应变对单层硒化钨能带结构的影响研究
应变对In_xGa_(1-x)As能带结构的影响
Ｅ ｅ ｔｏ ｔｉ ｎ Ｂ ｎ ｔｕ ｔ ｒ ｆ ｎＧａ— ｓ ｆ ｃ ｆＳ ａｎｏ ａ ｄ Ｓｒ ｃｕ ｅｏ ￣ １ Ｉ Ａ ｌ
ＹＡ０ Ｄ ｌＵ ｉｅｓｙＤ ｌ Ｙ ｎ ａ ６ １０ ， ｈｎ ） Ｃ ｌ ｇ ｆ ｎ ｉ ｅｉ ， ａｉ ｎｖｒｔ， ａ ， ｕ ｎｎ ７ ０ ３ Ｃ ｉａ ｌ ｎ ｎ ｉ ｉ
【 ｙｗ ｒ ｓ Ｉｘ ａ Ａ ；ａ ｄｓ ｕｔｒ；ａｔ ｅ ｏ ｓ ｎｓｓ ａ Ｋｅ ｏ ｄ ｎＧ １ Ｓｂｎ ｒｃ ｅ ｌ ｉ ｎｔ ｔ； ｒｉ Ｊ ｔ ｕ ｔｃ ｃ ａ ｔ ｎ
三 元 化 合 物 ＩＧ Ａ 由于其 独 特 的 电 子 和 光 学 ｎａｓ 特性 ， 多年 来 吸引 了人 们较 大 的研 究 兴 趣 。ＩＧ Ａ ｎ ａｓ
变化关系， 可实现对材料带 隙的调节 ， 对器件 的研 究设计提供参考 。
［ 关键词 ］ ｎ ａ ｓ 能带结构 ； Ｉｘ ； Ｇ 晶格 常数 ； 应变 ［ 中图分类号 ］ Ｎ ５ ［ Ｔ ２ ３ 文献标志码 ］ ［ Ａ 文章编号 ］ ６ ２ ２ ４ （０ ２０ — ０ ２ ０ １７ — ３５ ２ １ ）４ ０ ３ — ３
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１ ＩＧ Ａ ／ ａ ｓ 质 结 的 应 变 ． ｎａｓ Ａ异 １ Ｇ 在 ＩＧ Ａ ／ ａ ｓ ｎ ａ ｓ Ａ Ｇ 异质 结 构 中 ， 由于 两 者 材 料 晶格 常数 不 匹 配 ， 生 在 长 的过 程 中会 产 生应 力 ， 力造 成 晶格 形变 引起 应 应
大理 学 院学 报
Ｊ ＯＵＲＮＡＬ Ｏ Ｆ ＤＡＬ ＩＵＮＩ ＲＳ Ｔ ＶＥ Ｉ Ｙ
第 １ 卷 第４ ２ １ 年４ １ 期 ０２ 月
应变对过渡族金属掺杂GaSb电子结构和磁学性质的影响
应变对过渡族金属掺杂GaSb电子结构和磁学性质的影响应变对过渡族金属掺杂GaSb电子结构和磁学性质的影响引言过渡族金属掺杂二砷化镓（GaSb）是一种广泛应用于电子器件中的半导体材料。
掺杂过渡族金属可以在GaSb中引入额外的电子或空穴，从而改变其电子结构和磁学性质。
而应变作为一种强有力的调控手段，可以进一步改变掺杂GaSb材料的性质。
本文将重点探讨应变对过渡族金属掺杂GaSb电子结构和磁学性质的影响。
电子结构的调控应变可以直接影响材料中的晶格常数和晶胞体积，从而改变电子能带结构。
在掺杂GaSb材料中，通过应变调节材料的晶格常数，可以实现对电子结构的调控。
以压应变为例，当GaSb材料受到压应变时，晶格参数减小，电子能带结构发生变化。
压应变可以增加材料的九对能隙，提高载流子的迁移率和尺寸量子效应，从而提高材料的电学性能。
掺杂了过渡族金属的GaSb材料在压应变下，由于晶格常数的变化，电子能带的位置也会发生移动。
这种移动可能导致能带的交叉，出现奇特的电子结构，使GaSb材料具有独特的输运性质。
磁学性质的调控过渡族金属掺杂GaSb材料的磁学性质也可以通过应变来调控。
以压应变为例，方向性应变会引起晶格的畸变，在GaSb材料中产生一个外加应力。
这个应力可以导致晶格畸变及自旋轨道耦合的变化，从而调控磁性原子的耦合。
一方面，应变可以改变掺杂原子的周围晶格结构，进而影响到掺杂过渡族金属的自旋轨道耦合。
另一方面，应变还可以改变材料的电荷密度，从而改变电子-电子相互作用，进而影响原子的磁性。
应变对过渡族金属掺杂GaSb材料磁学性质的调控效果主要表现在两个方面。
首先，掺杂过渡族金属的GaSb材料在受到应变时，可以发生自旋重排和电子重配，从而影响材料的磁性。
应变导致晶格畸变可能会改变材料中过渡金属的价态、局域态密度和轨道电子的排布，进而影响过渡金属掺杂GaSb材料的自旋-轨道耦合强度。
其次，应变还可以调控磁性原子的配位结构和原子间的距离，从而进一步影响了磁性原子的自旋耦合强度。
硒化铟 硒化钨 横向异质结 界面 单层 武大物理系
硒化铟硒化钨横向异质结界面单层武大物理系硒化铟（InSe）和硒化钨（WS2）是具有特殊电子性质的二维材料，它们在电子学和光电子学领域具有广泛的应用前景。
将硒化铟和硒化钨两种材料组合形成横向异质结，可以在界面处实现异质结的带间隔禁带，进一步调节材料的电子性质。
本文将从晶体结构、电子能带结构、物理特性和应用前景等方面对硒化铟和硒化钨横向异质结的研究进展进行综述。
