共面介质阻挡放电中阳极条纹

合集下载

7 介质阻挡放电技术与应用

7 介质阻挡放电技术与应用

t 0 Q (t T )
Q (t 0)
u(t )i(t )dt
u(t )dQ
P Wn f
f——输入电压的频率
7.2.8介质阻挡放电参数的影响因素



由于壁电荷的作用使得DBD 放电发生的时刻在驱动 电压正负半周期不对称,相邻两次放电间隔长短交替; 随着驱动电压幅值的增加,介质板厚度或气体间隙距 离的减小,DBD 微放电增多,传输电荷量增多,介质表 面累积电荷量增多,壁电荷对介质阻挡放电的影响增 大;当壁电荷足够多时,甚至会出现反向放电。 随着气压的降低,等离子体发射光谱强度逐渐增大, 其变化规律近似为线性. 这表明在低气压下,空气更 容易被电离,因此等离子体的激励效果在高空中很可 能更好.
大气压空气DBD 的细丝放电图像
介质阻挡放电是一种非常适合进行等离子体化学反应的 放电形式,其特点有以下几个方面: (1)等离子体操作范围较广,可在常压甚至在加压下进行反应, 通常气压在104~106帕,允许的电子能量也比较宽1~10eV,频率 从50Hz到MHz的数量级均可使用,由各不同的化学反应来选择。 (2)无声放电呈微放电形式,通过放电间隙的电流由大量微细 的快脉冲电流细丝组成,放电表现稳定、均匀。在两电极之间 的电介质可防止放电空间形成局部火花或弧光放电,保证化学 反应的安全进行。 (3)无声放电具有较大体积的等离子体放电区,也就是在反应 过程中反应分子接触的较充分,有利于反应完成。

7.3.1 微放电的形貌
7.3 甲烷的微放电
下图为介质阻挡放电条件下甲烷和乙炔生成聚合物的 扫描电镜照片
200倍 48倍 微放电在等离子体聚合物上的印痕
微放电通道中甲烷解离和碳二烃、碳三烃的形成 和扩散示意图
CH4 t=0 je CH4 t=τ1 微放电的寿 命~ns CH4 CHx CH4 t=τ2 碳二烃形 成时间~us CH4 CHx C2Hy CH4 t=τ3 扩散时间 常数~ms CH4CHx C2Hy C3Hz

介质阻挡放电的基本原理

介质阻挡放电的基本原理

介质阻挡放电的基本原理介质阻挡放电是指在电场作用下,电荷难以通过介质导电的现象。

介质阻挡放电的基本原理可以从电介质的结构和特性、电场效应以及充电和放电过程来解释。

首先,介质是由绝缘材料构成,其结构一般具有规则的排列方式。

在介质中,原子或分子之间的电子具有固定的轨道,无法自由移动。

这种排列方式和电子运动特性与导体中的电子相比,导致了介质的电荷输运能力低。

其次,当一个外部电场作用于介质时,电场会对介质中的电荷进行极化。

电场会将介质中的分子或原子极化成电偶极子,即极化电荷。

极化的程度取决于电场的强度和介质的极化特性。

在介质中,分子或原子向电场方向偏转,正负电荷分离,形成正负电荷偏振。

这种电场极化并不导致电荷的自由移动,因此介质并不会导电。

当电场强度足够高时,介质中的极化现象会达到饱和状态。

在饱和状态下,电场无法再引起更多的极化。

此时,介质中的电荷偏振达到最大值,电场对介质中的极化电荷的力将达到平衡。

这个饱和状态下的电场强度称为介质的击穿强度,它是介质阻挡放电的重要参数之一。

当外部电场强度超过介质的击穿强度时,电荷偏振不再处于平衡状态,电场对介质中的极化电荷施加的力将超过其内部束缚力,介质内部的分子或原子将会发生破坏性位移。

这种破坏性位移引起了电离现象,即介质内的分子或原子失去了一些电子或获得了额外的电子。

电离过程导致介质内部产生了自由电荷,形成了一个可以导电的通道。

此时介质的阻挡能力会显著降低,电荷可以沿着通道进行输运,即产生了放电现象。

在充电和放电过程中,介质的电导率是一个关键因素。

在充电过程中,外部电场越强,介质的电导率就越高,电荷输运能力就越强。

而在放电过程中,由于电离过程产生了自由电荷,介质的电导率会明显增加,导致电荷沿着放电通道快速输运。

放电的持续与否取决于充电和放电过程中对电荷输运的控制以及外部电场的变化。

总结来说,介质阻挡放电的基本原理是由于介质中电子的束缚特性和电荷极化效应导致了电荷无法自由移动。

介质阻挡放电

介质阻挡放电

介质阻挡放电介质阻挡放电(Dielectric Barrier Discharge,DBD)是有绝缘介质插入放电空间的一种非平衡态气体放电又称介质阻挡电晕放电[1]或无声放电。

介质阻挡放电能够在高气压和很宽的频率范围内工作,通常的工作气压为10~10000。

电源频率可从50Hz至1MHz。

电极结构的设计形式多种多样。

在两个放电电极之间充满某种工作气体,并将其中一个或两个电极用绝缘介质覆盖,也可以将介质直接悬挂在放电空间或采用颗粒状的介质填充其中,当两电极间施加足够高的交流电压时,电极间的气体会被击穿而产生放电,即产生了介质阻挡放电。

在实际应用中,管线式的电极结构被广泛的应用于各种化学反应器中,而平板式电极结构则被广泛的应用于工业中的高分子和金属薄膜及板材的改性、接枝、表面张力的提高、清洗和亲水改性中。

