封装与互连
元器件的互连封装技术—引线键合技术
应用范围
低成本、高可靠、高产量等特点使得它成为芯片 互连的主要工艺方法，用于下列封装：
• 陶瓷和塑料BGA、单芯片或者多芯片 • 陶瓷和塑料 (CerQuads and PQFPs) • 芯片尺寸封装 (CSPs) • 板上芯片 (COB)
芯片互连例子
采用引线键合的芯片互连
两种键合焊盘
球形键合
铝合金线为超音波最常见的线材；金线亦可用于超音 波接合，它的应用可以在微波元件的封装中见到。
楔形键合
其穿丝是通过楔形劈刀 背面的一个小孔来实现 的，金属丝与晶片键合 区平面呈30～60°的角 度，当楔形劈刀下降到 焊盘键合区时，楔头将 金属丝按在其表面，采 用超声或者热声焊而完 成键合。
超音波接合只能产生楔形接点(Wedge Bond)。它所能 形成的形成的连线弧度(称为Profile)与接点形状均小于其 他引线键合方法所能完成者。因此适用于焊盘较小、密度 较高的IC晶片的电路连线；但超音波接合的连线必须沿著 金属迴绕的方向排列，不能以第一接点为中心改变方向， 因此在连线过程中必须不断地调整IC晶片与封装基板的位 置以配合导线的迴绕，不仅其因此限制了键合的速度，亦 较不利于大面积晶片的电路连线。
元器件的互连封装技术 —引线键合技术
Review
电子封装始于IC晶片制成之 后，包括IC晶片的粘结固定、电 路连线、密封保护、与电路板之 接合、模组组装到产品完成之间 的所有过程。
电子封装常见的连接方法有 引线键合(wire bonding，WB)、载 带自动焊（tape automated bonding, TAB）与倒装芯片(flip chip, FC)等 三种，倒装芯片也称为反转式晶 片接合或可控制塌陷晶片互连 (controlled collapse chip connection ,C4 ) 。
电子封装互连无铅钎料及其界面问题研究
电子封装互连无铅钎料及其界面问题研究1. 本文概述随着电子科技的飞速发展，电子封装互连技术在现代电子产品中发挥着至关重要的作用。
钎料作为实现电子器件之间以及器件与基板之间连接的关键材料，其性能直接影响到电子产品的质量和可靠性。
传统的钎料中往往含有铅元素，铅是一种有毒物质，对环境和人体健康造成了严重威胁。
研究和开发无铅钎料已成为电子封装领域的重要课题。
本文旨在探讨无铅钎料在电子封装互连中的应用及其界面问题。
我们将对无铅钎料的发展历程和现状进行概述，分析无铅钎料的主要类型和特点。
我们将深入探讨无铅钎料与电子器件、基板之间的界面问题，包括界面结构、界面反应、界面性能等方面。
本文还将对无铅钎料在电子封装中的可靠性进行评估，以便为实际应用提供指导。
2. 无铅钎料的基本性质无铅钎料是电子封装互连中的关键材料，随着环境保护法规的日益严格和对人类健康的关注，无铅钎料逐渐取代含铅钎料成为行业标准。
无铅钎料的基本性质主要包括以下几个方面：熔点：无铅钎料的熔点通常高于含铅钎料，这意味着在焊接过程中需要更高的温度。
熔点的提高可能会对电子组件的热敏感性造成挑战。
润湿性：润湿性是指钎料在固体基底上的铺展能力，它是评价钎料性能的重要指标。
无铅钎料的润湿性通常不如含铅钎料，这可能会影响焊接质量和可靠性。
机械性能：无铅钎料的机械性能，包括抗拉强度和延展性，通常较含铅钎料有所下降。
这要求在设计和制造过程中对材料选择和工艺参数进行优化。
热稳定性：无铅钎料需要具备良好的热稳定性，以保证在电子设备的使用过程中不会因温度变化而发生性能退化。
热稳定性的提高有助于延长产品的使用寿命。
化学稳定性：无铅钎料在使用过程中应不易发生化学变化，以避免导致焊接接头的腐蚀或断裂。
化学稳定性是确保电子封装长期可靠性的重要因素。
环境适应性：无铅钎料应具有良好的环境适应性，能够在不同的环境条件下保持性能稳定，包括湿度、温度变化和机械振动等。
3. 电子封装互连技术概述电子封装互连技术是电子工程领域中的一个关键环节，它涉及到芯片、元器件、电路板和系统之间的电气连接和物理固定。
半导体封装互连技术详解
