快速热处理对(Ba,Sr)TiO3薄膜晶化行为的影响
热处理温度对Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜结构与性能影响的研究
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牵 与探讨
（ ） 面 形 貌 ａＪ 表
（ ）： 面 形 貌 ｂＪ表
（ ）］ 面形 貌 Ｃ －表 Ｉ
（ ） 面 形 貌 ｄＪ表
（ ） 表 面 形 貌 ｅＪ
图 １ 不 同 试 样 的 表 面 形 貌
由图 １中可 以看 出 ，不 同的热 处理 条件 ，薄
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ｊ 与探时
热处理温 度对 Ｂ ０ Ｓ０ＴＯ 薄膜 ａ． ｒ５ ｉ３ ５ ． 结构 与性 能影 响的研 究
于 乐海 付兴 华
（ 山东工业职业学 院， 淄博 ２ ５ ４ ）（ ５ ６ １ 济南 大学材料学院 ， 济南 ２ ０ ２ ） ５０ ２
摘 要 ：采用 Ｈ Ａ ｉ ｎ ２ ４ Ｐ ｇ ｅｔ ９Ａ阻抗分析仪、Ｘ衍射 、 ｌ ４ 扫描 电镜等测试方 法研 究了热处理温度 对Ｂ ｒ一ＴＯ ａＳ． ｉ ，
（Ｓ ） Ｂ Ｔ 薄膜结构与性 能的影响 。当升／ 降温速率 为 ０ ５～ｌ℃ ／ ｉ ． ｍ ｎ时， 得到的薄膜表 面均 匀、 无裂纹、 孔洞。 经过 ７ ０℃退火处理后 ， ５ 薄膜的介电性能最佳， 即具有较高的相对介电常数和较小的介质损耗。 关键词 ： 降温速 率； 火； 升／ 退 钛酸锶钡 薄膜； 介电性能 ； 结构特征
阻抗 测试 仪 （ｍ ｅｅｃ ｎｌ ｅ） Ｉｐｄｎｅａａｙ ｒ。 ｚ 用 溶 胶 一凝 胶 工 艺 制 备 了 Ｂ ｏＳｏＴＯ 前 ａ ｒ ｉ， ｓ ．
躯体溶液 ， 其粘度为 （ ～ ） ０ Ｐ ．， Ｈ值为 ３ ４ ×ｌ一 ａＳ ｐ
３～４
术已经应用于 （ａ Ｓ） ｉ， Ｂ ， ｒ Ｔ 薄膜的制备过程中， Ｏ 包括 Ｒ ｄ ｒ ｕｎｙ射频） 溅射法 ， ａｉ Ｆ ｑｅｃ （ ｏ ｅ 一 多离子束 反应溅射法 ， 脉冲激光沉积 ， 金属有机化学气相 沉 积法 ，溶胶 一凝胶 法 和水热 电化 学方 法等 ＂， 】 特别是溶胶 一 凝胶法 由于其 独特 的优点 而得到
热处理对TiO2薄膜结构和表面形貌的影响
１ 实验 过 程
实验采 用成都 南光集 团生产 的 Ｚ Ｓ０ — Ｇ型镀膜机 。基片与蒸 发源 中心 的距离 为 ４ ｍ， 头与 Ｚ ７０１ ／ ５ｃ 探 蒸 发源 中心 的距 离 为 ４ ｍ， 片与探 头之间 的水平距 离 为 １ ｍ， 片温度 ２０ 。膜料采 用 ＴＯ ８ｃ 基 ５ｃ 基 ０ ｉ 颗
矿（ｎｔ ｅ 和板钛矿（ｒ ｋｅ ， ａａ ｓ） ａ ｂ ｏｉ ）一般 Ｔ ｏ ｔ ｉ 薄膜中只存在金红石相和锐钛矿两种晶体结构 Ｊ Ｏ 。不同相结
构 的 ＴＯ 薄膜具有不 同的光催化性能 ， ｉ 有报导认 为 ， 具有适 当相组成 的 ＴＯ ｉ 薄膜具有最优 的光催 化性 能 。 而且颗粒的尺寸 越小 ， 的纳米效应 越显著 ， 总是希望 纳米颗粒尽 量不长大或 不 明显 长大 。因此 ， 材料 人们
出 ， 电子束 蒸 发 ， 底 温 度 为 ２０ 制 备 的薄 膜 用 基 ０ 样品 Ａ ｌ为非 晶态 ； 图 １ ｂ 可 看 出 ， 现 锐钛 矿 由 （） 出 。
咖
稍
批
０
相衍射峰 ， 但衍射峰强度 不高 ， 明 ４０ 热处理 说 ０ 的样 品 Ａ ２已经 由无 定形 向锐 钛 矿 转变 ， 只是 部 但 分转变为锐钛矿晶体 ； 由图 １ ｃ 可看出，３的衍射 （） Ａ 峰比 Ａ ２的衍射峰尖锐 ， 明 ６０℃热处理的样品 说 ５
如何制备出具有合适相结构和相组成的ＴＯ 薄膜， ｉ 同时控制纳米 ＴＯ 晶粒的长大使 ＴＯ 薄膜获得 良 ｉ ｉ 好
使用性能 Ｊ已成为一个具有理论和实际应用意义的课题。笔者用电子束蒸发法制备了ＴＯ 薄膜 ， ， ｉ 对其
进行热处理 ， 究了不 同热处理温度对 ＴＯ 薄膜结构和表面形貌 的影响 。 研 ｉ，
热处理对不同相对分子质量iPP挤出拉伸薄膜结晶行为的影响_张典
A⊥ )998,A 是红 外 光 吸 收 强 度,选 峰 972cm-1 计 算 晶
相和非晶相平 均 取 向 因 子 (fav),D= (A∥/A⊥ )972,利
用 DSC 测定的结晶度(XcDSC),由 式 (7)计 算 非 晶 相 取
向 因 子 (fα)。
fav=fc×Xc+ (1-Xc)fα
(7)
1 实验部分 1.1 原料
3种不同相 对 分 子 质 量 及 其 分 布 的iPP 树 脂:其 中 F401粒 料 (M췍w=415,000,M췍n=80,000,D=5.2)、 T30S 粒 料 (M췍w =301,000,M췍n=59,000,D=5.1)均 由 中 国 石 油 兰 州 石 化 公 司 生 产,熔 体 流 动 速 率 分 别 为
Fig.2 DSCgraphsbeforeandafterannealing (a):beforeannealing;(b):afterannealing
Fig.3 是 试 样 退 火 前 后 用 二 维 广 角 X 射 线 衍 射 仪测试后对应的 WAXD 积 分 曲 线,所 有 试 样 的 α-iPP 特征峰都比较明显,说 明 在 熔 融 拉 伸 过 程 中 主 要 形 成
α(040)
α(130)
(3)
式 中:Ac 和 Aα———无 定 形 相 和 晶 相 衍 射 强 度;
Iβ(300)———β-iPP 在晶面(300)的 衍 射 强 度,对 应 的2θ=
16°;Iα(110),Iα(040),Iα(130)———α-iPP 在 晶 面 (110),
