电源工作模式对中频磁控溅射沉积速率的影响研究

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磁控溅射溅射功率的影响

磁控溅射溅射功率的影响

磁控溅射溅射功率的影响
磁控溅射是一种常用的薄膜沉积技术,通过在真空环境中利用
磁场控制金属靶材的溅射,将金属原子沉积到基底表面上,形成薄膜。

而溅射功率即是指溅射过程中靶材所受的能量,它对薄膜沉积
过程有着重要的影响。

首先,溅射功率的大小直接影响着薄膜的成分和结构。

在磁控
溅射过程中,溅射功率的增加会导致靶材表面温度升高,从而影响
靶材表面原子的溅射速率和能量分布,进而影响薄膜的成分和结构。

因此,控制溅射功率是调控薄膜成分和结构的重要手段。

其次,溅射功率的变化也会影响薄膜的质量和性能。

适当的溅
射功率可以促进薄膜的致密化和结晶化,提高薄膜的结合力和硬度,同时也有利于提高薄膜的光学、电学等性能。

然而,过高或过低的
溅射功率则可能导致薄膜中存在缺陷或应力过大,影响薄膜的质量
和性能。

最后,溅射功率的调控还与薄膜沉积速率和均匀性有关。

适当
的溅射功率可以实现较高的沉积速率和较好的薄膜均匀性,提高生
产效率和薄膜质量。

但是,过高的溅射功率可能导致靶材过早损耗,
而过低的溅射功率则可能影响沉积速率和薄膜均匀性。

综上所述,磁控溅射功率的大小直接影响着薄膜的成分、结构、质量和性能,以及沉积速率和均匀性。

因此,在实际应用中,需要
根据具体材料和工艺要求,合理调控溅射功率,以实现所需的薄膜
性能和质量。

磁控溅射原理详细介绍课件

磁控溅射原理详细介绍课件
种材料的溅射。
氮气(N2)
常与氩气混合使用,用于增加 薄膜的硬度和抗氧化性。
氧气(O2)
用于形成氧化物薄膜,如TiO2 和Al2O3。
选择原则
根据被溅射材料和所需薄膜性 质选择合适的工作气体。
溅射功率与控制
01
02
03
溅射功率
指用于产生溅射的功率, 通常以辉光放电的形式提 供。
控制方法
通过调节辉光放电的电流 或电压来控制溅射功率。
03
放电的物理过程
放电过程中,气体分子在电场中被电离,产生带电粒子,这些带电粒子
在电场中加速运动,与气体分子发生碰撞,使气体分子激发和电离,形
成电子和离子的雪崩效应。
粒子运动与碰撞
带电粒子的运动
在电场中,带电粒子受到电场力 的作用,沿着电场线方向加速运
动。
粒子的碰撞
带电粒子在运动过程中与气体分 子发生碰撞,将动能传递给气体 分子,使气体分子获得足够的能 量以克服束缚力,从原子或分子
磁控溅射原理详细介绍课件
目录
• 磁控溅射原理概述 • 磁控溅射装置与工作原理 • 磁控溅射的物理基础 • 磁控溅射技术参数与控制 • 磁控溅射沉积薄膜性能优化 • 磁控溅射研究前沿与展望
01
磁控溅射原理概述
定义与特性
定义
磁控溅射是一种物理气相沉积技术,通过在真空环境下利用磁场控制电子运动 ,实现高速离子轰击靶材表面,将靶材原子溅射出来并沉积在基材表面形成薄 膜。
工作气体
选择适当的工作气体,如氩气、氮气等,以 获得所需的薄膜性能。
薄膜结构与性能表征
成分分析
通过光谱分析技术确定薄膜的元素组 成。
晶体结构
采用X射线衍射技术分析薄膜的晶体 结构。

磁控溅射 镀膜速度

磁控溅射 镀膜速度

磁控溅射镀膜速度磁控溅射是一种常用的薄膜沉积技术,利用磁场控制离子轰击靶材,使靶材表面的原子或分子通过溅射形成薄膜。

在磁控溅射过程中,镀膜速度是一个非常重要的参数,它决定了薄膜的厚度和生长速率。

本文将从原理、影响因素和优化方法三个方面来探讨磁控溅射的镀膜速度。

一、磁控溅射的原理磁控溅射是利用磁控电子枪或离子枪,将高能粒子轰击靶材表面,使靶材原子或分子从表面脱离并沉积在基片上形成薄膜的过程。

在磁控溅射过程中,由于磁场的存在,离子在空间中形成磁控电子云,从而使离子在靶材表面形成较高的能量密度,从而促进原子或分子的溅射。

而镀膜速度则是指单位时间内沉积在基片上的薄膜厚度。

二、影响磁控溅射镀膜速度的因素1. 靶材材料:不同材料的靶材具有不同的溅射效率,即单位能量导致的溅射原子数目。

一般来说,金属靶材的溅射效率较高,而绝缘体材料的溅射效率较低。

2. 气体氛围:磁控溅射过程中,通常会加入气体氛围,如氧气、氮气等。

不同气体对溅射速率的影响是不同的,一般来说,氧气会增加溅射速率,而氮气则会降低溅射速率。

3. 溅射功率:溅射功率是指离子或电子轰击靶材的能量。

溅射功率越大,镀膜速度也就越高。

4. 基片与靶材的距离:基片与靶材的距离会影响离子或电子的传输路径和能量损失,从而影响溅射速率。

一般来说,靶材与基片的距离越近,溅射速率越高。

5. 磁场强度:磁场强度是影响磁控溅射的关键参数之一,它可以调节离子或电子的轨道,从而影响溅射速率。

磁场强度越大,溅射速率也就越高。

三、优化磁控溅射的镀膜速度的方法1. 调节靶材材料和气体氛围:根据需要调节靶材材料和气体氛围,以获得所需的镀膜速度。

可以通过实验和经验总结来确定最佳的靶材材料和气体氛围组合。

2. 提高溅射功率:通过增加溅射功率,可以提高镀膜速度。

但需注意不要超过靶材的承受范围,以免损坏靶材。

3. 控制基片与靶材的距离:合理控制基片与靶材的距离,可以使离子或电子的传输路径和能量损失最小化,从而提高溅射速率。

磁控靶溅射沉积率的影响因素

磁控靶溅射沉积率的影响因素

书山有路勤为径,学海无涯苦作舟
磁控靶溅射沉积率的影响因素
溅射沉积率是表征成膜速度的参数,其沉积率高低除了与工作气体的种类与压力、靶材种类与溅射刻蚀区的面积大小、靶面温度与靶面磁场强度、靶源与基片的间距等影响因素外,还受靶面的功率密度,亦即靶电源输出的溅射电压与电流两个重要因素的直接影响。

1、溅射电压与沉积率
在磁控靶前磁场控制区域间的等离子体越强烈和密集,靶材上的原子脱离率就越高。

在影响溅射系数的诸因数中,当靶材、溅射气体等业已选定之后,比较起作用的就是磁控靶的放电电压。

通常来说,在磁控溅射正常工艺范围内,放电电压越高,磁控靶的溅射系数就越大;也就是说入射离子的能量越大,溅射系数也越大。

在溅射沉积所需的能量范围内,其影响是缓和的和渐变的。

2、溅射电流与沉积率
磁控靶的溅射电流与靶面离子流成正比,因此对沉积率的影响比电压要大得多。

增加溅射电流的办法有两个:一个是提高工作电压;另一个是适当提高工作气体压力。

沉积速率对应有一个最佳气压值,在该气体压力下,其相对沉积率最大,这个现象是磁控溅射的共同规律。

在不影响膜层质量或满足用户要求的前提下,由溅射产额来考虑气体压力的最佳值是比较合适的。

3、溅射功率与沉积率
通常来说,磁控靶的溅射功率增高时,薄膜的沉积率速率也会变大;这里有一个先决条件,就是:加在磁控靶的溅射电压足够高,使工作气体离子在阴- 阳极间电场中获得的能量,足以大过靶材的溅射能量阀值。

有的时候,磁控靶。

磁控溅射法沉积TCO薄膜的电源技术

磁控溅射法沉积TCO薄膜的电源技术

磁控溅射法沉积TCO薄膜的电源技术1前言透明导电氧化物薄膜(TCO薄膜)有着广泛的用途,如作为LCD、OLED显示器面板的电极,作为触摸屏的感应电极,作为薄膜太阳能电池的电极以及作为LED芯片前电极等[1]。

目前,主要的TCO薄膜有氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌铝(AZO)三种[2],其中SnO2薄膜是最早应用的TCO薄膜,但由于其光电特性相对较差,目前主要应用在一些较低端的使用领域。

