L7-自由电子气2
第十六讲金属中自由电子气模型
- - -( 7)
3(z L) = 3(z)
用 通 解 的 前 一 种 表 示 , 分 别 假 定 波 沿 x,y,z 负 方 向 传 播 , 可 得
波矢:
kx =
2n x L
ky
=
2n y L
kz
=
2n z L
( 8)
单
电
子
波
函
数
(n :ψ
x, (x
ny, ,y,z
n )
z
为正 = 1(
负整
x ) 2 (
此时费密-狄喇克统计分布为 (见图 p112 图 6.3)
1
lim T 0
f ( E ,T ) 0
E (0) E (0)
其 中 μ (0)为 绝 对 零 度 时 的 化 学 势 。
- - (17)
电 子 气 基 态 :能 量 在 μ (0)以 下 的 状 态 全 被 电 子 占 满 ,能 量超 过 μ (0)
第十六讲 金属中自由电子气模型
第六章 金属电子论 问题:对金属中相互作用、运动着的大量电子,怎样进行理论处理?
如何从理论上说明电子对金属优良的电导、热导和比热的贡献? 如何从电子的运动状态解释电子热发射、光电效应和场电子发 射等重要现象? 本章用 量子的电子气体模型: 金属中的价电子组成电子气体(就象气体分
见 p112 图 6.3 f(E,T) ~ E 曲线
T > 0,
在
kBT
f
(,T
)
1 2
范围内,f (E,T )从 1下降到 0
由能态密度公式(13)
g(E) CE1/ 2
和公式(14)
C 4 ( 2m)3/ 2
h2
第六章自由电子费米气体doc
例题6.1 自由电子的费密能量(a) 导出绝对零度下金属自由电子费米能量的表达式;(b) 一个简单立方点阵的单价金属,已知点阵常数3a =Å,每个原子只贡献一个传导电子.试计算费密能量F ε、费密波矢F k 、费密温度F T 及费密面上电子的波长;(c) 计算简单立方点阵第一布里渊区中放电子填充的状态所占的分数. [解](a) 金属中的电子浓度为()Fn g d εεε-∞=⎰其中()g ε是自由电子状态密度,()00,0g εεε=>=< 于是有12F n d εεε=()223232F n mεπ=(b)首先求出电子浓度n ,()22333811 3.70410cm 310n a --===⨯⨯ 于是费米波矢为()12813 1.03110cm F k n π-==⨯费米能量为22 4.05eV 2FF k mε==费米温度F T 为47,000K FF BT k ε==费米面上电子的波长为82 6.09410cm 6.094F Fk πλ-==⨯=Å (c)简单立方点阵的第一布里渊区是一个边长为2aπ的立方体,其体积为 33328BZa a ππ⎛⎫Ω== ⎪⎝⎭自由电子费密球的半径为()12132333F k n a ππ⎛⎫== ⎪⎝⎭费密球的体积为333443FSF k aππΩ== 第一布里渊区中被电子占据的状态所占的分数为33334182FS BZ a a ππΩ==Ω 第一布里渊区中有一半状态被电子占据.6.2 自由电子气体基态下的动能,压强和体弹性模量(a)证明三维自由电子气体基态下的动能为035F U N ε=N 是电子数,N nV =;(b)证明基态下电子气体的压强与体积的关系为023P U V =(c)证明基态下自由电子气体的体弹模量为0251093F B P U V n ε===(d)估计钾电子气体对B 的贡献. [解](a) 25220324210F Fk k V k Vk U dk m m ππ<==⎰电子费密波矢F k 为1323F N k V π⎡⎤⎛⎫= ⎪⎢⎥⎝⎭⎣⎦于是自由电子气体基态下动能为22033105F F N k U N m ε== (1)(b) 0NU p V ∂⎛⎫=- ⎪∂⎝⎭, 由于035F U N ε=,F ε正比于2F k ,2F k 仅仅通过因子()23N V 依赖于体积V ,由此得到002233UU P VV ⎛⎫=--= ⎪⎝⎭ (2) (c) 体积弹性模量PB V V∂=-∂,由于230U V -∝,由式(2),压强P 正比于53V -,于是有05102393F U B P n V ε=== (3) 这里Nn V=是电子浓度,若用无量纲量s r 表示电子浓度,则有5926.1310N m s B r -⎛⎫=⨯⋅ ⎪⎝⎭(4)(d)钾的r s =4.86,代入式(4),得923.1810N m B -≈⨯⋅6.3 自由电子气体的热容和化学势试用费密分布函数证明白出电子气体的化学势μ随温度变化的关系为22112B F F k T πμεε⎡⎤⎛⎫⎢⎥≈- ⎪⎢⎥⎝⎭⎣⎦μ与F ε之差仅仅在2B F k T ε⎛⎫⎪⎝⎭的数量级,证明在有限温度下,自由电子气体能量密度的表达式为()()2206B F u u k T g πε=+证明自由电子的热容为22B V B F k T C Nk πε⎛⎫= ⎪⎝⎭这里F ε是自由电子的费密能量,0u 是基态下的能量密度,()F g ε是费密面附近的状态密度,()32F Fng εε=,N nV =是自由电子总数。
