工程硕士：材料工程硕士毕业论文10篇

工程硕士：材料工程硕士毕业论文10篇
本文是一篇材料工程论文，材料工程师在积累的一定的工作经验以后，就可以开始负责整个项目；如果是技术方向，则会一直做到最高级的工程师级别，负责更大更复杂的项目（以上内容来自百度百科）今天为大家推荐一篇材料工程论文，供大家参考。

材料工程硕士毕业论文篇一
第1章绪论
1.1 引言
半导体科学技术的发展使人类相继进入了电子工业时代和信息化时代，半导体材料和器件是此技术的基石。

正如第二代半导体材料
GaAs在很多方面突破第一代半导体Si器件性能的限制一样，以GaN 和SiC为代表的宽禁带第三代半导体材料和器件的发展，又将使半导体科学技术进入一个崭新的时代。

III族氮化物半导体包括AlN、GaN 和InN，通常有六方和立方两种晶体结构，六方氮化物属于直接带隙半导体，它们的禁带宽度分别为6.2、3.4和0.75eV[1]。

与第一代半导体材料Si及第二代半导体材料GaAs、InP相比，GaN具有更大的禁带宽度、更高的电子饱和漂移速度、更高的击穿电压和较高的热导率等特点。

另外，GaN基合金AlGaN、InGaN、InAlGaN可与GaN构成非常有用的异质结，六方钎锌矿结构的GaN基材料具有自发极化和压电极化效应，利用这些效应可以获得很高的载流子浓度和迁移率。

这些特性决定了GaN基材料非常适合于制作高温、高频、大功率微电子器件。

目前，GaN基微电子材料和器件、特别是AlGaN/GaNHEMT 材料和器件的研究和开发已成为世界各国竞相占领的高科技制高点，是半导体科学、材料科学、高温电子学、超过兆瓦的固态功率电子学、高功率密度射频电子学的前沿研究领域。

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1.2 高压开关AlGaN/GaN HEMT的研究意义
1.2.1 GaN材料的基本性质
氮化镓（GaN）基化合物半导体材料或称III族氮化物材料，是指元素周期表中III族元素铝（Al）、镓（Ga）、铟（In）与V族元素氮（N）形成的化合物，以氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）、氮化铟（InN）以及多元混晶材料（AlxGa1-xN、InxGa1-xN、AlxInyGa1-x-yN等）为代表。

GaN材料具有宽的直接带隙，高热稳定性，抗辐射，抗腐蚀等诸多优异的物理特性。

1928年Johnson等人首先研制出了世界上第一个GaN 薄膜材料[2]。

Juza和Hahn首次报道了热力学稳定的GaN结构是六方对称的纤锌矿结构[3][4]，该结构由两套六方密集堆积结构沿c轴方向平移5c/8套构而成（图1-1（a））,其晶格常数为a=0.318nm和c=0.516nm。

纤锌矿结构GaN（α-GaN）是热力学上稳定的结构，但是在某种条件下，在立方结构的材料上比如（001）Si，MgO和（001）GaAs等衬底上也可生长出亚稳态立方对称的闪锌矿GaN （β-GaN），该结构由两套面心立方结构沿对角线方向平移1/4对角线长度套构而成（图1-1（b））。

但在这些衬底上生长的闪锌矿结构GaN的缺陷密度都很高，大多数缺陷属于{111}微孪晶和堆积层错，其原因在于严重的晶格失配和热失配，晶体质量以及热稳定性都低于纤锌矿结构GaN。

目前在微电子和光电子领域广泛研究和应用的是六方纤锌矿结构GaN材料。

GaN单晶薄膜的晶体结构主要受衬底材料
和衬底表面对称性的影响,当GaN生长在（0001）面蓝宝石、（0001）面SiC和（111）面Si等衬底上时，通常具有六方纤锌矿结构。

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第2章材料生长、器件制备以及测试技术
2.1 材料生长技术
2.1.1 MOCVD简介
MOCVD技术采用的反应物在较低温度下即成气态存在，避免了像其它外延技术中存在的液体金属蒸发的复杂过程，可以通过控制气态反应物流量来控制外延层生长状况，灵活性高，均匀性好。