1.引言任何一个电子元件，不论是一个三极管还是一个集成电路（Integrated Circuit, IC），想要使用它，都需要把它连入电路里。
一个三极管，只需要在源极、漏极、栅极引出三根线就可以了，然而对于拥有上百或上千个引脚的超大规模集成电路（Very Large Scale Integration Circuit, VLSI）来说，靠这种类似于手动把连线插到面包板的过程是不可能的。
直接把IC连接到（未经封装的集成电路本体，裸片，Die）电路中也是不可能实现的，因为裸片极容易收到外界的温度、杂质和外力的影响，非常容易遭到破坏而失效。
所以电子封装的主要目的就是提供芯片与其他电子元器件的互连以实现电信号的传输，同时提供保护，以便于将芯片安装在电路系统中。
一般的半导体封装都类似于下面的结构，将裸片安装到某个基板上，裸片的引脚通过内部连接路径与基板相连，通过塑封将内部封装好后，基板再通过封装提供的外部连接路径与外部电路相连，实现内部芯片与外界的连接，就像上面两个图一样，裸Die和封装内部复杂的连接等都埋在里面，封装好后就是对外就是一些规整的引脚了。
不论是多复杂的封装，从黑盒的角度来看其实现的基本功能都是一样的，最简单的就是封装一个分立器件，给出几个引脚；复杂一点想要封装具有多个I/O 接口的IC，以及多个IC一起封装，在封装的发展过程中也发展出了很多封装类型和很多技术，比如扇出技术、扇入技术这些。
这些概念和缩写非常多，尤其是当谈到先进封装（Advanced Packaging）的时候，为了实现高密度集成以及快速信号传输这些需求，不得不在每一个地方都发展一些新的技术，很多情况下会把它们都并入到先进封装技术里来介绍，这有时候会引起一些困惑，这里主要整理一下IC封装里的互连技术。
在IC封装种几种典型的互连技术包括引线键合（Wire Bonding，WB）、载带自动焊（Tape-automated Bonding，TAB）、倒装芯片（Flip Chip，FC）、晶圆级封装（Wafer-Level Packaging，WLP）、以及硅通孔（Through Silicon Via，TSV）。
《集成电路封装与测试》芯片互连
引线键合技术
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引线键合键合接点形状主要有楔形和球形，键合接点有两个，两 键合接点形状可以相同或不同。
球形键合
楔形键合
引线键合工艺参数
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➢键合温度 WB 工艺对温度有较高的控制要求。过高的温度不仅会产生过多的氧化物影响键合质量，并
且由于热应力应变的影响，图像监测精度和器件的可靠性也随之下降。在实际工艺中，温控系 统都会添加预热区、冷却区，提高控制的稳定性，需要安装传感器监控瞬态温度 ➢键合时间
芯片焊区
芯片互连
I/O引线
半导体失效约有1/4-1/3是由芯片互连所引起，因此芯片互连对器件可靠性意义重大！！！
芯片互连技术概述
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芯片托盘(DIE PAD)
芯片(CHIP)
L/F 内引脚 (INNER LEAD)
热固性环氧树脂 (EMC)
金线(WIRE)
L/F 外引脚 (OUTER LEAD)
IC 封装成品构造图
芯片互连常见方法
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常见 方法
引线键合（又称打线键合）技术（WB） 载带自动键合技术（TAB）
倒装芯片键合技术（FCB）
这三种连接技术对于不同的封装形式和集成电路芯片集成度的限制各有不同的应用范围。 其中，FCB又称为C4—可控塌陷芯片互连技术。 打线键合适用引脚数为3-257；载带自动键合的适用引脚数为12-600；倒装芯片键合适用的引 脚数为6-16000。可见C4适合于高密度组装。
02 引线键合技术概述
引线键合技术