(040),(130)的 衍 射 强 度,对 应 的 2θ 分 别 为14.1°,
利用 Haake挤出 拉 伸 得 到 厚 为 30~50μm 的 薄 膜。机头狭缝口模尺寸 为 5 mm×0.8 mm,各 段 温 度 设定为185 ℃,190 ℃,200 ℃,口 模 为 195 ℃,螺 杆 转速0.5r/min,牵引速率20cm/min。iPP 薄 膜 制 备 条件及命 名 见 Tab.1。 退 火 是 在 带 温 控 箱 的Instron
(Ba,Sr)TiO3半导化陶瓷PTC效应的改善
(Ba,Sr)TiO 3半导化陶瓷PTC 效应的改善1李小燕1, 曲远方1，高晶21天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室，天津 (300072)2领先大都克（天津）电触头制造有限公司，天津(300111)E-mail: sophia145@摘 要：烧结温度、受主掺杂以及液相添加剂都会改变(Ba,Sr)TiO 3陶瓷的PTC 效应。
结合微观结构的变化和理论研究进展，讨论了这三种因素对PTC 效应的影响。
结果表明，低的烧结温度不利于低的室温电阻率和高的升阻比。
高的烧结温度有利于获得高升阻比。
MnO 2含量的增加和BN 的添加，分别从提高有效受主态密度和改善微观结构两方面改善了PTC 效应。
MnO 2的量由0.04mol.%增加到0.05mol.%，同时添加2mol.%的BN ，在保持室温电阻率几乎不变的情况下，升阻比提高了2.5个数量级，阻温系数从4.0 %/ o C 增加到13.8 %/ o C 。
关键词：(Ba,Sr)TiO 3陶瓷，PTC 效应，微观结构中图法分类号：TQ1741 引 言自施主掺杂BaTiO 3陶瓷的正温度系数(Positive temperature coefficient, PTC)效应被发现以来，经过半个世纪的研究，对PTC 效应的理解逐步深化。
一般认为PTC 效应是一种晶界效应[1]，与半导化、铁电相变及界面受主态有关，且缺一不可[2]。
针对界面态的主要内容如受主杂质(3d 元素)、氧吸附、钡空位也进行了广泛的研究，但至今为止没有一种界面态可以解释所有的实验现象[3]。
对3d 元素的研究主要集中在Mn 上，因为Mn 具有最深的受主能级，对PTC 效应的增强最为显著。
最具有代表性的解释建立在其晶界偏析上[4]。
另外BN 作为一种烧结助剂，在低温烧结方面得到广泛的研究。
据报道BN 有助于提高表面态密度，强化PTC 效应[5, 6, 7]。
根据上述结论，本实验通过调节MnO 2含量以及添加BN 来提高(Ba,Sr)TiO 3 材料的PTC 效应。
热处理温度对TiO2结构和光学性能的影响
热处理温度对TiO2结构和光学性能的影响高基伟;丁新更;黄顺余;杨辉【期刊名称】《稀有金属材料与工程》【年(卷),期】2004()z1【摘要】为探索热处理温度对纳米TiO2性能的影响,研究了不同温度下处理的纳米TiO2的光学性能和微观结构,并进行了纳米TiO2光催化性能的实验.实验表明,所用的纳米TiO2溶胶可以在紫外光照射下分解甲基紫;由于粒子纳米化导致晶格畸变,纳米TiO2粒子的结晶峰出现宽化现象;热处理温度决定纳米TiO2的结晶程度和晶体类型,同时还影响粒子的粒径和分散:热处理温度越高,粒子颗粒越大,同时团聚增加;粒子纳米化导致量子尺寸效应的出现,纳米TiO2薄膜对紫外线的吸收具有"蓝移"效应;随着热处理温度的升高,"蓝移"效应减弱,TiO2薄膜的紫外吸收边出现了"温升红移"现象.【总页数】3页(P52-54)【关键词】TiO2光催化;蓝移;温升红移;甲基紫;紫外/可见【作者】高基伟;丁新更;黄顺余;杨辉【作者单位】浙江大学,纳米科学技术中心,浙江,杭州,310027 浙江大学,纳米科学技术中心,浙江,杭州,310027 宁波寰球纳米技术有限公司,浙江,宁波,315800 浙江大学,纳米科学技术中心,浙江,杭州,310027【正文语种】中文【中图分类】O643【相关文献】1.热处理温度对TiO2薄膜结构及电色性能的影响 [J], 李再轲;曾竟成;肖加余2.热处理温度对Ag＋、Zn2＋共掺杂TiO2薄膜微观结构及抗菌性能的影响 [J], 公伟伟;徐松梅;吴明健;高朋召3.热处理温度对TiO2结构及其光学性能的影响 [J], 高基伟;黄顺余;杨辉4.热处理温度对TiO2的微结构及催化性能的影响研究 [J], 侯炳;杨顺生;高峰5.热处理温度对Ce掺杂TiO2光催化剂结构与性能的影响 [J], 樊国栋;王丽娜因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
ito玻璃热处理变化
ito玻璃热处理变化
ITO玻璃热处理变化主要涉及到ITO（氧化铟锡）薄膜在加热过程中的物理和化学性质的变化。
ITO是一种常用的透明导电薄膜，广泛应用于触摸屏、太阳能电池等领域。
1. 结构变化：热处理过程中，ITO薄膜的结构可能会发生一些变化。
例如，氧化铟和氧化锡的比例可能会发生变化，导致薄膜的电导率和光学性质发生改变。
2. 结晶度变化：热处理可以影响ITO薄膜的结晶度。
一般来说，随着热处理温度的升高，ITO薄膜的结晶度会提高，电导率也会相应提高。
但是，如果热处理温度过高，可能会导致ITO薄膜的结构破坏，电导率下降。
3. 表面形貌变化：热处理过程中，ITO薄膜的表面形貌也可能会发生一些变化。
例如，可能会出现颗粒、裂纹等缺陷，这些缺陷会影响薄膜的光电性能。
4. 光学性质变化：热处理可以影响ITO薄膜的光学性质，如折射率、吸收率等。
一般来说，随着热处理温度的升高，ITO薄膜的折射率会降低，吸收率会增加。
5. 电学性质变化：热处理可以影响ITO薄膜的电学性质，如电阻率、载流子浓度等。
一般来说，随着热处理温度的升高，ITO薄膜的电阻率会降低，载流子浓度会增加。
