单结晶体管的识别ppt课件
单结晶体管的识别及检测
湖南省技工学校理论教学教案教师：以后，I E 继续增大，V E 略有上升，但变化不大，此时单结晶体管进入饱状态，图中对应于谷点V 以右的特性，称为饱和区。
当发射极电压减小到V E <V V 时，单结晶体管由导通恢复到截止状态。
综上所述，峰点电压V P 是单结晶体管由截止转向导通的临界点。
BB A A D P V V V V V η=≈+= （7-2-2）所以，V P 由分压比η和电源电压决定V BB 。
谷点电压V V 是单结晶体管由导通转向截止的临界点。
一般V V = 2～5V （V BB = 20V ）。
国产单结晶体管的型号有BT31、BT32、BT33等。
BT 表示半导体特种管，3表示三个电极，第四个数字表示耗散功率分别为100、200、300mW 。
单结晶体管的检测图7-2－3为单结晶体管BT33管脚排列、结构图及电路符号。
好的单结晶体管PN 结正向电阻R EB1、R EB2均较小，且R EB1稍大于R EB2，PN 结的反向电阻R B1E 、R B2E 均应很大，根据所测阻值，即可判断出各管脚及管子的质量优劣。
用万用电表R ×10Ω档分别测量EB 1、EB 2间正、反向电阻，记入表7－2-1表7-2－1R EB1(Ω)R EB2(Ω)R B1E (K Ω)R B2E (K Ω)结 论任务二 单结晶体管振荡电路制作与调试图7-2-5单结晶体管振荡电路2、仪器仪表双踪示波器一台 MF47万用表 1只3、制作调试步骤（1）将元器件按要求整形，插入通用电路板的相应位置,并连接好导线。
（2）闭合开关，接通电源。
分别用示波器观察电容C两端电压vc 及电路输出电压vo。
在图7-2-6相应坐标中作出vc、vo波形。
（3）调节电路中电位器阻值，观察两波形变化，可以看出，改变电位器阻值将改变输出脉冲的__________(相位、频率、幅值)。
图7-2-6 vc、vo波形图[布置作业]完成实验报告[课后预习]调光台灯电路的制作与调试。
单结晶体管
单结晶体管
1.2 单结管的基本特性 连接单结管电路如图(a)所示，通过电路输入输出特性的讨
论来说明单结管的基本特性。
通过电位器RP 的调节改变发射 极电压，测量相 应的发射极电流， 可以得到发射极 电流IE随发射极基极b1间电压 UEB1变化的曲线， 称为单结晶体管 的特性曲线，如 图(b)所示。
小于峰点电流，而且基本不随UEB1变化，峰点电流IP很小， 可以认为单结管处于截止状态。
单结晶体管- 1.2 单结管的基本特性
2、负阻区特性 IV
U
单结管特性曲线和测量电路
P
UEB1一旦超过UP，发射极电流迅速增加，只要电流不超过 谷点电流IV，在电流增加的同时，发射极e和基极b1间电压 UEB1不增反降。特性曲线这一区域的特点伏安特性曲线的 斜率为负（见图中曲线B2B1），称为负阻区。
1.1 结构和产品外型
单结晶体管
结构
在一个低掺杂的N型硅片上 利用扩散工艺形成一个高掺杂 的的P区，在P区和N区边界形 成PN结，然后从P区引出电极， 称为发射极e，从N型硅片的 两端个引出一个电极，分别成 为基极b1和基极b2。单结晶体 管有两个基极，因此也称双基 极晶体管。
结构 电路符号 产品外型
单结晶体管- 1.3 典型应用
2、晶闸管可控触发 整流后A点电压
单结管脉冲电 路输出的尖脉 冲，加到晶闸 管的控制极
负载上得到的 电压
RP的阻值较小时，触 发角较小，导通角较 大，因而负载两端电 压平均值较大。
RP的阻值调大后触 发角变大，导通角 变小，负载两端平 均电压下降。
模拟电子技术
模拟电子技术
单结晶体管
晶闸管的导通情况由控制极电压控制，在恒温箱 控制电路中晶闸管的控制电压直接取自阳极电压， 阳极电压由零开始上升，当它大于触发电压且产 生大于触发电流时，晶闸管即进入导通状态，这 种触发方式的缺点是晶闸管的导通角不能随意调 节。