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引线键合工程是引线架上的芯片与引线架之间用金线连接的工程。为了 使芯片能与外界传送及接收信号，就必须在芯片的接触电极与引线架的引脚 之间，一个一个对应地用键合线连接起来，这个过程称为引线键合。也称为 打线键合。
微系统封装和互连技术—PIT
2008.2.1
绪言
• 封装和互连技术在微系统技术中占有重要的位置，尽管微 系统技术的元件和微电子元件在作为单独的元件时在技术 上不兼容，但封装和互连技术可以将它们组合在一起： PIT必须能够解决系统内部和外部的装配、材料连接的各 种问题。 • 以其在汽车中的应用为例，微系统在汽车中必须能工作在 -40℃到125℃的温度范围(在特殊应用中能工作在温度达 200℃条件下)，必须能经得起50g(g为重力加速度)的加速 度(如在注入泵中)，必须能抵抗水雾、盐雾以及油、汽油、 酒精和清洁剂的腐蚀。此外，为了使用的经济性，希望此 系统的使用寿命为10年或10年以上，这样，对材料和封装 与互连技术都提来讲．激光焊接是一种合 适的工艺，要焊接的区域被激光束局部加热，然而在连接 焊盘设计时，必须使激光束能够容易地到达。铱铝石榴石 -钕激光器(λ＝1064nm)或更好的二氧化碳激光器(λ＝ 10um)被用于这种工艺中。这种工艺的优点是加到电路上 的总的热负荷低。其缺点是温度依赖于被激光照射的表面 的热散发系数，局部的热传导也是影响温度的一个参数。 • 为了使焊接过程顺利，可以使用另一种焊接技术，在这种 技术中必须将所谓的块安装在连接元件的一个表面上，这 种块是一个突出元件表面的半球形状的焊料点。这种块是 易延展的，可以补偿元件之间的任何间隙变化。块是用于 大规模生产微电子设备的反转芯片焊接技术的必要条件， 所以大量的实验性工作已经在块技术中展开。
9.1.2 层的生产
• 丝网印刷是一种用于装饰纺织品和其他材料的具有一千年 历史的古老技术，然而这种古老技术和现代丝网印刷没有 太多的相同之处．微电子中的现代丝网印刷被发展得极其 完美。在陶瓷基底上用丝网印刷电路构造的结构横向尺寸 为几厘米，同时层的厚度在0.3-80um之间变化。独立的硅 片(集成电路)被安装在丝网印刷电路上，并通过引线连接 法或其他工艺电连接到基底上的着陆焊盘上。 • 正如从图9.1-2中所看到的，在使用丝网印刷工艺时，膏 剂被一种所谓的橡胶刷(一种橡胶的唇状物)通过丝网压到 基底上。这种细孔丝网开始时被光阻材料所覆盖，然后所 希望的图案通过所谓的光刻转换到丝网上，形成一个被丝 网支撑的掩模，光阻材料作为膏剂的模板。
《集成电路封装和可靠性》培训课件：芯片互连技术
Lead Scan (LS 检测)
Packing (PK 包装)
集成电路封装测试与可靠性
1 电子级硅所含的硅的纯度很高，可 达 99.9999 99999%
1 中德电子材料公司制作的晶棒(长度 达一公尺，重量超过一百公斤)
集成电路封装测试与可靠性
debris l e f t over from the grinding process.
1 Process Methods:
1)Coarse grinding by mechanical. ( 粗磨)
2)Fine polishing by mechanical or plasma etching. ( 细磨抛光)
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集成电路封装测试与可靠性
Wire Bonding Technology -- Die Attach Process
Purpose:
The die attach process i s to attach the sawed die in the right orientation accurately onto the substrate with a bonding medium in between to enable the next wire bond f i r s t level interconnection operation .