因此，热处理是制备高性能ITO薄膜的重要步骤之一，需要根据
具体的应用需求，选择合适的热处理条件。
热处理对钛合金的影响
热处理对钛合金的影响钛合金是一种重要的结构材料，以其高强度、低密度和良好的耐腐蚀性而在航空航天、汽车、医疗和化工等领域得到广泛应用。
热处理是改变材料性能的一种关键工艺，对钛合金的影响也十分显著。
本文将探讨热处理对钛合金性能的影响，以及常用的热处理方法。
一、热处理的作用热处理是通过加热和冷却处理材料，以达到改善材料性能的目的。
对钛合金而言，热处理可以使其显微组织发生变化，进而改变其力学性能、耐腐蚀性和疲劳性能等。
热处理还可以消除材料内部的应力和缺陷，提高材料的可用性和稳定性。
二、常用的热处理方法1. 固溶处理固溶处理是将钛合金加热至固溶温度，使其中的合金元素溶解到固溶体中，然后迅速冷却以固定合金元素的固溶浓度。
固溶处理可以改善钛合金的塑性和可加工性，提高其强度和硬度。
然而，过长的固溶时间可能导致钛合金的晶界腐蚀敏感性增加。
2. 淬火处理淬火是将加热至高温的钛合金迅速冷却至室温，以形成的固溶体。
淬火处理可以提高钛合金的强度、硬度和耐磨性。
“淬火和回火”联合处理可以进一步提高钛合金的强度和韧性。
3. 回火处理回火是将淬火处理后的钛合金再次加热至较低的温度，保温一段时间后冷却。
回火处理可以消除淬火过程中的应力，并使材料的硬度和强度得到均衡。
回火温度和保温时间的选择也是影响回火效果的重要因素。
4. 等温固化处理等温固化是将加热至高温的钛合金在一定时间内保持在合金元素的固溶度下进行处理。
等温固化可以提高钛合金的耐磨性和抗热稳定性，但过长的等温时间会导致材料的晶粒长大，降低硬度和强度。
三、热处理对钛合金性能的影响1. 力学性能热处理可显著改善钛合金的力学性能。
固溶处理和淬火处理可以提高钛合金的强度、硬度和耐磨性，适当的回火处理则可提高材料的韧性。
通过合理选择热处理工艺和参数，可以实现钛合金力学性能的最优化。
2. 耐腐蚀性能钛合金的耐腐蚀性是其在航空航天和化工领域得以应用的重要因素。
热处理可以改善钛合金的耐腐蚀性能。
热处理温度对纳米TiO2薄膜光催化性能的影响
热处理温度对纳米TiO2薄膜光催化性能的影响高如琴，朱灵峰，郭毅萍，张润涛摘要：以TiCl4为原料, 氨水为沉淀剂，采用水解沉淀法在硅藻土基多孔陶瓷上负载了纳米TiO2薄膜，结合TG-DTA、XRD对样品进行了表征, 探讨了热处理温度对复合材料晶相、晶粒尺寸等因素的影响，以甲醛为目标降解物, 考察了热处理温度对TiO2光催化性能的影响。
结果表明: 随着煅烧温度的升高, TiO2晶粒尺寸 6.5 nm（350℃）增加到52.8 nm （1000℃）；750℃时, 出现金红石相，1 000℃，锐钛矿型TiO2完全消失；550℃煅烧样品光催化效果最好，在1m3环境仓内紫外灯下光照240min，甲醛去除率达到96.8%。
关键词: 纳米TiO2; 热处理温度; 晶粒尺寸; 光催化光催化氧化技术是一项新兴的环境污染治理技术，同时也是高级氧化技术中的一种。
TiO2以其高活性、安全无毒、化学性质稳定、难溶、成本低以及能隙大，产生光生电子和空穴的电势电位高，有很强的氧化性和还原性等[1]优点被公认为是环境治理领域中最具开发前途的环保型光催化材料。
TiO2作为光催化剂最初采用的是粉末状, 但这种粉末状的光催化剂存在难搅拌、易失活、易团聚和回收困难等缺点, 严重地限制了它的应用和发展。
Legrini 等[2]提出这项技术的发展和应用取决于TiO2的固化和新型光反应器的研制，将纳米TiO2负载在某些载体上是解决其实际应用问题的一种有效途径。
近年来，以活性炭、陶瓷、玻璃、钢板等[3-6]为载体，通过化学键或物理黏结等方法，制备的负载型纳米TiO2在废水和废气的处理方面取得了很大的成功。
但在纳米TiO2薄膜的制备过程中, 热处理温度是决定催化剂晶体结构、尺度和表面性质并进而影响其光催化活性的重要因素[7]。
本研究采用水解沉淀法在硅藻土基多孔陶瓷上负载纳米TiO2, 利用TG-DTA、XRD测定手段, 较为系统地描述了不同热处理温度条件下薄膜的形貌特点和结构特征, 用甲醛降解实验考察了热处理温度对催化剂活性的影响, 以期为今后的实际应用奠定一定的理论基础。
热处理温度对MoO_3薄膜的结构及光致变色性能的影响
刘炳胜等：铟掺杂氧化锌纳米线的制备及光致发光特性· 167 ·第38卷第2期热处理温度对MoO3薄膜的结构及光致变色性能的影响王萍萍1，沈毅1，赵丽2，曹元媛1，李珍1(1. 中国地质大学(武汉)材料科学与化学工程学院，武汉 430074；2. 湖北大学材料科学与工程学院，武汉 430062)摘要：采用溶胶–凝胶浸渍提拉法制备MoO3光致变色薄膜。
用色差计表征了材料的光致变色性能，并结合X射线衍射、扫描电镜、紫外–可见吸收光谱研究了热处理温度对其微观结构及性能的影响。
结果表明：制备的产物为斜方相MoO3；随热处理温度的升高，MoO3薄膜光致变色性能先增后减。
当温度为500℃时，薄膜的结晶度最大，颗粒粒径最小，比表面积较大；色差值最大为1.2330。
在该温度下激发波长向长波长移动，薄膜的吸收光波区域变宽，从而使MoO3薄膜的光致变色性能提高。