六、怎样检测单结晶体管_快速学认电子元器件（双色版）_[共3页]
![六、怎样检测单结晶体管_快速学认电子元器件（双色版）_[共3页]](https://img.taocdn.com/s3/m/2772cbbe25c52cc58bd6bee2.png)
103快速学认电子元器件（双色版）
2．延时电路
单结晶体管可以用作延时电路。
图4-70所示为延时接通开关电路，电源开关SA接通后，继电器K并不立即吸合，这时电源经RP 和R1向C充电，直到C上所充电压达到峰点电压U P时，单结晶体管V导通，K才吸合。
触点K-1和K-2使K保持吸合状态。
调节RP可改变延时时间。
图4-70 延时电路
3．触发电路
单结晶体管还可以用作晶闸管触发电路。
图4-71所示为调光台灯电路，在交流电的每半周内，晶闸管VS由单结晶体管V输出的窄脉冲触发导通，调节RP便改变了V输出窄脉冲的时间，即改变了VS 的导通角，从而改变了流过照明灯泡EL的电流，实现了调光的目的。
六、怎样检测单结晶体管
单结晶体管可以用万用表进行检测。
1．检测两基极间电阻
万用表置于“R×1k”挡，两表笔（不分正、负）接单结晶体管除发射极E以外的两个引脚，如图4-72所示，读数应为3～10kΩ。
2．检测PN结
（1）检测PN结正向电阻时（以N型基极管为例，下同），黑表笔（表内电池正极）接发射极E，红表笔分别接两个基极，如图4-73。
单结晶体管的识别与检测
湖南省技工学校理论教学教案教师姓名：注：教案首页，教案用纸由学校另行准备湖南省劳动厅编制益阳高级技工学校益阳高级技工学校益阳高级技工学校以后，I E 继续增大，V E 略有上升，但变化不大，此时单结晶体管进入饱状态，图中对应于谷点V 以右的特性，称为饱和区。
当发射极电压减小到V E <V V 时，单结晶体管由导通恢复到截止状态。
综上所述，峰点电压V P 是单结晶体管由截止转向导通的临界点。
BB A A D P V V V V V η=≈+= （7-2-2）所以，V P 由分压比η和电源电压决定V BB 。
谷点电压V V 是单结晶体管由导通转向截止的临界点。
一般V V = 2～5V （V BB = 20V ）。
国产单结晶体管的型号有BT31、BT32、BT33等。
BT 表示半导体特种管，3表示三个电极，第四个数字表示耗散功率分别为100、200、300mW 。
单结晶体管的检测图7-2－3为单结晶体管BT33管脚排列、结构图及电路符号。
好的单结晶体管PN 结正向电阻R EB1、R EB2均较小，且R EB1稍大于R EB2，PN 结的反向电阻R B1E 、R B2E 均应很大，根据所测阻值，即可判断出各管脚及管子的质量优劣。
用万用电表R ×10Ω档分别测量EB 1、EB 2间正、反向电阻，记入表7－2-1表7-2－1R EB1(Ω)R EB2(Ω)R B1E (K Ω)R B2E (K Ω)结 论任务二 单结晶体管振荡电路制作与调试益阳高级技工学校图7-2-5单结晶体管振荡电路2、仪器仪表双踪示波器一台 MF47万用表 1只3、制作调试步骤（1）将元器件按要求整形，插入通用电路板的相应位置,并连接好导线。
（2）闭合开关，接通电源。
分别用示波器观察电容C两端电压vc及电路输出电压vo。
在图7-2-6相应坐标中作出vc、vo波形。
（3）调节电路中电位器阻值，观察两波形变化，可以看出，改变电位器阻值将改变输出脉冲的__________(相位、频率、幅值)。
第二讲 调光灯 认识晶闸管和单结晶体管
b) 结构
c) 电气图形符号
