9-2电力电子基础模拟考题二

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No-9-2电力电子技术-ch1,2习题

No-9-2电力电子技术-ch1,2习题



解 晶闸管所承受的正、反向电压最大值为输入 正弦交流电源电压的峰值:1.414×220=311V; 取晶闸管的安全裕量为2, 则晶闸管额定电压不低于2×311=622V。
6
题解1.5、1.6


1-5/6 图中阴影部分表示 流过晶闸管的电流波形, 其最大值为Im。试计算晶 闸管的电流平均值Id、有 效值IT及波形系数Kf; 若选用KP-100型晶闸 管,不考虑安全裕量。试 计算上述4种电流波形下 晶闸管能承受的平均电流 是多少?对应的电流最大 值Im各是多少?
R t E i (1 e L ) 15 103 R 0.5 t 50 (1 e 0.5 ) 100(1 et ) 15 103 0.5 et 0.99985
最后解得:
t 150 106 =150uS
5题解1.4ຫໍສະໝຸດ 1-4 在图b电路中,电源电压有效值为220v,问晶闸 管承受的正反向电压最高是多少?考虑安全裕量 为2,其额定电压应如何选取。
T
αmin
6
2 20 12.9 A

整流管(最大)? αmin 续流管(最大)? αmax
I DC 122.24
I D I T 12.9 A
122 .24
20

180 20 16.48A
21
S U 2 I 2 95.2718.3 1.7kVA
3 计算变压器容量 I 2 2 IT 18.3A I2max=?
1 求U2 min 30,U
U2
d
80V
Ud 80 95.27V 0.451 cos 0.451 cos30
2 计算各元件的电流有效值(最大)

电力电子技术试卷及答案(2)

电力电子技术试卷及答案(2)

电力电子技术》试题(G)一、填空题 (每空 1 分,34分)1、实现有源逆变的条件为和2、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中,两组变流装置分别工作在正组状态、状态、反组状态、状态。

3、在有环流反并联可逆系统中,环流指的是只流经而不流经的电流。

为了减小环流,一般采用α β 状态。

4、有源逆变指的是把能量转变成能量后送给装置。

5、给晶闸管阳极加上一定的电压;在门极加上电压,并形成足够的电流,晶闸管才能导通。

6、当负载为大电感负载,如不加续流二极管时,在电路中出现触发脉冲丢失时与电路会出现失控现象。

7、三相半波可控整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z ;而三相全控桥整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z ;这说明电路的纹波系数比电路要小。

8、造成逆变失败的原因有、、、等几种。

9、提高可控整流电路的功率因数的措施有、、、等四种。

10 、晶闸管在触发开通过程中,当阳极电流小于电流之前,如去掉脉冲,晶闸管又会关断。

、判断题:(每题 2 分,20 分)对√,错×。

1、有源逆变指的是把直流能量转变成交流能量送给用电器。

()2、给晶闸管加上正向门极电压它就会导通。

()3、在半控桥整流带大电感负载,不加续流二极管电路中,电路不正常时可能会出现失控现象。

()4、三相半波可控整流电路中,如果三个晶闸管采用同一组触发装置,则 120o。

α的移相范围只有5、设置补偿电容可以提高变流装置的功率因数。

()6、三相半波可控整流电路也要采用双窄脉冲触发。

()7、KP2—5表示的是额定电压 200V,额定电流 500A 的普通型晶闸管。

()8、在单结晶体管触发电路中,稳压管削波的作用是为了扩大脉冲移相范围。

()9、在单相全控桥整流电路中,晶闸管的额定工作电压应取电源相电压U2。

()10、在三相桥式全控整流电路中,采用双窄脉冲触发晶闸管元件时,电源相序还要满足触发电路相序要求时才能正常工作。

模拟电子技术模拟考题二及参考答案.doc

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模拟电子技术基础模拟考试题二及参考答案一、填空(每题2,共2分)1.硅稳压二极管在稳压电路中稳压时,通常工作于()。

(a) 正向导通状态 (b) 反向电击穿状态(c) 反向截止状态 (d) 热击穿状态2、整流的目的是()。

(a) 将交流变为直流 (b) 将高频变为低频(c) 将正弦波变为方波 (d) 将方波变为正弦波3、当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时,石英晶体呈()。

(a) 容性 (b) 阻性 (c) 感性 (d) 无法判断4、为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用的滤波电路是()。

(a) 带阻 (b) 带通 (c) 低通 (d) 高通5、能实现函数Y=aX1+bX2+cX3,a、b和c均大于零的运算电路是()。

(a) 加法 (b) 减法 (c) 微分 (d) 积分6、欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应在放大电路中引入()。

(a) 电压串联负反馈 (b) 电压并联负反馈(c) 电流串联负反馈 (d) 电流并联负反馈7、集成运放电路采用直接耦合方式是因为()。

(a) 可获得很大的放大倍数 (b) 可使温漂小(c) 集成工艺难于制造大容量电容 (d) 放大交流信号8、要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω,第一级应采用,第二级应采用。