关键词：热处理温度；光致变色；氧化钼薄膜；溶胶–凝胶法中图分类号：TB34 文献标志码：A 文章编号：0454–5648(2010)02–0167–05EFFECT OF HEAT-TREATMENT TEMPERATURE ON STRUCTURE AND PHOTOCHROMICPROPERTIES OF MoO3 THIN FILMSWANG Pingping1，SHEN Yi1，ZHAO Li2，CAO Yuanyuan1，LI Zhen1(1. Faculty of Material Science and Chemistry Engineering, China University of Geosciences, Wuhan 430074;2. Faculty of Materials Science and Engineering, Hubei University, Wuhan 430062, China)Abstract: Photochromic MoO3 thin films were prepared via sol–gel dip-coating method. The photochromic properties of the MoO3 thin films were characterized by a color difference meter, and the effects of heat-treatment temperature on the microstructure and properties of the MoO3 thin films were investigated by X-ray diffraction, scanning electron microscope and ultraviolet–visible ab-sorption spectroscopy. The results indicate that the product prepared is a rhombic MoO3, and the photochromic properties of the MoO3 thin films first increase and then decrease with the rise of heat-treatment temperature. When the temperature of the heat-treatment was 500℃, the MoO3 thin film has higher crystallinity, smaller particle size, and larger specific surface area. Its chro-matism value also reaches its maximum value of 1.2330. The wavelength of the excitation light shifts to a long-wavelength and the light absorption region of the thin film becomes wider at heat-treatment temperature of 500℃. Accordingly, the photochromic prop-erties of the MoO3 thin films are enhanced.Key words: heat-treatment temperature; photochromism; molybdenum trioxide thin films; sol–gel method光致变色反应可用于光信息存储和光记录，许多新型的光致变色材料陆续被发现，如：螺毗喃[1]等有机类化合物、磷钨酸等[2]杂多酸类化合物、有机–无机杂化类化合物、[3] Ag–Cu等金属卤化物和金属氧化物。
热处理和掺杂对TiO2薄膜折射率的影响
书山有路勤为径，学海无涯苦作舟
热处理和掺杂对TiO2 薄膜折射率的影响
热处理对TiO2 薄膜折射率的影响对玻璃基底上镀制的氧化钛薄膜进行热处理, 温度分别为300℃、400℃、850℃。
样品标号分别为A10、A11、A12, 折射率见表2。
表2 不同热处理样品折射率
由表2 看出,随着热处理温度的升高,薄膜折射率也逐渐增大。
分析原因:因为锐钛矿折射率为2.56, 金红石更致密,折射率为2.77。
样品A7、A10 是无定形结构; 样品A11 在400℃热处理下已经出现锐钛矿结构; A12 在850℃热处理下出现了金红石结构,是锐钛矿和金红石的混合态,因此折射率最高。
由此看出,可以通过热处理的方式,在适当的范围内来改变氧化钛薄膜中锐钛矿和金红石两种结构
的比例,改变薄膜的折射率,从而达到微调氧化钛薄膜光学性质的目的。
掺杂对TiO2 薄膜折射率的影响表3 是不同掺杂量的氧化钛薄膜的折射率。
由表3 可以看到,少量掺杂可以提高氧化钛薄膜的折射率,但随着掺杂量的增大, 折射率反而有所下降,这是因为少量掺杂Ce,不改变TiO2 的结构,但过量掺杂,则
析出了CeO2 颗粒。
混合颗粒膨胀系数不一样,造成薄膜致密度下降,导致折射率下降。
要改变氧化钛薄膜的折射率可以通过适量掺杂来实现。
表3 不同掺杂量的TiO2 薄膜的折射率
结论
(1) 镀制高折射率的氧化钛薄膜,电子束蒸发法的最佳工艺参数为:基片温度200℃、真空度2 乘以10- 2 Pa、沉积速率0.2nm/s、电子束流100 mA。
(2) 随着热处理温度的升高,薄膜折射率也逐渐增大。
850℃热处理后的氧化钛薄膜折射率最高为2.34。
热处理温度对tio2薄膜光催化活性影响的研究
热处理温度对tio2薄膜光催化活性影响的研究近年来，随着环境污染日益严重，技术越来越关注环境保护。
光催化，作为一种节能减排技术，已被广泛应用到各个领域。
其中，TiO2薄膜光催化剂本质上是由TiO2经过不同处理形成一层涂层，它表现出良好的稳定性和光催化活性，可以把太阳光转化成以氧化氢作为底物的可用能。
但是，由于TiO2的结构和表面性质的复杂性，现有的TiO2薄膜光催化剂的性能有待改进。
热处理温度是影响TiO2表面结构和性质的关键因素，因此热处理温度对TiO2薄膜光催化活性的影响值得研究。
本文旨在探讨热处理温度对TiO2薄膜光催化活性的影响。