金属中的电子气的理论
金属中的电子气的理论金属中的自由电子并非真正自由,而是要受到金属离子的周期势场的作用,因此一些自由电子理论并不能解释金属的全部性质。
由F。
布洛赫和L。
—N。
布里渊确立的单电子能带论解释了金属导电性与绝缘体和半导体的差别(见能带理论,半导体),并能定量计算金属的结合能,在考虑了金属离子的热运动的影响后,在描述金属的导电和导热等输运过程方面均取得了很大成功。
金属中自由电子之间有很强的相互作用,在低温下考虑了电子通过晶格推动相互耦合就能很好地解释单电子理论无法解释的超导电性。
近年来,研究合金中电子运动规律的合金电子理论也是金属电子论中的重要内容。
一、托马斯-费米近似方法在相互作用强度很大的情况下,相互作用能在系统能量中占主导地位,相比之下,处于基态的系统的粒子由于受到非常强的相互排斥作用,其运动范围受到了限制,因此,动能就会远小于相互作用能。
这时候,哈密顿量中的动能就可以忽略掉,被称为托马斯—费米(Thomas—Fermi)近似。
一维定态GP 方程变为则玻色子的密度分布为同时玻色子密度分布的边界满足,在外势为简谐势的情况我们得到凝聚体的半径为则系统的粒子数为将上式变换一下,得到化学势μ 满足其中单粒子基态的特征半径为边界R 满足化学势u 和边界R 都是随着粒子个数N 和相互作用强度U 1的增加而增加的.在处理多电子原子问题中,、通常采用Hartree-Fook 近似方法比较好,但是计算比较繁复,工作量大,在电子计算机使用以后,可以帮助人们进行大量的计算,减轻人们的负担,但用电子计算机计算有一个缺点,就是计算机只能进行数值计算,而不能解出一般形式,我们希望能找出一个普遍形式,这样对各种具体问题都能适用。
费米模型认为将金属中电子看作限制在边长为a 的立方体盒子中运动。
盒子内部势能为0。
盒外势能为无限大,这样通过解定态薛定谔方程,可得出金属中电子的许多性质,如电子能级,电子的最高能量,电子的平均能量,电子气的压强,电子气的能级密度和磁化率,而且费米气体模型在固体理论中和原子核结构上也有很大用处,可以推出原子核的质量公式,跟实验结果比较符合得很好.对于多电子原子应用如下的近似方法,即托马斯——费米方法,这是一个统计方法。
二维电子气与HEMT器件
二维电子气与HEMT器件自从进入信息时代,人们对信息传输速度的追求脚步就从未停止。
而材料科学研究的飞速发展使人们已经能够制造出许多崭新的材料,使器件达到了前所未有的水平,这就使得信息传输速度不断提升。
随着半导体异质结的研究趋于成熟,许多异质结的优良特性又一次提高了器件的水平。
两种材料禁带宽度的不同以及其他特性的不同使异质结具有一系列同质结所没有的特性,在器件设计上将得到某些同质结不能实现的功能。
异质结常具有两种半导体各自的PN结都不能达到的优良的光电特性,使它适宜于制作超高速开关器件、太阳能电池以及半导体激光器等。
我们这里介绍的就是利用异质结的特性,制作出的超高速器件HEMT。
一、二维电子气的形成有许多方法可以制造异质层结构,例如人们熟悉的MOS结构的制造技术。
近年来,二维限制系统主要研究对象是化合物半导体异质结构中的二维电子气(Two Dimensional Gas, 2DEG)系统。
2DEG的大部分研究工作是以GaAs/AlGaAs异质结构为基础的。
在GaAs与AlGaAs的界面处形成薄的导电2DEG层。
为了了解这个导电层是怎么形成的,考虑沿z方向(导电层所在的平面为x、y方向)的导带和价带的形状。
两个能隙宽度不同的半导体材料刚开始接触时,宽带隙材料的费米能级高于窄带隙材料的费米能级。
结果电子从宽带隙材料中溢出,使其仅剩下正电荷,即施主离子。
这些空间电荷产生静电势,它将引起界面能带弯曲。
平衡以后不同材料的费米能级相等。
电子的密度在界面处有一个尖锐的峰(在那里电子的费米能级进入导带中),形成一个薄的导电层,通常被称为二维电子气。
在2DEG中,典型的电子浓度范围为2×1011/cm2~2×1012/cm2。
这种结构在实际技术上的重要性是可以制造场效应晶体管等高迁移率电子器件,如HEMT器件。
图1 异质结二维电子气的形成上述异质结结构与硅MOSFET对比,相当于GaAs代替了Si。
金属自由自由电子气体模型及基态性质解析PPT课件
v p k mm
2k2 1 m 2m 2
2k 2 m2
1 mv2 2
即电子的能量和动量都有经典对应,但是,经典中的平面 波矢k可取任意实数,对于电子来说,波矢k应取什么值呢?
