电力电子技术实习指导书

实验室用，
请勿带走！
《电力电子技术》实习指导书
适用专业：电气、自动化
指导老师：杭阿芳
金陵科技学院机电工程学院电气系
20 年月
《电力电子技术》课程实习
一、实习目的与要求
目的：电力电子技术实习课程是理论联系实际，对学生进行基本技能训练，培养学生解决工程实际问题的能力，激发学生的主动性和创新意识的重要实践教学环节。

通过实习教学，学生亲自动手装配、调试电路，更易掌握电力电子技术的理论，掌握的知识、技术也更适合于实际应用。

实习达到的要求如下：
1 .综合运用电力电子技术课程中所学到的理论知识去独立完成一个实训课题。

2. 通过查阅手册和文献资料，培养学生独立分析问题和解决实际问题的能力。

3. 进一步熟悉电力电子器件的类型和特性，并掌握合理选用的原则。

4. 学会电力电子电路的安装与调试技能。

5 .进一步熟悉电子仪器的正确使用方法。

6. 学会撰写实训总结报告。

二、实习安排
三、实习内容指导
第一部分：基础知识
第一讲 电力电子元器件性能简介
一、电阻器
1．固定电阻： 1.1 图形符号：
1.2 文字符号：R （RT 、RJ 、RX 等） 1.3 单 位：欧姆（Ω、K Ω、M Ω） 1.4 功 率：
1.5 精
度：
直标
1.6阻值的标称方法：
色标
电阻值：
例如：6R2J 表示该电阻标称值为 6.2Ω，允许偏差为±5%；3K6K 表示电阻值为 3.6K Ω， 允许偏差为±10%；1M5 则表示电阻值为 1.5M Ω，允许偏差为±20%。

色标阻值为AB×10C
，D 为精度
表示精度的环，金色为5％；银色为10％；无色为20％
如：棕黑红金——10×102 =1K ，精度，5%；绿棕红金——51×102=5.1K ，精度5%
系列：1.0、1.1、1.2、1.5、1.6、1.8、2.0、2.2、2.4、2.7、3.0、3.3、3.6、3.9、4.3、4.7、5.1、5.6、6.2、6.8、7.5、8.2、9.1
如采用5色环表示，则其第一色环为百位数，第二色环是十位数，第三色环是个位数， 第四色环是应乘位数，第五色环为误差率。

例如，5色环的电阻的颜色排列为黄红黑黑棕，则其阻值为 420×1=420 欧，误差为 1%。

5 色环的电阻通常是误差为 1%的金属膜电阻。

2．可变电阻（电位器）：
二、电容器：
1．固定电容
有电解（>1μ）、陶瓷（<0.1μ）、涤纶（<2μ）、 云母（<51000p ）、独石（<2μ）电容。

2．可变电容：如空气双联 3．单位：μF 、nF 、pF 4 .技术指标：
耐压：6.3V 、10V 、16V 、25V 、50V 等 容量：参见电阻系列 极性：有极性、无极性 4.1 耐压：
电容长期可靠地工作，它能承受的最大直流电压，就是电容的耐压，也叫做电容的直流工作电压。

如果在交流电路中，要注意所加的交流电压最大值不能超过电容的直流工作电压值。

常用固定电容的直流电压系列如下：
1.6、4、6.3、10、16、25、32*、40、50、63、100、125*、160、250、300*、400、450*、500、630、1000。

