模拟电子习题作业
模拟电子技术习题及答案
模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。
1．2 单选题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。
A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。
A．减小 B．基本不变 C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。
A．增大 B．基本不变 C．减小5．变容二极管在电路中主要用作( D )。
、A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器1．3 是非题1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
( √ )2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )3．二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。
( × )4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
( × )1．4 分析计算题1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压UD(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。
模拟电子技术习题答案(1)
模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗（1）杂质浓度，温度（2）呈圆形电中性，呈圆形电中性（3）等同于，大于，变宽，大于，变窄（4）逆向打穿（5）减小，减小，增大（6）左移，下移，加高（7）、发射结，erf（8）一种载流子参予导电，两种载流子参予导电，压控，流控。
〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压uo。
设二极管的导通压降为ud=0.7v。
adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解：（a）uo=ua－ud=－5v－0.7v=－5.7v（b）uo=ub=uc=－5v（c）uo=ua=－0.7v（d）uo=ua=－9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图，未知ui?10sin?t(mv)，e?1.2v，ui电容c和直流电源e对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示，r?100?，谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。
解：id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。
6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解：(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通；5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。
1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中，已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。
模拟电子技术练习题(专升本)
《模拟电子技术》练习题一、填空题1． 在N 型半导体中， 是多数载流子， 是少数载流子。
2． 电路如图1-1所示，设二极管的导通电压U D ＝，则图1-1（a ）中U O ＝ V ，图1-1（b ）中U O ＝ V 。
（a ）（b ）图1-13．图1-2中二极管为理想器件，则VD 1工作在 状态；VD 2工作在 状态；电流 O I mA 。
4．PN 结具有 特性；稳压二极管的稳压区在其伏安特性曲线的 区内。
5．在晶体管放大电路中，测得一晶体管三个管脚1、2和3对地的直流电位分别为U 1 = -5 V ，U 2 = -8 V ，U 3 = V ，则与该晶体管对应的电极是：管脚1为 极，2为 极，3为 极，晶体管为 型（PNP 或NPN ），所用材料为 （硅或锗）。
6. 电压放大电路要求是要有较 的输入电阻和较 的输出电阻。
7． 在由NPN 管构成的基本共射放大电路中，若静态工作点设置得过高，则将产生 失真；乙类功率放大电路的缺点是存在 失真；直接耦合放大电路的最大问题是存在 现象。
8．共射放大电路的输出电压与输入电压的相位 （填“相同”或“相反” ）；共集放大电路的输出电压与输入电压的相位 。
9．射极输出器具有输入电阻 和输出电阻 的特点。
10．为稳定输出电压，应引入 负反馈；为提高输入电阻，应引入 负反馈；当信号源的内阻较大时，为增强负反馈的效果，应引入 负反馈；由集成运I O放构成线性放大电路时，应引入 反馈（填“正反馈”或“负反馈” ）。
11．集成运放有两个工作区，即线性区和非线性区，则图1-3（a ）所示的集成运放工作于 区，图（b ）所示的集成运放工作于 区。
图1-3二、单项选择题（每小题3分，共15分）1．如图2-1所示电路，二极管D 1和D 2的工作状态为（ ）。