ITO薄膜是目前光电特性最好,使用范围最广的TCO薄膜,但其同时存在使用稀有元素In,生产成本较高、In元素有毒、在氢等离子工艺氛围中性能退化等缺点。

近年来,成本低、性能优良、无毒害的ZnO:Al(AZO)薄膜[3]得到了广泛的关注与研究,有希望替代ITO薄膜。

因此,ITO与AZO材料是当前研究和生产的最主要的TCO材料。

目前,产业界制备ITO、AZO薄膜主要是采用磁控溅射镀膜技术[4][5]。

磁控溅射技术基于等离子技术,通常是在存在高电势差的靶(阴极)与阳极之间注入气体(一般为Ar气),通过等离子辉光放电实现对气体原子的离化,电场与磁场对离子加速和变向,进而轰击靶材表面,导致靶材原子被轰击到空间中,溅射在一块衬底材料上聚集形成薄膜[6]。

对于磁控溅射装置,磁控溅射电源决定了磁控溅射工艺过程等离子体状态,对镀膜工艺和膜层生长质量起着至关重要的作用[7]。

随着生产和科技不断发展,用户对产品质量性能的要求越来越高。

所以要求磁控溅射镀膜设备具有良好的可靠性、稳定性,有较高的镀膜效率和镀膜质量。

本文将主要描述磁控溅射ITO、AZO两大主要TCO薄膜的核心电源技术的发展现状、最新进展以及未来面临的挑战。

2磁控溅射TCO薄膜的电源技术发展概述2.1磁控溅射直流电源磁控溅射电源类型有直流电源、中频电源和射频电源。

其中中频电源与射频电源成本较高,且沉积速率偏慢,尤其是射频电源沉积速率慢且由于驻波效应等,不适宜进行大面积镀膜,因此在制备大面积TCO薄膜技术领域应用较少。

中频反应磁控溅射制备二氧化硅薄膜的方法

中频反应磁控溅射制备二氧化硅薄膜的方法

中频反应磁控溅射制备二氧化硅薄膜的方法一、引言二氧化硅薄膜具有优异的光学、电学和机械性能,因此在光伏器件、光学涂层、微电子器件等领域具有广泛的应用。

中频反应磁控溅射是一种常用的制备二氧化硅薄膜的方法,本文将对该方法的原理、设备、工艺和应用进行综述。

二、中频反应磁控溅射的原理及设备1.中频反应磁控溅射的原理中频反应磁控溅射是利用中频交变电源产生的磁场,引导电子在高真空环境下以高速撞击靶材表面,使靶材表面材料溅射并沉积在基片上,通过控制气体混合比例和反应条件,可以实现对二氧化硅薄膜的制备。

2.中频反应磁控溅射设备中频反应磁控溅射设备由真空室、靶材、基片夹持架、气体供给系统、沉积监测系统等组成。

真空室通常采用不锈钢材料制成,具有良好的气密性和耐腐蚀性;靶材可以是氧化硅或其他硅材料,通过外部电源加热或水冷方式降低溅射过程中靶材的温度,从而提高薄膜的致密性和均匀性;气体供给系统提供所需的工艺气体,如氧气和惰性气体等;沉积监测系统可以实时监测沉积速率和薄膜厚度,从而实现对沉积工艺的实时控制。