介质阻挡放电通常是由正弦波型(sinusoidal)的交流(alternating current, AC)高压电源驱动,随着供给电压的升高,系统中反应气体的状态会经历三个阶段的变化,即会由绝缘状态(insulation)逐渐至放电(breakdown)最后发生击穿。

当供给的电压比较低时,虽然有些气体会有一些电离和游离扩散,但因含量太少电流太小,不足以使反应区内的气体出现等离子体反应,此时的电流为零。

随着供给电压的逐渐提高,反应区域中的电子也随之增加,但未达到反应气体的击穿电压(breakdown voltage; avalanche voltage)时,两电极间的电场比较低无法提供电子足够的能量使气体分子进行非弹性碰撞,缺乏非弹性碰撞的结果导致电子数不能大量增加,因此,反应气体仍然为绝缘状态,无法产生放电,此时的电流随着电极施加的电压提高而略有增加,但几乎为零。

若继续提高供给电压,当两电极间的电场大到足够使气体分子进行非弹性碰撞时,气体将因为离子化的非弹性碰撞而大量增加,当空间中的电子密度高于一临界值时及帕邢(Paschen)击穿电压时,便产生许多微放电丝(microdischarge)导通在两极之间,同时系统中可明显观察到发光(luminous)的现象此时,电流会随着施加的电压提高而迅速增加。

介质阻挡放电工作原理

介质阻挡放电工作原理

介质阻挡放电工作原理
介质阻挡放电是一种高压电场下的放电现象,其工作原理可以分
为以下几个步骤:
1. 电场作用下的电子加速:在高电压电极的作用下,电子会受
到电场的加速作用,从而获得能量,速度逐渐增加。

2. 离子化:当电子速度增加到一定程度时,它们会与气体原子
或分子碰撞,使其失去一个或多个电子,产生正离子和自由电子。


个过程称为离子化。

3. 自由电子的碰撞电离:自由电子会继续与气体分子碰撞,进
一步逐渐增加离子化的程度,使得正离子和自由电子的数量不断增加。

4. 电压峰值达到阻挡层击穿电压:当电场的电压峰值逐渐增加,最终会达到阻挡层的击穿电压。

此时,在阻挡层内会形成一个高强度
的电场引起"诱导电流"。

5. 放电:当电场的电压峰值达到阻挡层击穿电压时,电子和正
离子会被大量产生并猛烈碰撞,从而在该区域内产生放电现象。

放电
同时产生的光,声,热,电磁场等现象可以被检测到。

6. 放电结束:当放电过程中的能量耗尽,或者阻挡层内的介质
不能继续支持大电流和高电压时,放电过程即结束。

介质阻挡放电中亮暗点放电的谱线线形及振动温度

介质阻挡放电中亮暗点放电的谱线线形及振动温度

1 实验 部分
如 图 l所示 是介质阻挡放 电中等离子体参数 光谱 诊断的 实验装 置。这套 放 电装 置包 含真 空 室 、水 电极 、驱 动 电源 。 信号 的采集 和分析几部分 。 主要 的核心部分是 特殊设计 的 其
收 稿 日期 :2 1一 2l 。 订 日期 : 0 20 O 0 1l O 修 2 1—32
n h i g 2 在一侧拍 照 ,另一侧 应用 光谱仪 ( C ON o aD maeZ ) A T
S -7 8 C D:l3 0 0 ies P25 , C 4 ×4 0p l,光栅 : 0 ,18 0 0 x 3 0 0 ,24 0
中 , 次发 现了一种 中心为亮点 ,四周 围绕着 四个 暗点的放 首 电模 式 。 步实 验发 现 ,不仅 两者 的亮 度不 同 ,而且通 过采 初
G ・2 1m 1
, 辨率 : . 0 m) 分 0 0 5n 采集 光谱 ,并用 计算 机进行
记 录分析 。 动光纤 探头 , 集不 同位 置的光线 进人 光谱仪 移 采
集 中心亮点和周 围暗点 的等离 子体 发射谱线表 明 , 者的原 二 子谱线 中心波长 和分 子谱线 的相对强度也不 同 , 明中心亮 表
介质 阻挡 放 电 中亮 暗点 放 电的谱 线 线形 及 振动 温 度
董丽芳 , 耿轶青 ,闫冬梅 , 亚飞 ,申中凯 , 国良, 稽 仝 李 彝
河北大学物理科学与技术学院 , 河北 保定 0 1 0 702


在氩气 / 空气 的混合气体介质 阻挡放 电中 ,首次在 高温条件下观察到亮点 和暗点共存 的放电 ,比较
第3 卷, 6 2 第 期
20 12年 6月

S e to c p n r cr lAn lss p c r s o y a d s ) t a a y i e

同轴圆柱结构介质阻挡放电光电特性及仿真研究

同轴圆柱结构介质阻挡放电光电特性及仿真研究

同轴圆柱结构介质阻挡放电光电特性及仿真研究摘要:本研究通过对同轴圆柱结构介质阻挡放电光电特性的研究,探讨了其在电气工程领域中的应用潜力。

通过仿真研究,发现该结构具有较高的介质阻挡放电能力和较好的光电特性,适用于高压输电线路和电力设备的防雷防弧保护。

本文详细介绍了同轴圆柱结构的原理、特点以及其在电气工程中的应用,并通过仿真研究验证了其性能。

1. 引言同轴圆柱结构是一种常用于电力设备中的防雷防弧保护技术。

该结构由内外两个圆柱组成,两者之间通过介质隔开。

在高压电场的作用下,介质会发生击穿放电,形成阻挡放电现象。

本研究旨在探究同轴圆柱结构介质阻挡放电的光电特性,并通过仿真研究验证其性能。

2. 同轴圆柱结构的原理与特点同轴圆柱结构的内外圆柱分别作为正负极,通过介质隔开,形成一种局部电场。

当高压电场作用于该结构时,介质会发生击穿放电,将电压分布在圆柱的表面上,形成阻挡放电现象。

该结构具有较高的放电能力和较好的介质阻挡特性。

3. 同轴圆柱结构在电气工程中的应用同轴圆柱结构在电力设备中广泛应用于防雷防弧保护。

其具有以下特点:首先,结构简单紧凑,易于安装和维护;其次,具有较高的介质阻挡放电能力,可有效防止电气设备的击穿故障;最后,具有较好的光电特性,能够实现对高压设备的有效保护。

