模拟电子技术自测题一

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模拟电路自测题

+5V +15V +15V
RB 51k
RC 2k VD
RB1 15k
RC 2k
RB1 60k
RC 2k
β=30 β=30
RB2 51k RB2 40k
UBE=0.75V
RE 3k
(a)
(b) 图4
(c)
2．图 5 所示电路，分别计算更换晶体管，β 值由 20 变至 100，静态工作点电流、电压的绝对值及变化百分数。图中器件为硅管。 3．图 6 所示电路为一乙类推挽功率输出级简化电路，输入信号 ui 为正弦波，要
A 中，A、B 符号___________时为负反馈，当满足 1 + AB
___________时，为深负反馈。 12．采用 BJT 管的通用集成运算放大器的输入级一般是_____________电路，而输出级一般是_____________电路。 13．本征半导体中掺入微量_________价元素，空穴浓度将大大增加，这种半导体称为________型半导体。 14．图(1)中 T1 不能工作在放大区的原因是_______________________；图(2)中 T2 不能工作在放大区的原因是_______________________。
I B ， I C 及 U CE 分别为多少。
2．图 4 所示是某绝缘栅场效应管的转移特性，图中查得原始沟道漏极电流 I DSS = 7.7mA ，夹断图3 电压 U GS ( off ) = -8V。试问： (1) 该场效应管是何种类型？画出其电路符号，标明漏极电流方向及各电极电源极性。 (2) 试求 U GS = −2V 时工作点 Q 的漏极电流 ID 及跨导 gm。
模拟电子技术基础
练习一

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、U O1≈ U O2＝0 U O3≈－ U O4≈2V U O5≈ U O6≈－2V四、U O1＝6V U O2＝5V五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。

图略。

六、1、V2V mA6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O ＝U CE ＝2V 。

2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝，所以Ω≈-====-=k 4.45V μA 6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。

习题（1）A C （2）A （3）C （4）A不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为时管子会因电流过大而烧坏。