首先，对低热处理温度TiO2薄膜（热处理温度为90C）进行表征，探究其表面微观结构特征，并采用电化学调控技术测试其光催化性能。
然后，将热处理温度提高到120C，然后重复以上研究步骤，并对其光催化活性进行比较。
最后，利用活性位技术对热处理温度对TiO2薄膜光催化活性的影响机理进行探究。
实验结果表明，热处理温度对TiO2薄膜光催化性能具有显着影响。
当热处理温度从90C提高到120C时，TiO2薄膜的表面形貌由原来的平整形态变得更加均匀，表现出更大的表面坑洼，使表面更加活跃。
同时，随着温度的升高，TiO2薄膜的光催化活性也有所提高，表明TiO2表面可以更有效地吸收太阳光，从而更有效地吸收太阳光。
通过活性位研究发现，热处理温度的升高使TiO2薄膜的能带结构发生了一些变化，形成了一个向上的潜势阱而不是负型电极，这样可以有效地减少空穴吸着，从而提高光催化活性。
综上所述，热处理温度对TiO2薄膜光催化活性有显著影响，当温度升高时，表面形貌发生变化，会使TiO2薄膜的表面更具活性，并通过调整能带结构减少空穴吸着，从而增加光催化活性。
因此，对热处理温度对TiO2薄膜光催化活性的影响有必要进行深入研究，以提高TiO2薄膜光催化剂的性能。
本文首次报道了热处理温度对TiO2薄膜光催化活性的影响，提出了热处理温度可以通过调整TiO2表面结构提高TiO2薄膜光催化活性的机制，为TiO2薄膜光催化技术的发展提供了理论依据。
热处理工艺对钛合金材料的晶界工程的影响
热处理工艺对钛合金材料的晶界工程的影响热处理工艺是一种常用的金属材料处理方法，可以通过控制材料的温度和时间，改善材料的力学性能和结构性能。
对于钛合金材料来说，热处理工艺同样起到了极其重要的作用。
热处理工艺可以通过晶界工程的方式来调控和控制材料的晶界结构和性能，从而提高钛合金材料的力学性能和耐蚀性。
首先，热处理工艺可以对钛合金材料的晶界进行调控和控制。
钛合金材料的晶界是材料中不同晶粒之间的界面区域，其结构和性能对材料的力学性能和耐蚀性具有重要影响。
通过适当的热处理工艺，可以改善钛合金材料晶界的结构和性能，提高材料的力学性能和耐蚀性。
例如，通过退火处理和再结晶处理，可以消除或减小钛合金材料中的晶界缺陷和残余应力，提高材料的塑性和韧性；通过固溶处理和时效处理，可以改变钛合金材料中的晶界化学成分和相态组成，提高材料的硬度和强度。
其次，热处理工艺可以调控和控制钛合金材料晶界的晶界能与晶界迁移率。
晶界能是指晶体与晶界之间的能量，并影响着材料的晶粒生长和晶界迁移。
晶界迁移率是指晶界的移动速率，其大小与晶界的形貌和活动程度有关。
通过适当的热处理工艺，可以通过调控和控制晶界能与晶界迁移率，改变钛合金材料的晶界结构和性能。
例如，通过热退火处理和晶化处理，可以增大钛合金材料晶界能，提高晶界的亲和性，从而增强晶界的饱和度和稳定性；通过固溶处理和时效处理，可以提高钛合金材料晶界的迁移率，促进晶界的移动，从而改善材料的晶粒尺寸和晶界的连续性。
最后，热处理工艺可以进一步改进钛合金材料的晶界结构和性能。
热处理工艺可以通过晶界工程的方式，对钛合金材料的晶界结构进行再设计和优化，进一步提高材料的力学性能和耐蚀性。
例如，通过区域退火处理和多次固溶处理和时效处理，可以实现钛合金材料中不同晶粒之间的晶界特性的差异化控制，改善材料的界面胶合性和界面效应，从而提高材料的韧性、强度和耐蚀性。
综上所述，热处理工艺对钛合金材料的晶界工程具有重要的影响。
快速热处理中退火温度对Sol—gel法制备PZT铁电薄膜性能的影响
信 息 通 信
ｌ Ｎ Ｆ０ＲＭ Ａ ＴＩ ＯＮ ＆ Ｃ０Ｍ Ｍ ＵＮ Ｉ ＣＡＴ１ ０Ｎ Ｓ
２ ０１ ４
（ Ｓ ｕ ｍ ． Ｎ ｏ １ ３ ５ ）
快速热处理中退火温度对 Ｓ ｏ ｌ — ｇ ｅ １ 法制备Ｐ Ｚ Ｔ 铁电薄膜性能的影响
化约为 ２ ０ ｐ Ｃ ／ ｃ ｍ。 ， 矫 顽场约为 １ ５ ０ Ｋ Ｖ／ ｃ ｍ） 。在 １ ０ ０ Ｋ Ｖ／ ｃ ｍ 电场下 ， 电流 密度 Ｊ 在 １ ０ ｐ Ａ ／ ｃ ｍ 数量级 ， 表明所制 的 Ｐ Ｚ Ｔ纳 米薄膜质量较好 ， 能承 受较 高的场强 以达到饱和极化状 态而不被 击穿
Ｐ Ｚ Ｔ铁 电薄膜 ， 主要研 究 了 在退 火时间为 ５ ０ ０ ｓ 时退 火温度对薄膜的结晶结构、 表 面形貌和铁 电性能的影响 。通过 ｘ射 线衍射仪（ Ｘ Ｒ Ｄ） 、 扫描 电子显微镜 （ Ｓ Ｅ Ｍ） 和铁 电测试仪对制备的薄膜进行 了性能表征。研 究结果表明 ， ３退 － 火温度 为 ＇ ６ ０ ０ ０ Ｃ时， Ｐ Ｚ Ｔ薄膜具有（ １ １ １ ） 择优取向 ， 表 面致 密无裂纹 ， 且 具有较好 的铁 电性能（ 其饱 和极化值 约为 ３ ０ ｐ Ｃ ／ ｃ ｍ ， 剩余极
胡绍璐 。 。 ， 赵 海 臣 ， 李 林 华 ， 任 丽 ， 邓朝 勇 。 。
（ 】 ． 贵州大学电子信 息学 ； ２贵州省电子功 能复合材料特 色重点 实验 室， 贵州 Ｉ贵 阳 ５ ５ ０ ０ ２ ５ ）
摘要： 利用Ｓ ｏ ｌ — Ｇｅ ｌ 法在 Ｐ ｔ ／ Ｔ ｉ Ｏ ／ Ｓ ｉ Ｏ ／ Ｓ ｉ 基底上用快速热处理（ Ｒ ａ ｐ ｉ ｄ Ｔ ｈ ｅ ｒ ｍａ ｌ Ｐ ｒ ｏ ｃ ｅ ｓ ｓ ｉ ｎ ｇ ， Ｒ Ｔ Ｐ） 退 火工 艺制备 出了致 密的 ｅ ｒ ｍａ １ ａ ｎ ｎ ｅ ａ ｌ ｉ ｎ ｇ ｐ ｒ ｏ ｃ ｅ ｓ ｓ ｗｉ ｔ ｈ ｔ ｈ ｅ Ｓ ｏ ｌ — Ｇｅ ｌ ｍｅ ｔ ｈ ｏ ｄ ． ｔ ｈ ｅ ｄ ｅ ｎ ｓ ｅ Ｐ ＺＴ ｆ ｅ ｒ ｒ ｏ ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ｉ ｃ ｔ ｈ ｉ ｎ ｉｌ ｆ ｍｓ ａ ｒ ｅ ｐ ｒ ｅ ｐ ａ ｒ ｅ ｄ ｏ ｎ Ｐ ｔ ／ Ｔｉ Ｏ２ ／ Ｓ ｉ Ｏ２ ／ Ｓ ｉ ｓ ｕ ｂ ｓ ｔ ｒ ａ ｔ ｅ， ａ ｎ ｄ ｔ ｈ ｅ ｉ ｎ ｆ ｌ ｕ ｅ ｎ ｃ ｅ ｏ ｆ ａ ｎ ｎ ｅ ａ ｌ ｉ ｎ ｇ ｔ ｅ ｍｐ ｅ ｒ ａ ｔ ｕ ｒ ｅ ｏ ｎ ｔ ｈ ｅ ｃ ｒ ｙ ｓ ｔ ａ ｌ ｌ ｉ ｎ ｅ ｓ ｔ ｒ ｕ ｃ ｔ ｕ ｒ ｅ ． ｓ ｕ ｒ ｆ ａ ｃ ｅ ｍｏ ｒ ｐ ｈ ｏ ｌ ｏ ｇ ｙ ａ ｎ ｄ ｆ ｅ ｒ —