()(a) 共射电路, 共集电路 (b) 共集电路, 共射电路(c) 共基电路, 共集电路 (d) 共射电路, 共基电路9、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是()。

(a) 电阻阻值有误差 (b) 晶体管参数的分散性(c) 电源电压不稳定 (d) 晶体管参数受温度影响10、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为()。

(a) 83 (b) 91 (c) 100 (d) 120【解】1 、(b) 2 、(a) 3 、(c) 4 、(b) 5 、(a) 6 、(d) 7 、(c) 8 、(b) 9 、(d) 10 、(c)二、填空(共10题,每题2分,共20分)1、在室温(27℃)时,锗二极管的死区电压约 V,导通后在较大电流下的正向压降约 V,硅二极管的死区电压约 V;导通后在较大电流下的正向压降约 V。

电力电子模拟测试试卷(附答案).

电力电子模拟测试试卷(附答案).
2、(12 分)
(a)电路图
(b)输入电压 u2 的波形图
五、计算题(共 1 小题,共 20 分) 1、电路如图所示,单相全控桥式整流电路接大电感负载,R=4Ω,U2=220V。 (1)触发角为 60°时,(a) 试求 Ud、Id、晶闸管电流平均值 IdVT、晶闸管电 流有效值 IVT、变压器副边电流有效值 I2;(b)作出 ud、id、iVT2、i2 的波形 图(图标清楚,比例适当)。 (2)当负载两端接有续流二极管时,(a)试求 Ud、Id、IdVT、IVT、IVD、IdVD 、 I2;(b)作出 ud、id、iVT2、iVD、i2 的波形图(图标清楚,比例适当)。
3、在 PWM 控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为____载波比_________,当它为常数时的调制方 式称为___同步______调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信 号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。
4、面积等效原理指的是,___冲量______相等而__形状___不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基 本相同。
四、作图题(共 2 小题,每题 12 分,共 24 分) 1、三相全控桥,阻感负载,主回路整流变压器的接法是 D,y5,采用 NPN 管的锯
齿波触发器,要求在整流与逆变状态运行。同步变压器二侧电压经 R-C 滤波器 滤波后(滞后角为 30°)接到触发电路。同步变压器的的接法为 Y/Y-10,4 接法, 如下图所示,选择晶闸管的同步电压。(要给出分析过程,分析依据) 晶 闸 管 VT1 VT2 VT3 VT4 VT5 VT6 主电路电压 +Uu -Uw +Uv -Uu +Uw -Uv 同步电压
5、在 GTR、GTO、IGBT 与 MOSFET 中,开关速度最快的是____ MOSFET _____,单管输出功 率最大的是___ GTO __________,应用最为广泛的是_____ IGBT ______。

电工电子会考摸拟试卷二及参考答案

电工电子会考摸拟试卷二及参考答案

《电工电子》会考摸拟试卷(二)一、填空题1.一个基本电路由______、______、______、______四部分组成。

2.电阻是表示元件对电流呈现阻碍作用大小的物理量。

在一定温度下,导体的电阻和它的长度成______,而和它的截面积成______。

3. 电路中某点的电位,就是该点与______之间的电压(电位差);电源电动势与电源电压大小________方向________。

4.一般的万用表可用来测量______、______、______及______等。

5.基尔霍夫定律是电路的基本定律,该定律的内容包括:____________定律和_______________定律,支路电流法是计算___________最基本的方法;叠加定理是__________普遍适用的重要定理;戴维宁定理是计算复杂电路常用的一个定理,适用于求___________的电流。

