HgCdTe光伏器件多层钝化膜等离子体处理的研究

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碲镉汞钝化互扩散退火

碲镉汞钝化互扩散退火
首先，让我们从碲镉汞（HgCdTe）材料的角度来看。

HgCdTe是
一种II-VI族化合物半导体材料，具有宽的能隙，适合用于红外探
测器件。

在制造HgCdTe探测器件时，为了降低材料表面和界面的缺
陷密度，提高器件性能，可以采用钝化互扩散退火技术。

这种技术
通过在高温下对HgCdTe材料进行处理，使得表面和界面缺陷得到修复，从而提高材料的质量和性能。

其次，从器件制造工艺的角度来看，钝化互扩散退火是在HgCdTe探测器件制造的关键步骤之一。

在器件制造过程中，通过在
特定温度下对器件进行退火处理，可以有效地降低材料的电子缺陷
密度，改善载流子传输性能，增强器件的灵敏度和响应速度。

此外，钝化互扩散退火还可以提高器件的稳定性和可靠性，延长器件的使
用寿命。

最后，从应用角度来看，采用钝化互扩散退火技术处理的HgCdTe探测器件在红外成像、光谱分析等领域具有广泛的应用前景。

通过钝化互扩散退火处理，HgCdTe探测器件的性能得到提升，可以
实现更高的灵敏度、更低的噪声等优良特性，从而满足红外探测器
件在军事、医疗、环境监测等领域的需求。

总的来说，碲镉汞钝化互扩散退火是一种重要的半导体器件制造技术，通过从材料、工艺和应用三个角度全面分析，可以更好地理解其在HgCdTe探测器件制造中的作用和意义。

HgCdTeMIS

半导体的界面电荷密度、面态密度、界膜层的好坏等信皂。因此，们也用自己的材料、艺条件以及标准的、我工
测试手段进行了ＨｇｄＳ器件的制备和研究。ＣＴｅＭＩ并且取得了一定的成果，制得的ＨｇｄＳ器件所ＣＴｅＭＩ
由于ＨｇＴｅ窄禁带半导体，的表面很容易Ｃｄ是它
受外界的影响而在表面发生积累、尽甚至反型［。耗２］
表面漏电流也使器件的性能大大降低，且Ｈｇｄ而ＣＴｅ中ＨｇＴｅ非常容易断裂，而使表面的Ｈｇ很容易－键从逃逸，也大大降低了器件的稳定性，此有必要对光这因伏器件的表面特性进行研究，尽可能解决这些问题，并表面钝化就是解决的途径之一。
的电荷密度为１～１¨ｃ００ｍ量级，带电压在２Ｖ平以下，本能满足光伏器件的表面钝化。基
２ＨｇＴＳ器件的制备ＣｄｅＭＩ
２１ＭＩ件的制备．Ｓ器
随着军用热像仪从一代向二代过渡，求要
过对ＭＩＳ器件ＣＶ特性的分析，得了ＺＳ＿获ｎ／自身钝化膜／ — ＣＴｅ的界面特性。所测的界面电荷密ＰＨｇｄ度在１～１ｕｃ００ｍ之间，带电压在２Ｖ以下。平

碲镉汞红外焦平面器件表面复合膜层钝化技术

ＰａｓｓｉｖａｔｉｏｎＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙｏｆＣｏｍｐｏｓｉｔｅＦｉｌｍｏｎｔｈｅＨｇＣｄＴｅＩＲＦＰＡ
ＨＡＮＦｕ－ｚｈｏｎｇ，ＧＥＮＧＳｏｎｇ，ＳｈｉＱｉ，ＹＵＡＮＳｈｏｕ－ｚｈａｎｇ，ＹＡＮＧＷｅｉ — ｓｈｅｎｇ，ＪＩＡＮＧＪｕｎ，ＴＡＮＧＪｉｎ－ｃｈｕｎ
接导致红外器件的非均匀性、成品率等指标均不理
想，制造成本居高不下；钝化膜层表面粗糙度与附着能力也是衡量钝化膜层优劣的关键因素，良好的钝化
ｑｕａｌｉｔｙｏｆＣｄＴｅ／ＺｎＳｃｏｍｐｏｓｉｔｅｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎｉｆｌｍｏｎｈｅｔＭＣＴｓｕｂｓｔｒａｔｅ．Ｔｈｅｒｅｓｕｌｔｓｎｄｉｉｃａｔｅｄｈａｔｔｈｅｔｉｆｌｍ
ｓｕｃｈａｓｔｈｅｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇｐｏｗｅｒ，ｄｉｓｔａｎｃｅｂｅｔｗｅｅｎｔａｒｇｅｔｎｄａｓｕｂｓｔｒａｔｅ，ｍｏｖｅｍｅｎｔｏｆｓｕｂｓｔｒａｔｅ，ｔｏｉｍｐｒｏｖｅｔｈｅ
ＣｄＴｅａｎｄＺｎＳｗｅｒｅ１４０Ｗａｎｄ３５０Ｗ，ｔｈｅｔａｒｇｅｔｓｐａｃｉｎｇｗａｓ４０ｃｍｎｄａｈｅｔｓｗｉｎｇｎｇａｌｅｏｆｔｈｅｓｕｂｓｔｒａｔｅｗａｓ

