高品质因子聚合物波导微环谐振腔滤波器_恽斌峰

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一种新型基片集成波导腔体滤波器的设计与实现

一种新型基片集成波导腔体滤波器的设计与实现
关键词 : 滤波器 , 腔体 , 耦合 , SIW , 低阻 2高阻短微带线
D esign and Rea liza tion of a Novel Substra te In tegra ted Wavegu ide ( S IW ) Cav ity F ilter
ZHANG Y u2lin1 , HO NG W e i1 , W U Ke1, 2 , TANG Hong2jun1 , HAO Zhang2cheng1 ( 1. S ta te Key L abora ta ry of M illim eterW aves, S ou theast U n iversity, N an jing 210096, Ch ina;
(6)式可以表示为 [ 9 ] :
i1
Z1 ·
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=
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iN
0
1 +p qe1
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L
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·
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p
… - jk2N
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- jkN 1
- jkN 2
… 1 +p
qeN
其中
ω 0
= 1/
LC , 滤 波 器 相 对 带 宽 FBW
=
ω 2
-
ω 1
出端的微带宽度 ,从而得到所需要的数值 。
图 2 ( a) 双 SIW 腔体结构图 ; ( b) 双 SIW 腔体的散射参数曲线
1. 2 低阻 2高阻短微带线 [ 9]
通常
,电尺寸小于八分之一导波长度
λ g
的微带
线结构可以看作集总参数元件 ,电尺寸小于四分之

λ g

高带外抑制特性微波陶瓷波导滤波器的设计

高带外抑制特性微波陶瓷波导滤波器的设计

2021年4月Journal on Communications April 2021 第42卷第4期通信学报V ol.42No.4高带外抑制特性微波陶瓷波导滤波器的设计梁飞,蒙顺良,吕文中(华中科技大学光学与电子信息学院,湖北武汉 430074)摘 要:介绍了陶瓷波导滤波器的设计理论,采用耦合通槽分别与浅、深耦合盲孔的组合结构来满足正、负耦合带宽要求,通过调整3~6腔体的交叉耦合来改善滤波器传输曲线的对称性,同时实现滤波器近端和远端的带外抑制,在此基础上设计了一款5G基站用六腔陶瓷波导滤波器。

在该滤波器的优化过程中,详细讨论了3~6腔体交叉耦合通槽的相对位置偏移量和交叉耦合通槽的长度对滤波器传输零点位置、近端和远端带外抑制特性的影响,并给出了相关的变化规律。

经优化后滤波器性能指标如下:中心频率为3.5 GHz,工作带宽为200 MHz,插入损耗≤1.2 dB,回波损耗≥17 dB,近端带外抑制≥25 dB,远端带外抑制≥51 dB。

根据仿真模型结构参数制备得到的样品,其性能测试结果与仿真结果吻合良好。

关键词:陶瓷波导滤波器;负耦合结构;交叉耦合通槽;带外抑制中图分类号:TN713文献标识码:ADOI: 10.11959/j.issn.1000−436x.2021029Design of microwave ceramic waveguide filter withhigh out-of-band suppression characteristicsLIANG Fei, MENG Shunliang, LYU WenzhongSchool of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China Abstract: The design theory of ceramic waveguide filter was introduced, and then the combination structure of coupling through slot with shallow or deep coupling blind hole was designed, which could meet the requirements of positive and negative coupling bandwidth. By adjusting the cross coupling between 3~6 cavities, the symmetry of the filter transmis-sion curve was improved, and the near and far end band suppression of the filter was realized. Finally, a six-cavity ce-ramic waveguide filter for 5G base station was designed. In the process of optimizing the filter, the influences of the rela-tive position offset of the cross-coupling through slot and the length of the cross-coupling through slot on the transmis-sion zero position, the near end and far end out of band suppression characteristics of the filter were discussed in detail, and the relevant change rules were given. The performance indexes of the optimized filter were as follows, center fre-quency was 3.5 GHz, working bandwidth was 200 MHz, insertion loss ≤ 1.2 dB, return loss ≥ 17 dB, near end out of band rejection ≥ 25 dB, far end out of band rejection ≥ 51 dB. According to the structural parameters of the simulation model, the performance test results of the samples are in good agreement with the simulation results.Keywords: ceramic waveguide filter, negative coupling structure, cross-coupling through slot, out-of-band suppression1引言随着5G通信时代的来临,大规模天线技术和有限的频谱资源对微波器件的尺寸、工作性能等各项指标都提出了更高的要求。