4.波矢k的取值
波矢k的取值应由边界条件来确定
边界条件的选取,一方面要考虑电子的实际运动情况(表面和内部);另一方 面要考虑数学上可解。
4π
k2
d
k
E dE ky
dZ
2
V
2π 3
4π
2m
2
m d 2 2m
E
kx
4πV
2π 3
(2 m )3 2 1 2
3
d
3
4πV
2m h2
21
2d
N ( )
dZ
C
1 2
d
其中
C
4πV
2m h2
3
2
第24页/共30页
法3. 在k空间自由电子的等能面是半径
k 2mE 的球面,
波函数为行波,表示当一个电子运动到表面时并不被反射回来,而是离开 金属,同时必有一个同态电子从相对表面的对应点进入金属中来。
二者的一致性,表明周期性边条件的合理性
由周期性边界条件:(讲解以下推导过程)
x L, y, z x, y, z x, y L, z x, y, z x, y, z L x, y, z
V
(2)波矢空间状态密度(单位体积中的状态代表点数):
k
1 k
1
( 2 )3
L3
(2 )3
V
8 3
L
注意量纲
第14页/共30页
三、基态和基态能量 1.N个电子的基态、费米球、费米面 电子的分布满足:能量最小原理 和 泡利不相容原理
固体物理第一章第二节 自由电子气体的热性质
2
6
Q( )(k BT ) 2
准确到二级近似,略去高次项得:
I Q( )+
2
6
Q( )(k BT ) 2
取:
H g ( )
则:I = n
此外,我们已知,化学势 和T0时的费米 能量0F非常接近,所以,我们可以将Q()在0F 附近展开,即
1 0 0 Q( ) Q( )+( - )Q( ) ( - F ) 2 Q( F )+ 2
0 F 0 F 0 F
此外,对于I=n有:
0 F
H ( ) g ( )
0 F
(1) 代入下式,并只取到一级近似
1 0 0 Q( ) Q( )+( - )Q( ) ( - F ) 2 Q( F )+ 2
0 F 0 F 0 F
0 0 0 Q F H ( F ) g ( F )
d Q( ) Q( ) ( g ( )) 0 F d
0 F
代入
I Q( )+
Q( )(k BT ) 2 得到: 6
2 0 F
2
其中
d 2 u u0 ( ) g ( ) [ g ] 0 (kBT ) F 6 d
0 F 0 F
1.计算单位体积电子的能量
自由电子气体在一般温度下单位体积的总能 量(内能)为:
u g ( ) f ( )d
0
这又是费米积分形式
I H ( ) f ( )d
0
且我们已知上式近似为
I Q( )+
0 F
2
6
0 F
Q( )(k BT ) 2
《固体物理》第六章 自由电子气
如何确定非平衡状态下电子的分布函数呢? 玻尔兹曼方程是用来研究非平衡状态下电子的分布函数的 方程。 由于玻尔兹曼方程比较复杂,我们只限于讨论电子的等能 面是球面,且在各向尔兹曼方程的微分积分方程
I2(kBT)20 (ee1)22d
计
算I2得 π62(kBT)2, 因
此 将g(E)2CE32代入
3
N I 0 g ( E F ) I 1 g ( E F ) I 2 g ( E F )得:
.
N I 0 g ( E F ) I 1 g ( E F ) I 2 g ( E F )得:
----电子的波函数(是电子位矢 r的函数)
.
驻波边界条件 常用边界条件
周期性边界条件
x, y,zxL, y,z
x, y,zx, yL,z
x, y,zx, y,zL
k
(r
)
Ae ikr
E
2k 2 2m
2 2m
(k
2 x
k
2 y
k
2 z
)
波函数为行波,表示当一个电子运动到表面时并不被反射
回来,而是离开金属,同时必有一个同态电子从相对表面的对
E
0 F
由上式可以看出即使在绝对零度时电子仍有相当大的平均
能量,这与经典的结果是截然不同的。
.