6.电容器是_______元件。

充电时把能量储存起来,放电时把储存的能量释放出去,储存在电容器中的电场能量为_________。

7.描述磁场的四个主要物理量是______、______、______、______。

通电导线周围的磁场方向与电流方向之间的关系可用__________来判定;通电导体在磁场中要受到磁场力的作用,磁场力的方向可用__________确定。

8.法拉第电磁感应定律的表达式是________。

电路中感应电流的方向可用____________或_____________来判定。

9.交流电压u=14.1sin (314t+30º)V ,则U=______V ,f= ______Hz ,T=______ s ,Φ0=______。

10.对于任何一个电气设备,都要求每相负载所承受的电压等于它的额定电压。

所以,当负载的额定电压为三相电源线电压的1∕3时,负载应采用______联结;当负载的额定电压等于三相电源线电压时,负载应采用______联结。

《电力电子》考试试卷

《电力电子》考试试卷
5、在一般可逆电路中,最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理()。
A、30º-35ºB、10º-15ºC、0º-10ºD、0º。
6、单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是( )
A、90°B、120°C、150°D、180°
7、若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率,可采用控制方法是()
5、电阻性负载三相半波可控整流电路中,控制角的范围是()
A、30°~150 B、0°~120°C、15°~125° D、0°~150°
6、桓流驱动电路中加速电容C的作用是()
A、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关断
C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件
7、直流斩波电路是一种()变换电路。
A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DC D、AC/DC
1、请在正确的空格内标出下面元件的简称:
电力晶体管;可关断晶闸管;功率场效应晶体管;绝缘栅双极型晶体管;IGBT是和的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是、和。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑的问题,解决的方法是。
4、在电流型逆变器中,输出电压波形为波,输出电流波形为波。
5、三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个开关管间进行,称为_______°导电型
A、1msB、2msC、3msD、4ms
8、关于单相桥式PWM逆变电路,下面说法正确的是()
A、在一个周期内单极性调制时有一个电平,双极性有两个电平
B、在一个周期内单极性调制时有两个电平,双极性有三个电平
C、在一个周期内单极性调制时有三个电平,双极性有两个电平
D、在一个周期内单极性调制时有两个电平,双极性有一个电平
六、计算题(本题共1小题,共15分)

电工二级模拟试题(含参考答案)

电工二级模拟试题(含参考答案)

电工二级模拟试题(含参考答案)一、单选题(共30题,每题1分,共30分)1、RLC串联电路发生串联谐振的条件是()。

A、ωL=ΩcB、L=CC、ωL=1/ΩD、L=1/C正确答案:C2、三相四线制中,中性线的作用是()。

A、保证三相负载B、保证三相电流C、保证三相电压D、保证三相功率对称正确答案:D3、由白炽灯、电烙铁、电阻器组成的交流电路都可近似看成是()电路。

A、电阻、电感B、纯电容C、纯电阻D、纯电感正确答案:C4、不能用电阻串、并联化简的直流电路叫()直流电路。

A、串、并B、简单C、多样D、复杂正确答案:D5、低压熔断器,广泛应用于低压供配电系统和控制系统中,主要用于()保护,有时也可用于过载保护。

A、短路B、熔断C、速断D、过流正确答案:A6、设计规范中RS232通讯的距离是()。

A、200MB、1300MC、10MD、15M正确答案:D7、在变频器的变频运行与工频运行互相切换的控制线路中,输出接触器和工频切换接触器必须要有()措施。

A、点动B、连锁C、互锁D、自锁正确答案:C8、直流有刷电动机是应用时间最长的一种电动机,以下()不属于其优势。

A、电动机有电刷B、可靠C、电动机坚固D、电动机功率大正确答案:A9、如果要实现快速变化信号的实时控制与检测,A/D与D/A转换器还要求具有较高的转换()。

A、精度B、速度C、能力D、数值正确答案:B10、绝缘材料的主要作用是用来()带电和不带电的导体,使电流只能沿着导体流动。

A、引导B、连接C、隔离D、保护正确答案:C11、A/D转换器的转换时间与转换()的类型有关。

A、电路B、频率C、速度D、角度正确答案:A12、从业人员做到真诚不欺,下列哪项不对()。

A、不搭“便车”B、坦诚相待C、偶尔可以欺骗他人D、出工出力正确答案:C13、在一台变频器驱动一台电动机的情况下,一般不设置()接触器。

A、输入B、连接C、输出D、相连正确答案:C14、运算放大器的输出电压主要受供电电源的限制,在普通的运算放大器中,输出电压最大值一般仅为()。

电力电子模拟试卷二(附答案)

电力电子模拟试卷二(附答案)

一、填空题(本题共 小题,每空 分,共 分)、♉♉♉ ☝❆ ♉♉♉♉♉♉存在二次击穿现象,♉♉♉♉♉♉ ✋☝❆ ♉♉♉♉♉♉存在擎住现象。

、功率因数由∙∙∙基波电流相移∙∙∙和∙电流波形畸变∙这两个因素共同决定的。

、晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻 是∙∙均压∙ ∙♉措施。

、同一晶闸管,维持电流✋☟与掣住电流✋☹在数值大小上有✋☹♉∙ ❞∙✋☟。

、电力变换通常可分为:∙∙交流变直流∙ 、∙直流变交流∙、直流变直流∙ 和∙∙交流变交流∙。

、在下图中,♉♉♉ ✞♉♉和♉♉♉ ✞♉♉♉♉♉构成降压斩波电路使直流电动机电动运行,工作于第 象限;♉♉ ✞♉♉♉♉♉和♉♉ ✞♉♉♉♉♉构成升压斩波电路,把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源,使电动机作再生制动运行,工作于♉♉第 ♉♉象限。