基于枝节加载环形谐振器的双频带滤波器

基于枝节加载环形谐振器的双频带滤波器
通信系统研究。
366
压 电 与 声 光
2019 年
由图1(c)可见,端 口 的 输 入 电 流 和 电 压 分 别 为
犠犝 犡犻狀犵犺狅狀犵,犛犎犐犢狌,犠犈犐犡狌犫狅
(SchoolofElectronicScienceandEngineering,UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina,Chengdu610054,China)
犃犫狊狋狉犪犮狋:Inthisarticle,anewasymmetrystubloadedringresonatorisproposed.Thecharacteristicofthepro posedresonatorisstudied.Basedontheproposedresonator,adualbandbandpassfilterisdesignedandmeasured. Thelowerpassbandarelocatedat2.38GHzwithabandwidthofabout140 MHz.Thehigherpassbandarelocated at5.19GHzwithabandwidthofabout90 MHz.Theinsertionlossandreturnlossofthelowerpassbandareless than1.7dBandgreaterthan15dB,respectively.Theinsertionlossofthehigherpassbandislessthan2.2dBand thereturnlossisgreaterthan12dB.Therearefourtransmissionzeroslocatedat1.78GHz,3.34GHz,4.98GHz and5.96GHz,whichsignificantlyimprovedtheselectivityofthefilter.

热熔融自回流法制备硫化物玻璃非线性集成光学波导说明书

热熔融自回流法制备硫化物玻璃非线性集成光学波导说明书

第51卷第5期2022年5月Vol.51No.5May 2022光子学报ACTA PHOTONICA SINICA 热熔融自回流方法制备硫化物玻璃非线性集成光学波导(特邀)齐人铎1,翟彦芬2,张巍1,3,黄翊东1,3(1清华大学电子工程系,量子信息前沿科学中心,北京市未来芯片技术高精尖创新中心,北京信息科学与技术国家研究中心,北京100084)(2奥地利半导体实验室,A 9524Villach ,Austria )(3北京量子信息科学研究院,北京100193)摘要:硫化物玻璃是发展非线性集成光学器件的良好材料,特殊的理化特性使得硫化物玻璃集成光学波导的制备成为研究的难点。

对硫化物玻璃波导的制备工艺进行了综述,重点介绍利用硫化物玻璃在熔融状态下流动性好的特点,采用热熔融自回流方法制备硫化物玻璃波导的工艺。

该方法避免了对硫化物玻璃薄膜完整性的破坏,以及光刻胶显影液对硫化物玻璃材料的腐蚀作用,可以得到高质量的具有小模场面积的倒脊型硫化物玻璃波导。

实验测试表明,采用热熔融自回流方法制备的硫化物玻璃波导具有良好的三阶非线性光学特性和受激布里渊散射特性。

最后,展望了采用该方法发展硫化物玻璃非线性集成光学器件及其片上系统的研究方向和前景。

关键词:硫化物玻璃;非线性光学器件;集成光学波导;三阶光学非线性;受激布里渊散射中图分类号:TN256文献标识码:A doi :10.3788/gzxb20225105.05513030引言集成光学的概念在20世纪60年代被首次提出,通过将光学器件集成在芯片上,使其具有体积小、稳定性高、功耗低等优势。

经过几十年的发展,集成光学领域已经取得极大进展。

在集成光学器件中引入非线性光学过程,实现光子的产生和调控等功能,一直是集成光学的重要研究方向之一[1-3]。

硫化物玻璃是实现非线性集成光学器件的重要候选材料[4-7]。

硫化物玻璃(Chalcogenide Glass ,ChG )也称硫系玻璃,是由硫系元素中的硫(S )、硒(Se )、碲(Te )这三种元素中的一种或多种,与其他的元素如砷(As )、锗(Ge )、锑(Sb )等共价结合而形成的非晶态无机玻璃材料[4]。