4. 仿真研究及结果分析通过COMSOL Multiphysics软件进行仿真研究,模拟了同轴圆柱结构在不同电压下的放电现象。

结果显示,随着电压的增加,放电现象逐渐增强,但仍能保持在合理范围内。

同时,光电特性也得到了验证,同轴圆柱结构能够有效抑制电气设备的电磁辐射。

5. 结论本研究通过对同轴圆柱结构介质阻挡放电光电特性的研究,发现该结构具有较好的防雷防弧保护能力。

通过仿真研究验证了其性能,结果表明同轴圆柱结构适用于高压输电线路和电力设备的防雷防弧保护。

未来的研究可以进一步优化该结构,提高其防护性能。

关键词:同轴圆柱结构;介质阻挡放电;光。

介质阻挡放电中体放电和沿面放电的光谱线形研究

介质阻挡放电中体放电和沿面放电的光谱线形研究

3 0 9
0 0G·mm-1 光栅 ,利用光谱仪的两 个 选择光谱仪的 24 光纤探头 ,在 6 9 3~7 0 0n m 的范围内同时采集了 V D和S D 的A 谱 线 ,如 图 3 所 示 。从 图 中 可 以 看 出 , rⅠ( 2 犘2 →1 犛 5) V D 的谱线强度明显高于 S D 的谱线强度 。 D和S D的 A rI谱 线 随 压 强 的 变 化 , 实验同时研究 了 V 发现二者变化规律相 似 ,为 简 单 起 见 ,图 4 仅 给 出 了 S D的 低气压1 A r Ⅰ 谱线随压强的变化 。由图可见 ,与参考 谱 线 ( 0 相比 ,随着压强的增大 ,谱线 P a 左右氩气放电的 A r Ⅰ 谱线 ) 均向长波方向移 动 。仔 细 观 察 发 现 ,谱 线 的 左 支 基 本 重 合 , 而右支随压强的增大向长波方向移动 。
犉 犻 2 犜 犺 犲狏 狅 犾 狌 犿 犲犱 犻 狊 犮 犺 犪 狉 犲( 犞 犇) 犪 狀 犱 狊 狌 狉 犳 犪 犮 犲犱 犻 狊 犮 犺 犪 狉 犲( 犛 犇) 犵 犵 犵 狅 犫 狊 犲 狉 狏 犲 犱 犻 狀犇 犅 犇狌 狀 犱 犲 狉狋 犺 犲犲 狓 犲 狉 犻 犿 犲 狀 狋 犪 犾狆 犪 狉 犪 犿 犲 狋 犲 狉 狊狅 犳 狆 , , 犝 =3 2犽 犞, 0犽 犎 狕 0犽 犘 犪 犱=3 8 犿犿, 犳=6 狆=6 犪 狀 犱χ=9 9 9% 犃狉 犲 狉 犲 狊 犲 狀 狋 狊犞 犇犪 狀 犱犅狉 犲 狉 犲 狊 犲 狀 狋 狊 犛 犇 狆 狆 狊 犜 犺 犲 犲 狓 狅 狊 狌 狉 犲 狋 犻 犿 犲狅 犳 狋 犺 犲狆 犺 狅 狋 狅 狉 犪 移 亦 与 电 子 密 度 有 关 。非 氢 原子的谱线频移 犱 t 与电子密度 犖 e 之间的关系式为

介质阻挡放电电压对阳极键合材料表面性能的影响

介质阻挡放电电压对阳极键合材料表面性能的影响

第17卷第16期2017年6月 1671 —1815(2017) 16-0187-04科学技术与工程Science Technology and EngineeringVol . 17 No . 16 Jun . 2017© 2017 S c i . Tech . Engrg .介质阻挡放电电压对阳极键合材料表面性能的影响方智立潘明强李正潮陈立国*(苏州大学机电工程学院,机器人与微系统研究中心,苏州215000)摘要通过亲水角和表面形貌两个标准,探究了介质阻挡放电电压对低温阳极键合材料性能的影响。

实验采用1m m 厚的 玻璃片和2 m m 厚的氧化铝陶瓷片作为阻挡介质,在放电时间为10 S ,放电间隙1.5 m m 的放电条件下进行活化。

实验表明, 放电电压为24 k V 时,活化效果较好,此时玻璃片亲水角14.3°,硅片亲水角33.5°,玻璃片粗糙度为0.643mn ,硅片粗糙度0. 419 nm 。

关键词介质阻挡放电低温阳极键合 亲水角中图法分类号TH162.1;文献标志码B阳极键合不需要黏胶剂,对材料表面清洁度和 光洁度要求不高,键合质量好,工艺和设备简单[1], 被广泛应用于微机电系统。

