.5um的尘埃粒子总数 不准超过设计等级数值。
（2）公制系统
• 每立方米中直径大于或等于0.5um的尘埃粒子总数不 准超过设计等级数值（以指数计算，底数为10）。
洁净室（4）
对一般的IC制造 区域，需要等级100 的洁净室，约比一般 室内空气低4个数量 级。 在图形曝光的工 作区域，则需要等级 10或1的洁净室。
lithography
Introduction
光刻
洁净室
工艺流程 光刻机 光刻胶 掩膜版
光刻原理（1）
掩膜版图形转移到光刻胶
产品的产量 曝光时间 确保光刻胶各项属性均为优异的前提下，提高 光刻胶的灵敏度
ULSI对光刻有哪些基本要求？
低缺陷
缺陷关系成品率
精密的套刻对准
集成电路芯片的制作需要经过多次光刻，在各次曝光 图形之间要相互套准。
ULSI的图形线宽在1um以下，通常采用自对准技术。
大尺寸硅片上的加工
lithography
Introduction
光刻
洁净室
工艺流程
光刻机
光刻胶 掩膜版
光刻胶的基本属性
主要有两种光刻胶：
正胶：曝光后显影时曝光部分被溶解，而没有 曝光的部分留下来 ——邻叠氮醌类 负胶：曝光后显影时没有曝光部分被溶解，而 曝光的部分留下来——聚乙烯醇肉桂酸酯和聚 乙烯氧乙基肉桂酸酯
（a）晶片整片扫描
（b）1：1步进重复
光学曝光方法
lithography
Introduction
光刻
洁净室
工艺流程
光刻机
• 分辨率－曝光光源 • 套准
光刻胶
套准精度
对准
把所需图形在晶园表面上定位或对准。 如果说光刻胶是光刻工艺的“材料”核心， 那么对准和曝光则是该工艺的“设备”核心。 图形的准确对准是保证器件和电路正常工作 的决定性因素之一。
光学曝光方法
光学曝光方法
遮蔽式曝光
接触式曝光
• 提供约1um的分辨率
• 对掩膜版造成损伤
接近式曝光
• 可以减小掩膜版损伤 • 间隙会在掩膜版图案边缘造成光学衍射 • 分辨率降低至2um～5um
光学曝光方法
光学曝光方法
投影式曝光
利用投影的方法，将掩膜版上图案投影至相距好几厘 米的晶片上。
基本光刻技术
*实际工艺中正胶用的比较多，why?
a.分辨率高
b.抗干法腐蚀的能力较强 c.抗热处理的能力强 d.可用水溶液显影，溶涨现象小 e.可涂得较厚(2-3um)不影响分辨率，有较好台 阶覆盖性 f.适合1：1及缩小的投影光刻 负胶也有一些优点，如: 粘附性好，抗湿法腐蚀 能力强等
这些图案可用来定义集成电路中各种不同区域， 如离子注入、接触窗（contact window）与压 焊（bonding－pad）区。
图形曝光与刻蚀
刻蚀
由图形曝光所形成的抗蚀剂图案，并不是电路 器件的最终部分，而只是电路图形的印模。为 了产生电路图形，这些抗蚀剂图案必须再次转 移至下层的器件层上。
lithography
Introduction 光刻
洁净室
工艺流程
光刻机
光刻胶
掩膜版
图形曝光与刻蚀
图形曝光（lithography，又译光刻术）
利用掩膜版（mask）上的几何图形，通过光化 学反应，将图案转移到覆盖在半导体晶片上的感 光薄膜层上（称为光致抗蚀剂、光刻胶或光阻， resist，简称抗蚀剂）的一种工艺步骤
–（0.35um,0.25um,0.18 CMOS技术）
• 氟化氩 ArF
（193nm）
– (0.2um以下工艺）
曝光光源
超细线条光刻技术
甚远紫外线(EUV) （13.4nm)
电子束光刻 (波粒二相性，更多显示粒子性）
以上两种曝光光源比较有前景，可以对亚 100nm，亚50nm的特征尺寸进行光刻 X射线 离子束光刻
3、曝光（Exposure）
紫外光 掩模版 光刻胶 SiO2
Si （3）曝光
3、曝光（Exposure）
曝光
光通过掩模版照射，使照射到的光刻胶起光化学反应 感光与未感光的光刻胶对碱性溶液的溶解度不同 掩模版上的图案，完整地传递(Transfer)到晶片表面的 光阻上
目的：
确定图案的精确形状和尺寸 完成顺序两次光刻图案的准确套制
晶圆生产用的曝光光源
曝光光源
晶圆生产用的曝光光源
最广泛使用的曝光光源是高压汞灯 产生的光为紫外光（UV） 三条发射线
• I线(365nm)
• H线(405nm)
• G线(436nm)
–(0.35um工艺)
曝光光源
晶圆生产用的曝光光源
产生的光为深紫外光（DUV） • 氟化氪 KrF （248nm）
光刻是唯一可以返工的工艺步骤
5、坚膜
—显影后必须进一步增强光刻胶粘附力
坚膜
在光刻显影后，再经过一次烘烤，进一步将胶内
残留的溶剂含量由蒸发降到最低，使其硬化
坚膜的目的
去除光刻胶中剩余的溶剂，增强光刻胶对硅片表 面的附着力 提高光刻胶在刻蚀和离子注入过程中的抗蚀性和 保护能力
5、坚膜
怎样才算涂的好？
膜厚均匀，正胶<2%，负胶<5%
涂胶-----转速Vs膜厚
转速Vs膜厚
其中：T表示膜厚，S表示转速；从上式可以看出， 光刻胶的膜厚与旋转速度的平方根成反比。
2、前烘（softbake）－－再次改善光刻胶粘附性
目的
去除胶内的溶剂，提高胶的粘附力
提高胶的抗机械摩擦的能力 减小高速旋转形成的薄膜应力
曝光后烘焙（PEB）
驻波效应
定义：入射光与反射光间的相长和相消干涉造 成的效应 影响：曝光过程中，在曝光区与非曝光区边界 将会出现驻波效应，影响显影后所形成的图形 尺寸和分辨率 改善措施：曝光后烘焙
4、显影（Development）
光刻胶 SiO2