微环谐振器及其在全光信号处理中的应用研究

微环谐振器及其在全光信号处理中的应用研究

微环谐振器,作为一种典型的光学微结构,因其在全光信号处理中的重要应用而备受关注。

在本文中,我们将深入探讨微环谐振器的基本原理、结构特点以及在全光信号处理中的应用研究,并结合个人观点对其进行分析和解读。

1. 微环谐振器的基本原理微环谐振器是一种基于光波导的器件,通过光波在环形结构内部的多次反射和相互干涉实现谐振现象。

当光波进入微环谐振器后,会在环形波导内部进行多次来回传输,并与自身相互干涉,最终形成谐振效应。

这一原理使得微环谐振器具备了在光学信号处理中实现高效能量转换和频率选择的能力。

2. 微环谐振器的结构特点微环谐振器通常由光波导、耦合结构和环形波导等部分构成。

其中,光波导负责引导和传输光信号,耦合结构用于实现光的输入输出,而环形波导则是谐振现象发生的关键部分。

由于其结构紧凑、损耗低、响应速度快等特点,微环谐振器在光学信号处理中具备了独特的优势。

3. 微环谐振器在全光信号处理中的应用研究随着光通信和光信息处理技术的不断发展,微环谐振器在全光信号处理中的应用愈发广泛。

在光通信系统中,微环谐振器可用于实现光波长选择性开关和光频率转换。

在光传感领域,微环谐振器可以实现对微小光信号的高灵敏度探测和快速响应。

在光学计算和信息存储等方面,微环谐振器也发挥着重要作用。

总结及个人观点:微环谐振器作为一种典型的光学微结构,在全光信号处理中展现出了重要的应用前景。

通过对其基本原理和结构特点的深入理解,我们能更好地把握其在全光信号处理中的应用前景和发展趋势。

从个人角度来看,微环谐振器在全光信号处理中的应用研究将会带来一场光学技术的革命,为光通信、光传感和光学计算等领域的发展提供更多可能性。

微环谐振器在全光信号处理中的应用研究具有重要意义,我们有必要加大对其基础理论和实际应用的深入研究,进一步挖掘其潜在的应用价值。

相信在不久的将来,微环谐振器将会成为光学领域中不可或缺的重要器件,为全光信号处理技术的发展注入新的活力和动力。

集成光波导微环谐振腔的电光调制特性研究

集成光波导微环谐振腔的电光调制特性研究

TN252
密级
非密
UDC_________535________________






集成光波导微环谐振腔的电光调制特性研究 臧俊斌
指导教师(姓名、职称) 申请学位级别 专业名称 论文提交日期 论文答辩日期 学位授予日期 论文评阅人 答辩委员会主席 2013 2013 年 年 年 4 5 月 月 月

名:
日期: 日期:
导师签名:
中北大学学位论文
集成光波导微环谐振腔的电光调制特性研究 摘 要
随着集成光学的快速发展,硅基片上 SOI 器件的现代 SoC(System on Chip)系统芯 片技术成为了未来光通信与光集成发展的主流方向。由于 SoC 片上系统器件在光处理、 光计算、光传输和光控制等各种光学物理特性上应用的独特优势,成为了国内外学术界 广泛研究的热点。而目前制约其发展的主要瓶颈问题就是集成性。而高品质的硅基 SOI( Silicon-on-insulator) 材料,由于其材料层间较高的折射率差、 通信波段的透明传输以 及制作工艺与 CMOS 工艺完全兼容等优点以至于可很大程度上降低芯片器件尺寸和提 高芯片的集成密度来实现芯片内的光电互联和光电集成, 从而成为目前 SoC 片上芯片集 成中分立部件制备的首选。SOI 硅基光波导谐振腔作为集成光学的主要部件,其主要可 用于滤波、光开关、调制器、探测器等,而随着半导体物理学、量子力学等对硅材料半 导体电光效应的进一步解释, 研究 SOI 波导谐振腔的电光调制器成为了追捧的热点和难 点问题。 利用硅电光效应制备的 SOI 微环谐振腔光调制器主要是通过硅材料光电效应产 生波导折射率的改变,从而实现光信号的调制或切换,其克服了热光效应型调制器受热 扩散和散热的限制,突破了与声光型器件相同特征的响应速度较慢等问题,具有超高速 调制的优势,成为制作高速光调制器和光开关的首选方案。所以,研究基于 SOI 波导谐 振腔的电光特性调制器件成为现代 SoC 芯片器件实现的基础。 本文主要立足于以 SOI 光波导微环谐振腔电光调制器为目标, 采用 FDTD 以及 Rsoft 对波导的单模性、高光局域性以及谐振特性进行了仿真分析,在此基础上设计、制备出 了条形和脊型纳米光波导谐振腔, 然后对制备的结构进行了优化后处理, 并对半径 15 μ m 的波导谐振腔进行了弯曲损耗测试,其优化后的损耗值为 0.0109 ± 0.0001dB / turn ,Q 值 仍可保持在在 104 以上,从而可满足研究调制特性与制备调制器件的谐振腔基本参数要 求。然后通过 Sentaurus、SRIM2008 对二极管特性以及离子注入形成 P-N 结的实现进行 了仿真、分析与计算,最终确定其详细的数据参数等。最后以分析的结果,如:ICP 刻蚀、电子束光刻、离子注入等工艺制备出基于 SOI 波导谐振腔 的电光调制器件芯片。 对自由波谱范围为 2.6nm 的微环谐振电光调制器件施加外部驱动 电压信号对其进行调制特性静态和瞬态特性测试,结果为:静态特性测试产生谐振频移 并随驱动电压信号增大而频移宽度变大, 驱动峰值电压达到一定数值后, P-N 结被击穿; 瞬态特性测试其调制深度为 0.899,消光比为 10.14dB,最大调制频率达 30MHz。