刀刃
集成电路封装测试与可靠性
切割设备示意图
晶圆 工作台
Dicing Blade
Silicon Wafer Flame
Flame
Blue Tape
两次进刀切割法
Wafer sawing
集成电路封装测试与可靠性
封装、互连、连接器组件
接地屏蔽 方式 的系统相比， 信号与接地连接采用单独的接触件在承载功率信号或低速
信号时具 有更强的灵活度。采用 Ｆ Ｉ Ｃ 公司创新的球栅阵列 （ Ｇ Ｂ Ａ）连接 器端接法是所
有 ＧＧＡ Ｒ Ｉ ・ Ｒ ＡＹ连接器的特 色， 该方法便于通过利用传统 的回流焊 工艺 固定到印制电
路板 。
Ｆ 公 司 Ｐ ｗｅ ａｄＥ ｇ 连接器 ＣＩ ｏ ｒ ｒ— ｄ ｅ Ｃ
接触对上具有 电阻并具有内部 电容 ； 完全 Ｂ ｂＳ ｔ 端接 。 Ｒ 集成了磁性元件的模 ｏ ｍｉ ｈ Ｅ ＮＩ 块式插 口产品适用于所有的以太 网数据速率。 这些模块式插 口基于一种获得 了专利权 的设计 ，并满足 Ｉ Ｅ ０ ，的电压隔离与性能要求 。这类产品可提供单 口型、多端 口 Ｅ Ｅ８２３ 型、垂直 型ａ ｍ —ｐ Ｎ ｂｕ 型结构。此外 ， Ｒ Ｉ Ｅ Ｎ 还供应具有不同颜色Ｌ Ｄ （ Ｅ 发光二极管）的
维普资讯
维普资讯
据 已经可 以利用的 １ｍｍ、 ８ ５ １ｍｍ、２ ｍｍ、２ ｍ Ｏ ５ ｍ、２ ｍｍ、３ ｍ 和３ ｍｍ间距方案来 ８ Ｏｍ ５
扩展 ， 作为 Ｇ Ｇ ＡＲ ＡＹ产品系列 的组成部分。 了以较低的反射功率产生更高速度 ， Ｉ— Ｒ 为
端 口。 电源接触件用高电导率铜合金制成 。 相邻的 电源接触件沿卡边缘的位置间距为 ２ ４ ． ｍｍ。每个 ５
电源接触件额定 电流达 ７ （ Ａ 在静止的空气中， ３￣条件下测量 ） 信号接触件的位 在 ０ Ｃ 。
置间距为 １ ７ 。 ．￣ ２
Ｅ ＮＩ Ｒ 模块式插 口
Ｅ ＮＩ 出了工作温度范 围介于 ＿０ ８ ￣ Ｒ 推 ４ ￣ ５Ｃ之间的模块式插 口。这种为 １／０ 以 Ｃ ０１０
封装、互连、连接器组件
定购时 ｍ ｘ Ｌ Ｗ 散热器单价为２ ０ ａｉ Ｏ Ｆ ． 美元。 ５
公制 导线尺寸 ５ ０ｍｍ ９ 到 ５
ｒｍ ｌ ｆ 。这些连接器符合 Ｉ Ｏ Ｐ２
．１ ．６ 形 尺寸 ，采用伸展的鳍状排 对线 Ｏ１ 美元到 Ｏ１ 美元。
列 设计 ，因而具有最大的表
面 面积 ，能有效实现空 气对 Ａ ｄ ｒ ｎＰ ｗｅ Ｐｏ ｕｔ触摸安全连接器系列 ｎ ｅｓ ｏ ｒ ｒｄ ｃｓ ｏ
流散热。该产 品采用铝 质模
Ａ ｄｒｏ ｏ ｅ ｒｄｃｓ 出 Ｐ ｗｅＭｏ ｎ ｅ ｎＰ ｗ ｒ ｏ ｕｔ推 ｓ Ｐ ｏ ｒ ｄ ＨＰ“ Ｂ”系列
Ｇ Ｐ Ｂ Ｈ １２０ Ｖ 可以共享通孔 。 设计者可以充分 Ｄ ８ 和
■
利用这种中平面正交结构的优势 。 接器的通孔共享结构以 Ｄ Ｐ １８ 连 ＧＢ Ｐ ０ 提供 ２ 个接线 ４
及独特的针脚设计 ， 可以消除许多 由传统 背板 中通孔短截线 位 置 ，额 定 值 为 １ 、 Ａ ０ ６ ＷＧ至 ２Ａ ８ ＷＧ的电缆。 该 引起的信号问题 。 ｒｓ ｏ ｍｍ＋连接器的高密度结构 （３ ３ ０ ＤＧ Ｂ １８ Ｃ ｏｓ ｗ ２ ｂ ６ ０Ｖ， Ｐ Ｐ ０ 插头可接入 １Ａ ３ ℃ ｌ ０ ℃之间。 ２ 对／ 英寸 ）支持 １．Ｇ ／的传输速度 ， ５ ｐ 上升时间时 配套连 接器 的额定 工作温 度范 围在 － ０ ２ ｂ ５ ｓ 在 Ｏｓ