三、中频反应磁控溅射制备二氧化硅薄膜的工艺1.底层沉积在进行二氧化硅薄膜沉积之前,通常需要在基片上沉积一层辅助材料,以增强薄膜的附着力和均匀性。

通常使用氧化铝或氮化硅等材料作为底层材料,通过中频反应磁控溅射的方式进行沉积。

底层材料的选择和沉积工艺的优化对二氧化硅薄膜的性能具有重要影响,需要根据具体应用需求进行调整。

2.二氧化硅薄膜沉积二氧化硅薄膜的沉积通常采用二氧化硅靶材和氧气混合气体进行溅射,通过控制溅射功率、气体流量和沉积时间等工艺参数,可以实现对二氧化硅薄膜的沉积。

在沉积过程中,需要实时监测沉积速率和薄膜厚度,根据监测结果进行实时调整,以保证薄膜的质量和均匀性。

3.后续处理二氧化硅薄膜沉积完成后,通常需要进行后续处理以改善薄膜的性能。

常见的后续处理包括退火、氧化、掺杂等,通过这些处理可以进一步提高薄膜的光学、电学和机械性能。

磁控溅射薄膜沉积速率的研究

磁控溅射薄膜沉积速率的研究

文章编号: 100025714(2005)042307204磁控溅射薄膜沉积速率的研究Ξ惠迎雪1,2,杭凌侠1,徐均琪1(1.西安工业学院光电工程学院,西安710032;2.西北工业大学)摘 要: 沉积速率是影响薄膜性能的重要参数,直接影响着薄膜质量的优劣.本文采用磁控溅射方法,在玻璃基底上沉积钛膜.通过对比研究了平衡磁控溅射和非平衡磁控溅射两种工作模式下,靶基距、氩气流量等工艺参数对沉积速率的影响,同时测试了非平衡磁控溅射线圈励磁电流大小变化对薄膜沉积速率的影响.结果表明:磁控溅射源以非平衡模式工作时,线圈励磁电流在60~180A范围内,沉积速率随励磁电流的调整而变化;磁控溅射薄膜沉积速率随靶基距的增大而下降;相同工艺条件下,非平衡模式下薄膜沉积速率高于平衡模式,且更易受到氩气流量变化的影响.关键词: 磁控溅射;非平衡磁控溅射;沉积速率;工艺参数中图号: O484.4 文献标识码: A 沉积速率是影响薄膜性能和镀膜设备性能的重要因素.它的大小直接影响薄膜的许多性能,如牢固度、薄膜应力、电阻率、薄膜硬度、表面光洁度、表面形貌以及薄膜的微观结构等[1],对沉积速率的研究是了解镀膜设备工作特性的主要内容.在实际的镀膜过程中,沉积速率可能与许多因素有关,如靶功率、靶基距、工作气压等.对于磁控溅射镀膜来说,提高溅射镀膜速率的关键在于如何提高等离子体的密度或电离度,以降低气体放电的阻抗,从而在相同的放电功率下获得更大的电流,也就是获得更多的离子轰击靶材.而提高等离子体的密度或电离度的关键在于如何充分的利用电子的能量,使其最大限度的用于电离.非平衡磁控溅射(unbalanced magnetron sputtering,UBMS)技术作为一种新型的技术,通过附加的磁场,使阴极靶面的等离子体状态发生较大改变,从而不仅具有普通磁控溅射(magnetron sputtering,MS)过程稳定、控制方便和大面积膜厚均匀性的特点,而且克服了基片附近离子密度小的缺点,容易获得附着力好、致密度高的薄膜,又避免了过高的内应力[2~4].目前,这种技术已经被广泛用来镀制T i、T iN、M oS2、D LC等多种功能薄膜[5].本文对MS和UBMS两种工作模式下薄膜沉积速率进行系统的研究,采用磁控溅射在玻璃基底上制备钛膜,研究了线圈励磁电流、靶基距和气体流量等工艺参数对沉积速率的关系,得出了一些有意义的结论.1 镀膜设备实验在白俄罗斯By-700型非平衡磁控溅射镀膜机上进行,图1为实验装置的系统结构图.磁控溅射沉积系统由一个磁控溅射靶和一个激励电流可调的电磁线圈构成.当电磁线圈不工作时,溅射系统工作在平衡模式,当电磁线圈通上一定的电流时,从靶面穿出的磁通量不等于穿入的磁通量,溅射系统工作在非平衡模式下,电磁线圈的激励电流在0~180A之间,所以等离子体的空间分布是可以调节的.实验所用的磁控溅射靶电源为恒流源,其最大功率为10kW,靶面尺寸为480mm×480mm,靶材为金属T i.靶面永磁体产生的水平磁感应强度值在溅射跑道区为40~60mT.由于实验中放电会引起气压波动,可以通过控制气体流量的稳定性,使之第25卷 第4期 西 安 工 业 学 院 学 报 V ol125 N o14 2005年8月 JOURNA L OF XIπAN I NSTIT UTE OF TECH NO LOGY Aug.2005Ξ收稿日期:2005204210作者简介:惠迎雪(1974-),男,西安工业学院助教,博士研究生,主要研究方向为薄膜技术、光电功能材料.图1 非平衡磁控溅射系统结构图Fig.1 S tructure of unbalanced megnetron sputtering system保持确定的数值,采用先启辉,然后调节溅射靶电流达到要求数值,再调节非平衡磁场激励电流的顺序,使系统达到稳定工作状态.2 薄膜制备实验的内容主要是考查磁两种不同的磁控溅射工作模式下各工艺参数对沉积速率的影响.实验中本底真空为5×10-3Pa 时,工作气体为氩气,工作真空度为2.2×10-1Pa ,真空度和气体流量分别由真空计和气体流量计来调节和控制.选用玻璃作为镀制基片,尺寸为90mm ×40mm ,用4¬1的酒精和乙醚混合液清洗,然后用胶带纸制作掩膜后,将其放置在基片台上.3 膜厚的测量在实验中采用台阶法来测量薄膜的厚度,所采用的测量仪器是干涉显微镜,该仪器由干涉仪和显微镜组合而成,测量时是将被测件和标准光学镜面相比较,用光波波长作为尺子来衡量样片表面的台阶深度,从而得到薄膜的厚度.其工作原理是:在测图2 薄膜台阶处条纹的位移Fig.2 Displacement of inter ferential fringeon sidestep of thin film量时将平行单色光垂直照射到薄膜上,由于发生干涉,产生了明暗相间的平行条纹,如图2所示,这时光在薄膜上的干涉就能反映出薄膜形状上的变化了.根据条纹间距L 和薄膜台阶处条纹发生的位移ΔL 以及单色光的波长λ,并参照劈尖干涉的有关结论,可得膜厚d 与它们的关系[6]d =ΔL ×λ/2L 实验中采用的是光源波长为0.54μm.为了保证测量的准确,可在薄膜上多选几点进行测量,然后再求其均值.4 实验结果和讨论4.1 励磁线圈电流对沉积速率的影响保持靶基距145mm ,靶电流9A ,在60~180A 范围内调节线圈励磁电流,可以得到非平衡磁控溅射模式下,沉积速率随励磁电流的变化曲线,如图3所示.图3 励磁线圈流与沉积速率的关系Fig.3 Relationship between disposition ratioof film and coil current由图3可知,在60~180A 的范围内,沉积速率随着励磁电流的增大先减小后增大,在100~120A 处较小.可见,非平衡磁控溅射镀膜沉积速率随着附加励磁线圈电流的变化而变化.显然,这是附加线圈励磁电流对磁场进行调制的结果.磁控溅射系统在非平衡模式工作时,与平衡模式相比,其最主要的特点是:非平衡模式可通过附加磁场调整靶表面的磁场分布,显著提高等离子体的密度.靶面磁场的大小是由线圈电流产生的附加磁场和由永久磁铁产生的固定磁场的矢量迭加决定的.非平衡磁场激励电流的调节过程也可以看成是优化阴极前横向磁场和纵向磁场场强分布的过程.随着线圈电流的变化,等离子体的密度分布受到影响,而等离子体的密度是影响溅射镀膜速率的关键因素.因此可以通过调节励磁电流来控制薄膜的沉积速率.803 西 安 工 业 学 院 学 报 第25卷4.2 靶基距对沉积速率的影响保持靶电流9A ,靶基距从85mm 变到195mm 变化时,测得平衡模式(此时线圈励磁电流为0A )和非平衡模式(此时线圈励磁电流调整为120A )薄膜沉积速率和靶基距的变化曲线,如图4所示.图4 不同工作模式靶基距和薄膜沉积速率的关系Fig.4 Relation of disposition ratio of films and distancebetween target and substrate由图4可知,在两种工作模式下,随着靶基距的增大,沉积速率均有下降的趋势.这是因为当靶材和基片距离较近时,镀膜区等离子密度较高,而且气体散射的作用很小,薄膜沉积速率都很高;而随着靶基距的增大,被溅射材料射向基片时与气体分子碰撞的次数增多,同时等离子密度也减弱,动能减少,因此薄膜沉积速率减少.实验中采用两种不同的工作模式研究靶基距与沉积速率的关系,以比较二者的不同,结果表明:在靶前85~165mm 范围内,相同工艺条件下,非平衡模式的沉积速率要略高一些.同时实验中还发现,当保持靶电流和其他工艺条件都不变时,非平衡磁场的存在,会使得靶电压得到不同程度的降低.如表1所示,靶电流相同条件下,非平衡模式靶电压比平衡模式靶电压低5~10V ,这一结论与文献[7]提出的数学模型是一致的.可见,如果表1 不同工作模式靶电流和靶电压的关系T ab.1 The V -I property of target under the balancedand the unbalanced condition靶电流/A 1.53691215靶电压/V平衡模式245285320400415425非平衡模式240275310390408420保持靶电压不变,非平衡模式下溅射源的靶电流将高于平衡模式,会获得更多的离子轰击靶材,也就是说,非平衡磁控溅射有更高的薄膜沉积速率.4.3 氩气分压与沉积速率的关系随着氩气分压的变化,靶电压、真空度也会随之变化,相应的影响到薄膜的沉积速率.实验显示了磁控源以两种不同的工作模式时(在非平衡模式下,线圈励磁电流为120A ),靶基距保持在145mm ,靶电流9A 时,改变氩气分压对沉积速率的影响.如图5所示,无论是平衡磁控溅射还是非平衡磁控溅射,沉积速率随工作气压的增大而先增大后减小,有一个最大沉积速率,对应一个最佳工作气压.这可以由气体放电理论来解释[8]:当氩气流量小时,气体分子的平均自由路程大,使得被溅射材料和气体分子相互碰撞次数少,产生二次电子数目也少,放电减弱或阴极捕集离子的效率低,沉积速率低,随氩气流量增大,气体分子与被溅射材料原子碰撞次数增大,产生二次电子数目也增多,沉积速率增大,但氩气流量过大时,粒子与氩气碰撞次数大大增多,粒子能量在碰撞过程中大大损失,致使粒子达不到基片或无力冲破气体吸附层,于是便不能形成薄膜,或虽然勉强冲破气体吸附层,但与基片的吸附能却很小,因此沉积速率低.图5 不同工作模式氩分压和薄膜沉积速率的关系Fig.5 Relation between disposition ratio offilm and w orking gass pressure此外,从图5还可看到,非平衡模式下,沉积速率随氩气分压变化波动更大.这是由于磁控溅射系统工作在非平衡模式时,在线圈磁场的作用下,靶面的磁力线被发散开来,更多的电子脱离了靶面磁场的束缚,形成了高密度的等离子体区,使得中性粒子在穿过阴极暗区的行程中,发生电荷转移碰撞的截面要比平衡模式大,因此其受到氩气分压变化的影响也要相对大一些.903 第4期 惠迎雪等:磁控溅射薄膜沉积速率的研究 5 结论对于磁控溅射系统来说,磁场的分布是影响平衡和非平衡两种工作模式薄膜沉积速率的主要因素,通过实验结果和分析可得到如下结论.1)磁控溅射源以非平衡模式工作时,线圈励磁电流在60~180A范围内,沉积速率随励磁电流的调整而变化;2)薄膜沉积速率随靶基距的增大而下降,在相同工艺条件和靶电压下,非平衡模式薄膜沉积速率高于平衡模式;3)与平衡模式相比,非平衡模式下薄膜沉积速率受氩气的影响相对大一些.通过采用磁控溅射制备金属T i膜的工艺实验,研究了磁控溅射系统在不同工作模式下,沉积速率与工艺参数的关系规律.虽然本文结论是在T i 靶上得到的,但对Cu、M o以及类金刚石薄膜等功能薄膜的镀膜工艺研究,具有一定的参考价值.参考文献:[1] 严一心,林鸿海.薄膜技术[M].北京:兵器工业出版社,1994.[2] Perry A J,Matossian J N.An overview of s ome advancedsur face technology in Russion[J].Matal&Mater tran,1998,29(2):593.[3] 董骐,范毓殿.非平衡磁控溅射及其应用[J].真空科学与技术,1996,16(1):51.[4] Musil J.Recent advances in magnetron sputtering technology[J].Sur face and C oatings T echnology,1998,100-101:280.[5] H ou Q R,G ao J.In fluence of a magnetron field on deposi2tion of D LC films[J].Appl.Phys.A,1998,67:417.[6] 王力衡,黄运添.薄膜技术[M].北京:清华大学出版社,1991.[7] 牟宗信,李国卿,车德良,等.非平衡磁控溅射沉积系统伏安特性模型研究[J].2004,53(06):1994.[8] 汪泓宏,田民波.离子束表面强化[M].北京:机械工业出版社,1991.Study of the film deposition ratio by m agnetron sputteringXI Ying-xue1,2,H ANG Ling-xia1,XU Jun-qi1(1.School of Optoelectronical Engineering,X i’an Institute of T echnology,X i’an710032,China;2.N orthwestern P olytechnical University)Abstract: The film deposition ratio is an im portant parameter in fluencing the film property,and hence is w orth of re2 searching in order to im prove the quality of thin films.The titanium(T i)films were deposited on glass substrates by conventional magnetron sputtering(MS)and unbalanced magnetron sputtering(BUMS)respectively.The influence of various factors,including target-to-substrate distance,w orking gases pressure and exciting current of coil,on the deposi2 tion ratio of films was experimentally studied.The results indicate the following conclusions.The deposition ratio of films by UMS varies with changes of the current of magnetron field coin from60to120A.The depositions ratio of films declines with the increase of distance between target and substrate.Under otherwise equal conditions,the film deposi2 tion ratio by UMS is higher and m ore in fluenced with w orking gases pressure than by MS.K ey Words: magnetron sputtering(MS);unbalanced magnetron sputtering(UBMS);deposition ratio;technical pa2 rameter(责任编辑、校对 张立新) 013 西 安 工 业 学 院 学 报 第25卷。