硅基HgCdTe光伏器件的暗电流特性分析

在精确打击武器系统的需求驱使下，三代红第外焦平面器件的发展特点是更大规模、多光谱探测、
陷阱辅助隧穿电流和产生复合电流对暗电流的贡献。关键词：基；ｇｄｅ变温；电流硅ＨＣＴ；暗中图分类号：Ｎ１Ｔ２５文献标识码：Ａ
ＣｈｒｃｅｉａｉｎＡｎｌｓｓｏｒｒｅｔｉａａｔｒｚｔａｙｉｆＤａｋＣｕｒｎｎｏＨｇＣｄＴｅｉＰｈｔｄｏ３７卷增刊２００７年９月
激光与红外
ＬＡＳＥＲ＆ＩＮＦＲＡＲＥＤ
Ｖｏ．７，ｕｐｌｍｅｔ１３Ｓｐｅｎ
Ｓｐｅｅ，０７ｅｔｍｂｒ２０
文章编号：０１０８２０）１０－７（０７增刊－９１０５０３－４
２ＧａｕｔｃｎｌｆｈｎｓｃｄｍｆｃｎｅＢｉｎ００９Ｃｉａ．ｒｄａｄＳｈｏｏｉｅｅＡａｅｙｏｉｃ，ｅｉｇ１０３，ｈ）ｅＣＳｅｊｎ
ＡｂｔａｔＴｅｃｒｅｔｖａｅｃａａｔｒｔｓｖａｔｍｐｒｔｒｆｍｉ・ｖｌｎｔＣＴ／ｉｐｏｏｉｄｓｗｒａ・ｓｒｃ：ｈｕｒｎ－ｄｔｇｈｒｃｅｓｉｉｅｅａｕｅｏｄｗａｅｅｇｈＨｇｄｅＳｈｔｄｏｅｅｅｍｅｓ－ｉｃ－－ｕｅｎｎｌｚｄ．ｅｔｍｐｒｔｒａｇａｏ３Ｋ４Ｋ，ａｄｔｅｃａａｔｒｔｆ－Ｏ０ａａｕｅｒｄａｄａａｙｅＴｅｅａｕｅｒｎｅｗｓｆｍ０ｔ２０ｈｒｏｎｈｈｒｃｅｓｉｏＩ０／ＴｗｓｍｅｒｄｉｃＲ０ｓａｄａａｙｅ．ＴｅＲＶｃｒｅｏ０ｎｎｚｄｈ — ｕｖｆ６Ｋ．８Ｋａｄ１０ｅｅｍｏｅｅｓｎｉｅｅｔｄｋｃｒｎｃａｉｍｓＴｅｌ０ｎＫｗｒｄｌｄｕｉｇｄｆｒｎａｕｅｔｍｅｈｓ．ｈ１ｒｎｔｅｒｔａｔｎｆｅｐｒｎａａａａ０ｅｅｓｔｅｇｎｒｔｎ・ｃｍｂｎｔｎａｄｔｐ－ｓｔｄｔｎｅｉｇｃｒｎｈｏｅｉｌｆｔｇｏｘｅｍｅｔｄｔｔＫｒｖａｈｅｅａｉ・ｅｏｉａｉｎｒ－ｓｉｅｕｎｌｕｅｔｃｉｉｉｌ８ｌｏｒｏａａｓｎｄｍｉａｅｏｅｏｎｏ・ｉｅｉｎＲｅｕｔｎｏｅｅａｉｎｒｃｍｂｎｔｎａｄｔａ — ｓｉｅｕｎｌｇｃｒｅｔｏｎｔｓｆｒｚｒ・ａｄｌｗｂａｒｇｏ．ｓｄｃｉｆｇｎｒｔ・ｅｏｉａｉｎｒｐａｓｓｄｔｎｅｉｕｎｓｏｏｏｔｎｂｅｅｔｇｐｏｅｔｒｎｅｉｅｔｃｎｌｇｅｌｉｒｖｕｅｉｅｐｒｒｎｅｙｓｌｃｎｒｐｒｍａｅａａｄｄｖｃｅｈｏｏｉｓｗｉｍｐｏｅｏｒｄｖｃｅｆｍａｃ．ｉｉｌｌｏ