（有*的数值，只限电解电容用）
由于电容两极之间的介质不是绝对的绝缘体，它的电阻不是无限大，而是一个有限的数值，一般在1000 兆欧以上。

电容两极之间的电阻叫做绝缘电阻，或者叫做漏电电阻。

漏电电阻越小，漏电越严重。

电容漏电会引起能量损耗，这种损耗不仅影响电容的寿命，而且会影响电路的工作。

因此，漏电电阻越大越好。

4.2 容量：
a. 直接标记：电容常见的标记方式，其常用的单位有pF ，μF 两种，如电解电容470μF ，另如瓷片电容2200pF 等等，很容易的就能认出。

b. 数字标示法：对一些小容量的电容，采用的是数字标示法。

其一般有三位数：第一，二位数为有效的数字，第三位数为倍数，既表示后面要跟多少个0。

例如343 表示34×1000pF ，另外，如果第三位数为9，表示10-1
，而不是10的9次方，例如479表达为就是4.7pF 。

4.3 电解电容极性：一般在外壳上标出。

不知道极性的电解电容可用万用表的电阻挡测量其极性。

依据：只有电解电容的正极接电源正（电阻挡时的黑表笔），负端接电源负（电阻挡时的红表笔）时，电解电容的漏电流才小（漏电阻大）。

反之，则电解电容的漏电流增加（漏电阻减小）。

方法：正测一次，然后放电，再反测一次。

两次测量中，表针最后停留的位置靠左（阻值
大）的那次，黑表笔接的就是电解电容的正极。

测量时最好选用R×100 或R×1K 挡。

在焊接电解电容器时，其焊接时间和焊接温度不应超过10秒钟及260摄氏度。

三、晶体管
1．二极管：
1.1 技术指标：耐压、电流
1.2 用途：整流、检波、稳压、显示等
电流（A）均为1
1.3 判断二极管是硅管还是锗管。

锗管的正向压降一般为0.1~0.3 伏之间，而硅管一般为0.6~0.7 伏之间。

其测量方法为，用两只万用表，当一只万用表测量其正向电阻的时候同时用另外一个万用表测量它的管压降。

最后可根据其管压降的数值来判断是锗管还是硅管。

1.4 判断二极管的好坏和正负极。

硅管可用万用表的R×1K 档来测量，锗管可用R×100 档来测。

一般来说，分别所测的二极管的正反向电阻两者相差越悬殊越好。

一般其正向电阻为几百欧到几千欧，其反向电阻为几十千欧以上，就可初步断定这个二极管是好的。

同时可判定二极管的正负极。

当测得的阻值为几百欧或几千欧时，为二极管的正向电阻，这时黑表笔所接的为正极，红表笔所接的为负极。

另外，如果其正反向电阻为无穷大，表示其内部断线；正反向电阻一样大，这样的二极管单向导电性能差，不宜选用；正反向电阻都为零表示其已短路。

2．三极管：
A、B：锗管；C、D：硅管
A、C：PNP 管：
B、D：NPN 管
2.1 三极管的管型及管脚的判别：
四句口诀："三颠倒，找基极；PN 结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。

" 2.1.1 三颠倒，找基极
三极管是含有两个PN 结的半导体器件。

根据两个PN 结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP 型两种不同导电类型的三极管。

测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100 或R×1k 挡位。

假定我们并不知道被测三极管是NPN 型还是PNP 型，也分不清各管脚是什么电极。

测试的第一步是判断哪个管脚是基极。

将三个电极两两用万用电表两支表笔颠倒测量正、反向电阻，观察表针的偏转角度。

在这三次颠倒测量中，必然有两次测量结果是表针偏转一大，一小；剩下一次必然是颠
倒测量前后指针偏转角度都很小，这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极。

2.1.2 PN 结，定管型
找出三极管的基极后，我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN 结的方向来确定管子的导电类型。

将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两个电极中的任一电极，指针偏转角度很大，则说明被测三极管为NPN 型管；指针偏转角度很小，则被测管即为PNP 型。

2.1.3 顺箭头，偏转大
找出了基极b，另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e 呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO 的方法确定集电极c 和发射极e。

用万用表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce 和Rec，虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大。

(1) 对于NPN 型三极管，此时电流的流向一定是：黑表笔→c极→b极→e极→红表笔，电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致("顺箭头")，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。

(2) 对于PNP 型的三极管，道理也类似于NPN 型，其电流流向一定是：黑表笔→e极→b极→c极→红表笔，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是发射极e，红表笔所接的一定是集电极c。

2.1.4 测不出，动嘴巴
若在"顺箭头，偏转大"的测量过程中，颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时，就要"动嘴巴"了。

具体方法是：在"顺箭头，偏转大"的两次测量中，用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部，用嘴巴含住(或用舌头抵住)基电极b，仍用"顺箭头，偏转大"的判别方法即可区分开集电极c 与发射极e。

其中人体起到直流偏置电阻的作用，目的是使效果更加明显。

2.2 判断晶体三极管的好坏：
首先要判别晶体三极管的三极。

可用两个万用表同时测量，其方法是用万用表的R×IK档或R×100 档，对于NPN 型管，当将黑表笔接基极，红表笔分别接集电极和发射极时，测出的两个PN 结的正向电阻应为几百欧或几千欧，然后应把表笔对调再测两个PN 结的反向电阻，一般应为几十千欧或几百千欧以上。

