纳米SiO2Al2O3复合改性对环氧树脂绝缘性能的影响

第36卷第11期高分子材料科学与工程
V o l .36,N o .11
2020年11月
P O L YM E R MA T E R I A L SS C I E N C E A N DE N G I N E E R I N G
N o v .2020
纳米S i O 2/A l 2O 3复合改性对环氧树脂绝缘性能的影响
程 显1,
2,李文博1,2,陈 硕1,2,杨 征1,2,韩书谟3,葛国伟1,2
(1.郑州大学电气工程学院,河南郑州450001;2.河南省输配电装备与电气绝缘工程技术研究中心,河南郑州450001;
3.平高集团有限公司,河南平顶山467000
)摘要:以双酚A 型环氧树脂E 51为基体,纳米S i O 2/A l 2O 3为辅助填料,采用低温等离子体协同偶联剂对纳米填料进行接枝处理,控制低温等离子体处理时间,制备出纳米S i O 2/A l 2O 3/E 51三元复合绝缘材料,研究纳米填料对环氧树脂复合材料介电性能㊁闪络电压㊁热分解温度及击穿强度等的影响㊂结果表明,纳米S i O 2填充量为3%,纳米A l 2O 3填充量为1.5%,并且采用偶联剂协同低温等离子体的处理时间为30s 时,复合试样各项电气性能均得到显著提升㊂初始分解温度较未改性时提高22ħ;闪络电压较未改性时提高20.9%;击穿强度较未改性时提高23.1%㊂这一结果为提高环氧树脂电气性能提供了新的研究思路㊂
关键词:环氧树脂;纳米S i O 2;纳米A l 2O 3;
低温等离子体;闪络电压中图分类号:T Q 323.5 文献标识码:A 文章编号:1000-7555(2020)11-0086-07
d o i :10.16865/j
.c n k i .1000-7555.2020.0275收稿日期:2019-10-10
基金项目:国家自然科学基金资助项目(51977195;51777025);中国博士后科学基金项目(2017M 622370)通讯联系人:葛国伟,主要从事开关设备与绝缘技术研究,E -m a i l :g g
w@z z u .e d u .c n 环氧树脂作为一种绝缘强度高㊁
力学性能好,并且绿色环保的绝缘材料在电力系统中得到广泛
应用[
1~3]
㊂从低压到高压的配电网及交直流的超高压输电网都采用了以环氧树脂为主绝缘材料的绝缘体系㊂环氧树脂在电力设备中的应用能够大幅提高绝缘质量,延长设备使用寿命㊂但是环氧树脂在高负荷长时间使用条件下会出现绝缘劣化问题,对电气设备的安全可靠运行带来严重威胁㊂常规的改性方法是在环氧树脂基体中掺杂一定量的微米级无机非金属材料来达到提升复合材料电气性
能㊁力学性能及耐热性能的目的[4]
,但是提升效果
较为有限,难以满足我国对超高压大电流输电的应用需求㊂因此需要研究新型改性方式来大幅提升其绝缘性能㊂
纳米粒子相较微米粒子,由于其粒径成倍减小,所以具有更高的比表面积,即使掺杂少量的纳米粒子也能带来比微米级填料更大的界面效应㊂当在环氧基体内掺杂适量的纳米粒子并均匀分散时,能明显改善复合材料的击穿强度,并维持良好的介电性能[
5]
㊂同时纳米粒子与环氧基体共混之前通过偶联剂表面
接枝的方法可降低表面能,提高两者之间的相容性,
减少团聚,进而增强复合材料电气性能㊂相较于传统的偶联剂处理,低温等离子体对材料表面进行改性能
够在较短的时间内激发表面活性[6~8
],产生大量的自
由基,进而形成新的化学官能团,使材料表面吸附性与稳定性得到显著提高㊂
国内外学者通过对环氧基体掺杂纳米粒子已经制备出了电气性能及耐热性能优异的复合绝缘
材料㊂陈斌贝等[9]
改善了纳米A l 2O 3颗粒的制备工艺,并且对环氧树脂(E P )掺杂不同含量的(0%~
2%)纳米A l 2O 3,
研究不同掺杂含量对热重分析(T G )㊁击穿强度等的影响,结果表明,掺杂含量为1%时,各项电气参数均达到最大值㊂李媛媛等[10]采用熔融共混法制备了不同掺杂含量的纳米S i O 2/E P 复合试样,
测量不同试样中纳米颗粒的分散性,基于T G ㊁差示扫描量热分析(D S C )㊁红外测试等表征界面区理化性能,测量随温度变化不同试样的起树电压及击穿场强,实验表明,在高温及低温条件下,掺杂含量较低的环氧树脂复合试样均具有较高的起树电压,击穿场强也显著提高㊂
杨越等[11]
利用偶联剂与低温等离子体共同处理的
方式制备出不同掺杂比例的E P /A l 2O 3复合试样,
测量其局部放电量㊁击穿电压㊁拉伸强度等参数,
结果表明,复合改性能有效改善了纳米粒子团聚
现象,从而促进纳米粒子与环氧基体间的键合㊂N a o u s等[12]制备了E P/A l2O3复合试样,研究不同掺杂含量对复合材料形貌的影响,结果表明,掺
杂少量纳米A l2O3能使复合材料断裂韧性及T G 得到显著提高㊂