首先，硒化铟和硒化钨的晶体结构对于构建横向异质结起到了重要的作用。
硒化铟的晶体结构属于六方晶系，即具有六角形晶格结构。
而硒化钨的晶体结构则属于正交晶系，具有矩形晶格结构。
这两种材料的晶体结构差异，使得在界面处形成了一定程度的应变，从而导致了各自具有不同的电子性质。
其次，硒化铟和硒化钨的电子能带结构也对横向异质结的形成起到了决定性的作用。
硒化铟的能带结构具有直接带隙，而硒化钨的能带结构则具有间接带隙。
这一差异导致了在界面处形成了能带对齐的情况，且能带对齐位置可以通过调控异质界面的形态和厚度来实现。
此外，由于硒化铟和硒化钨材料的单层结构，使得在横向异质结中形成了限制性载流子垂直传输的特殊电子性质。
通过对硒化铟和硒化钨横向异质结的物理特性研究，研究者们发现了一些有趣的现象。
例如，该异质结的载流子传输性质受到界面的影响，表现出非线性易于形成驰豫波的特点。
此外，硒化铟和硒化钨横向异质结具有较高的载流子迁移率和吸附能力，使得其在柔性电子学和微纳电子器件中具有广泛的应用前景。
例如，硒化铟和硒化钨横向异质结可以用于制备超薄二极管、场效应晶体管和光电探测器等器件。
综上所述，硒化铟和硒化钨横向异质结具有独特的电子性质和应用前景。
通过调控界面形态和厚度，可以实现异质结的带间隔禁带，从而进一步调节材料的电子性质。
尽管目前对于硒化铟和硒化钨横向异质结的研究还处于初级阶段，但随着材料制备和表征技术的不断发展，相信在不久的将来，横向异质结将在电子学和光电子学领域发挥重要的作用。
高应变率压缩载荷下钨合金变形与失效研究
高应变率压缩载荷下钨合金变形与失效研究
杨卓越;王富耻
【期刊名称】《华北工学院学报》
【年(卷),期】1996(017)004
【摘要】本文借助于扫描电镜和光学显微镜，研究了９３Ｗ－Ｎｉ－Ｆｅ合金圆柱试样在高应变率压缩载荷下的变形与失效特征，研究表明，圆柱试样的变形过程经历了３个阶段；（１）均匀变形阶段；（２）对称不均匀变形阶段；（３）非对称不均匀变形阶段，其中不均匀变形是区域性的，绝热剪切带协调上述不均匀变形区域的界面，失效时在拉应力最大的区域首先形成裂纹，这些裂纹扩展到一定深度后通过剪切带聚合。
【总页数】6页(P283-288)
【作者】杨卓越;王富耻
【作者单位】华北工学院;北京理工大学
【正文语种】中文
【中图分类】TG146.411
【相关文献】
1.镁合金在大变形和高应变率下塑性变形研究进展 [J], 宁俊生;范亚夫;彭秀峰
2.TC17钛合金在高温与高应变率下的动态压缩力学行为研究 [J], 牛秋林;陈明;明伟伟
3.冲击载荷下钨合金圆台试件绝热剪切变形局部化的数值模拟 [J], 李剑荣;虞吉林;魏志刚
4.高速冲击载荷下钨骨架/Zr基非晶合金复合材料的变形特征 [J], 程焕武;王鲁;薛云飞;王海丽;吴清山;张海峰;王爱民
5.高应变率下混凝土准一维大变形压缩实验研究 [J], 王万鹏;胡永乐;林俊德;陈剑杰
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第一性原理研究应变Si111Si1xGx能带结构
9期
宋建军等 : 第一性原理研究应变 SiΠ(111) Si12x Ge x 能带结构
5921
变了空穴有效质量的大小.
图 8 应变 SiΠ(111) Si12x Ge x 在Γ点处价带带边和亚带边之间劈 裂能与 Ge 组分的拟合函数关系
图 10 应变 SiΠ(111) Si12x Ge x (0 ≤x ≤014) 导带底能带图 (箭头指 向从 0 到 014 ,步长 011)
关键词 : 应变硅 , 能带结构 , 第一性原理 PACC : 7360F , 7125C , 7115M
11 引 言
利用应变 Si 提高载流子迁移率是当前 Si CMOS 技术发展的重点 ,已经成为研究设计高速Π高性能小 尺寸 CMOS 器件与电路的首选方案[1 —3] . 而其能带 结构是深入研究应变 Si 材料基本属性 ,设计高速Π 高性能 CMOS 器件与电路的重要理论依据 , 意义 重大[4] .
建立了相应的能带结构模型 ,其结果与 KP 理论计 算结果一致. 并获得了有实用价值的相关结论 ,可 为张应变 Si CMOS 器件与电路的研究与设计提供理 论参考. 应变 Si 的能带结构与弛豫 Si12x Ge x 的 Ge 组分相关 ,因此只要将其转换成相应的应变强度 ,文 中所建立的模型即可适用于其他应力引入方法产生 的应变.
