电子学讲义(上)
数字电子技术讲义杨志忠版
第1章绪论1.1概述学习目标：了解数字电路的特点、应用概况；熟悉逻辑电平、数字信号的概念；了解数字电路的优点；了解脉冲波形的主要参数。
教学重点：区分数字信号和模拟信号的区别课时分配：2学时教学过程：信号分为两类：模拟信号、数字信号模拟信号：指在时间上和数值上都是连续变化的信号。
如电视图像和伴音信号。
数字信号：指在时间上和数值上都是断续变化的离散信号。
如生产中自动记录零件个数的计数信号。
模拟电路：对模拟信号进行传输和处理的电路数字电路：对数字信号进行传输和处理的电路1.1.2数字电路的分类（1）按集成度分类：数字电路可分为小规模（SSI，每片数十器件）、中规模（MSI，每片数百器件）、大规模（LSI，每片数千器件）和超大规模（VLSI，每片器件数目大于1万）数字集成电路。
集成电路从应用的角度又可分为通用型和专用型两大类型。
（2）按所用器件制作工艺的不同：数字电路可分为双极型（TTL型）和单极型（MOS 型）两类。
（3）按照电路的结构和工作原理的不同：数字电路可分为组合逻辑电路和时序逻辑电路两类。
组合逻辑电路没有记忆功能，其输出信号只与当时的输入信号有关，而与电路以前的状态无关。
时序逻辑电路具有记忆功能，其输出信号不仅和当时的输入信号有关，而且与电路以前的状态有关。
数字电路的产生和发展是电子技术发展最重要的基础。
由于数字电路相对于模拟电路有一系列的优点，使它在通信、电子计算机、电视雷达、自动控制、电子测量仪器等科学领域得到广泛的应用，对现代科学、工业、农业、医学、社会和人类的文明产生着越来越深刻地影响。
1.1.3数字电路的优点和特点特点：（1）工作信号是二进制的数字信号，在时间上和数值上是离散的（不连续），反映在电路上就是低电平和高电平两种状态（即0和1两个逻辑值）。
（2）在数字电路中，研究的主要问题是电路的逻辑功能，即输入信号的状态（0和1）和输出信号的状态（0和1）之间的关系。
对于电路本身有分析电路和设计电路两部分。
电网络第一章讲义
行：回路 列：边
2. 元素bjk定义如下：
+1：支路k在回路j中，且其方向与回路方向一致 元素bjk -1：支路k在回路j中，且其方向与回路方向相反
0：支路k不在回路j中
⎡1 0 0 −1 0 −1⎤ 164
⎢⎢0 1 0
1
−1
1
⎥ ⎥
2546
⎢0 0 1 1 −1 0 ⎥ 354
Ba = ⎢⎢1 1 −1 −1 0
可分图 包含断点的连通图 不可分图 任两点间至少有一个回路
断点
可分图
电压、电流参考方向 有向图
②
2
4
①
5 3
③
6
④ 1
二分图
第1章 电网络概述
把图G的nt 个顶点分为两个集合，若b条边的 两端点分属于这两个集合，则为二分图。
二分图
平面图 图G的任意两边能不相交的画在平面上。
网孔数 m = b - nt+1
(1,3,4,5) √
二、割集确定方法(作闭合面)
第1章 电网络概述
在G作闭合面，使其包围某一个或某一些结点，则与闭合面
相切割的所有支路组成一个割集。
依据:
a. 移去这些支路,则G分为两部分；
b. 少移一条，(保留一条)，两部分连通，且每部分 各自连通，∴图仍连通。
(1) CS2
1
3
(2)
2
4
5
CS1 CS(34)
ttvvvtn???????????????????????第1章电网络概述第1章电网络概述一各种电压关系tnbvav0fbbvtb1ltv?????v?012tlttltvbvqv?支路电压与节点电压节点电压法割集电压法树支电压与连支电压支路电压tbftvqv第1章电网络概述二各种电流关系tbflibi0fbqi1lqltii??????012tlliqi?连支电流和树支电流支路电流和回路电流网孔电流tttlibitbfmibi回路电流法第1章电网络概述小结描述电网络性质的基本概念有
光电子学与光子学讲义-Chapter0-perface讲课教案
1990s： 稀土掺杂光纤（掺铒光纤放大器） 光通信技术的革命
期待新一代光电功能材料的突破 !！!
五.光电子学发展方向与趋势
➢ 量子化（材料的量子结构化）---
采用量子阱、应变量子阱、超晶格、 量子线、量子点等人构改性的材料
➢ 集成化（器件的集成化） ---
一. 光电子学的发展进程
1973年 法国 召开了光子学国际会议 The term “LA PHOTONIQUE” was coined by a French physicist to describe the use of photons in ways analogous to the use of electrons.