(Ba,Sr)TiO3薄膜制备技术新进展
金 属 功 能材 料
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Ｖｏ ． ６． Ｎｏ ４ １１ ． Ａｕ ｕｓ ， ｇ ｔ ２ ０ ０ ９
（ ａ Ｓ ） ｉ ３薄 膜 制 备技 术 新 进 展 Ｂ ，ｒ ＴＯ
压力 、 ： 的分压 比 、 源 的组 成 等工 艺 参 数 ， Ａｒ Ｏ 靶 制 备 出具 有多 晶结 构特征 、 面致密 ， 具有较 高 的介 表 且
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近 年来 利 用 射 频 磁 控 溅 射 技 术 已 生 长 出 Ｂ — ａ
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（ ｂ ｌ ） Ｚ ， ） 、 ｒ ｉ 。 。 铁 电薄 膜 ， 膜 Ｐ ， ａ （ ｒ ＴｉＯ。 ＳＢ ： Ｏ 等 Ｔａ 薄 质量大 为提 高 ， 已做 出 了多种原 型器 件 ， 热释 电 并 如
中 图 分 类 号 ： ８ ． ０４ ４ １ 文献标识码 ： Ａ 文 章 编 号 ：０ ５ １ ２ ２ ０ ） ４ ０ ５ —０ １ ０ —８ ９ （ ０ ９ ０ — ０ ３ ４
室温下Ba0.67Sr0.33TiO3薄膜的射频磁控溅射法制备及其电学性能研究
文章 编 号 ： １ ０ ０ ０ ２ ３ ７ ５ （ ２ ０ １ ３ ） ０ 下 Ｂ ａ ０ － ６ ７ Ｓ ｒ ０ ． ３ ３ Ｔ ｉ Ｏ３ 薄 膜 的 射 频 磁 控 溅 射 法 制 备 及 其 电 学 性 能 研 究
杜层虎 ， 陈潇 洋 ， 徐樽平 ， 严东旭 ， 朱建 国 ， 余 萍
（ 四Ｊ Ｉ ｌ 大学材料科学与工程学院 ， 四川 成都 ６ １ ０ ０ ６ ４ ） 摘要 采用磁 控溅射 技术在室 温下制 备 Ｂ ａ 。 ， 。 Ｓ ｒ ０ 。 。 Ｔｉ Ｏ 。 薄膜 ， 通 过引入 Ｌ ａ Ｎｉ Ｏ 。 作 为缓 冲层 以及 对退火 工艺 的研
究， 采用两步法快速退火工艺与常规退火工艺结合的方式获得 了致密并具有 良好 电学性能 的钛酸锶钡 薄膜． Ｘ线衍 射分 析表明室温情况下获得的薄膜是非晶态 ， 需要通过后续 的退火处理才能获得 晶化 的薄膜 ， 采用快速退火 与常规退火 相结 合： ［艺 ， 即以 ４ Ｏ℃ ｓ 的升温速率 ， 先升温到 ８ ５ ０℃ ， 再降温到 ４ ５ ０℃保温 １ ８ ０ Ｓ ， 然后再在 ５ ０ ０℃常规退火 ３ ｈ ， 可使室温 下溅射的呈非晶态的 Ｂ Ｓ Ｔ薄膜晶化形成具有 完全钙 钛矿结构 的 Ｂ Ｓ Ｔ薄 膜 ， 薄膜致密 ， 晶粒 大小均 匀． 室温下 所制 备 的
ＤＵ Ｃｅ ｎ ｇ ｈ ｕ， ＣＨＥＮ Ｘｉ ａ ｏ ｙ ａ ｎ ｇ， ＸＵ Ｚ ｕ ｎ ｐ ｉ ｎ ｇ， ＹＡＮ Ｄｏ ｎ ｇ ｘ ｕ ， Ｚ ＨＵ Ｊ ｉ ａ ｎ ｇ ｕ ｏ， ＹＵ Ｐｉ ｎ ｇ
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热处理工艺对改性石墨烯薄膜光催化性能的影响研究
工作研究热处理工艺对改性石墨烯薄膜光催化性能的影响研究王 磊（秦川机床工具集团股份公司，陕西 宝鸡 721009）摘 要：本文在Hummers方法的基础上进行了一定改进，制备了一定量的改性石墨烯分散液，并进一步制成了相应的改性石墨烯薄膜。
通过对石墨烯薄膜采取一定热处理措施，并对其微观形貌、成分以及结构等进行了系统全面的表征，进而对其光催化性能进行了比较深入的分析研究，有助于促进改性石墨烯薄膜处理工作水平的不断提高，对于从事相关工作的技术人员具有一定的借鉴意义。
关键词：热处理；改性石墨烯薄膜；光催化性能1 前言石墨烯作为一种性能优异的材料，其具有非常重要的应用价值，尤其是在环境污染治理方面具有非常广泛的应用，它的催化性能具有非常高的应用价值。
在以前的研究工作中，对石墨烯的研究主要集中在光催化剂，而将其作为一种重要光催化材料方面的研究相对较少，对于污染的光催化降解性能方面的研究工作更是少见。
为了对石墨烯性能进行更加深入的研究，本文在以往研究成果的基础上，对改性石墨烯材料采取不同方式的热处理还原，并进一步对改性石墨烯材料在可见光段时的光催化性能规律进行系统全面的分析研究，有助于推动改性石墨烯研究的不断深入，促进其在更大的范围进行推广应用。
2 实验2.1 实验仪器与试剂2.1.1试验仪器。
本文所采用的实验仪器主要有：EZ4匀胶机、电热恒温鼓风干燥箱、微波炉、箱式电阻炉、蠕动泵以及配套的照射光源。
2.1.2实验试剂。
本文所采用的实验试剂主要有：电导率不超过10μs/cm的纯水、分析纯级别的浓硫酸、浓度为30%的双氧水、亚甲基蓝、分析纯级别的丙酮以及分析纯级别的无水乙醇。
2.2 实验方法。
采用匀胶法进行石墨烯薄膜试样的制备，根据所采用处理方式的不同，可以将制备分为真空热处理和空气热处理两个不同的组别。
两组在温度梯度为50℃的100~400℃温度范围进行相应的热处理，并保持温度2h进行充分的还原处理，最后制成相应的薄膜。
热处理对钛掺杂类金刚石薄膜场发射性能的影响
