微电子论文
微电子技术发展趋势及未来发展展望
微电子技术发展趋势及未来发展展望论文概要：本文介绍了穆尔定律及其相关内容，并阐述对微电子技术发展趋势的展望。
针对日前世界局势紧张，战争不断的状况，本文在最后浅析了微电子技术在未来轻兵器上的应用。
由于这是我第一次写正式论文，恳请老师及时指出文中的错误，以便我及时改正。
一．微电子技术发展趋势微电子技术是当代发展最快的技术之一，是电子信息产业的基础和心脏。
微电子技术的发展，大大推动了航天航空技术、遥测传感技术、通讯技术、计算机技术、网络技术及家用电器产业的迅猛发展。
微电子技术的发展和应用，几乎使现代战争成为信息战、电子战。
在我国，已经把电子信息产业列为国民经济的支拄性产业。
如今，微电子技术已成为衡量一个国家科学技术进步和综合国力的重要标志。
集成电路(IC)是微电子技术的核心，是电子工业的“粮食”。
集成电路已发展到超大规模和甚大规模、深亚微米(0.25μm)精度和可集成数百万晶体管的水平，现在已把整个电子系统集成在一个芯片上。
人们认为：微电子技术的发展和应用使全球发生了第三次工业革命。
1965年，Intel公司创始人之一的董事长Gorden Moore在研究存贮器芯片上晶体管增长数的时间关系时发现，每过18～24个月，芯片集成度提高一倍。
这一关系被称为穆尔定律(Moores Law)，一直沿用至今。
穆尔定律受两个因素制约，首先是事业的限制(business Limitations)。
随着芯片集成度的提高，生产成本几乎呈指数增长。
其次是物理限制(Physical Limitations)。
当芯片设计及工艺进入到原子级时就会出现问题。
DRAM的生产设备每更新一代，投资费用将增加1.7倍，被称为V3法则。
目前建设一条月产5000万块16MDRAM的生产线，至少需要10亿美元。
据此，64M位的生产线就要17亿美元，256M位的生产线需要29亿美元，1G位生产线需要将近50亿美元。
至于物理限制，人们普遍认为，电路线宽达到0.05μm时，制作器件就会碰到严重问题。
微电子封装论文
LED 应用发展现状和发展趋势摘要：近年来，LED技术与产业发展迅速,成为半导体制造行业的最大亮点。
本文就LED的特点、应用，以及发展现状和未来发展趋势进行简要介绍。
关键词：LED；LED产业；应用；现状；前景LED application development present situation anddevelopment trendAbstract:In recent years, LED technology and industry is developing rapidly, and become a highlight of the semiconductor manufacturing industry. In this paper, the characters of leds, the application, and development present situation and future development trends are introduced briefly.Key words: LED；The LED industry；application；prospects引言近年来白光LED技术和市场都呈加速发展之势,随着LED光效的提高、成本的降低,在不远的将来, LED必将取代传统的白炽灯、荧光灯和卤素灯成为照明的新型光源,并且随着其应用领域的扩大, LED市场的竞争也必将更加激烈。
本文就LED的特点、应用，以及发展现状和未来发展趋势进行简要介绍。
1．LED介绍发光二极管LED(light emitting diode) 是一种能够将电能转化为光能的固态的半导体器件，具有体积小、耗电量低、使用寿命长、亮度高、热量低、环保、耐用等优良的特点。
第一枚LED于20世纪60年代初期诞生于美国，颜色为红色。
随着半导体材料、工艺、制造、封装等一系列技术的发展，作为第四代光源的LED已从光色、功率及亮度方面有了开创性的进展。
微电子导论论文--发展及历史
中国微电子技术发展现状及发展趋势论文概要：介绍了中国微电子技术的发展现状，并阐述对微电子技术发展趋势的展望。
针对日前世界局势紧张，战争不断的状况，本文在最后浅析了微电子技术在未来轻兵器上的应用。
一．我国微电子技术发展状况1956年7月，国务院科学专业化规划委员会正式成立，组织数百各科学家和技术专家编制了十二年（1965—1967年）科学技术远景规划，这个著名的《十二年规划》中，明确地把发展计算机技术、半导体技术、无线电电子学、自动化和遥感技术放到战略的重点上，我国半导体晶体管是1957年研制成功的，1960年开始形成生产；集成电路始于1962年，于1968年形成生产；大规模集成电路始于70年代初，80年代初形成生产。
但是，同世界先进水平相比较，我们还存在较大的差距。
在生产规模上，目前我国集成电路工业还没有实现高技术、低价格的工业化大生产，而国外的发展却很快，美国IBM 公司在日本的野洲工厂生产64K动态存贮器，1983年秋正式投产后，每日处理硅片几万片，月产量为上百万块电路，生产设备投资约8000万美元。
日本三菱电机公司于1981年2月开始动土兴建工厂，1984年投产，计划生产64K动态存贮器，月产300万块，总投资约为1.2亿美元。
此外，在美国和日本，把半导体研究成果形成工业化生产的周期也比较短。
在美国和日本，出现晶体观后，形成工业生产能力是3年；出现集成电路后形成工业生产能力是1—3年；出现大规模集成电路后形成工业生产能力是1—2年；出现超大规模集成电路后形成工业生产能力是4年。
我国半导体集成电路工业长期以来也是停留在手工业和实验室的生产方式上。
近几年引进了一些生产线，个别单位才开始有些改观，但与国外的差距还是相当大的。
从产品的产值和产量方面来看，目前，全世界半导体与微电子市场为美国和日本所垄断。
这两国集成电路的产量约占体世界产量的百分之九十，早期是美国独占市场，而日本后起直追。
1975年美国的半导体与集成电路的产值是66亿美元，分离器件产量为110多亿只，集成路为50多亿块；日本的半导体与集成电路的产值是30亿美元，分离器件产量为122亿只，集成电路为17亿块。
高职微电子专业人才培养策略论文
高职微电子专业人才培养策略探讨摘要：我国的工业化进程需要大量的高等技术应用型人才，为高职教育提供了前所未有的发展机遇，同时也对高职教育的人才培养模式提出了新的挑战。