❖电
荷
-e
0
❖自
旋
l(h)/2
l(h)
三. 光子学与电子学
光子具有的优异特性： • 光子具有极高的信息容量和效率
• 光子具有极快的响应能力 • 光子系统具有极强的互连能力与并行能力 • 光子具有极大的存储能力
四.光电子学、光子学相关学术领域
• 光电子学物理基础研究
• 激光物理学 • 信息光电子学 • 生物光子学及激光医学 • 微光机电集成系统(MEMS) • 光电子武器 • 微波光子学 • 有机光子学与材料 • 光化学与分子动力学 • 能源 ……
支撑技术：
晶体外延生长工艺 --- MBE, MOCVD, CBE
细微加工工艺 --- 电子束光刻, 反应离子刻蚀(RIE)
聚焦离子束注入与刻蚀,
纳米级图形超微细加工 等
五.光电子学发展方向与趋势
集成化是器件发展水平的标志
集成光发射器：LD+EA Mod.，LD +Driver (HBT)
大学物理实验-电子与场-讲义
电子与场带电粒子在电场和磁场中运动是在近代科学技术应用的许多领域中都经常遇到的一种物理现象。
在下面的实验中，主要研究电子在各种电场和磁场中的运动规律。
在这个实验中，把电子看作是遵从牛顿运动定律的经典粒子。
因为在下面实验中，电子的运动速度总是远小于光速（3.00×108 m/s），所以不必考虑相对论效应，而且由于实验中电子运动的空间范围远比原子的尺度要大，也可不必考虑量子效应。
【实验目的】1.了解示波管的构造和工作原理，研究静电场对电子的加速作用。
2.定量分析电子束在横向匀强电场作用下的偏转情况。
3.定量分析电子束在横向磁场作用下的偏转。
4.定量分析电子束在纵向磁场作用下螺旋运动，测定荷质比。
【实验仪器】DH4521电子束测试仪、电源线、10芯专用电缆、52尼康线。
【实验原理】1.小型电子示波管的构造阴极射线管中，电子示波管的构造如图1所示。
包括下面几个部分：图 1 示波管结构图F-灯丝K-阴极G1，G2- 控制栅极A1-第一阳极A2-第二阳极Y-竖直偏转板X-水平偏转板电子枪，它的作用是发射电子，把它加速到一定速度并聚成一细束；偏转系统，由两对平板电极构成。
一对上下放置的Y轴偏转板(或称垂直偏转板)，一对左右放置的X轴偏转板(或称水平偏转板)；荧光屏，用以显示电子束打在示波管端面的位置。
以上这几部分都密封在一只玻璃壳之中。
玻璃壳内抽成高真空，以免电子穿越整个管长时与气体分子发生碰撞，故管内的残余气压不超过610-大气压。
电子枪的内部构造如图2所示。
电子源是阴极，图中用字母K 表示。
它是一只金属圆柱筒，里面装有加热用的灯丝，两者之间用陶瓷套管绝缘。
当灯丝通电时可把阴极加热到很高温度。
在圆柱筒端部涂有钡和锶氧化物，此材料中的电子在加热时较容易逸出表面，并能在阴极周围空间自由运动，这种过程叫热电子发射。
与阴极共轴布置着的还有四个圆筒状电极，电极1G 离阴极最近，称为控制栅，正常工作时加有相对于阴极K 大约-5～-20伏的负电压，它产生的电场是要把阴极发射出来的电子推回到阴极去。
高中物理电子版讲义
高中物理电子版讲义一、电荷与静电学1.1 电荷概念在物理学中，电荷是描述物质基本性质的一个重要概念。
正电荷和负电荷是电荷的两种类型，它们之间的相互吸引和排斥是静电力的基础。
1.2 静电学基本定律库仑定律是静电学的基础定律之一，它描述了两个点电荷之间的电荷之间的电荷力与它们之间距离的关系。
此外，静电感应、电容等概念也是静电学重要的研究内容。
二、电流与电路2.1 电流与电量电流是描述电荷在导体中流动的物理量，单位为安培（A），电流大小与电荷量和流动速度有关。
2.2 电阻与欧姆定律电路中的电阻是阻碍电流流动的因素，欧姆定律描述了电压、电流和电阻之间的关系，即U=IR。
2.3 并联与串联电路电路可以分为并联和串联两种，不同的电路连线方式会影响电流和电压的分布，理解并能运用并串联电路的分析方法是学习电路的重要内容。
三、电磁感应与电磁波3.1 法拉第电磁感应定律法拉第电磁感应定律描述了磁场变化产生感应电动势的现象，这对于理解发电机、变压器等电磁感应现象至关重要。
3.2 麦克斯韦方程组麦克斯韦方程组是电磁学的基础方程，它描述了电场和磁场的相互关系，揭示了电磁波传播的规律。
3.3 电磁波的特性电磁波是电场和磁场以一定频率振荡并在空间中传播的波动现象，具有波长、频率和速度等特性，可以分为无线电波、可见光波等不同波段。
四、光学与光的性质4.1 光的折射与反射光在不同介质中传播时会发生折射和反射现象，这些现象符合折射定律和反射定律，理解和掌握这些规律有助于解释和预测光的传播路径。
4.2 光的干涉与衍射光的干涉和衍射是光学现象中的重要现象，通过光的干涉和衍射可以研究光波的波动性质，反映了光的波动性。
五、原子物理与核物理5.1 原子结构原子是物质的基本单位，由原子核和绕核运动的电子构成，根据玻尔模型，电子在原子中绕核作轨道运动，形成不同层次的能级。
5.2 放射性衰变原子核中的放射性元素会经历衰变过程，包括α衰变、β衰变、伽马衰变等不同方式，放射性元素的衰变规律对核物理研究具有重要意义。
实验三 线性脉冲放大器 核电子学实验讲义
实验三 线性脉冲放大器一、实验目的1、掌握线性脉冲放大器的工作原理；2、通过实验掌握线性脉冲放大器的主要指标的测量方法。
二、实验内容1、放大器第三放大单元的测试；2、BH1218线性脉冲放大器主要指标的测量。