A ．D 1截止，D 2导通 B ．D 1导通，D 2截止 C ．D 1和D 2均导通D ．D 1和D 2均截止2．在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9V ，，，则这三个极分别为（ ）。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
《模拟电子技术基础》习题册
第一章：基本放大电路习题1-1 填空：1．本征半导体是，其载流子是和。
载流子的浓度。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
3．漂移电流是在作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是，它的两个主要参数是和。
5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。
它工作在。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。
7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。
8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件。
9．场效应管属于控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是控制型器件。
10．当温度升高时，双极性三极管的β将，反向饱和电流I CEO正向结压降U BE。
11．用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。
12．三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为和；饱和区，偏置为和；截止区，偏置为和。
13．温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。
1-2 设硅稳压管D z1和D z2的稳定电压分别为5V和10V，求图1-2中各电路的输出电压U0，已知稳压管的正向压降为0.7V。
D Z1D Z225VU O1k Ω( )b D Z1D Z225VU O1k Ω( )c ( )d ( )a D Z1D Z225VU O 1k ΩD Z1D Z225VU O1k Ω图1-21-3 分别画出图1-3所示电路的直流通路与交流通路。
( )a ( )b( )c图1-31-5 放大电路如图1-5所示，试选择以下三种情形之一填空。
a ：增大、b ：减小、c ：不变（包括基本不变） 1．要使静态工作电流I c 减小，则R b2应 。
2．R b2在适当范围内增大，则电压放大倍数 ，输入电阻 ，输出电阻 。
模拟电子技术基础习题
10．稳压管工作在伏安特性的__反_向__击_穿__区，在该区内 的反向电流有较大变化，但它两端的电压_基_本__不__变_。
11．理想二极管正向电阻为____0____，反向电阻为 _无__穷__大__，这两种状态相当于一个___开_关___。
二、选择题
1．当晶体管的两个PN结都反偏时，则晶体管处于
(
)。
A.截止状态 B.饱和状态 C.放大状态 D.击穿
2．当晶体管的两个PN结都正偏时，则晶体管处于
(
)。
A.截止状态 B.饱和状态 C.放大状态 D.击穿
3.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别 为6V、5.3V和-6V，则该晶体管的类型为（ ）。
5.当晶体管工作在＿＿放＿大＿区时，IC ≈βIB，条件
是发射极＿＿正＿向＿偏置，集电极＿＿反＿向＿偏置。
6.当晶体管工作在＿＿截＿止＿区时，IC≈0；条件是发
射极＿反＿向＿ 偏置或发射结电压 小于 死区电压， 集电极＿＿＿反偏向置。
7.当是晶发体射管极工＿作正＿在向＿＿＿＿饱偏＿和置＿，区集时电，极U＿CE＿正≈＿向0，＿条偏件置。
（u标2出极2性0）2，s并in求：t ( V )，试画出图中4只二极管和滤波电容
（1）正常工作时，Uo =？ 24V
（2）若电容脱焊，Uo=？ 18V
（3）若RL开路，Uo =？
28V
（4）若其中一个二极管短路，电路会有什么后果？
电路的u2将被短路，会烧毁器件。
8. 试分析图示电路的工作原理， 标出电容电压的极性和数 值，并标出电路能输出几倍压的输出电压和极性。
模拟电子技术基础部分练习题含答案
模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。
A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。
A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。
A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。
A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
模拟电子技术习题
《模拟电子技术》课堂测验题一时间 10 分钟 班级 学号 姓名一、填空题1、常用的半导体单晶材料是 和 。
2、利用半导体材料的某种敏感特性，如 特性和 特性可制成热敏电阻和光敏元件。
3、在本征半导体中，自由电子浓度 空穴浓度；在P 型半导体中，自由电子浓度 空穴浓度；在N 型半导体中，自由电子浓度 空穴浓度。
4、杂质半导体中的多数载流子是由 产生的；少数载流子是由 产生的。
5、使PN 结正偏的方法是：将P 区接 电位，N 区接 电位。
6、正偏时PN 结处于 状态；反偏时PN 结处于 状态。
7、二极管主要有 、 和平面型。
8、反向电压引起反向电流剧增时的PN 结处于 状态，该状态是 二极管的工作状态，是 二极管的故障状态。
9、整流二极管的最主要特性是 ，它的两个主要参数是最正向整流电流 和 。