二、选择题(本题共 小题, , , 小题每题 分,其余每题 分共 分)、下列电路中,不可以实现有源逆变的有(  )。

✌、三相半波可控整流电路 、三相桥式全控整流电路、单相桥式可控整流电路 、单相全波可控整流电路外接续流二极管、晶闸管稳定导通的条件( ✌ )✌、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流、三相半波可控整流电路的自然换相点是(  )✌、交流相电压的过零点、本相相电压与相邻相电压正半周的交点处、比三相不控整流电路的自然换相点超前 、比三相不控整流电路的自然换相点滞后 、若增大 逆变器的输出电压基波频率,可采用的控制方法是(  )✌、增大三角波幅度 、增大三角波频率、增大正弦调制波频率 、增大正弦调制波幅度、三相半波可控整流电路中,晶闸管可能承受的反向峰值电压为(  )✌、✞ 、✞ 、 ✞ ✞、晶闸管电流的波形系数定义为(  )✌、 、 、♐ ✋♎❆ ✋❆ 、 ♐ ✋♎❆ ✋❆、降压斩波电路中,已知电源电压✞♎ ✞,负载电压✞☐ ✞,斩波周期❆❍♦,则开通时❆☐⏹ (  )✌、 ❍♦ 、 ❍♦ 、 ❍♦ 、 ❍♦、关于单相桥式 逆变电路,下面说法正确的是(  )✌、在一个周期内单极性调制时有一个电平,双极性有两个电平、在一个周期内单极性调制时有两个电平,双极性有三个电平、在一个周期内单极性调制时有三个电平,双极性有两个电平、在一个周期内单极性调制时有两个电平,双极性有一个电平、对于单相交交变频电路如下图,在♦❞♦时间段内, 组晶闸管变流装置与☠组晶闸管变流装置的工作状态是(  )✌、 组阻断,☠组整流 、 组阻断,☠组逆变、☠组阻断, 组整流 、☠组阻断, 组逆变、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如图所示,在♦❞♦时间段内,有(  )晶闸管导通。

电力电子技术模拟试题及答案

电力电子技术模拟试题及答案

XX学院 20XX年秋季学期电力电子技术模拟试题2(开卷,时间:120分钟)(所有答案必须写在答题纸上)一、填空题(40分,每空1分)1. GTO的结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

2.GTO的开通控制方式与晶闸管相似,但是可以通过在门极使其关断。

3. GTO导通过程与普通晶闸管一样,只是导通时饱和程度,导通时管压降。

4. GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值I GM之比称为, 该值一般很小,只有左右,这是GTO的一个主要缺点。

5. GTR导通的条件是:且。

6. 在电力电子电路中GTR工作在开关状态, 在开关过程中,在区和区之间过渡时,要经过放大区。

7. 电力MOSFET导通的条件是:且。

8. 电力MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的、前者的饱和区对应后者的、前者的非饱和区对应后者的。

9.电力MOSFET的通态电阻具有温度系数。

10.IGBT是由和两类器件取长补短结合而成的复合器件10.PWM控制的理论基础是原理,即相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。

11.根据“面积等效原理”,SPWM控制用一组的脉冲(宽度按规律变化)来等效一个正弦波。

12.PWM控制就是对脉冲的进行调制的技术;直流斩波电路得到的PWM波是等效波形,SPWM控制得到的是等效波形。

13.PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式称控制方式,PWM 波形在正负极性间变化的控制方式称控制方式,三相桥式PWM型逆变电路采用控制方式。

14.SPWM波形的控制方法:改变调制信号u r的可改变基波幅值;改变调制信号u r的可改变基波频率;15.得到PWM波形的方法一般有两种,即和,实际中主要采用。

16.根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况,PWM调制方式可分为和。

一般为综合两种方法的优点,在低频输出时采用方法,在高频输出时采用方法。

电力电子技术试题(二)

电力电子技术试题(二)

电力电子技术 试题(A )注:卷面85分,平时成绩15分一、 回答下列问题1、下列器件的分类表中,将符合每一类别的全部选项添入表中。

(8分)选项:(根据选项填空时,只需写选项的代号,如:A,B,….) A. SCRF.电力二极管 。

2、判断下列各题的正确性,正确的打“√”,不正确的打“×”。

(6分)(1)某晶闸管,若其断态重复峰值电压为500V,反向重复峰值电压700V,则该晶闸管的额定电压是700V。

()第 1 页(共 8 页)试题:电力电子技术班号:姓名:(2)对于输入接整流变压器的可控整流电路,变压器存在直流磁化的有三相半波整流电路、单相半波整流电路和单相全波整流电路。

()(3)单相全控桥式变流电路,“阻感——反电势”负载,已知60β=o,2100U V=,50E V=,电路处于可逆变状态。

()3、画出全控型器件RCD关断缓冲电路,并分析缓冲电路中各元件作用。

(6分)第 2 页 (共 8 页)试 题: 电力电子技术 班号: 姓名:二、对于三相全控桥式变流电路,在不同的负载形式和控制要求下,回答下列问题。

1、画出该电路带“阻感——反电势” 负载,并工作于整流方式时的电路图(要标明反电势极性)。

(5分)u uu 2、当该电路工作于整流状态时,设触发角60α=o 且负载电流连续,请在图中画出此时整流器 输出电压u d 和晶闸管电流1VT i 在一个周期内的波形。