图 9 应变 SiΠ(111) Si12x Ge x 禁带宽度随 Ge 组分的变化关系
比较图. 由图可见 ,导带带边能量极值 k 矢位置和 极值附近可由电子有效质量描述的能带形状在应变 条件下的曲率几乎一致 ;价带极大值附近可由空穴 有效质量描述的能带形状斜率随着 x 有规律地变 化 ,但变化不大. 因此 ,应变几乎没有改变电子有效 质量的大小 ;沿 [ 100 ]方向空穴有效质量随着 Ge 组 分的增加而变小 ,但变化不大. 这主要是由于 Ge 组 分不大时 ,外延层应变较小. 导带底能谷对应 k 矢 的邻域内 ,形变势场可以看作常数 ,不随 k 矢变化. 因此 ,应力作用下 ,能谷附件各点位移是一样的. 此 外 ,导带底的简并是 k 矢的简并 ,不是 k 矢的简并. 因此 ,对于每个 k 矢极值态 ,由于不存在能量很靠 近的其他态 ,所以耦合不显著 ,可以忽略. 这就解释 了导带底能谷附近能带形状在应力作用下能够保持 的物理现象. 相对于导带底的情况 ,虽然在布里渊 区中心附近的形变势场也可以看作不随 k 矢变化 的常量 ,但是价带顶存在的 k 矢简并态之间的耦合 作用显著 ,导致价带顶能带形状发生了变化 ,进而改
应变ZnO能带结构研究
应变ZnO能带结构研究应变ZnO能带结构研究引言：氧化锌（ZnO）作为一种重要的半导体材料，在光电子学、光催化、传感器等领域具有广泛的应用前景。
而引入应变场可以有效地调控ZnO的能带结构和性能，进一步提升其应用性能。
本文将综述应变ZnO能带结构研究的最新进展，探讨应变对ZnO能带结构调控的影响。
一、ZnO的能带结构ZnO属于宽禁带半导体材料，其能带结构对其光电性能具有重要影响。
ZnO的绝热带隙约为3.37 eV，该带隙与ZnO晶格构型密切相关。
传统无应变ZnO的能带结构由导带和价带组成，在ZnO能带中，价带顶端主要由Zn 4s和O 2p轨道形成，导带底端则主要由Zn 4s和O 2p*轨道形成。
二、应变对ZnO能带结构的影响引入应变场可以对ZnO的能带结构进行调控，从而改变其光电性能。
研究表明，不同应变类型对ZnO的影响是不同的。
1. 压应变压应变会使ZnO晶格收缩，导致晶格参数减小。
实验结果显示，压应变可以减小ZnO的绝热带隙，增大导带和价带之间的能带分裂，从而提高其导电性能。
这是由于压应变会增加晶格中Zn 4s轨道与O 2p*轨道的重叠程度，促进电子的跃迁和传导。
因此，压应变可以提升ZnO的导电性能和光电转换效率。
2. 拉应变拉应变会使ZnO晶格扩张，导致晶格参数增大。
实验研究表明，拉应变可以增大ZnO的绝热带隙，减小导带和价带之间的能带分裂。
这是因为拉应变会减小晶格中Zn 4s轨道与O 2p*轨道的重叠程度，减少电子的跃迁和传导。
因此，拉应变可以提升ZnO的光吸收性能和光催化活性。
3. 剪切应变剪切应变会扭曲ZnO晶格结构，导致晶格参数发生变化。
研究发现，剪切应变可以改变ZnO的晶格对称性和电子结构。
剪切应变会影响ZnO的费米能级分布，改变载流子的密度和迁移率。
进一步的研究还需开展。
结论：应变场对ZnO的能带结构有显著的影响，可以通过调控晶格参数改变ZnO的绝热带隙和能带分裂，进而调节其光电性能。
单轴应变硅能带结构及载流子迁移率研究
单轴应变硅能带结构及载流子迁移率探究引言：近年来，随着半导体技术的飞速进步，人们对新型材料的探究越来越深度。
其中，单轴应变硅是一种具有潜在应用价值的材料。
通过对其能带结构和载流子迁移率的探究，可以更好地理解其电子输运特性和潜在应用领域。
本文旨在探究单轴应变硅的能带结构及载流子迁移率的探究进展，为其应用提供理论依据。
一、单轴应变硅的能带结构探究单轴应变硅是通过在硅晶体上施加单向应变来实现的。
应变会改变硅晶体的晶格常数，从而对其能带结构产生影响。
探究发现，单轴应变硅的电子能带结构可以分为传统硅能带结构和新型能带结构两种。
传统硅能带结构：传统硅晶体的能带结构由导带和价带组成，两者之间被禁带所分隔。
而在单轴应变硅中，由于晶格常数的改变，电子能带结构发生畸变。
一般状况下，在应变方向上，价带和导带能带会产生分裂，形成额外的能带。
这样一来，原本禁带的能量范围被进一步分离，产生所谓的“能隙特异性”。
新型能带结构：在应变方向上，除了传统的分裂能带外，单轴应变硅还可能出现新的能带结构。
这些新型能带一般位于传统能带的高频区，具有更高的能量。
探究发现，这些新的能带结构与应变硅的物理性质和电学特性密切相关，可能是实现其特殊性能的关键。
二、单轴应变硅的载流子迁移率探究载流子迁移率是材料中载流子运动性能的重要指标，对半导体器件的性能起到决定性作用。
探究发现，单轴应变硅的载流子迁移率受到应变和新型能带结构的影响。
应变对载流子迁移率的影响：单轴应变硅晶体在应变方向上会由于晶格剪切而产生应变应力。
应变应力对电子输运提供了额外的能量，增进了载流子的迁移。
通过试验测量，发此刻应变硅中，载流子的迁移率较传统硅提高了数倍，这为单轴应变硅在高频电子器件领域的应用提供了潜在的机会。
新型能带结构对载流子迁移率的影响：新型能带结构对载流子迁移率的影响机制较为复杂。
一方面，新型能带的存在可能会引入额外的散射路径，降低载流子迁移率。
另一方面，新型能带提供了更多的载流子散射状态，增加了载流子的有效迁移。
应变及Ru、Rh、Pd掺杂对GaSb电子结构和光学性质的影响
应变及Ru、Rh、Pd掺杂对GaSb电子结构和光学性质的影响应变及Ru、Rh、Pd掺杂对GaSb电子结构和光学性质的影响摘要：本文研究了应变和Ru、Rh、Pd掺杂对GaSb材料的电子结构和光学性质的影响。
通过第一性原理计算方法，分析了应变和掺杂对GaSb材料能带结构、能带间隙、电子密度、态密度和光学吸收谱的影响。
研究结果表明，应变和Ru、Rh、Pd掺杂能够显著改变GaSb材料的电子结构和光学性质，为其在光电子器件中的应用提供了理论依据。
关键词：应变；Ru、Rh、Pd掺杂；GaSb；电子结构；光学性质1. 引言GaSb是一种具有重要应用价值的半导体材料。
由于其优异的电子输运性能和较小的能隙，使得GaSb在红外光电子器件中具有广阔的应用前景。
然而，为了进一步优化其性能，我们需要深入了解应变和掺杂对GaSb材料的影响机制。
2. 方法本文采用第一性原理计算方法研究了应变和Ru、Rh、Pd掺杂对GaSb材料的电子结构和光学性质的影响。
我们使用了密度泛函理论和广义梯度近似(GGA)来计算能带结构、能带间隙和各种性质的值。
对于应变模拟，我们引入了晶格常数的变化作为外部应变驱动，从而模拟不同应变下的GaSb材料。
3. 结果与讨论首先，我们考察了应变对GaSb材料的能带结构和能带间隙的影响。
研究结果显示，随着应变的增大，GaSb材料的能带间隙逐渐减小。
这是由于应变导致晶格常数的变化，进而影响到了材料中电子态的分布。
此外，我们还观察到应变对GaSb材料电子态密度的影响。
随着应变的增大，材料的电子态密度逐渐增加，表明应变可以增大GaSb材料的载流子浓度。