10、在常温下，硅二极管的开启电压（死区电压）约为 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 V ；锗二极管的开启电压（死区电压） V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 V 。
11、理想二极管正向导通时，其两端压降为 V ，反向截止时，流过的电流为 A 。
12、稳压二极管必须工作在 状态，且反向电流必须在 范内，才不会因热击穿而损坏。
13、用万用表Ω⨯100R 或1R K ⨯Ω档测试一个正常二极管时，指针偏转角很大，这时可判定黑表笔接的是二极管 极，红表笔接的是二极管 极。
二、单项选择题1、在本征半导体中加入（ ）元素可形成N 型半导体，加入（ ）元素可形成P 型半导体。
A 、三价B 、四价C 、五价2、N 型半导体中的多数载流子是（ ）。
A 、自由电子B 、空穴C 、正离子3、P 型半导体中的多数载流子是（ ）。
A 、自由电子B 、空穴C 、负离子4、PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ ）。
A 、变窄B 、变宽C 、基本不变5、对PN 结施加反向电压时，参与导电的是（ ）。
A 、多数载流子B 、少数载流子C 、既有多数载流子又有少数载流子6、当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（ ）。
《模拟电子技术基础》习题 (3)
《模拟电子技术基础》习题一、计算题1、如图所示是一个基本共射极放大电路，设晶体管β=100 ，U BE=0.2V ，r be =1.44kΩ ，R B=470KΩ，R C=3KΩ，R L=3KΩ，V CC=10V。
（1）该电路是共射还是共集电路？（2分）（1）画出放大电路的直流通路，并且估算静态工作点I BQ、I CQ和U CEQ；（8分）（2）画出放大电路微变等效电路，求电压放大倍数A u、输入电阻R i、输出电阻R O；（10分）二、选择题（）1、P型半导体中多数载流子是________，少数载流子是________。
A、自由电子正离子B、空穴负离子C、空穴自由电子D、自由电子空穴2、半导体三极管是一种________器件。
A、电流控制电流B、电流控制电压C、电压控制电压D、电压控制电流3、当二极管两端正向偏置电压大于________时，二极管才能导通。
A、反向击穿电压B、饱和电压C、正向导通压降D、门坎电压4、如图所示电路中，二极管D所处的状态是________。
A、击穿状态B、截止状态C、导通状态D、无法确定5、二极管电路如图所示，二极管D1和D2的工作状态是________。
A、D1、D2均截止B、D1、D2均导通C、D1导通、D2截止D、D2导通、D1截止6、杂质半导体中，少子的浓度与________有关。
A 、晶体缺陷B 、掺杂工艺C 、杂质浓度D 、温度7、某放大电路中,晶体管三个电极的电流如图所示，测出mA I mA I mA I 22.1,02.0,2.1321=-=-=，由此可知对应电极②是________。
A 、发射极B 、基极C 、集电极D 、不能确定8、测量三极管三个电极对地电位如图所示，则三极管的工作状态为________。
A 、放大状态B 、饱和状态C 、截止状态D 、击穿状态9、两个稳压二极管的稳压值分别为7V 和9V ，将它们组成如图所示电路，设输入电压 U 1值是20V ，则输出电压 U 0为________。
《模拟电子技术》练习题
《模拟电子技术》练习题一一、选择题1、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和B 截止C交越D频率2、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。
A U-=U+B I-=I+=0C Uo=UiD Au=13、如果希望提高某放大器的输入电阻和增强其带负载能力，则应当选用( )。
A 电流并联负反馈B 电流串联负反馈C 电压并联负反馈D电压串联负反馈4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真，下半周失真时为（）失真。
A、饱和B、截止C、交越D、频率5、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。
A、压串负B、流串负C、压并负6、为了使放大器带负载能力强，一般引入（）负反馈。
A、电压B、电流C、串联7、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。
A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号8、当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C( )u B( )u E。
A >B <C =D ≤9、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的( )。
A 大B 小C 相等10、二极管两端电压大于( )电压时，二极管才导通。
A 击穿电压B 死区C 饱和11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流( )。
A增大 B减小 C不变 D无法判定12、如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为( )。
A放大状态 B 截止状态 C饱和状态 D 不能确定。
13、晶体三极管是( )控制型器件。
A 电流控制电流源B电流控制电压源C电压控制电流源D电压控制电压源14、晶体二极管用于放大时，使其发射结、集电结处于( )。