(2) 当T 0K时 ,
N CE1 2 f (E )dE 0
2 Cf ( E )E 3 2 2 C E 3 2 f dE (分步积分得来)
3
03 0
E
2 C E 3 2 f dE
,kz
2πnz L
(1)在波矢空间每个(波矢)状态代表点占有的体积为:
第六章自由电子费米气体
v平
eEt
me
me——电子的质量
t ——传导电子与离子实发生碰撞的平均自由时间
j
nev平
ne2t
me
E
ne2t 1 me
j E E j 欧姆定律 8
3)金属的平均自由时间和平均自由程 ——实验测定金属的电阻率,来估计平均自由时间t
t me 1015 1014 s ne2
另一方面,对金属材料的了解,也是认识非金属材料的基 础。
有关金属的第一个理论模型,是特鲁德(P. Drude)在1900 年提出的经典自由电子气体模型。它将在当时已非常成功的 气体分子运动理论运用于金属,用以解释金属电导和热导的 行为。1928年索末菲(A. Sommerfeld)又进一步将费米-狄拉克 统计理论用于自由电子气体,发展了量子的自由电子气模型, 从而克服了经典自由电子气模型的不足。
(3)电子与电子之间的散射。这是由泡利原理 引起的,几率很小。
17
物理现象 或实验结果
决定因素
修 改
物理模型
理论解释
验证
结果与预言
18
§6.2 能级和轨道密度
19
1. 一维能级和轨道
若有一长为L的样品,可以写出其中传导电子的薛
定锷方程为: Hˆ n (x) n n (x)
Hˆ P2 2m
量子力学对金属中电子的处理
—— 索末菲在自由电子模型基础上,提出电子在离子产生 的平均势场中运动,电子气体服从费密 — 狄拉克分布和泡 利不相容原理。 —— 成功地计算了电子的热容,解决了经典理论的困难。
11
2 索末菲(Sommerfeld)的自由电子论
一、索末菲自由电子模型
一份关于二维电子气(2DEG)的讲义
where r is the vector in plane of 2DEG. Throughout our considerations we will assume that all the distances are much larger than interatomic distance and thus we will use the effective
Density of States
The density of states g( ) is defined as number of states per the energy interval , + d . It is clear that
g( ) = δ( − α)
α
where α is the set of quantum numbers characterizing the states. In the present case it includes the subband quantum number n, spin quantum number σ, valley quantum number
v (for n-type materials), and in-plane quasimomentum k. If the spectrum is degenerate
with respect to spin and valleys one can define the spin degeneracy νs and valley degeneracy
n-AlGaAs i-GaAs
EC
EF EC
EF
EV
EV
EF
材料物理基础习题解答1608
6 8
a
3 a 2
2 a 2
126Βιβλιοθήκη 2aa面心立方
12
6
a
1.2.2 如果等体积的刚球分别排成下列结构,设填充率 x 为原子刚球所占体积与 总体积比,证明: 填充率 x 结构 填充率 x 结构 简单立方
6
0.52
六方密排
2 0.74 6 3 0.34 16
体心立方
3 0.68 8 2 0.74 6
1.2.3 如果定义面密度是指单位面积上的等效原子数,设立方体边长为 a,对于 体心立方结构,求面密度最大的面,并求该面的面密度。对于面心立方结构, 求面密度最大的面,并求该面的面密度。 解:很容易看出,体心立方晶格(110)晶面系的格点面密度最大,可以求出此面 密度为 a 2 2 n 2 2a 2 a 2a 面心立方晶格(111)晶面系 图 1.2.3.1 体心立方的密排面
可见简单立方晶格的填隙率是比较低的, 几乎没有单一元素的晶体结构为简 单立方结构。 2. 体心立方结构 体心立方结构如图 1.2.2.2 所示,由于原子球要紧密排列,立方体体对角线 上的原子相切,立方体边长 a 与原子球半径 r 之间满足:
3a 4r 即 r
3 a 4
与简单立方不同,体心立方体单元含有两个原子
1 AE 2 AH 2 a 2 a 2 3 2 a 3
3 2 3 a , AH AF a 2 3 3
EH
图 1.2.4.1 密排六方结构
密排六方晶体结构单元的高 c 是正四面体高 EH 的两倍。 得到 c 2 EH
8 a ,即 c a 8 3 1.633 3
4 3 2 4 3 a 2 r 3 4 3 0.68 3 所以体心立方的填充率 x 8 a3 a3
CHAPTER 6金属自由电子论
2 2m
d2 dx 2
ψn (x) εnψn (x)
令k 2
2mεn 2
则方程变为: d 2 n (x) dx2 k 2 n (x) 0
解此方程的边界条件有两种选法: <1>固定边界条件
n (0) n (L) 即电子不能跑到晶体外边去。 在固定边界条件下,薛定锷方程的解具有驻 波形式,而能量的本征值:
此时 K (r) eikr (省去了归一化常数), 波矢 Kx.K y.KZ 取一系列分立值:
kx
2π L
nx
ky
2π L
ny
0. 1. 2......
kz
2π L
nz
将
k (r)
k k k x
y
z
代回薛定锷方程可求出能级:
εK
2 2m
k2
2 x
k
2 y
k
2 z
)
=恒常
在波矢空间是一球面方程,不同能量的等 能面是一系列同心球面。
电子在T=0k时所能填充到的最高 等能面称为费米面,我们知道自由电 子的等能面是球面,在T=0k时,费米 面把电子填充过的轨道与电子未填充 过的轨道完全分开了,即费米面内所 有的轨道都被填充,费米面外边都是 空轨道,这一点对金属是非常主要的, 因为只有费米面附近的电子才能决定 金属的动力学性质。
εn
2 2m
( πn )2 L
n为正整数
ψn (x) Asin kx
k nπ L
n 1.2.3......