微电子技术是电子工程和信息科学技术的基础及核心，是国家基础性、战略性的产业。
本文将对高职微电子专业人才培养策略作一探讨。
关键词：高职；微电子；工业化；人才培养随着我国经济的不断发展，工业化进程给高职教育带来了极大的发展机遇。
新技术、新标准、新行业的引进，也会刺激高职教育的进一步繁荣。
职业技能越强，知识结构越合理，创新能力越强，越符合市场经济竞争对人才的需要。
微电子学是在物理、电子学、材料科学、机科学、集成电路设计制造学等多种学科和超净、超纯、超精细加工技术基础上发展起来的一门新兴学科，是发展高新技术和国民现代化的重要基础。
微电子技术是电子工程和信息科学技术的基础及核心，是世界高科技竞争的热点，是国家基础性、战略性的产业。
其中超大规模通信专用集成电路是现代通信设备的心脏，它的设计开发能力和大生产升级技术的掌握与提高，对于我国通信新产品的研发与创新起着决定性的作用。
工业化的深入使得高职教育发展的环境也发生着重大变化，高职教育原有的管理体制、运行机制及教育理念、教学模式、教学内容等不能适应迅速发展的市场经济发展的要求，高职微电子专业人才培养要根据市场的要求，不断优化人才培养策略。
一、以培养复合型人才为目标人才培养目标要从狭隘的职业技能教育转向综合素质教育，培养复合型人才。
单纯的职业技能已不能满足工业化形势下企业的用人要求。
企业要创新，人才是关键，把培养具有创新精神和创新能力的具有综合素质的人才作为高职教育的终极目标，培养学生把科学知识转化为技术、转化为直接生产力的种种技术能力，不断学习，获得新的职业技术资格的能力，自我管理、独立工作完成任务的能力。
只有拥有了具备上述综合素质的应用人才，才能充分应对技术的进步、产品的更新、市场需求的变化、企业才有足够的能力进行创新。
微电子毕业论文选题
微电子毕业论文选题微电子技术是随着集成电路，尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术。
微电子学主要掌握大规模集成电路及新型半导体器件的设计、制造及测试所必需的基本理论和方法，具有电路分析、工艺分析、器件性能分析和版图设计等的基本能力。
接下来是学术堂收集整理的微电子毕业论文选题，欢迎大家阅读。
微电子毕业论文选题一：[1]陈俊，王学毅，谭琦，杜金生，吴建。
键合SOI材料应力的控制技术[J]. 微纳电子技术，2017,（05）：304-310.[2]白琼，张斌珍，段俊萍，黄成远，王颖。
基于新型谐振柱的高频波导滤波器的设计[J]. 微纳电子技术，2017,（05）：324-328+363.[3]肖咸盛，杨拥军，卞玉民，张旭辉。
一种汽车碰撞试验用低阻尼宽频响加速度传感器[J]. 微纳电子技术，2017,（05）：329-335+341.[4]马世童。
当前集成电路的发展现状及未来趋势[J]. 通讯世界，2017,（07）：300.[5]黄诗浩，孙钦钦，谢文明，汪涵聪，林抒毅，陈炳煌。
不同直径张应变锗材料对光谱和晶体质量的影响[J]. 半导体技术，2017,（04）：305-309.[6]刘坤，曼苏乐。
应用于微电网的新型潮流控制器[J]. 电气自动化，2017,（02）：60-62.[7]许吉强，卢闻州，吴雷，沈锦飞，惠晶。
低压微电网逆变器并离网平滑切换控制[J]. 科学技术与工程，2017,（09）：36-43.[8]刘旭，姜克强。
限流接闪器在高层建筑中的应用[J]. 建筑电气，2017,（03）：18-21.[9]莫大康。
中国半导体业需要多元化推动力[N]. 中国电子报，2017-03-24（008）。
[10]Mary. 我国在3D NAND存储器研发领域取得标志性进展[J]. 今日电子，2017,（03）：25-26.[11]刘民哲，王泰升，李和福，刘震宇，陈佐龙，鱼卫星。
静电场辅助的微压印光刻技术[J]. 光学精密工程，2017,（03）：663-671.[12]李展征。
毕业设计论文——数字示波器
常州信息职业技术学院学生毕业设计（论文）报告系别：电子与电气工程学院专业：微电子技术班号：微071学生姓名：俞斌学生学号：0706033136设计（论文）题目：数字示波器指导教师：刘明建设计地点：常州信息职业技术学院起迄日期：2009.8.1~2009.8.22毕业设计（论文）任务书专业微电子班级微071姓名俞斌一、课题名称：数字示波器二、主要技术指标：1：带宽:1GHZ2：抽样率:5GS3：记录长度:15KPts4：垂直分辨率8bit5：垂直精度±105%6：带限20250MHZ三、工作内容和要求：本设计的设计方案大致可分为几个步骤：首先我们要先了解数字示波器是什么东西其次就是我们要了解数字示波器的一些数据和作用还有特点。
然后我们才能来设计数字示波器的方案，大致列出数字示波器的的内容和所要设计的内容，搜索资料更多的了解数字示波器会对写设计有帮助，根据列表一步步完成设计。
要求：认真有耐性，要对每一个设计方案的步骤要熟悉，条理要分明清晰。
要进行多次修改争取做到最完善。
\四、主要参考文献[1] 全国大学生电子设计竞赛组委会.全国大学生电子设计竞赛获奖作品选编[M].北京：北京理工大学出版社.2007.[2] 黄智伟.全国大学生电子设计竞赛电路设计[M].北京：北京航空航天大学出版社 2006.[3] 雷志勇.江建尧.数字存贮示波器的随机采样原理.学生（签名）俞斌2009年6 月26 日指导教师（签名）刘明建2009年6 月26 日教研室主任（签名）2009年6 月27 日系主任（签名）2009年6 月28 日毕业设计（论文）开题报告目录【摘要】【关键词】第一章方案比较与选择1．1：核心处理器选择……………………………………………………………1．2：前级信号调理方案设计………………………………………………………………第二章理论分析与参数计算2. 1 等效采样分析 (12)2. 2垂直灵敏度 (13)第三章电路分析与设计3. 1输入通道调理电路 (21)3. 2采样保持电路 (21)第四章系统程序设计4. 1扫描速度测试 (24)4. 2 采样速率与扫描速度的关系 (27)第五章结束语 (34)第六章答谢词………………………………………………………………参考文献 (36)数字示波器的工作原理摘要：摘要本数字示波器以单片机和FPGA为核心，对采样方式的选择和等效采样技术的实现进行了重点设计，使作品不仅具有实时采样方式，而且采用随机等效采样技术实现了利用实时采样速率为1MHz的ADC进行最大200MHz的等效采样。