本文以双酚A型环氧树脂E51为基体,纳米S i O2/A l2O3作为辅助填料,采用偶联剂处理及偶联剂协同低温等离子体复合改性的方法对纳米粒子进行表面接枝处理,制备出多种纳米S i O2/A l2O3/E P 三元复合绝缘材料,采用红外光谱(F T-I R)㊁T G等测试对复合试样结构与性能进行微观表征㊂对比纳米粒子掺杂含量及接枝处理对复合材料介电常数(εr)㊁介质损耗角正切值(t a nδ)㊁击穿强度及耐热性能等的提升效果㊂研究结果证明了偶联剂协同低温等离子体对纳米填料进行处理的可行性,与环氧基体共混填充后使复合材料性能提升显著,这为环氧类电介质的纳米粒子填充改性提供了新的研究思路㊂
1实验部分
1.1试验材料
双酚A环氧树脂:E51,广州亨斯迈;固化剂甲基四氢基邻苯二甲酸酐(H Y5824C I(C H))㊁硅烷偶联剂K H550:南京创世化工助剂有限公司;球状纳米S i O2(粒径40n m,纯度99.99%)㊁纳米γ-A l2O3(粒径20n m):南京明昌新材料科技有限公司;脱模剂G A-7500(异丙醇㊁甲基戊烷㊁正己烷):大金化学国际贸易有限公司㊂
1.2试样制备
1.2.1 S i O2偶联剂处理:将纳米S i O2,偶联剂K H-550和无水乙醇按照质量比4ʒ2ʒ98混合,40ħ(油浴加热)磁力搅拌30m i n,80ħ烘箱干燥备用㊂1.2.2偶联剂与低温等离子体协同改性纳米A l2O3:采用C T P-2000K型低温等离子体试验电源,将偶联剂接枝处理后的纳米氧化铝置于介质阻挡放电装置中,试验电压为8k V㊁频率为10k H z㊁电极间隙为2 mm㊂
1.2.3复合材料试样制备:加入环氧树脂在60ħ磁力搅拌10m i n,去除环氧树脂内多余水分及气泡;加入固化剂及接枝处理后的纳米S i O2/A l2O3在40ħ下磁力搅拌30m i n;在40ħ超声分散30m i n,使纳米粒子在环氧基体内达到均匀分散;在60ħ真空抽气20m i n,除去搅拌过程中混入环氧基体内的空气,减小固化过程中产生气隙类缺陷的概率;模具80ħ预热并均匀喷涂脱模剂,按照80ħ2h-120ħ2h的固化曲线进行固化㊂
试件编号如T a b.1所示;掺杂比例如T a b.2所示(以试件A为例),每种试样制备5个样本㊂
T a b.1T e s t s p e c i m e nn u m b e r
S p e c i m e nn u m b e r A l2O3g r a f t i n g m e t h o d
A P u r eA l2O3
B C o u p l i n g a g e n t g r a f t t r e a t m e n t
C C o u p l i n g a g e n t a n d l o wt e m p e r a t u r e p l a s m a t r e a t m e n t f o r10s
D C o u p l i n g a g e n t a n d l o wt e m p e r a t u r e p l a s m a t r e a t m e n t f o r20s
E C o u p l i n g a g e n t a n d l o wt e m p e r a t u r e p l a s m a t r e a t m e n t f o r30s
F C o u p l i n g a g e n t a n d l o wt e m p e r a t u r e p l a s m a t r e a t m e n t f o r50s
T a b.2N a n o p a r t i c l e s d o p i n g c o n t e n t p h r
S e r i a l n u m b e r A0.5A1A1.5
E P100100100
S i O2333
A l2O30.511.5
1.3性能测试
1.3.1击穿电压测试:试验电路(上海杨高电器有限公司)如F i g.1所示,参考标准G B/T1408.1-2016/ I E C规定㊂本实验采用2个金属同轴圆柱电极,直径为25mm,其边缘倒角成半径为3mm的圆弧,并将其置于变压器油内(防止电压过高导致材料表面发生沿面闪络)㊂
1.3.2沿面闪络电压测试:试验电路(上海杨高电器有限公司)如F i g.2所示,电极结构同上,2个电极紧贴样品表面,电极间距为20mm㊂
78
第11期程显等:纳米S i O2/A l2O3复合改性对环氧树脂绝缘性能的影响
F i g.1B r e a k d o w n v o l t a g e t e s t c i r c u i t