另外MOCVD技术涉及到的化合物裂解、化合、沉积过程对温度变化的敏感性相对较低，提高了外延生长的重复性。

MOCVD技术可以多片、大片外延生长，可用于工业化大批量生产。

MOCVD设备作为化合物半导体材料研究和生产的手段，不仅成为制备化合物半导体异质结、
超晶格、量子阱等低维结构的主要手段，而且还是生产化合物半导体光电子、微电子器件的重要方法。

特别是作为微电子工业半导体结构材料批量化生产的设备，它的高质量、稳定性、重复性及规模化是其它的半导体材料生长设备无法替代的。

另外用MOCVD生产半导体激光器、发光管、太阳能电池和高频、高速电子器件等都已形成产业，并且仍在继续发展之中，还需指出的是，今天它不仅应用于半导体领域，现已扩展到金属、绝缘介质等多种材料体系，成为现代外延技术的重要组成部分。

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2.2 材料、器件表征技术
测试中常用的扫描模式有2θ模式、ω/2θ模式和ω模式。

2θ模式中加探测器狭缝，探测器固定，只有样品ω旋转。

ω/2θ模式探测器加狭缝，样品以ω旋转，探测器以2θ旋转。

ω模式中，探测器前不加狭缝，样品以ω旋转，探测器固定不动。

2θ模式和ω/2θ模式主要用来确定衍射峰的角位置，相组成等结构信息，对合金材料来说，可以根据Vegard 定律可以计算出外延层的
组分。

ω模式（通常说的摇摆曲线）主要用来测量某个衍射峰的半高宽FWHM（Full Width at Half Maximum）。

X射线衍射摇摆曲线的半高宽可以反映晶体中位错的形态和数量，对于螺位错可以采用（0002）面摇摆曲线的FWHM来表征，而刃位错对其值没有影响；要反应刃位错情况，必须进行（10-1n）或（11-2n）晶面对称衍射，因为这些面的衍射既受螺位错的影响也受刃位错的影响，因此要获得刃位错的密度，首先应先测出螺位错密度，然后从由（11-2n）晶面衍射得出的位错密度中减去螺位错密度，才可得到刃位错的密度。

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第3 章AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMT 材料的生长 (29)
3.1 GaN 基HEMT 的基本原理和结构设计 (29)
3.1.1 III 族氮化物的自发极化 (29)
3.1.2 III 族氮化物的压电极化 (30)
3.1.3 单异质结AlGaN/GaN HEMT (32)
3.2 双异质结HEMT 的常见结构 (33)
3.3 AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMT 结构的设计 (35)
3.4 材料生长及测试 (41)
3.5 本章小结 (49)
第4 章AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMT (51)
4.1 AlGaN/GaN HEMT 的工艺流程 (51)
4.2 器件测试和分析 (52)
4.2.1 InGaN 背势垒层对开关器件直流特性的影响 (52)
4.2.2 InGaN 背势垒层对开关器件击穿特性的影响 (54)
4.3 本章小结 (55)
第4章AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMT开关器件的研制
4.1 AlGaN/GaN HEMT的工艺流程
为了更好的对比验证InGaN背势垒对开关器件的影响，我们采用完全相同的工艺制备了AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMT和常规的AIGaN/GaN HEMT器件。

金属与半导体形成欧姆接触是半导体电子器件至关重要的工艺步骤之一。

欧姆接触是用来连接金属引线和半导体，并完成半导体载流子电流和金属电子电流的转换的。

器件具有良好电学性能的金-半欧姆接触，才能将电流输入输出，实现其电学功能。

欧姆接触作为器件制备的关键工艺，决定着器件的通态电阻和高频特性，要制备高性能的AlGaN/GaN HEMT开关器件，形成良好的欧姆接触是十分重要的。

本文在制备过程中使用Ti/Al/Ti/Au制作器件的源漏欧姆接触。

采用了He离子两次注入实现有源区之间的隔离，两次注入离子能量和剂量分别为20KeV，2×1015/cm2和50KeV，2×1014/cm2。

对于高能量的注入，离子将在整个外延层中都产生损伤，从而实现器件的隔离，低能量的注入则是为了在二维电子气所在界面处产生足够的损伤来确保器件之间的隔离。

离子注入后，隔离岛间漏电电流仅为μA量级，隔离效果非常好。

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总结
本论文紧紧围绕高压开关AlGaN/GaN HEMT开展研究工作，主要内容涉及高阻GaN层的生长和测试，DH-HEMT结构材料的设计、生长、测试和器件制作，主要研究成果如下：通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程，对HEMT和常规结构的AlGaN/AlN/GaN HEMT进行了模拟。