小型化基片集成波导滤波器研究进展

小型化基片集成波导滤波器研究进展

• 36•小型化基片集成波导滤波器研究进展武警工程大学信息工程学院 张怿成 刘方毅 孟志豪综述了基片集成波导滤波器小型化研究现状。

首先介绍了基片集成波导谐振器的基础理论,其次总结了基片集成波导谐振器小型化的实现方法和存在不足,最后对未来的发展趋势进行了展望。

引言:基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide,SIW )滤波器是一种新型结构器件,既具备了传统金属波导高品质因数、高功率等优点,又兼容了微带滤波器结构体积小、易集成的特点,在当今频谱环境日益紧张的通信系统中具有很高的研究和应用价值。

小型化基片集成波导滤波器有利于减少射频前端的体积,且便于和天线、功分器等微波器件相集成,是国内外学者研究的热点方向。

本文阐述了SIW 滤波器小型化的相关理论,介绍了其研究现状和发展趋势。

1 基片集成波导基础理论一般结构的SIW 谐振腔由金属层和介质层构成,腔体边缘周期性排列的的金属过孔可以等效为传统金属波导的侧壁,介质层通常选用Rogers RT/duroid 5880等材料,其结构如图1所示:图1 基片集成波导模型2005年,FengXu 在[Xu F,Wu K.Guided-wave and leakage characteristics of substrate integrated waveguide[J].IEEE Trans-actions on Microwave Theory & Techniques,2005,53(1):66-73]中给出了基片集成波导与金属波导的等效关系式:(1)且SIW谐振器的谐振频率可由下式确定:(2)其中m=1,2,3…, p=1,2,3…, ε为相对介电常数, μ为相对磁导率。

2 基片集成波导滤波器小型化方式SIW 滤波器的小型化技术可以分为三个方面:模切割技术、多层折叠技术、加载技术。

2.1 基于模切割技术的SIW小型化2005年,东南大学的洪伟教授在论文[Hong W,Liu B,Wang Y,et al.Half Mode Substrate Integrated Waveguide:A New Guided Wave Structure for Microwave and Millimeter Wave Application[C]//Joint,International Conference on Infra-red Millimeter Waves and,International Conference on Teraherz Electronics,2006.Irmmw-Thz.IEEE,2007:219-219]中提出了将全模SIW 沿中心线进行切割形成HMSIW ,其切口可等效于虚拟磁壁,既保留了前者的波导特性,又缩小了一半体积,其结构和场分布如图2所示。