A 发射结正偏、集电结正偏B发射结正偏、集电结反偏C 发射结反偏、集电结正偏D发射结反偏、集电结反偏15、要提高放大器的输入电阻及减小输出电阻，应采用( )负反馈放大电路。
A．电流并联B电压并联C电流串联 D电压串联16、空穴为少子的半导体称为( )。
第2章模拟电子技术练习题
第二章模拟电子技术练习题2-1 电路如题2-1图所示，二极管为理想元件，t sin 3u i ω=V ，U=3V ，当ωt = 0 瞬间，输出电压 u O 等于何值？ A ． 0 V B ． 3 VC ． —3 VD ． 0.7Vu O题2-1图2-1正确答案是A ．提示：ωt = 0 瞬间u i = 0，二极管D 的阳极为电位最低点，因而此时二极管D 承受反向电压截止，0u u i 0==。
2-2 电路如题2-2图所示，二极管D 为理想元件，U S =5 V ，则电压u 0等于多少？ A ．U s B ．U S / 2 C ．0V D ．0.7Vu O题2-2图2-2正确答案是A ．提示：二极管承受正向电压而导通，二极管D 为理想元件，所以电阻两端电压应等于电压源电压，即u O = U s 。
2-3 电路如题2-3图所示，D 1，D 2 均为理想二极管，设V 6U 2=， U 1 的值小于 6V ， 则U 0 为多大？A ．+12VB ．+6VC ．U 1D ．U 1 － U 2O题2-3图2-3正确答案是C ．提示：D 1，D 2 均承受正向电压而导通，二极管为理想元件。
所以 u O = U 1 。
2-4 在同一测试条件下，测得三个同型号二极管的参数如下表所示，其中性能最好的一个二极管是哪一个？2-4提示：其他条件相同的情况下反向电流越小的二极管性能越好。
2-5 电路如题2-5图所示，A 点与 B 点的电位差U AB 约等于多少？A ．0.3VB ．－2.3VC ．1.0VD ．1.3VΩ100k Ω18k Ω6k ΩB题2-5图2-5正确答案是A ．提示：先将二极管摘开，求出A 点和B 点的电位：Vk k VV Vk k VV B A 36)618(126100)100100(12=Ω⨯Ω+==Ω⨯Ω+=再判断二极管承受电压情况：二极管承受正向电压而导通，2AP15是锗管，导通管压降为0.3V 。
(完整版)模拟电子技术习题汇总
一、选择题：（共10题，每题1分。
合计10分）第一章：1.PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ ）。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2.PN 结加反向电压时，空间电荷区将（ ）。
A. 变宽B. 变窄C. 基本不变3.在本征半导体中加入（ ）元素可形成P 型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。
A. 增大B. 不变C. 减小5.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将（ ）。
A. 不变B. 左移C. 右移6.稳压管的稳压区是其工作在（ ）区。
A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿第二章：1. 对于直接耦合基本放大电路，（ ）的输入电压与输出电压反相。
A. 共射电路B. 共集接法C. 共基接法2. 对于直接耦合放大电路，（ ）的输入电压和输出电压同相。
A. 共射电路B. 共集电路C. 共源电路3. 以下基本放大电路中，（ ）电路不具有电压放大能力。
A. 共射B.共集C. 共基4. 工作在放大区的某三极管，如果当C I 从1mA 变为1.9mA ，E I 从1.01mA 变为1.92mA ，那么它的 约为（ ）。
A. 1B. 86C. 905. 对于n 沟道增强型MOS 管，只能满足（ ），管子才能工作在恒流区。
A. DS u > GS u -)(th GS UB. DS u <GS u -)(th GS UC. DS u =GS u -)(th GS U6. 对于n 沟道增强型MOS 管，只能满足（ ），管子才能工作在可变电阻区。
A. DS u > GS u -)(th GS UB. DS u <GS u -)(th GS UC. DS u =GS u -)(th GS U第三章：1. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（ ）。
A. 便于设计B. 放大交流信号C. 不易制作大容量电容2. 选用差分放大电路的原因是（ ）。
A. 克服温漂B. 提高输入电阻C. 稳定放大倍数3. 差分放大电路的共模信号是两个输入端的信号的（ ）。
完整word版模拟电子综合练习及答案1
模拟电子综合练习练习1. 在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为 管是（）。
A. NPN 型硅管B . NPN 型错管C . PNP 型硅管D . PNP 型错管 2•某场效应管的转移特性如图1所示，该管为 A. P 沟道增强型MOSTB. P 沟道结型场效应管C. N 沟道增强型MOStD. N 沟道耗尽型MOSf 3. 在图示2差分放大电路中， =20 mV ，则电路的（）。
Ui = 30 lYiV IIoC?A. 差模输入电压为 10 mV ， 共模输入电压为10mV 。
B. 差模输入电压为 10 mV ， 共模输入电压为 20mV 。
C. 差模输入电压为20 mV ， 共模输入电压为10 mV 。
一、 填空（16分） 1•半导体二极管的主要特性是__2. 三极管工作在放大区时，发射结为 为 __ 偏置，集电结为 _____ 偏置。
