电介质物理课件(20133)
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电介质物理PPT教学课件 第3章-电介质中的电荷转移
D S k ln ( N n f )! n f ! k ln (N i n f ) .
若设nf« N,nf« Ni, 则由自由能极小条件可得
n f ( NN i )
1/2
exp( W
f
/ 2 kT ).
(3.41)
液体或非晶固体中分子的离解
设中性分子浓度为N0,其按AB→A++B-离解时,单位体积离子数ni增加速度为 dn i kT (3.43)
i
i
i
i
一般来说,在低电场(E<105V· cm-1)时,ni和mi只受温度影响(遵循欧姆 定律),而在高电场时, ni和mi受电场影响变得显著(偏离欧姆定律)。
3.4 弱电场中的电流
直流离子电导 直流电子电导 交流电导
导电离子 -Schottky & Frenkel缺陷
Ps ( N n s )! n s ! .
体系的熵因而增加 DS=klnPs.
(3.34)
导电离子 -Schottky & Frenkel缺陷
因此,出现ns个空位时自由能增量为 DF=DU-TDS=nsEs-kTlnPs. 以式(3.33)与(3.35)代入(3.31)式,得
E s kT ns (ln Ps ) 0 .
exp[( E-E
f
) kT ] 1
其中, f(E)为电子占据能级 E的概率, Ef为 Fermi能级 , k为 Boltzmann 常数。当 (E-Ef)» kT 时,Fermmi分布公式(3.55)变为Boltzmann分布公式 f ( E ) exp( E f / kT ) exp( E / kT ) (3.56)
若设nf« N,nf« Ni, 则由自由能极小条件可得
n f ( NN i )
1/2
exp( W
f
/ 2 kT ).
(3.41)
液体或非晶固体中分子的离解
设中性分子浓度为N0,其按AB→A++B-离解时,单位体积离子数ni增加速度为 dn i kT (3.43)
i
i
i
i
一般来说,在低电场(E<105V· cm-1)时,ni和mi只受温度影响(遵循欧姆 定律),而在高电场时, ni和mi受电场影响变得显著(偏离欧姆定律)。
3.4 弱电场中的电流
直流离子电导 直流电子电导 交流电导
导电离子 -Schottky & Frenkel缺陷
Ps ( N n s )! n s ! .
体系的熵因而增加 DS=klnPs.
(3.34)
导电离子 -Schottky & Frenkel缺陷
因此,出现ns个空位时自由能增量为 DF=DU-TDS=nsEs-kTlnPs. 以式(3.33)与(3.35)代入(3.31)式,得
E s kT ns (ln Ps ) 0 .
exp[( E-E
f
) kT ] 1
其中, f(E)为电子占据能级 E的概率, Ef为 Fermi能级 , k为 Boltzmann 常数。当 (E-Ef)» kT 时,Fermmi分布公式(3.55)变为Boltzmann分布公式 f ( E ) exp( E f / kT ) exp( E / kT ) (3.56)
第三篇静电场电介质PPT课件
C q U
1
1 1
1
C1
Ci
Cn
11
1
1
C C1
Ci
Cn
第28页/共37页
2 电容器并联
+
U- +-qq11
+q2 -q2
+qn -qn
q1 C1U q2 C2U
q3 C3U
n个电容器并联等效为一个大电容,这个大电容的上极板为所有这些小电容器的上极板
相拼接,下极板为所有这些小电容器的下极板相拼接。则该电容器总带电量
eˆ n1
1
0 1
Q
4R12
2
P2
eˆ n 2
1
0 2
Q
4R12
q 1 2 4R12
1
2
1
1
0Q
第15页/共37页
例3. 两块平行金属板原为真空,分别带有等量异号电荷 、 ,两板间电压为 ,
U 保持两板上电量不变,将板间一半空间充以相对介电常数
求板间电0压及电介质0 上下表面的束缚电荷面密度。0
的电介质。
r
解:设介质部分金属板电荷面密度 ,真
空部分 ;介质表面束缚电荷面密度
1
2
r
在介质部分取如图所示高斯面
D1 ds 1s D1 1
1 0
s
P D1 E1
1 0
2
s
D2 E2
2
E1
1 0 r
P
1
1
r
1
两部分板间电压相等(金属板是 等势体)
同理