微电子论文
微电子学与医学的结合造福社会刘畅自动化专业093班学号：090919摘要: 微电子技术是现代电子信息技术的直接基础。
现代微电子技术就是建立在以集成电路为核心的各种半导体器件基础上的高新电子技术。
微电子技术的发展大大方便了人们的生活。
它主要应用于生活中的各类电子产品，微电子技术的发展对电子产品的消费市场也产生了深远的影响。
微电子技术过去在医学中的主要是应用于各类医疗器械的集成电路，在未来主要是生物芯片。
生物芯片技术在医学、生命科学、药业、农业、环境科学等凡与生命活动有关的领域中均具有重大的应用前景。
一、引言：我所了解的微电子技术1.定义微电子技术，顾名思义就是微型的电子电路。
它是随着集成电路,尤其是超大规模集成电路而发展起来的一门新的技术。
微电子技术是在电子电路和系统的超小型化和微型化过程中逐渐形成和发展起来的,其核心是集成电路,即通过一定的加工工艺,将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件,按照一定的电路互联,采用微细加工工艺,集成在一块半导体单晶片上,并封装在一个外壳内,执行特定电路或系统功能。
与传统电子技术相比,其主要特征是器件和电路的微小型化。
它把电路系统设计和制造工艺精密结合起来,适合进行大规模的批量生产,因而成本低,可靠性高。
它的特点是体积小、重量轻、可靠性高、工作速度快，微电子技术对信息时代具有巨大的影响。
它包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术,是微电子学中的各项工艺技术的总和。
2.发展历史：微电子技术是十九世纪末,二十世纪初开始发展起来的新兴技术,它在二十世纪迅速发展,成为近代科技的一门重要学科。
它的发展史其实就是集成电路的发展史。
1904 年,英国科学家弗莱明发明了第一个电子管——二极管，不就美国科学家发明了三极管。
电子管的发明,使得电子技术高速发展起来。
它被广泛应用于各个领域。
1947 年贝尔实验室制成了世界上第一个晶体管。
微电子技术专业毕业论文答辩ppt模板
致谢
• 大学本科的学习生活即将结束。在此，我要感谢所 有曾经教导过我的老师和关心过我的同学，他们在 我成长过程中给予了我很大的帮助。本文能够顺利 完成，要特别感谢我的导师赵金明老师，感谢各位 系的老师的关心和帮助。 • 最后向所有关心和帮助过我的人表示真心的感谢。
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微电子技术专业论文题目
班级：J 23002 专业：微电子技术专业 学号：X 59524 姓名：杜某某
论文的结构和主要内容
• 第一部分 • 第二部分 • 第三部分 • 第四部分
相关概念
• 若有特别专业或者要特别说明的概念，可以解释。一般无须。
研究综述ห้องสมุดไป่ตู้1）
• 简要说明国内外相关研究成果，谁、什么时间、什么成果。 • 最后很简要述评，引出自己的研究。
研究方法与过程（1-2）
• 采用了什么方法？在哪里展开？如何实施？
主要结论（3-5）
• 自己研究的成果，条理清晰，简明扼要。 • 多用图表、数据来说明和论证你的结果。
演示
• 若是系统开发者，则需要提前做好安装好演示准备，在答辩时对 主要模块作一演示1－2分钟。
问题讨论（1）
• 有待进一步讨论和研究的课题。
总结：微电子技术专业
• 内容123 • 微电子技术专业微电子技术专业微电子技术专业微电子技术专业 • 微电子技术专业微电子技术专业微电子技术专业 988292
结束语: 780525
• 内容123 • 微电子技术专业微电子技术专业微电子技术专业微电子技术专业 • 微电子技术专业微电子技术专业微电子技术专业
微电子封装技术论文范文（2）
微电子封装技术论文范文(2)微电子封装技术论文范文篇二埋置型叠层微系统封装技术摘要：包含微机电系统(MEMs)混合元器件的埋置型叠层封装，此封装工艺为目前用于微电子封装的挠曲基板上芯片(c0F)工艺的衍生物。
cOF是一种高性能、多芯片封装工艺技术，在此封装中把芯片包入模塑塑料基板中，通过在元器件上形成的薄膜结构构成互连。
研究的激光融除工艺能够使所选择的cOF叠层区域有效融除，而对封装的MBMs器件影响最小。
对用于标准的c0F工艺的融除程序进行分析和特征描述，以便设计一种新的对裸露的MEMs器件热损坏的潜在性最小的程序。
cOF/MEMs封装技术非常适合于诸如微光学及无线射频器件等很多微系统封装的应用。
关键词：挠曲基板上芯片;微电子机械系统：微系统封装1、引言微电子机械系统(MEMS)从航空体系到家用电器提供了非常有潜在性的广阔的应用范围，与功能等效的宏观级系统相比，在微米级构建电子机械系统的能力形成了在尺寸、重量和功耗方面极度地缩小。
保持MEMS微型化的潜在性的关键之一就是高级封装技术。
如果微系统封装不好或不能有效地与微电子集成化，那么MEMS的很多优点就会丧失。
采用功能上和物理上集成MEMS与微电子学的方法有效地封装微系统是一种具有挑战性的任务。
由于MEMS和传统的微电子工艺处理存在差异，在相同的工艺中装配MEMS和微电子是复杂的。
例如，大多数MEMS器件需要移除淀积层以便释放或形成机械结构，通常用于移除淀积材料的这些工艺对互补金属氧化物半导体(CMOS)或别的微电子工艺来说是具有破坏性的。
很多MEMS工艺也采用高温退火以便降低结构层中的残余材料应力。
典型状况下退火温度大约为1000℃，这在CMOS器件中导致不受欢迎的残余物扩散，并可熔化低温导体诸如通常用于微电子处理中的铝。
缓和这些MEMS微电子集成及封装问题的一种选择方案就是使用封装叠层理念。
叠层或埋置芯片工艺已成功地应用于微电子封装。
在基板中埋置芯片考虑当高性能的内芯片互连提供等同于单片集成的电连接时，保护微电子芯片免受MEMS环境影响。
微机电系统工程毕业论文文献综述
微机电系统工程毕业论文文献综述微机电系统工程（Microelectromechanical Systems, MEMS）是一门融合微电子技术、机械工程和材料科学的跨学科领域，涉及微米到毫米尺度的微型传感器、执行器和其他微系统的设计、制造和应用。
在过去几十年里，MEMS技术得到了广泛发展和应用。