阳极键合反应通常在350 ~ 450 °C 进行,键合采 用的阳极材料和阴极材料往往是异种材料。

不同材 料的热膨胀系数存在差异,过高的温度会导致材料 键合之后出现热不匹配应力,残余热应力影响设备 性能,在压力传感器中残余热应力影响着压力传感 器的精度。

在谐振梁类机构中,硅片上的残余应力 很容易引起弯曲[2]。

过高的温度不仅会导致过大 的残余应力影响到设备,而且直接对设备产生影响, 研究指出,高温影响键合材料的化学成分[3],限制 铝或铜电路的设计[4],影响压电陶瓷的压电特性[5] 等。

为解决目前存在的高温带来的问题,以及面对 MEMS 器件向微型化集成化发展的趋势,低温阳极 键合已成为研究焦点。

介质阻挡放电的边界效应【北京理工大学】,毕业范文,毕业专题,.doc

介质阻挡放电的边界效应【北京理工大学】,毕业范文,毕业专题,.doc

介质阻挡放电的边界效应【北京理工大学】,毕业,毕业专题,介质阻挡放电的边界效应【北京理工大学】介质阻挡放电的边界效应李璐璐【摘要】:介质阻挡放电(DBD)是一种产生低温等离子体的常见方法,被广泛应用于工业生产中。

均匀辉光DBD是很多应用的最佳选择。

但辉光DBD 经常出现放电通道的不均匀和不稳定。

本文研究电极边界效应对介质阻挡放电均匀性的影响。

首先,实验研究了驱动电压、驱动频率、电极形状和电极径向长度对辉光DBD特性的影响。

发现在较低的电压、适当频率范围内,辉光DBD将呈现斑图模式;而较低或较高频率下形成均匀放电。

有限电极的均匀辉光DBD 存在边界效应,总是存在一个弱放电区,电压越低,弱放电区域越大。

对于均匀DBD,在一个脉冲内的放电并不是始终保持整个电极表面的均匀状态,而是一个沿径向的发展过程,不同位置的电流也不是同步的。

放电一般是从电极中心处开始,逐渐向边界处发展,呈现中心处强、边界处弱的形态。

而在电流下降期间,中心处的放电率先停止,而边界处持续更长时间,呈现一种反相放电图像。

然后,利用二维流体模型重现辉光DBD的放电发展过程,并研究了放电过程中微观参数的变化。

发现辉光DBD的发展过程取决于空间电场和初始电子密度分布。

在较低频率下,空间电荷变均匀,DBD电极中心区的电场高于边界处,放电首先在这里开始,并向边界发展。

电极的边界效应导致边界处放电较弱,它起源于电场畸变。

一方面它减弱了轴向电场,使放电落后于中心区;同时诱导弱的径向电场,使电子可以在此聚集。

当电荷衰减时间较短(即频率较高)时,电极边界处的高电子密度可以使下一脉冲放电首先发生于边界,引起放电的增强-抑制效应,并最终导致斑图放电的形成。

【关键词】:辉光介质阻挡放电;边界效应;放电结构;均匀性【学位授予单位】:北京理工大学【学位级别】:硕士【学位授予年份】:2015【分类号】:O461;O53【目录】:摘要5-6Abstract6-9第1章绪论9-151.1 引言9-101.2 DBD 介绍10-121.3 辉光DBD12-15第2章气体放电理论15-222.1 气体放电的一般特性15-172.2 汤生击穿理论17-192.3 介质阻挡放电的一般性质19-22第3章辉光DBD 的实验研究22-343.1 实验装置22-233.2 均匀DBD 的一般特性23-293.2.1 电压的影响23-243.2.2 驱动频率的影响24-253.2.3 电极形状对放电的影响25-263.2.4 放电发展过程26-273.2.5 电极径向长度的影响27-293.3 分割电极实验29-333.3.1 放电电流30-323.2.2 电荷转移量和有效电容32-333.4 小结33-34第4章DBD 特性的模拟研究34-58 4.1 流体模型34-424.1.1 基本方程34-364.1.2 离散方案36-394.1.3 边界处理39-424.2 DBD 特性的模拟42-454.2.1 放电电流42-434.2.2 放电发展过程43-454.3 电压对稳定DBD 的影响45-474.3.1 放电电流45-464.3.2 电荷转移量与有效电容46-474.4 电极长度对稳定DBD 的影响47-49 4.4.1 放电电流47-484.4.2 有效电容48-494.4.3 积分电离率的分布494.5 分割电极49-574.5.1 电流分布49-504.5.2 不同极板的电荷转移与有效电容50-52 4.5.3 边界效应对放电的影响52-574.6 本章小结57-58总结与展望58-60。

介质阻挡放电中相邻沿面放电之间的相互影响

介质阻挡放电中相邻沿面放电之间的相互影响
2 0 1 5年
河北 大 学 学报 ( 自然 科 学版 )
J o u r n a l o f He b e i Un i v e r s i t y( Na t u r a l S c i e n c e Ed i t i o n )
2 O1 5
第 3 5卷
第 2期
关键 词 : 介 质 阻挡 放 电 ; 体放电; 沿面 放 电
中 图分 类号 : 05 3 9 文献 标 志码 : A 文章编 号 : 1 0 0 0—1 5 6 5 ( 2 0 1 5 ) 0 2 —0 1 2 7 —0 4
Mu t u a l i n f l u e n c e b e t we e n t h e a a j a c e n t s u r f a c e d i s c h a r g e s
ba r r i e r di s c h a r ge ( DBD)s y s t e m by u s i ng Ma t l a b t O s i mu l a t e t he e l e c t r i c f i e l d d i s t r i but i on a n d e l e c t r i c p o — t e nc i a l d i s t r i but i on .I n a i r — a r go n di e l e c t r i c ba r r i e r di s c h a r ge,t h e d i s c h a r g e un de r g o e s f ou r f i l a me nt s — f i v e f i l a me n t s a n d t he s h a pe o f s u r f a c e d i s c ha r g e a l s o c ha n ge d wi t h t he ap pl i e d v ol t a ge i n c r e a s e s. I n a d d i t i o n, t he e l e c t r i c f i e l d d i s t r i b ut i on a nd e l e c t r i c p o t e nt i a l di s t r i bu t i o n i s e s t a b l i s h e d t o c o ndu c t s i mul a t i on i n t h e

介质阻挡放电中不同放电丝的光谱线形研究

介质阻挡放电中不同放电丝的光谱线形研究
有一定 的比例关系 。 氢原子 谱线 是二次 Sak效应 ,它导 非 tr
水 电极两端分别 用两块厚度 为 1 5t f的玻璃 片封装 ,电压 . r u1 峰值范 围在 O Ok 频率为 5 Hz 放电气体间隙在 1 6 ~1 V, 5k , .