描写一个电子的量子态需要两个量子数: 能量量子数 k(n)
自旋量子数
ms
1 2
在T=0k时,电子的能级与轨道填充时有
两个原则:
05 金属自由电子气体模型
ε mol
=
N
A
⎜⎛ ⎝
3 2
k
BT
⎞⎟ ⎠
=
3 RT 2
一价金属:CVe ,mol
=
∂ε mol ∂T
=
3R 2
高温时金属的总比热容:
CV
=
C Ph V ,mol
+ CVe ,mol
= 3R + 3 R ≈ 37.40J / mol ⋅ K 2
实际
Ce V,mol
小于经典值
量子:
CVe
~
T TF
常温下:电子的贡献比例很小
kx
=
2π L
nx
ky
=
2π L
ny
kz
=
2π L
nz
nx , ny , nz--一组整数
自由电子的能量是不连续的,相邻能级相距很近. 5 kv空间与态密度 (k-space) 电 的子 端的 点状 代态 表由 一波 个矢可确 能定 的。kv 在 值。kv空相间邻中 代, 表每 点一 在波 三矢 维坐kv
vy
=
−
eτ m
Ey
+
ωcτv x
ωc
=
eB m
--回旋频率
vz
=
−
eτ m
Ez
30
5
Jv = −nevv σ = ne2τ m
σ 0 E x = J x + ωcτJ y σ 0 E y = −ωcτJ x + J y
4.4 霍尔效应和磁阻
长方体样品, 沿x轴施加外电场Ex, 存在电流Jx, 在z轴 加磁场B后, 产生洛仑兹力在负y方向作用到电子上.
+1
电子特气基础知识
按物理状态分类
电子特气可分为气态、液态和固态。 气态电子特气主要是指常温常压下呈 气态的气体,如氧气、氮气等;液态 电子特气主要是指低温液化或加压液 化后存储的气体,如液氧、液氮等; 固态电子特气主要是指加温后呈气态 的气体,如二氧化碳等。不同物理状 态的电子特气具有不同的储存和使用 要求。
02 电子特气的应用领域
电子特气的储存和运输存在一定的安全隐患,高纯度电子特气对储存和运输的条件要求较高, 需要严格控制温度、湿度、压力等条件。解决方案:加强储存和运输环节的安全管理,制定 严格的操作规程和安全管理制度,确保电子特气的安全储存和运输。
THANKS FOR WATCHING
感谢您的观看
酸碱性质
02 部分电子特气呈酸性或碱性,如氯化氢和氨气等。
氧化还原性质
03
一些电子特气具有氧化性或还原性,如氧气和氯气等
。
电子特气的稳定性与纯度
稳定性
电子特气在储存和使用过程中应保持 稳定,避免与空气中的氧气、水蒸气 等物质发生反应。
纯度要求
电子特气需要高纯度,以避免杂质对 电子器件性能的影响。纯度通常以9N、 99.9999999%等表示。
05 电子特气的安全与环保
电子特气的安全特性
低毒性
01
电子特气中的大部分气体都是低毒或无毒的,对操作人员的健
康影响较小。
稳定性
02
电子特气在常温常压下不易与其他物质发生化学反应,具有较
好的稳定性。
惰性
03
部分电子特气如氩气、氦气等具有很强的惰性,不易与其他物
质发生化学反应。
电子特气的储存与运输安全
电子特气基础知识
目录
• 电子特气的定义与分类 • 电子特气的应用领域 • 电子特气的物理化学性质 • 电子特气的生产工艺与技术 • 电子特气的安全与环保 • 电子特气的发展趋势与挑战
理想l7能量密度
理想L7能量密度什么是能量密度?能量密度是指单位体积或单位质量的物质所具有的能量量。
在物理学中,能量密度常用来描述能量在空间中的分布情况,是评价材料储能性能的重要指标之一。
能量密度越高,表示单位体积或单位质量的物质所具有的能量越大。
L7能量密度的定义L7能量密度是指Lithium-air电池的能量密度。
Lithium-air电池是一种基于锂金属与氧气反应的电池,其理论能量密度远高于目前市面上常见的锂离子电池,被认为是一种理想的能量储存技术。
Lithium-air电池的工作原理Lithium-air电池是一种通过将锂金属与氧气反应来释放能量的电池。
在电池中,锂金属作为阴极,氧气作为阳极。
锂金属在反应过程中会释放电子,氧气则接受这些电子并与锂金属发生化学反应。
反应方程式如下:2Li + O2 → Li2O2这个反应过程中,锂金属氧化生成Li2O2,释放出大量的能量。
而锂金属的质量轻、氧气的丰富以及氧气在空气中的充足性,使得Lithium-air电池具有很高的理论能量密度。
Lithium-air电池的优势和挑战Lithium-air电池相比于传统的锂离子电池具有以下优势:1.高能量密度:Lithium-air电池的理论能量密度远高于锂离子电池,可以提供更长的续航里程和更高的功率输出。
2.资源丰富:锂金属和氧气是地球上丰富的资源,因此Lithium-air电池的材料供应相对容易。
然而,Lithium-air电池也面临一些挑战:1.寿命问题:在锂金属与氧气反应的过程中,锂金属往往会出现枝晶生长和电解液的分解等问题,导致电池寿命较短。
2.安全性问题:Lithium-air电池中使用的锂金属具有较高的反应活性,容易引发火灾和爆炸等安全问题。
3.循环稳定性问题:Lithium-air电池的循环稳定性较差,容易出现容量衰减和电化学性能下降等问题。
提高L7能量密度的方法为了提高L7能量密度,需要解决上述挑战并优化电池结构和材料选择。