１０士 ５ 欧姆的阻抗 匹配和信 ０ ％
号偏移补偿的特性 。Ｃ ｏｓｏ Ｂｏ ｋ ｓ ｒ ｌ ｔ ｎ ｓ ｒｓ ｗ ｂ Ｉｃ Ｍａｔ ｅ ｒ ｉ 接线模块 ｅＥ ｃｏ ｃ
第三、四、五讲 互连&先进封装技术(增加pip)
集成电路封装与测试SME XIDIAN UNIVERSITY类似于银浆粘接技术熔接温度高于外壳盖板熔封温度载带封装倒装芯片引线键合Tape-Carrier Package破坏表面氧化层和污染，产生塑性变形，2.载带封装（TAB）：工艺是芯片引脚框架的一种互连工艺。
1.首先在高聚物上做好元件引脚图样；2.然后将晶片按其键合区对应放在上面；3.最后通过热电极一次将所有的引线进行键合。
•冲孔•Cu 箔叠层•照相+ 腐蚀形成Cu 图样•导电图样Cu镀锡带有Cu图样的TAB膜，齿轮孔则便于带的传送。
集成电路封装与测试©2010baoing©2010集成电路封装与测试SME XIDIAN UNIVERSITY集成电路封装与测试©2010 SME XIDIAN UNIVERSITYFlip-Chip关键工艺：两种下填料各向同性导电胶&各向异性导电胶Anisotropic conduction 集成电路封装与测试©2010baoingSME XIDIAN UNIVERSITY©2010baoing 集成电路封装与测试SME XIDIAN UNIVERSITYPBGA工艺流程©2010baoing 集成电路封装与测试等焊接的检测。
©2010baoingSME XIDIAN UNIVERSITY BGA 检测断面X-ray 检测通过一个聚焦断面，使目标区域上下平面散焦的方法对焊接区进行检测，解决了焊球与焊盘垂直重叠的问题。
根据不同部位的剖面，可得到每个剖面基本参数，便于焊点辨别。
封装基板©2010集成电路封装与测试SME XIDIAN UNIVERSITY基板：多层基板集成电路封装与测试集成电路封装与测试©2010baoingCSP集成电路封装与测试©2010baoing©2010baoingSME XIDIAN UNIVERSITYCSP的核心结构LOC-CSP集成电路封装与测试©2010集成电路封装与测试CSP工艺：Fujitsu公司MicroBGA（SME XIDIAN UNIVERSITYCSP工艺：Fujitsu公司MicroBGA（II）SME XIDIAN UNIVERSITYCSP工艺：Fujitsu公司QNP (Quad Flat Nonleaded PackageSME XIDIAN UNIVERSITY CSP应用©集成电路封装与测试©2010集成电路封装与测试再分布，把四周的引出端均匀地布置在整个管芯上。
IPC-T-50H电子电路互连与封装术语及定义(等续)
的常用术语 。 附录Ａ中给 出了电子学 中常用的缩写词 。附 录ｃ 按 分类编码 即每一术语后 的编号对术语进行 了排序 ，附 录Ｂ 详述 了分类编码规则 。
吸 收 系 数 比较不同材料吸收热能或辐射能的程度 。
Ａ ｂｓ ｐ ｔｖ ｔ ｏｒ ｉ ｉｙ，Ｉ ｆ ａ ｅ ｎ ｒ —ｒ ｄ