三、实验原理图3-1 BH1218型线性放大器结构框图电路原理：本实验采用BH1218型线性脉冲放大器，整个放大器是由输入极性转换，一次极-零相消的微分电路，四级放大电路，三级积分电路和基线恢复器等组成，结构框图如图3-1所示。
BH1218型线性脉冲放大器的电路原理图如图3-2所示。
输入信号首先经过极-零相消的微分电路，微分时间常数分0、s μ5.0、s μ1、s μ2、s μ3、s μ4、s μ5、s μ6八档由开关2K 进行选择，极-零补偿可由调节1RV 的值实现，从而可消除具有指数衰减后沿信号经微分后所产生的信号的下冲部分，使后接的放大单元能正常工作。
微分后的信号经极性转换开关1K 加到由运算放大器1A （LF357）构成的第一放大级，输入为负信号时从1A 的反相输入端输入，放大单元反向输入时的放大倍数取决于9R 、11R 的值；输入为正信号时从1A 的同相输入端输入，放大单元同向输入时的放大倍数取决于12R 、13R 、9R 、11R 的值。
不论输入的信号极性是正还是负，本级均输出正极性信号。
第二放大级由运算放大器2A （LF357）构成同相放大级，由整机的放大倍数粗调开关的位置决定本级是否接入电路，在整机放大倍数较小时，第一级放大的信号直接进入第三放大级，本放大级不起作用；在整机的放大倍数较大时，第一级放大的信号经本放大级放大后进入第三放大级，使整机的放大倍数提高。
第三放大级由运算放大器3A （LM318）构成反相放大级，本放大级的原理如图3-3，前级的信号经增益粗调开关3K 进入该放大单元，由原理图可看出，将27R 和2RV 接入反馈回路的电阻之和看做2F R ，反相输入端的电阻23R 、24R 、25R 之和看做1F R ，则本级的闭环放大倍数为 123F F R R A -= 增益粗调开关3K 的位置不同，1F R 的值不同，增益细调电位器的位置不同，2F R 的值不同，因此调节3K 和2RV 均可改变本级的放大倍数，整机的放大倍数是各放大级放大倍数之积，因此就改变了整机的放大倍数，也就是放大器增益粗调和细调的原理。
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真實教學，隨選隨看，可根據學習步調自我調整，達到最佳的學習效果。
重複收看，不必擔心缺課而無法銜接學習。
●電子學一(共5片DVD) 內容大綱如下：Chapter 1 二極體(Diodes)Chapter 2 雙極接面電晶體(Bipolar Junction Transistors (BJTs))Chapter 3金氧半場效電晶體(MOS Field-Effect Transistors (MOSFETs))Chapter 4 運算放大器(Operational Amplifiers)●電子學二(共4片DVD) 內容如下：Chapter 5 差動放大器(Differential Amplifier)Chapter 6 頻率響應(Frequency Response)Chapter 7 回授(Feedback)Chapter 8 輸出級及功率放大器(Output Stage and Power Amplifier)●電子學三(共5片DVD) 內容如下：Chapter 9 運算放大器與資料轉換電路(Operational Amplifier and Data-Converter Circuits)Chapter 10 訊號產生器與波形產生電路(Signal Generators and Waveform-Shaping)Chapter 11 數位邏輯電路(Digital logic Circuits)●使用說明：目前安裝於檢索區第7台電腦。
直接開啟桌面的【陳龍英的電子學教學光碟】資料夾，點選所需的章節並執行【AutoRunner.exe】，便可進入教學課程學習。
●交通大學出版訊息網http://140.113.8.77/onlineorder/HELP_Default.aspx。
环 境 生 态 学(电子讲义)
环境生态学李中宝主讲长江大学化学与环境工程学院目录第一章绪论第二章生物与环境第三章种群生态学第四章群落生态学第五章生态系统第六章重大生态环境问题第七章可持续发展与清洁生产第一章绪论一．生态学的定义1．生态学（ecology）是研究生物与周围环境和无机环境相互关系及机理的科学。
（E.Haeckel，1866）它包括4个层次的内容：•生物在其历史条件下的适应；•生态系统的结构与功能；•种群的形成与发展规律；•生物群落（生态系统）的形成与发展规律。
实则上包含了个体—→种群—→群落—→生态系统这4个理论主体。
生态学的定义还有很多：●生态学是研究生物（包括动物和植物）怎样生活和它们为什么按照自己的生活方式生活的科学。
（埃尔顿，1927）●生态学是研究有机体的分布和多度的科学。
（Andrenathes,1954）●生态学是研究生态系统的结构与功能的科学。
（E.P.Odum，1956）●生态学是研究生命系统之间相互作用及其机理的科学。
（马世骏，1980）●生态学是综合研究有机体、物理环境与人类社会的科学。
（E.P.Odum，1997）二、生态学的研究内容●1971，Odum,《生态学基础》：生态学是研究生态系统的结构和功能的科学。
（1）一定地区内生物的种类、数量、生物量、生活史及空间分布。
（2）该地区营养物质和水等非生命物质的质量和分布。
（3）各种环境因素（如湿度、温度、光、土壤等）对生物的影响。
（4）生态系统中的能量流动和物质循环。