(5分) i VT103、设该电路为大电感负载且工作于整流状态,V U 1002=,负载中E=47V ,Ω=5R ,当60α=o 时,试计算整流输出平均电压d U 、负载电流d I 和晶闸管电流 平均值dVT I 。

(5分)第 3 页 (共 8 页)试 题:电力电子技术 班号: 姓名:三、H 型单极同频模式PWM 的功率转换电路如下图(a )所示。

它由四个大功率IGBT 和四个续流二极管组成。

当控制指令0i u >时,1V 和2V 工作在交替开关状态,3V 截止关断 ,4V 饱和导通。

电力电子技术试题(二)

电力电子技术试题(二)

注:卷面85分,平时成绩15分1、下列器件的分类表中,将符合每一类别的全部选项添入表中。

(8分)选项:(根据选项填空时,只需写选项的代号,如:A,B,….)A.SCRF.电力二极管。

2、判断下列各题的正确性,正确的打“√”,不正确的打“×”。

(6分)(1)某晶闸管,若其断态重复峰值电压为500V,反向重复峰值电压700V,则该晶闸管的额定电压是700V。

()第 1 页(共 8 页)试题:电力电子技术班号:姓名:(2)对于输入接整流变压器的可控整流电路,变压器存在直流磁化的有三相半波整流电路、单相半波整流电路和单相全波整流电路。

()(3)单相全控桥式变流电路,“阻感——反电势”负载,已知60β=,2100U V=,50E V=,电路处于可逆变状态。

()3、画出全控型器件RCD关断缓冲电路,并分析缓冲电路中各元件作用。

(6分)第 2 页(共 8 页)试题:电力电子技术班号:姓名:二、对于三相全控桥式变流电路,在不同的负载形式和控制要求下,回答下列问题。

1、画出该电路带“阻感——反电势” 负载,并工作于整流方式时的电路图(要标明反电势极性)。

(5分)3、设该电路为大电感负载且工作于整流状态,V U 1002=,负载中E=47V , Ω=5R ,当60α=时,试计算整流输出平均电压d U 、负载电流d I 和晶闸管电流u u u 2、当该电路工作于整流状态时,设触发角60α=且负载电流连续,请在图中画出此时整流器平均值dVTI。

(5分)第 3 页(共 8 页)试题:电力电子技术班号:姓名:三、H型单极同频模式PWM的功率转换电路如下图(a)所示。

它由四个大功率IGBT和四个续流二极管组成。

当控制指令iu>时,1V和2V工作在交替开关状态,3V截止关断,4V饱和导通。

设该电路工作在轻载情况下(a MU E≈),1V、2V、3V和4V的栅极激励电压如图(b)所示。

1、试画出电机电枢电压au和电枢电流a i波形图(可直接画在图(b) 上)。

电力电子技术考试模拟题含参考答案

电力电子技术考试模拟题含参考答案

电力电子技术考试模拟题含参考答案一、单选题(共25题,每题1分,共25分)1.目前,在中小型变频器中普遍采用的电力电子器件是()。

A、SCRB、GTOC、MOSFETD、IGBT正确答案:D2.电阻性负载三相半波可控整流电路中,控制角的范围是()A、30°~150B、0°~120°C、0°~150°D、15°~125°正确答案:C3.三相全波可控整流电路电阻性负载中,控制角的最大移相范围是()。

A、90°B、120°C、180°D、150°正确答案:B4.具有自关断能力的电力半导体器件称为()A、不控型器件B、全控型器件C、半控型器件D、触发型器件正确答案:B5.可实现有源逆变的电路为()。

A、单相全控桥接续流二极管电路B、单相半控桥整流电路C、三相半波可控整流电路D、三相半控桥整流桥电路正确答案:C6.1957年美国通用电气(GE)公司研制出第一只(),它标志着电力电子技术的诞生。

A、电子管B、晶闸管C、MOSFETD、IGBT正确答案:B7.已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流()A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下正确答案:A8.IGBT是一个复合型的器件,它是()A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO正确答案:B9.为了防止逆变失败,最小逆变角限制为()。

A、300~350B、200~250C、400~450D、100~150正确答案:A10.降压斩波电路中,已知电源电压Ud=16V,负载电压Uo=12V,斩波周期T=4ms,则开通时Ton=()A、4msB、1msC、2msD、3ms正确答案:D11.单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是()A、150°B、120°C、90°D、180°正确答案:D12.电阻性负载三相半波可控整流电路中,控制角的范围是()。