其次，我们研究了Ru、Rh、Pd掺杂对GaSb材料性质的影响。
研究发现，这些掺杂元素能够引入额外的能级到GaSb材料的带隙中。
这些能级的引入可以改变材料的导电性质，提高其载流子浓度和迁移率。
此外，通过计算光学吸收谱，我们发现Ru、Rh、Pd掺杂对GaSb材料的吸收能力也发生了很大改变。
ms异质结做应变
ms异质结做应变一、应变效应机制应变效应是指材料受到外界应力作用后，其内部微观结构发生改变的现象。
在MS异质结中，应变效应主要由异质结两侧材料的晶格常数差异引起。
当两种材料紧密结合时，由于晶格常数的差异，一种材料的晶格常数会试图调整以适应另一种材料的晶格常数，从而产生应变。
二、应变对能带结构的影响应变可以显著影响材料的能带结构。
在MS异质结中，应变会导致能带发生弯曲和重叠，从而影响载流子的传输和散射行为。
具体而言，应变可以使能带弯曲，导致费米能级附近的能级分裂，影响载流子的分布和迁移率。
此外，应变还可以导致能带重叠，增加载流子的迁移率。
三、应变对载流子动力学过程的影响应变对载流子动力学过程的影响主要体现在对载流子的散射和迁移行为的改变上。
在MS异质结中，应变引起的晶格畸变和声子散射会增加载流子的散射几率，从而影响其迁移率和寿命。
此外，应变还可以通过影响能带结构来改变载流子的分布和能量状态，进一步影响其动力学行为。
四、应变对光学性能的影响应变可以显著影响材料的反射、吸收和透射等光学性能。
在MS 异质结中，应变可以改变材料的折射率、消光系数等光学参数，从而影响其光学性能。
此外，应变还可以通过影响材料的能带结构来改变其吸收光谱和光致发光性能。
五、应变对电子器件性能的影响在电子器件中，MS异质结的应变状态会对器件的性能产生重要影响。
例如，应变可以改变异质结的能带结构，从而影响其整流特性和载流子迁移率等性能。
此外，应变还可以影响异质结中载流子的分布和能量状态，从而影响其电导和热导等性质。
因此，通过对MS异质结的应变进行调控，可以有效优化电子器件的性能。
六、应变在制造过程中的控制在制造MS异质结的过程中，应变的产生是难以避免的。
为了控制应变的产生和分布，可以采用一些工艺手段进行优化。
例如，选择晶格常数相近的材料构建异质结，以减小由于晶格常数差异引起的应变。
此外，可以通过优化薄膜制备工艺和条件，如退火处理、薄膜厚度和缓冲层设计等，来有效调控应变的产生和分布状态。
应变工程调控原子层厚度WSe2
应变工程调控原子层厚度WSe2应变工程调控原子层厚度WSe2引言：二维材料在过去几年中成为了材料科学领域的焦点研究对象。
WSe2是一种重要的二维材料，具有优异的电学和光学性质，因此在光电子器件和能源领域具有广泛的应用前景。
控制原子层厚度是研究二维材料的关键，而应变工程是一种有效的手段，可以用来改变原子层之间的相互作用和电子输运性质。
因此，本文将重点探讨应变工程对WSe2的原子层厚度调控的研究进展。
一、WSe2的结构与性质WSe2是一种由钨和硫组成的二维层状材料，具有层状结构，每一层由一个层的W原子与两个层的Se原子组成。
WSe2的晶体结构可以被认为是由WSe2分子以键合力相连形成的，属于典型的范德华材料。
WSe2的层间键合较弱，具有一定的柔性和可剥离性，这使得研究人员可以通过剥离和堆叠层来调控其厚度和性质。
此外，WSe2的内禀能带结构使其具有良好的光吸收能力和发光性能，在光电子器件中具有广泛的应用潜力。
二、应变工程的原理与方法应变工程是通过施加外部力或调节外界环境来改变材料晶格的方法。
对于二维材料，应变工程可以通过机械拉伸、压缩或薄膜受限等方式来调控材料的厚度和性质。
具体来说，对于WSe2材料而言，应变工程可以通过施加垂直或平行于材料平面的外部应变来改变其晶格常数，并进一步调节其原子层间距和原子层厚度。
目前，常见的应变工程方法包括控制室温和高温下对WSe2薄膜进行机械剪切、大气压缩和表面应力调控等方式。
三、应变工程对WSe2原子层厚度的调控应变工程对WSe2原子层厚度的调控可以通过两种方式实现：一种是通过应变工程改变原子层间距，也可以通过应变工程调控材料的堆叠方式来达到调控厚度的目的。
1. 应变工程改变原子层间距当施加外界应变时，WSe2晶格发生畸变，晶格常数发生改变，从而改变了原子层间的距离。
例如，当垂直应力施加到WSe2薄膜上时，晶格常数沿垂直方向增加，导致原子层间距增大。
通过调节施加的应力大小，可以实现控制WSe2原子层间距的目的。
《2024年电场下应变GaN-AlxGa1-xN异质结中的杂质态及压力效应》范文
《电场下应变GaN-AlxGa1-xN异质结中的杂质态及压力效应》篇一电场下应变GaN-AlxGa1-xN异质结中的杂质态及压力效应一、引言在半导体材料中，GaN/AlxGa1-xN异质结因其独特的物理和化学性质在微电子、光电子和电力电子等领域得到了广泛的应用。
异质结中的杂质态及其在电场和压力下的变化对材料性能的调控起着至关重要的作用。
本文将详细研究电场下应变GaN/AlxGa1-xN异质结中的杂质态以及压力效应。
二、GaN/AlxGa1-xN异质结的基本性质GaN/AlxGa1-xN异质结由氮化镓（GaN）和铝镓氮（AlxGa1-xN）两种材料组成，具有独特的能带结构和电子结构。
由于两种材料之间的晶格失配和应力效应，产生了独特的界面结构和杂质态。
这些杂质态对于控制电子在异质结中的传输起着重要作用。
三、电场下的杂质态研究1. 理论分析：电场会对材料内部的电荷分布产生影响，进而影响杂质的能级位置和分布。
通过对异质结中杂质的量子力学分析，我们可以了解电场对杂质态的影响机制。
2. 实验结果：在施加电场后，我们发现杂质态在能级上的位置发生了明显变化。
这些变化导致电子的传输行为发生变化，进而影响材料的导电性能和光学性能。
四、压力效应下的研究1. 理论分析：压力效应可以改变材料的晶格结构和能带结构，进而影响杂质态。
当对异质结施加压力时，材料的内部结构和电荷分布发生变化，导致杂质态的变化。
2. 实验结果：通过对不同压力下材料性能的测试和分析，我们发现压力可以有效地调控杂质的能级位置和分布，从而实现对材料性能的调控。
五、结论本文研究了电场下应变GaN/AlxGa1-xN异质结中的杂质态及压力效应。
通过理论分析和实验结果，我们发现在电场和压力的作用下，杂质的能级位置和分布发生了明显变化，从而影响了材料的电子传输行为和光学性能。
这些发现为进一步调控材料的性能提供了新的思路和方法。
六、展望未来，我们可以进一步研究电场和压力对GaN/AlxGa1-xN异质结中其他性质的影响，如光学性质、热学性质等。
《电场下应变GaN-AlxGa1-xN异质结中的杂质态及压力效应》范文
《电场下应变GaN-AlxGa1-xN异质结中的杂质态及压力效应》篇一电场下应变GaN-AlxGa1-xN异质结中的杂质态及压力效应一、引言在半导体材料中，GaN/AlxGa1-xN异质结因其独特的物理和化学性质，在光电子和微电子领域中具有广泛的应用前景。