D2 2
E2
2 0 第16页/共37页
F
只与几何因素和介质有关
电介质-PPT课件
导体的静电感应过程
E0
加外电场---电子在电场力作用下运动
导体的 ' 外场 E 0
导体的静电感应过程
E0
感应 E ' 外场 E 0
导体的静电感应过程
q2
+ q1
q1 + q1
q 1+ q 2
三、静电平衡导体的表面场强
. dS = E s
=
. + S d E 内
0 +
. + S d E 表
E表 S +
. S d E 侧
0
E
1
0
q
i i
1
0
S
σ
E 0
S
有导体时静电场的分析方法
导体放入静电场中:
导体的电荷 重新分布
导体上的电荷分 布影响电场分布
b a
a、b在导体内部:
b
a
U0 E 0
a、b在导体表面:
Ed l 0 即 U 0 E d l
----静电平衡的导体是等势体
静电平衡条件:
用场强来描写: 1、导体内部场强处处为零; 2、表面场强垂直于导体表面。 用电势来描写: 1、导体为一等势体; 2、导体表面是一个等势面。
E0
感应 E ' 外场 E 0
导体的静电感应过程
E0
感应 E ' 外场 E 0
导体的静电感应过程
E0 E ' E E E ' 0 0
静电场中电介质(共10张PPT)
自由电荷Q0和介质均呈球对称分
O--
-q
= 讨论: (1) 平板电容器(±Q)中充有均匀介质( r ),求 D与 的关系;
(1)电介质内正负电荷处于束缚状态, 在外电场作用下,束缚电荷只作微观的相对位移
H 自由电荷Q0和介质均呈球对+称分
布, 故 也为球对称分布
+
H+
+q
H O 布, 故 也为球对称分布
2、有极分子的取向极化
有极分子在外场中发生偏转而 产生的极化称为取向极化。
F
- + Eo
+
F
- p Eo
第六页,共10页。
三、静电场中的电介质
小结: (1)电介质极化现象∶在外电场作用下,介质表面 产生极化(束缚)电荷的现象。 (2)不论是有极分子还是无极分子的极化,微观 机理虽然不相同,但在宏观上表现相同。
在外电场的作用下,介质表面产生电荷的2现象称为电介质的极化。
(3)电介质内的电场强度。
(2)、无极分子: + + + + +
-----------
分子的正、负电荷中心在无外场时重
及
与各种因素均有关
合。不存在固有分子电偶极矩。 在外电场的作用下,介质表面产生电荷的现象称为电介质的极化。
+++++++++++
静电场中电介质
第一页,共10页。
电介质对电场的影响
B
+ + + + +
在平板电容器之间插 入一块介质板
E0
-- ---
实验发现:
《导体,电介质》课件
通过电容器的充电和放电过程,测定电介质的介电 常数。
2
电介质的性质
电介质的密度通常比导体大,并且可以在电场中存储电荷。
3
导体和电介质的相互作用
导体和电介质在一定条件下可以互相作用,例如电容器。
导体和电介质的应用
电动机
电容器
电动机利用导体在磁场中的运动 产生动力,如电风扇、电动车等。
电容器是利用导体和电介质的相 互作用存储电荷的装置。
电子器件
导体和电介质在电子器件中有着 广泛的应用,如灯泡、集成电路 等。
导体和电介质的示例
1 导体示例
你身边的许多物品都是导 体,如金属勺子、电线、 手机等。
2 电介质示例
你身边也有很多电介质, 如空气、玻璃、塑料等。
3 导体和电介质的区别
区别导体和电介质的最简 单的方法是看是否能传导 电流。
导体和电介质的实验方法
电导实验
通过电压和电流的关系,测定导体的电导率。
电介质实验
《导体, 电介质》PPT课 件
欢迎来学习导体和电介质,这门课程将会涵盖物理,化学,电ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ和电子等领 域的知识。
导体的介绍
金属导体
金属导体是指具有良好导电性的 金属材料,如铜和银。
非金属导体
非金属导体是指除金属以外的材 料,如石墨、某些半导体等。
导体在自然界中的应用
导体在自然界中有着广泛的应用, 如闪电的传导、大地的导电层等。
电介质的介绍
电介质的定义
电介质是指电场中能够储存电荷的材料,如空气、玻璃等。
电介质的应用
电介质在电力,电子器件,地球物理探测等领域有广泛使用。
导体和电介质的区别
导体和电介质最大的区别是导电性,导体具有良好的导电性,电介质通常没有。
2
电介质的性质
电介质的密度通常比导体大,并且可以在电场中存储电荷。
3
导体和电介质的相互作用