磁约束磁控溅射源工作特性及沉积速率的分析

磁约束磁控溅射源工作特性及沉积速率的分析

磁 约 束 磁 控 溅 射 源 工 作 特 性 及 沉 积 速 率 的 分 析
尔 谦 ,潘 婷 ,袁 渊 明
( 安 工 业 大 学 陕 互省 薄膜 技 术 与 光 学 检 测 重 点 实 验 室 , 安 7 0 3 ) 西 西 10 2

要 : 为 了提 高靶材 的利 用率 , 将磁 约束原 理应 用于磁 控 溅射 技 术 中. 用直流 矩 形 平 面 采
2 1 溅射 源伏安特 性测试 .
的密 度增加 , 正负 离 子增 加 , 体放 电的等 效 电 阻 气 减小 , 故靶 电流增大 , 当氩气 流量 继续增 大的时候 , 工作气 体被击 穿 , 电流达 到最大值 . 反之 , 当气体流
当磁约束磁 控溅射 源接通 电源后 , 在恒功率模
式下 , 初 随着 电压 的增 加 , 起 电流变化不 大 , 当电压 达 到 5 0V 以后 , 0 磁控 溅射 靶 源产 生 辉光 放 电, 其 后 随放 电 电压 的 增加 电 流 缓慢 增 加 , 光 稳定 增 辉
中图号 : 0 8 . 4 44 文献标 志码 : A
磁 控溅 射 已经 发展 成 为 工业 镀 膜 行 业 中最 主 要 的技术 之一 , 被广 泛应用 于力 学 、 学 、 且 光 电学等 各种 功能 材料薄 膜 的制 备 中. 在批 量镄膜 生产 中较 为关 注靶 材利用 率 、 层 均 匀性 、 积 速 率 以及 沉 膜 沉 积溅 射 的稳 定 性 等方 面 的问 题口 ] 磁 控溅 射 沉 积 . 薄 膜技术 , 仍然 存 在很 多 问 题. 理想 的磁 感 应强 度 应 该是 在整个靶 面均 匀分 布 , 应该 尽量增 强靶 面水
图 1 磁 约 束 磁 控 溅 射 原 理 图

磁控溅射中频电源仿真研究

磁控溅射中频电源仿真研究

磁控溅射中频电源仿真研究陈文光1 2 何怡刚2 肖金凤1(1.南华大学9湖南衡阳42100132.湖南大学9湖南长沙410082)The S i mul ati on Research on M edi u m f re C uenc y Po Wer Su pp l y f or M a g netr on S p utt eri n gCHEN W en g uan g1929HE Y ig an g 29X I AO ji n fen g 1(1.Nanhua Uni versit y 9Hen gy an g 4210019Chi na 32.Hunan Uni versit y 9Chan g sha 4100829Chi na )摘要2磁控溅射中频电源及其辉光放电负载是一个典型的强非线性时变系统9对该系统建模并求其解析解是相当困难的 使用S i muli nk 对磁控溅射中频电源建模9对电源工作时各种工况下输出电流波形进行了研究9研究表明9这种仿真方法对电源系统设计有效9可以推广应用关键词 磁控溅射 电源 脉宽调制 仿真中图分类号 TP312文献标识码 A 文章编号 10012257 2005 03006903收稿日期 20050107Abstract The m edi u m f re C uenc y p o Wer su p -p l y f or m a g netr on s p utt eri n g and its arci n g di s-char g e l oad are a t yp i cal str on g nonli near ti m e va-r y i n g s y st e m so it i s diffi cult t o set u p a m at he m at-i c model and sol ve t he anal y ti cal sol uti on .in t hi s p a p er a p o Wer su pp l y model f or m a g netr on s p utt e-ri n g i s set u p b y usi n g S i muli nk t he out p ut current Wavef or m s of si mul ati on p o Wer su pp l y model are researched Wor ki n g i n diff erent conditi on .it p r oves t hat t he si mul ati on m et hod i s usef ul f or desi g ni n gp o Wer su pp l y Whi ch i s Wort h y s p readi n g and a p -p l y i n g .Ke y words m a g netr on s p utt eri n g p o Wer su p -p l y P WM si mul ati on0引言磁控溅射中频电源是交流磁控溅射技术中关键的设备 由磁控溅射启动及工作过程分析可知 溅射电源负载特性相当复杂 1是一个强非线性时变系统 为了使电源性能达到预定要求 设计 试制和调试电源需反复进行 且成本较高 实际调试时有的工作状况很难及时呈现 所以需借助仿真技术来优化设计 缩短设计 开发 实验周期 目前对于电源设计仿真的研究方法主要有5种 小信号分析 离散时域仿真方法 等效电路法 拉普拉斯变换法和周期时间序列分析法 2这些仿真方法和求解过程复杂要求仿真者有较强的计算机应用能力 为提高工作效率 一般设计人员选择专用的电路仿真软件 本设计利用S i muli nk 中的工具箱 采用电气结构连接方式来研究磁控溅射中频电源1磁控溅射中频电源的方案磁控溅射中频电源是一个AC -DC -AC 电能变换装置 输出频率为40k HZ 电压为几百伏的交流电 一般由整流电路 逆变电路 控制电路 保护电路和辅助装置等部分组成 3首先将380V 的三相交流电整流得到脉动直流 经滤波得到平滑的直流变换器采用单相全桥逆变器 功率开关器件选用i GBT 谐振电路采用电感串联电容 再与电容并联的结构形式 以下简称LCC 最后将高频变压器接至并联的电容器两端 变压器次级接磁控溅射靶极 控制电路采用脉宽调制电路 P WM TL494完成 调节器为Pi 调节 采用阻抗法阈值比较灭弧电路 当电路输出电流过大 输出电压过高或逆变器桥臂过流等情况发生时 启动保护电路切断P WM 的输出信号2基于S i muli nk 的仿真模型2.1P WM 控制电路建模仿真P WM 控制电路使用TL494集成电路 其内部结构包含以下几个部分 三角波发生器 P WM 比较器 死区时间控制和二分频电路及输出电路 4利用S i muli nk 建立仿真模型如图1所示 由于TL49496 机械与电子 2005 3图1TL494电路仿真模型经二分频电路后输出的驱动信号频率为40k HZ 其三角波发生器的频率为80k HZ 而三角波发生器输出的三角波送入P WM 比较器的典型幅值为3.3V 由一个常数在振荡周期内积分得到 所以得到输入常数Const ant 为2.65 105V图3逆变器仿真模块输入端口in1为来自Pi 控制器电压信号 输入常数Const ant 1为死区控制时间 一般取-0.12V 两者求和后得到调制电压信号 求和模块su m 将调制电压和三角波求和 若三角波的幅值大于输入的调制电压 则输出为负值 开关设置为过零比较器 输出结果为1 反之为正 这样就完成了P WM 调制 然后利用或门-非门将P WM 信号与80k HZ 二分频振荡频率信号进行逻辑运算 得到相位相反 占空比随反馈信号可调的两路逆变器驱动信号 这里占空比为50 -频率为40k HZ 的矩形波 在实际电路中来自D 触发器将80k HZ 频率二分频 仿真时也可以用D 触发器替代 仿真算法必须设置为定步长算法 但考虑到电源系统为刚性系统 仿真要采用变步长算法 所以用40k HZ 矩形波发生器取代80k HZ 矩形波的二分频 效果是一样的2.2PI 调节建模利用S i muli nk 建立的仿真模型如图2所示 其中Iref为参考电流 If eedback为反馈电流信号 输出信号接至P WM 电路图2Pi 调节电路及仿真模型2.3逆变器建模仿真逆变器的仿真模型如图3所示 4个功率开关器件采用i GBT 谐振电路采用LCC 电路 实际电路为高频升压隔离变压器接至图中R 2处 变比为2 为了仿真负载电阻的变化 图中增加了一个断路器用来仿真负载阻抗的变化 设计时根据实际情况令额定阻抗为5O 谐振电路的参数设计参考文献 51和 61 最终取L =10卜H C 1=1.6卜 L 1 30卜H C 2 0.82卜 此时可以实现零电流开关 输出电流的恒流度小于102.4电流反馈采样电路建模磁控溅射电源进行溅射镀膜时需要膜层均匀 这就要求电源输出电流保持恒定 电源设计时一方面优化谐振LCC 电路参数设计 另一方面将反馈信号取自输出电流 电流反馈采样电路建模如图4所示 其中使用可控电压源代替将反馈电流变换成电压信号 控制信号为输出电流的几分之一 实际电路-07-<机械与电子>2005(3)为在电流互感器的次级并联一个电阻 将部分输出电流变换成电压信号0L f ~C f 和R f 的设计按照允许的最大输出电压纹波和开关频率设计0图4电流信号采样模块3系统仿真及结果根据上面的仿真模块制成子电路模块 然后将各模块按图5所示的结构搭接起来 并令逆变器的图5系统仿真输入直流电压V DC 为510V 电流传感器的变比为1 100 电流信号采样模块的平波电感为5mH 电容为1卜 电阻为40O 0Pi 模块的K P 12.5 K i 450饱和模块的范围为[0 3.3]0模拟负载电阻变化时刻为5 10-4s 大小由3.5O 变成2.5O 0仿真结果如图6所示0图6系统仿真波形模拟逆变器输入直流电压从510V 降为360V时电源调节过程的仿真结果如图7所示0从图6d 可知当负载阻抗在5 10-4s 时刻从3.5O 变为2.5O 时 输出电流变化极小 恒流度在5 内0从图7c 看出当输入的直流电压从510V 变化为360V 时图7输入直流电压变化的仿真波形电源能在极短时间内调整好 恒流度在7 说明电源系统选择的拓扑结构正确可行 设计参数正确04结束语根据上面的仿真步骤可以知道 计算机仿真是一种低成本的实验手段 S i muli nk 用于电源仿真将减轻电路设计者的劳动强度 特别是利用其中的S i mPo Wer S y st e m s 工具箱 设计者不需要推导系统的动态数学模型 只需从元件库中复制所需的电气元件 按电气结构进行连接 系统的建模过程接近实际系统的搭接过程 且元件库中的电气元件能较全面地反映相应实际元件的电气特性 仿真结果可信度高 可利用仿真中的参数指导实际实验0参考文献:[1]佟玉鹏 李云奇 王振强.真空溅射镀膜专用直流电源[J ].真空 1997 (5):32-35.[2]陆治国.电源的计算机仿真技术[M ].北京:科学出版社 2001.[3]陈文光.脉冲溅射电源设计[J ].新技术新工艺 2004 (4):9-11.[4]On S e m iconduct or .SW itch mode p ulse W i dt h modul ati oncontr ol circuit [OB EL ].htt p : onse m i .co m 20040710.[5]M ari n K.KaZi m i ercZuk Nandaku m ar Thir unara y an Shan W an g .Anal y sis of S eri es Parall el ResonantConverter [J ].i EEE T ransacti ons on A er os p ace and E lectr onic S y ste m s 1993 29(1):88-99.[6]王汝文 姚建军 姚晓莉 等.零电流开关电流源谐振逆变器拓扑和参数计算[J ].电工电能新技术 2001 (3):14-18.作者简介:陈文光(1968-) 男 湖南茶陵人 南华大学副教授 湖南大学硕士研究生 主要从事电子技术教学和应用研究工作9何怡刚(1966-) 男 湖南邵阳人 湖南大学教授 博士研究生导师0*17*<机械与电子>2005(3)。