致谱线 的展宽 。 t k 移 及 ∞ 展宽 由以下两式给 出[] Sa 频 r 3 - 5 d = [ ±2 0 ×1~NU Ⅲ × 4
第 2期
基金项 目: 国家 自 然科学基金项 目(O703 l155) 1954 , 17o4和河北省 自然科 学基金项 目( 21Oo8) A oOo15资助
作者简 介: 董丽芳 , , 9 3 女 1 6 年生 , 河北 大学物理科学与技术 学院教授 e a : o gf a ・ b ・d ・n - i dn l m l @m i h u eu c l
介质 阻挡放 电 中不 同放 电丝 的光谱 线 形研 究
董 丽芳 , 商 洁 , 嵇亚飞, 刘 亮 , 李新春
河北大学物理科学 与技术学院 , 河北 保定 0 10 70 2


在氩气/ 空气混合 气 体 的介质 阻挡 放 电 中,研究 了直 径及 运 动状 态均 不 同的两 种放 电丝发光 中
介 质阻挡放电中 , 首次发现了一种规则排列 的静止粗放 电丝 ( 从端面看为静止大点) 与运动细放 电丝 ( 从端面看 为往复运 动的小点 , 其轨迹为线) 两种不 同类型 的放 电丝共存 的状 态。 初步分析发现 , 二者直径及运动状态不 同 , 由其等 离子体 是 状态不同所致 。 为此 ,本工作采 用光谱线 型法 , 二者 的 电 对 子密度进行 了比较 。
( —0 0 8 r6 /) 1 . 6…l }/  ̄ ]×1- o

大气压沿面介质阻挡放电的发射光谱诊断解析

大气压沿面介质阻挡放电的发射光谱诊断解析

大气压沿面介质阻挡放电的发射光谱诊断本文对大气压沿面介质阻挡放电进行了发射光谱研究。

测定了Ar放电、N2/Ar放电、O2/Ar放电及O2/N2/Ar放电的电子激发温度、分子振动温度和气体温度,并对O2/Ar放电和O2/N2/Ar放电中O原子浓度的优化进行了定性分析。

在Ar放电中,利用玻尔兹曼图法拟合了Ar原子的激发温度,并考察了激发温度随气体流量和输入电压的变化规律,发现激发温度随输入电压的增加而增加,但随气体流量的变化规律不明显;Ar中的少量水蒸气通过放电产生了OH谱线,本文利用拟合OHA态转动温度的方法考察了Ar放电的气体温度随放电条件的变化趋势,结果显示,在我们所考察的条件范围内,Ar放电的气体温度大约为450 K,基本不受气体流量和输入电压的影响。

在N2/Ar放电中,着重考察了放电气体中N2含量对等离子体的影响,选取N2C3∏u—B3∏g的四个顺序带组(Δv=-1,Δv=-2,Δv=-3,Δv=-4)拟合了N2 C态的振动温度。

发现在Ar中加入约1%的N2就会使Ar谱线强度大幅降低而N2谱线强度大幅增加;随着N2含量由0.1%增加至5%,Ar的电子激发温度从约4400 K增加至约6000 K,而N2 C态的振动温度由约2300 K下降至约1800 K。

在02/Ar放电和02/N2/Ar放电中着重对O原子浓度的优化进行了讨论。

利用O原子和Ar原子的谱线强度比I844.6/I750.4研究了O原子浓度随O2含量的变化趋势,结果发现,在两种放电体系中O2含量为气体总流量的0.15%左右时,O原子浓度达到最大值,O2流量继续加大时,O原子浓度缓慢下降。

此外,还研究了O2/Ar放电和O2/N2/Ar放电中Ar原子激发温度随输入电压的变化规律,激发温度均随输入电压的增加而增加。

同主题文章[1].普小云,杨灿珠,付宏郎. 表面波型微波感耦常压氖等离子体的激发温度研究' [J]. 光谱学与光谱分析. 1996.(06)[2].董丽芳,杨丽,李永辉,张彦召,岳晗. 空气介质阻挡放电单个微放电通道发光强度及振动激发温度的空间分布' [J]. 物理学报. 2009.(12)[3].柴志方,尹增谦,李雪辰,董丽芳. 氩气介质阻挡放电中的图灵斑图' [J]. 河北大学学报(自然科学版). 2002.(03)[4].尹增谦,董丽芳,柴志方,李雪辰. 氩气介质阻挡放电的发光特性' [J]. 光谱学与光谱分析. 2003.(05)[5].邱志勇,张小未. 电弧等离子体激发温度的测定' [J]. 信阳师范学院学报(自然科学版). 1989.(04)[6].周超,梁良. 介质阻挡放电及其应用' [J]. 陕西师范大学学报(自然科学版). 2003.(S1)[7].唐晓亮,邱高,任忠夫,冯贤平,闫永辉,严治仁,王良. 常压介质阻挡放电的部分电学参量研究' [J]. 高电压技术. 2004.(09)[8].王永国,胡栋,李玉同. 氢氧混合物爆轰激励下铝粉快速反应温度的测量' [J]. 原子与分子物理学报. 1995.(01)[9].赵艳辉,周建刚,吴晓东,董克兵. 不同结构介质阻挡放电的放电特性' [J]. 大连海事大学学报. 2004.(03)[10].严建华,潘新潮,马增益,屠昕,岑可法. 直流氩等离子体射流电子温度的测量' [J]. 光谱学与光谱分析. 2008.(01)【关键词相关文档搜索】:等离子体物理; 介质阻挡放电; 发射光谱; 激发温度; 振动温度; 转动温度【作者相关信息搜索】:大连理工大学;等离子体物理;朱爱民;尚建平;。