导体和电介质在一定条件下可以互相作用,例如电容器。
导体和电介质的应用
电动机
电容器
电动机利用导体在磁场中的运动 产生动力,如电风扇、电动车等。
电容器是利用导体和电介质的相 互作用存储电荷的装置。
电子器件
导体和电介质在电子器件中有着 广泛的应用,如灯泡、集成电路 等。
导体和电介质的示例
1 导体示例
你身边的许多物品都是导 体,如金属勺子、电线、 手机等。
2 电介质示例
你身边也有很多电介质, 如空气、玻璃、塑料等。
3 导体和电介质的区别
区别导体和电介质的最简 单的方法是看是否能传导 电流。
导体和电介质的实验方法
电导实验
通过电压和电流的关系,测定导体的电导率。
电介质实验
《导体, 电介质》PPT课 件
欢迎来学习导体和电介质,这门课程将会涵盖物理,化学,电ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ和电子等领 域的知识。
导体的介绍
金属导体
金属导体是指具有良好导电性的 金属材料,如铜和银。
非金属导体
非金属导体是指除金属以外的材 料,如石墨、某些半导体等。
导体在自然界中的应用
导体在自然界中有着广泛的应用, 如闪电的传导、大地的导电层等。
电介质的介绍
电介质的定义
电介质是指电场中能够储存电荷的材料,如空气、玻璃等。
电介质的应用
电介质在电力,电子器件,地球物理探测等领域有广泛使用。
导体和电介质的区别
导体和电介质最大的区别是导电性,导体具有良好的导电性,电介质通常没有。
第八章电介质PPT
第八章
静电场中的导体和电介质
8.1 导体的静电平衡 一、导体的静电感应 无外电场时
1
导体的静电感应过程
E外
加上外电场后
2
导体的静电感应过程
E外
+
加上外电场后
3
导体的静电感应过程
E外
+
+
加上外电场后
4
导体的静电感应过程
E外
+ + +
+ +
加上外电场后
5
导体的静电感应过程
E外
+
+
+
加上外电场后
14
导体达到静平衡
+ + + + + + + + + + 感应电荷
E外
E感
E内 E外 E感 0
感应电荷
15
静电平衡条件: (1)导体内部任何一点处的电场强度为零; (2)导体表面处电场强度的方向,都与性质:
1、导体是等势体,导体表面是等势面。
避雷针的工作原理
24
二、导体壳和静电屏蔽
1、空腔内无带电体的情况
腔体内表面不带电量,
腔体外表面所带的电量为带电体所带总电量。 导体上电荷面密度的大小与该处表面的曲率有关。
q2
25
2、空腔内有带电体
腔体内表面所带的电量和腔内带电体所带的电量等 量异号,腔体外表面所带的电量由电荷守恒定律决定。
未引入q1时
E
E0
32
例2 已知R1 R2 R3 q Q
求 ①电荷及场强分布;球心的电势
q
q
②如用导线连接A、B,再作计算
静电场中的导体和电介质
8.1 导体的静电平衡 一、导体的静电感应 无外电场时
1
导体的静电感应过程
E外
加上外电场后
2
导体的静电感应过程
E外
+
加上外电场后
3
导体的静电感应过程
E外
+
+
加上外电场后
4
导体的静电感应过程
E外
+ + +
+ +
加上外电场后
5
导体的静电感应过程
E外
+
+
+
加上外电场后
14
导体达到静平衡
+ + + + + + + + + + 感应电荷
E外
E感
E内 E外 E感 0
感应电荷
15
静电平衡条件: (1)导体内部任何一点处的电场强度为零; (2)导体表面处电场强度的方向,都与性质:
1、导体是等势体,导体表面是等势面。
避雷针的工作原理
24
二、导体壳和静电屏蔽
1、空腔内无带电体的情况
腔体内表面不带电量,
腔体外表面所带的电量为带电体所带总电量。 导体上电荷面密度的大小与该处表面的曲率有关。
q2
25
2、空腔内有带电体
腔体内表面所带的电量和腔内带电体所带的电量等 量异号,腔体外表面所带的电量由电荷守恒定律决定。
未引入q1时
E
E0
32
例2 已知R1 R2 R3 q Q
求 ①电荷及场强分布;球心的电势
q
q
②如用导线连接A、B,再作计算
电介质物理》课件电介质的击穿
电介质击穿的物理机制
电击穿机制
电场作用下电介质击穿
在强电场的作用下,电介质内部的自由电子被加速,与晶格原子发生碰撞,导致 电子能量降低并产生新的电子-空穴对,这些新的电子-空穴对进一步与晶格原子 发生碰撞,产生更多的电子-空穴对,最终导致电介质击穿。
隧道效应