本文以微机电系统工程为主题，通过综述相关文献，从技术发展、应用领域和制造工艺等方面进行探讨。
1. 技术发展1.1 MEMS的起源与发展最早的MEMS设备出现在20世纪60年代，当时由于电子器件尺寸不断缩小，人们开始探索制造微小的机械结构。
逐渐发展出一系列MEMS工艺，包括光刻、湿法腐蚀、离子刻蚀等，为MEMS器件的制造提供了基础。
1.2 MEMS传感器与执行器MEMS传感器是MEMS技术的重要应用之一，广泛应用于惯性导航、气体和液体压力测量、加速度测量等领域。
MEMS执行器通过微机电系统技术实现微米尺度的运动和控制，如微型血液泵、微型变焦镜头等。
2. 应用领域2.1 生物医学应用MEMS技术在生物医学领域有着广泛的应用，其中包括微流控分析系统、药物释放系统和生物传感器等。
这些应用使得医学诊断、药物研发和治疗等方面得以取得重大突破。
2.2 通信与信息技术MEMS技术在通信和信息技术领域的应用主要体现在光学MEMS 器件和微型谐振器等方面。
光学MEMS器件可用于光纤通信系统的调制和光谱分析，微型谐振器可用于无线通信中的滤波和频率稳定。
2.3 汽车与航空航天MEMS传感器在汽车和航空航天领域发挥重要作用。
汽车中的MEMS传感器可以实现对车辆行为（如加速度、转向等）进行检测和控制。
在航空航天领域，MEMS技术可以用于姿态、压力和温度传感器等。
3. 制造工艺3.1 光刻技术光刻技术是MEMS器件制造的基础工艺之一。
通过使用光刻胶和遮罩板，可以在硅片上制造出微米级的结构和图案。
3.2 干法腐蚀技术干法腐蚀技术是一种常用的微米级硅腐蚀方法。
微电子技术论文范文3篇
微电⼦技术论⽂范⽂3篇微电⼦技术发展历史论⽂摘要本⽂展望了21世纪微电⼦技术的发展趋势。
认为：21世纪初的微电⼦技术仍将以硅基CMOS电路为主流⼯艺，但将突破⽬前所谓的物理“限制”，继续快速发展；集成电路将逐步发展成为集成系统；微电⼦技术将与其它技术结合形成⼀系列新的增长点，例如微机电系统（MEMS）、DNA芯⽚等。
具体地讲，SOC设计技术、超微细光刻技术、虚拟⼯⼚技术、铜互连及低K互连绝缘介质、⾼K栅绝缘介质和栅⼯程技术、SOI技术等将在近⼏年内得到快速发展。
21世纪将是我国微电⼦产业的黄⾦时代。
关键词微电⼦技术集成系统微机电系统DNA芯⽚1引⾔综观⼈类社会发展的⽂明史，⼀切⽣产⽅式和⽣活⽅式的重⼤变⾰都是由于新的科学发现和新技术的产⽣⽽引发的，科学技术作为⾰命的⼒量，推动着⼈类社会向前发展。
从50多年前晶体管的发明到⽬前微电⼦技术成为整个信息社会的基础和核⼼的发展历史充分证明了“科学技术是第⼀⽣产⼒”。
信息是客观事物状态和运动特征的⼀种普遍形式，与材料和能源⼀起是⼈类社会的重要资源，但对它的利⽤却仅仅是开始。
当前⾯临的信息⾰命以数字化和⽹络化作为特征。
数字化⼤⼤改善了⼈们对信息的利⽤，更好地满⾜了⼈们对信息的需求；⽽⽹络化则使⼈们更为⽅便地交换信息，使整个地球成为⼀个“地球村”。
以数字化和⽹络化为特征的信息技术同⼀般技术不同，它具有极强的渗透性和基础性，它可以渗透和改造各种产业和⾏业，改变着⼈类的⽣产和⽣活⽅式，改变着经济形态和社会、政治、⽂化等各个领域。
⽽它的基础之⼀就是微电⼦技术。
可以毫不夸张地说，没有微电⼦技术的进步，就不可能有今天信息技术的蓬勃发展，微电⼦已经成为整个信息社会发展的基⽯。
50多年来微电⼦技术的发展历史，实际上就是不断创新的过程，这⾥指的创新包括原始创新、技术创新和应⽤创新等。
晶体管的发明并不是⼀个孤⽴的精⼼设计的实验，⽽是⼀系列固体物理、半导体物理、材料科学等取得重⼤突破后的必然结果。
微电子本科毕业论文题目(热门选题100个)
微电子本科毕业论文题目（热门选题100个）“秤砣虽小压千斤”, 对于毕业论文题目来说, 道理依然如此, 在几千字的一篇本科论文中, 题目虽只占了小小的十多个字, 但其作用和重要性是不容忽视的, 对于微电子论文来说, 题目就像是眼睛, 是读者关注的首个要点, 本文整理了100个优秀的“微电子本科毕业论文题目”, 以供参考。
微电子本科毕业论文题目范例一:1.浅谈我国微电子技术发展的现状2.SiGe半导体在微电子技术发展中的重要作用3.能源互联网中的信息通信技术4.微电子技术的现状及其发展趋势黄劲风5.桥(门)式起重机安全监控系统的研发及应用付宏伟6.借鉴“三星模式”修订微电子技术人才培养方案7、航空系统中微电子技术的应用8、浅谈微电子技术的应用与发展9、简谈集成电路的设计方法10、机械微电子技术的应用展望11.试论微电子设计自动化技术研究与应用12.浅论机电一体化技术的应用及其发展13.微电子技术发展的新领域14.试论微电子技术发展面临的限制及发展前景15.变电站自动化系统的应用体会和探讨16.微电子技术在智能用电中的应用林香魁17、智能用电中微电子技术的应用研究18、浅析微电子制造技术及其发展19、我国微电子技术及产业发展战略研究20、半导体器件研究生培养探索与实践21.课程教学体系研究与设计22.试析新媒体环境下电子信息技术发展23.微电子技术的应用及发展趋势24.依托虚拟仿真教学设计提升微电子专业学生实践技能的研究25.一种基于DDS芯片AD的高精度信号发生器26.试谈微电子技术的应用研究与发展27、基于D打印技术的微电子器件制造28、新形势下微电子工艺实验教学改革研究29、基于专利技术情报的全球微电子陶瓷专利布局研究30、层状二硫化钼纳米材料的研究进展31.微电子器件的可靠性优化研究32.基于热反射法的微纳结构热扫描技术研究33.基于SOI的微电子器件抗辐射加固技术34.浅谈微电子器件的可靠性35.系统级单粒子效应性能评估的中子辐照试验方法36.微电子封装器件热失效分析与优化研究37、PDCA循环在微电子器件设计实践课程中的应用38、基于“互联网+”时代《微电子器件》课程的改革与实践39、浅析微电子器件静电损伤的测试40、半导体器件中的内建电场教学实践41.纳米材料及HfO基存储器件的原位电子显微学研究42.微电子工艺和器件仿真实验课程体系的建设43.微电子基础实验课实践教学改革研究44.瑞士成功研制世界首个全金属微型光电信号转换器45.光刻技术在微电子设备上的应用及展望46.光刻技术在微电子设备中的应用及发展47、关于通信设备防雷与接地保护技术的研究48、基于微电子传感信号的机械设备自动控制探究49、智能建筑配电系统的防雷电过电压保护策略50、浅析电力系统的雷电防护微电子本科毕业论文题目范例二:51.一次安防系统雷灾综合分析及整改措施52.