在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。 反向重复峰值电压 URRM 在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。 通态（峰值）电压 UT 晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压。 电流定额： 通态平均电流 IT(AV） 在环境温度为 40C 和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过 的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。 使用时应按有效值相等的原则来选取晶闸管。 维持电流 IH 使晶闸管维持导通所必需的最小电流。 擎住电流 IL 晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后， 能维持导通所需的最小电流。对同 一晶闸管来说，通常 IL 约为 IH 的 2~4 倍。
浪涌电流 ITSM 指由于电路异常情况引起并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流。 选择晶闸管额定电流的原则： 管子在额定电流时的电流有效值大于其所在电路中可 能流过的最大电流的有效值，同时取倍的余量，即：
10 难点 重点
1.57I T(AV) I T (1.5 ~ 2)I Tm
I T(AV) (1.5 ~ 2)
12 8 ′
晶闸管电路
晶体管触发电路
10
认识晶闸管和单结晶体管
A K K G A A G a) P1 N1 P2 N2 K b) c) K
G
J1 J2 J3
G
A
图 1-1 晶闸管的外形、结构和电气图形符号 a) 外形 2、工作原理 通过做实验得出结论： 承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。 承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。 要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。 3、晶闸管的主要参数 电压定额： 断态重复峰值电压 UDRM
BT33单结晶体管(双基极二极管)原理.pptx
几微安的正向漏电流。这一段在图3所示的曲线中称为截止区，即单结晶体管尚未导通的一段。
这部分特性称为饱和区。
综上所述，单结晶体管具有以下特点：
（1）当发射极电压等于峰点电压 UP 时，单结晶体管导通。导通之后，当发射极电压小于谷点电压 UV 时，单结晶体
管就恢复截止。
（2）单结晶体管的峰点电压 UP 与外加固定电压 UBB 及其分压比 有关。而分压比
定的，可以看做常数。
对于分压比 不同的管子，或者外加电压 UBB 的数值不同时，峰值电压 UP 也就不同。
E。两个基极之间的电阻为 RBB，一般在2~15kW 之间，RBB 一般可分为两段，RBB =RB1+ RB2，RB1是第一基极 B1至 PN 结的电阻；RB2是第一基极 B2至 PN 结的电阻。双基极二极管的符号见图1的右侧。
图1 双基极二极管的结构与符号 等效电路
双基极二极管的工作原理
将双基极二极管按图2(a)接于电路之中，观察其特性。首先在两个基极之间加电压 UBB，再在发射极 E 和第一基极 B1之间加上电压 UE，UE 可以用电位器 RP 进行调节。这样该电路可以改画成图2(b)的形式，双基极二极管可以用一个 PN 结和二个电阻 RB1、RB2组成的等效电路替代。
是由管子结构决
（3）不同单结晶体管的谷点电压 UV 和谷点电流 IV 都不一样。谷点电压大约在2~5V 之间。在触发电路中，常选用 稍大一些、UV 低一些和 IV 大一些的单结管，以增大输出脉冲幅度和移相范围。
单结晶体管和晶闸管ppt课件
U BR
i
导通
IH
IR
o 阻断
IG增大 I G 2 I G 1 IG 0
u
“雪亮工程"是以区（县）、乡（镇） 、村（ 社区） 三级综 治中心 为指挥 平台、 以综治 信息化 为支撑 、以网 格化管 理为基 础、以 公共安 全视频 监控联 网应用 为重点 的“群 众性治 安防控 工程” 。