磁控溅射淀积速率影响因素及最佳工艺参数研究_董西英

磁控溅射淀积速率影响因素及最佳工艺参数研究_董西英
图4 磁控溅射淀积膜厚与时间的关系图
间与淀积膜厚即淀积速率和时间的关系。TiW靶是最常用的 阻挡,保护层金属和其它金属粘附性能良好,比较便宜。另一 靶材为有着优越的电性能Pt靶。实验结果为图4:
从图4可以看出,在溅射功率不变的情况下,淀积膜厚与 时间成正比,磁控溅射的淀积速率是定值,TiW靶的淀积速率 是19.25 nm/min,Pt靶的淀积速率是14.95 nm/min。这主要 是因为溅射产额和时间无关,是个常数,所以随着时间的延 长,溅射出的原子数不断沉积,膜厚直线增加。TiW靶的淀积 速率比Pt靶的淀积速率高。主要是因为Pt靶阈值电压较高。
无线互联科技 37
·实验研究
可以看出,当入射离子的能量大于某一值(溅射阈值)时,才 有靶材原子被溅射出来,阈值能量一般为20~100eV。当溅射 阈值<入射离子的能量<150eV时,溅射产额随入射离子的 能量成平方关系增加。当入射离子的能量为150eV~10keV时, 溅射产额变化平稳,并达到一个最大值。当入射离子的能量 超过10 keV 时,溅射产额开始随入射离子的能量增加而下 降[2 ,4 ,5 ,6]。因为能量大的离子有机会产生“离子植入”[6]的现 象。
γ将增大。电流密度jo与(1+γ)成正比,与阴极位降区厚度dc 成反比,与阴极位降vc的平方成正比。因此当γ增大,dc减小 时,电流密度jo增大,放电加强,溅射能力增强,沉积速率就会 增大。但Ar气流量过大时,溅射粒子与Ar气碰撞次数大大增 多,粒子能量在碰撞过程中大大损失,致使溅射粒子达不到 基片或无力冲破气体吸附层,于是便不能形成薄膜,或虽然 勉强冲破气体吸附层,但与基片的吸附能却很小,因此沉积 速率降低。
设备适用于150 m m的硅片,托盘载片盘一次装150 m m 硅晶圆6 片,托盘装载硅片转动,转速为10转/分。溅射仪在液氮冷却 下, 真空室真空可达10-8torr数量级。实验所用Ar气纯度在 99.999%以上,冷却水温度在20℃以下,冷却时间为10分钟。

高频射频电源在磁控溅射工艺中的应用研究

高频射频电源在磁控溅射工艺中的应用研究

高频射频电源在磁控溅射工艺中的应用研究引言磁控溅射工艺是一种常见的薄膜沉积技术,广泛应用于不同领域的薄膜制备。

高频射频电源作为磁控溅射工艺的主要能量源,对薄膜的制备过程和性能具有重要影响。

本文将探讨高频射频电源在磁控溅射工艺中的应用研究,并分析其对薄膜制备过程和性能的影响。

一、磁控溅射工艺概述磁控溅射工艺是一种利用高能量带电粒子轰击靶材以产生薄膜的方法。

该工艺通过将靶材置于真空腔体内,使用气体放电产生的等离子体加速带电粒子,使其通过磁场控制的区域,然后撞击到靶材表面,使靶材的原子或分子脱落并沉积在基底上形成薄膜。

磁控溅射工艺具有成本低、工艺稳定等特点,广泛应用于光电子、化工、航空航天等领域。

二、高频射频电源介绍高频射频电源是磁控溅射工艺中的主要能量源,用于产生等离子体和控制离子束的能量。

高频射频电源的工作频率通常在13.56MHz左右,是薄膜制备中最常用的频率。

高频射频电源通过电磁场的耦合和能量传递,使得气体在腔体内产生放电等离子体,进而形成能量高、温度均匀分布的离子束。

在磁控溅射工艺中,高频射频电源的电流密度、功率密度和频率等参数对薄膜沉积速率、晶体结构和物理性能等具有重要影响。

三、高频射频电源的影响因素1. 电流密度高频射频电源的电流密度是影响溅射过程的重要参数之一。

适当的电流密度可以提供足够的能量,使得靶材表面的原子或分子脱落并沉积在基底上。

过低的电流密度会导致薄膜沉积速率低下,而过高的电流密度则可能造成靶材的过热和烧毁。

因此,选择合适的电流密度对于薄膜的制备至关重要。

2. 功率密度高频射频电源的功率密度是指单位面积上的能量输出量。

适当的功率密度可以提供充足的能量,加热离子束并提高薄膜沉积速率。

过低的功率密度会导致薄膜的致密性不足,而过高的功率密度则容易引起溅射过程中的局部过热和脱落不均匀。

因此,选择适当的功率密度是保证薄膜质量的关键因素。

3. 频率高频射频电源的频率直接影响到等离子体的产生和能量传递过程。

电场环境对磁控溅射纯Cr薄膜沉积过程的影响

电场环境对磁控溅射纯Cr薄膜沉积过程的影响
有 限公 司生 产 的 金 属 C 靶 , 材 纯 度 9 . 5 。 试 样 r 靶 9 9
1 引 言
工程 材料 的纳米化 、 晶化为 材料 界 的不懈 追 求 , 非
近年 来 以 化 学 气 相 沉 积 和 物 理 气 相 沉 积 ( VD 和 C P VD) 为基础 的各种 薄膜 制备技术 得 到 了蓬 勃 的发展 , 现如今 具有特 定功 能 的薄膜材料 已在 材料 表 面工 程 的
溅 射 离 子 镀 技 术 在 工 程 材 料 的 纳 米 化 和 非 晶 化 进 程 中
射 离子 镀技 术在 工程材 料纳 米化 和非 晶化进 程 中应 有 的功能 , 以期 为 纳米 薄 膜 材 料 的研 发及 其 制 各 技术 的
创新 提供 参考 依据 。
应 有的功 能 , 以期 为 纳米 材料 的研 发 及其 制 备 技 术 的 创新提 供参 考依据 。 关键词 : 电场环境 ; 磁控 溅射 ; C 薄膜 ; 观结构 纯 r 微
和溅 射粒 子输 运 、 积过 程 的影 响 , 沉 归纳 电场 环境对 磁 控溅 射纯 C 薄膜 沉积过 程 的影响规 律 , 讨 了磁控 溅 r 探
研 究对 象 , 分析 了电场 环境对 纯 c r薄膜微观 组 织 结构
的影 响规律 ; 结合 溅 射 沉 积和 薄 膜 生 长原 理 揭 示 了电 场环境 对纯 C r薄膜沉 积过程 的 内在 机理 ; 讨 了磁 控 探