不同介质层钝化的碲镉汞光导型探测器的氢化研究

ｂｐａｍａｈｓｂｅｎｅｔａｅ．ＡｆｒｈｄｏｅａｉｎｔｅｄｔｃｏａｓｖｔｄｗｉｌＡＯｓｏｅｅｒｄｔｎｏｙＨ— ｌｓａｅｎｉｖｓｉｔｄｇｔｙｒｇｎｔｈｅｅｔｒｐｉａｅｔｈｗｄａｄｇａａｉｆｅｏｓｓＩｏ
为短波方向的响应下降，认为由于氢化过程中介质层的消失使得氢离子直接轰击碲镉汞表面，造成少子表面复合速度增加。对ＺＳｎ钝化的器件氢化处理后性能改善，表现为信号的提高和噪声的下降，从光谱响应上表现为短波方向的响应抬高，从表面形貌观察发现ＺＳ的颜色略有ｎ变化，阶仪测试表明氢化后ＺＳ的厚度减薄了约７ｎ通过ＳＭＳ测试分析发现氢化过程中台ｎ０ｍ，Ｉ
ＱＡｕ，ＺＯｎＨｎ，ＥＺｅ — ｕＬｉｇＹｎＯＧＨｉｉＩＯＨｉＨＵＷｅ — ｏｇＹｈｎＨａ，Ｉａ．ａｇ，ＧＮａ— ＸｎＭｅ
（．ｔｅＫｙＬｂｒｔｒｓｆｒｓｕｅｅｈｏｇ，ｈｇａＩｓｔｅｏｅｈｉｌｈｓｓＣｉｅｅＡａｅｙｏ１ＳｔｅａｏａｏｅａｄｃｒｃｎｌｙＳａｈｉｎｔｕｆｃｎｃｙｉ，ｈｎｓｃｄｍｆａｉｏＴｎＴｏｎｉｔＴａＰｃ
不同介质层钝化的碲镉汞光导型探测器的氢化研究
乔辉，文洪，周叶振华李向阳龚海梅，，
（．１中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室，上海２０８；．００３２中国科学院研究生院，北京１０３）００９

不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制

(中国科学院上海技术物理所功能材料器件中心 , 上海 200083)
摘要 : 在同一 HgCdTe 晶片上制备了单层 ZnS 钝化和双层 (CdTe + ZnS) 钝化的两种光伏探测器 ,对器件的性能进行了测试 ,发现双层钝化的器件具有较好的性能. 通过理论计算 ,分析了器件的暗电流机制 ,发现单层钝化具有较高的表面隧道电流. 通过高分辨 X 射线衍射中的倒易点阵技术研究了单双层钝化对 HgCdTe 外延层晶格完整性的影响 ,发现单层 ZnS 钝化的 HgCdTe 外延层产生了大量缺陷 ,而这些缺陷正是单层钝化器件具有较高表面隧道电流的原因.
C=
Sτncosh
d Ln
Sτnsinh
d Ln
+ L nsinh + L ncosh
d Ln d Ln
(2)
其中 L n 是少数载流子的扩散长度.
3. 2. 2 产生2复合电流模型( G2R)
采用简化模型[5 ] :
[ Ig2r ]V < 0
=
qA ni Wdep V
V tτg2r
(3)
[ Ig2r ]V > 0
145
果. 从图中看出 ,在零偏附近 ,两种器件的阻抗由产生2复合电流决定 ;在中偏的时候 ,两种器件的阻抗由产生2复合电流和辅助隧道电流决定 ,其中辅助隧道电流对单层钝化器件的影响更大.
X 衍射仪中的倒易点阵技术 RSM[8～10] 对不同工艺钝化前后的 HgCdTe 晶片 A 和 B (LPE 生长 , (111) 方向) 进行了分析 ,发现两者确实存在较大差异.
Idiff
=
qA n2i Na
kT q
×μτnn
1/ 2