随着科技的进步，对材料性能的深入研究成为了科研领域的重要课题。
在电场下，应变的GaN/AlxGa1-xN异质结中的杂质态以及其受到的压力效应对材料性能有着显著影响。
本文将详细探讨这一主题，为相关研究提供参考。
二、电场下的GaN/AlxGa1-xN异质结中的杂质态2.1 杂质态的形成在GaN/AlxGa1-xN异质结中，杂质态的形成与材料的能带结构、晶格常数、原子排列等因素密切相关。
杂质原子的引入会在材料的能带中形成杂质能级，这些杂质能级会直接影响材料的电子结构和光学性质。
2.2 杂质态的能级分布在电场作用下，杂质态的能级分布会发生变化。
由于电场的作用，材料的能带会发生弯曲，导致杂质能级在能带中的位置发生变化。
这种变化会影响材料的电子传输和光学响应性能。
三、应变对GaN/AlxGa1-xN异质结中杂质态的影响3.1 应变的产生与类型在GaN/AlxGa1-xN异质结中，由于晶格常数的差异，会产生应变。
这种应变可以是双轴拉伸或压缩，会影响材料的晶格结构和电子性能。
3.2 应变对杂质态的影响应变会导致材料的晶格常数发生变化，进而影响杂质原子在晶格中的位置和能级分布。
在电场作用下，应变的存在会使杂质态的能级变化更为显著，从而影响材料的电子传输和光学响应性能。
四、压力效应对GaN/AlxGa1-xN异质结中杂质态的影响4.1 压力效应的产生压力效应是指通过改变材料所受的外界压力来影响其内部结构和性能。
在GaN/AlxGa1-xN异质结中，压力的变化会导致晶格常数的变化，进而影响材料的电子结构和光学性质。
4.2 压力对杂质态的影响压力的改变会使材料的能带结构发生变化，从而影响杂质态的能级分布。
《2024年电场下应变GaN-AlxGa1-xN异质结中的杂质态及压力效应》范文
《电场下应变GaN-AlxGa1-xN异质结中的杂质态及压力效应》篇一电场下应变GaN-AlxGa1-xN异质结中的杂质态及压力效应一、引言近年来，在半导体物理与电子材料科学领域，III-V族氮化物（如GaN和AlxGa1-xN）的异质结研究日益受到关注。
特别是其因应力和电场而产生的独特物理性质，在光电子器件和微电子器件的制造中有着广泛的应用前景。
本篇论文将探讨在电场作用下，应变GaN/AlxGa1-xN异质结中的杂质态及其与压力效应的相互作用。
二、GaN/AlxGa1-xN异质结的基本性质GaN/AlxGa1-xN异质结由两种不同组分的氮化物构成，通过改变Al的含量（x值），可以调整材料的电子和光学性质。
由于两种材料之间的晶格常数和热膨胀系数的差异，会在界面处产生应变。
这种应变对材料的电子结构、能带排列和载流子行为产生显著影响。
三、电场下的杂质态在电场作用下，GaN/AlxGa1-xN异质结中的杂质态会发生显著变化。
首先，电场会改变材料的能带结构，使得原本处于禁带中的杂质能级可能进入导带或价带。
这些杂质态对电子的传输和光吸收有重要影响。
此外，电场还会影响杂质的电离能级，从而改变载流子的浓度和分布。
这些变化对异质结的电学性能和光学性能都有重要影响。
四、压力效应压力对GaN/AlxGa1-xN异质结的影响主要体现在对材料晶格常数和电子结构的改变上。
随着压力的增加，材料的晶格常数会发生变化，导致能带结构和电子态的调整。
这种调整会影响材料的电子传输、光学吸收和发光等性能。
此外，压力还会影响杂质态的稳定性，可能导致一些杂质态的消失或新的杂质态的出现。
五、电场与压力的交互作用电场和压力对GaN/AlxGa1-xN异质结的影响并非孤立存在，它们之间存在交互作用。
一方面，电场会改变材料在压力作用下的响应，如改变压力对能带结构和电子态的影响。
另一方面，压力也会影响电场作用下杂质态的变化。
这种交互作用使得在研究电场和压力对GaN/AlxGa1-xN异质结的影响时，需要综合考虑它们的共同作用。
应变调控单层氧化锌能带结构的第一性原理研究
应变调控单层氧化锌能带结构的第一性原理研究汪志刚;曾祥明;张杨;黄娆;玉华【期刊名称】《物理化学学报》【年(卷),期】2015(000)009【摘要】采用基于密度泛函理论的第一性原理计算对单层ZnO薄膜能带结构的应变调控进行了研究。
计算结果表明：沿着之字形方向的压缩应变和扶椅形方向的拉伸应变对薄膜带隙的调控都是线性的，而且带隙调控的范围最大；相反地，在沿着之字形方向的拉伸应变和扶椅形方向的压缩应变的调控下，带隙则呈现出非线性的变化。
对于双轴应变的拉伸与压缩，带隙的变化都是非线性的。
这种通过不同的应变加载方式来实现对带隙不同程度的调控，对ZnO薄膜在光学和催化等领域的应用具有重要的指导意义。
%The effect of strain on the band structure of the ZnO monolayer has been investigated by first-principles calculations based on density functional theory. The results reveal that the band structure of the ZnO monolayer presents different dependences on three types of strain. The band gap linearly and steeply varies under uniaxial zigzag compressive strain and armchair tensile strain, while it shows nonlinear dependence on the other types of strain. Therefore, uniaxial zigzag compressive strain and armchair tensile strain should be the most effective to tune the band gap. This work has significant implications for application of strain to tune the optical and catalytic properties of ZnO nanofilms.【总页数】6页(P1677-1682)【作者】汪志刚;曾祥明;张杨;黄娆;玉华【作者单位】乐山师范学院物理与电子工程学院，四川乐山 614004; 厦门大学物理学系，福建厦门 361005;厦门大学物理学系，福建厦门 361005;西安交通大学应用物理系，西安 710049;厦门大学物理学系，福建厦门 361005;厦门大学物理学系，福建厦门 361005【正文语种】中文【中图分类】O641【相关文献】1.Cr和Mo掺杂对单层WSe2能带结构影响的第一性原理研究∗ [J], 李伟;冀圆圆;戴宪起;王天兴2.石墨烯能带结构调控的第一性原理研究 [J], 郭战魁;马飞;徐可为3.应力对单层GaTe能带结构和迁移率影响的第一性原理研究 [J], 王嘉绮;汪礼胜;姜豹;陈凤翔4.应变对单层碘化铅的能带及光电导率影响的第一性原理研究 [J], 郝东;朱世富;赵北君;朱兴华;何知宇;杨定宇;孙辉5.第一性原理研究应变Si/(001)Si1-XGeX能带结构 [J], 牛玉峰;庄奕琪;胡辉勇;宋建军因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