大气压均匀介质阻挡放电的应用进展

大气压均匀介质阻挡放电的应用进展

大气压均匀介质阻挡放电的应用进展作者:王子卿樊楠来源:《科技视界》2018年第07期【摘要】本文首先对大气压均匀放电的产生方法进行了分析,主要是从放电属性、放电结构、放电激励源等方面进行分类与归纳,并从激励电源因素、电极结构与电介质因素以及其它外部因素三个方面对大气压均匀介质阻挡放电的研究现状进行了综述。

最后,详细分析和探讨了在诊断技术、反应器参数优化、功率密度问题以及其它等方面存在的问题与难点。

【关键词】大气压均匀放电;诊断技术;功率密度中图分类号: O461 文献标识码: A 文章编号:2095-2457(2018)07-0132-002Application of Atmospheric Pressure Dielectric Barrier DischargeWANG Zi-qing1 FAN Nan2*(1.North China Electric Power University,Beijing 102206,China;2.Institute of Electronic Computing Technology,China Academy of Railway Sciences,Beijing 100081,China)【Abstract】This paper first analyzes the method of generating atmospheric pressure uniform discharges. It is mainly classified and summarized from the aspects of discharge properties,discharge structure, and discharge excitation source. It also includes factors such as excitation power source, electrode structure and dielectric factors, and other external factors. The research status of atmospheric barrier discharge at atmospheric pressure is summarized in three aspects. Finally, the problems and difficulties in diagnosis technology, optimization of reactor parameters, power density and other issues are analyzed and discussed in detail.【Key words】Atmospheric pressure uniform discharge; Diagnostic techniques; Power density0 引言大气压均匀放电所产生的等离子体在杀菌消毒、材料表面改性、环境保护以及生物医学等领域有着非常广泛的应用。

介质阻挡放电中亮暗点放电的谱线线形及振动温度

介质阻挡放电中亮暗点放电的谱线线形及振动温度

介质阻挡放电中亮暗点放电的谱线线形及振动温度董丽芳;耿轶青;闫冬梅;稽亚飞;申中凯;仝国良;李犇【摘要】The emission spectrum line shift and vibrational temperature of the bright dot and dark dot discharges, which are observed in the argon and air dielectric barrier discharge at high temperature for the first time were measured and compared. The line shift of the spectral line of the Ar I (2P2→1S5) is measured and the vibrational temperature was calculated using by the emission spectral lines of the N2 second positive band system (C3Ⅱu→B3Ⅱg). The results show that the spectrum line shift of the bright dot discharge channel is larger than that of the dark dot channel, which indicates that the former has higher electron density compared to the latter, and the vibrational temperature of the dark dot discharge channel is higher than that of the bright dot discharge channel.%在氩气/空气的混合气体介质阻挡放电中,首次在高温条件下观察到亮点和暗点共存的放电,比较了中心亮点及四周暗点放电的谱线频移,并测量了它们的振动温度.实验采用氩原子ArⅠ (2P2-1S5)的发射谱线测量谱线频移,采用氮分子第二正带系(C3Ⅱu→B3Ⅱg)的发射谱线测量振动温度.结果表明:中心亮点放电中的ArⅠ (2P2→1S5)谱线的频移大于四周的暗点放电谱线的频移,表明前者电子密度较高;四周的暗点的放电振动温度高于中心亮点放电的振动温度.【期刊名称】《光谱学与光谱分析》【年(卷),期】2012(032)006【总页数】3页(P1487-1489)【关键词】介质阻挡放电;光谱诊断;谱线频移;振动温度【作者】董丽芳;耿轶青;闫冬梅;稽亚飞;申中凯;仝国良;李犇【作者单位】河北大学物理科学与技术学院,河北保定071002;河北大学物理科学与技术学院,河北保定071002;河北大学物理科学与技术学院,河北保定071002;河北大学物理科学与技术学院,河北保定071002;河北大学物理科学与技术学院,河北保定071002;河北大学物理科学与技术学院,河北保定071002;河北大学物理科学与技术学院,河北保定071002【正文语种】中文【中图分类】O461.2;O433.4介质阻挡放电(无声放电),是一种低温等离子体气体放电[1-6]。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

共面介质阻挡放电中阳极条纹PIC/MCC研究何锋,冯硕,欧阳吉庭,缪劲松(北京理工大学理学院物理系北京100081 )摘要:本文采用粒子网格-蒙特卡罗碰撞(PIC/MCC)方法对共面介质阻挡放电(DBD)的放电过程进行了研究. 通过模拟获得了放电过程中空间电荷、电子能量和激发态粒子的时间空间分布。