碲镉汞材料表面钝化研究的发展(下)

面钝化研究的进展。描述了ＭＣ钝化的基本概念。讨论了部分ＭＣ钝化膜的生长方ＴＴ
法、界面性质和参数。
关键词：碲镉汞；红外探测器；表面钝化；表面处理
中图分类号：Ｔ３５Ｎ０
文献标识码：ＡＤＯＩ１．６／ｉｎ１７—７５０２４０：０９９Ｊｓ．：８．１．．２３．ｓ６２８２００
ｒｐｏｃｂｌｓｉａｅｕｆｃｓ姐ｄｔｅｓｒａｅｐｏｅｔａｓｗｈｃｅｈｉｒＪｎｅｒｑｒｍｅｔ．ｅｒｄｕｉｅｐａｓｖｔｄｓｒａｅｈｕｆｃｔｎｉｌｉｈｍｅｔｔｅｒｐｅｆ ’ ｏｍａｃｅｕｉｅｎｓ
６ＭＣＴ钝化膜的界面态密度
由图１可见，ＭＣＴ钝化膜可以是单层膜，也可以是双层膜钝化膜至少存在两个界面：一
个是空气／钝化膜界面，另一个是钝化膜／ＴＭＣ
ＭＣ体内交换电子所需的时间不同，界面态又Ｔ
文章编号：１７—７５２１）４００ —７６２８８（０２０ —０７０
碲镉汞材料表面钝化研究的发展（）下
王一乙锋刘黎明孙祥乐陈燕
ｆ明物理研究所，云南昆明６０２）昆５２３
摘要：碲镉汞（ｇ－ＣｘｅＭＣ）Ｈ１ｘｄＴ，Ｔ材料的表面钝化被认为是光导和光伏探测器制备中的关键步骤之一。实用的ＭＣＴ器件需要稳定且可重复生产的钝化表面和符合器件性能要求的界面及表面势。通过对近年来的部分英语文献进行ｙ纳分带，介绍了ＭＣ５－：Ｔ表

HgCdTe MIS器件的制备及其界面电学特性的研究(下)

ｄｖｃｓｅｉｅ．Ｋｅｗｏｄ：ＨｇｙｒｓＣｄＴｅ；ＭＩｅｉｅｓｒａｅｐｓｖｔｏｉｔｒａｅｅｅｔｉａｈａａｔｒｓｉｓＳｄｖｃ；ｕｆｃａｉａｉｎ；ｎｅｆｃｌｃｒｃｌｃｒｃｅｉｔｃｓ
３４界面态密度的能量分布．
ＨＥＢ，．ＨＩａ．。ｉｇ３ｏ－ＳｎＩ２ＸＵＪｎＹｉ
ｒ．ｎｔｕｅｆｄａｃｄＭａｅＭｒｈｔ－ｌｔｎｃ，ｎｎｎｖｒｔｆｃｎｅａｄＴｃｎｌｙＩｓｔｔｖｎｅｔｒｓｏｏｏＥｅｒｉＫｕｍｉＵｉｓｙｏｉｃｎｅｈｏｇ，１ｉ０ＡｉｆＰｃｏｓｇｅｉＳｅｏ
＋ＺＳｈｖｔｌｏｔｅｕｆｅｐｓａｉｅｕｅｅｔｏｅＰｇｄｅｏａｐａｅｒｙ（ＰｎａｅｌｆｈｒｃａｉｔｎｒｑｉｍｎｓｆｈＶＨＣＴｃｌｒＦＡ）ｍｅａｓａｓｖｏｒｔｆｌｎａａ
Ｋｕｍｉｇ６０５，Ｃｈｎ；．ＫｕｍｉｇＩｓｉｕｅｏｙｉｓＫｕｍｉｇ５２３ｎｎ５０１ｉａ２ｎｎｎｔｔｔｆＰｈｓｃ，ｎｎ６０２，Ｃｈｎ；３ｉａ．Ｄｅａｔｎｔｏｐｒｍｅｆ
ＭａｅｉｓｎｎｉｅｒｇＪ＇ｎｖｒｉ，ｎｎ２０２，ｈａｔａｄＥｇｅｎ，ｉａＵｉｅｔ￣＇５０２Ｃｉ）ｒｌａｎｉｎｎｓｙａｎ
３４１界面态的定义．．
用，它可使晶体管的下降，１ｆ使／噪声增加。复