u i 和u o 的波形如图所示。

ttttu i和u o的波形如图所示。

u o的波形如图所示。

I D＝（V－U D）/R＝，r D≈U T/I D＝10Ω，I d＝U i/r D≈1mA。

（1）两只稳压管串联时可得、、和14V等四种稳压值。

（2）两只稳压管并联时可得和6V等两种稳压值。

I ZM＝P ZM/U Z＝25mA，R＝U Z/I DZ＝～Ω。

（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。

故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。

模拟电子技术基础(第四版)习题解答

第1章经常使用半导体器件之老阳三干创作自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”暗示判断结果填入空内.(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体.( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电.( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零.( √)(4)处于缩小状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的.(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才干包管其R大的特GS点.( √)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零,则其GS输入电阻会明显变小.(×)二、选择正确答案填入空内.(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A .(2)稳压管的稳压区是其任务在 C .(3)当晶体管任务在缩小区时,发射结电压和集电结电压应为 B .A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) UGS=0V时,能够任务在恒流区的场效应管有A 、C .A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压UD=0.7V.图T1.3解：UO1=1.3V, UO2=0V, UO3=-1.3V, UO4=2V, UO5=1.3V, UO6=-2V.四、已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA.求图Tl.4 所示电路中UO1和UO2各为多少伏.(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管任务在击穿状态,故UO1=6V.右图中稳压管没有击穿,故UO2=5V.五、电路如图T1.5所示,VCC=15V,=100,UBE=0.7V.试问： (1)Rb=50k时,Uo=?(2)若T 临界饱和,则Rb=?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==,2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=(2)∵ 2.86CC BECS cV U I mA R -==, /28.6BS CS I I A βμ==∴45.5BB BEb BSV U R k I -==Ω六、测得某缩小电路中三个MOS 管的三个电极的电位如表Tl.6 所示,它们的开启电压也在表中.试阐发各管的任务状态（截止区、恒流区、可变电阻区）,并填入表内.解：因为三只管子均有开启电压,所以它们均为增强型MOS 管.按照表中所示各极电位可判断出它们各自的任务状态,如表Tl.6最后一栏所示.习题1.1选择合适答案填入空内.(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体.(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) .(3)任务在缩小区的某三极管,如果当IB 从12 uA 增大到22 uA 时,IC 从lmA 变成2mA ,那么它的β约为( C ).A.83B.91C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流ID 从2mA 变成4mA 时,它的低频跨导gm 将( A ) .1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V),试画出i u 与o u 的波形.设二极管导通电压可忽略不计.解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示.1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V),二极管导通电压UD=0.7V.试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值.解：波形如解图Pl.3所示.1.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压UD=0.7V,常温下mV U T26≈,电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波,有效值为10mV.试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1d i D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管,稳压值辨别是6V 和8V,正向导通电压为0.7V.试问：(1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值？各为多少？(2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V.(2)并联相接可得2种：0.7V ；6V.1.6 已知图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压6Z U V =,最小稳定电流min 5Z I mA =,最大稳定电流max 25Z I mA =.(1)辨别计算I U 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压O U 的值；(2)若35I U V =时负载开路,则会出现什么现象？为什么？解：(1)只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时,输出电压才为6V. ∴VU I10=时,VU R R R U I LLO 3.3=+=；VU I 15=时,5LO I LR U U V R R ==+；VU I 35=时,11.7LO I Z LR U U V U R R =≈>+,∴V U U Z O 6==.(2)当负载开路时,mA I mA RU U I Z ZI Z2529max =>=-=,故稳压管将被烧毁.1.7 在图Pl.7 所示电路中,发光二极管导通电压UD =1.5V ,正向电流在5~15mA 时才干正常任务. 试问：(1)开关S 在什么位置时发光二极管才干发光？(2)R 的取值规模是多少？解：(1)S 闭合. (2) R 的规模为:max min ()/700D D R V U I =-≈Ω1.8现测得缩小电路中两只管子两个电极的电流如图P1.8所示.辨别求另一电极的电流,标出其标的目的,并在圆圈中画出管子,且辨别求出它们的电流缩小系数β.(a) (b) (a) (b)解：答案如解图Pl.8所示.缩小倍数辨别为1/10100a mA A βμ==和5/10050b mA A βμ==1.9测得缩小电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示.在圆圈中画出管子,并说明它们是硅管还是锗管.解:如解图1.9.1.10电路如图P1.10所示,晶体管导通时0.7BE U V =,β=50.试阐发BB V 为0V 、1V 、3V 三种情况下T 的任务状态及输出电压O u 的值.解： (1)当0BB V =时,T 截止,12O u V =.(2)当1BB V V =时,因为9O CC CQ c u V I R V =-=所以T 处于缩小状态.(3)当3BB V V=时,因为460BB BEQBQ bV U I A R μ-==,2311.3CC CESCQ BQ CS cV U I I mA I mA R β-====, 所以T 处于饱和状态.1.11电路如图Pl.11所示,晶体管的β=50 ,0.2BE U V =,饱和管压降0.1CES U V =；稳压管的稳定电压5Z U V =, 正向导通电压0.5D U V =.试问：当0I u V =时O u =？；当5I u V =-时O u =？解：当0I u V =时,晶体管截止,稳压管击穿,5O Z u U V =-=-.当5I u V =-时,晶体管饱和,0.1O u V =-.480I BEB bu U I A R μ-==,24C B I I mAβ==,EC CC C c U V I R =-<1.12辨别判断图Pl.12 所示各电路中晶体管是否有可能任务在缩小状态.(a) (b)(c)(d) (e)解：(a)可能；(b)可能；(c)不克不及；(d)不克不及,T 的发射结会因电流过大而损坏.(e)可能.1.13已知缩小电路中一只N沟道场效应管三个极① 、② 、③ 的电位辨别为4V 、8V 、12V ,管子任务在恒流区.试判断它可能是哪种管子（结型管、MOS 管、增强型、耗尽型）,并说明① 、② 、③ 与G 、S 、D 的对应关系.解：管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管,三个极① 、② 、③ 与G 、S 、D 的对应关系如解图Pl.13 所示.1.14已知场效应管的输出特性曲线如图Pl.14所示,画出它在恒流区的转移特性曲线.图Pl.14 (a) (b)解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图Pl.14 (a)所示),读出其与各条曲线交点的纵坐标值及GS u 值,建立()D GS i f u =坐标系,描点,连线,即可得到转移特性曲线,如解图Pl.14 (b)所示.1.15电路如图P1.15所示,T 的输出特性如图Pl.14所示,阐发当I u =4V 、8V 、12V 三种情况下场效应管辨别任务在什么区域.GS I u u =.