1:t e s t c h a m b e r;2:h i g h v o l t a g e s i d e;3:e p o x y t e s t p i e c e;4:l o wv o l t-a g e s i d e;5:c u r r e n t s e n s o r;T:r e g u l a t o r;B:t r a n s f o r m e r;R0:p r o t e c-t i o n r e s i s t a n c e;R f:w a v e f r o n t r e s i s t a n c e
F i g.2F l a s h o v e r t e s t c i r c u i t
T Y:r e g u l a t o r;B:t r a n s f o r m e r;R0:p r o t e c t i o n r e s i s t a n c e;K Z:c o n t r o l
d e v i c e;1:h i g hv o l t a g e s i d e;2:e p o x y t e s t p i e c e;3:l o wv o l t a g e s i d e
1.3.3傅里叶变换红外光谱测试:采用美国公司生产的N i c o l e tI S10,常规最大测试波长范围400~ 4000c m-1㊂
1.3.4电子显微镜微观表征:采用日本日立公司生产的S U8010,15k V分辨率可达1n m㊂
1.3.5介电性能测试:采用上海杨高电器有限公司Q S87型高精密高压电容电桥测试试样εr,t a nδ㊂1.3.6热重分析:采用上海莱睿公司的T G A Q50型热重分析仪测试样品的热稳定性能㊂
2结果与讨论
2.1氧化铝接枝
2.1.1红外光谱表征:F i g.3为A l2O3接枝前后的红外光谱㊂采用偶联剂后1640c m-1附近O-H的弯曲振动峰增强,在1460c m-1及1380c m-1附近新出现了烷基(-C H3,-C H2)的C-H伸缩振动峰,在2950c m-1及2870c m-1附近同时出现了N-H伸缩振动峰,以上结果表明,硅烷偶联剂已成功接枝到A l2O3分子表面;偶联剂协同低温等离子体接枝处理后在1040c m-1和1090c m-1附近出现了-O H的弯曲与伸缩振动双峰,1200c m-1附近出现了C-O的伸缩振动峰,可以判定经过低温等离子体再次处理后氧化铝表面形成了一定量的含氧类极性官能团
㊂
F i g.3I n f r a r e d s p e c t r a o f n a n o-a l u m i n a b e f o r e a n d a f t e r g r a f t i n g
2.1.2S E M分析:F i g.4(a,b)所示分别为氧化铝未接枝处理与偶联剂协同低温等离子体处理30s后纳米氧化铝表面微观形貌变化的S E M分析㊂从图中可以看出,偶联剂协同低温等离子体接枝前纳米氧化铝分子间大量团簇,形成较大的微米尺寸团聚体,与环氧基体共混后难以均匀分散,影响复合试样整体性能㊂偶联剂协同低温等离子体接枝30s后氧化铝分子间的团聚显著减弱,颗粒大小均匀,与环氧基体共混填充后能在材料内部产生大量界面层,并形成较多分布密集的深陷阱,使电荷注入与电荷迁移需要克服更高的跳跃势垒,从而对环氧树脂复合材料的老化过程起到一定抑制作用㊂
F i g.5(a,b)所示分别为氧化铝未接枝处理与偶联剂协同低温等离子体处理30s后与环氧共混掺杂后试样电镜扫描图片(氧化铝掺杂含量均为1.5%)㊂从图中可以明显看出,纳米氧化铝未做任何处理直接进行掺杂时会在环氧基体内大量团聚,并在固化过程中发生沉降,导致固化后复合材料内部产量大量气隙类缺陷,使复合材料整体性能大幅降低;在经过偶联剂接枝并协同低温等离子体处理30s后,纳米氧化铝分子表面上接枝了新的官能团,增加了纳米粒子的空间位阻,使团聚更加困难,并且在固化过程中新的官能团会与环氧分子发生反应,结合形成新的化学键,使环氧基体内大分子链紧紧缠绕在纳米粒子周围,进而使固化过程中更加不易发生沉降,因此,纳米粒子在环氧基体内的分散性得到大幅提高㊂
88高分子材料科学与工程2020年
F i g .4 S E Mi m a g e s o f n a n o -a l u m i n a (a )b e f o r e a n d (b )a f t e r l o wt e m p e r a t u r e p l a s m a g r a f t i n g w i t h c o u p l i n g a g
e n t F i g .5 E l e c t r o nm i c r o s c o p y e p o x y b l e n d e dw i t hn a n o -a l u m i n a (a )b e
f o r e a n d (b )a f t e r l o wt e m p e r a t u r e p l a s m a
g r a f t i n g w i t
h c o u p l