HgCdTe长波光电二极管列阵的等离子体修饰

ＡｂｔａｔｈｅｕｓｏｉｈｄｎｉｙｒｇｎｐａｍａｍｏｉｃｔｎｆｒＨｇｄｅｌｎ — ａｅｅｇｈｎｏ — ｈｔｄｏｅａｒｙｓｒｃ：Ｔｅｒｓｈｆｈｇ — ｅｓｙｈｄｏｅｌｓｄｆａｉＣＴｏｇｗｖｌｎｔ一ｎＰｐｏｏｉｄｒｓｔｉｏｏａｗｒｒｓｎｅｎｔｉｐｐｒｎｏ — ＣＴｏｇｗａｅｅｇｈｐｏｏｉｄｒａｓｗｉｈｔｄｏｅｍｏｉｅｙｈｄｏｅｅｅｐｅｅｔｄｉｈｓａｅ．一ｎＰＨｇｄｅｌｎ — ｖｌｎｔｈｔｄｏｅａｙｔｐｏｏｉｄｄｆｄｂｙｒｇｎｈｉｐａｍａｉｌｓｍｍｅｉｔｌｆｅ－ｌｎａｉｎｗｅｅｆｂｉａｅｒｍｌＣｅＣＴｌｇｏｙＭＢｄａｅｙａｔｒＢｉａｔｔｏｒａｒｔｄｆｍｐｃｏａＨｇｄＴ／ｄｅｆｍｒｗｎｂＥ．Ｔｅｍａｉｍｉｈｘｍｕ
ＣｈｎｓａｅｆＳｉｎｃｉｅｅＡｃｄｍｙｏｃｅｅ，Ｓｎｈｉ２０８Ｃｈｉａ；ｈａｇａ００３，ｎ
２ＧａｕｔＳｈｏｏｔｅＣｉｓｃｄｍｙｏＳｉｃｓＢｉｎ１０３，ｈａ．ｒｄａｅｃｏｌｆｈｈｎｅＡａｅｆｃｎｅ，ｅｉｇ００９Ｃｉ）ｅｅｊｎ
的提高了１～２倍，并在反向偏压大于动态阻抗极大值所处的偏压时动态阻抗得到更为明显的提升．这表明低能氢等离子体修饰可以抑制ＨＣＴ光电二极管列阵暗电流中的带带直接隧穿电流和缺陷辅助隧穿电流，ｇｄｅ从而能提高长波红外焦平面探测器工作的动态范围和探测性能的均匀性．关键词：碲镉汞（ｇｄｅ；ＨＣＴ）氢等离子体修饰；电二极管列阵；光暗电流中图分类号：Ｎ０．；Ｎ０．Ｔ３５７Ｔ３４２５文献标识码：Ａ

3英寸锗基hgcdte表面zns钝化膜的应力研究

3英寸锗基hgcdte表面zns钝化膜的应力研究本文通过研究3英寸锗基HgCdTe表面ZnS钝化膜的应力，分析了不同厚度的ZnS膜在锗基HgCdTe表面的压力分布，探讨了ZnS膜应力对HgCdTe器件性能的影响。