（5）环境对生物的调节（如光周期现象）和生物对环境的调节（如固氮作用）三、生态学的形成与发展●理论上：概念上的提出—→论著的出版—→学科的形成。
●时间上：萌芽时期—→近代发展：4大学派的形成—→现代发展：生态系统、人类生存环境的研究。
●实验技术上：描述—→定性—→定量—→模拟。
1、生态学发展简史（1）生态学萌发阶段（时期）●公元16 世纪以前：在我国：公元前1200 年《尔雅》一书，草、木；公元前200 年《管子》―地员篇‖；公元前100 年前后，农历确立了24 节气，同时《禽经》一书（鸟类生态）问世；《本草纲目》。
备课讲义8-电化学(上)
2/
10
南
行； 右池中 SO42− 过剩， 显负电性， 阻碍电子从左向右移动， 阻碍反应 Cu2+ + 2 e → Cu 的继续。
京
大
学
（1）和（2）称为半电池反应，或半反应。
3
化
(2) 从 Zn 片上得到电子， 使 Cu2+ 还原成 Cu， 沉积在 Cu 片上。
学
原
2 半反应
理
课
件
7.2.5 标准电极电势
20
13
左边负极，右边正极；两边的 Cu, Zn 表示极板材料；离子的浓度，气体的分压要在（ ）内标 明。‘|’代表两相的界面；‘‖’代表盐桥。盐桥连接着不同的溶液或不同浓度的相同溶液。
/1
4 电池符号
原电池可以用电池符号表示，前述的 Cu—Zn 电池可表示如下：
（−）Zn | Zn2+ (1 mol⋅L−1) ║Cu2+ (1 mol⋅L−1) | Cu（+）
20
13
/1
2/
10
1 酸介质中
南
7.2.2 离子电子法（半反应法）
京
大
一种新的配平方法，叫做离子-电子法。这种方法的优点是，更适用于 1）氧化数不明确的
学
Fe3O4 中 Fe （+ 8/3）价，O （-2）价。这里的化合价概念，已经广义化了。确切地说（+8/3）
1
化
7.2.1 氧化数法
学
原
理
课
件
2 碱介质中
电极反应的通式为： 氧化型 + ze = 还原型。 式中 e 表示电子，z 表示半反应中转移电子的个数，为一纯数。标准电极电势表中， 各半反应按照其 ϕƟ 值增大的顺序从上到下排列。原则上，表中任何两个电极反应所表示的 电极都可以组成原电池。位置在上的，即电极电势小的为负极，位置在下的，即电极电势大 的为正极。 Ɵ − Ɵ 即得 EƟ，正极的电极反应减去负极的电极反应即原电池的电池反应。 在电池反应中，正极的氧化型是氧化剂，它被还原成其还原型；而负极的还原型是还原剂， 被氧化成其氧化型。 电极电势高的电极，其氧化型的氧化能力强；电极电势低的电极，其还原型的还原能力 强。于是根据标准电极电势表，原则上可以判断一种氧化还原反应进行的可能性。 电极反应的实质是氧化型物质被还原的过程， ϕƟ 值越大表示氧化型物质越容易被还原。 这种电极电势被称为‘还原电势’ 。有些旧版的书中使用'氧化电势'，遇到时要注意。
《行政管理学》电子讲义第一章
21
（二）公共行政
1.行政这一提法的弊端
“政”，正：正确；攵：拿着鞭子抽打 （1）政府主导观念 （2）救世主观念 （3）职能“帝国主义”
22
2.公共行政所揭示的积极内涵
（1）行政管理的宗旨是为公共利益服务 （2）行政管理的基本职能是管理社会公 共事务 （3）行政管理的权力基础是“公共权力” 合法、合理、实际运用。
16
行政管理与管理的区别
（1）产生时间不同：管理的历史比行政更长。 行政管理的正式产生是在国家出现之后。 （2）活动外延不同：管理的外延更为宽泛。 （3）活动性质不同：管理更强调社会属性; 而行政是政治性、阶级性与社会性的统一。
17
2.广义的行政观：
认为行政是国家政治目标的执 行活动，它包括立法、行政、司法 等社会组织领域内特定组织的指挥 活动及机关内部的总务后勤工作。 （政治与行政分离）
4
第三，与管理相对应的行政。 一种观点认为，行政活动就是管理活动。如美国学者古立克 认为，行政是由计划（planning）、组织（organising）、 人事（staffing）、指挥（directing）、协调 （coordinating）、报告（reporting）和预算（budgeting） 等功能构成的一个过程，即著名的POSDCRB七功能说。另一种 观点认为，行政管理就是公共管理，或称公共行政，即有关 公共事务的管理。 它既包括政府对公共事务的管理，也包括非政府公共机构 对公共事务的管理。还有一种观点认为，行政管理仅仅指政 府行政机关的管理活动。按照这种观点，并非所有的公共事 务管理活动都是行政，只有政府行政机关对公共事务的管理 活动才是行政。
9
（二）多项选择题 1.从西方的学术传统来看，对“行政”的解释大致有（ ） A.与经济相对应的“行政” B.与政治相对应的“行政” C. 与立法、司法相对应的“行政” D.与管理相对应的“行 政” E.与公关相对应的“行政” 2.行政管理学的研究对象决定了其研究内容和范围有（ ） A.行政管理学的基本问题 B.行政环境和行政权力 C.行政职 能和行政管理机构 D.行政管理行为和行政管理过程 E.行政管 理方法和行政管理规范 3.行政管理学在美国正式产生并得到公认标志有（ ） A.1887年威尔逊发表《行政研究》一文 B.1900年古德诺发表 《政治与行政》 C.1910年韦伯出版《社会与经济组织理 论》 D.1926年怀特出版《行政学导论》 E.1927年魏洛比出版 《公共行政原理》
电化学讲义