可重构自耦合微环辅助的mzi集成光子滤波器

可重构自耦合微环辅助的mzi集成光子滤波器
收 稿 日 期 :2019-09-17;修 订 日 期 :2019-11-18. 基金 项 目:国 家 重 点 研 发 计 划 项 目 (No.2018YFB2201800);国 家 自 然 科 学 基 金 资 助 项 目 (No.61601118);江 苏 省 自
然 科 学 基 金 资 助 项 目 (No.BK20161429);江 苏 省 研 究 生 科 研 创 新 计 划 (No.KYCX19_0066)
Abstract:The fast tunability and reconfigurability are essential for a silicon photonic filter for various application scenarios,such as an optical filter,time delay,and wavelength division multiplexing.In this work,we propose a reconfigurable filter based on a self-coupled micro-ring resonator combined with three optical switches.By controlling the electrodes,the proposed component can be reconfig- ured into five different structures,including the optical switch,non-balanced Mach-Zehnder Interfer- ometer(MZI)filter,dual-ring-coupled MZI filter,micro-ring resonator filter with a double injection, and a self-coupled micro-ring resonator assisted MZI filter.Simulations have been performed based on the trposed filter.Based on the simulation results,the reconfigured dual- ring-coupled MZI filter has the capability of switching from a notch filter to a bandpass filter with an extinction ratio larger than 35 dB.The micro-ring resonator filter with double injection can be switched between two different FSRs,and the frequency tuning range is approximately 18GHz.Com-

紫外固化型聚合物高阶布拉格波导光栅滤波器

紫外固化型聚合物高阶布拉格波导光栅滤波器

紫外固化型聚合物高阶布拉格波导光栅滤波器田亮;王辉;岳远斌;陈长鸣;张大明【摘要】利用紫外固化材料SU-82005与热交联聚合物甲基丙烯酸甲酯一甲基丙烯酸缩水甘油酯[P(MMA—GMA)]分别作为波导芯层和包层材料,通过直接光刻技术,成功实现了厚度为5μm,宽度为9μm,光栅高度为4μm的起伏型高阶布拉格波导光栅滤波器。

对光栅器件的谐振波长,光透射率等重要参数进行了模拟设计。

测得制备的聚合物高阶布拉格波导光栅滤波器的谐振波长为1550.4nm,消光比为23dB,3-dB带宽为2nm。

%Ultraviolet curable material SU-8 2005 and thermal crosslinked polymer Methyl Methacrylatel Glyci- dyl Methacrylate[ P(MMA-GMA) ] are used as the core and the cladding layer materials, respectively, and a novel high-order Bragg waveguide grating filter with a thickness of 5 μm, a width of 9 μm and a grating height of 4μm is successfully designed and fabricated by direct photolithography technique. The characteristic pa- rameters including resonance wavelength and transmissivity are carefully simulated. The performance parame- ters of fabricated device are measured to obtain the resonance wavelength of 1 550.4 nm, the extinction ratio of 23 dB and the 3-dB bandwidth of 2 nm.【期刊名称】《中国光学》【年(卷),期】2012(005)006【总页数】5页(P677-681)【关键词】紫外固化;聚合物;布拉格波导光栅;滤波器【作者】田亮;王辉;岳远斌;陈长鸣;张大明【作者单位】吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室,吉林长春130012;吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室,吉林长春130012;吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室,吉林长春130012;吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室,吉林长春130012;吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室,吉林长春130012【正文语种】中文【中图分类】TN256;TN231 引言布拉格光栅是光通信网络中光插分复用器(OADM)的核心器件,它决定着网络性能的优劣[1-2],并且在分布反馈激光器、波分复用器、生化传感器、光开关、延时线等光电子器件方面有着广泛的应用。