实验结果表明，合适厚度的ZnS膜能够有效缓解锗基HgCdTe表面的应力，提高器件性能。

关键词：锗基HgCdTe，ZnS钝化膜，应力，器件性能引言锗基HgCdTe是一种重要的红外探测材料，具有广泛的应用前景。

然而，由于其表面易受到氧化、污染等因素的影响，导致器件性能下降。

因此，必须采取有效的措施来保护锗基HgCdTe表面，提高器件性能。

目前，常用的保护措施是在锗基HgCdTe表面覆盖一层ZnS钝化膜。

ZnS薄膜具有良好的光学性能和化学稳定性，能够有效保护锗基HgCdTe表面。

然而，ZnS膜的生长过程中会产生应力，对锗基HgCdTe 表面产生影响，进而影响器件性能。

因此，研究ZnS膜的应力分布及其对器件性能的影响，对于提高锗基HgCdTe器件的性能具有重要意义。

实验方法本实验采用分子束外延（MBE）技术在3英寸锗基HgCdTe表面生长ZnS钝化膜。

通过改变ZnS膜的厚度，研究不同厚度下ZnS膜的应力分布及其对锗基HgCdTe表面的影响。

实验结果与分析通过X射线衍射仪（XRD）分析，可以得到ZnS膜的晶格常数。

实验结果表明，随着ZnS膜厚度的增加，晶格常数也有所增加。

这是因为生长过程中，ZnS膜会受到衬底的影响，形成应力场，导致晶格畸变。

通过扫描电子显微镜（SEM）观察ZnS膜的表面形貌，可以发现随着膜厚的增加，膜表面出现了明显的裂纹和颗粒。

这是由于ZnS膜生长过程中，应力场过大，导致膜表面出现裂纹和颗粒。

为了研究ZnS膜应力对锗基HgCdTe表面的影响，利用拉曼光谱仪对样品进行光学特性测试。

实验结果表明，ZnS膜的应力会对锗基HgCdTe表面产生影响，导致其表面的晶格畸变和位错密度增加。

这会进一步影响器件性能，导致器件性能下降。

等离子体表面处理光伏

等离子体表面处理光伏概述等离子体表面处理是一种常用的光伏制造技术，它通过使用等离子体对光伏材料的表面进行处理，以改善光伏电池的性能和效率。

本文将详细介绍等离子体表面处理的原理、方法和应用，并探讨其在光伏领域的前景和挑战。

原理等离子体是一种高度电离的气体，它包含大量的自由电子和正离子。

等离子体表面处理利用等离子体的特性，通过将光伏材料暴露在等离子体中，使其表面发生化学和物理变化。

这些变化可以改变光伏材料的表面形貌、化学成分和能带结构，从而改善光伏电池的光吸收、载流子分离和光电转换效率。

方法等离子体表面处理有多种方法，常用的包括物理气相沉积（PECVD）、射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）和等离子体刻蚀。

这些方法可以单独使用，也可以组合使用，根据光伏材料的特性和要求进行选择。

物理气相沉积（PECVD）PECVD是一种将气体分子分解并沉积在光伏材料表面的方法。

它通过在等离子体中施加高频电场，将气体分子激发为等离子体，然后将激发的气体分子沉积在光伏材料表面。

PECVD可以改变光伏材料的表面形貌和化学成分，从而提高光伏电池的光吸收和电荷分离效率。

射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）RF-PECVD是PECVD的一种改进方法，它使用射频电场而不是高频电场来激发气体分子。

射频电场可以产生更高的电离率和更稳定的等离子体，从而提高沉积层的质量和均匀性。

RF-PECVD通常用于制备高质量的光伏材料薄膜，例如非晶硅（a-Si）和微晶硅（μc-Si）。

等离子体刻蚀等离子体刻蚀是一种将光伏材料表面的一部分物质通过等离子体的化学和物理作用去除的方法。

等离子体刻蚀可以改变光伏材料的表面形貌和结构，从而提高光伏电池的光吸收和电荷分离效率。

常用的等离子体刻蚀方法包括干法刻蚀和湿法刻蚀。

应用等离子体表面处理在光伏领域有广泛的应用。

它可以用于制备各种类型的光伏材料薄膜，包括非晶硅、微晶硅、铜铟镓硒（CIGS）和钙钛矿等。

HgCdTe红外探测器CdTe钝化蒸发生长改进

HgCdTe红外探测器CdTe钝化蒸发生长改进徐竟杰;陈兴国;周松敏;魏彦锋;林春;杨建荣【摘要】在液相外延生长(LPE)的碲镉汞(HgCdTe)外延薄膜(111)方向上蒸发生长碲化镉(CdTe)钝化层.在70 ～250℃范围内的各个不同的温度环境下进行碲化镉钝化膜的蒸发生长.根据需要,对各样本进行150～300℃各个温度下的后期退火处理.运用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、二次离子质谱(SIMS)、X射线衍射(XRD)观测技术表征碲化镉钝化膜的形貌结构、成分分布、晶体质量.结果表明,加热环境下蒸发生长碲化镉钝化膜可以消除常规蒸发生长中的柱状多晶结构,显著提高钝化品质；后期的退火处理还能进一步提高钝化膜质量.%CdTe surface passivation layers were deposited by evaporation on (111) liquid phase epitaxy (LPE) grown HgCdTe epilayers. The processes of CdTe layer deposition were carried out at different temperatures ranging from 70 ℃ to 250 ℃. Furthermore,prepared samples were annealed at a temperature range between 150℃ and 300℃. Scanning electron microscope ( SEM) and transmission electron microscope ( TEM) were used to evaluate the profile and structure of CdTe passivation layers. The compositional properties were surveyed by secondary ion mass spectroscopy ( SIMS). X-ray diffraction (XRD) characterized the crystal quality. The experimental results show that heating during the deposition process can eliminate the columnar and polycrystalline structure in course of general evaporation, and effectively improve the quality of CdTe passivation layers. The annealing treatment can provide further improvement.【期刊名称】《激光与红外》【年(卷),期】2012(042)011【总页数】5页(P1263-1267)【关键词】碲化镉;碲镉汞;钝化;扫描电镜;透射电镜;二次离子质谱;X射线衍射【作者】徐竟杰;陈兴国;周松敏;魏彦锋;林春;杨建荣【作者单位】中国科学院上海技术物理研究所,红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;中国科学院研究生院,北京100039;中国科学院上海技术物理研究所,红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;中国科学院上海技术物理研究所,红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;中国科学院上海技术物理研究所,红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;中国科学院上海技术物理研究所,红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;中国科学院上海技术物理研究所,红外成像材料与器件重点实验室,上海200083【正文语种】中文【中图分类】TN2151 引言HgCdTe材料能带可裁剪，吸收系数大、量子效率高，探测器件的响应速率高，工作温度高［1］，这些卓越性能使得HgCdTe成为红外焦平面探测器制造中一种非常重要而且常用的材料。