然后再用万用表测发射极和集电极之间的电阻，测完后再对调表笔再测一次，两次的阻值都应在几十千欧以上，这样的三极管可以基本上断定是好的。

晶体三极管主要起放大作用，那么如何来判测三极管的放大能力呢？其方法是，将万用表调到R×100 或R×1K 档，当测NPN 型管时，红表笔接发射集，黑表笔接集电极，测出的阻值一般应为几千欧以上；然后在基级和集电级之间串接一个100K 欧的电阻，这时用万用表所测的阻
值应明显的减少，变化越大，说明该三极管的放大能力越大，正常。

如果变化很小或根本没有变化，那就说明该三极管没有放大能力或放大量很小。

如果三极管损坏，最好是用同型号的进行更换，无法找到同型号的三极管时，必须根据反向耐压BV ceo（这项值最为重要，在更换时一定要选用与其相同或大于该耐压值的晶体管进行代换）、工作频率ft、穿透电流I ceo、功耗P cm 等技术指标来合理选用代换三极管。

3. 单结晶体管
采用BT33F。

（a）结构（b）符号（c）等效电路
单结晶体管
单结晶体管又叫双基极二极管，是由一个pN 结和三个电极构成的半导体器件。

我们先画出它的结构示意图〔上图(a)〕。

在一块N 型硅片两端，制作两个电极，分别叫做第一基极b1 和第二基极b2；硅片的另一侧靠近b2 处制作了一个PN 结，相当于一只二极管，在P 区引出的电极叫发射极e。

为了分析方便，可以把b1、b2 之间的N 型区域等效为一个纯电阻Rbb，称为基区电阻，并可看作是两个电阻Rb2、Rb1 的串联〔上图(c)〕。

值得注意的是Rb1的阻值会随发射极电流Ie的变化而改变，具有可变电阻的特性。

如果在两个基极b2、b1 之间加上一个直流电压Ubb，则A 点的电压UA 为：若发射极电压Ue<U A，二极管D 截止；当Ue 大于单结晶体管的峰点电压UP(UP=UD＋UA) 时，二极管D导通，发射极电流Ie注入Rb1，使Rb1 的阻值急剧变小，e 点电位Ue 随之下降，出现了Ie 增大Ue 反而降低的现象，称为负阻效应。

发射极电流Ie 继续增加，发射极电压Ue 不断下降，当Ue 下降到谷点电压UV以下时，单结晶体管就进入截止状态。

判断单结晶体管发射极e 的方法是：把万用表置于R×100 挡或R×1K 挡，黑表笔接假设的发射极，红表笔接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是单结晶体管的发射极。

单结晶体管b1 和b2 的判断方法是：把万用表置于R×100 挡或R×1K 挡，用黑表笔接发射极，红表笔分别接另外两极，两次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是b2 极。

应当说明的是，上述判别b1、b2 的方法，不一定对所有的单结晶体管都适用，有个别管子的e-b1 间的正向电阻值较小。

不过准确地判断哪极是b1，哪极是b2 在实际使用中并不特别重要。

即使b1、b2 用颠倒了，也不会使管子损坏，只影响输出脉冲的幅度（单结晶体管多作脉冲发生器使用），当发现输出的脉冲幅度偏小时，只要将原来假定的b1、b2 对调过来就可以了。

3.1 单结晶体管的特性
两基极b1 与b2之间的电阻称为基极电阻：R bb=R b1+R b2
式中：Rb1 是第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流Ie 而变化，Rb2 为第二
基极与发射结之间的电阻，其数值与Ie 无关；发射结是PN 结，与二极管等效。

若在两个基极b 2、b 1 间加上正电压Ubb，则A 点电压为：U A=[R b1/(R b1+R b2)]U bb=(R b1/R bb U b2)= ηU bb
式中：η----称为分压比，其值一般在0.3---0.85 之间，如果发射极电压Ue 由零逐渐增加，就可测得单结晶体管的伏安特性，见下图。

