真空蒸发镀膜 1、真空蒸发镀膜原理 真空镀膜按其技术种类可分成以下

真空蒸发镀膜 1、真空蒸发镀膜原理真空镀膜按其技术种
类可分成以下
真空蒸发镀膜
1、真空蒸发镀膜原理
真空镀膜按其技术种类可分成以下几类:一:真空蒸发,包括电阻式加热蒸发,电子束加热蒸发，低压大电流反应蒸发等,,二:真空溅射,包括二极溅射、射频溅射、反应溅射、非平衡磁控溅射、中频磁控反应溅射等,,三:离子镀,包括溅射离子镀、空心阴极离子镀膜、反应离子镀、真空电弧离子镀等,。

真空获得、真空测量取得的进展是薄膜技术迅
速实现产业化的决定性的因素。

真空镀膜方法的不断改进开创了真空技术在薄膜领域应用的新篇章. 真空蒸发和溅射这两种真空物理镀膜工艺，是迄今在工业上能够制备光学薄膜的两种最主要的工艺。

真空离子镀是大批量生产耐磨硬质膜层,如
机械泵TiC，TiN等,的主要的工艺，在油扩散泵---抽气系统出现之后，它们才获得大规模地应用。

真空蒸发镀膜的原理是:先将镀膜室内的气体
-2抽到10Pa以下的压强，通过加热蒸发源使臵于蒸发源中的物质蒸发，蒸汽的原子或分子从蒸发源表面逸出，沉积到基片上凝结后形成薄膜，它包括抽气,蒸发,沉积等基本过程。

真空环境是镀膜的首要条件:,1,可防止在高温下因空气分子和蒸发源发生反应，而使蒸发源劣化,,2,可防止蒸汽原子或分子在沉积到基片上的途中和空气分子碰撞而阻碍蒸汽原子或分子直接到达基片表面，以及由于蒸汽原子、分子间的相互碰撞而在到达基片表面前就凝聚，或在途中就生成其它化合物,,3,可防止在形成薄膜的过程中，空气分子作为杂质混入膜内或在膜中形成其它化合物。

真空蒸发镀膜常用的蒸发源有电阻式加热蒸发
源、电子束加热蒸发源、激光加热蒸发源、空心热阴极等离子束加热蒸发源、感应式加热蒸发源等。

在高真空或超高真空下，用电阻、高频、电子束、激光等加热技术，在玻璃、塑料、和金属等基体上可蒸发沉积100多种金属、半导体、和化合物薄膜。

其中，电子束反应蒸发制备多层光学薄膜是一种方便有效的手段，在批量化生产中已被普遍采用，其优点是:电子束加热温度可达3500?左右，蒸发材料基本上不受限制，即使钨和钼也可蒸镀，蒸发速率高,100,750000 Å/s,，而且蒸发速率和电子束
聚集调节方便，通过对蒸发材料的局部熔化或坩埚水冷，蒸发材料不与坩埚发生反应，保证了膜料的高纯度。

虽然电子束轰击化合物会使化合物产生分解，但通过导入少量反应气体可在一定程度上弥补这一缺点。

其缺点是:薄膜的光学、物理性能与块状材料和理论设计值有较大差异。

主要存在以下不足:1)，入射到基体上的粒子能量较底,小于0〃2ev,，膜层附着力不强，应力较大。

2)，薄膜结构为含
孔隙的柱状结构，从而导致膜层不均匀，界面表面粗糙，对光的散射，膜层的环境
久性，光学性能的稳定性，以及激光破坏阈值等性能都有不良影响。

例如，薄膜中
的孔隙由于毛细管作用，吸收空气中的
水汽，导致折射率增加，光谱特性向更长波长方向漂移。

真空蒸发镀膜工艺的发展趋势是应用荷能离子技术，使离子的动能转化为溅射能、离子注入能、沉积粒子在基体表面的迁徙能、和溶化形核中心的能量，从而净
化基体，增加薄膜生长的活化能和化学活性，使膜层更加致密、均匀，性能大为改善。