防浪涌隔离器的防雷应用探讨53.光刻技术在微电子设备上的应用及展望54.中国劳动力“极化”现象及原因的经验研究55.电子厂房的接地设计探析56.现代建筑物综合防雷技术的研究57、微波站微电子设备的防雷措施58、微电子技术的应用和发展分析59、关于机电一体化技术应用和发展态势的探讨60、微电子技术在普洱茶半自动加工生产线的应用61.国际光电子与微电子技术及应用研讨会62.区域产业优势下高职类微电子技术专业人才需求分析及人才培养模式探究63.国际光电子与微电子技术及应用研讨会64.机电一体化技术的发展研究65.基于PLC的便携式变频器教学机的设计66.微电子计算机网络安全67、微电子技术在航空系统中的发展68、工业自动化技术的特点及工业自动化的重要性69、数控机床电气控制系统的设计研究70、国际光电子与微电子技术及应用研讨会71.可再生能源互联网中的微电子技术72.关于微电子火工品的发展及应用研究73.基于微电子技术的注水泵监控保护系统74.微电子技术在航空系统中的发展姜振灏75.微电子技术在智能用电中的应用76.机电一体化技术的应用和发展趋势77、微电子技术专业实践教学体系的构建与实践78、浅谈机电一体化发展趋势79、电子技术在煤化工领域的应用探讨80、机电一体化技术应用与发展81.基于物联网平台下的微电子计算机辅助功能的应用82.浅谈可编程控制器在教学中的维护83.微电子技术实训平台建设与实践探索84.浅析机电一体化应用的优点及发展趋势85.微电子技术在计算机方面的研究和应用86.机电一体化系统的建立与发展研究87、微电子技术的发展和应用88、微电子技术在智能用电中的应用89、浅析新形势下我国电子信息技术的应用90、微电子技术在航空系统中的发展姜振灏91.微电子技术在智能用电中的应用92.微电子技术专业实践教学体系的构建与实践93.浅谈机电一体化发展趋势94.电子技术在煤化工领域的应用探讨95.机电一体化技术应用与发展96.基于物联网平台下的微电子计算机辅助功能的应用97、浅谈可编程控制器在教学中的维护98、微电子技术实训平台建设与实践探索99、浅析机电一体化应用的优点及发展趋势100、微电子技术在计算机方面的研究和应用。
微电子科学与工程毕业论文
微电子科学与工程毕业论文微电子科学与工程毕业论文微电子科学与工程是一门研究微小尺寸电子器件及其应用的学科，涵盖了电子学、物理学、材料学等多个领域。
在这个快速发展的时代，微电子科学与工程的研究和应用已经深入到我们生活的方方面面。
作为一名微电子科学与工程的毕业生，我将在本文中探讨微电子科学与工程领域的一些研究和应用，以及我在毕业论文中的研究内容。
首先，微电子科学与工程的研究领域非常广泛，包括了集成电路设计、半导体器件制造、纳米电子学等方面。
其中，集成电路设计是微电子科学与工程的核心内容之一。
随着科技的进步，集成电路的规模越来越小，功能越来越强大。
在我的毕业论文中，我主要研究了基于深度学习算法的图像识别集成电路设计。
通过使用深度学习算法，我设计了一种高效的图像识别电路，能够准确地识别不同种类的图像。
这项研究对于提高图像识别的准确性和速度具有重要意义。
其次，微电子科学与工程的应用非常广泛，涉及到电子产品、通信设备、医疗器械等多个领域。
其中，电子产品是微电子科学与工程的主要应用之一。
如今，电子产品已经成为人们生活中必不可少的一部分，如智能手机、平板电脑等。
在我的毕业论文中，我研究了一种新型的柔性显示技术，通过在柔性基底上制造微小尺寸的电子器件，实现了可弯曲、可折叠的显示屏。
这项研究对于改善电子产品的使用体验和便携性具有重要意义。
此外，微电子科学与工程还与能源领域密切相关。
随着能源危机的加剧，人们对于高效能源的需求越来越迫切。
微电子科学与工程在能源领域的应用主要包括太阳能电池、燃料电池等。
在我的毕业论文中，我研究了一种新型的太阳能电池材料，通过改变材料的组成和结构，提高了太阳能电池的转换效率。
这项研究对于推动可再生能源的发展和应用具有重要意义。
综上所述，微电子科学与工程是一门非常重要的学科，它的研究和应用涉及到多个领域。
在我的毕业论文中，我主要研究了基于深度学习算法的图像识别集成电路设计、柔性显示技术和太阳能电池材料等方面。
微电子硕士毕业论文
微电子硕士毕业论文标题：基于微电子技术的智能传感器在医疗器械领域的应用研究摘要：随着微电子技术的不断发展，智能传感器已经成为医疗器械领域的重要技术之一。
本论文主要研究了基于微电子技术的智能传感器在医疗器械领域的应用。
通过对智能传感器的原理和结构进行详细介绍，探讨了智能传感器在医疗器械中的应用场景及其优势。
以血压计和血糖仪为例，分别详细介绍了智能传感器在这两种医疗器械中的应用，并对其性能进行了评估。
实验结果表明，基于微电子技术的智能传感器在医疗器械中具有较高的稳定性、精确性和可靠性，能够有效提高医疗器械的性能和用户体验。
关键词：微电子技术；智能传感器；医疗器械；应用研究引言：医疗器械是保障人类身体健康的重要工具，对于医疗行业的发展起到了至关重要的作用。
随着科技的不断进步，微电子技术的应用正在推动医疗器械技术的革新。
智能传感器作为微电子技术的重要组成部分，在医疗器械领域发挥了重要作用。
本论文将重点研究基于微电子技术的智能传感器在医疗器械领域的应用，以期为医疗器械技术的进一步发展提供有益的参考。
一、智能传感器的原理与结构智能传感器是一种将微电子技术与传感技术相结合的器件，具有自主感知、数据采集和信息处理等功能。
其采用了微电子技术中的集成电路和微机电系统技术，能够实现对环境信息的高效获取。
智能传感器的结构包括传感元件、信号调理电路、数据处理器和通信接口等组成部分。
传感元件负责对环境参数的感知，信号调理电路将传感元件输出的信号进行处理和放大，数据处理器对处理后的信号进行分析和判断，通信接口负责与外部设备进行数据交互。
二、智能传感器在医疗器械中的应用场景与优势智能传感器在医疗器械领域有着广泛的应用场景。
以血压计为例，智能传感器可以通过测量皮肤下的血压，准确地获取患者的血压信息。
与传统血压计相比，智能传感器具有响应速度快、测量精度高、使用方便等优势。
同样地，智能传感器在血糖仪中也发挥了重要作用。
通过检测患者血液中的葡萄糖含量，智能传感器可以实时监测患者的血糖水平，并及时发出警报。
srtp论文
微电子封装技术的最新进展及纳米材料在其中的应用摘要：微电子封装技术中介绍了中丝焊、倒装焊和无铅焊料技术的最新进展；分析了用于先进和复杂应用场合的堆叠芯片丝焊、低k超细间距器件丝焊以及铜丝焊技术。