21年 1 4) 00 第1期(1 卷
电场环 境 对 磁 控 溅 射 纯 C 薄 膜 沉 积 过 程 的 影 响 r
李 洪涛 , 百 灵 , 蒋 杨 波 , 杨 洪 付
( 西安 理工 大学 材料 学 院 , 陕西 西 安 7 0 4 ) 1 0 8

磁控溅射溅射功率的影响

磁控溅射溅射功率的影响

磁控溅射溅射功率的影响
磁控溅射是一种常见的薄膜沉积技术,用于在材料表面沉积薄膜。

在这个过程中,溅射功率是一个非常重要的参数,它直接影响
着薄膜的质量、厚度和均匀性。

溅射功率的大小会对薄膜的形成方
式和性能产生重要影响。

首先,溅射功率的大小直接影响着溅射过程中靶材表面的原子
或分子的流出速率。

当溅射功率增加时,靶材表面的溅射速率也会
增加,从而使得沉积薄膜的速率增加。

这会导致薄膜的厚度增加,
同时也可能影响薄膜的结晶度和晶粒大小。

其次,溅射功率的大小还会影响薄膜的成分和化学状态。

在溅
射过程中,靶材表面的原子或分子被加速并击打到基底表面上,形
成薄膜。

溅射功率的大小会影响溅射过程中原子或分子的动能,从
而影响它们在基底表面上的扩散和结合方式。

因此,溅射功率的变
化可能会导致薄膜成分的改变,甚至影响薄膜的化学稳定性。

此外,溅射功率的大小还会对薄膜的微观结构和性能产生影响。

通过控制溅射功率,可以调节薄膜的晶粒大小、晶界密度和内部应
力等微观结构参数,从而影响薄膜的力学、光学和电学性能。

综上所述,磁控溅射功率的大小对薄膜的形成过程和性能具有重要影响。

因此,在实际应用中,需要对溅射功率进行精确控制,以获得所需的薄膜质量和性能。

同时,也需要深入研究溅射功率对薄膜形成过程和性能的影响机制,为薄膜沉积技术的进一步发展提供理论指导和技术支持。

高气压磁控溅射中较高功率对沉积速率的影响

高气压磁控溅射中较高功率对沉积速率的影响

高气压磁控溅射中较高功率对沉积速率的影响作者:高源来源:《科技资讯》 2013年第21期高源(河南师范大学物理与电子工程学院河南新乡 453007)摘要:本文拟研究在磁控溅射中,在高气压、高溅射功率范围内,不同的溅射功率对沉积速率的影响。

实验采用磁控溅射法制备锌薄膜,应用控制变量法,在其它条件相同的条件下,对于70~200W的6个不同的溅射功率,制备6个锌薄膜,然后分别测其膜厚,并算出沉积速率。

本文经过分析,得出在高气压、高溅射功率范围内,随溅射功率增加沉积速率变小,并且两者呈线性关系的结论。

关键词:磁控溅射高气压高溅射功率沉积速率线性回归中图分类号:TG174 文献标识码:A 文章编号:1672-3791(2013)07(c)-0126-01磁控溅射法是被广泛应用的成熟的制膜技术,溅射功率和气体压强(即Ar气压强)是其最为重要的两个参数。

对于溅射功率对沉积速率的影响,许多文献都指出,随着溅射功率的增加,沉积速率会增加,且两者成良好的线性关系,例如下图1(0.2 Pa下制备Bi薄膜的数据)。

但是这些实验都只涉及了较低的溅射功率,且实验时气压较低。

学界的一个已有结论是,在其它条件相同时,随着气压的增高,沉积速率将呈现先增加后减少的趋势,峰值大约出现在0.2 Pa~ 0.5 Pa之间。

较高的气压导致沉积速率降低的原因是:第一,随着Ar气分子的增多,溅射原子与Ar气分子的碰撞次数大量增加,这导致溅射原子能量在碰撞过程中大大损失,致使粒子到达基片的数量减少,沉积速率下降。

第二,由于气体分子平均自由程减小,溅射原子的背反射和受气体分子散射的几率增大。

[2]可见高气压的实验条件是较为特殊的。

那么,当溅射功率较高时,尤其是同时溅射气压也较高时,溅射功率与沉积速率的关系是怎样的呢?本文拟就在高气压高溅射功率范围内,溅射功率对沉积速率的影响做些探讨。

锌是一种重要的金属,在功能薄膜材料中经常被使用,如铜锌锡硫光伏薄膜,氧化锌磁性薄膜、铌锌酸锶钡微波介质陶瓷薄膜等。

中频磁控溅射沉积金属薄膜技术的研究进展

中频磁控溅射沉积金属薄膜技术的研究进展

中频磁控溅射沉积金属薄膜技术的研究进展作者:林翊楠1 张天昊黄基智杨富国来源:《科技风》2024年第14期摘要:中频磁控溅射沉积金属薄膜是真空镀膜技术中最常用的技术之一,目前在科学研究及工业生产中都得到了长足发展。

但是在沉积金属薄膜过程中的工艺参数如中频电流、脉冲负偏压、沉积时间等对薄膜结构及性能的影响多分散于不同的文献中,不利于对这些参数的认识与深入理解。

本文综述了中频磁控溅射沉积金属薄膜中工艺参数的作用,通过对沉积薄膜过程中工艺参数的总结,可加深这些参数对薄膜结构及性能影响规律的理解,促进真空镀膜技术的工艺开发及技术进步。

关键词:中频磁控溅射;金属薄膜;研究进展磁控溅射是指物体以离子撞击时,被溅射飞散出来,溅射飞散的物体附着于目标基体上而制成薄膜,如日光灯的电极被溅射出而附著于周围所形成溅镀现象。

在中频反应溅射中,当靶上所加的电压处于负半周时,靶面被正离子溅射;而在正半周时,等离子体中的电子被加速到靶面,中和了靶面上积累的正电荷,从而抑制了打火。

但在确定的工作场强下,频率越高,等离子体中正离子被加速的时间越短,正电场从外电场吸收的能量越少,轰击靶的正离子能量越低,靶的溅射速率也降低。

由于溅射电压的频率范围处于10~80KHz范围,因此又叫中频溅射。

中频溅射常用于溅射两个靶,通常为并排的两个靶,尺寸和外形全部相同,因此这两个靶常称为孪生靶。

本文综述了中频磁控溅射沉积金属薄膜中工艺参数的作用,以加深对这些参数对薄膜结构及性能影响规律的理解,促进真空镀膜技术的工艺开发及技术进步。

1中频磁控溅射沉积金属薄膜技术的研究进展在复杂环境下,玻璃存在致密性不理想、不耐腐蚀的问题,为了解决上述问题,在玻璃表面上,高毅[1]等制备了纯锆镀层和氮化锆镀层,采用中频磁控溅射沉积技术,研究了镀层的微观形貌随沉积温度变化的情况,以及沉积温度对镀层粗糙度和纳米压痕硬度的影响。

结果表明:膜层硬度随沉积温度升高反而下降,锆膜/氮化锆膜中晶粒尺寸随沉积温度升高而增大;膜层致密性随沉积温度升高而提高,这是由于沉积温度升高,氮化锆晶粒间隙变小。

电场环境对磁控溅射纯Cr薄膜沉积过程的影响

电场环境对磁控溅射纯Cr薄膜沉积过程的影响

电场环境对磁控溅射纯Cr薄膜沉积过程的影响
李洪涛;蒋百灵;杨波;付杨洪
【期刊名称】《功能材料》
【年(卷),期】2010(041)011
【摘要】基于磁控溅射离子镀技术,以纯Cr薄膜为研究对象,分析了电场环境对纯Cr薄膜微观组织结构的影响规律;结合溅射沉积和薄膜生长原理揭示了电场环境对纯Cr薄膜沉积过程的内在机理;探讨了磁控溅射离子镀技术在工程材料的纳米化和非晶化进程中应有的功能,以期为纳米材料的研发及其制备技术的创新提供参考依据.
【总页数】5页(P2006-2009,2013)
【作者】李洪涛;蒋百灵;杨波;付杨洪
【作者单位】西安理工大学,材料学院,陕西,西安,710048;西安理工大学,材料学院,陕西,西安,710048;西安理工大学,材料学院,陕西,西安,710048;西安理工大学,材料学院,陕西,西安,710048
【正文语种】中文
【中图分类】TB43
【相关文献】
1.偏压对磁控溅射纯Cr镀层组织形貌及耐腐蚀性能的影响 [J], 李洪涛;蒋百灵;曹政;陈雪;乔泳彭
2.基于磁控溅射离子镀技术的不同晶态纯Cr薄膜微观组织结构研究 [J], 李洪涛;
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电源工作模式对中频磁控溅射沉积速率的影响研究