在真空镀膜设备中产生荷能离子有二种途径:一是在较低真空度下形成等离子
区，如活化反应蒸发、离子镀、分子团离子束沉积、喷口离子束沉积、等离子体聚
合等工艺。

它们的缺点是难以控制轰击离子的能量和沉积速度，而且蒸发材料必需
导电。

二是在高真空度下用分离的离子源产生离子，如离子束辅助沉积，离子束沉
积等工艺，这类工艺可控制离子能量，离子流密度，离子方向，和离子种类。

铝膜厚度是影响其性能的重要因素，不同厚度的铝膜其反射率变化如下图所示, 下图为1、2、4、8、16、32、64、128nm铝膜反射率的理论曲线
当金属厚度达到一定程度时，基底的影响可以忽略，在一个比较大的范围内反射率与厚度基本无关, 几种较厚金属膜的反射率光谱特性如下图所示,其反射率计算公式为:
2221,(n,ik)(1,n)，k
R,,221，(n，ik)(1，n)，k
其中 n为铝的折射率,k为消光系数,它们都和波长有关。

薄膜厚度的均匀性(是指膜厚随着基片放臵的位臵变化而变化)和膜厚控制一样也是影响膜性能的一个重要因素,在大型镀膜机中，尤其重要，它直接影响到产品的成品率。

当蒸发源的形状以及蒸发源和基片之间的相对位臵确定后，基片上任何一点的膜厚主要取决于蒸发源的发射特性，蒸发源通常分为两类:一是点蒸发源,蒸气分子向各个方向均匀发射,二是面蒸发源,蒸气的密度按所研究的方向与表面法线间的夹角呈余弦分布,，对于实际蒸
n发源用Cosθ分布来描述更为合理，n=0为点源，n=1为面源。

经过一些必要的假定就可从理论上计算出膜的厚度和分布情况。

假定:1:蒸发分子之
间以及与空气分子间没有碰撞，分子作直线运动,2:沉淀到基片上的蒸发分子全部凝聚成密度和大块材料相同的薄膜,3:蒸发源的发射特性不随时间改变，例如，没有蒸发源的热变形。

1).蒸发源膜厚分布的理论上计算。

单位时间内通过任何方向的一立体角dω,如图所示,的质量为:
mdm=×dω…………………(7.2.4-1) 4,
如蒸气分子全部到达斜面dS上，则 2
Cos,mdm=××dS……………(7.2.4-2) 224,r
设物质地密度为ρ，单位时间凝聚在dS上的的厚2
度为t，则
dm=ρ×t×dS上……………………(7.2.4-3) 2
比较(7.2.4-2)和(7.2.4-3)得:
1Cos,mt=××……………(7.2.4-4) 2,4,r
2).面蒸发源膜厚分布的理论上计算。

如果蒸发源是个面，其发射范围为半球，考滤其中的一小部分dS,如图五所示,，与蒸发方向成θ角1 dsCos,,2倾斜的小平面dS所张的立体角是dω=，单22r位时间内通过任何方向的一立体角dω的质量为:
Cos,=C××dω= t= C×××dS，先假定接收mmdm22r
2面为为球面的一部分，则θ=0，dS=2πrSinφdφ。

2
,/2
dm在半球面上积分得:==C，所mm2,Cos,,Sin,d,,,0
以C=1/π。

根据余弦定律，单位时间内通过φ方向的一立体角
dω淀积在dS面上的膜质量为: 2
m=Cosφdω………………(6) dm,
如蒸气分子全部到达斜面dS上，则 2
m=CosφCosθdS……(7) dm22,,r
而=ρ×t×dS………………(8) dm2
m所以t=CosφCosθ………(9) 2,,r,,
图(五) 点、面蒸发源的发射特性
由于铝对螺旋形钨丝有湿润性，其发射特性接近柱状蒸发源，蒸发源膜厚分布非常复杂，对于较短的螺旋形钨丝，可将其近似成点蒸发源处理。

薄膜厚度的均匀性不仅和蒸发源的形状、发射特性以及蒸发源和基片之间的相对位臵有关，而且与放臵基片的夹具状况(是平面状还是球面状,，是否旋转,等)，基片温度等密切相关，此外，为了获得更好的均匀性，往往采用遮挡板技术:即根据蒸汽分子直线发射的特点，在基片附近放臵一块特定形状的遮挡板，让不需要的分子沉积在遮挡板上，而不沉积在基片上，从而改变基片上的膜厚分布。