基于SOI微环谐振腔的表面光滑化研究

基于SOI微环谐振腔的表面光滑化研究

基于SOI微环谐振腔的表面光滑化研究苏莹;赵学峰;张志东;闫树斌【摘要】In view of silicon waveguide scattering loss caused by rough sidewalls is the main factors to affecting microring re -sonators transmisson , thermal oxidation process was applied to retouching the surface roughness of microring resonators which were fabricated by MEMS technology .Finally, the coupling experiment was carried out to test the transmission characteristic of microring resonators , and at the same time the relationships between temperature and the transmission characteristic were ana -lyzed.The experimental results show that at 1000 ℃,the microring resonators have the better coupling efficiency and higher Q value, the Q value of the microring resonators in this fabrication is1.2×104 .This result provides a significant reference for sur-face-smoothing research of silicon waveguide sensor .%针对硅波导粗糙侧壁引起的散射损耗是影响SOI微环谐振腔传输性能主要因素的问题,采用热氧化对MEMS 工艺制备的微环谐振腔粗糙侧壁进行表面光滑化修饰.利用耦合实验测试其传输性能,同时分析了热氧化温度与微环谐振腔传输特性之间的关系.实验结果表明,氧化温度在1000℃时,硅波导粗糙侧壁改善效果明显,此时微环谐振腔具有较好的耦合效率和较高的Q值,Q值高达1.2×104.实验结果为硅波导传感器表面光滑化研究提供了重要的参考依据.【期刊名称】《仪表技术与传感器》【年(卷),期】2017(000)001【总页数】4页(P126-129)【关键词】微机电系统;绝缘体上硅;微环谐振腔;热氧化;品质因数;传输损耗;侧壁粗糙度【作者】苏莹;赵学峰;张志东;闫树斌【作者单位】中北大学,电子测试技术国家重点实验室,仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西太原 030051;中北大学,电子测试技术国家重点实验室,仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西太原 030051;中北大学,电子测试技术国家重点实验室,仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西太原 030051;中北大学,电子测试技术国家重点实验室,仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西太原 030051【正文语种】中文【中图分类】TN256随着集成光学的发展,绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)微纳光子器件的制造及集成迅速成为关注的热点。

Powell-Chau线性相位IIR滤波器的改进

Powell-Chau线性相位IIR滤波器的改进

Powell-Chau线性相位IIR滤波器的改进苏冬玲;胡兵【摘要】Aiming at the truncated noise of the Powell-Chau linear phase infinite impulse response (IIR)filter,the molecular polynomial of forward and backward filter was rearranged to decrease the Gibbs effect,and the correction filter was added to eliminate the noise.The results show that Gibbs effect and the truncated noise are eliminated effectively with the proposed method.%针对Powell-Chau线性相位无限冲激响应(IIR)滤波器的截短噪声,重新排列正向、反向滤波器传递函数的分子多项式,以减小吉布斯效应,增加修正滤波器以消除截短噪声。

仿真结果表明,采用提出的方案,吉布斯效应及截短噪声得到有效消除。

【期刊名称】《桂林电子科技大学学报》【年(卷),期】2014(000)002【总页数】4页(P106-109)【关键词】Powell-Chau线性相位 IIR滤波器;吉布斯效应;截短噪声【作者】苏冬玲;胡兵【作者单位】桂林电子科技大学信息与通信学院,广西桂林 541004;桂林电子科技大学信息与通信学院,广西桂林 541004【正文语种】中文【中图分类】TN713IIR数字滤波器和FIR数字滤波器具有各自的特性。