拉伸应变对单层MoTe2电子结构的影响
第44卷第7期2016年7月硅酸盐学报Vol. 44，No. 7July，2016 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.2016.07.04 拉伸应变对单层MoTe2电子结构的影响赵旭1，陈鹏1，张芳2(1. 河南师范大学物理与电子工程学院, 河南新乡 453007；2. 平顶山学院电气信息工程学院，河南平顶山 467000)摘要：采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法计算了单层MoTe2的能带结构和态密度，研究了拉伸应变对单层MoTe2电子结构的影响。
结果表明：与单轴应变相比，双轴应变对Te–Te原子间距和Te–Mo–Te键角等晶格参数的影响更大，键长和键角的变化会影响原子不同轨道间的耦合强度，因此在调节单层MoTe2的带隙宽度时，施加双轴应变比单轴应变更有效。
对单层MoTe2施加单轴应变后，其带隙宽度随着应变的增加缓慢减小，能带结构与未施加应变时相同，仍为直接带隙。
而施加双轴应变后，单层MoTe2的带隙宽度明显变小，当应变接近6%时，其能带结构由直接带隙变为间接带隙。
通过对投影电荷密度的分析，揭示了施加双轴拉伸应变时能带结构变化的根本原因。
关键词：第一性原理；二碲化钼；拉伸应变；电子结构中图分类号：O469 文献标志码：A 文章编号：0454–5648(2016)07–0942–06网络出版时间：2016–05–30 10:27:26 网络出版地址：/kcms/detail/11.2310.TQ.20160530.1027.018.htmlEffect of Tensile Strain on Electronic Structure of Single-layer MoTe2ZHAO Xu1, CHEN Peng1, ZHANG Fang2(1. College of Physics and Electronic Engineering, Henan Normal University, Xinxiang 453007, Henan, China;2. College of Electric and Information Engineering, Pingdingshan University, Pingdingshan 467000, Henan, China) Abstract: The band structure and state density of monolayer MoTe2 were calculated by the first-principles method based on the density functional theory. The effect of tensile strain on the electronic structure of monolayer MoTe2 was investigated. The calculated results indicate that the biaxial strain has a greater effect on the lattice parameters of Te–Te distance and Te–Mo–Te bond angle rather than the uniaxial strain. The change of bond length and bond angle affects the coupling strength between different atom orbitals, therefore the biaxial strains are more effective than the uniaxial strains in modulating the bandgap of monolayer MoTe2. Under the uniaxial strains, the calculated bandgap decreases slightly as the strain increases, while the band structure is preserved and the monolayer MoTe2 remains as a semiconductor with a direct bandgap. Under the biaxial strains, the calculated bandgap decreases obviously as the strain increases, a certain biaxial strain (6%) results in the transition from direct to indirect gap for monolayer MoTe2. The fundamental reason for the change of band structure under the biaxial tensile strain was analyzed based on the further analysis of the projected charge density for monolayer MoTe2.Keywords: first-principles; molybdenum telluride; tensile strain; electronic structure石墨烯具有特殊的力学、电学、光学和热学特性，如优异的力学性能[1]，较高的热导率[2]，室温下高速的电子迁移率[3]，高理论比表面积[4]等，一直受到人们的高度关注。
应变Ge-Si1-xGex价带E(k)～k关系研究
应变Ge-Si1-xGex价带E（k）～k关系研究应变Ge/Si1-xGex价带E（k）～k关系研究引言半导体材料是现代电子技术的基础，其电子结构的研究对于了解半导体材料的性能以及开发新型半导体器件具有重要意义。
Ge/Si1-xGex材料作为一种重要的半导体材料，其特殊的电子结构使其具有很高的应变效应，被广泛应用于红外光电器件、太阳能电池等领域。
本文旨在通过研究应变Ge/Si1-xGex材料的价带能带与波矢关系，从微观角度揭示应变对其电子结构的影响。
方法与实验本研究使用第一性原理计算方法，通过VASP软件包对应变Ge/Si1-xGex材料的晶格结构进行优化，并计算其电子结构。