当I u =4V 时,GS u 小于开启电压,故T 截止.当I u =8V 时,设T 任务在恒流区,按照输出特性可知0.6D i mA ≈,管压降10DS DD D d u V i R V ≈-≈,因此,2GD GS DS u u u V =-≈-,小于开启电压,当I u =12V 时,由于12DD V V =,必定使T 任务在可变电阻区.l.16辨别判断图Pl.16 所示各电路中的场效应管是否有可能任务在恒流区.(a) (b)(c) (d)解：(a)可能,(b)不克不及,(c)不克不及,(d)可能.弥补1.电路如补图P1(a)、(b)所示,稳压管的稳定电压3Z U V =, R 的取值合适,I u 的波形如图(c)所示.试辨别画出1O u 和2O u 的波形.(a) (b)(c)补图P1解：波形如下图所示2,CBO I A μ=试问温度是60oC 时的=CBO I ？解:44602022232CBO CBO I I A μ=⨯=⨯=.弥补 3.有两只晶体管,一只的β=200 ,200CEO I A μ=；另一只的β=100 , 10CEO I A μ=,其它参数大致相同.你认为应选用哪只管子？为什么？解：选用β=100 , 10CEO I A μ=的管子,因其β适中,CEO I 较小,因而温度稳定性较另一只管子好.弥补4.电路如补图P4所示,试问β大于多少时晶体管饱和？解：取CES BE U U =,若管子饱和, 则CC BE CC BE b c V U V U R R β--⋅=, 即b c R R β=所以,100b cR R β≥=时,管子饱和.补图P4第2章基本缩小电路自测题一．在括号内用“√”和“×”标明下列说法是否正确.1.只有电路既缩小电流又缩小电压,才称其有缩小作用.(×)2.可以说任何缩小电路都有功率缩小作用.(√)3.缩小电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的.(×)4.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的.(×)5.缩小电路必须加上合适的直流电源才干正常任务.(√)6.由于缩小的对象是变更量,所以当输入直流信号时,任何缩小电路的输出都毫无变更.(×)7.只要是共射缩小电路,输出电压的底部失真都是饱和失真.(×)二．试阐发图T2.2各电路是否能缩小正弦交流信号,简述理由.设图中所有电容对交流信号均可视为短路.(a) (b)(c)(d) (e)(f)(g) (h) (i)解：图(a)不克不及.VBB 将输入信号短路.图(b)可以.图(c)不克不及.输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系.图(d)不克不及.晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁.图(e)不克不及.输入信号被电容C2短路.图(f)不克不及.输出始终为零.图(g)可能.图(h)不合理.因为G-S 间电压将大于零.图(i)不克不及.因为T 截止.三．在图T2.3 所示电路中,已知12CC V V =, 晶体管β=100,'100b R k =Ω.填空：要求先填文字表达式后填得数.(1)当0i U V =时,测得0.7BEQ U V =,若要基极电流20BQ I A μ=, 则'b R 和W R 之和b R =( ()/CC BEQ BQ V U I - )k Ω≈( 565 )k Ω；而若测得6CEQ U V =,则c R =( ()/CC CEQ BQ V U I β- )≈( 3 )k Ω.(2)若测得输入电压有效值5i U mV =时,输出电压有效值'0.6o U V =,则电压缩小倍数u A =( /o i U U - )≈( -120 ). 若负载电阻L R 值与c R负载后输出电压有效值o U =( 'L o L cR U R R ⋅+ )=( 0.3 )V. 四、已知图T2.3 所示电路中12,3CC c V V R k ==Ω,静态管压降6,CEQ U V =并在输出端加负载电阻L R ,其阻值为3k Ω.选择一个合适的答案填入空内.(1)该电路的最大不失真输出电压有效值om U ≈( A )；A.2VB.3VC.6V(2)当1i U mV =时,若在不失真的条件下,减小Rw ,则输出电压的幅值将( C )；(3)在1i U mV =时,将Rw 调到输出电压最大且恰好不失真,若此时增大输入电压,则输出电压波形将( B )；(4)若发明电路出现饱和失真,则为消除失真,可将( B ).A.Rw 减小B.c R 减小 V 减小五、现有直接耦合基本缩小电路如下：它们的电路辨别如图 2.2.1 、2.5.1(a)、2.5.4 (a)、2.6.2 和 2.6. 9(a)所示；设图中e b R R ,且CQ I 、DQ I 均相等.选择正确答案填入空内,只需填A 、B 、……(l)输入电阻最小的电路是( C ),最大的是( D 、E )；(2)输出电阻最小的电路是( B )；(3)有电压缩小作用的电路是( A 、C 、D )；(4)有电流缩小作用的电路是( A 、B 、D 、E )；(5)高频特性最好的电路是( C )；(6)输入电压与输出电压同相的电路是( B、C、E )；反相的电路是( A、D ).六、未画完的场效应管缩小电路如图T2.6所示,试将合适的场效应管接入电路,使之能够正常缩小.要求给出两种计划.解：按照电路接法,可辨别采取耗尽型N沟道和P沟道MOS管,如解图T2.6 所示.习题2.1 辨别更正图P2.1 所示各电路中的错误,使它们有可能缩小正弦波信号.要求保存电路原来的共射接法和耦合方法.(a) (b)(c) (d)解：(a)将-VCC改成+VCC.(b)在+VCC与基极之间加Rb.(c)将VBB 反接,且在输入端串联一个电阻.(d)在VBB 支路加Rb,在-VCC 与集电极之间加Rc.2.2画出图P2.2所示各电路的直流通路和交流通路.设所有电容对交流信号均可视为短路.(a) (b)(c) (d)解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路,图略.图P2.2所示各电路的交流通路如解图P2.2所示；(a) (b)(c) (d)2.3辨别判断图P2.2(a)、 (b)所示两电路各属哪种缩小电路,并写出u i o Q A R R 、、和的表达式.解：图 (a):123(1)CC BEQ BQ V U I R R R β-=+++,CQ BQ I I β=,(1)CEQ CC BQ c U V I R β=-+.23//u beR R A r β=-,1//i be R r R =,23//o R R R =图(b)：[]223123()///(1)BQ CC BEQ R I V U R R R R R β=-+++,CQ BQ I I β=,41CEQ CC CQ EQ U V I R I R =--.4u beR A r β=,1//1be i r R R β=+,4o R R =.2.4 电路如图P2.4 (a)所示,图(b)是晶体管的输出特性,静态时0.7BEQ U V =.利用图解法辨别求出L R =∞和3L R k =Ω时的静态任务点和最大不失真输出电压om U （有效值）.(a) (b)图P2.4解：空载时：20,2,6BQ CQ CEQ I A I mA U V μ===；最大不失真输出电压峰值约为 5.3V ,有效值约为3.75V .带载时：20,2,3BQ CQ CEQ I A I mA U V μ===；最大不失真输出电压峰值约为 2.3V ,有效值约为1.63V .如解图P2.4 所示.2.5在图P2.5所示电路中,已知晶体管的β=80,ber =1kΩ,20i U mV=,静态时0.7BEQ U V =,4CEQ U V =,20BQ I A μ=.判断下列结论是否正确,在括号内打“√”和“×”暗示.(1)342002010u A -=-=-⨯(×)(2)45.710.7u A =-=- (×) (3)8054001u A ⨯=-=- (×)(4)80 2.52001u A ⨯=-=- (√) (5)20120i R k k =Ω=Ω (×)(6)0.7350.02i R k k =Ω=Ω (×) (7)3i R k ≈Ω(×)(8)1i R k ≈Ω(√)(9)5O R k =Ω(√)(10) 2.5O R k =Ω (×) (11)20S U mV≈ (×)(12)60S U mV ≈(√)2.6电路如图P2.6所示,已知晶体管β=120,UBE=0.7V,饱和管压降UCES=0.5V.在下列情况下,用直流电压表丈量晶体管的集电极电位,应辨别为多少？(1)正常情况；(2)Rb1短路；(3)Rb1开路；(4)Rb2开路；(5)Rb2短路；(6)RC 短路；解:(1)2117416311CC BE BEB b b V U U I A R R μ-=-=-=,1.32C B I I mA β==,∴8.3C CC C c U V I R V =-=.(2) Rb1短路,0==B C I I ,∴15CU V =.(3) Rb1开路,临界饱和基极电流23.7CC CESBS cV U I A R μβ-=≈,实际基极电流2174CC BEB b V U I A R μ-==.由于B BS I I >,管子饱和,∴V U U CES C5.0==.(4) Rb2开路,无基极电流,15C CC U V V ==. (5) Rb2短路,发射结将烧毁,C U 可能为15V . (6) RC 短路, 15C CC U V V ==.2.7电路如图P2.7所示,晶体管的β=80 ,'100bb r =Ω.辨别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q点、u A 、i R 和o R .解：在空载和带负载情况下,电路的静态电流、be r 均相等,它们辨别为：空载时,静态管压降、电压缩小倍数、输入电阻和输出电阻辨别为：6.2CEQ CC CQ c U V I R V =-≈； 308cu beR A r β=-≈-// 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω； 93beus u be sr A A r R ≈⋅≈-+3L R k =Ω时,静态管压降、电压缩小倍数辨别为： // 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω5o c R R k ==Ω.2.8若将图P2.7 所示电路中的NPN 管换成PNP 管,其它参数不变,则为使电路正常缩小电源应作如何变更？Q 点、u A 、i R 和o R 变更吗？如变更,则如何变更？若输出电压波形底部失真,则说明电路产生了什么失真,如何消除？