前者过渡带陡峭、阶数较小,但存在相位非线性,使得输出信号存在幅度失真。

后者具有线性相位,但需要较大的阶数[1-2]。

语音合成、波形传输和生理信号测量等领域均要求滤波器具有线性相位特性。

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尺寸较大,所以对应 的 波 导 弯 曲 损 耗 相 对 矩 形 波 导 大,因此需要通过合理设计 弯 曲 半 径 R 来 降 低 弯 曲 损耗,以实现高 Q 值的波导微环谐振腔。
图1 (a)环形谐振腔结构图;(b)耦合区脊形波导截面图 Fig.1 (a)Schematic of ring resonator;(b)cross section of the ridge in coupling region
1013002-2
恽 斌 峰 等 : 高 品 质 因 子 聚 合 物 波 导 微 环 谐 振 腔 滤 波 器
径 R 与 弯 曲 损 耗 的 关 系 进 行 了 分 析,得 到 了 如 图 3 所示的关系。从图中可以看出弯曲损耗随 R 的增 大而减小并逐渐趋于稳定,且当 R>1000μm 时,弯 曲 损 耗 已 经 接 近 0.01dB/cm,基 本 可 以 忽 略 。
结 合 以 上 设 计 优 化 结 果 ,选 择 的 器 件 参 数 为t= 1μm,h=1μm,w =3 μm,s=2 μm,L=400 μm, R=1000μm。
1013002-1
光 学 学 报
而目前聚合物微环谐振腔滤波器的 Q 值还不是很 高。如文献[9~12]中分别 报 道 的 1.3×104,5.8× 103 和2.6×104,而 文 献 [13,14]没 有 给 出 Q 值 参 数。虽然文 献 [15]通 过 制 作 具 有 SiN 缓 冲 层 的 压 印模具,采用纳米压印技术实 现 了 1.038×105 的 Q 值,但是需要化学 气 相 沉 积(CVD),设 备 昂 贵,工 艺 相对复杂。为了降 低 工 艺 难 度 和 成 本,在 现 有 传 统 微加工工艺的基础上进一步提高器件 Q 值十分重 要。Q 值主要取决于波导的传输损耗(吸收损耗、弯 曲 损 耗 、散 射 损 耗 )和 微 环 谐 振 腔 的 腔 长 。 本 文 选 择 紫外固化 胶 聚 砜 (ZPU/polysulfone)聚 合 物 材 料 体 系 ,在 满 足 传 统 接 触 式 光 刻 工 艺 精 度 要 求 的 前 提 下 , 设计单模脊形波导 结 构 增 大 波 导 模 场 尺 寸,从 而 增 大耦合区波导间 距,降 低 加 工 工 艺 难 度。 并 在 此 基 础上通过优化波导 弯 曲 半 径 降 低 弯 曲 损 耗、优 化 制 备工艺降低散射损 耗 以 提 高 器 件 品 质 因 子,设 计 并 制备了聚合物波导微环谐振腔滤波器。
2 微环谐振腔滤波器设计与优化
选择 Chemoptics 公 司 的 紫 外 固 化 胶 ZPU-45 作 为 波 导 包 层 材 料 ,聚 砜 作 为 波导 芯 层 材 料 ,它 们 在
1550nm 波 长 处 的 折 射 率 分 别 为 ncladd =1.45 和 ncore=1.6。为 了 增 大 耦 合 区 直 波 导 与 环 形 波 导 的 耦合系数,采用“跑道”型环形 腔,如 图 1(a)所 示,其 中 R,L,s分别为环形波导半径、“跑 道”区 直 波 导 长 度 以 及 耦 合 区 直 波 导 与 环 形 波 导 的 间 距 ;由 于 芯 、包 层折射率差相对较大,所以选择脊形波导截面结构以 保证在单模条件的基础上增大模式 尺 寸,如 图 1(b) 所示,其中 w 为脊形波导宽度,h 为脊高,t为平板波 导 厚 度 ,s为 耦 合 区 直 波 导 与 环 形 波 导 的 间 距 。 采 用 脊形截面波导结 构 有 以 下 两 个 优 点:1)可 以 降 低 单 模 条 件 的 尺 寸 限 制 ,可 以 增 大 单 模 波 导 的 截 面 尺 寸 , 即增大模式尺寸,降 低 高 折 射 率 差 波 导 与 光 纤 耦 合 时由于模式失配引起 的 损 耗;2)通 过 增 大 模 式 尺 寸 可以大大增 大 耦 合 区 波 导 间 距s(从 矩 形 波 导 情 况 下 的 几 百 纳 米 量 级 到 脊 形 波 导 情 况 的 几 微 米 量 级 ), 因此可以大大降 低 制 作 难 度 与 成 本,中 间 距s 选 择 一般接触式光 刻 机 容 易 达 到 的 光 刻 精 度 2μm。 而 在满足传统接触式光刻精度要求的脊形波导的模式
首 先 ,根 据 确 定 的 材 料 折 射 率 ,计 算 符 合 单 模 条 件的脊形波导结构尺寸。但是由于聚合物波导制作 工 艺 流 程 的 特 殊 性 ,若 采 用 正 脊 形 波 导 结 构 ,那 么 势 必需要在聚合物芯 层 上 旋 涂 光 刻 胶 进 行 光 刻,而 光 刻胶与芯层聚合物 材 料 会 发 生 互 溶 和 化 学 反 应,导 致 芯 层 被 破 坏 ,所 以 采 用 倒 脊 形 的 波 导 截 面 结 构 ,这 样可以在不与光刻胶反应的下包层紫外固化材料 (ZPU-45)上 光 刻 、刻 蚀 ,然 后 直 接 旋 涂 芯 层 ,从 而 增 加了工艺兼容性并大大降低工艺复杂度。但是倒脊 形波导也存在一定的 限 制,即 倒 脊 形 的 脊 高 h 一 般 不 能 超 过 1μm,否 则 在 芯 层 涂 覆 时 会 由 于 倒 脊 区 波 导的下陷 导 致 波 导 形 状 严 重 变 形,以 致 器 件 失 效。