u EB 1
UP
峰点电压
单结晶体管的负阻特性广泛应用于： 定时电路和振荡电路中
“雪亮工程"是以区（县）、乡（镇） 、村（ 社区） 三级综 治中心 为指挥 平台、 以综治 信息化 为支撑 、以网 格化管 理为基 础、以 公共安 全视频 监控联 网应用 为重点 的“群 众性治 安防控 工程” 。
3. 应用举例
b2
IE
eD
Re +
VEE
UEB1
rb2
A
VBB
rb1
b1
当b1-b2间加电源VBB 且发射极开路时
UArb1rb1rb2VBBVBB
b1
测试电路
基极b2的电流为
IB2
VBB rb1 rb2
称为单结晶体管的分压 比
当UEB1为零时，二极管承受反向电压 UEA VBB
IE为二极管的反向电流
“雪亮工程"是以区（县）、乡（镇） 、村（ 社区） 三级综 治中心 为指挥 平台、 以综治 信息化 为支撑 、以网 格化管 理为基 础、以 公共安 全视频 监控联 网应用 为重点 的“群 众性治 安防控 工程” 。
e
PN结
b1 基极
结构示意图
b1
符号
b2
rb2
D
单结晶体管和晶闸管课件
单结晶体管具有较低的触发电压和电流，因此功耗较低，适合用于小信号放大和开关控制。而晶闸管则具有较大 的通态电阻和较低的开关速度，适用于大电流和高电压的应用场景。
应用领域的比较
总结词
单结晶体管和晶闸管的应用领域各有 侧重。
详细描述
单结晶体管主要用于信号放大和开关 控制，如音频信号放大、振荡器等。 而晶闸管则广泛应用于电力控制和调 节，如电机控制、电源调节等。
06
展望与未来发展
新材料的应用
硅基材料
研究新型硅基材料，提高单结晶体管和晶闸管的性能和稳定性。
宽禁带半导体材料
利用宽禁带半导体材料如硅碳化物、氮化镓等，开发高效、高频的单结晶体管和晶闸管器件。
新工艺的探索
纳米工艺
研究纳米级单结晶体管和晶闸管制造工 艺，实现更小尺寸、更高性能的器件。
VS
柔性电子工艺
详细描述
由于单结晶体管的负阻特性和快速响应特性，使得它在定时电路中能够实现高 精度和高稳定性的定时控制，广泛应用于各种需要长时间定时的场合。
波形变换
总结词
单结晶体管在波形变换中具有重 要作用，能够实现多种波形之间 的转换。
详细描述
单结晶体管可以通过不同的电路 配置实现多种波形之间的转换， 如将正弦波转换为矩形波等，广 泛应用于各种波形变换的场合。
晶闸管的内部结构决 定了其工作特性，是 实现可控整流的关键 元件。
晶闸管有三个电极， 分别是阳极、阴极和 门极。
晶闸管的工作原理
当在阳极和阴极之间加上正向电压时，晶闸管处于阻断状态，无电流通过。
当在门极和阴极之间加上适当的正向电压时，晶闸管内部PNPN结构中的少数载流 子被吸引到门极附近，形成导通通道，电流可以通过晶闸管。
任务2 单结晶体管的认识
扣5分
结束时间
总评分
自评
互教 评师
评
项目相关知识
由单结晶体管组成的触发电路，具有简单、可靠、 触发脉冲前沿陡、抗干扰能力强以及温度补偿性 能好等优点，在单相晶闸管装置中得到广泛应用。
单结晶体管的认识
单结晶体管的结构
单结晶体管是一种只有一个PN结和两个电 阻接触电极的半导体器件，其结构、符号和
等效电路如图。
单结晶体管的认识
单结晶体管的结构
常数，改变了电容电压达到峰点电压的时间。
单结晶体管的认识
单结晶体管触发电路
电阻r作用：电阻r起限流作用。它是为防止R调节 到零时，充电电流i充过大而造成单结晶体管一直
导通无法关断而停振。
单结晶体管的认识
单结晶体管触发电路
电阻R1作用：R1是电路的输出电阻。它不能太小， 如果R1太小，放电电流i放在R1上形成的压降就很 小，产生脉冲的幅值就很小；它也不能太大，如 果R1太大，在R1上形成的残压就大，对晶闸管门
单结晶体管的认识单Biblioteka 晶体管的结构单结晶体管的认识