单结晶体管伏安特性
（1）当Ue＜ηU bb 时，发射结处于反向偏置，管子截止，发射极只有很小的漏电流Iceo。

（2）当Ue>ηU bb+U D时，UD为二极管正向压降（约为0.7 伏），PN 结正向导通，Ie显著增加，R b1 阻值迅速减小，Ve 相应下降，这种电压随电流增加反而下降的特性，称为负阻特性。

管子由截止区进入负阻区的临界点P 称为峰点，与其对应的发射极电压和电流，分别称为峰点电压Vp 和峰点电流Ip。

Ip 是正向漏电流，它是使单结晶体管导通所需的最小电流，显然Up=ηUbb （3）随着发射极电流Ie 不断上升，Ue 不断下降，降到V 点后，Ue 不再降了，这点V称为谷点，与其对应的发射极电压和电流，称为谷点电压，Uv 和谷点电流IV。

（4）过了V点后，发射极与第一基极间半导体内的载流子达到了饱和状态，所以Ue继续增加时，Ie 便缓慢地上升，显然Uv 是维持单结晶体管导通的最小发射极电压，如果Ue＜Uv，管子重新截止。

3.2 单结晶体管组成的振荡器：
单结晶体管组成的触发脉冲产生电路。

为了说明它的工作原理，我们单独画出单结晶体管张弛振荡器的电路。

它是由单结晶体管和RC 充放电电路组成的。

合上电源E 后，电源E 经电位器R 向电容器C 充电，电容器上的电压U C按指数规律上升。

当UC上升到单结晶体管的峰点电压UP 时，单结晶体管突然导通，基区电阻R b1 急剧减小，电容器C 通过PN结向电阻R 1 迅速放电，使R 1 两端电压Ug 发生一个正跳变，形成陡峭的脉冲前沿。

随着电容器U C 的放电，UC
按指数规律下降，直到低于谷点电压UV 时单结晶体管截止。

这样，在R 1 两端输出的是尖顶触
发脉冲。

此时，电源E 又开始给电容器C 充电，进入第二个充放电过程。

这样周而复始，电路中进行着周期性的振荡。

调节Re 可以改变振荡周期。

振荡频率表达式:η
-=
111RCIn
f
使电路保持振荡状态的Re 取值范围：
v
v
e p
p
I U E R I U E ->
>- 电阻R 1 的确定：B
CD
I U R <1 ,其中UGD 是晶闸管控制极最大不触发电压，R1 太大可能 造成误触发。

电阻R 2 的确定：
为了实现整流电路输出电压"可控"，必须使晶闸管承受正向电压的每半个周期内，触发电路发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这种相互配合的工作方式，称为触发脉冲与电源同步。

调压器电路图
怎样才能做到同步呢?大家再看调压器的电路图。

请注意，在这里单结晶体管张弛振荡器的电源是取自桥式整流电路输出的全波脉冲直流电压。

交流电压经桥式整流和稳压管削波而得到梯形电压。

脉冲形成是梯形同步电压经RP 、R5对C 充电，C 两端电压上升到单结晶体管峰点电压Up 时，单结晶体管由截止变为导通，由电容C 通过e-b1、R3放电，放电电流在电阻R3上产生一组尖顶脉冲电压，由R3
输出一组触发脉冲，其中第一个脉冲使晶闸管触发导通，后面的脉冲对晶
闸管的工作没有影响。

随着C的放电，当电容两端电压下降至单结晶体管谷点电压Uv时，单结晶体管重新截止；电容C又重新充电，重复上述过程，R3上又输出一组尖顶脉冲电压，这个过程反复进行。

这样，每次交流电压过零后，张弛振荡器发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这个时刻取决于RP 的阻值和C 的电容量。

调节RP 的阻值，就可以改变电容器C 的充电时间，也就改变了第一个Ug 发出的时刻，相应地改变了晶闸管的控制角，使负载R L 上输出电压的平均值发生变化，达到调压的目的。

3.4 带有放大环节的单结晶体管触发电路
前图的单结晶体管触发电路中的电位器只能手动调节。

在需要自动控制触发脉冲移相的场合，常用下图所示的带有放大环节的单结晶体管触发电路。

晶体三极管T 1 和T 2 组成直接耦合直流放大电路。

控制电压U K 经T 1 放大后加到T 2。

当U K 增大时，I c1就增大，而使T 1 的集电极电位U c1 下降，即T 2 的发射结偏置电压VBE2 增大，从而使I c2 增大，这当于晶体管T 2 的集射极之间的等效电阻变小，电容C 充电加快。