2、真空镀铝实验
图(六)是DM-450A镀膜机的结构原理图:其中1，电离规管，热偶真空计满表后才能开电离真空计,2，GI-200型高真空蝶阀，镀膜室应有5帕以上的预备真空度，扩散泵加热(此时,冷却水应开通,低阀应推进抽扩散泵系统)半小时以上，才可开高真空蝶阀,3，DY-200A型挡油器,4，K20型油扩散泵,5，2XZ-8型机械泵,6，DC-30型低真空磁力阀，机械泵电源关闭时,该阀自动向机械泵放大气,7，储气
罐,8，DS-30形低真空三通阀，低真空阀拉出是抽镀膜室，低真空阀推进抽扩散泵系统9，CQF-8型磁力充气阀，升起镀膜室钟罩时，应先用充气阀向镀膜室充入大气(此时, 低真空阀应拉出，
高真空蝶阀应关闭,10，热偶规管,11，镀膜室,12，ZF-85型针型阀,13，挡板,14，侧观察窗,16，上观察窗,17，夹具,18，19，冷却水,20，离子轰击环。

当镀膜室抽到高真空时，将挡板遮盖好钨丝，以防预熔时蒸散的铝喷到基片上，然后慢慢通电加热钨丝，使铝熔化而沾附在螺旋钨丝上，这个过程称为预熔，预熔的目的是将原来吸收在铝中的杂质排除出去，这样铝在蒸发时就不会大量放气而破坏真空度，同时也有利于保证膜层的纯度。

图(六) DM-450A型真空镀
膜机原理图
离子轰击是基片清洁的最后一个环节，其工作
原理是基于低压气体的辉光放电，离子轰击时，基片应浸入阳极光柱中，由于电子获得的速度比离子大，基片很快就带负电，正离子在负电荷的吸引下轰击基
片，电子，离子，激活原子和分子的共同轰击，一方面可使基片稳度加热达100?以上，并提供活化表面以利于薄膜凝结成核，另一方面可使表面污染的碳氢化合物分解。

离子轰击结束后，应尽快镀膜，因随着轰击到镀膜的时间隔增大，基片有可能重新被水蒸汽和油蒸汽污染，轰击效果迅速退化。

离子轰击时，慢慢加大轰击电压，并观察镀膜室内气体辉光放电颜色和轰击电流以及真空度的变化，其间，当气压升到15帕以上时，应将低阀拉出抽镀膜室至5帕以下，再将低阀推进继续抽扩散泵系统，反复进行，算好时间，轰击完成刚好扩散泵电源加热半小时以上。

基片清洁直接影响到铝膜的附着力,污点和针孔的程度。

常用的基片清洁方法有酸洗、碱洗、有机溶剂、和超声波清洗等，视不同的基片材料和不同的要求而定。

本实验是用电阻式加热蒸发源-螺旋形钨丝制
备铝膜，螺旋形钨丝相当于一个电阻，通电后产生热量，电阻率也随之加大，当温度为1000?左右时，蒸发源的电阻率约为室温时的5倍，蒸发源产生的焦耳热就足以使铝原子获得足够大的动能而蒸发。

铝丝或铝片悬挂在螺旋形钨丝上，如图(七,所示。

图(七) 螺旋形钨丝热蒸发源
铝的熔化温度约为670?，采用丝状蒸发源是因为铝对钨丝有湿润性，蒸发是从大的表面上进行，而且比较稳定，这种湿润性和钨丝表面的温度有关。

如果温度过高，铝和钨在高温下会形成合金，很容易造成钨丝严重变形甚至烧断以及铝的喷溅，如果温度过低，慢速蒸发的铝膜分子结构有聚集成块的结构趋势,加大了膜层的反射吸收,同时会导致膜层的氧化污染，也容易造成铝膜的附着力变差。

铝膜的蒸发速率为50,100nm/s较好，基片温度应小于50?，此外，随着铝原子入射角的
加大，短波区域,460nm,的反射率明显降低，膜层会产生蓝光散射。

新沉积的铝膜暴露于常温大气中，表面立即形成一层非晶态透明三氧化二铝膜，一个月后可达约50埃厚，慢速蒸发的铝膜可达约90埃厚，使
铝膜的反射率明显下降，通常在铝膜表面加镀一层
,厚度为,λ=550nm,MgF或SiO膜作保护。

铝膜2232
厚度是影响其性能的重要因素，不同厚度的铝膜其反射率变化如图(八)所示,
图(八) 膜厚为1、2、4、8、16、32、64、
128nm的铝膜反射率的理论曲线
当金属厚度达到一定程度时，基底的影响可以忽略，在一个比较大的范围内反射率与厚度基本无关,其反射率计算公式为:
2221,(n,ik)(1,n)，k
R,,221，(n，ik)(1，n)，k
其中 n为铝的折射率,k为铝的消光系数,它们都和波长有关。

