金属-半导体接触

金属-半导体接触
1.金属与半导体接触概论
以集成电路（IC）技术为代表的半导体技术在近十几年来已经取得了迅速发展，带来的是一次又一次的信息科技进步，没有哪一种技术能像它一样，带来社会性的深刻变革。

半导体技术的实现依赖于半导体的生产与应用，而在半导体的应用过程中，必然会涉及到半导体与金属电极的接触。

大规模集成电路中的铝-硅接触就是典型的实例。

金属与半导体接触大致可以分为两类[1]：一种是具有整流特性的肖特基接触（也叫整流接触），
导体中的电子将向金属转移，使金属带负电，但是金属作为电子的的“海洋”，其电势变化非常小；而在半导体内部靠近半导体表面的区域则形成了由电离施主构成的正电荷空间层，这样便产生由半导体指向金属的内建电场，该内建电场具有阻止电子进一步从半导体流向金属的作用。

因此，金属与半导体接触的内建电场所引起的电势变化主要发生在半导体的空间电荷区[2]，使半导体中近表面处的能带向上弯曲形成电子势垒；而空间电荷区外的能带则随同E FS一起下降，直到与E FM处在同一水平是达到平衡状态，不再有电子的流动，如图1.1.3。

图1.1.3：W M>W S的金属与N型半导体接触前后的能带变化，（a）接触前（b）接触后
相对于E FM而言，平衡时E FS下降的幅度为W M-W S。

若以V D表示这一接触引起的半导体表面与
体内的电势差，显然有
qV D=W M-W S（1.1）
式中，q是电量，V D为接触电势差或半导体的表面势；qV D也就是半导体中的电子进入金属所必须越过的势垒高度；同样的，金属中的电子若要进入半导体，也要越过一个势垒。

高度为式1.2，
式中，qφM极为肖特基势垒的高度。

qφM=W M-χ=qV D+En（1.2）当金属与N型半导体接触时，若W M>W S，则在半导体表面形成一个由电离施主构成的空间电荷区，其中电子浓度极低，对电子的传导性极低，是一个高阻区域，常被称为电子阻挡层。

（2）金属与N型半导体接触，W M<W S时
若W M<W S，由于金属与半导体的费米能级不平衡，电子将从金属流向半导体，在半导体表面区域形成负电荷空间区。

由此在半导体近表面产生由半导体表面指向体内的内建电场，导致半导体
W M和半导体的电子亲和势χ有关，而与金属和半导体接触界面的情况无关。

表1.2给出了N型Ge、Si、GaAs与一些金属的接触的肖特基势垒高度qφM[1]。

从表中可以看出Au和Al与GaAs接触时，势垒高度相差0.15，但是，Au和Al的功函数相差1.02eV，说明存在另外重要的因素影响了金属与半导体接触的肖特基势垒高度，这个因素就是表面态，关于表面态的理论虽然已现有，但是并不能完全解释目前的实验结果，仍需要不断的完善。

表1.2N型Ge、Si、GaAs与一些金属的接触的qφM
金属Au Al Ag W Pt
Wm/eV 5.20 4.18 4.42 4.55 5.54
N-Ge 0.45 0.48 --- 0.48 ---
N-Si 0.79 --- --- 0.69 ---
N-GaAs 0.95 0.80 0.93 0.71 0.94
4.金属与半导体接触的I-V曲线
不同类型的接触所形成的I-V曲线也不相同。

对于肖特基接触，由于空间势垒的存在，使其性能类似与PN结，故其I-V曲线具有整流特性，如图1.3.1。

而对欧姆接触，反阻挡层的性质如同电
阻，I-V曲线表现出线性的关系，如图1.3.2。

图1.3.1肖特基接触I-V曲线图1.3.2欧姆接触I-V曲线
5.金属与半导体接触的I-V曲线测试方法及传输线模型（TLM）
制作好金属电极及退火以后，都需要测定所得样品的I-V性能。

对不同的电学性能，电极电路的连接方式有所不同，首先为一个探针电极接触ZnO/AZO表面，另一个探针电极接触金属表面（如图3.5（a）所示），初步通过I-V曲线判断所获得的接触的类型。

若获得的接触具有明显的整流特性，即如图3.6（a）类似的形状，则可以判定为肖特基接触，开始进行数据采集；若获得的接触具有明显的线性关系，及如图3.6（b）所示，则可以判定为欧姆接触，则需要用传输线模型法测定欧姆接触的比接触电阻。

比接触电阻ρc是表征金属与半导体欧姆接触质量的一个重要手段。

所谓比接触电阻ρc，即单位面积上金属与半导体接触的微分电阻，单位是（Ω·cm2），由于金属与半导体的接触区一般包括一下几层：金属层、金属与半导体界面以及半导体层；而且测量过程中还会引入各种寄生电阻，因此是目前无法直接测量比接触电阻。

现有的测量方法是探针依次接触间距不同的金属电极（如图3.5（b）所示），获得I-V曲线，通过计算获得比接触电阻。

测量比接触电阻时，探针电极分别接触间距不同的金属电极，测定I-V曲线，参数设置为-2V～2V，101个数据点。

（a）（b）
图3.5I-V测试时，电极链接方式示意图
（a
（b）
）
图3.6I-V 测试曲线
下面介绍传输线模型法测定比接触电阻[51]-[53]的基本原理和线性拟合公式的推导。

矩形传输线模型及其等效电路如图3.7。

在一宽为W 的样品上制作4～6个间距不相等的金属
接触电极，电极尽力做到与样品等宽。

图3.7传输线模型示意图：
（a ）金属-半导体接触的传输线模型，（b ）传输线模型的等效电路
如果金属电极不能与样品等宽，则在通电流前需将样品进行边缘腐蚀处理，目的是保证载流子在电极间的平行方向上流动，同时与周围环境做到绝缘。

测量时，探针依次在间距不相等的长方形电极之间通恒定电流I ，电压探针测量相应的电压V ，每对电极采取线性多点测量，最后通过拟合
求出相应的总电阻Rtot 。

（1）比接触电阻的推导
根据Kirchoff 定律，可得x 与x+l 之间的电压电流关系：
（3.9）
（3.10）
当l →0时，由式（3.9）和式（3.10）可得
（3.11）
（3.12）
将（3.11）和（3.12）两式合并，得：
L4 L
L2 L1
玻璃衬
ZnO/AZO
金属电极
W （a ） 探
0 X X+l 1 X+l 2
（b ）
（3.13）其中，为传输线的长度，为半导体薄膜层材料的方块电阻（SheetResistance），即
单位面积上的电阻值[55]。

又
（3.14）且
（3.15）
其中，d为接触宽度。

由此可得接触电阻Rc：
（3.16）
此处，将接触宽度d取近似，使其满足条件d，
从而，式（3.16）转化为：
（3.17）
由此可得比接触电阻
（3.18）（2）比接触电阻的测量
如图3.7（a）所示，在相距l的两个长方形接触间通入恒定的电流I，并测出相应的电压V，
从而可以得出总电阻Rtot：
（3.19）其中，Rp表示钨探针的电阻值，此值相对较小，约为0.6Ω，可忽略不计。

式3.19变形为
（3.20）对应不同距离的Ln，可测出一组Rtot的值，这里需要注意的是Rtot由两个欧姆接触电阻与接触之间的导电层串联电阻构成，在通过进一步的数据处理，继而可作出Rtot=f(l)曲线，经过线性拟
合，成为一条直线，如图3.8所示。

所示，
Reeves 和Harrison 环内。