题型四电化学考情分析五年大数据分析在2021年高考中，对于电化学的考查将继续坚持以新型电池及电解应用装置为背景材料，以题干（装置图）提供电极构成材料、交换膜等基本信息，基于电化学原理广泛设问，综合考查电化学基础知识及其相关领域的基本技能，包括电极与离子移动方向判断、电极反应式书写、溶液的酸碱性和pH变化、有关计算及其与相关学科的综合考查等。
预测以二次电池以及含有离子交换膜的电解池为背景的命题将成为热点题型，因为二次电池不仅实现电极材料循环使用，符合“低耗高效”的时代需求，而且命题角度丰富，便于同时考查原电池和电解池工作原理；含有离子交换膜的电解池设问空间大，便于考查考生的探究能力。
回归教材教材知识体系（对照一轮资料认真梳理）知识迁移能力（回归课本探寻问题本源练就“吓不死”神功）课本原图陌生装置图电池类型燃料电池电解池二次电池金属腐蚀完成习题后自己补充一下如何识破“纸老虎”在教材中找到问题本源并解决解题策略总体思路：什么池→什么极→什么反应→什么现象→电子离子流向→相关计算。
一、电极判断原电池：电解池二、盐桥的组成和作用（1）盐桥中装有饱和的KCl、KNO3等溶液和琼胶制成的胶冻。
（2）盐桥的作用：Ａ．连接内电路，形成闭合回路；Ｂ．平衡电荷，使原电池不断产生电流。
（3）一室电池缺点：由于氧化剂与还原剂直接接触，工作一段时间后，锌片表面观察到有少量红色铜析出，说明锌片表面存在腐蚀电流，该电池的效率不高，电池不工作时，锌片继续被氧化，使得该电池的可贮存时间不长。
（4）双室盐桥电池优点：利用盐桥防止氧化剂与还原剂直接接触，提高电池效率，延长电池的可贮存时间。
三、多室电解池（IE班一轮复习时编写的微专题，很有用很重要）多室电解池是利用离子交换膜将电解池隔成多个极室，借助离子交换膜的选择透过性，自动把产品分离开，得到的目标物质更加纯净，降低分离提纯的成本。
但多室电解池因交换膜多，离子转移复杂，进出物质种类繁多等因素，导致学生常常分析混乱。
电力电子技术讲义(超全讲解)
绪－22
4 教材的内容简介和使用说明
4.1 教材的内容简介
4.2 教材的使用说明
绪－23
4.1 教材的内容简介
《电力电子技术》 教材结构
第一部分 全书的基础
第二部分 全书的主体
第三部分 全书的深入
第2章 整流电路
第1章 电力电子器件 第3章 直流斩波电路 第4章 交流控制电路 和交交变频电路
第6 章 PWM控制技术 第7章 软开关技术
第5章 逆变电路
第8章 组合变流电路
绪－24
4.2 教材的使用说明
每章的最后有小结，对全章的要点和重点进行总 结。
教材正文后附有“教学实验”部分，精选了5个最 基本的，有较高实用价值的实验 。
书末附有“术语索引”。
课时分配：课内教学学时为48~56学时（包含实验， 每个实验2学时）。
电力电子技术是电能变换技术,是把粗电变为精电的技术， 能源是人类社会的永恒话题，电能是最优质的能源，
因此，电力电子技术将青春永驻。
一门崭新的技术，21世纪仍将以迅猛的速度发展。
绪－12
2 电力电子技术的发展史
历史是人类社会的一面镜子 分析过去、现在有助于把握未来
科学史是科学家的一面镜子
了解一门学科的过去、现在有助 于把握未来
二者同根同源。
绪－9
1.3 与相关学科的关系
与电力学（电气工程）的关系
电力电子技术广泛用于电气工程中
高压直流输电 电力机车牵引 静止无功补偿 交直流电力传动
电解、电镀、电加热、高性能交直流电源
国内外均把电力电子技术归为电气工程的一 个分支。 电力电子技术是电气工程学科中最为活跃的 一个分支。
绪－10
绪－13
电子讲义精简版
仅供课程学习使用！
工程中的振动问题
船舶与海洋工程领域
重型燃气轮机组是现代船舶重要动力系统组件，运转过程中往往产生强烈 振动，对于军用舰船直接影响隐身性能，威胁自身安全及战斗力。
！ 海洋平台是海洋石油天然气资源开发的基础性设施，长期处于恶劣海洋环 使用 境中，受风、浪、流、海冰、地震等自然环境作用，存在明显持续不断的 仅供课程学习 振动问题，影响平台正常工作。
上控制和对受体进行防护。
振动产生与传播的基本环节
振动控制措施的制定，要从振动控制指标、经济效益、技术可行性诸方面 综合平衡，以求得最佳效果!
仅供课程学习使用！
第2章 机械阻抗法
目录
§2.1 引言
co仅nt供en课t 程学§§§222...习342 使基系机本统械用元的阻！件机抗的械的机阻定械抗义阻抗
质量元件一端必须接“地”，并加一接地符号“
！ 持原有的物理连接方式。
” ，另一端则与其它元件保
使用 弹簧元件或黏性阻尼器元件若一端与固定端相连，则该端需要接“地” ；若不与 仅供课程学习 固定端相连，则仍保持原有的连接方式。
两种激励方式的SDOF系统机械网络图例
16
工程振动分析与控制基础—电子讲义精简版 第 17 页，共 120 页
工程振动分析与控制基础—电子讲义精简版 第 1 页，共 120 页
工程振动分析与控制基础
仅供课程学习使用！
吴成军 机械工程学院
装备智能诊断与控制研究所
仅供课程学习使用！
第1章 绪 论
目录 §1.1 振动的基本概念
co仅nt供en课t 程§§11学..23习工振使程动用中分的析！振方动法问题 §1.4 振动控制方法
电子版讲义-肿瘤(上)
肿 瘤1. 肿瘤的概念、肉眼形态、异型性及生长方式，转移的概念、途径及对机体的影响。
肿瘤生长的生物学、转移的概念、途径、对机体的影响，侵袭和转移的机制。
2. 肿瘤的命名和分类，良性肿瘤和恶性肿瘤的区别，癌和肉瘤的区别。
3. 肿瘤的病因学、发病机制、分级、分期。