随着科技发展，纳米材料在微电子、光电子及计算机领域的应用，使其在推动微电子封装发展中具有重要意义。
关键词：封装技术，焊接，丝焊，倒装焊，无铅焊料，纳米材料，微电子1、纳米材料在微电子、光电子及计算机领域的应用未来所有的纳米电子器件都将具有更小(集成度更高)、更快(响应速度更快)、更冷(单个器件的功耗更小、温升低)的特点。
如果记录媒体采用纳米层和纳米点的形式，1,000张CD盘中的信息就可能存储到一个手表大小的存储器中。
除了存储量千百倍甚至百万倍地增加外，计算机的速度也将大幅度提高。
传送电磁信号(包括无线电信号和激光信号)的器件将变得更加小巧而功能却更加强大。
任何人、任何物体都将可能在任何时间、任何地点与未来的互联网相连。
而将来的互联网更像是一个无处不在的信息环境，而不仅仅是一个计算机网络。
美国半导体工业协会(SIA)制定一个关于信息处理器件在小型化、速度和功耗方面不断改善的技术发展线路。
这些信息处理器件包括用于信号获取的纳米传感器，用于信号处理的逻辑器件，用于数据记忆的存储器，用于可视化的显示器和用于通讯的传输器件。
根据SIA的预测，大概到2010年，半导体芯片可以达到100 nm的精度，与纳米结构器件相距不远。
实际上，1999年，美国加州大学与惠普公司合作已经研制成功1OOnm的芯片。
1998年，美国明尼苏达大学和普林斯顿大学制出了量子磁盘，密度高达1011bit/in2，美国商家认为2005年的市场可达400亿美元。
目前，利用纳米技术己经研制成功多种纳米器件。
单电子晶体管，红、绿、蓝三基色可调谐的纳米发光二极管以及利用纳米丝、纳米棒制成的微型探测器己经问世。
日本日立公司成功研制出单个电子晶体管，它通过控制单个电子运动状态来完成特定功能，即一个电子就是一个具有多功能的器件。
微电子材料制备论文
微电子材料制备论文摘要：微电子技术是现代电子科技中的一个重要领域，对其所使用的材料要求十分严苛。
本文将对常用的微电子材料制备技术进行总结与分析，包括晶圆制备、薄膜制备以及纳米材料制备等。
同时，还将介绍一些制备技术的研究进展和未来发展方向，以期为微电子材料制备技术的进一步研究提供参考。
关键词：微电子材料，制备技术，晶圆制备，薄膜制备，纳米材料制备1.引言微电子材料是用于制造微电子器件的基础材料，对其物理、化学、电学等性能要求十分严格。
随着微电子技术的迅猛发展，对微电子材料的研究与制备技术也变得越来越重要。
本文将对常用的微电子材料制备技术进行总结与分析，以期为微电子材料制备领域的研究提供一定的参考。
2.晶圆制备技术晶圆是微电子器件制备的基础，其质量和性能对制备的微电子器件起着至关重要的影响。
目前，常用的晶圆制备技术主要包括单晶生长法和多晶衬底法。
单晶生长法是通过物理或化学方法，在单晶种子的基础上生长出完整的单晶材料。
目前，主要采用的单晶生长法有Czochralski法、浮区法和分子束外延法等。
这些方法能够生长出高质量的晶圆，但生产成本较高。
多晶衬底法是在晶圆衬底上生长出多晶薄片，然后通过剥离、烧结等工艺制备出完整的晶圆。
这种方法成本较低，但晶圆质量相对较差。
3.薄膜制备技术薄膜在微电子器件中起着关键作用，它能够提供电极、隔离层和通道等功能。
目前，常用的薄膜制备技术包括物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，PVD）、化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）和溶液法等。
PVD技术通过将材料直接蒸发、热电子轰击等方法沉积在基底上，制备出所需的薄膜。
CVD技术是通过在反应室中以气相形式引入材料的前体，通过化学反应使前体分解生成所需的薄膜。
溶液法是通过将材料溶解在溶液中，然后将溶液涂布在基底上，利用溶剂挥发使材料形成薄膜。
4.纳米材料制备技术纳米材料在微电子器件中的应用也越来越广泛。
微电子工艺课程中TCAD技术应用的教学探讨论文
微电子工艺课程中TCAD技术应用的教学探讨论文本文主要指出了在微电子工艺技术开展日新月异的形势下，在高校微电子工艺课程的教学中引入TCAD技术进展辅助教学的必要性，探讨了在微电子工艺的理论和实验教学中TCAD技术应用的方法和措施，从而提高专业教学质量、提高学生的实际工作能力和专业素质，适应当今社会对人才培养的需求。
以微电子技术为核心的电子信息产业已成为全球乃至我国的第一大产业，成为改造和拉动传统产业的强大引擎和技术根底。
鉴于微电子技术和产业在国民经济中具有非常重要的地位，近年来国内很多高校开始大力开展或者创办微电子相关的专业，如：微电子学、微电子技术以及集成电路设计等专业。
在微电子专业课程教学中，微电子工艺课程是其重要组成局部，然而微电子工艺是一门实践性很强、实践与理论结合严密的课程。
当前，微电子工艺的开展日新月异，芯片制造厂商在32nm工艺上实现了量产，22nm技术正在逐步成熟之中;主流12英寸硅圆片已逐渐准备向18英寸晶圆过渡。
这就给微电子工艺课程的教学提出了严峻的考验，如果还是按照课本的工艺内容进展教学，学生没有直观印象，感觉枯燥无味;同时由于微电子工艺课程具有实践性很强、实践与理论结合严密的特点，如果仅仅是去集成电路制造厂或研究所进展走马观花式的参观是远远不够的。
如何切合实际地进展微电子课程的教学，紧跟微电子技术开展的步伐，从而加强对本专业学生专业素质的培养，提高微电子工艺课程的教学质量，是当前所面临的紧迫问题[1-2]。
随着计算机硬件和数值计算技术的不断开展和普及，微电子工艺及电路的设计手段不断进步，目前利用技术计算机辅助设计(TCAD)技术能够在计算机上真实地实现整个芯片制造的全部流程，相当于一个虚拟的晶圆生产制造厂，从而为高等院校的微电子工艺课程提供了先进的教学手段和方法。
因此通过将微电子的TCAD技术引入到微电子工艺专业的课程中，一方面可以使学生掌握芯片制造的整个工艺流程和设计方法;另一方面可以有效提高课堂教学效果，从而将抽象的概念转化为直观的图像;假设再结合详细的工艺试验，将会显著增强学生的专业技能。
微电子专业毕业论文资料
毕业设计论文离子注入工艺及设备研究系电子信息工程系专业微电子技术姓名杨雷班级微电103 学号********** 指导教师刘锡锋职称讲师指导教师职称设计时间 2012.9.19－2013.1.4江苏信息职业技术学院毕业设计（论文）摘要：在电子工业中，离子注入现在已经成为了微电子工艺中的一种重要的掺杂技术，也是控制MOSFET阈值电压的一个重要手段。