同理，U K 减小时，T2 的等效电阻变大，电容C 充电变慢。

因此，T 2 相当于一个可控电阻，改变控制电压U K 便可控制输出脉冲的移相。

带有放大环节的单结晶体管触发电路
此外，输出脉冲是通过脉冲变压器M 输出的。

在变压器原边并联的二极管D13 起续流作用，以防止在单结晶体管截止时，变压器绕组产生的自感电动势对管子的危害。

由于晶闸管的控制极与阴极间允许施加的反向电压值很小，所以在变压器副边串联一只二极管D10 它只将正脉冲电压引至晶闸管的控制极。

如果变压器副边绕组输出负脉冲电压时，D10 截止，而并联的二极管D9 却可将控制极与阴极短接，防止晶闸管的控制极与阴极反向击穿。

四、电力电子器件
1、稳压管
用万用表测量稳压二极管时，应先用R ×100 或R ×1k 档，此时测得的正、反向电阻值应和普通的硅二极管一样。

这是因为万用表这两档的内部电池多为1.5V ，不足以使稳压管反向击穿。

然后把万用表拨到R ×10k 档，此时测得的正、反向电阻值一般都应该小，因为内部电池电压在这档为15V 或22.5V ，足以使大多数稳压管反向击穿，使反向电阻大为减小。

2、双向可控硅
3、
GTR
五、脉冲变压器
1．作用：① 隔离；② 阻抗匹配 2．符号：MB 3．技术性能及指标 4．同名端测试方法
K1 合上瞬间毫安表正偏(b 接红棒c 接黑棒)，则a 、b 为同名端，反偏则a 、c 为同名端。

六、电感及变压器
电感：图形符号
变压器：图形符号
七、555定时器
八、JK触发器
74LS112 双J-K 触发器（带预置与清零）
第二讲焊接练习
在电子类整机和仪器的装配工作中，各元器件相互之间的电连接占重要地位，他的工艺质量对整机性能指标和可靠性有很大影响。

永久性的连接大致可分成压力方式的和热方式的两种。

压力方式又分螺钉紧固、压接和绕接等；热方式的又有锡焊、钎焊和熔焊等。

每种方式都各有其特点和适用范围。

其中，锡焊方法，由于它具有焊接温度低、加热容易、操作简便和焊点的可靠性高等优点，在整机的装配工作中，特别是在印制电路板上元器件的连接中，应用得最为普遍。

1．电烙铁
电烙铁是手工焊接必不可少的锡焊工具，它由烙铁头、加热体、手柄和电源线四部分组成。

接上交流电源后，插在加热电阻丝内的紫铜做成的烙铁头被直接加热。

待达到工作温度后，让烙铁头和焊锡接触，焊锡就会立刻熔化，即可开始焊接。

电烙铁的规格是以输入交流电压为220V 时所消耗的电功率来表示的。

它的选择对焊接质量有很大关系。

一般在印制电路板上焊接，如果电源电压在220V左右，使用30W（老标准为25W）的烙铁最为合适。

在整机装配中需要焊接热容量较大元件时，则应采用50W（45W）或7*W 的。

目前市场上出售的20W 内热式烙铁，它的发热效率较高，具有重量轻、体积小、发热快、耗电省等优点，通电两分钟后即可使用；耗电20W，却相当于一般25~40W 电烙铁的功能。