ａ ｃ ｐ ａ ｃ ｒｔｒａｗｉｈｎ ａｔｓ，ｆ ｏ ｌｅ ｄ ｓａ ｌｓ ｅ ． ｃ ｅ ｔｎ ｅｃｉｅ ｉ ｔ ｉ ｔ ｉｎ ｔ ｒ ａ ｙｅ ｔｂ ｉｈ ｄ ｅ ａ
Ａ ＵＳ （ ＡＢ 由供 需 双 方 协 商 确 定 ） 在采购文件 中由供方 和需方确定 的附加或补充 要
ｒ ｓ ｓｏ ｕ ａ ｅ ｅ ｉｔ ｒｓ ｒ ｃ ． ｆ
范 围
本文件 提供 了电子 工业常用 术语及其定 义 ，这类 术语对于 电子 而言具有其 特定的含义 。本文件所规定
磨 削 修 整 用 精密调节 的磨 削材料射 流对膜状 元器件表 面进
行刻槽 ，以调整其参数值 。
Ａ ｂ ｏｒ ｉ ｓ ｐｔｏｎ Ｃｏｅ ｔ ｃ ｅ ｓ ｆｉ ｉ ｎｔ
的定义充分详细地 阐明了术语 ，以便 以英语为第二语 言 的读者能够理解 含义的细微之处 。本文件所列 出的
术语 是在多学科 内都通 用 的术语 。在Ｉ Ｃ Ｐ 某一 标准 内
具 有 专 门含 义或 用 法 的术 语 应 该 在 相 应 的标 准 内做 出 规定 。本文件未列 出当其应用于 电子学时未改变含 义
Ｔ ｅｒｔ ｏ ｅｃ ｎａｅ ｏ ｅａ ｕ ｔ ｆ ｎ ｒｙａ ｓｒｅ ｈ ａｉ ｒ ｒｅ ｔｇ ） ｆｈ ｍｏ ｎ ｅｇ ｂｏｂ ｄ ｏ（ ｐ ｔ ｏｅ
ｂｙ ａ ｓ ｂｓｒ ｔ ｓ ｃ ｍｐａ ｅ ｔ ｈｅ ｔ ｔ ｌａ ｕｎ ｆ ｕ ｔａ ｅ ａ ｏ ｒ ｄ ｗｉｈ ｔ ｏ ａ ｍｏ ｔｏ
IC封装中引线键合互连特性分析
ＣｈｉｎａｌｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｌｔ１、引言随着集成电路（ＩＣ）工作频率或速度不断提高以及产品小型化的要求，封装成为高频集成电路设计的瓶颈，它在信号完整性、损耗等多方面影响电路的特性。
芯片与引线框架的互连技术是ＩＣ封装中极为关键的工艺步骤。
虽然目前已经开发了很多新的互连结构，例如互连点、凸点、按键结构、弹簧结构和柱状结构等，但是ＩＣ市场上引线键合技术因为其低成本和可靠的制造技术仍占主要地位［１］［２］。
ＩＣ发展对引线键合技术的挑战日益增大，尤其是在高速电子产品和射频（ＲＦ）产品上，因此，人们越来越关心封装键合线的高频性能［３］￣［７］。
本文主要研究了键合线的Ｓｐｉｃｅ模型和模型参数提取方法，建立了单个键合线的!型等效电路，给出了根据二端口Ｓ参数提取键合线等效电路模型中的Ｒ、Ｌ和Ｃ参量值的方法。
为了去除测试结构对键合线的影响，准确地获得键合线的Ｓ参数，在电路仿真和测试中使用了去嵌入（ｄｅ－ｅｍｂｅｄｄｉｎｇ）技术。
最后设计了一个简单的低成本的测试结构，比较验证了仿真分析结果。
东南大学集成电路学院周燕南通大学专用集成电路设计重点实验室孙玲景为平IC封装中引线键合互连特性分析*摘要：研究了芯片封装中键合线的建模和模型参数提取方法。
根据二端口网络参量，提出了单键合线的"型等效电路并提取了模型中的Ｒ、Ｌ和Ｃ参量。
最后，设计出一个简单、低成本的测试结构验证了仿真分析结果。