设计生长了低温GaN隔离层，实现了GaN沟道层1070℃的生长，而不影响InGaN插入层的质量；并用RBS测试验证了GaN低温隔离层很好地保护了InGaN插入层；用DC-XRD和RBS测得InGaN插入层In组分为5%。

通过Hall测试系统，在4.3K低温下，迁移率达到9253cm2/Vs，室温下为1552cm2/Vs，高于类似结构文献报道。

C-V测试表明结构材料附加导电沟道不明显，对器件的影响完全可以忽略。

同时，通过非接触方阻测试结构材料方块电阻平均值为399Ω/ ，不均匀性为1.9%，有利于制备大尺寸器件和提高器件制备成品率。

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参考文献（略）
材料工程硕士毕业论文篇二
1 绪论
1.1 研究背景及意义
磷酸是一种重要的基础化工原料，在工农业生产中占据重要的地位。

目前，世界上的90%磷酸是采用湿法生产[ 1 ]，磷石膏的性质主要取决于所用的磷矿石和生产工艺，不同厂家产出的磷石膏是不同的，同一厂家在不同的时间段产出的磷石膏亦不同。

每生产 1 吨磷酸大约产出 5 吨的磷石膏，世界范围内每年的磷石膏产量大约为1~2.8
亿吨[ 1 ] [ 3 ]。

然而，全球的磷石膏循环利用率只有15%左右，其余的则就近厂区堆放，不仅会侵占大量的土地，而且由于刮风下雨，磷石膏的堆放已严重危害周边的环境，农业的快速发展对磷肥的需求量也在持续增加，磷肥产量从1980年至2006 年增加了近5 倍，年产量按100% P2O5计已经达到了1100万吨，占世界总产量的50%以上[ 4 ]。

据磷肥工业协会统计，我国磷石膏的年排放量已达 5 000 万吨左右，累计堆存量超过2 亿吨[ 5 ]，主要集中在云、贵、川、鄂四省。

而我国的磷石膏综合利用率仅为8%左右，与发达国家相比尚有很大差距。

国家环境部门已将磷石膏列为危险物质之列，磷石膏的堆积阻碍了磷肥的正常生产，给磷肥业的发展带来巨大的压力。

如何积极有效的处置磷石膏是磷工业面临的一大难题。

我国目前正处于基础建设的高峰期，对建筑材料的需求是不言而喻的。

2006 年，我国新型墙体材料总产量达到3850 亿块标准砖，占墙体材料总量的46%，而且应用范围不断扩大。

全国已建成节能住宅11 亿平方米，综合利用各种工业废渣11.06 亿吨，以生产新型建筑材料来消耗工业废渣表现出巨大的优势。

近五年来，新型建筑材料的产值以每年20%以上的速度发展，到2020 年，中国还将建设300 亿平方米建筑，工业废渣应用于新型建筑材料的制备有着广阔的空间，这就为磷石膏的处理提供了机遇[ 6 ]。

提出将磷石膏用于建筑材料的制备，将具有以下重大意义：一是高效率的消耗磷石膏，解决磷石膏带来的环境污染问题，增强磷肥行业可健康持续发展能力；二是避免磷石膏堆积侵占土地，并消耗掉已堆积的磷石膏，释放出占据的土地，缓解我国土
地面积紧张的状况，具有重大的现实意义；三是充分利用磷石膏生产多品种建筑材料，满足社会建设对建材的需求，尤其是对新型建筑材料的需求；四是变废为宝，节约宝贵的自然资源，具有良好的经济效益和长远的社会效益，造福于后代子孙。

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1.2 国内外研究现状
磷石膏带来的不仅是环境问题、土地问题，同时也是一项安全问题，全球已高度重视磷石膏的安全处置及综合利用。

然而，世界范围内磷石膏的综合利用率仍然较低，国内外有关磷石膏的研究主要集中在以下几个方面。

早在1967~1969 年，英国、奥地利等国率先提出采用磷石膏制备硫酸并生产水泥的设想，并于1969 年在奥地利林茨公司的OSW-KRUP工厂投产。

1972 年南非也利用该生产工艺建成了350t/d 的生产线。

该工艺的流程为磷石膏通过干燥脱水后按所需CaO、SiO2、A12O3和Fe2O3的比例与焦炭、铝硅质原料等进行配料，在中空回转窑内锻烧形成水泥熟料，窑气中的SO2经转化、吸收后制得硫酸[ 4 ]。