3.当输入信号频率为fL 和fH 时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了 __dB ，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为 _________ 。
4.为提高放大电路输入电阻应引入 ____________________ —反馈；为降低放大电路输岀电阻，应引入 反馈。
5. 乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流 ___ ICQ =、静态时的电源功耗 PDC= ___________________ 。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 _________ ，但这种功放有 —偏置，集电结为偏置；工作在饱和区时发射结失真。
区域。
0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极三、两级放大电路如图所示，已知三极管的参数： C2、CE 在交流通路中可视为短路。
1•分别指岀 VI 、V2的电路组态； 2.画岀图示电路简化的 H 参数微变等效电路； 3•计算中频电压放大倍数Au,输入电阻Ri 和输岀电阻Roo （12分）D. 4. A. 差模输入电压为 20 mV ，共模输入电压为 20 mVo 通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的 （）。
模拟电子技术习题集
第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。
（）（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
（）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是。
A. ISeUB.C.（3）稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。
图T1.3解：UO1≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，UO4≈2V，UO5≈1.3V，UO6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。
求图T1.4所示电路xxUO1和UO2各为多少伏。
图T1.4解：UO1＝6V，UO2＝5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示，其集电极最大耗散功率PCM＝200mW，试画出它的过损耗区。
图T1.5解图T1.5解：根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将各点xx曲线，即为临界过损耗线，如解图T1.5所示。
《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sin t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sin W t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a ）三极管已损坏，发射结开路 （b ）放大状态 （c ）饱和状态（d ）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
《模拟电子技术》练习题
《模拟电子技术》练习题一一、选择题1、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和B 截止C交越D频率2、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。
A U-=U+B I-=I+=0C Uo=UiD Au=13、如果希望提高某放大器的输入电阻和增强其带负载能力，则应当选用( )。
A 电流并联负反馈B 电流串联负反馈C 电压并联负反馈D电压串联负反馈4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真，下半周失真时为（）失真。
A、饱和B、截止C、交越D、频率5、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。
A、压串负B、流串负C、压并负6、为了使放大器带负载能力强，一般引入（）负反馈。
A、电压B、电流C、串联7、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。
A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号8、当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C( )u B( )u E。
A >B <C =D ≤9、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的( )。
A 大B 小C 相等10、二极管两端电压大于( )电压时，二极管才导通。
A 击穿电压B 死区C 饱和11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流( )。
A增大 B减小 C不变 D无法判定12、如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为( )。
A放大状态 B 截止状态 C饱和状态 D 不能确定。
13、晶体三极管是( )控制型器件。
A 电流控制电流源B电流控制电压源C电压控制电流源D电压控制电压源14、晶体二极管用于放大时，使其发射结、集电结处于( )。