关键词：封装，键合线，建模，参数提取，去嵌入ＣｈａｒａｃｔｅｒＡｎａｌｙｓｉｓｏｆＢｏｎｄ－ＷｉｒｅｉｎＩＣＰａｃｋａｇｅＺＨＯＵＹａｎ［１］，ＳＵＮＬｉｎｇ［２］ＪＩＮＧＷｅｉｐｉｎｇ［２］（１．ＳｃｈｏｏｌｏｆＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，２１００９６Ｎａｎｊｉｎｇ，Ｃｈｉｎａ２．ＪｉａｎｇｓｕＰｒｏｖｉｎｃｉａｌＫｅｙＬａｂｏｆＡＳＩＣＤｅｓｉｇｎ，ＮａｎｔｏｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，２２６００７，Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＴｈｅｏｂｊｅｃｔｉｖｅｏｆｔｈｉｓｐａｐｅｒｗａｓｔｏｐｒｅｓｅｎｔａｐｒｅｐａｒａｔｏｒｙｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｆｍｏｄｅｌｉｎｇｏｆＩＣｐａｃｋａｇｅｓｆｏｒｃｈｉｐ－ｐａｃｋａｇｅｃｏ－ｄｅｓｉｇｎ．Ｔｈｅｗｏｒｋｗａｓｆｏｃｕｓｅｄｏｎｔｈｅｍｏｄｅｌｉｎｇａｎｄｐａｒａｍｅｔｅｒｅｘｔｒａｃｔｉｏｎｍｅｔｈｏｄｓｏｆｂｏｎｄ－ｗｉｒｅｓ．Ｂａｓｅｄｏｎｔｗｏ－ｐｏｒｔｐａｒａｍｅｔｅｒｓ，ａｌｕｍｐｅｄ#－ｔｙｐｅｅｑｕｉｖａｌｅｎｔｃｉｒｃｕｉｔｆｏｒａｓｉｎｇｌｅ－ｂｏｎｄ－ｗｉｒｅｗａｓｐｒｅｓｅｎｔｅｄａｎｄｔｈｅＲ，Ｌ，ａｎｄＣｐａｒａｍｅｔｅｒｓｏｆｔｈｅｂｏｎｄ－ｗｉｒｅｗｅｒｅｅｘｔｒａｃｔｅｄ．Ｆｉｎａｌｌｙ，ａｓｉｍｐｌｅａｎｄｌｏｗｃｏｓｔｔｅｓｔｓｔｒｕｃｔｕｒｅｗａｓｄｅｓｉｇｎｅｄａｎｄｍａｄｅｆｏｒｖａｌｉｄａｔｉｏｎｏｆｔｈｅｐａｒａｍｅｔｅｒｉｚｅｄｍｏｄｅｌ．Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：Ｐａｃｋａｇｅ；Ｂｏｎｄ－ｗｉｒｅ；Ｍｏｄｅｌｉｎｇ；Ｐａｒａｍｅｔｅｒｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ；Ｄｅ－ｅｍｂｅｄｄｉｎｇ＊基金项目：江苏省高新技术资助项目（ＢＧ２００５０２２），南通大学自然科学基金资助项目（０５Ｚ１１５）５５ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｃｉｃｍａｇ．ｃｏｍ（总第９０期）２００６·１１·（总第９０期）ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｃｉｃｍａｇ．ｃｏｍ２、键合线模型目前，全波分析方法被广泛应用在互连结构建模中。
封装、互连、连接器组件
Ｐ ｗ ｒ ａ 连接器均符合 Ｒ ｌＳ要求。千 只批量时 ，起价为 ｏ ｅ ｐ Ｔ ｏ
Ｏ ８ 元。 ， 美 ８
Ｅ Ｎ 新 型电源 连接器 Ｒ Ｉ
角针式触点针对子卡电源而配 开承载板顶面 ，提 供了在 已
置， 与符合 ＩＣ６０６ — １ Ｅ １７— １ 的 安装的硬盘 驱动器下面安装 ４０
２毫米 Ｅ ｍｅ 连接器组 合使用 。此外 ，该 Ｅ ｍｅ 电源模块 元件 的空 隙。 般在 ２５ 寸 Ｒ ｔ Ｒ ｔ 一 ．英
宽 １ 毫 米， ２ 还兼容其他 ２ 毫米和 Ｄ Ｎ １ １ Ｉ ４ ６ ２连接 器。 Ｒ ｔ 硬盘驱动 器下提供 ４７毫米的窀隙。 Ｅ ｍｅ ． 这种高速 串行接 口用于 电源模块符合 Ｒ ｌＳ指令。小批量时 ， ｏ 该新型电源模块每只 支持差分信号 传输 ，初始速度为 ３０Ｇ ｐ 。该 Ｓ ． ｂｓ ＡＳ插座可 起价 为 ２３ ． ５美元。 按受 Ｓ Ｓ或 Ｓ Ａ （ Ａ ＡＴ 串行 ＡＴ Ａ）驱动器 ，为 系统制造商提 供 了在任务关键应 用中采用成本有效的 Ｓ Ｔ Ａ Ａ驱动器或更