高二化学必修二期末笔记整理
高二化学必修二期末笔记整理(实用版)编制人:__________________审核人:__________________审批人:__________________编制单位:__________________编制时间:____年____月____日序言下载提示:该文档是本店铺精心编制而成的,希望大家下载后,能够帮助大家解决实际问题。
文档下载后可定制修改,请根据实际需要进行调整和使用,谢谢!并且,本店铺为大家提供各种类型的实用资料,如教案大全、书信范文、述职报告、合同范本、工作总结、演讲稿、心得体会、作文大全、工作计划、其他资料等等,想了解不同资料格式和写法,敬请关注!Download tips: This document is carefully compiled by this editor.I hope that after you download it, it can help you solve practical problems. The document can be customized and modified after downloading, please adjust and use it according to actual needs, thank you!Moreover, our store provides various types of practical materials for everyone, such as lesson plans, letter templates, job reports, contract templates, work summaries, speeches, reflections, essay summaries, work plans, and other materials. If you want to learn about different data formats and writing methods, please stay tuned!高二化学必修二期末笔记整理本店铺为大家整理的,知识点可以理解为考试时会涉及到的知识,也就是大纲的分支。
高二物理竞赛课件:自由电子气体的热性质
电导率
2 索末菲电子气图象
自由电子: 在均匀的与时间无关的电场中: 由牛顿第二定律:
积分,得:
没有碰撞时,恒定的外加电场使k空间中的费米球匀速移动。 电子气填充以k空间原点为中心的费米球。
电导率
电子同杂质、晶格缺陷以及声子的碰撞, 使移动的费米球在电场中维持一种稳态。
准经典模型
1 电子受到散射 牛顿定律、热平衡
2 弛豫时间(relaxation time) τ
电场中的自由电子
电子的动力学方程
——自由电子在外场作用下的动力学方程
电导率
金属的电导率
1 经典图象 无外场:传导电子作无规运动: 有外场:传导电子作定向运动 漂移速度:
恒定电场稳恒情形:
电导率
1 经典图象
自由电子气体的热性质
自由电子气体的热性质
1 T →0
绝对零度时,能量在μ以下的状态全部被电子占满,μ以上 的状态是空的。化学势(费米能级)就是在绝对零度时, 电子逐级填充所能占有的最高能量状态。
2 T >0
在μ能级,被电子填充的几率 温度上升,发生变化的能
和不被填充的几率相等。
量范围变宽。
自由电子气体的热性质
化学势
1 基态
2 热激发 在费米面附近的电子可获得热能,跃迁到费米面以外的状态,费米面 内的一些状态便空了出来。
自由电子气体的热性质
电子比热
自由电子气体的热性质
电子比热
分析:经典理论,1mol 电子气平均能量:
一价金属: 高温时金属的总比热容:
实际 量子:
小于经典值
常温下:电子的贡献比例很小
自由电子气体的热性质
电子特气分类
四氢化硅
Silane
SiH4
无色气体,易燃
用于制备纯硅,半导体工业中气体沉积过程,如电化学气体沉积和原子层
晶体生长气
18
二氯化硅
Dichloro silane
SiH2CL2
无色气体,有毒,易燃
用于半导体工业中的气相沉积过程和制备其他硅化合物。
19
三氯化硅
Trichloro silane
SiHCL3
27
氢化碲
Tel lane
TeH2
无色气体,有毒,易燃
用于制备纯帝和其他化合物,也在有机合成中作为确源
28
三甲基铝
Trimethyl alumi
num
(CH3)3Al
无色液体,有毒,易燃
用于有机合成中作为铝源,也用于原子层沉积过程中的沉积铝氧化物膜。
29
三乙基铝
Tri ethyl alum in
um
主要用于光纤Leabharlann 业和制备其他锗化合物,如在半导体行业中制备锗化合物。
37
五氯化锑
Antimony
penta chloride
SbCI5
无色液体,有毒,腐蚀性
用于有机合成,催化剂,制备其他化合物在火焰反应中作为氯化剂
38
氩气
Argon
Ar
无色无味无臭的惰性气体,不易与其他元素反应
氩气被广泛应用于充填灯泡以防止氧化,电弧焊接中作为保护气体,以及在精密仪器中作为惰性气体防止氧化。
在有机合成和半导体制造中作为氯化剂,还用于硼化物的合成。
59
氟氯化氢
Hydrogen