i n g a g
e n
t F i g .6 εr o fC o m p o s i t e s a m p
l e s b e f o r e a n d a f t e r t h em o d i f i c a t i o n o f A l 2O 3
2.2 三元复合材料的电气性能
2.2.1 介电性能:F i g .6所示为氧化铝掺杂含量及接枝处理对复合试样εr 的影响㊂相同掺杂含量下,随着低温等离子体处理时间的延长,介电常数均呈现先降低后升高趋势;这是因为氧化铝直接掺杂时,由于
其自身具有较高的表面能,极易发生团簇,导致界面层发生交叠,相距较近的界面层之间形成导电通路,因此具有较高的介电常数;经低温等离子处理后,氧化铝分子表面成功接枝上了一定量的-O H 类含氧基团,并与环氧树脂分子中的官能团相互作用,在纳米氧化铝颗粒表面产生氢键,并作为环氧分子与氧化铝颗粒间的物理交联点,从而改善了整个体系的相容性,降低了环氧树脂复合材料的介电常数;在低温等离子体处理时间达到50s 时,氧化铝表面发生明显刻蚀,表面发生碳化,掺杂后会在环氧基体内形成放电通道,因此复合材料εr 随着纳米粒子填充量的增大迅速升高㊂
F i g
.7所示为氧化铝含量及接枝处理对复合试样t a n δ的影响㊂相同掺杂含量下,
随着低温等离子体处理时间的延长,介损值均呈现先降低后升高趋势;这是因为氧化铝直接掺杂时在环氧基体中较难均匀
分散,固化后会产生明显团聚,并在环氧基体中产生大量气隙,因此具有较高的介损值;低温等离子体接枝处理后,在保证纳米S i O 2/A l 2O 3在环氧基体中分散性的前提下,增加纳米粒子填充质量分数,纳米颗粒与环氧基体的界面交互区域也随之增加,并且由于
A l 2O 3分子尺寸小于S i O 2,两者共混填充能有效改善树脂固化时留下的一些缺陷,并在环氧基体内形成复杂的三位网络结构,使分子链在受热重排时受到更大阻碍,从而降低了环氧体系的介电损耗;在低温等离子体处理时间达到50s 时,氧化铝表面发生严重刻蚀,接枝在氧化铝表面的有机硅烷也发生碳化,掺杂后在环氧基体内大量团聚并产生放电通道,降低了材料电阻率,因此随着掺杂含量的增加复合材料介损9
8 第11期
程 显等:纳米S i O 2/A l 2O 3复合改性对环氧树脂绝缘性能的影响
值又迅速上升
㊂
F i g .7 T a n δo f c o m p o s i t e s a m p
l e s b e f o r e a n d a f t e r t h em o d i f i c a t i o n o fA l 2O 3
2.2.2 闪络电压:F i g
.8所示为氧化铝改性处理前后的沿面闪络电压㊂闪络电压与介电常数变化趋势呈负相关㊂由于填充的纳米粒子是无机非金属颗粒,耐局放腐蚀,并且电树枝通道不易穿过试样中的纳米颗粒,因此,在低温等离子体处理时间为0~30s 时,纳米二氧化硅与氧化铝都能在环氧基体中均匀分布,并且随着氧化铝填充含量的增加,纳米颗粒间界面交互区域增加,降低了材料表面电导率,加速了电极间材料表面电荷的迁移与消散,使材料表面不易形成电荷积聚,进而使沿面闪络电压得到显著提升;在低温等离子体处理时间达到50s 时,纳米粒子表面产生严重刻蚀与碳化,掺杂后大幅降低环氧树脂复合材料电阻率,极易引起表面放电,因此掺杂量越大,对闪络电压的影响越显著
㊂
F i g .8 F l a s h o v e r v o l t a g eo f c o m p o s i t e s a m p
l e sb e f o r e a n da f t e r t h e m o d i f i c a t i o no fA l 2O 3
2.2.3 耐热性能:F i g .9所示为A l 2O 3改性前后,且S i O 2掺杂含量为3%,A l 2O 3掺杂含量为1
.5%时复合试样起始分解温度变化趋势㊂标准规定失重率为
95%时,
对应温度作为聚合物的起始分解温度㊂在氧化铝未接枝处理时,纳米粒子在环氧基体中会产生局部团簇,并在基体中相互分离,使填料间产生间隙,降低热传输效率,因此热分解温度较低;偶联剂协同低温等离子体处理后,显著提高了纳米粒子在环氧基体中的分散性,由于填充的氧化铝粒径小于二氧化硅,因此认为氧化铝能够 桥接 相邻的二氧化硅填料,形成更加有效的热传导网络,减少在环氧基体内的热量聚集,进而使复合材料热分解温度得到显著提高,其基体内热传导机制如F i g .10所示㊂在低温等离子处理时间为30s 时,热分解温度最高,达到371ħ,继续延长处理时间后氧化铝表面开始产生明显刻蚀㊁碳化,掺杂后在环氧基体内大量团簇,填料间热接触电阻增大,导致材料内局部温度过高而最先开始分解,因此复合材料热分解温度反而有所降低
㊂
F i g .9 I n i t i a ld e c o m p o s i t i o nt e m p e r a t u r eo fc o m p o s i t es a m p