解：由正电源改成负电源；Q 点、u A 、i R 和oR 不会变更；输出电压波形底部失真对应输入信号正半周失真,对PNP 管而言,管子进入截止区,即产生了截止失真；减小Rb.2.9已知图P2.9所示电路中,晶体管β=100,be r =1.4kΩ.(1)现已测得静态管压降UCEQ=6V,预算Rb ；(2)若测得i U 和oU 的有效值辨别为1mV 和100mV,则负载电阻RL 为多少？解：(1)mA R U V I cCECC C2=-=,A I I C B μβ20/==, ∴Ω=-=k I U V R BBE CC b 565.(2)由(//)100o c L u i beU R R A U r β=-=-=-,可得: 2.625L R k =Ω2.10在图P2.9所示电路中,设静态时2CQ I mA =,晶体管饱和管压降0.6CES U V =.试问：当负载电阻L R =∞和3L R k =Ω时,电路的最大不失真输出电压各为多少伏？解：由于2CQ I mA =,所以6CEQ CC CQ c U V I R V =-=. 空载时,输入信号增大到一定幅值,电路首先出现饱和失真.故3L R k =Ω时,当输入信号增大到一定幅值,电路首先出现截止失真.故2.11电路如图P2.11所示,晶体管β=100,b b r '=100Ω.(1)求电路的Q 点、uA 、i R 和o R ； (2)若改用β=200的晶体管,则Q 点如何变更？ (3)若电容Ce 开路,则将引起电路的哪些动态参数产生变更？如何变更？解：(1)静态阐发：e (R ) 5.7CEQ CC EQ cf U V I R R V =-++=动态阐发：'26(1)2.73be bb EQmVr r k I β=++≈Ω (2)β=200时,1122b BQ CC b b R U V VR R =⋅=+（不变）；1BQ BEQ EQ f eU U I mA R R -==+（不变）；51EQ BQ I I A μβ==+（减小）；e (R ) 5.7CEQ CC EQ cf U V I R R V =-++=（不变）.(3) Ce 开路时,(//)// 1.92(1)()c L c Lu be e f e fR R R R A r R R R R ββ=-≈-=-++++（减小）；12////[(1)()] 4.1i b b be e f R R R r R R k β=+++≈Ω（增大）； 5o c R R k ==Ω（不变）.2.12 电路如图P2.12所示,晶体管的β=80,be r =1kΩ.(1)求出Q 点； (2)辨别求出RL=∞和RL=3kΩ时电路的u A 、i R 和o R .解：(1)求解Q 点：(2)求解缩小倍数和输入、输出电阻： RL=∞时；(1)0.996(1)eu be eR A r R ββ+=≈++RL=3kΩ时；(1)(//)0.992(1)(//)e L u be e L R R A r R R ββ+=≈++输出电阻：////371s b beo e R R r R R β+=≈Ω+2.13 电路如图P2.13 所示,晶体管的β=60 ,'100bb r =Ω.(1)求解Q 点、uA 、i R 和o R (2)设Us = 10mV （有效值）,问?i U =,?o U = 若C3开路,则?i U =,?o U =解：(1) Q 点：1.86CQ BQ I I mA β=≈uA 、i R 和o R 的阐发： '26(1)952be bb EQmVr r I β=++≈Ω,(//)95c L u beR R A r β=-≈-//952i b be R R r =≈Ω,3o c R R k ==Ω.(2)设Us = 10mV （有效值）,则3.2ii s s iR U U mV R R =⋅=+；304o u i U A U mV =⋅=若C3开路,则：//[(1)]51.3i b be e R R r R k β=++≈Ω,// 1.5c Lu eR R A R ≈-≈- 9.6ii s s iR U U mV R R =⋅=+,14.4o u i U A U mV =⋅=.2.14 更正图P2.14 所示各电路中的错误,使它们有可能缩小正弦波电压.要求保存电路的共漏接法.(a) (b)(c) (d)解：(a)源极加电阻RS ； (b)漏极加电阻RD ；(c)输入端加耦合电容； (d)在Rg 支路加−VGG, +VDD 改成−VDD更正电路如解图P2.14所示.(a)(b)(c) (d)解图P2.142.15已知图P2.21 (a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性辨别如图(b)、(c)所示. (1)利用图解法求解Q 点；(2)利用等效电路法求解uA 、i R 和o R . (a)(b) (c)解：(1)在转移特性中作直线GS D s u i R =-,与转移特性的交点即为Q 点；读出坐标值,得出1,2DQ GSQ I mA U V ==-.如解图P2.15(a)所示.(a) (b)在输出特性中作直流负载线()DS DD D d s u V i R R =-+,与2GSQ U V =-的那条输出特性曲线的交点为Q点,3DSQ U V ≈.如解图P2.21(b)所示.(2)首先画出交流等效电路（图略）,然后进行动态阐发.5u m d A g R =-=-； 1i g R R M ==Ω；5o d R R k ==Ω2.16已知图P2.16(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示.求解电路的Q 点和u A .(a) (b)图P2.16解：(1)求Q 点：按照电路图可知,3GSQ GG U V V ==.从转移特性查得,当3GSQ U V =时的漏极电流：1DQ I mA =因此管压降 5DSQ DD DQ d U V I R V =-=.(2)求电压缩小倍数：∵2/m g mA V ==, ∴20u m d A g R =-=-2.17电路如图P2.17 所示.（1）若输出电压波形底部失真,则可采纳哪些措施？若输出电压波形顶部失真,则可采纳哪些措施？（2）若想增大u A ,则可采纳哪些措施？解：（1）输出电压波形底部失真,类似于NPN 型三极管的饱和失真,应降低Q,故可减小R2或增大R1、RS ；若输出电压波形顶部失真,则与上述相反,故可增大R2或减小R1、RS.（2）若想增大u A ,就要增大漏极静态电流以增大m g ,故可增大R2或减小R1、RS.2.18图P2.18中的哪些接法可以组成复合管？标出它们等效管的类型（如NPN 型、PNP型、N 沟道结型…… )及管脚(b 、e 、c 、d 、g 、s ) .(a) (b) (c) (d)(e) (f) (g)图P2.18解：(a)不克不及.(b)不克不及.(c)组成NPN 型管,上端为集电极,中端为基极,下端为发射极.(d)不克不及.(e)不克不及.(f)组成PNP 型管,上端为发射极,中端为基极,下端为集电极.(g)组成NPN型管,上端为集电极,中端为基极,下端为发射极.第3章多级缩小电路自测题一、现有基本缩小电路：按照要求选择合适电路组成两级缩小电路.(1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ,电压缩小倍数大于3000 ,第一级应采取( A ),第二级应采取( A ).(2)要求输入电阻大于10MΩ,电压缩小倍数大于300 ,第一级应采取( D ),第二级应采取( A ).(3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ,电压缩小倍数数值大于100 , 第一级应采取( B ),第二级应采取( A ).(4)要求电压缩小倍数的数值大于10 ,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω,第一级应采取( D ),第二级应采取( B ).(5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且1000o ui iU A I =>,输出电阻Ro ＜100 ,第一级应采取采取( C ),第二级应( B ).二、选择合适答案填入空内.(1)直接耦合缩小电路存在零点漂移的原因是( C、D ).A．电阻阻值有误差B．晶体管参数的分离性C．晶体管参数受温度影响 D．电源电压不稳(2)集成缩小电路采取直接耦合方法的原因是( C ).A．便于设计B．缩小交流信号 C．不容易制作大容量电容(3)选用差动缩小电路的原因是( A ).A．克服温漂 B．提高输入电阻 C．稳定缩小倍数(4)差动缩小电路的差模信号是两个输入端信号的( A ),共模信号是两个输入端信号的( C ).(5)用恒流源取代长尾式差动缩小电路中的发射极电阻,将使单端电路的( B ).A ．差模缩小倍数数值增大B ．抑制共模信号能力增强 C ．差模输入电阻增大(6)互补输出级采取共集形式是为了使( C ).三、电路如图T3·3所示,所有晶体管均为硅管,β均为200,'200bb r =Ω,静态时0.7BEQ U V ≈.试求： (1)静态时Tl 管和T2管的发射极电流.(2)若静态时0O u >,则应如何调节Rc2的值才干使0O u =？若静态0O u =V,则Rc2=？,电压缩小倍数为多少？解：(1)T3管的集电极电流333()/0.3C Z BEQ E I U U R mA =-=静态时Tl 管和T2管的发射极电流120.15E E I I mA ==(2)若静态时0O u >,则应减小Rc2.当0I u = 时0O u =, T4管的集电极电流44/0.6CQ EE c I V R mA ==.Rc2的电流及其阻值辨别为：242420.147c CQ R C B C I I I I I mA β=-=-=,电压缩小倍数求解过程如下：'2226(1)35be bb EQ mV r r k I β=++≈Ω图T3·3习题3.1判断图P3.1所示各两级缩小电路中T1和T2管辨别组成哪种基本接法的缩小电路.设图中所有电容对于交流信号均可视为短路.(a) (b)(c)(d)(e)(f)图P3.1解：(a)共射,共基 (b)共射,共射 (c)共射,共射(d)共集,共基 (e)共源,共集(f)共基,共集3.2 设图P3.2所示各电路的静态任务点均合适,辨别画出它们的交流等效电路,并写出u A 、i R 和o R 的表达式.(a) (b)(c) (d)解：(1)图示各电路的交流等效电路如解图P3.2所示.