模拟结果表明,在共面DBD的暂态放电中,阳极条纹的形成和发展是电子的非局域效应和阳极介质层表面电荷积累共同作用的结果。

电子非局域效应使得在空间形成局域的电离和激发,产生发光条纹,而介质层表面电荷积累形成新的离子条纹和条纹电场,从而发展新的条纹。

关键词:介质阻挡放电; 阳极条纹; PIC/MCC1. 引言条纹是气体放电中的一个重要现象,其特征为在正柱区沿电场方向出现强弱相间的周期性发光条纹[1]。

很早人们在低气压惰性气体(< 1torr)直流辉光放电中观察到了条纹现象。

直流放电中的条纹有移动条纹和固定条纹两种。

固定条纹可以在放电中直接观察,一些分子气体(如He,N2,O2)及惰性气体等的放电中可出现这种条纹。

移动条纹通常存在较高的速度,大约几十到几千m·s-1的速度,一般不能被直接观察到。

作为等离子体非线性特性的表现形式,条纹一直是非线性的一个重要研究对象[2]。

直流放电中的条纹通常被解释为一种电离波或离子声波[2-5]。

在弱放电条件下(电流<10mA),这种波的产生机理被认为是由于气体分子分步电离导致的放电不稳定性[2]。

在弱电离过程中电子在电场中的能量平衡主要由非弹性碰撞控制,包括与气体分子的激发和电离。

发生分步电离的粒子具有较高的激发阈值εexc和较低的电离阈值εi。

电子从电场获得能量,发生激发碰撞损失能量,激发态粒子进一步与低能电子或其他激发态粒子发生碰撞,即可发生电离。

以均匀电场为例,电子通过一定的距离λ,获得的能量足以激发原子,因此产生条纹必须满足λε=εexc/eE。

然而,这种控制机制不足以解释气体放电中各种条纹的形成,移动等现象.近来,人们在介质阻挡放电(Dielectric Barrier Discharge,DBD)中也观察到了条纹现象。

如在等离子体显示板(PDP)单元的微放电过程中,出现一种阳极条纹现象。

对等离子体显示屏中的条纹现象,已经存在不少实验研究工作。

如S. Zhang[6], M. Sawa[7], Th. Callegari[8], J. Ouyang[9]等观测PDP 放电时,都获得了阳极条纹现象。

近来人们更多地倾向于利用数值模拟来研究DBD条纹形成的原因。

Iza等通过模拟认为表面电荷作为条纹形成的必要因素[10]。

Shvydky等则认为PDP中阳极条纹的形成与阴极电离波的传播无关[11]。

本文主要通过PIC/MCC方法对介质阻挡放电过程进行模拟,获取放电过程中条纹的发展演化过程及此过程中物理量的变化。

分析了共面结构中条纹的产生与电荷、电场的关系,并研究了条纹产生过程中电子能量的变化情况。

2. 模拟模型及方法本文所模拟的结构如图1所示,该结构为一个PDP单元的沿着寻址电极的剖面图. 整个结构分由上下两层介质,介质层间为放电空间。

介质外侧制作有寻址电极和共面电极,在共面电极的介质层内侧表面制作有一层0.5 m MgO,用以提高二次电子发射系数,降低放电电压. 寻址电极介质层上覆盖有荧光粉,转换真空紫外线到可见光. 单元的长度(即寻址电极长度)L = 900 μm,两介质层间的距离H = 100 μm. 共面电极的宽度w =300μm,两电极之间的间距d = 80 μm. 对两介质层的厚度,由于MgO很薄,厚度不需要考虑,而寻址电极上的介质层和荧光粉可视为一层介质,因此模拟中设两介质层厚度均为e=30 μm,相对介电常数εr=8.放电气体为纯Ne或Ne/Xe的混合气体. Ne离子和Xe 离子在MgO 表面的二次电子发射系数分为0.5和0.05PIC 方法的基本方程为描述电磁场的Maxwell 方程和描述带电粒子运动的Newton- Lorentz 方程. 由于所考虑的DBD 放电较弱,电流比较小,因此不考虑磁场,而只考虑静电场作用。

空间的电场分布由泊松方程给出[12]i i iq n ε∇=∑E(1)其中,ε为介电常数,E 分别为电场强度,n i 为第i 种带电粒子的密度,q i 第i 种带电粒子的电荷. 粒子的运动方程为d d dd d d m m q t t t==r v E(2) 其中,m 、r 、v 分别为粒子的质量、位移和速度.模拟过程中,由若干具有相同位置和速度的实际粒子组成构成宏粒子,对宏粒子的运动方程进行求解,获得位置和运动速度. 在对气体放电过程,采用蒙特卡罗碰撞(Monte Carlo Collision ,MCC )来模拟带电粒子、气体原子之间的碰撞,碰撞截面数据取自文献[13]。

考虑到实际放电板中多个单元连续排列,因此在模拟中,对结构左右两侧采用对称边界条件. 对于上下两个边界,在求解泊松时非电极的介质部分也采用对称边界条件,而电极处则固定为电极所施加的电位.由于介质层的阻隔,DBD 的放电会由于所产生的电荷积累到介质层表面而很快熄灭,因此DBD 需要由交流电源或脉冲电源来驱动. 对交流驱动,当施加的电压反向时,外加电压V S 叠加介质层表面积累的壁电荷产生的电压V W 为气体空间总的放电电压V g . 较高电压下的介质阻挡放电,等离子体沿整个电极扩展至电极外侧,介质层表面的壁电荷近似均匀分布[14]. 因此本文在PIC -MCC 模拟中不考虑壁电荷的分布,而把两共面电极的电压变为实际外加电压的两倍,简化计算和初始化过程。

模拟中初始的正负带电粒子密度为107cm -3,时间步长为10-14s. 在2.66GHz PC 机上模拟一个电压脉冲的放电过程耗时大约为100小时. 3. 模拟结果与讨论 3.1 放电过程我们模拟了Ne+4%Xe 的共面介质阻挡放电条纹的产生和维持,气体压强为500Torr 。