这种烙铁的缺点是机械强度较差。

2．焊锡
焊接就是利用熔融的焊料将两种相同或不同金属的接合处填满，待冷却凝固后形成一导电良好的导电整体。

要求焊料具有熔点低、凝固快、有较好的浸润作用、流动性和足够的机械强度。

电子仪器中的焊接，绝大多数使用焊锡作为焊料。

焊锡是一种铅锡合金。

当铅与锡以不同重量比例组成合金后，其熔点和其他物理性能等都有变化。

锡/铅含量为62% / 38%的合金，叫做共晶焊锡。

它有最低的熔点（182），凝成固态的温度也是182；由液态到固态几乎不经过半凝固状态，所以焊点凝固迅速，缩短了焊接时间。

还能承受较大的拉力与剪力，焊接强度较好，适合在电子线路焊接中使用。

手工焊接经常使用含锡量为61%的松香芯焊锡丝。

它用于印制电路板上焊接元器件时，常用直径为1mm 的；而整机装配中的焊接可用直径为2mm 的。

3．助焊剂
金属在空气中，特别在加热的情况下，表面会生成一薄层氧化膜。

在焊接时它会阻碍焊锡的浸润，也影响接点合金的形成。

采用助焊剂能改善焊接性能。

助焊剂有破坏金属表面的氧化物，使成为悬浮状态，漂浮在焊锡表面，有利于焊接的功能。

它又能覆盖在焊料表面，防止焊料或金属进一步氧化的作用。

还具有增强焊料与金属表面的活性，增加浸润功用。

助焊剂的基本要求：
（1）熔点应低于焊锡，加热过程中热稳定性好。

（2）浸润金属表面的能力强，并应有较强的破坏金属表面氧化膜层的能力。

（3）它的各组成成分应不与焊料或金属有相互作用，无腐蚀性，呈中性。

不易吸湿。

（4）易于清洗去除。

助焊剂的成分：
组膜成分、还原剂、络合剂、活化剂、固化剂等。

未活化纯树脂助焊剂也叫做松香助焊剂，因它有价廉、易购、无腐蚀性等优点，在一般手工焊接中最为常用。

4．元器件插装
元器件的引线经清洗和搪锡后，在焊接之前一般都需要进行引线的成型和插装工艺。

良好的成型和插装工艺不但能使整机内部造型美观，而且还能得到性能稳定、防震、减少元器件损坏的效益。

元器件的成型和插装原则
（1）成型
元器件在清洗搪锡以后，应首先弯曲其引线，使它能迅速而准确地插入孔内。

为避免损坏元器件，成型必须注意以下几点：
a. 所有元器件的最小弯曲半径不得小于引线直径的两倍。

b. 元器件的引线开始弯曲之处应离元器件本体至少3mm（如果是玻璃壳二极管或三极管，不得小于5mm）。

（2）插装
a. 在印制电路板上最好有元器件的标志，以便于插装、测试和拆卸。

b. 电阻、电容、晶体管和集成电路的插装，应使标记和色码朝上，易于辨认，它的顺序应从左到右或从上到下。

c. 尽量使元器件的引线长度相等，并把元器件放在两插孔的中央，排列要整齐。

d. 有方向性的元器件，要注意它的排列方向正确。

5．手工焊接
5.1 焊接点的质量要求
电接触良好、机械性能牢固、美观。

其中最关键的一点就是必须避免虚焊。

虚焊主要是由金属表面的氧化物和污垢造成的，它使焊点成为有接触电阻的连接状态，从而使电路工作不正常，噪声增加，而且易于脱落。

会产生不稳定的状态，使电路的工作状态时好时坏，没有规律性，给电路的检修工作带来很大困难。

5.2 手工焊接的要点
(1) 被焊处表面的焊前清洁和搪锡
焊接元器件引线处的清洁，如果采用手工的方法，可用废锯条折断处的锋利刀口刮去引线上的沾污和氧化层，直到露出紫铜表面，使其上面不留一点脏物为止；对于有些镀金的合金引出线，因为其基材难于搪锡，所以不能把镀金层刮掉，可用粗橡皮擦去引线表面的赃物。

引线做清洁处理后，应在半天内搪好锡，以免表面重新氧化。

搪锡可在锡锅内进行，搪锡前必须先蘸上助焊剂。

(2) 烙铁温度和焊接时间要适当
正确掌握焊接点的温度和焊接时间是很重要的。

如果选用的烙铁功率过小，或烙铁头接触焊点的时间过短，则焊点温度较低，使焊出来的锡面不光滑，结晶粗脆，甚至像豆腐渣一样，焊点也不牢固。

与此相反，如果焊点温度过高，或焊接时间太长，则烙铁头的搪锡面很快会形成氧化膜，如不及时除去，将和焊锡一起附着在焊点上，也容易形成虚焊。

其次，金属上的焊锡容易流散，使焊点焊锡量不足，也容易降低其机械强度。

此外，热量还会从焊点上传入被焊。