模拟电子技术基础试题二及答案

模拟电子技术基础试题二及答案

模拟电子技术基础试题二及答案一、选择题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于(),而少数载流子的浓度与()关系十分密切。

A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度2、负反馈放大电路产生自激振荡的条件是()。

A.0=FA B.1=FA C.=FA D.1=-FA3、某直接耦合放大电路在输入电压为0.1V时,输出电压为8V;输入电压为0.2V时,输出电压为4V(均指直流电压)。

则该放大电路的电压放大倍数为()。

A.80 B.40 C.-40 D.204、电荷耦合器件CCD是一种:()A.磁性器件B.双极型半导体器件C.MOS器件D.液晶器件5、直接耦合与变压器耦合多级放大电路之间主要不同点是()。

A.所放大的信号不同B.交流通路不同C.直流通路不同6、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏7、若图(a)所示电路的幅频响应特性如图(b)所示。

请问影响f L大小的因素是(),影响f H大小的因素是()。

A.晶体管极间电容,B.晶体管的非线性特性,C.耦合电容HLV CC( a )( b )8、在单相桥式整流电路中,若有一只整流管接反,则()。

A. 输出电压约为2U DB. 变为半波直流C. 整流管将因电流过大而烧坏9、设图中二极管均为理想二极管,灯L 1、L 2、L 3也具有完全相同特性,则灯( )最亮。

A .L 1B .L 2C .L 3D .一样亮 二、简答题1、设电路中二极管为理想二极管,电阻R 为450。

现用指针式万用表R ×1档测量AB 间电阻,若红表笔(带负电压)接A 端,黑表笔(带正电压)接B 端,则万用表的读数是多少?AB2、放大电路和示波器测得输出电压u O 的波形如图所示,试问该放大电路产生了饱和失真还是截止失真?为消除失真应调整电路哪个参数?该参数应增大还是减小?u tu O R Lu三、如图所示电路,晶体管的 =100,r b e =1kΩ,R c =3kΩ。

电力电子技术模考试题+答案

电力电子技术模考试题+答案

电力电子技术模考试题+答案一、单选题(共30题,每题1分,共30分)1、目前所用的电力电子器件均由()制成,故也称电力半导体器件。

A、金属B、半导体C、绝缘体D、导体正确答案:B2、带中心抽头变压器的逆变电路,器件承受的电压为全桥电路的()倍A、4B、2C、1/2D、1正确答案:B3、单相半桥电压型逆变电路输出的电压幅值为输入电压的()。

A、1倍B、3倍C、2倍D、一半正确答案:D4、交流调压电路是()。

A、改变交流电的频率和控制晶闸管的开通相位B、以交流电的周期为单位控制晶闸管的通断C、只改变交流电的频率而不控制晶闸管的开通相位D、不改变交流电的频率只控制晶闸管的开通相位正确答案:D5、电流型逆变电路输出的电压波形为()。

A、因负载不同而不同B、矩形波C、正弦波D、锯齿波正确答案:A6、当晶闸管加反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在()A、饱和状态B、关断状态C、不定D、导通状态正确答案:B7、电流型逆变电路,直流侧需要串联()。

A、大电感B、大电容C、二极管D、大电阻正确答案:A8、三相桥式全控整流电路,共阴极组的晶闸管是()。

A、VT1,VT3,VT5B、VT1,VT2,VT5C、VT1,VT3,VT4D、VT2,VT3,VT5正确答案:A9、将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是()。

A、有源逆变器B、A/D变换器C、D/A变换器D、无源逆变正确答案:D10、单相全控桥式整流电路阻性负载最大触发角度是()。

A、90°B、180°C、360°D、0°正确答案:B11、三相半波可控整流电路阻性负载,触发角移动范围为()。

A、0º-150°B、0º-180°C、0º-90°D、0º-120°正确答案:A12、斩波电路控制方式中,T不变,改变ton,称为()。

电力电子技术试卷及答案(2)

电力电子技术试卷及答案(2)

《电力电子技术》试题(G)一、填空题(每空1分,34分)1、实现有源逆变的条件为和。

2、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中,两组变流装置分别工作在正组状态、状态、反组状态、状态。

3、在有环流反并联可逆系统中,环流指的是只流经而不流经的电流。

为了减小环流,一般采用αβ状态。

4、有源逆变指的是把能量转变成能量后送给装置。

5、给晶闸管阳极加上一定的电压;在门极加上电压,并形成足够的电流,晶闸管才能导通。

6、当负载为大电感负载,如不加续流二极管时,在电路中出现触发脉冲丢失时与电路会出现失控现象。

7、三相半波可控整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z;而三相全控桥整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z;这说明电路的纹波系数比电路要小。