电源工作模式对中频磁控溅射沉积速率的影响研究

电源工作模式对中频磁控溅射沉积速率的影响研究沉积速率是衡量磁控溅射镀膜设备性能的关键指标,它的大小不但影响制备薄膜的效率而且直接影响薄膜的许多性能,如薄膜应力[1]、电阻率[1]、折射[2]表面形貌[2]等。

磁控溅射的沉积速率与靶功率[2,3,4]、工作气压[3,4]、靶基距[3,5]、靶材材质、工件运动状态等许多因素有关。

在磁控溅射过程中,由于送气流量和抽气速度等在长时间工作情况下不可避免地存在一定的波动而引起负载发生漂移,为了保证镀膜稳定的进行和镀膜工艺的重复性,通常利用磁控溅射电源的内部电路实现电压、电流或功率的稳恒输出。

因此通常的磁控溅射电源为恒压、恒流或恒功率工作模式。

由于磁控溅射在不同的电源工作模式下电源保持稳恒输出量不同,所以不同的工作模式下电参数的调节只能分别依据保持稳定的电压、电流或功率,其他的只能做为参考。

因此有必要研究不同工作模式下沉积速率与被稳定的电参数的对应变化关系,以及气压等工作条件变化时沉积速率的变化情况,为从沉积速率方面考虑,确定需要那种电源工作模式提供参考依据。

本文采用中频孪生钛靶磁控溅射装置,以磁控溅射沉积钛薄膜为例,对不同电源工作模式下沉积速率与电源电压、功率和电流的关系,工作气压、频率占空比改变时沉积速率的变化进行了研究。

1实验图1为实验所用的中频孪生靶磁控溅射装置示意图。

从电的方面考虑,中频电源相当于可以调节的恒压、恒流、或恒功率源,具体是哪种源由选择的工作模式决定;孪生靶可等效为可变电阻与可变电容的并联,这个电阻主要受到气压及孪生靶温度的影响,变化范围比较大,电容也受到工作气压的影响,但变化很小,可以认为恒定不变;此外,连接电源与孪生靶的导线也是有一定电阻的,且也受到自身温度的影响,但由于该电阻比较小,且变化范围也很小可忽略不计,它们统称为孪生靶电阻。

图1中频孪生靶磁控溅射装置示意意图装置中,孪生靶靶面长度1800 mm,单靶靶面宽度90 mm,采用循环水间冷方式冷却;孪生靶靶材为高纯钛,以氩气为工作气体;中频电源为成都普斯特电气有限责任公司生产的MSB-50型中频磁控溅射电源,有恒压、恒流、恒功率三种工作模式,频率在20~40 kHz、占空比在20%~70%之间连续可调节;晶振仪即薄膜镀层控制仪的简称,是INFICON公司生产的,型号为XTC/C,其探头安装在距离孪生靶靶面中心垂直距离100 mm的位置,从而实现沉积速率的实时测量。

采用中频反应磁控溅射技术沉积氮化锆薄膜

采用中频反应磁控溅射技术沉积氮化锆薄膜
图 5 反应磁控溅射中的迟滞回线[8] Fig. 5 Hysteresis loop in reactive magnetron sputtering
为了得到较高的溅射产额 ,解决靶中毒和打火问 题 ,采用中频电源替代直流电源 ,孪生对靶替代单靶 。 当靶上所加的电压处于负半周时 ,靶面被正离子轰击 溅射 ,在靶材被溅射的同时 ,正离子在靶面上积累下 来 ;而在正半周时 ,等离子体中的电子被加速到达靶 面 ,中和了靶面上绝缘层上累积的正电荷 ,从而抑制 了打火 。图 6 为中频孪生对靶溅射的示意图 。通常 对置安装的两个靶的尺寸与外形完全相同 ,因此这两 个靶也常称为孪生靶 。孪生靶采用独立的电源供电 , 在溅射过程中 ,两个靶周期性轮流作为阴极与阳极 , 既抑制了靶面打火 ,又消除了普通直流反应磁控溅射 中的“阳极消失”现象 ,使溅射过程得以稳定地进行 。
近年来 ,由于 ZrN 薄膜具有低亮度的金黄色以及 较好的化学结构稳定性 ,比氮化钛还好的耐蚀性 ,较 高的硬度和耐磨性 ,已在建筑装饰 、家电 、手表 、首饰 和手机等领域得到广泛应用 ,从而成为装饰镀膜行业 高度重视的研究对象 。目前国内外文献已经对氮化 锆薄膜的研究[123] 作过相关报道 ,不过大多数仅限于 直流反应磁控溅射的小型研究设备沉积 ZrN 薄膜 。 由于直流反应磁控溅射中存在迟滞效应 ,如何既能在 保证靶面处于接近金属模式的溅射状态下维持高的 溅射效率 ,又能在基体上获得合适化学配比的氮化锆 薄膜并有较高的沉积速率 ,是直流反应磁控溅射中需
图 2 不锈钢基体上的氮化锆薄膜 Fig. 2 ZrN film on the surface of stainless steel
图 4 氮化锆薄膜成分的俄歇深度剖析图 Fig. 4 Depth profiles of ZrN
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电源工作模式对中频磁控溅射沉积速率的影响研究沉积速率是衡量磁控溅射镀膜设备性能的关键指标,它的大小不但影响制备薄膜的效率而且直接影响薄膜的许多性能,如薄膜应力[1]、电阻率[1]、折射[2]表面形貌[2]等。

磁控溅射的沉积速率与靶功率[2,3,4]、工作气压[3,4]、靶基距[3,5]、靶材材质、工件运动状态等许多因素有关。

在磁控溅射过程中,由于送气流量和抽气速度等在长时间工作情况下不可避免地存在一定的波动而引起负载发生漂移,为了保证镀膜稳定的进行和镀膜工艺的重复性,通常利用磁控溅射电源的内部电路实现电压、电流或功率的稳恒输出。

因此通常的磁控溅射电源为恒压、恒流或恒功率工作模式。

由于磁控溅射在不同的电源工作模式下电源保持稳恒输出量不同,所以不同的工作模式下电参数的调节只能分别依据保持稳定的电压、电流或功率,其他的只能做为参考。

因此有必要研究不同工作模式下沉积速率与被稳定的电参数的对应变化关系,以及气压等工作条件变化时沉积速率的变化情况,为从沉积速率方面考虑,确定需要那种电源工作模式提供参考依据。

本文采用中频孪生钛靶磁控溅射装置,以磁控溅射沉积钛薄膜为例,对不同电源工作模式下沉积速率与电源电压、功率和电流的关系,工作气压、频率占空比改变时沉积速率的变化进行了研究。

1实验图1为实验所用的中频孪生靶磁控溅射装置示意图。

从电的方面考虑,中频电源相当于可以调节的恒压、恒流、或恒功率源,具体是哪种源由选择的工作模式决定;孪生靶可等效为可变电阻与可变电容的并联,这个电阻主要受到气压及孪生靶温度的影响,变化范围比较大,电容也受到工作气压的影响,但变化很小,可以认为恒定不变;此外,连接电源与孪生靶的导线也是有一定电阻的,且也受到自身温度的影响,但由于该电阻比较小,且变化范围也很小可忽略不计,它们统称为孪生靶电阻。

图1中频孪生靶磁控溅射装置示意意图装置中,孪生靶靶面长度1800 mm,单靶靶面宽度90 mm,采用循环水间冷方式冷却;孪生靶靶材为高纯钛,以氩气为工作气体;中频电源为成都普斯特电气有限责任公司生产的MSB-50型中频磁控溅射电源,有恒压、恒流、恒功率三种工作模式,频率在20~40 kHz、占空比在20%~70%之间连续可调节;晶振仪即薄膜镀层控制仪的简称,是INFICON公司生产的,型号为XTC/C,其探头安装在距离孪生靶靶面中心垂直距离100 mm的位置,从而实现沉积速率的实时测量。

2结果与讨论2.1恒压工作模式下的沉积速率恒压工作模式下,电源以设定的电压值为目标,通过调节内部电路输出恒定的电压。

为了确定恒压工作模式下沉积速率与电源参数的关系,在恒压模式下,固定频率为35 kHz、占空比为70%,分别实验0.33 Pa、0.44 Pa、0.61Pa气压下,沉积速率和电压的关系。

