射频LDMOS器件及制造方法[发明专利]

专利名称：射频LDMOS器件及制造方法专利类型：发明专利
发明人：钱文生
申请号：CN201310659228.7
申请日：20131209
公开号：CN104701371A
公开日：
20150610
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种射频LDMOS器件，硅外延层由依次形成于硅衬底表面的第一硅外延层、第二硅外延层和第三硅外延层叠加而成；漂移区和沟道区都形成在第三硅外延层中，第二硅外延层形成在漂移区和沟道区的底部，通过第二硅外延层的掺杂浓度大于第一和三硅外延层的掺杂浓度。

通过调节第三硅外延层的掺杂浓度调节器件的导通电阻以及漏端结击穿电压，第二硅外延层形成一体内RESURF结构并用于降低漂移区的表面电场、减少热载流子效应、提高所述射频LDMOS器件的可靠性；第一硅外延层能使漏端结击穿电压维持或提高。

本发明公开了一种射频LDMOS器件的制造方法。

本发明能降低器件的源漏寄生电容，减少源漏导通电阻，增加驱动电流，提高器件的射频特性。

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：丁纪铁
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