(2)各电路的u A 、i R 和o R 的表达式辨别为：(a)：[]{}122232311223//(1)(1)(1)be u be be R r R R A R r r R ββββ+++=-⋅+++； 11i be R R r =+； 2232//1be o r R R R β+=+ (b)：123224112322(1)(////)()(1)(////)be u be be be R R r R A r R R r r βββ+=+⋅-++ 111232//[(1)(////)]i be be R R r R R r β=++； 4o R R =(c)：1222231122{//[(1)]}[](1)be d u be be dR r r R A r R r r ββββ++=-⋅-+++ 11i be R R r =+； 3o R R =(d)：2846722[(//////)]()u m be be R A g R R R r r β=-⋅-123//i R R R R =+；8o R R = (a)(b)(c)(d)3.3基本缩小电路如图P3.3(a)、(b)所示,图(a)虚线框内为电路Ⅰ,图(b)虚线框内为电路Ⅱ.由电路Ⅰ、Ⅱ组成的多级缩小电路如图(c)、(d)、(e)所示,它们均正常任务.试说明图(c)、(d)、(e)所示电路中(1)哪些电路的输入电阻较大；(2)哪些电路的输出电阻较小；(3)哪个电路的电压缩小倍数最大.(a)(b)(c)(d)(e)解：(1)图(d)、(e)所示电路的输入电阻比较大；(2)图(c)、(e)所示电路的输出电阻比较小；(3)图(e)所示电路的电压缩小倍数最大.3.4电路如图P3.l (a) (b)所示,晶体管的β均为150 ,ber均为2kΩ,Q点合适.求解u A、i R和o R.解：在图(a)所示电路中∵2121111beuberArββ⋅+=-≈-；2322225ubeRArβ==；∴12225u u uA A A=⋅≈-121//// 1.35i beR R R r k=≈Ω；33oR R k==Ω.在图(b)所示电路中 ∵11211(//)136be u be R r A r β⋅=-≈-；242275u be R A r β=-=-∴1210200u u u A A A =⋅≈5231(//)//2i be R R R R r k =+≈Ω； 41o R R k ==Ω3.5电路如图P3.l(c)、(e)所示,晶体管的β均为200 , be r 均为3k Ω.场效应管的gm 为15mS ; Q 点合适.求解u A 、i R 和o R .解：在图(c)所示电路中13211(//)125be u be R r A r β⋅=-≈-；2422133.3u be R A r β=-=-1216666.7u u u A A A =⋅≈；11//3i be R R r k =≈Ω；42o R R k ==Ω在图(e)所示电路中1230u u u A A A =⋅≈-；110M i R R ==Ω；24//251be o r R R R β+=≈Ω+3.6图P3.6所示电路参数理想对称,晶体管的β均为100,'100bb r =Ω,0.7BEQ U V ≈.试求Rw 的滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流EQ I 以及动态参数Ad 和Ri.解：Rw 滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流EQ I 阐发如下： ∵22WBEQ EQ EQ e EE R U I I R V +⋅+= ∴0.51722EE BEQEQ We V U I mA R R -=≈+动态参数Ad 和Ri 阐发如下：3.7电路如图P3.7所示,T1和T2两管的β均为140,be r 均为4kΩ.试问：若输入直流信号mV u I 201=,mV u I 102=,则电路的共模输入电压?=Ic u 差模输入电压?=Id u 输出动态电压?=∆o u解：电路的共模输入电压IC u 、差模输入电压Idu 、差模缩小倍数d A 和动态电压O u ∆ 辨别为：12152I I IC u u u mV +==； 1210Id I I u u u mV =-=1752cd beR A r β=-≈-； 1.75O d Id u A u V ∆==-3.8电路如图P3.8所示,Tl 和T2的低频跨导gm 均为10mS.试求解差模缩小倍数和输入电阻.解：差模缩小倍数和输入电阻辨别为：200d m d A g R =-=-； i R =∞.3.9试写出图P3.9所示电路Ad 和Ri 的近似表达式.设Tl 和T2的电流缩小系数辨别为β1和β2,b -e 间动态电阻辨别为1be r 和2be r .解：Ad 和Ri 的近似表达式辨别为12112(//)2(1)Lc d be be R R A r r βββ≈-++； 1122[(1)]i be be R r r β=++3.10电路如图P3.10 所示,Tl~T5的电流缩小系数辨别为β1~β5 , b -e 间动态电阻辨别为rbe1~rbe5,写出Au 、Ri 和Ro 的表达式.解：Au 、Ri 和Ro 的表达式阐发如下：∴123Ou u u u Iu A A A A u ∆==⋅⋅∆; 12i be be R r r =+;5675//1be o r R R R β+=+3.11电路如图P3.11所示.已知电压缩小倍数为-100 ,输入电压uI 为正弦波,T2和T3管的饱和压降UCES=1V .试问：(1)在不失真的情况下,输入电压最大有效值Uimax 为多少伏？(2)若Ui= 10mV （有效值）,则Uo ＝？若此时R3开路,则Uo ＝？若R3短路,则Uo ＝？解：(1)最大不失真输出电压有效值为:7.78om U V =≈ 故在不失真的情况下,输入电压最大有效值：max 77.8omi uU U mV A =≈ (2)Ui= 10mV ,则Uo ＝1V （有效值）.若R3开路,则Tl 和T3组成复合管,等效13βββ=, T3可能饱和,使得11O U V =-（直流）;若R3短路,则11.3O U V =（直流）.第4章集成运算缩小电路自测题一、选择合适答案填入空内.(1)集成运放电路采取直接耦合方法是因为( C ).(2)通用型集成运放适用于缩小( B ).(3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的( C ).(4)集成运放的输入级采取差分缩小电路是因为可以( A ).(5)为增大电压缩小倍数,集成运放的中间级多采取( A ).二、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”暗示判断结果.(1)运放的输入失调电压UIO是两输入端电位之差.( ×)(2)运放的输入失调电流IIO是两输入端电流之差.( √)(3)运放的共模抑制比cdCMR A A K =.( √) (4)有源负载可以增大缩小电路的输出电流.( √)(5)在输入信号作用时,偏置电路改动了各缩小管的动态电流.( ×)三、电路如图T4.3 所示,已知β1＝β2＝β3= 100 .各管的UBE 均为0.7V , 试求IC2的值.解：阐发预算如下：00202211B B B B I I I I ββββ++==++；22021C B B I I I ββββ+==⋅+.比较上两式,得四、电路如图T4.4所示.(1)说明电路是几级缩小电路,各级辨别是哪种形式的缩小电路（共射、共集、差放… … ）;(2)辨别说明各级采取了哪些措施来改良其性能指标（如增大缩小倍数、输入电阻… … ）.解：(1)三级缩小电路,第一级为共集−共基双端输入单端输出差分缩小电路,第二级是共射缩小电路,第三级是互补输出级.(2)第一级采取共集−共基形式,增大输入电阻,改良高频特性；利用有源负载(T5 、T6)增大差模缩小倍数,使单端输出电路的差模缩小倍数近似等于双端输出电路的差模缩小倍数,同时减小共模缩小倍数.第二级为共射缩小电路,以T7、T8组成的复合管为缩小管、以恒流源作集电极负载,增大缩小倍数.第三级为互补输出级,加了偏置电路,利用Dl、D2的导通压降使T9和T10在静态时处于临界导通状态,从而消除交越失真.习题4.1按照下列要求,将应优先考虑使用的集成运放填入空内.已知现有集成运放的类型是：①通用型②高阻型③高速型④低功耗型⑤高压型⑥大功率型⑦高精度型(1)作低频缩小器,应选用( ① ).(2)作宽频带缩小器,应选用( ③ ).(3)作幅值为1μV以下微弱信号的量测缩小器,应选用( ⑦ ).(4)作内阻为100kΩ.信号源的缩小器,应选用( ② ).(5)负载需5A电流驱动的缩小器,应选用( ⑥ ).(6)要求输出电压幅值为±80V的缩小器,应选用( ⑤).(7)宇航仪器中所用的缩小器,应选用( ④ ).4. 2 已知几个集成运放的参数如表P4.3 所示,试辨别说明它们各属于哪种类型的运放.表P4.3解：A1为通用型运放,A2为高精度型运放,A3为高阻型运放,A4为高速型运放.4.3多路电流源电路如图P4.3所示,已知所有晶体管的特性均相同,UBE 均为0.7V.试求IC1、IC2各为多少.解：因为Tl 、T2、T3的特性均相同,且UBE 均相同,所以它们的基极、集电极电流均相等,设集电极电流为IC.先求出R 中电流,再求解IC1、IC2. 当(1)3ββ+>>时,12100C C R I I I A μ=≈=.4.4电路如图P4.4所示,Tl 管的低频跨导为gm , Tl 和T2管d-s 间的动态电阻辨别为rds1和rds2.试求解电压缩小倍数/u O I A u u =∆∆的表达式.解：由于T2和T3 所组成的镜像电流源是以Tl 为缩小管的共射缩小电路的有源负载, Tl 和T2管d -s 间的动态电阻辨别为rds1和rds2,所以电压缩小倍数uA 的表达式为：1212(//)(//)O D ds ds u m ds ds I Iu i r r A g r r u u ∆∆===-∆∆. 4.5电路如图P4.5所示,Tl 与T2管特性相同,它们的低频跨导为gm ; T3与T4管特性对称；T2与T4管d-s 间的动态电阻辨别为rds2和rds4.试求出电压缩小倍数12/()u O I I A u u u =∆∆-的表达式.解：在图示电路中：1234D D D D i i i i ∆=-∆≈∆=∆；242112O D D D D D i i i i i i ∆=∆-∆≈∆-∆=-∆121()2I I D m u u i g ∆-∆=⋅； 12()Om I I i g u u ∆≈∆-∴电压缩小倍数：24241212(//)(//)()()O O ds ds u m ds ds I I I I u i r r A g r r u u u u ∆∆==-≈∆-∆-4.6电路如图P4.6所示,具有理想的对称性.设各管β均相同.(1)说明电路中各晶体管的作用； (2)若输入差模电压为12()I I u u -产生的差模电流为D i ∆,则电路的电流缩小倍数Oi Di A i ∆==∆？解：(1)图示电路为双端输入、单端输出的差分缩小电路.Tl 和T2 、T3和T4辨别组成的复合管。