l e s b e f o r e a n d a f t e r t h em o d i f i c a t i o no fA l 2O
3
F i g .10 M i c r o -d i s t r i b u t i o nm a p o f e p o x y r
e s i nh e a t t r a n s
f e r 2.2.4 击穿电压:参考标准G B /T 23756.2-2010,
采用双参数w e i b u l l 分布对击穿数据进行处理㊂双参数W e i b u l l 分布表达式为
9高分子材料科学与工程
2020年
F (x )=1-e x p -x x 0æèçöø÷β
éëêêùûúú(1)式中:F (x ) 击穿的概率;x
击穿电压;x 0 击穿概率为63.2%时的击穿电压;β 形状参数,β值可反应实验数据的分散性;
每个x 与F 的特征值计算公式如式(2
)F (i )=i -0.3
n +0.4(2
)式中:F (i ) x 值按顺序排列后第i 次发生击穿的概率;n 样本总数(n =5
)㊂F i g .11为纳米S i O 2/A l 2O 3
/E P 复合材料单次雷电冲击击穿电压W e i b u l l 分布㊂复合试样单次雷电冲击击穿电压随低温等离子体处理时间的延长呈先升高后降低趋势,并在掺杂3%S i O 2,1.5%A l 2O 3,
低温等离子体处理时间为30s 时,雷电冲击单次击穿电压达到最大值78.8k V ,
相较未改姓时提高了23.1%㊂这是因为纳米粒子表面通过偶联剂协同低
温等离子体处理后接枝了新的官能团,增加了粒子间的空间位阻,减小了纳米粒子相互聚集的可能性,并且采用2种不同尺寸的纳米填料填充环氧基体时,将形成多尺度㊁更复杂的三维网状结构,严重阻碍电树枝通道的发展,使击穿电压大幅提高㊂继续延长低温等离子体处理时间后,随着掺杂量的增加击穿电压反而降低,这可能是因为纳米氧化铝表面接枝的有机硅烷产生严重碳化,与环氧基体共混时大量团聚,并且发生碳化的纳米粒子界面层之间形成导电通路,在外加高压电场作用下,环氧基体内产生不均匀电场,材料热损与磁损增加,导致复合材料击穿电压下降
㊂F i g .11 W e i b u l l d i s t r i b u t i o n o f s i n g l e l i g h t n i n g i m p u l s e b r e a k d o w nv o l t a g
e T a b .3 S i n g l el i g h t n i n g i m p u l s e W e i b u l lb r e a k d o w nv o l t a g
e (X 0)o
f n a n o -S i O 2/A l 2O 3/E Pc o m p
o s i t em a t e r i a l s S p e c i m e n n u m b e r X 0
/k V
S p e c i m e n n u m b e r X 0
/k V
S p e c i m e n n u m b e r X 0
/k V
A 0.560.4A 160.5A 1.564.0
B 0.569.9B 173.5B 1.574.7
C 0.5
74.0
C 1
74.8
C 1.5
75.7
D 0.575.4
D 176.4
D 1.577.1
E 0.576.6
E 177.6E 1.578.8
F 0.5
63.6
F 1
61.2
F 1.5
58.2
3 结论
(1
)偶联剂协同低温等离子体复合改性使纳米粒子表面更加粗糙,并且新接枝的官能团在固化过程中
会与环氧基体相互结合,形成物理交联点,使两者缠绕更加紧密,有效改善了纳米粒子在环氧基体内的分散性,显著降低了复合材料的介电㊁介损值㊂
(2)在掺杂3%S i O 2,1.5%A l 2O 3,低温等离子体处理时间为30s 时改性效果最佳,沿面闪络电压较未改姓时提升20.9%,
单次雷电冲击击穿电压较未改性提高23.1%,初始分解温度较未改性提高22ħ㊂
(3)复合试样介电常数与闪络电压整体上呈负相关关系,表明作为高压绝缘材料介电常数要小,从而减小空间电荷的相互作用,加快电荷消散速度㊂(4
)复合试样介质损耗角正切值与单次雷电冲击击穿电压整体上呈负相关关系,表明在外电场作用下,介质损耗越小则复合绝缘材料由于发热而损耗的能量就越小,发生热击穿的概率就越小㊂
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X i a nC h e n g1,2,W e n b oL i1,2,S h u oC h e n1,2,Z h e n g Y a n g1,2,S h u m oH a n3,G u o w e iG e1,2