单结晶体管的测量 根据单结晶体管的结构，单结晶体管e极和b1极
或e极和b2极之间的正向电阻小于反向电阻，一般 rb1＞rb2，而b1极和b2极之间的正、反向电阻相等，
约为3~10kΩ。
单结晶体管的认识
单结晶体管的测量
判断单结晶体管发射极e的方法是：把万用表置于 R×100挡或R×1k挡，黑表笔接假设的发射极， 红表笔接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表
型号：BT33、BT35。
单结晶体管的认识
内部结构
型号：BT33、BT35。
单结晶体管的认识
等效电路
型号：BT33、BT35。
单结管和晶闸管的识别与检测
单结管和晶闸管的识别与检测一、单结晶体管[1]单结管即单结晶体管，又称为双基极二极管，是一种具有一个PN结和两个欧姆电极的负阻半导体器件。
常见的有陶瓷封装和金属壳封装的单结晶体管。
[2]单结晶体管可分为N型基极单结管和P型基极单结管两大类。
单结晶体管的文字符号为“VT”，图形符号如图所示。
[3]单结晶体管的主要参数有：①分压比η，指单结晶体管发射极E至第一基极B1间的电压（不包括PN结管压降）在两基极间电压中所占的比例。
②峰点电压UP，是指单结晶体管刚开始导通时的发射极E与第一基极B1的电压，其所对应的发射极电流叫做峰点电流IP。
③谷点电压UV，是指单结晶体管由负阻区开始进入饱和区时的发射极E与第一基极B1间的电压，其所对应的发射极电流叫做谷点电流IV。
[4]单结晶体管共有三个管脚，分别是：发射极E、第一基极B1和第二基极B2。
图示为两种典型单结晶体管的管脚电极。
[5]单结晶体管最重要的特性是具有负阻性，其基本工作原理如图示（以N基极单结管为例）。
当发射极电压UE大于峰点电压UP时，PN结处于正向偏置，单结管导通。
随着发射极电流IE的增加，大量空穴从发射极注入硅晶体，导致发射极与第一基极间的电阻急剧减小，其间的电位也就减小，呈现出负阻特性。
[6]检测单结晶体管时，万用表置于“R×1k”挡，检测两基极间电阻：两表笔（不分正、负）接单结晶体管除发射极E以外的两个管脚，读数应为3～10kΩ。
[7]检测PN结正向电阻（N基极管为例，下同）：黑表笔接发射极E，红表笔分别接两个基极，读数均应为数千欧。
对调两表笔后检测PN结反向电阻，读数均应为无穷大。
如果测量结果与上述不符，说明被测单结管已损坏。
[8]测量单结晶体管的分压比η：按图示搭接一个测量电路，用万用表“直流10V”挡测出C2上的电压UC2，再按公式η=UC2/UB计算即可。
[9]单结晶体管的基本应用是组成脉冲产生电路，包括振荡器、波形发生器等，并可使电路结构大为简化。
单结晶体管
硅双基极二极管（单结管）单结晶体管一、单结晶体管的结构和等效电路单结晶体管的外形很象晶体三极管，它也有三个电极，称为发射极e，第一基极b1，第二基极b2，又叫双基极二极管。
因为只有一个PN结所以又称为单结晶体管。
外形及符号如图(a)、(b)所示。
图中发射极箭头指向b1，表示经PN结的电流只流向b1极。
单结管的等效电路如图(C)所示，r b1表示e与b1之间的等效电阻，它的阻值受e-b1间电压的控制，所以等效为可变电阻。
两个基极之间的电阻用R bb表示，即：R bb=R b1+R b2，R b1与R bb的比值称为分压比η=R b1/R bb，η一般在0.3～0.8之间。
二、工作原理和特性曲线伏安特性变化如图所示。
★图中，当V BB固定，等效电路中，A点对b1的电压U A=ηV BB为定值。
当U e较小时，U e<U A，PN结反偏，此时只有很小的反向漏电流I EO（几微安）如图中曲线“1”段。
★当U e增大，U e=U A时，PN结处于零偏，i E=0。
★U e继续增大，当U e>U A，i E开始大于零，由于硅二极管的正向压降为0.7V，所以i E不会有显著的增加，这个电压称为峰值电压U P，对应电流称为峰值电流I P。