A 发射结正偏、集电结正偏B发射结正偏、集电结反偏C 发射结反偏、集电结正偏D发射结反偏、集电结反偏15、要提高放大器的输入电阻及减小输出电阻，应采用( )负反馈放大电路。
A．电流并联 B电压并联 C电流串联 D电压串联16、空穴为少子的半导体称为( )。
模拟电子技术例题习题
模拟电子技术B 1.6 已知图P1.6所示电路中稳压管的稳定电压UZ＝ 6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流 IZmax＝25mA。 （1）分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输 出电压UO的值； （2）若UI＝35V时负载开路，则会出现什么现象? 为什么？
例题习题
（1）当UI＝15V时，若UO＝UZ＝6V，则 IR=(15-6)V/1K =9mA IDZ=-3mA<IZmin，所以稳压管未击穿。故 当UI＝35V时，若UO＝UZ＝6V，则 RL 500 UIO U I =29mA 15V 5V R=(35-6)V/1K R RL 1000 500 IDZ=17mA， IZMAX>IDZ>IZMIN，所以UO＝UZ＝6V （2）当UI＝35V时，若空载，则有 IDZ= IR=(35-6)V/1K =29mA，IDZ>IZMAX 稳压管将因功耗过大而损坏。
第8页
模拟电子技术B
例题习题
1.8 现测得放大电路中这两只 管子两个电极的电流如图P1.8 所示。分别求另一电极的电流， 标出其实际方向，并在圆圈中 画出管子，且分别求它们的电 流放大系数β。 【解】 （a） I C 1mA 100 I B 10 A （b）
IC 5mA 50 I B 100 A
I BQ
VBB U BEQ Rb
3V 0.7V 460 A 5 K
ICQ=βIBQ=50460μA=23mA。
uo=VCC-ICQRC<UBE
所以T处于饱和状态
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模拟电子技术B
例题习题
第2章 基本放大电路
1. 静态工作点 (Quiescent Point) 放大电路没有输入信号时的工作状态称为静态。 静 态工作点Q（直流值）：UBEQ、IBQ、 ICQ 和UCEQ
模拟电子技术习题集
第一部分电子技术第一章数字电路一、判断题（√）1、逻辑运算中,能把所有可能条件组合及其结果—-对应列出的表格称为真值表。
（√)2、带有放大环节的稳压电源其放大环节的放大倍数越大，输出电压越稳定。
（√)3、逻辑电路中的与门和或门是相对的，即正与门就是负或门，正或门就是负与门。
（√）4、单稳态电路输出脉冲宽度取决于充电电容的大小.（√)5、与非门的多余端不允许接地。
（×）6、用偶数个与非门首尾相接可组成环形多谐振荡器.(√)7、凡具有两个稳定状态的器件都可构成二进制计数器.(×）8、TTL与非门输入端同时悬空时，相当于输入端不加电平,故输出为高电平。
(√）9、使用TTL数字集成电路时,电源电压极性不能接反,其额定值为5V。
（×）10、若一个异或门的两个输入端的电平相同，即同为高电平或同为低电平，则输出为高电平。
（√）11、异步计数器各个触发器之间的翻转是不同步的，与CP脉冲也是不同步的. (√)12、要将变化缓慢的电压信号整形成脉冲信号,应采用施密特触发器.（×）13、将尖顶波变换成与它对应的等宽的脉冲，应采用单稳态触发器。
（×）14、TTL数字集成电路中，或门不使用的输入端接高电平。
(√)15、环形计数器实际上是一个自循环的移位寄存器。
（√)16、一个触发器可以存储一位二进制代码，用N个触发器就可以存储N位二进制代码。
(√）17、用二进制代码表示具有某种含义的信息称为编码。
在数字电路中，能实现编码功能的电路称编码器。
（×)18、主一从J－K触发器的输出状态中有土个是不确定的状态。
（×)19、寄存器存放数码的串行方式是数码各位从各对应位输入端同时输入到寄存器中。
二、单项选择题l、具有记忆功能的电路是( D ）。
A：与非门B：异或门C：加法器D：触发器2、组合电路是由( B )组成的.A:存储电路B：门电路C:逻辑电路D：数字电路3、下列逻辑电路错误的是( B ）。
电子学业水平模拟练习题+参考答案
电子学业水平模拟练习题+参考答案一、单选题（共70题，每题1分，共70分）1、555定时器的4脚是______A、复位端B、输出端C、接地端D、放电端正确答案：A2、在单相整流电路中,增加滤波电容的作用是A、将高频信号变为低频信号B、使输出电压波形更加平滑C、将交流电变为直流电D、恒定输出电压正确答案：B3、74LS00集成块内含有四个( )门。
A、与门B、与非门C、或门D、非门正确答案：B4、TTL集成门电路的说法正确的是( )A、TTL集成电路所接电源为+10VB、或门的多余端应接高电平C、与门或与非门的多余端应接低电平D、将集成块正面朝上,引脚朝下,凹口标志置于左端,自左下角起,逆时针方向自下而上引脚依次为1、2、3 (14)正确答案：D5、乙类互补对称功率放大电路会产生________失真。
A、交越失真B、频率失真C、截止D、饱和正确答案：A6、用万用表测得NPN型晶体三极管各极对地的电位是UB=4.7V,UC=4.3V,UE=4V,则该晶体三极管的工作状态是________。
A、放大B、饱和C、截止D、无法确定正确答案：B7、多谐振荡器可产生_______。
A、锯齿波B、矩形波C、正弦波D、三角波正确答案：B8、当万用表不同欧姆挡去测量二极管正反向电阻时,获得的结果差异较大,这是因为____。
A、二极管的伏安特性是非线性B、二极管的电阻可变C、万用表各挡有差异D、该管已坏正确答案：A9、在放大电路中,若果希望带负载能力强,同时对信号源的影响也要小,则需引入的反馈类型是。