因此在当代制造大规模集成电路中，可以说是一种必不可少的手段。
离子注入的方法就是在真空中、低温下，把杂质离子加速（对Si，电压≥105 V），获得很大动能的杂质离子即可以直接进入半导体中；同时也会在半导体中产生一些晶格缺陷，因此在离子注入后需用低温进行退火或激光退火来消除这些缺陷。
离子注入的杂质浓度分布一般呈现为高斯分布，并且浓度最高处不是在表面，而是在表面以内的一定深度处。
离子注入的优点是能精确控制杂质的总剂量、深度分布和面均匀性，而且是低温工艺（可防止原来杂质的再扩散等），同时可实现自对准技术（以减小电容效应）。
关键词：离子注入工艺；半导体；掺杂离子注入工艺及设备研究目录第一章引言 (4)第二章离子注入工艺 (5)2.1离子注入的原理 (5)2.2 离子注入的分类 (6)2.3 离子射程 (6)2.4 离子注入剂量 (7)2.5 离子注入的要求 (7)第三章离子注入的特点 (9)3.1 离子注入的特点 (9)3.2 离子注入与扩散工艺的比较 (9)第四章离子注入设备 (11)4.1 离子源 (11)4.1.1 离子源 (11)4.2.2 离子束吸取电极 (11)4.2 质量磁分析器 (12)4.2.1 E×B质量分析器 (12)4.2.2 磁质量分析器 (14)4.3加速聚焦器 (15)4.4 扫描系统 (15)4.5 终端系统 (16)第五章离子注入工艺中存在的问题 (17)5.1 沟道效应 (17)5.2 损伤 (17)5.2.1注入损伤 (17)5.2.2 离子注入层的电特性 (17)5.3退火 (18)5.4 颗粒污染 (18)第六章离子注入质量检测 (19)6.1颗粒污染 (19)6.2剂量控制 (19)6.3超浅结结深 (19)第七章总结 (20)致谢 (21)参考文献 (22)江苏信息职业技术学院毕业设计（论文）第一章引言离子注入技术是近30年来在国际上蓬勃发展和广泛应用的一种材料表面改性高新技术。
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【摘要】集成电路设计涵盖了微电子、制造工艺技术、集成电路设计技术的众多内容，目前国内外对集成电路设计人才需求旺盛。
集成电路的应用则覆盖了计算机、通信、消费电子等电子系统的集成与开发，随着电子信息产业的发展，使国内对高层次系统设计人才的需求也在不断增加。
【关键词】集成电路【目录】一、国际集成电路设计发展现状和趋势（1）国际集成电路设计发展现状（2）国际集成电路设计发展趋势二、集成电路CDM测试（1）简介（2）小尺寸集成电路CDM测试（3）测试小器件时面临的问题（4）使用夹具固持小器件（5）支持模版（6）小结三、自制COMS集成电路测试仪（1）测试仪电路构成及原理（2）测试举例将各型号的集成电路制作成卡片（3）小结四、CMOS集成电路使用时的技术要求（1）CMOS集成电路输入端的要求（2）防静电要求（3）接口与驱动要求一、国际集成电路设计发展现状和趋势信息技术是国民经济的核心技术，其服务于国民经济各个领域，微电子技术是信息技术的关键。
整机系统中集成电路采用多少是其系统先进性的表征。
1）国际集成电路设计发展现状在集成电路设计中，硅技术是主流技术，硅集成电路产品是主流产品，占集成电路设计的90%以上。
正因为硅集成电路设计的重要性，各国都很重视，竞争激烈。
产业链的上游被美国、日本和欧洲等国家和地区占据，设计、生产和装备等核心技术由其掌握。
世界集成电路大生产目前已经进入纳米时代，全球多条90纳米/12英寸生产线用于规模化生产，基于70与65纳米之间水平线宽的生产技术已经基本成形，Intel公司的CPU芯片已经采用45纳米的生产工艺。
在世界最高水平的单片集成电路芯片上，所容纳的元器件数量已经达到80多亿个。
2005年，世界集成电路市场规模为2357亿美元，预计到2010年其总规模将达到4247亿美元。
2008年，世界集成电路设计继续稳步增长，产业周期性波动显现减小状况，企业间的并购或合并愈演愈烈，竞争门槛拉大，技术升级步伐加快，新产品和新应用纷纷涌现。
就整体市场来看，近年来增长的主要动力来源于PC、手机和数字播放器等产品的高速成长，市场需求向多样性发展。
DRAM市场销售额增速最快。
以集成电路为核心的电子信息产业目前超过了以汽车、石油和钢铁为代表的传统的工业成为第1大产业，成为改造和拉动传统产业迈向数字时代的强大引擎和雄厚基石。
全球的集成电路销售额1999年为1250亿美元，以集成电路为核心的电子信息产业的世界贸易总额约占世界GNP的3%，现代经济发展数据表明，每l~2元集成电路产值，带动10元左右电子工业产值的形成，进而带动100元GDP的增长。
发达的国家国民经济总产值增长部分的65%目前与集成电路相关。
预计在今后的10年内世界集成电路销售额将以年均15%的速度增长，于2010年将达到6000~8000亿美元。
作为当今世界经济竞争的焦点，拥有自主版权的集成电路日益成为经济发展的关键、社会进步的基础、国际竞争的筹码和国家安全的保障。
2）国际集成电路设计发展趋势集成电路最重要生产过程包括：开发EDA（电子设计自动化）工具，应用EDA进行集成电路设计，根据设计结果在硅圆片上加工芯片（主要流程为薄膜制造、曝光和刻蚀），对加工完毕的芯片进行测试，为芯片进行封装，最后经过应用开发将其装备到整机系统上与最终的消费者见面。
1、SOC将成为集成电路设计的主流SOC(SystemOnaChip)的概念最早源于20世纪90年代，SOC是在集成电路向集成系统转变的过程中产生的。
集成电路设计是以市场应用为导向而发展的，而在将来市场应用的推动下SOC已经呈现出集成电路设计主流的趋势，因为其具有低能耗、小尺寸、系统功能丰富、高性能和低成本等特点。
在高端或低端的产品中，SOC的应用正日益广泛。
2007年，SOC产品的销售额达到347亿美元，平均年增长率超过20%。
SOC是至今仍在发展的产品种类和设计形式。
SOC发展重点主要包括：总线结构及互连技术，直接影响芯片总体性能的发挥；软、硬件的协同设计技术，主要解决硬件开发和软件开发同步进行问题；IP可复用技术，如何对其进行测试和验证；低功耗设计技术，主要研究多电压技术、功耗管理技术，以及软件低功耗应用技术等；可测性设计方法学，研究EJTAG设计技术和批量生产测试问题；超深亚微米实现技术，研究时序收敛、信号完整性和天线效应等。