DOI ： 10. 11973/jxgcc!202101002MATERIALS FO R MECHANICAL ENGINEERING2021 年 1 月第 45 卷第 1 期 Vo 丨.45 No. 1 Jan* 2021热处理对钛掺杂类金刚石薄膜场发射性能的影响李栓平，刘竹波，王永胜，于盛旺，贺志勇，周兵(大原理工大学新型碳材料研究院，太原030024)摘要：采用多靶磁控溅射技术制备了钛掺杂类金刚石（Ti -DLC )薄膜，并在不同温度（300,350,400 °C )下进行了热处理，研究了热处理温度对薄膜微观结构、成分、能带结构以及场发射性能的影响。
结果表明：与热处理前的相比，300 °C 热处理后Ti-D LC 薄膜中sp 2-C 团簇相对含量增大， 光学带隙最小，开启场强最低，为5.43 V . p n T 1，场发射性能最好；当热处理温度高于300 °C 时， 薄膜的D LC 含量减少，同时生成大量Ti 02,光学带隙增加，薄膜开启场强增大，场发射性能变差； 薄膜的场发射电流基本不受热处理温度的影响。
关键词：钛掺杂；类金刚石；热处理；Ti 02;光学带隙；场发射性能中图分类号：TG156. 88; TB114. 2文献标志码：A 文章编号：1000-3738(2021)01-0008-06Effect of Heat Treatment on Field Emission Properties ofTi-Doped Diamond-like Carbon FilmLI Shuanping. LIU /hu h o, WANG Yongsheng, YU Shengwang. HE Zhiyong. ZHOU Bing(Institute of New Carbon Materials, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China)Abstract ： The Ti-doped diamond-like carbon (Ti-DLC) film was prepared by multi-target magnetronsputtering technique, and was heat-treated at different temperatures (300, 350, 400 °C). The effects of heat treatment temperature on the microstructure, composition, band structure and field emission properties of the film were studied. The results show that compared with those before heat treatment, the proportion of sp2-C clusters in the Ti-DLC film after heat treatment at 300 °C increased ；the optical band gap was the smallest, and the turn-on field with value of 5. 43 V*^m 1 was the smallest, indicating the film had the best field emission performance. As the temperature was higher than 300 °C, the content of diamond-like carbon in the films dropped, and a large amount of Ti 〇2 formed ； the optical band gap and the turn-on field increased, indicating the field emission performance of the films got worse. The field emission current of the film was not affected by the heat treatment temperature.Key words ： Ti-doping ； diamond-like carbon ； heat treatment ； Ti()2; optical band gap ； field emissionproperty〇引言金刚石、碳纳米管、类金刚石(diamoncHike carbon ，收稿日期：2020-02-21;修订日期：2020-10-22基金项目：科技部中-白政府间交流项目（CB02-03);国家自然科学基金资助项目（51811530058);山西省科技重大专项项目(20181102013);山西省“1331工程”工程研究中心项目(PT201801);山西省应用基础研究计划（青年基金）项目 (201801D221131)作者简介：李栓平（1992—），男，山西忻州人，硕士研究生导师：周兵副教授DLC )是近年来兴起的一类新型碳材料，该材料因在 冷阴极材料方面的优良特性(如低的功函数、负的电 子亲和势)而广泛应用于场发射器件方面[13]。
退火温度对BaTiO3薄膜的结构和介电性能的影响
退火温度对BaTiO3薄膜的结构和介电性能的影响
郑新芳;李俊峰
【期刊名称】《化工时刊》
【年(卷),期】2008(22)2
【摘要】采用溶胶-凝胶法制备Si(100)基片上的BaTiO3陶瓷薄膜,并用红外光谱(IR)、x射线衍射(XRD)、扫描探针(SPM)等技术分析了钛酸钡凝胶的热解过程,以及不同退火温度下薄膜的晶粒、晶相、表面形貌、介电性能等指标.实验结果表明:高温有利于钛酸钡由立方相向四方相的转化;温度升高到1023 K时,钛酸钡薄膜的表面形貌平整、均匀并具有良好的介电性能.