CdTe钝化膜溅射功率对HgCdTe器件性能的影响研究

CdTe钝化膜溅射功率对HgCdTe器件性能的影响研究林占文;韩福忠;李雄军;耿松;史琪;胡彦博;杨超伟;林阳【期刊名称】《红外技术》【年(卷),期】2018(040)008【摘要】采用不同的溅射功率在长波HgCdTe(碲镉汞)薄膜表面沉积了CdTe钝化膜,制备了相应的MIS器件和二极管器件,并对器件进行了I-V测试和C-V测试,研究了溅射功率对CdTe钝化膜和器件性能的影响.结果表明,CdTe钝化膜溅射功率由140 W升高到180 W后,沉积速率显著增加,由3.5 nm/min增加到了9.5 nm/min;HgCdTe/钝化层界面固定电荷面密度增大,由2.43×1011 cm-2增大到了2.83×1011 cm-2;慢界面态密度也随溅射功率的增加而增大.【总页数】6页(P733-738)【作者】林占文;韩福忠;李雄军;耿松;史琪;胡彦博;杨超伟;林阳【作者单位】昆明物理研究所,云南昆明 650223;昆明物理研究所,云南昆明650223;昆明物理研究所,云南昆明 650223;昆明物理研究所,云南昆明 650223;昆明物理研究所,云南昆明 650223;昆明物理研究所,云南昆明 650223;昆明物理研究所,云南昆明 650223;昆明物理研究所,云南昆明 650223【正文语种】中文【中图分类】TN215【相关文献】1.HgCdTe光伏器件多层钝化膜等离子体处理的研究 [J], 储开慧;乔辉;汤英文;陈江峰;胡亚春;贾嘉;李向阳;龚海梅2.3英寸锗基HgCdTe表面ZnS钝化膜的应力研究 [J], 林占文;韩福忠;耿松;李雄军;史琪;王向前3.HgCdTe红外探测器CdTe钝化蒸发生长改进 [J], 徐竟杰;陈兴国;周松敏;魏彦锋;林春;杨建荣4.HgCdTe阳极硫化+ZnS钝化膜表面与界面的研究 [J], 何波;马忠权;史衍丽;徐静;赵磊;李凤;沈成;沈玲5.类金刚石薄膜作为HgCdTe红外器件增透膜和钝化膜的研究 [J], 居建华;吴汶海;许俊芬;戴文琦;夏义本因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