A、电流并联负反馈B、电压并联负反馈C、电流串联负反馈D、电压串联负反馈正确答案：D10、下列逻辑电路中,不是组合逻辑电路的是。
A、译码器B、加法器C、计数器D、编码器正确答案：C11、把一个二极管直接同一个电动势为 1.5V,内阻为零的电池正向连接,该二极管________。
A、电流为零B、正常工作C、电流过大使管子烧坏D、被击穿正确答案：C12、清零后的四位移位寄存器,若要将四位数码全部串行输入,需要的CP 脉冲个数为。
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2.2 画出图P2.2所示各电路的直流通路和交流通路。
设所有电容对交流信号均可视为短路。
图P2.2
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。
图P2.2所示各电路的交流通路如解图P2.2所示；
解图P2.2
2.4 电路如图P2.4（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时U B E Q＝0.7V。
利用图解法分别求出R L＝∞和R L＝3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压U o m（有效值）。
图P2.4
解：空载时：I B Q＝20μA，I C Q＝2mA，U C E Q＝6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V，有效值约为3.75V。
带载时：I B Q＝20μA，I C Q＝2mA，U C E Q＝3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V，有效值约为1.63V。
如解图P2.4所示。
解图P2.4
r=100Ω。
分别计算R L＝∞
2.7电路如图P2.7所示，晶体管的 ＝80，'
bb
A 、R i和R o。
和R L＝3kΩ时的Q点、
u
图P 2.7
解 2.7 在空载和带负载情况下，电路的静态电流、r b e 均相等，它们分别为
Ω≈++=≈=≈-
-=
k 3.1mV
26)
1(mA
76.1 A
μ 22EQ
bb'be BQ CQ BEQ b
BEQ
CC BQ I r r I I R
U R U V I ββ
空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为
Ω
==-≈⋅+≈Ω≈≈=-≈-=≈-=k 593k 3.1308
V 2.6 c o be
s be
be
be b i be
c
c CQ CC CEQ R R A r R r A r r R R r R A R I V U u
us
u
∥β R L ＝3k Ω时，静态管压降、电压放大倍数分别为
47115
V
3.2)(be
s be
be
'L
L c CQ L
c L
CEQ -≈⋅+≈-≈-=≈-+=
u
us
u
A r R r A r R A R R I R R R U β∥
Ω
==Ω≈≈=k 5k 3.1c o be be b i R R r r R R ∥
2.12 电路如图P2.12所示，晶体管的β＝80，r b e =1k Ω。
（1）求出Q 点；
（2）分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的u
A 和R i ； （3）求出R o 。
图P 2.12
解：（1）求解Q 点：
V
17.7mA
61.2)1(A
μ3.32)1(e EQ CC CEQ BQ EQ e
b BEQ CC BQ ≈-=≈+=≈++-=
R I V U I I R R U V I ββ
（2）求解输入电阻和电压放大倍数： R L ＝∞时
996
.0)1()1(k 110])1([e
be e
e be b i ≈+++=
Ω
≈++=R r R A R r R R u βββ
∥
R L ＝3k Ω时
992
.0)
)(1()
)(1( k 76)])(1([L e be L e L e be b i ≈+++=Ω
≈++=R R r R R A R R r R R u
∥∥∥∥βββ
（3）求解输出电阻： Ω≈++=371be
b s e o β
r R R R R ∥∥
2.14改正图P2.14所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。
要求保留电路的共漏接法。
图P2.14
解：（a）源极加电阻R S。
（b）漏极加电阻R D。
（c）输入端加耦合电容。
（d）在R g支路加－V G G，＋V D D改为－V D D
改正电路如解图P2.14所示。
解图P2.14
2.15已知图P2.15(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图（b）(c)所示。
（1）利用图解法求解Q点；
A 、R i和R o。
（2）利用等效电路法求解
u
图P2.15
解：（1）在转移特性中作直线u G S ＝－i D R S ，与转移特性的交点即为Q 点；读出坐标值，得出I D Q ＝1mA ，U G S Q ＝－2V 。
如解图P2.21（a ）所示。
解图P 2.15
在输出特性中作直流负载线u D S ＝V D D －i D （R D ＋R S ），与U G S Q ＝－2V 的那条输出特性曲线的交点为Q 点，U D S Q ≈3V 。
如解图P2.15（b ）所示。
（2）首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。
mA/V 12DQ DSS GS(off)
GS
D
m DS
=-=
∂∂=
I I U u i g U
Ω
==Ω==-=-=k 5
M 1 5D o i D
m R R R R R g A g u。