8、造成逆变失败的原因有、、、等几种。

9、提高可控整流电路的功率因数的措施有、、、等四种。

10、晶闸管在触发开通过程中,当阳极电流小于电流之前,如去掉脉冲,晶闸管又会关断。

二、判断题:(每题2分,20分) 对√,错×。

1、有源逆变指的是把直流能量转变成交流能量送给用电器。

()2、给晶闸管加上正向门极电压它就会导通。

()3、在半控桥整流带大电感负载,不加续流二极管电路中,电路不正常时可能会出现失控现象。

()4、三相半波可控整流电路中,如果三个晶闸管采用同一组触发装置,则α的移相范围只有120o。

()5、设置补偿电容可以提高变流装置的功率因数。

()6、三相半波可控整流电路也要采用双窄脉冲触发。

()7、KP2—5表示的是额定电压200V,额定电流500A的普通型晶闸管。

()8、在单结晶体管触发电路中,稳压管削波的作用是为了扩大脉冲移相范围。

()9、在单相全控桥整流电路中,晶闸管的额定工作电压应取电源相电压U2。

()10、在三相桥式全控整流电路中,采用双窄脉冲触发晶闸管元件时,电源相序还要满足触发电路相序要求时才能正常工作。

()三、选择题(10分)1、在单相全控桥整流电路中,两对晶闸管的触发脉冲,应依次相差度。

电力电子基础考试题库

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作业1一、判断题(C第1-10题每题4分)1. 逆变器采用负载换流方式实现换流时,负载谐振回路不一定要呈电容性。

(A) A (B) B2. 双向晶闸管的额定电流的定义与普通晶闸管不一样,双向晶闸管的额定电流是?用电流有效值来表示的。

(A) A (B) B3. 在DC/DC变换电路中,可以采用电网换流方法。

(A) A (B) B4. 为避免三次谐波注入电网,晶闸管整流电路中的整流变压器应采用Y/Y接法(A) A (B) B5. 电流可逆斩波电路可实现直流电动机的四象限运行。

(A) A (B) B6. 过快的晶闸管阳极du/dt会使误导通。

(A) A (B) B7. 在变流装置系统中,增加电源的相数也可以提高电网的功率因数。

(A) A (B) B8. PWM脉宽调制型逆变电路中,采用不可控整流电源供电,也能正常工作。

(A) A (B) B9. 对三相桥式全控整流电路的晶闸管进行触发时,只有采用双窄脉冲触发,电路才能正常工作。

(A) A (B) B10. 无源逆变指的是把直流电能转换成交流电能送给交流电网。

(A) A (B) B[参考答案:B] 分值:4二、单选题(第1-15题每题4分)1. 在晶闸管触发电路中,改变()的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的(A) 同步电压(B) 控制电压(C) 脉冲变压器变比(D) 整流变压器变比2. 直流斩波电路是一种______变换电路(A) AC/AC(B) DC/AC(C) DC/DC(D) AC/DC3. 功率晶体管的安全工作区由以下4条曲线限定:集电极-发射极允许最高击穿电压,集电极最大允许直流功率线,集电极最大允许电流线和______(A) 基极最大允许直流功率线(B) 基极最大允许电压线(C) 临界饱和线(D) 二次击穿功率线4. 单相半控桥电感性负载电路中,在负载两端并联一个续流二极管的作用是()(A) 增加晶闸管的导电能力(B) 抑制温漂(C) 增加输出电压的稳定性(D) 防止失控现象的产生5. 为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,桓流驱动电路经常采用()(A) du/dt抑制电路(B) 抗饱和电路(C) di/dt抑制电路(D) 吸收电路6. 变流装置的功率因数总是()(A) 大于1(B) 等于1(C) 小于1大于0(D) 为负7. 采用多重化电压源型逆变器的目的,主要是为()(A) 减小输出幅值(B) 增大输出幅值(C) 减小输出谐波(D) 减小输出功率8. 若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率,可采用控制方法是()(A) 增大三角波幅度(B) 增大三角波频率(C) 增大正弦调制波频率(D) 增大正弦调制波幅度9. 可实现有源逆变的电路为()(A) 三相半波可控整流电路(B) 三相半控桥整流桥电路(C) 单相全控桥接续流二极管电路(D) 单相半控桥整流电路10. 晶闸管触发电路中,若改变()的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的(A) 同步电压(B) 控制电压(C) 脉冲变压器变比(D) 以上都不能11. α为()度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。