将清洁好的玻璃片,放于夹具上的不同位臵,镀完铝
膜后取出, 用干涉显微镜测量铝膜的厚度，干涉显微镜的构造和操作参阅实验室的使用说明书。

铝膜的反射率用He-Ne激光器测量。

分析并讨膜厚分布的特点以及反射率和膜厚的关系。

3、思考与讨论:
1. 解释实验全过程中镀膜室内压强变化的
原因。

2. 影响铝膜反射率的主要因素有哪些,
3. 如何提高铝膜在玻璃表面的附着力,
4、操作规程:
1, 开冷却水，开电源，开充气阀，充气完毕，升
起镀膜室钟罩，将铝丝放于钨丝上，将清洁好的
基片臵于夹具上面，调整好观察窗上的观察位臵。

2, 降落镀膜室钟罩，开机械泵，低阀拉出抽镀膜
室,开热偶真空计,至5帕。

3, 低阀推进抽扩散泵系统，开扩散泵电源加热半
小时以上。

4, 开离子轰击电源，慢慢加大轰击电压，并观察
镀膜室内气体辉光放电颜色和轰击电流以及真空
度的变化，其间，当气压升到15帕以上时，应将
低阀拉出抽镀膜室至5帕以下，再将低阀推进继
续抽扩散泵系统，反复进行，算好时间，轰击十
分钟，轰击完成刚好扩散泵电源加热半小时以上。

开高阀,低阀必须推进抽扩散泵系统，镀膜室5,
应有5帕的预备真空度，热偶真空计满表后才能
-3开电离真空计,，抽高真空至10Pa，记录真空度。

6, 关好挡板，慢慢加大电流预熔铝丝，并仔细观
察铝丝熔化状况和真空度的变化。

7, 预熔完毕，立即将电流略微加大一点,约
50A,，打开挡板蒸发，并仔细观察铝的蒸发状况，
蒸镀完毕，关好挡板和蒸发电源，记录真空度的
变化,蒸发时间以及轰击完毕至蒸镀完毕的时间
隔。

8, 关高阀，关扩散泵电源,机械泵继续抽扩散泵
系统,，冷却半小时以上(其间做好膜厚测量的准
备工作)，开充气阀，充气完毕，升起镀膜室钟罩，
将基片取出，降落镀膜室钟罩，开机械泵，低阀
拉出抽镀膜室至5帕，然后将低阀推进继续抽扩
散泵系统15分钟以上。

9( 测量膜厚和反射率。

测量完毕，将镀膜机的低阀
拉出，关机械泵电源，关镀膜机总电源，关冷却
水。

真空镀膜实验教学研究
曾长发王嘉辉
,中山大学理工学院～广州 510275,
摘要:根据“真空镀膜”实验课和大学生的学习特点～以引导学生仔细观察镀膜机各组成部分的运动规律对镀膜室中真空度的影响为主线～针对真空热蒸发镀膜的三个物理过程是如何顺利实现的～并对DM450-A型镀膜机的作了适当的改进～来
分析和探讨真空镀膜实验课教学规律～力求达到优化教学活动和提高教学效果的目的。

关键词:真空镀膜，平面镜成像～直接监控，实验教学中图分类号:G523 文献标识码:A
文章编号:1008—6765(2004)02—0086—02
1(概述
随着真空技术的不断发展～真空镀膜技术已已渗透到光学仪器、激光技术、光电子技术、半导体器件技术、照明工程、建筑材料、光纤通讯、薄膜超导、航空航天、能源、机械、计算机及声像产品的光磁薄膜记录等诸多高新技术领域～以其特有的～往往是不可替代的工艺技术发挥着越来越重要的作用(
为适应社会和科技发展变化的需要～如何开展真空镀膜实验教学,提高教学质量～使不同专业的学生根据自己所学专业来了解掌握
真空镀膜技术。

是我们必然面对的一个新课题。

这个实验的综合性很强～涉及的物理知识面较广～由于大多数学生的认知结构中缺乏有关“真空镀膜”的知识～而且动手能力不够强～所以均反映这堂课难学。

我们针对“真空镀膜”实验课和大学生的学习特点～从着重培养学生综合利用所学物理知识原理去掌握具有较高实验工艺技能要求与现代科技发展结合紧密的物理实验的角度出发～针对真空热蒸发镀膜的三个物理过程～即:
,一,(采用蒸发或升华把固态材料转变为气态,
,二,(原子(分子)从蒸发源迁移到基片上,
,三,(基片表面上膜粒子重新排列而凝聚。