SOC将推动着其它类型系统技术发展。
最初发展SOC设计技术是为实现定制产品的大规模生产，SOC技术发展动力与ASIC产品类似，可说是由ASIC最直接演化而来的。
SOC 首要目标始终是降低设计成本和实现高系统集成度。
SOC设计目标是对现有模块或“核”的重复应用，进而实现重复利用效率的最大化。
SOC也表现为各种种类产品的融合，其实现了很多其它系统模块的整合，例如，ASIC、MPU和Memory等，进而实现系统功能和系统集成度的大幅度提升。
由于自身的优异特点，SOC技术越来越受到市场的青睐。
而集成电路工艺技术发展又极大地推动着SOC技术的进一步发展，使得SOC技术与其它（例如，MPU和DRAM等）技术一起发展，将成为集成电路设计的主流。
2006年，最引人注目的SOC产品，就是英特尔公司继奔腾Ⅳ之后新一代微处理器Coreduo和CoreⅡduo芯片。
2、IP复用技术将更完善对SOC的界定必须包括3个方面。
首先SOC应该由可设计复用的IP核组成，IP核是具有复杂系统功能的独立VLSI模块。
其次IP核应该广泛采用深亚微米以下工艺技术。
再次在SOC中可整合多个MPU、DSP、MCU或其复合的IP核。
由此可见，在功能、工艺和应用技术上，SOC的应用起点相当高，而IP核的可重复性设计是SOC技术实现应用的关键。
由于系统复杂性越来越高，以及对更短上市时间的追求，设计的复杂性也相应成指数性增加，提高设计生产率已经成为集成电路设计业主要目标。
其中IP复用设计正在成为越来越多厂商的选择。
IP复用设计是SOC实现的主要基础。
把已经优化的子系统甚至系统级模块纳入到新系统设计中，实现集成电路设计能力的飞跃。
基于平台的SOC设计技术和硅知识产权(SIP)的重用技术是SOC产品开发的核心技术，是将来世界集成电路技术制高点。
IP 复用设计是加快设计进程和降低成本的有效方法。
IP复用设计目前已经在集成电路设计中被广泛应用，而且也形成了专门生产可复用IP核的产业和生产商。
可复用IP核根据实现性不同可分为以HDL语言形式提交的软核、经过完全布局布线的网表形式提供且不能由系统设计者修改的硬核和结合了软核硬核两种形式的固核3种。
因为有不同的厂商参与可复用IP核的生产，为了不同可复用IP核之间良好对接和加快可复用IP知识产权交易发展，而需要标准。
业界成立了多个国际组织推动可复用IP核标准的建立，例如，VSIA协会、OPENMORE计划等。
3、设计线宽将逐渐降低主流集成电路设计目前已经达到0.18~0.13µm，高端设计已经进入90nm，芯片集成度达到108~109nm数量级。
根据2003年ITRS(InternationalTechnologyRoadmapforSemiconductor)公布的预测结果，将实现特征尺寸2007年的65nm、2010年的45nm、2013年的32nm、2016年的22nm量产。
产品制造的实现以设计为基础，相应的设计方法同期将达到相应的水平。
4、设计可行性与可靠性将得到提高随着集成电路设计在规模、速度和功能方面的提高，EDA业界努力寻找新设计方法。
将来5～10年，伴随着软件和硬件协同设计技术、可测性设计技术、纳米级电路设计技术、嵌入式IP核设计技术和特殊电路工艺兼容技术等出现在EDA工具中，EDA工具将得到更广泛应用。
EDA工具为集成电路的短周期快速投产提供了保障，使全自动化设计成为可能，同时设计的可行性和可靠性也能得到提高。
5、可编程逻辑器件将发挥更广泛作用可编程逻辑器件(PLD)，尤其是现场可编程门阵列(FPGA)，是近几年来集成电路发展最快的产品。
PLD将在今后的5～10年中发挥更广泛作用。
同时PLD的应用，以及集成电路设计流程将更简化，设计周期将缩短，同时设计成本和制造成本将进一步降低。
6、设计与整机系统结合将更紧密将来5～10年，集成电路设计将围绕应用展开，64位甚至128位CPU，以及相关产品群开发、3C多功能融合的移动终端芯片组开发、网络通信产品开发、数字信息产品开发和平面显示器配套集成电路开发等将成为集成电路设计面向的主体。
集成电路的集成度和产品性能每18个月有一倍的增加。
随着信息产品市场需求的增长，尤其通过通信、计算机与互联网、电子商务、数字视听等电子产品的需求增长，世界集成电路市场在其带动下高速增长。
二、集成电路CDM测试1）简介集成电路(IC)的静电放电(ESD)强固性可藉多种测试来区分。
最普遍的测试类型是人体模型(HBM)和充电器件模型(CDM)。
这两种ESD测试类型旨在揭示包含基本ESD控制的制造环境下，电路在ESD应力下的存续情况如何。
HBM是应用最久的ESD测试，但工厂ESD 控制专家普遍认为，在现代高度自动化的组装运营中，CDM是更重要的ESD测试。
CDM应力的大小会随着器件的尺寸而变化。
有关CDM的“传统智慧”更认为不需要测试尺寸极小的集成电路，因为峰值电流快2）小尺寸集成电路CDM测试IC CDM Test for Small Devices Robert Ashton 安森美半导体，Marty Johnson 国家仪器，Scott Ward 德州仪器速变小直至消失。
我们在此前的文章中曾指出，极小器件的峰值电流并不像通常认为的那样快速变小直至消失。
高速示波器测量显示，即使脉冲宽度变得很窄，极小器件的峰值电流仍令人吃惊地保持高电平。
过去，由于这些大峰值电流被忽略，因为使用了场致CDM测试标准所提倡的1 GHz示波器，而场致CDM测试是最普及的CDM 测试形式。
3）测试小器件时面临的问题观测到极小集成电路超出预料的峰值电流，对负责测试极小器件(尺寸仅为较小的个位数毫米等级)的ESD测试工程师而言可不是什么好消息。
图1显示了置于场致CDM测试装置上的8球栅(ball)芯片级封装。
必须接触每个被测引脚的探针(的尺寸)占到整个集成电路尺寸的不小比例。
显而易见，移动被测器件并不需要太多的探针接触;只是要求反复调整器件的位置。
在场致CDM测试期间，按惯例要使用真空来固持(hold)被测器件(DUT)的位置。
真空通常不能非常安全地固持极小的器件。
此外，真空孔(的截面积)占到被测器件尺寸的不小比例，可能会影响器件应力。
当真空孔尺寸超过被测器件面积的18%时，应力的大小就开始下降。
图2比较了置于真空孔与不置于真空孔上的器件在峰值电流或完整电荷(total charge)条件下测量得到的应力大小。