(1.S c h o o l o f E l e c t r i c a lE n g i n e e r i n g,Z h e n g z h o uU n i v e r s i t y,Z h e n g z h o u450001,C h i n a;2.H e n a n
E n g i n e e r i n g R e s e a r c hC e n t e r o f P o w e rT r a n s m i s s i o n&D i s t r i b u t i o nE q u i p m e n t a n dE l e c t r i c a l
I n s u l a t i o n,Z h e n g z h o u450001,C h i n a;3.P i n g g a oG r o u p C o.,L t d.,P i n g d i n g s h a n467000,C h i n a) A B S T R A C T:T h eb i s p h e n o lAe p o x y r e s i n(E51)w a su s e da sm a t r i x,a n d t h en a n o-S i O2/A l2O3w a su s e da s f i l l e r,w h i c hw a s g r a f t e dw i t h l o w-t e m p e r a t u r e p l a s m a s y n e r g i s t i c c o u p l i n g a g e n t,a n dn a n o-S i O2/A l2O3/E51 t e r n a r y c o m p o s i t e i n s u l a t i o n m a t e r i a l sw e r e p r e p a r e db y c o n t r o l l i n g t h e l o w-t e m p e r a t u r e p l a s m at r e a t m e n t t i m e.T h em i c r o s t r u c t u r e a n d p r o p e r t i e s o f t h em o d i f i e d s a m p l e sw e r em i c r o s c o p i c a l l y c h a r a c t e r i z e db y F T-I R a n dT G A.T h e r e s u l t s s h o wt h a t t h e e l e c t r i c a l p r o p e r t i e s o f t h e c o m p o s i t e s a m p l e s a r e s i g n i f i c a n t l y i m p r o v e d w h e n t h en a n o-S i O2l o a d i n g i s3%,t h en a n o-A l2O3l o a d i n g i s1.5%,a n d t h e c o u p l i n g a g e n t c o m b i n e dw i t h l o wt e m p e r a t u r e p l a s m at r e a t m e n t t i m e i s30s.C o m p a r e d w i t ht h eu n m o d i f i e d,t h e i n i t i a ld e c o m p o s i t i o n t e m p e r a t u r e,f l a s h o v e r v o l t a g e a n db r e a k d o w n s t r e n g t ha r e i n c r e a s e db y22ħ,20.9%,23.1%r e s p e c t i v e l y. T h i s r e s u l t p r o v i d e s an e wr e s e a r c h i d e a f o r i m p r o v i n g t h e e l e c t r i c a l p r o p e r t i e s o f e p o x y r e s i n.
K e y w o r d s:e p o x y r e s i n;n a n o-S i O2;n a n o-A l2O3;p l a s m a t r e a t m e n t;f l a s h o v e r v o l t a g e
29高分子材料科学与工程2020年。