第 31 卷 第 10 期 2011 年 10 月
光 学 学 报 ACTA OPTICA SINICA
Vol.31,No.10 October,2011
高品质因子聚合物波导微环谐振腔滤波器
恽斌峰 胡国华 崔一平*
(东南大学先进光子学中心,江苏 南京 210096)
摘要 基于紫外固化胶和聚砜聚合物材料体系,采用 脊 形 单 模 波 导 结 构,理 论 设 计 并 优 化 了 聚 合 物 波 导 环 形 谐 振 腔滤波器的波导截面参数、弯曲半径和耦合区波导间距等结构参数,分析了其 滤 波 响 应 特 性。 并 在 此 基 础 上,结 合 光刻、反应离子刻蚀等传统的微加工工艺制备了聚合物环形谐振腔滤波器,并进 行 了 光 谱 测 试,器 件 测 试 结 果 与 设 计基本符合。结 果 表 明,该 聚 合 物 微 环 谐 振 腔 滤 波 器 在 通 信 波 段 1550nm 附 近 的 自 由 光 谱 范 围 为 0.21nm,3dB 带宽为0.04nm,插入损耗为 26dB,消 光 比 达 到 了 11dB,品 质 因 子 达 到 了 3.87×104。该 聚 合 物 微 环 谐 振 腔 滤 波 器可以用于光通信及光传感集成芯片。 关 键 词 光 学 器 件 ;聚 合 物 ;微 环 谐 振 腔 ;品 质 因 子 ;消 光 比 中 图 分 类 号 TN256 文 献 标 识 码 A doi:10.3788/AOS201131.1013002
Abstract Based on the ultraviolet resist(ZPU)and polysulfone polymer materials,the structure parameters of the polymer ring resonator such as waveguide cross section,bending radius,waveguide gap in the coupling region are designed and optimized,and the filtering characteristic is analyzed.The polymer micro-ring resonator is fabricated using the traditional micro-fabrication techniques including contact lithography and reactive iron etching.The experimental results agree well with the simulation results.Results show that around the telecom wavelength of 1550nm,the free spectral range,3dB bandwidth,insertion loss,extinction ratio and quality factor of the polymer micro-ring resonator are 0.21 nm,0.04 nm,26 dB,11 dB,3.87×104 ,respectively.The polymer micro-ring resonator is very useful for telecom and integrated sensor chips. Key words optical devices;polymer;micro-ring resonator;quality factor;extinction ratio OCIS codes 130.5460;130.7408;130.3120
收 稿 日 期 :2011-03-18;收 到 修 改 稿 日 期 :2011-04-25 作 者 简 介 :恽 斌 峰 (1979— ),男 ,博 士 ,副 教 授 ,主 要 从 事 聚 合 物 波 导 方 面 的 研 究 。E-mail:ybf@seu.edu.cn
* 通 信 联 系 人 。E-mail:cyp@seu.edu.cn
杂 、设 备 昂 贵 和 成 本 高 。 相 对 于 半 导 体 材 料 ,基 于 聚 合物材料的波导微 环 谐 振 腔 滤 波 器 的 制 备 设 备、工 艺相对简单,成 本 也 大 大 降 低,因 而 成 为 了 研 究 热 点 。 [9~14] 然而,对于高 折 射 率 差 的 芯/包 层 材 料,为 了在耦合区得到较 大 的 耦 合 系 数,一 般 都 需 要 把 耦 合区的波导间距 控 制 在 几 百 纳 米 量 级 ,这 [6~12] 样 高 的加工精度是传统 的 接 触 式 光 刻 无 法 实 现 的,需 要 采用电子束光刻、纳 米 压 印 等 高 精 度 的 纳 米 加 工 技 术才能实现,大 大 增 大 了 加 工 成 本。 且 微 环 谐 振 腔 滤波器的品质因子Q 值也是器件应用的关键参数,
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