这一区域称为截止区。
★U e继续增加，U e>U A，管子转向导通，PN结电流开始显著增加，这时将有大量的空穴进入基区，e、b1间载流子大量增加，使r b1迅速减小，而r b1的减小又使U A降低，导致i E又进一步加大，这种正反馈的过程，使i E急剧增加U A下降，单结管呈现了负阻特性，图中曲线“2”线段，到了“C”点负阻特性结束，C点电压U V称为谷点电压，一般为1～2.5V，对应的电流称为谷点电流Iv，一般为几毫安。
★过了谷点之后，继续增加U e，i E～U e曲线形状接近二极管导通时的正向特性曲线。
如曲线“3”线段，此时称为饱和区。
饱和压降一般小于4～5V。
BT33单结晶体管(双基极二极管)原理知识讲解
B T33单结晶体管(双基极二极管)原理单结晶体管（双基极二极管）原理体管又叫双基极二极管，它的符号和外形见附图判断单结晶体管发射极E的方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，黑表笔接假设的发射极，红表笔接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是单结晶体管的发射极。
单结晶体管B1和B2的判断方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，用黑表笔接发射极，红表笔分别接另外两极，两次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是B1极。
应当说明的是，上述判别B1、B2的方法，不一定对所有的单结晶体管都适用，有个别管子的E--B1间的正向电阻值较小。
不过准确地判断哪极是B1，哪极是 B2在实际使用中并不特别重要。
即使B1、B2用颠倒了，也不会使管子损坏，只影响输出脉冲的幅度（单结晶体管多作脉冲发生器使用），当发现输出的脉冲幅度偏小时，只要将原来假定的B1、B2对调过来就可以了。
单结晶体管工作原理-双基极二极管伏安特性曲线-单结管双基极二极管(单结晶体管)的结构双基极二极管又称为单结晶体管，它的结构如图1所示。
在一片高电阻率的N型硅片一侧的两端各引出一个电极，分别称为第一基极B1和第二基极B2。
而在硅片是另一侧较靠近B2处制作一个PN结，在P型硅上引出一个电极，称为发射极E。
两个基极之间的电阻为R BB，一般在2~15kW之间，R BB一般可分为两段，R BB =R B1+ R B2，R B1是第一基极B1至PN结的电阻；R B2是第一基极B2至PN结的电阻。
双基极二极管的符号见图1的右侧。
图1 双基极二极管的结构与符号等效电路双基极二极管的工作原理将双基极二极管按图2(a)接于电路之中，观察其特性。
首先在两个基极之间加电压U BB，再在发射极E和第一基极B1之间加上电压U E，U E可以用电位器R P进行调节。
这样该电路可以改画成图2(b)的形式，双基极二极管可以用一个PN结和二个电阻R B1、R B2组成的等效电路替代。
场效应管晶闸管和单结晶体管的识别与检测PPT文档28页
60、生活的道路一旦选定，就要勇敢地 走到底 ，决不 回头。 ——左
场效应管晶闸管和单结晶体管的识别 与检测
51、山气愿，帝乡不可期。 54、雄发指危冠，猛气冲长缨。 55、土地平旷，屋舍俨然，有良田美 池桑竹 之属， 阡陌交 通，鸡 犬相闻 。
56、书不仅是生活，而且是现在、过 去和未 来文化 生活的 源泉。 ——库 法耶夫 57、生命不可能有两次，但许多人连一 次也不 善于度 过。— —吕凯 特 58、问渠哪得清如许，为有源头活水来 。—— 朱熹 59、我的努力求学没有得到别的好处， 只不过 是愈来 愈发觉 自己的 无知。 ——笛 卡儿
第十四章单结晶体管与场效应管
让信念坚持下去，梦想就能实现！