是如何顺利实现的～并对DM450-A型镀膜机的作了适当的改进～来分析和探讨真空镀膜实验课教学规律～力求达到优化教学活动和提高教学效果的目的。

2(真空镀膜实验教学内容分析
真空镀膜实验主要包括包括熟练掌握真空镀膜设备的工作过程和操作规程、成膜材料性能分析、薄膜制备技术与工艺以及薄膜结构的设计,膜厚控制和薄膜特性测量等方面的内容～在“真空镀膜”实验教学过程中～首先要引导学生认真预习～重点了解镀膜机结构和操作规程～写好实验预习报告。

真空镀膜机主要由4个部分组成: ,A,(镀膜室:主要包括四对螺旋状钨丝或舟状蒸发加热器,旋转基片支架,烘烤加热器,热电偶测温探头,离子轰击环,针阀,
观察窗等。

,B,(真空获得系统。

它主要由机械泵、扩散泵、高低真空阀、充气
阀、挡油器及电磁阀等组成～电磁阀可防机械泵返油。

,C,(真空测量系统。

它由热偶计和电离计组合的复合真空计而成～
2-1热偶计是用于测量低真空度～范围1O ，1O Pa～电离计是用
-1-6于测量高真空度～范围1O ，1O Pa。

,D,(电路控制系统。

它主要由机械泵、扩散泵、电磁阀控制电路和
镀膜蒸发加热器控制电路、钟罩升降控制电路、基片支架旋转
调速控制电路、烘烤加热温度控制电路、离子轰击电路等组成。

在实验教学过程中～以引导学生仔细观察镀膜机各组成部分的运动规律对镀膜室中真空度的影响,例如～一是一直呈下降趋势的压强曲线为何在途中出现回升现象等,为主线～并运用所学的物理,电工电路等方面的知识解释～使学生较好掌握真空镀膜设备的工作过程和操作规程以及真空技术知识。

为不同专业背景的的学生进一不开展相关实验打下一个良好的基础～同时～还应特别强调扩散泵冷却水的通断直接影响整套实验系统的安全～低真空下不能开启电离真空等基本安全措施。

3(真空镀膜实验设备的改进
DM450-A型镀膜机虽然配有四个蒸发电极～但进行镀铝膜实验时～由于蒸发时间很短～仅第一个蒸发电极还没用毕～在观察窗上就迅速沉积了一层铝膜～学生难
以清楚观察到蒸发过程～如果多个学生进行该实验～下一个学生操作时～预熔过程也看不清～根据学生实验过程的具体情况～我们设计了简便、稳定的平面镜成像法—通过调整
两块平面反射镜的相对位臵与立体角～将钨丝成像于观察窗的后方～同时遮挡可能射向观察窗玻璃的铝原子～这样,随着蒸镀过程的进行, 观察窗上始终不会镀上铝膜, 一直可清晰观察到四个钨丝的像。

此外～ DM450-A型镀膜机没有膜厚控制系统。

加镀保护膜时无法掌握其最佳厚度。

也无法掌握铝膜最大反射率的最佳停镀点～我们采用红色氦氖激光器或绿色氦氖激光器～硅光电池和多量程微安表组成一个简单的膜厚控制系统～通过直接监测反射光强的变化来监控最佳停镀点。

通过对DM450-A型镀膜机的改进～不仅增加了实验内容,提高了实验档次～改善了实验效果～而且可同时容纳多名学生进行该实验～大大提高了设备的使用效率。

改进后的镀膜机原理图如图一所示。

比较片
氧
气观察窗瓶
观察者
钨丝虚像
钨丝
检流计
硅光电池 530或632.8nm He-Ne 激光器
图中为反射镜
图一、改进后的镀膜机原理图
4(理论计算
22 光线垂直入射时～铝膜的反射率为R=[1-(n-ik)]/[1+(n+ik)],1
若在铝膜上加镀二层光学厚度为λ/4的介质膜(玻璃+Al+n+n)～则021其反射率为:
nn22222211)(n-ik)]/[1+()(n-ik)] ( n<n) R=[1-(221 nn22
对于铝膜～取n-ik=0.82-5.99i;则R?91.5%,若再加上更加牢1
n1固的MgF/CeO保护膜～则R?94.2%(?2.7)。