fluoride-
chloride
HFCL2
无色刺激性气体,具有强酸性
二维电子气与HEMT器件
二维电子气与HEMT器件自从进入信息时代,人们对信息传输速度的追求脚步就从未停止。
而材料科学研究的飞速发展使人们已经能够制造出许多崭新的材料,使器件达到了前所未有的水平,这就使得信息传输速度不断提升。
随着半导体异质结的研究趋于成熟,许多异质结的优良特性又一次提高了器件的水平。
两种材料禁带宽度的不同以及其他特性的不同使异质结具有一系列同质结所没有的特性,在器件设计上将得到某些同质结不能实现的功能。
异质结常具有两种半导体各自的PN结都不能达到的优良的光电特性,使它适宜于制作超高速开关器件、太阳能电池以及半导体激光器等。
我们这里介绍的就是利用异质结的特性,制作出的超高速器件HEMT。
一、二维电子气的形成有许多方法可以制造异质层结构,例如人们熟悉的MOS结构的制造技术。
近年来,二维限制系统主要研究对象是化合物半导体异质结构中的二维电子气(Two Dimensional Gas, 2DEG)系统。
2DEG的大部分研究工作是以GaAs/AlGaAs异质结构为基础的。
在GaAs与AlGaAs的界面处形成薄的导电2DEG层。
为了了解这个导电层是怎么形成的,考虑沿z方向(导电层所在的平面为x、y方向)的导带和价带的形状。
两个能隙宽度不同的半导体材料刚开始接触时,宽带隙材料的费米能级高于窄带隙材料的费米能级。
结果电子从宽带隙材料中溢出,使其仅剩下正电荷,即施主离子。
这些空间电荷产生静电势,它将引起界面能带弯曲。
平衡以后不同材料的费米能级相等。
电子的密度在界面处有一个尖锐的峰(在那里电子的费米能级进入导带中),形成一个薄的导电层,通常被称为二维电子气。
在2DEG中,典型的电子浓度范围为2×1011/cm2~2×1012/cm2。
这种结构在实际技术上的重要性是可以制造场效应晶体管等高迁移率电子器件,如HEMT器件。
图1 异质结二维电子气的形成上述异质结结构与硅MOSFET对比,相当于GaAs代替了Si。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
∫0 f ( E ) Q′ ( E ) dE ≈ Q ( E ) + 6 ( k T )
F B
∞
π2
2
Q′′ ( EF )
三、Sommerfeld展开式的应用 展开式的应用 1. EF的确定
N = ∫ f ( E ) N ( E ) dE
0
∞
Q′ ( E ) = N ( E )
2
=∫
=∫
= U0 +
U0 = ∫
0 EF
π
2
4
⋅N
( k BT )
0 EF
2
0
EN ( E ) dE —— T=0时自由电子系统的总能量 时自由电子系统的总能量
2
∞
0
(e
x 2 e − x dx
−x
+ 1)
2
利用Taylor展开式:
(1 + ξ )
−n
= 1 + ( −n ) ξ +
2
( −n )( −n − 1)
2!
∞ 0
ξ2 +
( −n )( −n − 1)( −n − 2 )
3!
ξ 3 + ⋅⋅⋅
∴ I 2 = ( k BT ) Q′′ ( EF ) ∫ x 2 e − x 1 − 2e − x + 3e −2 x − 4e −3 x + ⋅⋅⋅ dx
∞
df I 0 = ∫ Q ( EF ) − dE = Q ( EF ) −∞ dE
∞
df I1 = ∫ Q ′ ( EF )( E − EF ) − dE −∞ dE
∞
E − EF x= k BT
奇函数
xdx = Q ′ ( EF ) ∫ ( k BT ) ⋅ x =0 −x −∞ ( e + 1)( e + 1)
二、Sommerfeld展开式 展开式 设函数Q(E)在(-∞,+∞)上连续可微,Q(0)=0 ,并且 在 ∞ 设函数 ∞ 上连续可微, = 其中α为大于 的常数。 为大于0的常数 满足条件 lim e−α EQ ( E ) = 0 ,其中 为大于 的常数。在
E →∞
kBT << EF的情况下,有 的情况下,
B
π
2
2
0 N ( EF ) 0 EF
π 2 k T 2 π 2 T 2 0 0 ∴ EF = EF 1 − B 0 = EF 1 − 12 EF 12 TF
略低于E 对于金属,由于 对于金属,由于TF >> T,所以 F ≈ EF0 ,略低于 F0。 ,所以E
2. Pauli顺磁 顺磁 考虑T →0的极端情况 考虑 的极端情况 B=0时,M=0 时 B ≠ 0时,自旋磁矩在磁场 时 中的取向能: 中的取向能:
N(E)/2 -µB EF
E B=0
0
µB
0
N(E)/2
平行于B: µB平行于 :
-µBB
反平行于B: µB反平行于 : + µBB 玻尔磁子, µB:玻尔磁子, µB=9.27×10-24J/T ×
I = ∫ f ( E ) Q ′ ( E ) dE ≈ Q ( EF ) +
0
∞
π2
6
( kBT )
2
Q ′′ ( EF )
其中
1 f (E) = E − EF exp k BT
+1
为F-D分布函数 - 分布函数
证明: 证明: 考察: 考察:
I =∫
∞
0
∞ df ′ ( E ) dE = ∫ Q ( E ) − dE f ( E )Q 0 dE