实验中发现,恒压工作模式下,在开始的几分钟内,沉积速率不是稳定为某一个确定的值,而是随着溅射时间逐渐稳定。

进一步实验发现,如果是增加电压到某一个值,则沉积速率会先上升,然后逐渐稍微下降;如果是减小电压到某一个值,沉积速率会先下降,然后逐渐稍微上升。

据此推测,可能是孪生靶温度变化导致电阻变化引起的。

电压升高时功率增大,孪生靶温度升高,电阻就变大,消耗的用来发热的电能相对热稳定前就多,热稳定后比热稳定前沉积速率就低了;反之则相反,沉积速率比热稳定前高。

所以,实验是在热稳定后记录的沉积速率的值,实验结果如图2所示。

图2恒压模式下沉积速率和电压的关系从图2可以看出,在不同的工作气压下,沉积速率和电压有相似但不同的对应关系:曲线形状相似,沉积速率和电压对应大小不一样。

随着气压的升高,相同电压下对应的沉积速率也升高,这可能是在相同的电压下,随着气压的增加,电离的氩离子增加,即轰击靶材的离子增加导致轰击出的靶材离子也增加的原因。

2.2恒功率工作模式下的沉积速率恒功率工作模式下,电源以设定的功率值为目标,通过内部电路随时调节输出电压,实现恒定的功率输出。

在恒功率模式下,仍固定频率为35 kHz、占空比为70%,分别实验了0.26 Pa、0.38Pa、0.45 Pa气压下沉积速率和功率的关系。

在恒功率实验中同样发现了类似恒压实验中的沉积速率变化现象,但是,该工作模式下沉积速率的变化比恒压工作模式下的要小一些。

可能原因是,恒压模式下,电压不变,电阻变化引起的电流变化比较大,电源输出功率就改变了。

电源输出功率改变和发热消耗功率的改变双重作用,使得真正用来溅射的功率改变比较大,沉积速率变化就比较大。

而恒功率模式下功率不变,只是用来发热的功率改变了,相对总功率也要变化的恒压模式,沉积速率变化就小了。

因此,实验中记录的沉积速率是在稳定时的值,实验结果如图3所示。

从图3可以看出,恒功率工作模式下,不同的气压,相同的功率对应的沉积速率变化很小,沉积速率和功率有近似的线性关系,但是,这个线性关系是不严格的,随着功率的增加,单位功率增加的沉积速率逐渐减小。

造成这种现象的原因可能是随着功率增加靶的温度也逐渐升高,靶的电阻就变大,其发热消耗的功率就会变大。

这增加的溅射功率比增加的总功率要小一些,由于电源稳定的是总功率,所以随着功率增大单位功率增加的沉积速率减小。

不同气压相同功率下沉积速率变化不大的可能原因是:相同的功率时,气压越低电流越小,氩离子就越少,即轰击靶材的离子减少;但同时气压越低电压越大,氩离子能量就越大,相同数量的氩离子溅射出的靶材粒子就越多即溅射系数就越大。

这样,恒功率模式下,在所实验的气压范围内,气压变化时氩离子密度的变化和其溅射系数的变化两方面的影响使得相同功率不同气压下的沉积速率变化很小。

图3恒功率模式下沉积速率和功率的关系2.3恒流工作模式下的沉积速率恒流工作模式下,电源以设定的电流值为目标,通过内部电路随时调节输出电流,实现恒定的电流输出。

恒流模式下,频率为35 kHz、占空比为70%时,分别实验了气压为0.27 Pa、0.37 Pa、0.49 Pa时沉积速率和电流的关系。

与恒压、恒功率不同的是,在恒流的实验中没有发现沉积速率在调节电参数过程中有一个稳定过程的现象。

可能原因是,恒流时,电流不变,电阻效应发热消耗的功率的变化由电源的输出补偿了,真正用来溅射的功率没有改变,实验结果如图4所示。

图4恒流工作模式下沉积速率和电流的关系从图4可以看出,恒流工作模式下,在所实验的三种不同工作气压下,沉积速率与电流有很好的线性比例关系,这是很好理解的,因为电反映轰击靶材的氩离子密度。

另外,气压不同时相同电流沉积速率变化很小,只是在电流较大时才能看得出相同电流下气压高时沉积速率略低一些。

可能原因是相同电流下气压低时电压比气压高时要高,导致氩离子溅射系数小。

2.4三种模式下沉积速率随气压的变化从上面的实验中可以发现无论那种模式,沉积速率和工作气压都有关。

为了了解沉积速率与气压的关系,分别实验了三种工作模式下频率为35 kHz、占空比70%、以15 A为基准工作电流,保持各自工作模式下恒定的输出值,即调节气压不调节电源,在不同气压下的沉积速率,实验结果如图5所示。

图5三种模式下沉积速率随气压的变化图5中,在初始的0.28 Pa时,三种模式下沉积速率相同。

事实上,在相同的气压下,电流相同时,电源的其他参数也相同,说明在气压等工作条件稳定时,沉积速率与电源的模式无关。

当气压由0.28 Pa增加到0.44 Pa时,恒流、恒功率模式下沉积速率稍微减小,而恒压模式下明显增大,说明气压不稳定时沉积速率受到的影响与电源的工作模式有关,恒流和恒功率有助于消除气压变化对沉积速率的影响。

从电源的不同工作模式时输出电能的规则分析:恒压模式下电压恒定,电流随着气压的增加而逐渐增大,沉积速率随着电流的增加而增加;恒功率模式下,功率不变,随着气压的升高,电压减小使得氩离子溅射系数减小,电流增大使氩离子密度增加,这两方面共同作用,使沉积速率保持基本不变;恒流模式下,电流恒定,随着气压的升高,电压逐渐下降,这样氩离子溅射系数减小,但由于在所实验的气压范围内影响不是很大,因此沉积速率只是略微下降。

所以从气压变化时沉积速率稳定性方面考虑,恒功率、恒流模式比较好,恒压模式起不到稳定沉积速率的作用。

2.5沉积速率与电源频率、占空比之间的关系由于当气压等工作条件相同时沉积速率大小只与电参数有关,与电源工作模式无关,所以我们可以通过研究一种模式下沉积速率与频率、占空比的关系来了解他们之间的关系。

由于恒流模式下沉积速率稳定性好且沉积速率与电流成线性关系,所以可以选用恒流模式。

为了了解沉积速率与占空比关系,在恒流模式,气压0.37 Pa、频率35 kHz、电流20 A的条件下,实验了沉积速率及电压和占空比的关系,实验结果如图6、图7。

从图6可以看出,20A时,随着占空比的升高,沉积速率逐渐下降。

这主要是因为随着占空比的上升,电压逐渐下降,如图7。

由于氩离子能量和电压有关,电压下降,氩离子能量下降,溅射系数就下降。

溅射系数会直接影响沉积速率,所以沉积速率随着电压的下降而减小,即随着占空比的增大而减小。

电压随着占空比的增加而下降和电源显示电流的方式有关:在这里,电流是平均电流,即一个周期内瞬时电流绝对值的积分除以一个全周期时间。

这样,占空比越高,一个周期内通电的时间越多,脉冲电流就越小,对应的电压也就越小。

为了了解沉积速率与频率关系,在恒流模式,气压0.36 Pa、占空比70%、电流15 A条件下,实验了沉积速率及电压和频率的关系,实验结果如图8、图9。

图8恒流时沉积速率和频率的关系从图8可以看出,沉积速率随着频率的增加而增加,而一般认为,沉积速率应该随着频率的增加而减小[6],因为氩离子能量和频率的平方成反比例关系。

这里,沉积速率的增加是由于频率变化时电压的变化引起的。

从图9可以看到,在恒流15 A时,电压随着频率的升高而升高,由于氩离子能量在与频率的平方成反比关系的同时还和电压的平方成正比例关系,那么氩离子能量的变化就是频率和电压两者共同作用的结果,在所实验的条件下,两者比较最终电压的作用占了优势,就形成了图8中的沉积速率随频率的升高而增加。

电压随频率的升高而升高可能是由电源与孪生靶的工作过程引起的:恒流模式下,一个周期内电源先要击穿工作气体,然后才是正常放电,之后是暂停通电(即占空时间),然后反向进行击穿、放电,电流的读数为一个周期内电流绝对值积分的平均值。

假设频率升高后电压没有变化,则由于击穿的时间没有变化,实际变化的只是正常放电时间在一个周期中的比例变小了,这样平均电流就会变小,所以为了恒定电流,就要升高电压,就形成了电压随着频率的升高而升高的现象。

4结论恒压、恒功率、恒流三种模式下,沉积速率稳定性恒流最好,恒功率次之,恒压最差;当气压不稳定时,恒功率与恒流能够起到稳定沉积速率的作用;恒流模式下,由于占空比升高时电压降低,频率升高时电压升高,所以沉积速率随着占空比的升高而减小,随着频率的升高而增大。

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