4. 常见的癌前病变，非典型增生、异型增生、原位癌、上皮内瘤变、交界性肿瘤的概念。
5. 常见肿瘤的特点。
考试大纲恶性肿瘤死亡率（9版变动）一. 肿瘤概念肿瘤性增殖非肿瘤性增殖失去控制，引起肿瘤性增殖的初始因素已消除，仍能持续生长；细胞增殖受到控制，引起细胞增殖的原因消除后一般不在继续增生与机体不协调，对机体有害；符合机体需要的生物学过程；单克隆性；多克隆性；失去了分化成熟的能力；增殖的细胞或组织，能够分化成熟；肿瘤是机体的细胞异常增殖形成的新生物，常表现为机体局部的异常组织团块（肿块）。
肿瘤的大体形态1. 数目： 一位肿瘤患者可以只有一个肿瘤（单发肿瘤），也可以同时或先后发生多个原发肿瘤（多发肿瘤）。
2. 大小：肿瘤的体积差别很大。
3. 形状：肿瘤的形状可因其组织类型、发生部位、生长方式和良恶性质的不同而不同。
4. 颜色：肿瘤的颜色由组成肿瘤的组织、细胞及其产物的颜色决定5. 质地：肿瘤质地与其类型有关。
6. 与周围组织的关系（9版新增）：良性肿瘤可形成包膜，与周围组织常常分界清楚，恶性肿瘤多数向周围组织中浸润性生长致界限不清，也可推挤周围组织形成假包膜。
肿瘤的组织形态1. 肿瘤实质：肿瘤细胞，其细胞形态、组成的结构或其产物是判断肿瘤的分化方向、进行肿瘤组织学分类的重要依据。
2. 肿瘤间质：是影响肿瘤生物学行为的主要因素，由结缔组织、血管和淋巴细胞等组成，起着支持和营养肿瘤实质、参与肿瘤免疫反应等作用，肿瘤间质构成的微环境对肿瘤细胞生长、分化和迁移具有重要影响（9版变动）。
1991N65A 下述哪一项不符合肿瘤性增生A. 增生过程需致癌因素持续存在B. 相对无止境生长C. 细胞分化成熟能力下降D. 细胞分裂能力加强E. 常形成肿块1993N141X 肿瘤性增生的腺上皮细胞具有如下特点A. 分化成熟能力下降B. 可具有一定代偿功能C. 相对无止境生长D. 可具有分泌功能良性肿瘤与恶性肿瘤的区别良性肿瘤恶性肿瘤分化程度分化好，异型性小分化不好，异型性大核分裂无或稀少；无病理核分裂多见； 可见病理核分裂生长速度 缓慢较快生长方式膨胀性或外生性生长浸润性或外生性生长继发改变少见；常见转 移不转移常有转移复 发不复发或很少复发较多复发对机体影响主要为局部压迫或阻塞作用压迫、阻塞，破坏原发处和转移处的组织，坏死、出血、合并感染，恶病质、副肿瘤综合征良、恶行肿瘤的区别副肿瘤综合症：不能用肿瘤直接蔓延或远处转移加以解释的一些病变和临床表现，是由肿瘤的产物（如异位激素）或免疫反应（如交叉免疫）等原因间接引起。
电工学电子技术实验讲义.doc
实验一、集成运算放大器的基本应用一、实验目的1. 研究用集成运算放大器组成的比例求和电路的特点及性能。
2. 了解运算放大器在实际应用时应考虑的一些问题。
二、预习要求1. 复习集成运放线性应用部分内容，并根据实验电路参数计算各电路输出电压的理论值。
2. 在反相加法器中，如和均采用直流信号，并选定= －1 V ，当考虑到运算放大器的最大1i u 2i u 2i u 输出幅度（±12 V ）时，则的大小不应超过多少伏？1i u 3. 为了不损坏集成块，实验中应注意什么问题？三、实验原理集成运算放大器是一种具有高电压放大倍数的直接耦合多级放大电路。
当外部接入不同的线性或非线性元器件组成输入和负反馈电路时，可以灵活地实现各种特定的函数关系。
在线性应用方面，可组成比例、加法、减法、积分、微分和对数等模拟运算电路。
1.理想运算放大器特性在大多数情况下，将运放视为理想运放，就是将运放的各项技术指标理想化。
满足下列条件的运算放大器称为理想运放：开环电压增益 ；∞=Vd A 输入阻抗 ；∞=i R 输出阻抗 ；0=o R 带宽；∞=BW f 失调与漂移均为零等。
失调与漂移均为零等。
理想运放在线性应用时的两个重要特性：（1）输出电压与输入电压之间满足关系式o U)(-+-=U U A U Vd o 由于，而为有限值，因此，。
即，称为“虚短”。
∞=Vd A o U V U U 0≈--+-+≈U U （2）由于，故流进运放两个输入端的电流可视为零，即，称为“虚断”。
这∞=i R 0==-+i i 说明运放对其前级吸取电流极小。
上述两个特性是分析理想运放应用电路的基本原则，可简化运放电路的计算。
在应用集成运算放大器时，需要知道它的几个引脚的用途。
图4-0所示的是µA470集成运算放大器的外形、引脚和符号图，它有双列直插式[ 图4-0（a ）]和圆壳式两种封装。
这种运算放大器需要与外电路相接的是通过7个引脚引出的。
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第一章概論電子學的發展史(1) 真空管時期：（第一代電腦）1946年：以真空管組成第一部電腦。
真空管缺點：可靠度不佳、燈絲易斷，體積大，產生熱量大。
(2) 電晶體時期：（第二代電腦）電晶體特點：體積小、重量輕、低功率、性能優，可靠性高。
(3) 積體電路時期：（第三代電腦）積體電路（Integrated Circuit）簡稱IC：在微小的晶片（Chip）上，製造出電晶體、二極體、電阻等元件。
依積體電路含零件數不同，可分為下列幾個不同時期：積體電路的優點：1、體積與重量大幅度減少。
2、低功率消耗。
3、溫度穩定佳，可靠性增加。
4、可高速工作;5、元件容量大。
(4) 微電腦時期：（第四代電腦）由於VLSI技術進步，產品大多以微電腦方式控制，所以VLSI時期又稱為微電腦時期。