电子技术选择简答自测题

模拟部分自测题1一、选择题：（每小题2分，共20分）1、单极型半导体器件是（C）。

A、二极管；8、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。

2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。

A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。

3、稳压二极管的正常工作状态是（C）。

A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。

4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KQ，说明该二极管（C）。

人、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。

5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。

A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。

6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为丫E=2.1V,V B=2.8V,V C=4.4V,说明此三极管处在（A）。

A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。

7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。

A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断。

8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。

A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。

9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。

A、集电极最大允许电流I CM；B、集一射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率P CM；D、管子的电流放大倍数P。

10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（CA、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。

二、简述题：（每小题4分，共28分）1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。

上述说法对吗？为什么？答：这种说法是错误的。

因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。

模拟电子技术习题解答

⑵．PN 结正向偏置时，空间电荷区将 A. 变宽 B. 变窄 C. 不变
⑶．场效应管的夹断电压 UP=-10V，则此场效应管为 A. 耗尽层 B. 增强型 C 结型
。
⑷．某晶体管的发射结电压大于零，集电结也电压大于零，则它工作在 A. 放大 B. 截止 C. 饱和。
状态。
⑸. N 沟道结型场效应管的导电载流子是 A. 电子 B. 空穴 C. 电子和空穴控制型器件。 C. 光电
1．8 在如图 P1－8 所示电路中，R=400，已知稳压管 DZ 的稳定电压 UZ =10V，最小电流 Izmin =5mA，最大管耗为 PZM =150mW。(1)当 Ui =20V 时，求 RL 的最小值；(2)当 Ui =26V 时，求 RL 的最大值；若 RL =∞时，则将会产生什么现象? 解：（1）当 RL 最小时，通过稳压管的电流为 IZmin＝5mA
IR
U i U Z 20 10 25mA R 400
I L max I R I Z min 25 5 20mA RL min UZ 10 500 I L max 20 PZM 150 15mA UZ 10 U i U Z 26 10 40mA R 400
解得： U Y 5.62V
I D1
6 5.62 5.8 5.62 0.38mA I D 2 0.18mA 1 1
图 P1－7
图 P1－8
图 P1－9
1．10 已知三极管的输出特性曲线如图 P1－10 所示，试求图中的 IC =6mA，UCE =6V 时，电流的放大系数、。
U BB U BE 3 0.7 23 A RB 100 I C I B 100 23 2.3mA

模拟电子技术基础试题及答案

一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确.（1I）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；( )(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用；( ）(3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的；( ）（4）电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的;( )(5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（6）由于放大的对象象是变化量，所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都豪无变化;（）(7)只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真.（ )【解答】(1)×。

放大的特征是功率的放大，电压电流其中一个或两个都放大都可称放大，但放大的前提条件是不能失真.(2) √。

放大的特征就是功率的放大。

(3)×.应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的，而不是直接提供。

（4)×。

．（5）√。

设置合适的静态工作点。

（6)×。

任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。

（7）×。

二、试分析图T2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由.设图中所有电对交流信号均可视为短路。

，【解答1 (a）不能。

因为输人信号被VBB所影响。

（a）例1-—3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式？能否用判别晶体管的简易方法来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极？【解答】所谓增强型，即N沟道的场效应管必须在UGs〉0的情况下才可能有导电沟道，P沟道的场效应管，必须在UGs〈0的情况下才有导电沟道,在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流，它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点，而且会造成管子损坏。

‘而对于绝缘栅型效应管，由于宦容易积累电荷形成高电压,以致造成击穿现象，所以不能用测晶体管的办法来检测。

对于结型场效应管，则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。

自测题分析与解答一、判断下列说法是否正确，用“√’'和“×'’表示判断结果填人空内。

模拟电子技术基础第四版)习题解答

第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保R大的特点。

( √ )证其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。

( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。

四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。

求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。

五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。

试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。

模电自测题1答案

2010上学期模拟电子技术自测题一、选择题（从下列3-4个备选答案中选出一个或多个正确答案，并将其代号写在题干后面的括号中。

）1、N型半导体中的多数载流子是（ A ）A．自由电子 B．空穴 C．正离子2、要使放大电路的输出电压稳定，输入电阻增大，应引入（ B ）负反馈。

A．电压并联B．电压串联C．电流串联3、某晶体管，测得电流I1=1.53mA，I2=1.5mA，I3=0.03mA，则可判断出三个电极为( A )A．(1)为e极，(2)为c极，(3)为b极B．(1)为c极，(2)为e极，(3)为b极C．(1)为b极，(2)为c极，(3)为e极4、选用差分放大电路的原因是( CD )A．稳定放大倍数 B．提高输入电阻C．抑制温漂 D．抑制零点漂移5、对于共模抑制比K CMR，以下说法正确的是( BC )A．K CMR越大则电路的放大倍数越稳定B．K CMR越大则电路的对共模信号的抑制能力越强C．K CMR越大则电路抑制温漂能力越强D．K CMR越大则电路输入信号中差模成分越大6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因有（ABC ）。

A.电源电压不稳定B.晶体管的老化C.晶体管参数受温度影响7、某两级放大器构成的多级放大电路中，第一级电压增益为20dB，第二级电压放大倍数为10倍，则放大器总的增益为( BC )A．200倍B．100倍C．40db D．30db8、理想运放构成电路如图1所示,则( B )A．u i>u o B．u i=u o C．u i<u o D．u i= -u o图19、PN 结加反向电压时，空间电荷区将（ A ）A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D.以上都有可能10、互补输出级采用共集形式是为了使（ C ）A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强11、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用（ A ）A．共射放大电路 B. 共集放大电路 C．共基放大电路12、PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ C ）A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D.以上都有可能13、当信号频率等于放大电路的截止频率f L或f H时，放大倍数的值约下降到中频时的（ B ）A. 0.5 倍B. 0.7 倍C. 0.9 倍D. 2倍14、在NPN管组成的共射放大电路中，当输入5mV/10kHz的正弦波时，输出电压波形出现了底部削平的现象，这种失真是（ A ）A．饱和失真 B.截止失真 C．频率失真15、某两级放大器构成的多级放大电路中，第一级电压增益为40dB，第二级电压放大倍数为10倍，则放大器总的增益为( AD ) A．1000倍 B．400倍 C．400 dB D．60 dB16、共集电极放大电路的特点是( AB )A.输入电阻高B.输出电阻小C.电压放大倍数大17、乙类功放电路，因静态工作点不合适引起的失真为( C )。

模拟电子技术基础(第四版)习题解答之欧阳道创编

第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

( √)(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。

( √)GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于GS零，则其输入电阻会明显变小。

(×)二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD=0.7V。

图T1.3解：UO1=1.3V, UO2=0V, UO3=-1.3V, UO4=2V, UO5=1.3V, UO6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值UZ=6V，稳定电流的最小值IZmin=5mA。

求图Tl.4 所示电路中UO1和UO2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故UO1=6V 。

右图中稳压管没有击穿，故UO2=5V 。

五、电路如图T1.5所示，VCC=15V ，=100，UBE=0.7V 。

试问： (1)Rb=50k 时，Uo=?(2)若T 临界饱和，则Rb=?解：(1)26BB BE B bV U I A R μ-==， 2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。

《模拟电子技术》自测题(A)[2]

一．填空题（每小题2分，共30分）1．对 PN 结二极管，当（ p ）区外接高电位，而（ n ）区外接低电位，则PN结为正偏。

2． P型半导体中多数载流子是（空穴） ,少数载流子是( 自由电子 ) ；N型半导体中多数载流子是( 自由电子 ), 少数载流子是（空穴）。

位 3 ．二极管的正向电流是由（多数）载流子的（扩散）运动形成的；反向电流是由（少数）载流子的（漂移）运动形成的。

4．三极管的输出特性有三个工作区，分别是（饱和区）、（截至区）、（放大区）。

5．为了提高β值，晶体管 BJT 在结构上具有发射结杂质密度（大），基区杂质密度和基区（小）的特点。

6．场效应管 FEJ 的三种基本放大组态∶ CS组态、CD组态和CG组态，其放大特性分别与BJT的(CE）组态、（CC）组态和（CB）组态相似。

7， FET 的（沟导宽度）效应与 BJT 的基区宽度效应相似，基区宽度效应使集电结反偏电压变化对集电极电流ic有影响，而FET的效应使（栅源）电压的变化对íd生影响。

8．稳压管是利用二极管（反向击穿）特性工作的。

9，差动放大器依靠电路的（对称）和（共模输人）负反馈来抑制零点漂移。

10．晶体管工作受温度影响是由于温度升高（R Eβ）增加所致。

11．如果放大器出现非线性失真，则输出频率分量一定比输入频率分量（多）。

12，负反馈以损失（增益）为代价，可以提高（电路）的稳定性；减少（非线性）失真。

13，放大器无反馈时的输出电阻为 RO，对电压取样负反馈的输出电阻为（R O／（1＋A F）），而电流取样负反馈的输出电阻为（R0（1＋A F））。

14， BTJ 放大器电路中，由于（耦合电容）的影响，使低频段增益是频率的函数，且，由于（极间电容）的影响，使高频段增益也是频率的函数。

15， FET的小型号跨导定义为 gm＝(dīD／d u Q s) ，且，耗尽型管与增强型管 gm 不同，是因为其平方律公式（不同）。

模拟电子技术基础第四版习题解答完整版

模拟电子技术基础第四版习题解答Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。

( √)GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。

(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( ×)二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=。