先生成初始晶格结构，利用弛豫过程达到能量最低的平衡结构，再使用GGA泛函计算价带能带。
结果与分析通过计算得到的能带结构，我们可以得到应变Ge/Si1-xGex材料的不同应变程度下的价带能带与波矢（k）关系曲线。
在无应变情况下，Ge和Si材料的能带结构可以分别用简单的三角函数表达，而在引入应变情况下，其能带结构发生明显变化。
首先，我们考察了不同应变程度下Ge/Si1-xGex材料的能带间隙。
结果显示，随着应变程度的增加，能带间隙逐渐减小。
这是因为应变会改变晶格常数，导致材料内部的原子相互作用发生变化，使得原本宽的能带间隙减小。
其次，我们研究了应变对异质结能带结构的影响。
由于Ge和Si材料的能带结构不同，引入应变会造成两者之间的相互影响。
当应变程度较小时，能带结构保持原貌，但随着应变程度的增加，两种材料间的能带结构逐渐趋于一致。
这种相互作用对于深入理解应变Ge/Si1-xGex材料的光电性能具有重要意义。
最后，我们探究了应变引起的能带调控。
通过调整应变程度，可以有效调控Ge/Si1-xGex的能带结构。
不同的能带结构在光电器件的设计和性能优化上具有重要意义。
因此，应变Ge/Si1-xGex材料的研究将为开发新型半导体器件提供理论指导。
单轴应变对Sb_(2)Se_(3)空穴迁移率的影响
单轴应变对Sb_(2)Se_(3)空穴迁移率的影响张冷;沈宇皓;汤朝阳;吴孔平;张鹏展;刘飞;侯纪伟【期刊名称】《物理学报》【年(卷),期】2024(73)11【摘要】硒化锑(Sb_(2)Se_(3))是一种物相简单、元素丰富、经济友好的太阳电池吸收层材料,具有广阔的应用前景.然而,Sb_(2)Se_(3)较弱的导电性成为了限制电池器件性能的重要因素.迁移率是材料与器件的重要电学参数,应变可以改变载流子迁移率,因此,研究应变对Sb_(2)Se_(3)的载流子迁移率特性影响具有实际意义.本文通过密度泛函理论和形变势理论,系统研究了单轴应变对Sb_(2)Se_(3)能带结构、禁带宽度、等能面、有效质量的影响,分析了沿着x,y,z方向的三种单轴应变对载流子沿着x,y,z方向的迁移率μx,μy,μz的影响.研究发现,对于无应变的Sb_(2)Se_(3),μx 远大于μy和μz,实验上应该将x方向作为Sb_(2)Se_(3)的特定生长方向(即内建电场方向).综合应变对带隙、等能面、分态密度及迁移率的影响,本研究认为当应变沿着y轴方向,且压应变为3%的时候,能获得最佳性能的Sb_(2)Se_(3)太阳电池吸收层材料.【总页数】8页(P280-287)【作者】张冷;沈宇皓;汤朝阳;吴孔平;张鹏展;刘飞;侯纪伟【作者单位】金陵科技学院电子信息工程学院;南京大学物理学院;南京工业大学数理科学学院【正文语种】中文【中图分类】TM9【相关文献】1.双轴应变下GaN有效质量的计算及其对迁移率的影响2.卤水体积和应变率影响下的渤海海冰单轴压缩强度分布3.高导无氧铜动态本构关系对于单轴冲击拉伸下空穴增长和失稳的影响4.单轴压缩试验条件下含水饱和度对应力应变曲线的影响5.基于形变势理论的掺杂计算Sb_(2)Se_(3)空穴迁移率因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
应变对(Ga,Mo)Sb磁学和光学性质影响的理论研究
应变对(Ga,Mo)Sb磁学和光学性质影响的理论研究潘凤春;林雪玲;王旭明【期刊名称】《物理学报》【年(卷),期】2022(71)9【摘要】近年来,作为一种自旋电子学领域的关键材料,具有高温本征铁磁性的稀磁半导体受到了广泛的关注.为探索能够提高本征铁磁性居里温度(C urie temperature,T;)的方法,本文运用第一性原理LDA+U方法研究了应变对Mo掺杂GaSb的电子结构、磁学及光学性质的影响.研究结果表明:-6%—2.5%应变范围下GaSb半导体材料具有稳定的力学性能,压应变下GaSb材料的可塑性、韧性增强,有利于GaSb半导体材料力学性能的提升;应变对Mo替代Ga缺陷(Mo;)的电子结构有重要的影响,-3%至-1.2%应变范围下Mo;处于低自旋态(low spin state,LSS),具有1;的局域磁矩,-1.1%—2%应变范围下Mo;处于高自旋态(high spin state,HSS),具有3;的磁矩;不管是LSS还是HSS,Mo;产生局域磁矩之间的耦合都是铁磁耦合,但铁磁耦合的强度和物理机制不同,适当的压应变可有效提高铁磁耦合强度,这有利于实现高T;的GaSb基磁性半导体;Mo可极大提高GaSb半导体材料的电极化能力,这有利于光生电子-空穴对的形成和分离,提高掺杂体系对长波光子的光电转化效率;Mo引入的杂质能级使电子的带间跃迁对所需要吸收光子的能量变小,掺杂体系光学吸收谱的吸收边发生了红移,拉应变可进一步提升(Ga,Mo)Sb体系在红外光区的光学性能.【总页数】12页(P245-256)【作者】潘凤春;林雪玲;王旭明【作者单位】宁夏大学物理与电子电气工程学院【正文语种】中文【中图分类】TN3【相关文献】1.3d过渡金属离子在晶体中的光学和磁学性质理论研究的基础和现状2.钒刚玉光学和磁学性质的理论研究3.晶体(NH4)2 Ni(SO4)2·6H2O的结构及其光学与磁学性质的理论研究4.Ga1–xCrxSb(x=0.25,0.50,0.75)磁学和光学性质的第一性原理研究5.NiSO_4·6H_2O晶体的结构、光学和磁学性质的理论研究因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
《电场下应变GaN-AlxGa1-xN异质结中的杂质态及压力效应》范文
《电场下应变GaN-AlxGa1-xN异质结中的杂质态及压力效应》篇一电场下应变GaN-AlxGa1-xN异质结中的杂质态及压力效应一、引言随着半导体技术的不断发展，GaN/AlxGa1-xN异质结因其独特的物理和化学性质，在光电子和微电子器件中得到了广泛的应用。
在电场作用下，这种异质结的应变行为、杂质态以及压力效应成为了研究的热点。
本文将重点探讨电场下应变GaN/AlxGa1-xN异质结中的杂质态及其与压力效应的相互作用。
二、GaN/AlxGa1-xN异质结的基本性质GaN/AlxGa1-xN异质结是由氮化镓（GaN）和铝镓氮（AlxGa1-xN）两种不同组分的材料组成的异质结构。
这两种材料具有不同的电子亲和能和晶格常数，因此在界面处产生显著的能带弯曲和应变效应。
这些特性使得该异质结在光电器件、高功率电子器件以及传感器等方面具有广泛应用。
三、电场下应变GaN/AlxGa1-xN异质结中的杂质态在电场作用下，GaN/AlxGa1-xN异质结中的杂质态会发生显著变化。
这些杂质可能来自材料生长过程中的杂质原子，也可能是在器件制备过程中引入的。
电场会改变杂质的能级位置，进而影响其电子和空穴的传输行为。
此外，应变效应也会对杂质态产生影响，导致能级分裂和能带弯曲等现象。
这些变化对于器件的性能具有重要影响，因此研究电场下应变GaN/AlxGa1-xN异质结中的杂质态具有重要意义。