为使反射率R尽可2222n2
能达到最大值～n层的光学厚度并非λ/4，因金属—介质膜界面存在20
反射相位的变化～计算表明:n层的实际厚度应为: 2
,,2nk002 nd=(j+1)+Arctan(-) 2222244,n,n,k2
其中j为零或整数, n为MgF的折射率～n为CeO的折射率～2212K=n-ik为铝的光学常数～取n=1.38,n=2.2,K= n-ik=0.82-5.99i,21
,0则nd=0.87,反射率R在波长545nm处的最大值为98.2%(考虑了22240530nm 的激光约15的斜入射角产生的偏差)。

5(实验过程与结果分析
,A,(铝膜蒸发实验
-3将真空抽到达1×10Pa后,缓慢加大预熔电流～预熔电流的大小要通过仔细观察铝丝的熔化状况加以调节～实验表明:四个蒸发舟的平面镜成像非常清楚～即使最后一个舟的熔化状况也清晰可见。

铝膜的蒸发过程也可清晰观察～如果液态铝滴残留于钨丝上～容易造成钨丝折断～如果蒸发时间过长～可观察到反射率明显变小～慢速蒸发的铝膜分子结构有聚集成块的结构趋势,加大膜层的反射吸收,同时会导致膜层的氧化污染。

约35秒的蒸发时间～铝膜的反射率为88%左右,,约8秒的蒸发时间,铝膜反射率为91%左右,如果蒸发电
流过大～容易造成钨丝严重变形和铝的喷溅～如果蒸发电流过小～则容易造成铝膜的附着力变差。

,B,(铝膜上蒸镀SiO保护膜实验
SiO(n=1.52-1.55)是保护铝膜特别有效的膜层～在300nm-8μm23
波长区间,其透明性良好～SiO很容易用钽舟蒸发～升华而不熔化～如果在白玻璃比较片上镀一层SiO膜～由于衬底玻璃与SiO的折射2323率差异很小～难以观察到反射率的变化～必须在白玻璃上先沉积一层λ/4高折射率膜层～这将使实验过程更加复杂～即使配有比较片换位机构的镀膜机～对于非λ/4膜层厚的监控也是比较困难的～然而我们通过530nm或633nm He-Ne 激光直接监控金属+介质膜反射光强变化的拐点～简便、有效地解决了这些难题。

-3 蒸镀SiO时～用微针阀充入少量氧气(2.5×10Pa), 因舟的尺寸不同～蒸发电流也不同～通过反射率的变化速度来调节蒸发电流的大小～镀膜机改进之前～SiO的厚度只能用蒸发时间来控制～往往膜层厚度偏离λ/2太远, ～容易造成吸收～膜层发黄～反射率显著降低～甚至根本没镀上～学生缺乏镀好SiO保护膜的信心。

镀膜机改进之后～通过530nmHe-Ne 激光直接监控,玻璃+Al+SiO,反射光强的变化～硅光电池接收器检流计的读数变化为:180?162?178,钽舟的蒸发电流为
205A,, 镀有SiO保护膜的铝膜反射率仍保持在90%左右～但机械强度可达2-3级～用沾有酒精的棉纱擦无划痕。

,C,(玻璃上蒸镀MgF+CeO+Al高反射铝膜实验 22
MgF用钼舟蒸发, MgF 的熔化状况清晰可见,CeO用钨舟蒸发, 其222
预熔除气过程必须彻底,玻璃基片可加热至约250?,用微针阀充入少量氧气,蒸发速率约为20埃/秒,过大的电流会使CeO烧成焦糊状。

2530nmHe-Ne激光直接监控,玻璃+Al+ MgF+CeO,反射率的变化～硅22
光电池接收器检流计的读数变化为:180?159?185, 高反射铝膜在整个可见光波
段白光积分反射率约为95%,530nm处的反射率约为97%～如图二所示。

图二、高反射铝膜样品的反射率曲线 6(结论:
通过对DM450-A型镀膜机的改进～增加了实验内容,提高了实验档次～改善了
实验教学效果～并可制备出高质量的铝反射镜。

[参考文献]
唐晋发,郑权.应用薄膜光学.上海科学技术出版社 ,1984. 王欲知. 真空技术 . 四川人民出版社 . 1981年。