我国以磷石膏制硫酸联产水泥技术的发展至今已有50 多年的历史。

20 世纪90 年代由原化工部在30kt/a 磷铵装置上进
行了扩大试点，并先后在山东、四川、湖北等地建成了共计7 套40kt/a 磷石膏制酸联产60kt/a 水泥生产线，简称“三四六”工程。

该工程基本实现了企业内部硫资源的大循环，每年仅补充10%左右的硫，主要原因是生产投资成本高、工艺路线长、能源消耗高、操作管理难度较大[ 7 ]。

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2 高贝利特铁铝酸盐水泥的制备与研究
普通硅酸水泥的生产配料中加入了大量的石灰石，大约每生产1吨硅酸盐水泥排放出0.97 吨的二氧化碳气体，且熟料的易磨性较差，其粉磨过程耗能较大。

铁铝酸盐水泥是一特种水泥，隶属第三系列水泥，主要的矿物相为C2S、C4A3s 和C4AF （铁相）。

铁铝酸盐水泥中的C2S 含量远高于硅酸盐水泥，被认为是一种富贝利特水泥，与硅酸盐水泥相比具有如下优点[ 6 8 - 7 0 ]铁铝酸盐水泥熟料的烧成温度为1250~1350℃，比硅酸盐水泥熟料低100~150℃；铁铝酸盐水泥熟料具有疏松多孔的特点，易磨性较好，粉磨耗能远低于硅酸盐水泥。

因此，相对于硅酸盐水泥，铁铝酸盐水泥被誉为“节能水泥”。

铁铝酸盐水泥具有快硬早强的特征，当应用于工程时能加快模板周转率，减少模板数量，缩短工程周期；同时，它也能用于工程抢修。

然而，用于制备铁铝酸盐水泥的原材料往往价格较高，如铁矾土、天然石膏等，这使铁铝酸盐水泥因售价较高而限制了广泛应用。

本研究以两种工业废渣——磷石膏、硫铁矿烧渣分别代替天然石膏和铁矾土制备铁铝酸盐水泥，不仅能消耗大量的磷硫工业废渣。

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2.2 结果分析与讨论
2.2.1 熟料煅烧条件的确定
基于以上试验结果，选择了1250℃/60min 作为煅烧贝利特铁铝酸盐水泥熟料的工艺制度的代表。

图2-4所示为在1250℃ 下煅烧60min 得到的熟料的SEM 图。

从图2-4a 看出，该熟料具有明显的疏松多孔结构，使其具有较好的易磨性。

从图2-4b 看出，鹅卵石
状的C2S 和具有多边形结构的C4A3s 交织在一起，结晶良好，轮廓清晰。

由于在配料中掺入了大量的工业废渣，有必要对该熟料的放射性进行检测。

为了比较在配料时加入磷石膏与天然石膏对熟料煅烧的影响，在保证设定的熟料矿物组成和化学组成不变的情况下，以天然石膏代替配料中的磷石膏进行熟料的煅烧。

这是因为熟料中有较高的铁相为C2S 和Ca O 的结合提供了媒介，促进了C3S 的形成。

据表2-5 中数据显示，添加磷石膏煅烧的熟料中的硅酸盐矿物（C3S 和C2S ）含量高于添加天然石膏煅烧的熟料，前者达到44.89%，而后者最高为41.85%。

图2-5 是分别掺入磷石膏和天然石膏煅烧出的水泥的抗压强度比较。

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3 磷石膏墙体砖的制备与研究 (29)
3.1 原材料及试验方法 (29)
3.2 结果分析与讨论 (31)
3.3 本章小结 (37)
4 磷石膏免蒸压加气混凝土的制备与研究 (38)
4.1 试验 (38)
4.1.1 原材料 (38)
4.1.2 试块的制备 (38)
4.1.3 试验方法 (39)
4.2 工艺参数的分析与讨论 (39)
4.3 磷石膏免蒸压加气混凝土的性能 (50)
4.3.1 性能检测结果 (50)
4.3.2 干燥收缩 (51)
4.3.3 碳化 (52)
4.4 本章小结 (54)
5 利用磷石膏制备自流平砂浆的探索 (55)
5.1 试验 (55)
5.1.1 试验原材料 (55)
5.1.2 试验方法 (55)
5.2 试验结果与分析 (56)
5.3 机理探究 (58)
5.4 本章小结 (60)
5 利用磷石膏制备自流平砂浆的探索
从20 世纪80年代我国开始了自流平砂浆材料的研究，它因具有
流动性好、早期强度高、施工方便、效率高等特点广泛用于工业厂房、停车场、家庭居室地面等[ 8 5 ] [ 8 6 ]。