两共面电极所加的电位为+/-220V ,寻址电极上的电位为0V . 模拟中考虑电子与中性粒子的弹性碰撞、电离和激发三种碰撞过程。

图2和图3分别给出了模拟所得到的电位和电子密度空间分布随时间的变化情况. 从图中可以看出,共面放电过程主要发生在共面两个电极之间。

主要是寻址电极上施加的电位为两共面电极电位差的中点值,因此在寻址电极与共面电极之间电压较小(如220V). 而共面电极之间存在强电场的情况下,电子将主要沿着电力线在两共面电极间运动,因此共面放电可以迅速发展起来,产生空间电荷改变电位分布,从而抑制寻址-共面电极之间的对向放电.由于共面电极间隙存在较强电场,共面放电首先开始于共面间隙内侧. 在放电初期,阴极发射的二次电子沿放电路径繁流,带电粒子密度随电子运动距离呈指数增加,因此在阳极前形成最大带电粒子密度. 由于电子的迁移率大,阳极前的电子立即积累到介质层表面,成为壁电荷,而阳极前的正离子运动速度较慢,因此阳机前的正电荷逐渐在空间积累. 当空间正离子密度达到1012cm -3量级时,正电荷载阳极介质层前产生的电场达到甚至高于外加电压所产生的电位,在阳极介质层前形成一个高电位区域,即虚阳极,如图2(a)所示。

此时,部分电子由于虚阳极的作用不再向阳极介质层表面运动,而是逐渐积累于阳极介质层前,如图3(a)所示. 虚阳极与阴极之间构成阴极位降区. 虚阳极的出现增强了它和阴极之间的电场,使电子电离率增大,二次电子在到达虚阳极前即可形成密度更高的等离子体. 因此虚阳极不断向阴极移动,而阴极位降区电场和放电都进一步增强,如图2(b)、3(b)所示. 当虚阳极收缩到阴极附近,阴极介质层表面积累正电荷,壁电荷所形成的电场抵消外加电场,最后使得阴极位降区内的电场无法保证放电自持的进行,虚阳极与阴极内侧的电离过程将逐渐减弱.由于阴极外侧的介质层表面没有积累壁电荷,处于图 1 模拟的单元结构示意图ee较低电位,因此阴极外侧与虚阳极之间存在足够的电位差,放电向阴极外侧的介质层表面不断扩展,直至放电发展到阴极的边缘,放电熄灭,如图2(c)-(e),图3(c)-(e)所示. 3.2条纹形成当虚阳极形成时,由于阳极内侧介质层表面负电荷的积累,虚阳极积累正电荷,使得虚阳极电位高于阳极内侧介质层表面电位,虚阳极和介质层表面形成一个势阱(图2 (a)). 能量较低的电子被束缚在势阱内,即图3(a).虚阳极、外加电场、阳极内侧介质层表面负电荷共同形成一个水平方向的电场(图2 (a)),少量脱离势阱束缚的电子,沿电场向电位更高的阳极外侧介质层表面运动. 脱离势阱的电子能量较低,在运动到一定距离后,从电场获得足够的能量,才电离和激发中性粒子,从而形成第一个离子和激发态粒子(即发光)条纹,如图3(b)所示. 此时碰撞所产生的电子在电场作用下最后都积累到介质层表面,因此并电子条纹并未形成(图3(b)). 当第一个条纹处离子密度足够大时,再次形成势阱,如图2(c)所示,电子将被束缚与势阱内(图3(c)). 离子、外加电场、阳极介质层表面电荷再次形成一个水平方向的电场(图2 (c)),使脱离第一个条纹势阱的电子进一步向阳极外侧运动,阳极表面等离子体继续扩展,直至阳极的边缘(阳极边缘以外没有足够的电压使气体激发和电离). 同时发光条纹和带电粒子条纹不断出现,如图3(e)、图4(e). 3.3 电子能量图5给出了放电过程中电子能量分布随时间的变化情况。

在放电初始阶段,空间电荷对电场影响较小,因此各处电子能量分布较为均匀(图5(a)). 当虚阳极向阴极收缩后,虚阳极与阴极之间的电场增强,因此从阴极发射出来的电子获得较大能量,经过与中性粒子的电离和激发碰撞后,电子逐渐损失能量,当电子进入虚阳极时,电子平均能量非常低,表明绝大部分电子损失掉其从电场获得的能量(图5(b)). 在虚阳极和阳极介质层之间的电场很弱,因此这一区域内的电子仍处于很低的平均能量,由此可见,经过阴极位降区损失能量的电子进图 3 电子密度空间分布的时间演化 (a) t =55ns, (b) t =65 ns, (c) t =68ns,(d) t =70ns, (e) t=77ns图 2 电子密度空间分布的时间演化(a) t =55ns, (b) t =65 ns, (c) t =68ns,(d) t =70ns, (e) t =77ns入虚阳极后很少获得能量. 脱离虚阳极势阱束缚的电子平均能量小于1eV ,在阳极的弱电场中, 需要经过一段距离,才能从电场获得能量进行电离和激发图5(b).因此形成有间距的发光条纹. 在每个条纹中,电子由非弹性碰撞损失其能量,平均能量降低,形成新的条纹需要足够的距离使电子获得能量(图5(c)-(e)). 因此条纹的间距取决于阳极介质层表面的弱电场和中性粒子电离电位. 4. 结论本文采用PIC/MCC 方法对共面介质阻挡放电中的条纹现象进行了研究. 通过模拟分析了放电和条纹的形成发展过程。

相关文档
最新文档