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摘要：Ｈｇｄｅ光伏探测器件ＳＯｚｎ在ＣＴｉ＋ＺＳ复合介质膜钝化中，入Ｏ清洗和Ａｒ引
刻蚀两种等离子体处理工艺，大大提高薄膜附着力，功制备出优良的光伏器件。成对处理前
后的样品进行场发射扫描电子显微镜扫描、子力显微镜扫描和二次离子质谱测试后发原现，清洗对去除样品表面的残余光刻胶效果显著；Ａｒ蚀使ＺＳ表面更为粗糙，Ｏ而刻ｎ增加了成核中心，ＳＯ２ＺＳ表面互相渗透，强了两层介质膜的附着力。使ｉ和ｎ增
ｐｏｏｅｉｔｃｎｂｅｏｅｆｅ＋ｃｅｎｎ．Ｉｉｌｏｉｄｃｔｄｔａｅｃｉｇｐｏｅｓｉｅｐｕｏｈｔｒｓｓａｅｒｍｖｄａｔｒ０２ｌａｉｇｔｓａｓｉａｅｈｔＡｒｔｈｎｒｃｓｓｈｌｆｌｆｒｎ
ＣＵｉｈｉＨＫａ — ｕ，ＱＩＡＯｉＨｕ，ＴＡＮＧｉｇｗｅＹｎ — ｎ，ＣＨＥＮｉｎｎＪａｇ一ｇ，
ＨＵ — ｈｕＹａｃｎ，ＪＩＪｉＡａ，ＬＩＸｉｎｙａｎａｇ— ｇ，ＧＯＮＧａｉＭｅＨ — ｉ
（ｔｔｙＬｂｒｔｒｆＴｒｎｄｃｒＴｅｈｏｏｙ，ＳａｇａｎｔｕｅｏｃｎｃｌｙｉｓＳａｅＫｅａｏａｏｙｏａｓｕｅｃｎｌｇｈｎｈｉｓｉｔｆＴｅｈｉａＰｈｓｃ，Ｉｔ
ｌ引
言
碲镉汞（ＣＴｅ作为一种性能良好的红外探测器材料，Ｈｇｄ）以其独特的物理特性和；化；ＣＴｅ光伏探测器ＯＡｒ钝Ｈｇｄ
中图分类号：ＴＮ３４２０．
文献标识码：Ａ
Ｓｔｙｏｌｓａｔｅｔｅｎｕｔ—ａｅｉｍｏｇｕｄｆｐａｍｒａｍｎｔｏｍｌｉｌｙｒｆｌｆｒＨＣｄＴｅｐｈｏｏｏｔｉｔｃｏｔｖｌａｃｄｅｅｔｒ
Ｈｇｄ光伏器件多层钝化膜等离子体处理的研究ＣＴｅ
储开慧，乔辉，汤英文，江峰，陈胡亚春，嘉，向阳，海梅贾李龚
（国科学院上海技术物理研究所，感技术联合国家重点实验室，海２Ｏ８）中传上０Ｏ３
ＺｎｕｆｃｏｒｅｉｇａｄｎｃｅｔｏｏｆｒｔｅｍｉｉｇｉｔｒａｅｂｔｅｉｎｎｉｎｈｓＳｓｒａｅｃａｓｎｎｎｕｌａｉｎｔｏｍｈｘｎｅｆｃｅｗｅｎＳＯ２ｄＺＳｆｍｓａｄｔｕｎａｌ
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第２８卷第４期２００６年８月
光
学
仪
器
Ｖｏ．８，．１２Ｎｏ４
Ａｕｇｕｓ，００ｔ２６
ＯＰＴＩＣＡＬＮＳＩＴＲＵＭＥＮＴＳ
文章编号：０５５３（０６０ —０６０．０ — ６０２０）４０５ —４１
ＣｉｅｅＡｃｄｍｙｏｃｅｃｓ，Ｓａｇａ２０８，ｉａ）ｈｎｓａｅｆＳｉｎｅｈｎｈｉ００３Ｃｈｎ
ＡｂｔａｔＳＯ２ＺＳｍｕｔ—ａｅｉｉｆｅｓｄｆｒＨｇｄｈｔｖｌａｃｄｔｃｏ．Ｂｕｈｓｋｎｓｒｃ：ｉ＋ｎｌｉｌｙｒｆｍｓｏｔｎｕｅｏＣＴｅｐｏｏｏｔｉｅｅｔｒｌｔｔｉｉｄｏａｓｖｔｎｉｉｅｙｔａｅａｈｓｏｒｂｅｆｐｓｉａｉｓｌｌｏｈｖｄｅｉｎｐｏｌｍ．ＢｙｔｅｉｔｏｕｔｏｆＯｃｅｎｎｎｅｃｉｇｏｋｈｎｒｄｃｉｎｏｌａｉｇａｄＡｒｔｈｎｉｔｈｒｐｒｔｏｎｏｔｅｐｅａａｉｎ，ｔｅａｈｓｏｒｂｅｃｎｂｏｖｄＩｓｃｅｒｙｓｏｄｔａｓｆｒｓｄａｈｄｅｉｎｐｏｌｍａｅｓｌｅ．ｔｉｌａｌｈｗｅｈｔｍｏｔｏｅｉｕｌ
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