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《电力电子基础》模拟考题二
一、判断题(在每题的最左边打√或×号,每题2分)
()⑪三相桥式整流电路可看成是两个三相半波整流电路的并联;
()⑫三相全桥整流电路中,最低次谐波的频率为150Hz;
()⑬双向晶闸管的T2极为参考电位极;
()⑭三相桥式整流电路的快速性与三相半波整流电路的快速性相同;
()⑮单相半波可控整流装置(纯电阻负载),对电网的最大功率因数为0.5;
()⑯单相桥式可控整流装置(纯电阻负载),对电网的最大功率因数为1.0;
()⑰单相桥式电压型无源逆变电路中,在外加输入电压及负载阻抗值已确定情况下,负载为纯电感时,能量回馈二极管流过的电流时间最长,为T/2(T为导通周期);()⑱在大电感负载下,可控整流电路负载电阻上的平均电流与平均电压的乘积为负载功率;
()⑲单相半波可控整流电路纯电阻负载下的移相范围为120°;
()⑳三相半波与三相桥式可控整流电路中,晶闸管承受的最大电压均为线电压的最大值;
二、填空题(每题2分)
⑪晶闸管并联谐振式逆变器的开关频率主要取决于;⑫单相半波可控整流电路中,U2=220V,α=30°,纯电阻性负载,则输出电压为 V;
⑬单相桥式可控整流电路中,U2=220V,α=30°,纯电阻性负载,则输出电压为 V;
⑭单相桥式可控整流电路中,负载电感足够大,U2=110V,α=45°,R=1Ω,则负载功率应为瓦;
⑮定义晶闸管通态平均电流的波形系数为;
⑯单相桥式可控整流电路, α=0°时的波形系数为;
⑰某整流电路中,已知波形系数为1.78,实际流过晶闸管的平均电流为150A,则应选用额定电流为 A的晶闸管(安全裕量为1);
⑱单相交流调压电路中,φ=45°(负载功率因数角),U2=230V,则负载上得到的最大电压有效值为 V;
⑲三相桥式可控整流电路中,触发脉冲的时间间隔为°;
⑳单相桥式电压型无源逆变电路中,能量回馈二极管的作用为

三、简答题(每题10分)
①为什么要定义晶闸管的dv/dt与di/dt?
②如下图示的无源逆变电路,问:
①D1、D2、D3、D4的作用?
②R1、R2的作用?
③L、C的作用?晶闸管换流方式为何种?
D4
R2
-
④整流电路要实现有源逆变的条件是什么?
四、计算题(每题10分)
①采用两晶闸管反并联相控的单相调压电路,输入电压U i=220V,负载为RL串联,R=1Ω,
L=5.5mH。

求:①控制角移相范围②负载电流最大值③最大输出功率④输入功率因数
②三相桥式电路中,负载为RL型+反电势,R=0.8Ω,L=50mH,线电压U2l=230V,反电势
E D=-290V,控制角β=π/6,电流连续近似直线,求:
①电路是否满足逆变条件?
②输出电流平均值;
③晶闸管电流有效值;
③单相桥式半控整流电路,由220V经变压器供电,大电感负载+续流二极管,输出电压20~80V 可调,最大负载电流为20A,最小控制角为30度,计算:晶闸管、续流二极管、整流二极管的电流有效值与变压器容量。

答案
一、判断题
×××××√×××√只有⑯、⑳对,其余错
二、填空题
①负载RL与外加电容C的谐振频率;②92.37V;③184.74V;④4900.5W;⑤1.57;
⑥1.57;⑦170.06;⑧230;⑨60;⑩给负载电感向电源释物能量提供通道
三、简答题
①大容量的晶闸管一般是平板型结构,晶闸管的PN节间有节电容的存在,Cdu/dt为流过节
电容的电流,在du/dt过大的情况下,这一电流相当于给晶闸管施加了一个一定强度的正向门极信号,会引起晶闸管的误触发导通,因此要定义晶闸的断态电压临界上升率。

晶闸管在由断态向通态转变的初期,并不是一个面导通,导通电流只在随机斑点中,然后在整个导通面扩散,如果电流上升速率太大(di/dt太大),斑点来不及扩散,局部电流密度过高,引起晶闸管损坏,因此要定义晶闸管的通态电流临界上升率。

②D1、D2为隔离二极管,阻止电容C向负载放电,D3、D 4为能量回馈二极管;R1、R2消耗负
载电感向电源回馈的能量;L为限制电路中di/dt的大小,防止晶闸管损坏,C提供反向电压,用来关断晶闸管,晶闸管的换流方式为强迫换流。

③整流电路要实现有源逆变,要同时满足内因与外因两个条件:内因为控制角大于90度,
小于180度,使整流电路的直流输出电压为负,外因为反电势负载电压的绝对值大于整流输出电压的绝对值,保证晶闸管可以导通。

四、计算题

①移相范围60°-180°;②负载电流最大值110A;③最大输出功率12100W;④输入功率因数为1

①输出电压为-269V,反电势为-290V,满足有源逆变条件;②输出电流平均值=26.25A;③由于负载电流电流近似为直线,因此晶闸管电流有效值=15.16A。


计算得出变压器负边电压=95.3V,最大控制角为122.3度,晶闸管电流有效值=12.91,整流二极管电流有效值=12.91A,续流二极管电流有效值=16.5A,变压器副边电流=18.3A,变压器容量=1740VA。

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