目前，制备自流平砂浆所用的填料主要是重钙粉和轻钙粉两种，造成砂浆成本过高。

本研究中拟以磷石膏这一工业废弃物作为填料来制备自流平砂浆。

将磷石膏应用于自流平材料已有所研究，如权刘权、李东旭等人[ 8 7 ] [ 8 8 ]，他们也得到肯定的结论，但均需要对磷石膏进行煅烧或蒸压处理，增加了能耗。

本研究欲直接利用未经干燥、煅烧、蒸压等处理的原状磷石膏，以水泥作胶凝材料制备自流平砂浆，为磷石膏的综合利用开辟新的途径。

试验所用水泥为42.5 普通硅酸盐水泥（P.O）、快硬42.5 硫铝酸盐水泥（SAC）。

采用X 射线荧光光谱仪（型号Axios，荷兰帕纳科公司生产）分析其化学成分，结果见表5-1。

磷石膏来自云南某化工有限公司，取于磷石膏堆场，含水率为16.4%，平均粒径为40μm。

石英砂，市售，30~50 目、40~70 目两种粒径。

所用减水剂为聚羧酸高效减水剂，固含量40%，使用掺量为总物料的0.4%。

以硼砂作为缓凝剂，使用掺量为总物料的0.08%。

消泡剂为德国MUNZING 粉末消泡剂Agitan P803，使用掺量为总物料的0.02%。

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结论
本文研究了利用磷石膏制备建筑材料的相关技术，主要分为以下四部分内容：（1）以磷石膏铁矿烧渣制备高贝利特铁铝酸盐水泥，研究了熟料的煅烧工艺、石膏掺量对水泥性能的影响和水泥的水化；（2）直接以未经处理的原状磷石膏为原料，加入水泥、掺合料、砂等制备免蒸压墙体砖，研究原料的基本配合比、基本工艺参数，并对相关性能进行检测；（3）直接利用未经处理的原状磷石膏制备免蒸压加气混凝土，以试块的干密度和抗压强度为基础进行基本原料配比和基本工艺参数的研究，并对制得产品进行相关性能的检测；（4）探索以未经处理的原状磷石膏为填料制备自流平砂浆，基于相关性能进行原料配比，并对相关机理进行研究。

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参考文献（略）
材料工程硕士毕业论文篇三
第1章前言
1.1课题研究背景
热塑性树脂基复合材料[1] (Thermoplastic Resin Matrix Composites, TRMC)的研究最初始于20世纪50年代，是一种替代传统热固性树脂复合材料的新一代复合材料[2]。

根据使用的增强材料的不同，可以分为：长纤维增强复合材料(Long Fiber ReinforcedThermoplastic Composites, LFT)、连续纤维增强复合材料[4]( Continuous Fiber ReinforcedComposites, CFC)和纤维结/网增强复合材料Fiber Mat Reinforced Thermoplastics，FMT)。

根据产品实际应用场合的不同，所用树脂基体主要包括：聚丙炼（Polypropylene，PP)、聚乙稀（Polyethylene，PE)、聚氯乙稀（Polyvinylchloride，PVC)、聚碳酸酯(Polycarbonate, PC)等热塑性塑料；所用的增强材料种类包括：玻璃纤维（Glass Fiber，GF)、碳纤维（Carbon Fiber, CF)、芳纟仓纤维（Aramid Fiber, AF)等一切可能的纤维品种。

近年來，随着热塑性树脂基复合材料技术的不断成熟以及可循环利用、绿色环保等天然优势，热塑性树脂基复合材料正在逐步取代传统的热固性树脂基复合材料，其中尤以
欧美等西方国家为代表，这种趋势逐渐发展至全球。