图解：U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, U O6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V。

右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V。

五、电路如图所示，V CC =15V ，=100，U BE =。

模拟电子技术习题解

（1）正常情况（2）Rb1短路（3）Rb1开路（4）Rb2开路（5）RC短路
2.6 晶体管＝50，VCC＝12V，晶体管饱和管压降
UCES＝0.5V。
解：设UBE＝0.7V。则
（1）正常情况：基极静态电流
IB
VCC UBE Rb2
UBE Rb1
0.022mA
U CV C CIC R c6.4V
)
26mV IEQ
Ui
2.73k
R b1
R b2
rbe
Ib RL
Uo
A urbe (R (1 c∥ R)LR )f 7.7
Rf
Rc
R i R b ∥ 1 R b ∥ 2 [ r b e ( 1 ) R f] 3 .7 k
Ro Rc 5k
（2）若电容Ce开路，对Q点没有影响，但影响交流参数。
∥R3 rbe
Ro R2∥R3
Ri rbe∥R1
2.15 试求出图P2.3（b）所示电路Q点、 Au 、Ri和Ro
(9)Ro 5k
(10 )Ro2.5k
(1)1U s 20 mV (12 )U s 60 mV
2.6 电路如图P2.6所示，已知晶体管＝50，在下列情
况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别
为多少？设 VCC ＝ 12V ，晶体管饱和管压降 UCES ＝ 0.5V。
电容Ce开路的微变等效电路：
Ib Ic
Au RfRL' Re
1.92
Ui
R b1
R b2
rbe
Ib RL
Uo
Au 下降
Rf
Rc
Re
R i R b ∥ 1 R b ∥ 2 [ r b e ( 1 ) R f( R e ) 4 ] . 1 k

模拟电子技术(童诗白)基础习题答案

第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。

求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。

五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。

试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。

模拟电子技术自测题(选择题)

模拟电子技术自测题2.1.1·在绝对零度（0K）时，本征半导体中_________ 载流子。

A. 有B. 没有C. 少数D. 多数2.1.2·在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。

A. 负离子B. 空穴C. 正离子D. 电子-空穴对2.1.3半导体中的载流子为_________。

A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 电子和空穴2.1.4.N型半导体中的多子是_________。

A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子2.1.5.P型半导体中的多子是_________。

A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子2.2.1·当PN结外加正向电压时，扩散电流_________漂移电流。

A. 大于B. 小于C. 等与2.2.2·当PN结外加反向电压时，扩散电流_________漂移电流。

A. 大于B. 小于C. 等于3.2.11在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位_________。

A. 同相B. 反相C. 相差90度D. 不确定3.2.12·在单级共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位_________。

A. 同相B. 反相C. 相差90度D. 不确定3.2.13·既能放大电压，也能放大电流的是_________组态放大电路。

A. 共射B. 共集C. 共基D. 不确定3.6.10·在单级共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位_________。

A. 同相B. 反相C. 相差90度D. 不确定3.6.12·可以放大电压，但不能放大电流的是_________组态放大电路。

A. 共射B. 共集C. 共基D. 不确定3.6.13·可以放大电流，但不能放大电压的是_________ 组态放大电路。

A. 共射B. 共集C. 共基D. 不确定3.6.14·在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是_________组态。

模拟电子技术基础试题与答案

一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。

(1I)只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；( )(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用；( )(3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的；( )(4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；( )(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；( )(6)由于放大的对象象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都豪无变化；( )(7)只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。

( )【解答】(1)×。

放大的特征是功率的放大，电压电流其中一个或两个都放大都可称放大，但放大的前提条件是不能失真。

(2) √。

放大的特征就是功率的放大。

(3)×。

应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的，而不是直接提供。

(4)×。

．(5) √。

设置合适的静态工作点。

(6)×。

任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。

(7)×。

二、试分析图T2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。

设图中所有电对交流信号均可视为短路。

，【解答1 (a)不能。

因为输人信号被VBB所影响。

(a)例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极?【解答】所谓增强型，即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道，P沟道的场效应管，必须在UGs<0的情况下才有导电沟道，在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流，它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点，而且会造成管子损坏。

‘而对于绝缘栅型效应管，由于宦容易积累电荷形成高电压，以致造成击穿现象，所以不能用测晶体管的办法来检测。

对于结型场效应管，则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。

模拟电子技术第四版童诗白主编练习题第4章集成运算放大电路

第4章集成运算放大电路自测题一、选择合适答案填入空内。

(1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为( C )。

A.可获得很大的放大倍数B.可使温漂小C.集成工艺难于制造大容量电容(2)通用型集成运放适用于放大( B )。

A.高频信号 B.低频信号 C.任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的( C )。

A.指标参数准确B.参数不受温度影响C.参数一直性好 (4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( A )。

A.减小温漂 B.增大放大倍数 C.提高输入电阻 (5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( A )。

A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路二、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果。

(1)运放的输入失调电压U IO 是两输入端电位之差。

( × ) (2)运放的输入失调电流I IO 是两输入端电流之差。

( √ )(3)运放的共模抑制比cdCMRA A K =。

( √ )(4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。

( √ )(5)在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。

( × )三、电路如图T4.3 所示，已知β1＝β2＝β3= 100 。

各管的U BE 均为0.7V , 试求I C 2的值。

解：分析估算如下：21100CC BE BE R V U U I A Rμ--==00202211B B B B I I I I ββββ++==++；0202()1R B B B I I I I ββββ+=+=++图T4.322021C B B I I I ββββ+==⋅+。

比较上两式，得2(2)1002(1)C R R I I I A ββμβββ+=⋅≈=+++四、电路如图T4.4所示。

图T4.4(1)说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差放… … ）;(2)分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍数、输入电阻… … ）。

模拟的电子技术基础--胡宴如-自测题问题详解

模拟电子技术胡宴如（第3版）自测题第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。

2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。

3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。

4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。

5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。

稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。

6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。

7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。

8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。

1．2 单选题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。

A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由(D )构成。

A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B )。

A．减小B．基本不变C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。

A．增大B．基本不变C．减小5．变容二极管在电路中主要用作(D )。

、A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

( √)2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( ×)3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。

( ×)4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。

( ×)1．4 分析计算题1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。

解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3 V。

模拟电子技术习题集(一)

第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

（）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。

（）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。

（）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。

（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将。

A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是。

A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。

A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有。

A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。

图解：U O1≈，U O2＝0，U O3≈－，U O4≈2V，U O5≈，U O6≈－2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。