在强电场的作用下,电子通过隧道效应穿过势垒,形成导电通道,导致电介质击 穿。
03
影响电介质击穿的因素
电场强度
总结词
电场强度是影响电介质击穿的最主 要因素之一。
详细描述
随着电场强度的增加,电介质中的 电场会变得更强,导致电子更容易 获得足够的能量来克服电介质中的
束缚力,从而引发电介质击穿。
总结词
高电场强度下,电介质更容易发生 击穿。
详细描述
在强电场的作用下,电介质内部的 电子会被加速,获得足够能量后能 够克服电介质中的束缚力,形成导 电通道,导致电介质击穿。
03
热击穿
电击穿
冲击击穿
在强电场的作用下,电介质内部的热量积 累导致温度升高,当温度达到一定程度时 ,发生热击穿。
在强电场的作用下,电子获得足够的能量 ,直接导致电介质分子中的电子跃迁,形 成导电通道。
在雷电或操作过电压的作用下,电介质内 部的电流迅速增加,产生强烈的冲击波, 导致电介质瞬间击穿。
02
电介质物理》课件电介质的 击穿
目录
• 电介质击穿的基本概念 • 电介质击穿的物理机制 • 影响电介质击穿的因素 • 电介质击穿的预防与控制 • 电介质击穿的实验研究方法
01
电介质击穿的基本概念
定义与Байду номын сангаас性
01
02
定义
特性
电介质击穿是指电介质在强电场的作用下,丧失其绝缘性能的现象。
电击穿机制
电场作用下电介质击穿
在强电场的作用下,电介质内部的自由电子被加速,与晶格原子发生碰撞,导致 电子能量降低并产生新的电子-空穴对,这些新的电子-空穴对进一步与晶格原子 发生碰撞,产生更多的电子-空穴对,最终导致电介质击穿。
隧道效应
在强电场的作用下,电子通过隧道效应穿过势垒,形成导电通道,导致电介质击 穿。
03
影响电介质击穿的因素
电场强度
总结词
电场强度是影响电介质击穿的最主 要因素之一。
详细描述
随着电场强度的增加,电介质中的 电场会变得更强,导致电子更容易 获得足够的能量来克服电介质中的
束缚力,从而引发电介质击穿。
总结词
高电场强度下,电介质更容易发生 击穿。
详细描述
在强电场的作用下,电介质内部的 电子会被加速,获得足够能量后能 够克服电介质中的束缚力,形成导 电通道,导致电介质击穿。
03
热击穿
电击穿
冲击击穿
在强电场的作用下,电介质内部的热量积 累导致温度升高,当温度达到一定程度时 ,发生热击穿。
在强电场的作用下,电子获得足够的能量 ,直接导致电介质分子中的电子跃迁,形 成导电通道。
在雷电或操作过电压的作用下,电介质内 部的电流迅速增加,产生强烈的冲击波, 导致电介质瞬间击穿。
02
电介质物理》课件电介质的 击穿
目录
• 电介质击穿的基本概念 • 电介质击穿的物理机制 • 影响电介质击穿的因素 • 电介质击穿的预防与控制 • 电介质击穿的实验研究方法
01
电介质击穿的基本概念
定义与Байду номын сангаас性
01
02
定义
特性
电介质击穿是指电介质在强电场的作用下,丧失其绝缘性能的现象。
大学物理电介质(老师课件)
1 Q2 2 0 r E1 dV 2 400 r R
2
1 Q 2 W2 0 E2 dV E1 , 0 r R R2 80 R 4 0 r R3
Q E2 , Rr 2 4 0 r
Q2 1 W W1 W2 ( 1) 8 0 R 5 r
S
r2
r1
R0 R1
0
R2
R0 r R1 E 2
D dS q0 i内 D 4r 2 Q i D 0 r E
r1
Q ˆ r 4πε0 εr1r 2
R1 r R < < 2 E 3
Q
r2
内
Q ˆ r 2 4πε0 εr 2 r
r>R2
V
取宏观上无限小 电极化强度:电介质中某点附近 微观上无限大的 体积元 单位体积内分子电偶极矩的矢量和
pi 极化后每个分子的电偶极矩
p i 定义 P lim V 0 V
前
V
后
电偶极子排列的有序程度
反映了介质被极化的程度 单位:C/m2
排列越有序 极化越强烈
均匀极化:
例12.5 半径为R、相对介电常数为εr 的 球均匀带电 Q ,求其电场能量。
解:
Q r
R
S
D dS q0 i内
i
4 3 2 D 4r r 3 4 3 Q R 电荷体密度: 3
E2
E1
r
取体积元
W1
R 0
D 0 r E
Qr
共同产生
σ0 0 单独产生的场强为 E0 ε0
0 0
第13章电介质
¾ 把点电荷体系无限分离到彼此间相距无限远的 过程中静电场力作的功,叫作该系统内的静电势 能。