Ｉ
Ｍ （ 无风扇 ）和 Ｃ ｌ ｏ Ｐ 子插座的可拔插连接器 来 ｅｅ ｎＣ Ｕ ｒ
卡。 机箱提供 １ ４个扩展插槽 。 提供 。所有变体均提供不 同连接螺纹 （ 、Ｍ４ － ＮＣ Ｍ３ 、６３ Ｕ ２ 机箱前面有两 个 ＵＳ Ｂ端 口， 和 ８ ２ ＮＣ — ３ Ｕ ）通过采用一 种新材料 ，开发人 员成功地使 ６ 有一个 ＡＴ Ｘ标准 电源 。 机箱配有五个功能键， 位于 Ｌ Ｄ的 脚版 本 （ Ｃ ６个压合引脚）的最大承载 电流容量从 ３ Ａ提高 ０ 左边 。在 Ｌ Ｄ的右边 ，有五个光标键 ，用于辅助在菜单之 到 ４ Ａ （０Ｃ时 ） Ｃ ０ ２￣ ，从而 与 １ 脚版本相 匹配。最大允许工作 ０ 间移动和改变设置。带有触控板的 ８ ８键细长 型键盘隐藏在 电流依赖于特定 Ｐ Ｂ的特性和 电缆终端特性 。采用压合端 Ｃ
TSV基础知识介绍
TSV基础知识介绍TSV，即Through Silicon Via，是一种用于将芯片与芯片或芯片与封装之间互连的技术。
TSV技术可以通过直接在芯片上钻孔来实现互连，这些孔从一侧穿过芯片，并填充导电材料，形成电穿孔，从而实现了电信号或功率的传输。
TSV技术最早在20世纪90年代开始研究，最初用于解决高密度互连方面的需求。
传统的晶圆互联技术如线缆、焊点等在高密度互连中面临空间限制和信号传输延迟的问题。
TSV是为了满足下一代电子产品对更小型化、更高性能和低功耗的需求而提出的一种解决方案。
它的优势在于可以通过垂直互连方式来提高集成度，即可以在同一片芯片上实现不同功能的连接，减少互连距离和功耗，并提高芯片性能。
TSV技术通常包括以下几个步骤：通过化学机械抛光、干法蚀刻或激光钻孔等方法在芯片上形成孔洞，然后通过物理气相沉积、电镀等方法将孔洞填充导电材料，最后通过化学机械抛光等方法来平整芯片表面。
填充材料通常是导电材料，如铜、钨或铂等。
TSV技术的应用非常广泛，包括三维封装、片内互连、多芯片堆叠等。
在三维封装中，TSV技术可以将不同功能的芯片堆叠在一起，形成垂直互连，提高集成度和性能。
在片内互连中，TSV技术可以实现芯片内部功能模块的互联，减少晶圆外部的互连需求。
在多芯片堆叠中，TSV技术可以将多个芯片堆叠在一起，并通过TSV进行互连，实现不同芯片之间的数据传输。
TSV技术的发展面临着许多挑战和问题。
首先是制程技术的难度，包括对孔洞形状和尺寸的控制、填充材料的选择和填充效果的优化等。
其次是芯片设计的复杂性，需要考虑互连布局、功耗和信号完整性等因素。
同时，TSV技术还需要与现有的封装和制程技术进行整合，以实现高性能的芯片。
总结而言，TSV技术是一种用于实现芯片互连的先进技术。
它可以提高电子产品的性能、功耗和可靠性，并为下一代电子产品的发展提供了重要的技术支持。
随着新材料和新制程的引入，TSV技术有望进一步发展，并在更多领域得到应用。
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