EX：製成積體電路晶片（IC Chips）的材料是。
（85）(A) 磷(B) 鋁(C) 矽(D) 鎂◆：目前絕大部份的IC晶片均採用矽（Si）為材料，少部份的CPU由於速度上的需求，才使用砷化鎵（GaAs）為材料。
EX：一般而言，邏輯閘數目最少的積體電路為。
（92）(A) LSI (B) MSI (C) SSI (D) VLSI◆詳解：不論邏輯閘數目或元件數目，其內含最少的積體電路皆為SSI（小型積體電路），而最多的則為VLSI。
第二章半導體與二極體§2-1 半導體半導體（Semiconductor）導電能力介於導體（具有高傳導率）與絕緣體（具有低傳導率）之間。
特性：(1) 載子濃度愈高，則電阻係數愈低。
(2) 載子移動率愈快，則電阻係數愈低。
(3) 呈負溫度係數，即溫度上升時，電阻係數下降。
(4) 電壓（V ）與電流（I）的關係呈非線性。
鍺（Ge）和矽（Si）的最外層軌道有四個價電子，皆屬四價元素。
砷化鎵（GaAs）電子移動速度較矽快，用於高頻場合（CPU、高頻無線通訊）。
本質半導體(1) 不摻入任何雜質半導體，稱本質半導體或純半導體，如純矽或純鍺。
(2) 在絕對零度（0︒K＝-273℃）時，如同一絕緣體（不導電）。
此時Si=1.21eV，Ge=0.78eV。
(3) 室溫（25℃）下，欲使共價鍵破裂所需之能量，Si=1.1eV，Ge=0.72eV。
(4)電子數與電洞數相等，故呈電中性。
雜質半導體在本質半導體中摻入微量（108:1）的3價或5價雜質，因而產生更多的電洞或電子，提高半導體的導電能力。
EX：對一處於絕對零度（0︒K）之本質半導體，在此本質半導體之兩端加一電壓；若此本質半導體並未發生崩潰，則在本質半導體內。
（90）(A) 有電子流，也有電洞流(B) 有電子流，但沒有電洞流(C) 沒有電子流，但有電洞流 (D) 沒有電子流，也沒有電洞流◆詳解：在0︒K 下，本質半導體如同絕緣體，所以沒有電子流與電洞流流動EX ：在本質半導體中，摻入下何項雜質元素，即可成為P 型半導體？（91）(A) 磷 (B) 硼 (C) 砷 (D) 銻◆詳解：(1)本質半導體（4價）＋ 3價雜質元素（硼、銦、鎵、鋁）共有7個價電子，少一個電子（可視為多一個電洞），故稱為P 型半導體。
(2)本質半導體（4價）＋ 5價雜質元素（磷、砷、銻）共有9個價電子，多一個電子，故稱為N 型半導體質量作用定律熱平衡下，正負載子濃度的乘積為定值，與摻雜的施體及受體雜質的份量無關。
即 N ⋅ P =Ni 2其中 N ：自由電子濃度P ：電洞濃度Ni ：本質濃度EX ：純矽半導體本質濃度N i =1.5⨯1010原子/cm 3，其密度為5⨯1022原子/cm 3，若每108個矽原子加入一個硼原子，則將成為何種類型半導體，又電子濃度為多少？◆ 詳解：(1)純矽半導體加入三價雜質（硼原子），每加入一個硼原子，即會多出一個帶正電的電洞∴電洞濃度P = 5⨯1022⨯8101=5⨯1014（電洞/cm 3） (2)依質量作用定律n ⨯ p =2i n 電子濃度2102514(1.510) 4.510510i n n p ⨯===⨯⨯（電子/cm 3）由於P >> n （電洞濃度遠大於電子濃度），故為P 型半導體§ 2-2 二極體的特性空乏區（depletion region ）當P型半導體與N型半導體結合時，接面附近的區域僅有不可自由移動的正負離子，有如絕緣體。
此一區域稱為空乏區（depletion region）。
障壁電壓（barrier potential）(1) 空乏區形成後，接合面N側帶正電，P側帶負電，此電位差即稱為障壁電壓（barrier potential）。
(2) PN二極體的障壁電壓（切入電壓），Ge=0.2V～0.3V，Si=0.6V～0.7V。
順向偏壓（forward bias）(1) 當外加電源的正極性接在P側，負極性接在N側，則稱為順向偏壓（forward bias）。
(2) 加順向偏壓時，空乏區寬度減少。
(3) 當外加順向電壓大於障壁電壓時，將產生順向電流，則順向電阻R f很小。
逆向偏壓（reverse bias）(1) 外加電源的負極性接在P側，正極性接N側，稱逆向偏壓（reversebias）。
(2) 加逆向偏壓時，空乏區寬度變大，障壁電壓增高。
(3) 仍有少數載子流動，稱逆向飽和電流Ico或漏電流。
PN 二極體（D ，diode ）的結構與符號(a)結構 (b)符號理想模式：只工作於順向導通（ON ）與逆向截止（OFF ）兩種狀態。
(a)順向導通狀態 (b)逆向截止狀態 (c)特性曲線定電壓模式：二極體順向偏壓時，只有順向電壓降Vd （矽二極體Vd ≒0.6V ～0.7V ，鍺二極體Vd ≒0.2V ～0.3V ），而逆向偏壓時，則如同理想模式（Rr =∞）。
(a)順向導電狀態 (b)逆向截止狀態 (c)特性曲線含順向電壓與內阻的模式：二極體順向偏壓時，除了順向電壓降Vd 外，尚含有順向電阻Rf ；而逆向偏壓時，則如同理想模式（Rr =∞）。