四、压力效应对GaN/AlxGa1-xN异质结的影响压力效应对GaN/AlxGa1-xN异质结的影响主要体现在对能带结构和电子态的改变上。
当施加外部压力时，材料的晶格常数发生变化，导致能带结构发生调整。
这种调整会影响电子和空穴的传输行为，进而影响器件的性能。
此外，压力还会对杂质态产生影响，改变其能级位置和分布。
因此，研究压力效应对于理解GaN/AlxGa1-xN异质结的物理性质和优化器件性能具有重要意义。
五、实验与讨论为了研究电场下应变GaN/AlxGa1-xN异质结中的杂质态及压力效应，我们进行了以下实验：首先，制备了不同组分的GaN/AlxGa1-xN异质结样品；然后，在电场和压力作用下测试了样品的电学性能和光学性能；最后，分析了电场和压力对异质结中杂质态的影响以及能带结构的调整。
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strain also has an effect on the lattice vibration， and a significant
peak split is
plane vibration mode Eig1.These findings enrich understanding of the strain state of monolayer
中 图 分 类 号 : TB302
文 献 标志码:A
文 章 编 号 ：1006 -4729( 2019) 02 -0193 -04
Strain-induced E n e r g y B a n d Structure Transition in
M o n o la y e r W S e 2
WANG Qianqian，XU Haoran
德瓦尔斯力 。 其固有的带隙和极高的断 ，原 子 级 薄 的 TM D Cs成为检测二维 -
的
。二 砸 化 钨 （WSe2) 典型
的 TM D Cs材 料 ，单 层 WSe2 由 Se—W—S e 三原
子 ，其中
属 W 原子
在
两个硫
S e原子
之 间 [11A2]。与 M0 S2
和 WS2 的 隙 不 同 ，多 层 W Se2和体 WSe2
bandgap semiconductor toan indiect bandgap semiconductor， and both the direct bandgap peak
and the indirect bandgap peak exhibit a monotonic linear red shift over ttie entire strain range. The
王倩倩，徐浩然
( 上 海 电 力 学 院 电 子 与 信 息 工 程 学 院 ，上 海 200090)
摘 要 :通过拉曼光谱和光致发光光谱分别揭示了单层硒化钨在施加单轴拉伸应变情况下的带隙能量变化。
应 变 可 以 诱 导 单 层 硒 化 钨 由 直 接 带 隙 半 导 体 转 变 为 间 接 带 隙 半 导 体 ，并 且 在 整 个 应 变 范 围 内 ，直 接 带 隙 峰 和
的直接带隙与间接带隙之间的能量差很小[13]，
隙可能因外部 （例
$而改变。
本文测试了单层和双层WSe2 的拉曼(Raman$
光谱和光致发光(Photoluminescence，P L )光谱随施
的
，并 分 析 了 其 物 理 特 性 ，如电子
间 接 带 隙 峰 均 出 现 明 显 的 红 移 。应 变 还 对 晶 格 震 动 有 影 响 ，对 面 内 震 动 模 式 E g1 观 察 到 明 显 的 峰 分 裂 。 这
些发现丰富了对单层过渡金属二硫化物材料应变状态的理解。
关 键 词 : 单 层 硒 化 钨 ；应 变 ；拉 曼 光 谱 ；光 致 发 光 光 谱
uniaxial tensile strain are revealed by photoluminescence ( PL) spectroscopy and Raman spectros
copy respectively. Strain can induce monolayer tungsten selenide to be transformed from adirect
实 验 和 理 论 报 告 表 明 ，一 些 二 维 材 料 在 应 力 场的作用下表现出许多性质。例 如 ，许多关于石 墨 烯 的 报 道 表 明 ，施 加 应 变 对 石 墨 烯 的 晶 格 振 动 、
磁 性 甚 至 电 子 能 带 结 构 都 有 显 著 影 响 [17]。虽然 石 墨 烯 具 有 较 大 的 杨 氏 模 量 [8]，被 认 为 是 目 前 最 强 韧 的 二 维 材 料 ，具 有 很 高 的 电 子 迁 移 率 [910]，但 是零带隙却限制了其在半导体器件领域的应用。 过渡金属二硫化物（TM DCs)是一类常见的二维 材 料 ，其 基 本的化学式为M X:，其 中 M 代表过渡 金 属 （M o，W ，S n 等 ），X 代表硫属元素（S ，Se，Te 等 ）。TM DCs具有三明治夹心结构，过渡金属层
第35卷第2 期 2019年4 月
上海电力学院学报
Journal of Shanghai University of Electric Power
DOI：10. 3969/ j .issn.1006 -4729.2019. 02. 018
Vol.35,No.2 Apr. 2019
应变对单层砸化钨能带结构的影响研究
transition-metal dichalcogenide ( TMD) materials.
Key words： monolayer WSe2 ；strain；Raman spectroscopy；PL spectroscopy
observed
二 维 材 料 具 有 优 异 的 拉 伸 性 和 柔 韧 性 ，通常 可 以 承 受 比 体 材 料 更 大 的 应 变 而 不 会 损 坏 。这 一 特点吸引了众多新兴柔性微纳技术产业专家的关 注 ，二维材料已成为开发新型柔性tronics and Information Engineering， Shanghai University o f Electric Power， Shanghai 200090，China)
Abstract ： The bandgap energy and phonon behavior of a monolayer of tungsten selenide under
收 稿 日 期 ：2018-11-28
通 讯 作 者 简 介 : 王 倩 倩 (1993— ），女 ，在 读 硕 士 。主 要 研 究 方 向 为 二 维 半 导 体 。E -m ail:regina_w ong93@ foxm 。
194
上海电力学院学报
2019 年
两层硫属元素层夹在中间，层与层之间 范