= ( k BT )
=
2
1 1 1 Q ′′ ( EF ) 2! 1 − 2 + 2 − 2 + ⋅⋅⋅ 2 3 4
2
π2
6
( k BT )
Q′′ ( EF )
1 1 1 π2 1 − 2 + 2 − 2 + ⋅⋅⋅ = 2 3 4 12
∫
∞
0
Γ ( m + 1) m! x e dx = = m+1 m+1 a a
B
-µB
B
-µB
E
µB
E EF0
µB
µBB
N )/2 (E
µBB
N )/2 N )/2 (E (E
-µBB
-µBB
N )/2 (E
自旋磁矩改变方向的电子数: 自旋磁矩改变方向的电子数:
1 0 N ′ ≈ N ( EF ) ( µ B B ) 2
每个电子的自旋磁矩从- 变为+ 改变了2 每个电子的自旋磁矩从-µB变为+ µB改变了 µB 所以, 所以,产生的总磁矩为
1 ∞ Q′′ ( E )( E − E )2 − df dE I2 = ∫ F F 2 −∞ dE
= 1 Q ′′ ( EF ) ∫ ( k BT ) −∞ 2
∞
2
∞
x 2 dx ⋅ x ( e + 1)( e− x + 1)
偶函数
I 2 = ( k BT ) Q ′′ ( EF ) ∫
ky
ε
∆k eε 1 eε 1 = τF ⋅ = τF ⋅ k F ℏ k F m VF
这部分电子对电流的贡献为
0 Ⅱ Ⅰ
kx
eε 1 ne 2τ F j = n τ F ⋅ eVF = ⋅ε m m VF
ne2τ F ∴σ = m
2 3
3/ 2
3
− k + ∆k球壳内的状态数目 4πk ∆k /[( 2π ) /V]
E − E + ∆E球壳内的能态数目
4. Fermi-Dirac分布: f ( E ) = 分布: 分布
1
V ( 2m ) 1/ 2 E 2 3 2π ℏ
B
e( E −µ )/ k T + 1
Fermi能,Fermi面,Fermi波矢,电子气的热容 能 波矢, 面 波矢
上一讲回顾
1. 周期性边界条件: ψ k ( r ) = ψ k ( r + N α a α ) , α=1, 2, 3 周期性边界条件:
h1 h2 h3 b1 + b2 + b3 2. 波矢: ∴ k = 波矢: N1 N2 N3
3. 态密度: 一个波矢的体积 态密度:
波数 k
( 2π ) / V
改为− 将积分的下限由0改为−∞,而并不会影响积分值。 分的下限由 改为 ,而并不会影响积分值。
df ∴I = ∫ Q (E) − dE −∞ dE
∞
附近展开成Taylor级数: 级数: 将Q(E)在E=EF附近展开成 在 级数
2 Q ( E ) = Q ( EF ) + Q ′ ( EF )( E − EF ) + 1 Q ′′ ( EF )( E − EF ) + ⋅⋅⋅ 2!
0 2 M = N ′ ⋅ 2µ B = N ( EF ) µ B B
B = µ0 H
0 2 = N ( EF ) µ0 µ B ⋅ H = χ 0 H
M 0 2 ∴ χ0 = = N ( EF ) µ0 µB H
2 3N µ0 µ B χ0 = 0 2 EF
3N N (E ) = 0 2 EF
0 F
1 df − =kT⋅ dE B
E − EF exp k BT + 1
2
E − EF exp k BT
=
1 ⋅ k BT E − EF exp k BT
1 E − EF + 1 exp − k BT
严格理论计算结果支持了后一种说法。 严格理论计算结果支持了后一种说法。这主要是 由于Pauli不相容原理的结果。能量比EF低得多的电子, 不相容原理的结果。能量比 低得多的电子, 由于 不相容原理的结果 其附近的状态仍被其他电子所占据, 其附近的状态仍被其他电子所占据,没有空状态来接 纳它。因此, 纳它。因此,这些电子不能吸收电场的能量而跃迁到 较高的能态,对电导作出贡献, 较高的能态,对电导作出贡献,能被电场激发而对电 导有贡献的只是在费米面附近的一小部分电子。 导有贡献的只是在费米面附近的一小部分电子。
由于µ 所以,对电子Pauli顺磁有贡献的 由于µBB << EF0,所以,对电子 顺磁有贡献的 并不是金属所有的自由电子,而只是在费米面附近的一 并不是金属所有的自由电子, 小部分电子。 小部分电子。 3. 导电率 当ε=0时,系统的总电流为 时 系统的总电流为0 当ε ≠ 0时,电子的定向运动可看成两个过程: 时 电子的定向运动可看成两个过程: 电子在电场ε的 作用下作加速运动 电子由于碰撞而失去定向运动
+ 1
f(E)
-df/dE
1.0
0
EF
E
df 数− dE
:
(-df/dE)是(E-EF)的偶函数; 是 的偶函数; - (-df/dE)的值集中在 E-EF ∼ kBT的一小范围内, 的值集中在 - 的一小范围内, 的一小范围内 当 E-EF > 几个 kBT时,函数的值迅速趋于 ,具 - 时 函数的值迅速趋于0, 有类似于δ函数的性质。 有类似于δ函数的性质。
dk eτ ∆k = ⋅τ = − ε dt ℏ
电子的定向漂移速度为
τ:平均自由时间
ne 2τ ⋅ε = σ ⋅ε 电流密度: 电流密度: j = − neV d = m ne2τ ∴σ = m