【总页数】4页(P27-30)
【作者】郑新芳;李俊峰
【作者单位】河北师范大学化学与材料科学学院,河北,石家庄,050061;邯郸学院物理与电子工程系,河北,邯郸,056005
【正文语种】中文
【中图分类】TG13
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4.退火温度对Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜晶化及介电性能的影响 [J], 廖家轩;潘笑
风;王洪全;张佳;傅向军;田忠
5.退火温度对BZT薄膜介电性能的影响研究 [J], 邓小玲;郭冬娇;蔡苇;符春林因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
快速热退火和氢等离子体处理对富硅氧化硅薄膜微结构与发光的影响
快速热退火和氢等离子体处理对富硅氧化硅薄膜微结构与发光
的影响
快速热退火和氢等离子体处理对富硅氧化硅薄膜微结构与发光的影响
采用micro-Raman散射、傅里叶变换红外吸收谱和光致发光谱研究了快速热退火及氢等离子体处理对等离子体增强化学气相沉积法200℃衬底温度下生长的富硅氧化硅(SRSO)薄膜微结构和发光的影响.研究发现,在300-600℃范围内退火,SRSO薄膜中非晶硅和SiO x ∶H 两相之间的相分离程度随退火温度升高趋于减小;而在600-900℃范围内退火,其相分离程度随退火温度升高又趋于增大;同时发现SRSO薄膜发光先是随退火温度的升高显著加强,然后在退火温度达到和超过600℃后迅速减弱;发光峰位在300℃退火后蓝移,此后随退火温度升高逐渐红移.对不同温度退火后的`薄膜进行氢等离子体处理,发光强度不同程度有所增强,发光峰位有所移动,但不同温度退火样品发光增强的幅度和峰位移动的趋势不同.分析认为退火能够引起薄膜中非晶硅颗粒尺度、颗粒表面结构状态以及氢的存在和分布等方面的变化.结果表明不仅颗粒的尺度大小,而且颗粒表面的结构状态都对非晶硅颗粒能带结构和光生载流子复合机理发挥重要影响.
作者：王永谦陈维德陈长勇刁宏伟张世斌徐艳月孔光临廖显伯作者单位：中国科学院半导体研究所,凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室,北京,100083 刊名：物理学报 ISTIC SCI PKU 英文刊名：ACTA PHYSICA SINICA 年，卷(期)：2002 51(7) 分类号：O4 关键词：富硅氧化硅微结构发光快速热退火。
热处理对离子注入法制备的二氧化钛薄膜光学性能的影响的开题报告
热处理对离子注入法制备的二氧化钛薄膜光学性能的影响
的开题报告
一、选题背景及意义
离子注入法是制备功能材料的重要方法之一。
二氧化钛薄膜是一种重要的光学材料，具有广泛的应用。
热处理是对离子注入法制备的二氧化钛薄膜进行后续处理的方
法之一，能够明显改善其光学性能。
因此，探究热处理对离子注入法制备的二氧化钛
薄膜光学性能的影响，对于深入了解离子注入法制备二氧化钛薄膜的性能和应用具有
重要的理论和实际意义。
二、研究内容
本研究将采用离子注入法制备二氧化钛薄膜，并对所制备的二氧化钛薄膜进行热处理。
通过测试其光学性能，探究热处理对其光学性能的影响，进一步了解热处理对
离子注入法制备二氧化钛薄膜的影响规律和机理。
三、研究方法及步骤
1. 实验材料制备：采用离子注入法制备二氧化钛薄膜，并对所制备的样品进行热处理，制备不同处理温度下的样品。
2. 实验仪器检测：采用紫外可见分光光度计、激光扫描共聚焦显微镜等多种仪器，对所制备的样品进行光学性能测试和结构性质分析。
3. 数据分析：对实验结果进行统计分析，探究热处理对离子注入法制备的二氧化钛薄膜光学性能的影响规律和机理。
四、研究预期结果
本研究将可以系统地探究热处理对离子注入法制备的二氧化钛薄膜光学性能的影响，进一步了解热处理对离子注入法制备二氧化钛薄膜的影响规律和机理。
本研究将
有助于优化二氧化钛薄膜的制备工艺，提高其应用价值。
同时，本研究的理论成果也
将有助于更好地推进功能材料的研究和应用。
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摘要
采 用射频溅射法在 ｓ（１） 片上制备 了（ａ Ｓ） ｉ。Ｂ Ｔ 薄 膜， 对制备 的薄膜进 行 了快速 退 火热 ｉ１１基 Ｂ ，ｒＴ（ （ Ｓ ） ） 并
处理。采用ｘ射线衍射和原子力显微镜分析了退火温度、 退火时间和加热速度对 Ｂ Ｔ薄膜晶化行为的影响。研究结 Ｓ 果表 明，Ｓ Ｂ Ｔ薄膜的 晶化行 为强烈依 赖于退火温度 、 火时 间和加 热速度 。Ｂ Ｔ薄膜 的 结晶度 随退 火温度 的升 高而 退 Ｓ 提高。适当的热处理可降低 Ｂ Ｔ薄膜的表面粗糙度，Ｓ Ｓ Ｂ Ｔ薄膜的表面粗糙度随退火温度的升高经历了一个先降低后 增 大的过程 ， 退火后 Ｂ Ｔ 薄膜 的表 面粗糙 度都小 于制备 态薄膜 的表 面粗糙 度 。Ｂ Ｔ薄膜 的晶粒 尺寸随 退火温 度的 但 Ｓ Ｓ
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升 高经历 了一 个先增大后减小的过程 。随退 火 时间的延 长， Ｓ Ｅ Ｔ薄膜 的特征 衍射峰 越 来越 强， ｋ 薄膜的 晶化程 度越 来 越 高。随退 火时间的延 长 ，Ｓ Ｂ Ｔ薄膜 的晶粒 尺寸和表面粗糙度也 经历 了一个先 增大后 减小的过 程 。Ｂ Ｔ 薄膜的 晶粒 Ｓ
大 小 主要 由 退 火 温 度 决 定 。 高的 升 温速 率 可 获 得较 小 的 晶 粒 。 关键 词 （ａＳ） ｉ３ Ｂ ，ｒＴＯ 薄膜 晶化 快速退 火热处理 Ｘ Ｄ Ｆ Ｒ Ａ Ｍ
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快速热处理对 （ａ Ｓ） ｉ 。 Ｂ ， ｒＴＯ 薄膜晶化行为的影响／ 张勤勇等
快 速 热处 理 对 【 ａ Ｓ ） ｉ ３ Ｂ ，ｒ ＴＯ 薄膜 晶化 行 为 的 影 响
张 勤勇ｈ ，蒋书文 李 言荣 ，
（ 电子科技大学微 电子与固体电子学 院， １ 成都 ６ ０ ５ ； 西华大学材料学 院 ， １０ ４ ２ 成都 ６ Ｏ ３ ） １ Ｏ ９