我国对于热塑性复合材料的研究幵始于二十世纪六十年代和七十年代，虽然起步较晚，但发展的步伐是非常迅速的。

目前，国内研究的热塑性复合材料，主要用的基体材料仍然是聚丙稀、聚乙稀、尼龙66等，增强材料主要是玻璃纤维，要求高的可以用碳纤维，但是用量较少。

虽然，近年来国内在研究热塑性树脂基复合材料等方面有了极大的进步和发展，但与发达国家相比，仍有不小的差距。

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1.2长玻璃纤维增强聚丙稀复合材料的研究现状
LGFRPP复合材料里然性能优异，应用领域广，但是由于工艺条件（如加工方式、温度、成型工艺等）和产品配方中各组分配比（如玻璃纤维含量及长度、相容剂含量及种类、是否添加填料等）等因素的影响，使得LGFRPP制品的性能也各有差异。

为了找到影响LGFRPP 复合材料的性能的规律，人们针对市面上常用的各种助剂和工艺，对LGFRPP做了详细的研究，并得出了很多有价值的研究成果。

由于PP 是非极性物质并且缺少反应基团，因此在PP基体中引入极性基团，可以更好地改善GF/PP的界面粘结情况，这已被许多研究所证实。

功
能化官能团（Functional Group)改性的作用机理是，增加聚丙炼基体的反应活性，有利于改善聚丙炼基体育玻璃纤维的界面粘结情况邵静波，刘涛，张师军等人的研究结果表明，在聚丙炼中加入马来酸酐接枝聚丙婦（MAH-g-PP)，制备的LGFRPP的力学性能（如拉伸、弯曲、冲击性能）得到显著增强。

王旭，唐伟，胡燕等人通过观察玻璃纤维的微观形貌，发现加入MAH-g-PP，确实改传了GF与PP裡体的界面粘结强度，进而提高了复合材料的力学性能。

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第2章LGFRPP的制备及对玻璃纤维和性能的影响
2.1引言
LGFRPP是一种具有强度高、质量轻的复合材料。

复合材料要取得优异的性能，不仅取决于工艺条件对复合材料的影响，还与玻璃纤维含量、长度及在聚丙稀基体中的分散状态或分布均匀性有关。

近年来，LGFRPP的研究之所以备受关注，主要是因为与SGFRPP相比，LGFRPP
复合材料在机械性能、热性能、耐候性等方面都更胜一筹，这使得长玻纤增强聚丙稀不仅广泛应用于汽车配件（如保险杠、底盘、支架等），还应用于汽艇、铁路等对强度要求更严格的方面。

通过文献介绍，可以知道大部分关于LGFRPP的研究内容都是基于一台单/双螺杆挤出机的工艺，本文釆用国际上最先进的双阶式双螺打挤出机一步成型工艺，整个工艺流程都是通过自主开发设计的，目前在国内还没有任何有关报道。

本章将着重讨论工艺条件和玻璃纤维对LGFRPP复合材料的影响。

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2.2实验部分
2.2.1 LGFRPP制备工艺路线
LGFRPP的制备工艺采用“双阶式双螺杆挤出机一步成型工艺”。

其中，双阶表示有两台挤出机参与制备’这两台挤出机采用“T”字型排列，即上游挤出机与下游挤出机互相垂直，上游挤出机末端出料
口与下游挤出机进料口对应。

LGFRPP制备流程为：首先上游采用传统的混合设备对PP及助剂进行预混，把初步混合好的树脂基料加入第一台挤出机；然后把挤出的馆融体喂入第二台挤出机中，同时在第二组双螺杆的中部，加入已预热处理的玻璃纤维，经过进一步焰融、均化、排气、建压等过程，将溶体送入"衣架式”模头挤出：最后经过后续加工设备（如压延机、牵引机、切边机、成型包装机等）得到最终制品。

通过实验制备的LGFRPP复合板材主要通过模压成型工艺得到最终产品。

复合材料挤出后因为表面温度下降较快，不利于产品成型，为保持复合材料的可加工性同时保证生产的持续性，在生产工艺末端需放入供箱，保持复合材料的表面温度，使其满足成型加工条件，最后用带耐高温手套或采用机械手等方法将其放入压机中进行模成型。

整个成型工艺与传统热固性复合材料或GMT模压成型工艺类似，不需要重新设计成型设备，对于生产热固性复合材料或GMT的厂家，若要转型生产LGFRPP复合材料则可以节省很多成本。

整个成型工艺只需控制合模速度、模具温度及模压时间等工艺参数，就可以快速大批量生产高性能的LGFRPP复合材料。

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第3章LGFRPP复合材料的制备及相容剂 (19)。