求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

图解：U O1＝6V，U O2＝5V。

五、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率P C M＝200mW ，试画出它的过损耗区。

模拟电子技术基础自测题及答案

自测题一一、判断题 1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴,所以它带正电;2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体;1．半导体中的少数载流子产生的原因是 ;A ．外电场B ．内电场C ．掺杂D ．热激发3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将 ;A ．右移B ．左移C ．上移D ．下移4．当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将 ;A ．增大B ．减小C ．不变D ．不确定5．三极管β值是反映能力的参数;A ．电压控制电压B ．电流控制电流C ．电压控制电流D ．电流控制电压8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=,V U 4.52=,V U 123=,则对应该管的管脚排列依次是 ;A ．e, b, cB ．b, e, cC ．b, c, eD ．c, b, e11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 ;A ．非饱和区B ．饱和区C ．截止区D ．击穿区1．在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 ;3．PN 结正偏导通,反偏截止,称为PN 结的性能;6．三极管最重要的特性是 ;8．场效应晶体管属于控制器件;自测题一一、判断题1.错2.对3.错二、单选题三、填空题1.掺杂浓度2.漂移3.单向导电性4.变窄5.削弱6.电流放大作用7.增大8.电压9.输入电阻高 10.增强型MOS管沟道增强型沟道增强型自测题二一、判断题1．晶体管的输入电阻r是一个动态电阻,故它与静态工作点无关;be2．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;5．直接耦合放大电路只能放大直流信号,不能放大交流信号;二、单选题1．在基本共射放大电路中,负载电阻减小时,输出电阻将 ;A．增大 B．减少 C．不变 D．不能确定2．在基本共射放大电路中,信号源内阻减小时,输入电阻将 ;A．增大 B．减少 C．不变 D．不能确定6．晶体管能够放大的外部条件是 ;A．发射结正偏,集电结正偏 B．发射结正偏,集电结反偏C．发射结反偏,集电结正偏 D．发射结反偏,集电结反偏7．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使 ;A．电压放大倍数高 B．输出电流小C．输出电阻增大 D．带负载能力强三、填空题1．要使三极管放大电路不失真,必须设置合理的 ;2．在三极管放大电路中,静态工作点过高会产生失真;3．若放大电路静态工作点选的过低,信号容易产生失真;4．基本共射放大电路,当温度升高时,Q 点将向移;5．若三极管发射结正偏,集电结也正偏则三极管处于状态;L 则其电压放大倍数 ;自测题二一、判断题1.错2.对3.错4.错5.错二、单选题三、填空题1.静态工作点2.饱和3.截止4.上5.饱和6.相同7.强8.越大 10.2H L ωωπ- 自测题三一、判断题1．测得两共射放大电路空载电压放大倍数均为－100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000;3．阻容耦合放大电路只能放大交流信号,不能放大直流信号;二、单选题1．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 ;A ．电阻阻值有误差B ．晶体管参数的分散性C ．晶体管参数受温度影响D ．受输入信号变化的影响2．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使 ;A ．电压放大倍数高B ．输出电流小C ．输出电阻增大D ．带负载能力强3．多级放大电路与单级放大电路相比,电压增益和通频带 ;A ．电压增益减小,通频带变宽B ．电压增益减小,通频带变窄C ．电压增益提高,通频带变宽D ．电压增益提高,通频带变窄4．有两个放大器,空载时的输出电压均为3V,当它们接入相同的负载时,甲放大器的输出电压为2V,乙放大器的输出电压为1V,则说明甲比乙的 ;A ．输入电阻大B ．输入电阻小C ．输出电阻大D ．输出电阻小三、填空题1．在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的 ;2．在多级放大电路中,前级的输出电阻可视为后级的 ;3．为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号,放大电路应采用耦合方式;5．多级放大电路的通频带比单级放大电路的通频带要 ;6．放大器级间耦合方式有三种：耦合；耦合；耦合；在集成电路中通常采用耦合;自测题三一、判断题1.错2.错3.对4.错二、单选题三、填空题1.负载2.信号源内阻3.直接4.好5.窄6.直接,阻容,变压器,直接自测题四一、判断题1．运放的共模抑制比c d CMR A A K 3．互补输出级应采用共集或共漏接法;4．对于长尾式差动放大电路,不论是单端输入还是双端输入,在差模交流通路中,射极电阻E R 一概可视为短路;二、单选题1．放大电路产生零点漂移的主要原因是 ;A ．放大倍数太大B ．采用了直接耦合方式C ．晶体管的噪声太大D ．环境温度变化引起参数变化2．为更好的抑制零漂,集成运放的输入级大多采用 ;A ．直接耦合电路B ．阻容耦合电路C ．差动放大电路D ．反馈放大电路3．差动放大电路的主要特点是 ;A ．有效放大差模信号,有力抑制共模信号B ．既放大差模信号,又放大共模信号C ．有效放大共模信号,有力抑制差模信号D ．既抑制差模信号,又抑制共模信号4．差分放大电路的长尾电阻的主要功能是 ,而提高共模抑制比;A ．抑制共模信号B ．抑制差模信号C ．放大共模信号D ．既抑制共模信号又抑制差模信号5．差动放大电路用恒流源代替E R 是为了 ;A ．提高差模电压放大倍数B ．提高共模电压放大倍数C ．提高共模抑制比D ．提高差模输出电阻6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 ;A ．可获得较高增益B ．可使温漂变小C ．在集成工艺中难于制造大电容D ．可以增大输入电阻三、填空题1．选用差分放大电路的原因是 ;2．差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的 ;3．共模信号是两个输入端信号的 ;4．互补输出级采用共集形式是为了使 ;8．差动放大电路两个输入端的信号mV u i 801=,mV u i 602=,则一对差模输入信号=-=21i i u u mV ;9．集成运放的输入级采用差动放大电路的主要作用是 ;10．集成运放的输出级多采用电路;13．差分放大器的基本特点是放大、抑制 ;自测题四一、判断题1.对2.对3.对4.对二、单选题三、填空题1.克服温漂2.差3.平均值4.带负载能力强5.好6.零点漂移7.无穷大 9.克服零漂 10.射极跟随器11.共模 11.输入级中间级输出级偏置电路 13.差模信号共模信号自测题五三、填空题1．理想运算放大器同相输入端接地时,则称反相输入端为端;2．理想运放工作在线性区,流进集成运放的信号电流为零,称此为 ;3．理想运算放大器的两条重要法则是 ;自测题五三、填空题1.虚地2.虚断3.净输入电压等于零和净输入电流等于零自测题六一、判断题2．既然电流负反馈稳定输出电流,那么必然稳定输出电压;二、单选题2．要得到一个由电压控制的电流源应选用 ;A．电压串联负反馈 B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈 D．电流并联负反馈3．放大电路引入交流负反馈后将 ;A．提高输入电阻 B．减小输出电阻C．提高放大倍数 D．提高放大倍数的稳定性4．放大电路引入直流负反馈后将 ;A．改变输入、输出电阻 B．展宽频带C．减小放大倍数 D．稳定静态工作点5．引入电压并联负反馈后,基本放大器的输入、输出电阻的变化是 ;A．输入电阻增大,输出电阻增大 B．输出电阻增大,输入电阻减小C．输入电阻减小,输出电阻减小 D．输入电阻减小,输出电阻增大7．为使放大电路的输出电压稳定、输入电阻增大,需引入的交流负反馈是 ;A．电压串联 B．电压并联 C．电流串联 D．电流并联三、填空题1．在放大电路中,若要稳定放大倍数,应引入 ;2．在放大电路中,希望展宽频带,应引入 ;3．在放大电路中,如要减少输入电阻,应引入 ;6．引入电压负反馈可以稳定放大电路的 ;自测题六一、判断题1.对2.错3.错4.错5.错6.错二、单选题三、填空题1.交流负反馈2.交流负反馈3.并联负反馈4.电流负反馈5.增大6.输出电压自测题八一、判断题2．功率放大电路的主要作用是向负载提供足够大的功率信号;3．由于功率放大管处于大信号工作状态,所以微变等效电路方法已不再适用;4．在功率放大电路中,输出功率最大时,功放管的功率损耗也最大;二、单选题1．与甲类功率放大方式比较,乙类推挽方式的主要优点是 ;A．不用输出变压器 B．不用输出端大电容 C．无交越失真 D．效率高2．乙类放大电路是指放大管的导通角等于 ;A．360度 B．180度 C．90度 D．小于90度4．功率放大三极管工作在A．高电压、小电流状态 B．低电压、小电流状态C．低电压、大电流状态 D．高电压、大电流状态三、填空题1．输出功率为20W的乙类推挽功率放大器,则应选至少为瓦的功率管两个;,类推挽放大器;一、判断题2.对3.对4.错二、单选题三、填空题2.互补对称3.交越失真甲乙。

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