(a)順向導電狀態 (b)逆向截止狀態 (c)特性曲線實際模式：為真實二極體的情況，電流特性曲線為非線性的指數公式二極體的串、並聯應用(1) 二極體的串聯：提高最大的逆向耐壓原始電路 改良電路(2) 二極體的並聯：提高最大的順向電流原始電路 改良電路 EX ：圖之二極體在流通1mA 電流時，兩端的電壓差為0.7V ，若η =1且V T = 25mV ，則v D =? （92）)1(-=T D V V S D e I I η◆詳解：二極體的特性曲線方程式為I D =I S (T D V V e η-1)≒I S ⋅T DV V e η(1)由題目（I D =1mA ，V D =0.7V ，η =1，V T =25mV ）可得1mA=I S ⋅25mV 0.7Ve (1)(2)由題目的電路圖可知──兩並聯二極體的總電流為20mA ，所以流過單一個二極體的電流I D =220=10(mA)，故得10mA=I S ⋅25mV DV e …(2) (3)式)2(式)1(= 25mV 25mV 0.7V mA 10mA1D V S S e I e I ⋅⋅= m25m 257.0101D V e -=10-1=m 257.0D V e -……兩邊分別取ln ，得-1 ln10=m 257.0DV -……查表得ln10=2.303-2.303⨯25m=0.7-V D得V D =0.7+2.303⨯25⨯10-3=0.757575(V)EX ：在圖所示之理想二極體電路中，若R =1k Ω，則流經此電阻的電流為何？（92）◆詳解：(1)當只有1V 的電壓時，D 1 ON ，所以V R =1V(2)當有1V 與3V 的電壓時，D 2 ON ，D 1 OFF ，所以V R =3V(3)同理，當有1V 、3V 與5V 的電壓時，D 3 ON ，D 1、D 2皆OFF ， 所以V R =5V故I R =k 15=R V R=5(mA)EX ：圖 之迴路中，D 1、D 2為矽二極體，則I 2=？ （89） ◆詳解：(1)由於D 1、D 2皆順向導通，且為矽二極體，所以其等效電路如下(2)k 6.527.020⨯-=T I =3.32(mA) (3).3k 37.01=I =0.21(mA)(4)I 2 =I T -I 1=3.11(mA)EX ：如圖，D 1與D 2為理想二極體，為了使輸出電壓V o 的值隨輸入V i 之增大而變大，需選擇V i 之（下限，上限）為？（89）◆詳解：(1)若V i =0時，D 1 OFF ，D 2 ON ，⨯-=)15(A V k 1k 1k1++1=3(V)故V i ≥3V ，才能使D 1 ON ，V o 值將隨V i 增大而變大，此為其下限電壓(2)若V A >5V ，D 2 OFF ，V o 將為定值（5V ），故V i 之上限電壓為(V i -1)⨯k 1k 1k1++1=V A =5(V)(V i -1)⨯21=4，故V i =9(V)二極體的編號 （92）（1）1N4001~1N4007：整流二極體（2）1N4148：偏壓與溫度補償二極體（3）1N60：檢波二極體§ 2-3 二極體的功用二極體依功能和作用的不同，可分下列幾種：(1) 檢波二極體：適用於高頻檢波電路。
(2) 整流二極體：適用於低頻整流電路。
(3) 偏壓二極體：適用於音響電路。
(4) 開關二極體：適用於控制電路。
(5) 保護、溫度補償與防止雜訊。
二極體具有單向導電的特性，主要作為檢波、整流和截波之用，但不能作放大器。
§ 2-4 稽納二極體（Zener Diode ）稽納二極體(1) 又稱崩潰二極體（breakdown diode ）或參考二極體（reference diode ）。
(2) 專門工作於逆向崩潰電壓，沒有負電阻特性。
(3) 功用：具有穩壓的作用，可作電壓調整器（voltage regulator ），比較電壓的參考元件和截波網路（chipping network ）。
(4) 符號：稽納二極體特性當稽納二極體兩端的電壓小於V Z 時，稽納二極體是呈現開路（斷路，I Z =0）狀態。
當稽納二極體兩端的電壓大於（或等於）V Z 時，稽納二極體崩潰導通，其端電壓等於V Z ，所以具穩壓作用。
開路狀態（V kA <V Z ） 導通狀態（V kA ≥V Z ） EX ：如圖所示電路，假設稽納（Zener ）二極體之r Z =20Ω，I ZK =2mA ，V Z =6.7V ，試求稽納二極體能適當工作在崩潰區之最小負載電阻值R L =？(90)◆詳解：(1)稽納二極體（Zener Diode ）正常工作的最小崩潰電壓為 V ZD =V Z +r Z ⨯I ZK =6.7+20⨯2⨯10-3=6.74(V)當 V RL ≥V ZD V Z =6.7V 時，稽納二極體才能正常工作所以L L R R R +⨯12≥ V Z L LR R +⨯k 5.012≥ 6.7 得R L ≥ 0.63k ΩEX ：圖中V in =20V 、R s =1k Ω，稽納二極體D Z 的參數為V Z =9.3V 、I ZK =1mA 及I ZM =6mA ，若忽略其稽納電阻，且二極體D1之膝點電壓（knee voltage ）為0.7V ，則可讓稽納二極體D Z 正常運作之最低負載電阻R L = ?（92）◆詳解：(1)稽納二極體正常運作（導通）後 V RL =V D 1+V Z =0.7+9.3=10(V)I RS =k 11020-=-S RLin R V V =10(mA)(2)由於使稽納二極體正常運作的最小電流I ZK =1mA故I RL (max)=I RS -I ZK =10-1=9(mA)所以讓稽納二極體正常運作的最低負載電阻R L (min) =9mA 10V(max)=RL RLI V ≒1.11k Ω§ 2-5 其他二極體發光二極體（Light Emitting Diode ）(1) 簡稱LED(2) 符號：(3) 工作於順向偏壓。