¾ 对连续带电体,可以把带电体看成是由无限多 电荷元组成的点电荷体系。这样,连续带电体的 静电能量的定义同上。
二、点电荷系的能量
q2
电势能:
We
=
q2
q1
4πε 0 r
=
q1
q2
4πε 0 r
qq11
r
We
第 13 章 电介质
§13.1 静电场中的电介质 §13.2 介质中的高斯定理 §13.3 介质边界两侧的静电场 §13.4 静电场的能量
§13.4 静电场的能量
一、带电体系中,
P q0
O rr
q
静电能为:
∫ We
=
q0V
= q0
q
4πε 0 r
把q0从P点移到无限远时
3 Q
−
r2 R3
⎟⎟⎠⎞
We
=
1 2
∫V
(ρ
dτ
)
QdrrR
∫ = 1 2
R 0
Q
8πε 0
⎜⎜⎝⎛
3 R
−
r2 R3
⎟⎟⎠⎞
4π
Q R3
4πr 2dr 3
dr
∫ = 3Q2
16πε 0R3
R 0
r
2 ⎜⎜⎝⎛
3 R
−
r2 R3
⎟⎟⎠⎞dr
∫ We
=
1 2
V (ρ dτ )
τ
ρ= Q
4π R3
3
We
8πε 0 R
=
3Q 2
20πε 0 R
¾ 上述讨论说明:带电系统的静电作用能就是该带电系
¾ 对连续带电体,可以把带电体看成是由无限多 电荷元组成的点电荷体系。这样,连续带电体的 静电能量的定义同上。
二、点电荷系的能量
q2
电势能:
We
=
q2
q1
4πε 0 r
=
q1
q2
4πε 0 r
qq11
r
We
第 13 章 电介质
§13.1 静电场中的电介质 §13.2 介质中的高斯定理 §13.3 介质边界两侧的静电场 §13.4 静电场的能量
§13.4 静电场的能量
一、带电体系中,
P q0
O rr
q
静电能为:
∫ We
=
q0V
= q0
q
4πε 0 r
把q0从P点移到无限远时
3 Q
−
r2 R3
⎟⎟⎠⎞
We
=
1 2
∫V
(ρ
dτ
)
QdrrR
∫ = 1 2
R 0
Q
8πε 0
⎜⎜⎝⎛
3 R
−
r2 R3
⎟⎟⎠⎞
4π
Q R3
4πr 2dr 3
dr
∫ = 3Q2
16πε 0R3
R 0
r
2 ⎜⎜⎝⎛
3 R
−
r2 R3
⎟⎟⎠⎞dr
∫ We
=
1 2
V (ρ dτ )
τ
ρ= Q
4π R3
3
We
8πε 0 R
=
3Q 2
20πε 0 R
¾ 上述讨论说明:带电系统的静电作用能就是该带电系
9-7电介质
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
E线
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
D线
19
电场线起于正电荷、止于 负电荷,包括自由电荷和 极化电荷。
电位移线起于正的自由电 荷,止于负的自由电荷。
电极化强度矢量线起于正的 极化电荷,止于负的极化电 荷。只在电介质内部出现。
+
+
+
E'
E
E0
E
0
e0
–' +’
实验表明,对于各向同性的电介质,极化强度P
与两作者用方于向电相介同,质可内以部表的示实际为电场P
E
成正比 ,并且
ee 0 E
式中e是电介质的极化率。引入电介质的
相对电容率,定义为 e r = 1+e
13
联立 e r = 1+e
P
E dS
1
S
e0
i
qi
而现在电场中有电介质,高斯面内可能同时包含
自由电荷和极化电荷这两种电荷,高斯定理应表
示为
1
E dS
S
e0
i
(q0i qi)
束缚电荷
自由电荷
P dS q
S
S
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电导离子主要为晶体内的缺陷
离子,如Schottky Def ects和 Frenkel Def ects。
Schottk y:离子数
nS
N exp( U S ) KT
Frenkel:nF
N N exp( U F ) 2KT
N — 晶体点阵上的离子浓度;
N — 晶体点阵间隙位置浓度。
1.纯玻璃: Aexp( B) 10-1(7 cm)1 T
SiO2:B 22000 B2O3:B 25500
激活能大,电导率低
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2.含碱玻璃的电导:
杂质:Na2O,K2O,Li2O(典型的弱
束缚离子)形成断键
引入一价金属离子的影响:
1.结构松散,使U下降,电导增加。
17
C球 4 0 r F 4 0 r
E
f
q
C球
6
r
v
4
0
r
故:v 20 E
3
胶粒的电导率: nq v 2nq 0
E
3
8n(0 )2 r CONSTANT 3
60% Na
压抑效应:在碱金属氧化物玻璃中,加入二价碱土金 属氧化物(CaO、BaO等),由于二价碱土金属可使玻 璃结构比单一含一价碱金属时的结构更紧密,并使势 垒增高,从而降低玻璃的电导率和损耗。
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三、固体介质的表面电导
S d
IV
V
S d
V
GV
V
V 体积电导率( m)1
1 2
3
4
A exp(
U ) KT
A exp( B ) T
B — 晶体中本征离子电导的平均温度指数;
U — 晶体中本征离子电导的平均激活能(活化能)。
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2. 杂质离子的电导:
Aexp(- B)
T 由于杂质离子的激活能较本征离子低的多,因此:
第三章 电介质的电导
本章讲解实际介质在电场作用下的有限 电导过程及微观机理。 概述 气体介质的电导 液体介质的电导 固体介质的电导
20带理论可知,主要为弱联系离子、本征离子 带电的分子团-胶粒 液体介质中的水珠 电子 极少,在特殊条件下出现
二、导电机构 离子电导 由(晶格)结点上的离子产生的本征离子电导; 由杂质离子产生的杂质离子电导。 电泳电导 带电胶粒形成的基团产生的电导。 电子电导 一般是由光辐照产生的电子形成电子电导。
2019/10/15 法拉第效应―――判断离子电导
20
霍耳效应
F
qv
B
S
-
I
B F
+
I
N
Palm
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法拉第效应:
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m M Q qF
F — 法拉第常数 96496;
M — 离子的原子量;
Q — 析出m物质所需的总电量;
q — 离子的电荷
2.缺陷离子数增加 ,电导增加, 也与R2O的浓度成正比
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Li Na K
R
C
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3)降低玻璃的电导方法:
中和效应:当玻璃中碱金 属氧化物的总浓度较高, 而用另一种碱金属来部分 取代(总浓度保持不变), 可降低玻璃的电导率和损 耗,这种效应称为“中和 效应”。
K 40%
tan
特点:1)胶粒为分子的聚集体,大小在10-6~10-10m; 2)胶粒为分散体系,作布朗热运动; 3)胶粒为带电体,带电规律:
胶粒的介电常数比液体大,带正电
胶粒的介电常数比液体小,带负电
1
D1 0 E1
,
2
D2 0 E2
1
2
2019/10/15 1 2 E1 E2
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§3-2 气体介质的电导
一、气体介质的电流-电压关系(伏-安特性曲线)
j(A/ m2 )
I
II
III
jS
E1
E2 E(V / m)
气体介质的电流-电压关系
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6
二、气体介质中的载流子浓度
Z n n
平衡状态下,N Z,
— 复合系数,对空气 1.6 101( 2 m3 / s)
A A B B 晶体中总的离子电导率为:
总
Aexp(-
B) Aexp(T
B) T
ln
•低温时主要由活化能低的杂质离 子引起电导;
•高温时主要由活化能高的本征离 子引起电导。
本征 杂质
1 T
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二、无定形固体介质的电导
玻璃为典型的无定形固体介质,它没有固定的活 化能,活化能U为平均值。
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§3-4 固体介质的电导
固体介质按结构可分为:
晶体
非晶体
固体介质的电导按导电载流子的种类可分为:
离子电导 在弱场中主要是离子电导
电子电导 某些物质,例如钛酸钡,钛酸钙,
钛酸锶等钛酸盐类,在常温时,除离子电导外也呈
现出电子电导的特性。
固体介质导电性质的判断:
霍尔效应 ―――判断电子电导
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L
A
如有m种载流子,
m
j niqii E i0 3
欲提高介质的绝缘性能,可以从两个方面着手: (1) 减小电介质的载流子数, (2) 降低迁移率。 极化和电导的区别:
离子微小位移——产生
离子从一个电极位移至另一 个电极——形成电导
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4
介质的电导有: 体积电导:西门子/米(用s/m或者s/cm表示) 表面电导:西门子 与电介质的性质有关,与电介质表面 吸附的导电杂质有关。
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Frenkel
Schottky
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缺陷离子的迁移率可由热离子模型求得
q 2 exp( U 0 )
6KT
KT
U 0 — 产生的缺陷离子沿电场方向迁移时
所需克服的位垒高度。
缺陷离子所形成的离子电导率为:
nq nq2 2 exp( U 0 )
6KT
(e(u0-u ) KT
(u0 +u)
e KT )
n0 6
e
u0
K(T e
u KT
u
e KT
)
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u qE KT
2
13
由热离子势垒模型,可将液体看成类固体,则:
n n0q exp( U 0 ) E
6KT
KT
离子宏观平均漂移速度为:
具有固定的体积,较大的密度(近似固体,是气体介质的
1000多倍),具有较大的流动性。
常见的液体电介质:
矿物油——变压器油、电容器油;
植物油——蓖麻油、桐油;
有机溶剂——苯、甲苯、四氯化碳;
新型液体介质——十二烷基苯、硅油、酯类油。
液体电介质的电导率:
纯液体介质具有很低的电导率=10-13~10-15(cm)-1,
6KT
KT
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电导率关系式可简化为: a exp( B )
T
T
温度变化的指数项远比a 项变化显著 T
A exp( B )
T
液体介质中杂质离子电导与本征离子电导过程相同
ln ln A B
T 如液体介质存在本征和杂质离子,则:
ln
A1
16
2.华尔顿定律
设: 胶粒为球状,半径为r; 胶粒所带电荷为q; 胶粒与液体间的电位差为 0.05 ~ 0.07V; 胶粒的介电常数为
电场力:F qE
摩擦力:f
6r
v
摩擦力f
电场力F
式中 液体的粘度,v 胶粒的迁移速度
平衡时:F f
运动方向
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v n q 2 exp( U 0 ) E
n0
6KT
KT
离子的迁移率为:
v q 2 exp( U 0 )
E 6KT
KT
故离子电导电流密度和电导率分别为:
j
n0 qE
n0q 2
6KT
2
exp(
U0 KT
)E
n0q
n0q 2 2 exp( U 0 )
含有杂质的液体介质的电导率=10-9~10-13(cm)-1。
液体电介质的电导种类:离子电导,电泳电导
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一、液体介质的离子电导 离子的来源: 本征离子:液体本身的基本分子热离解.
杂质离子:外来杂质分子离解, 液体本身的基本分子老化的产物
二、离子电导率与温度的关系
n=
n0 6
如正、负离子的迁移率分别为 、 ,则:
e N( )
这是一个与电场无关的常数,因此在弱电场下,
气 2019/10/15 体介质的电流电压满足欧姆定理。
8
2. 电场较强时,j n2,
qd
j q(Nd n2d) qNd 常数 jS
3. 高电场区 如电场很高,例如E>106V/cm,离子在电场中获 得很高的能量而产生新的碰撞和电离,使n随E 的增大指数增加,导致电流的指数增大。