谷点电压与电流 谷点电压UV是指单结晶体管由负阻区开始进入饱和区时的 发射极E与第一基极B1间的电压，其所对应的发射极电流 叫谷点电流。
调制电流 调制电流IB2是指发射极处于饱和状态时，从单结晶
体管第二基极B2流过的电流。
让信念坚持下去，梦想就能实现！
（2）把万用表置于“Rx1K”档再测栅极G1与G2之间、 栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电 阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值 太小或为通路，则说明管是坏的。若两个栅极在管内断极 ，可用元件代换法进行检测。
让信念坚持下去，梦想就能实现！
第二部分:用字母“T”表示特种管
第三部分:用数字“3”表示有3个电极
第四部分:用数字表示耗散功率
第五部分:用字母表示特性参数分类
让信念坚持下去，梦想就能实现！
单结晶体管的检测
单结晶体管管脚的判别 判断单结晶体管发射极E的方法： 把万用表置于“Rx100”或 “Rx1K”档，黑表笔接假 设的发射极，红表笔分别接另外两极，当出现两次低电阻 时，黑表笔接的就是单结晶体管的发射极。 判断晶体管B1和B2的方法： 把万用表置于“Rx100”或 “Rx1K”档，用黑表笔接 发射极，红表笔分别接另外两级，两次测量中，电阻大的 一次，红表笔接的就是B1极。
让信念坚持下去，梦想就能实现！
注意：上述判别B1、B2的方法，不一定对所有的单结 晶体管都适用，有个别管子的E-B1间的正向电阻值较小。 不过准确地判断哪极是B1，哪极是B2在实际使用中并不特 别重要。即使B1、B2用颠倒了，也不会使管子损坏，只影 响输出脉冲的幅度，当发现输出的脉冲幅度偏小时，只要 将原来假定的B1、B2对调过来就可以了。
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• 单结晶体管的检测 • 判断单结晶体管发射极e的方法是：将万用表置于R×1K挡
或R×100挡，假设单结晶体管的任一管脚为发射极e，黑表 笔接假设发射极，红表笔分别接触另外两管脚测其阻值。当 出现两次低电阻时，黑表笔所接的就是单结晶体管的发射极。 • 单结晶体管b1和b2的判断方法是：将万用表置于R×1K挡或 R×100挡，，黑表笔接发射极，红表笔分别接另外两管脚 测阻值，两次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是b1极。 • 应当说明的是，上述判别b1、b2的方法，不一定对所有的单 结晶体管都适用，有个别管子的e～b1间的正向电阻值较小。 即使b1、b2用颠倒了，也不会使管子损坏，只影响输出脉冲 的幅度（单结晶体管多在脉冲发生器中使用），当发现输出 的脉冲幅度偏小时，只要将原来假定的b1、b2对调过来就可 以了。
不同，其命名组成部分及含义如图
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单结晶体管的主要参数
• （1）基极间电阻Rbb 。发射极开路时，基极b1、b2之间的 电阻，一般为2～10KΩ，其数值随温度上升而增大。通常 Rbb具有纯电阻特性，阻值大小与温度有关。 （2）分压比η 。分压比是指Rb1上产生电压Ub1与两基极 电压Ubb的比值，公式为：η=Ub1/Ubb=Rb1/Rbb，它由管 子内部结构决定的常数，一般为0.3～0.9。 （3）eb1间反向电压Vcb1 b2开路，在额定反向电压Vcb2 下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。 （4）反向电流Ieo 。b1开路，在额定反向电压Vcb2下， eb2间的反向电流。如果实际测得管子的反向电流太大，则 表明PN结的单向特性差，单结晶体管有漏电现象。 （5）发射极饱和压降Veo 。在最大发射极额定电流时， eb1间的压降。 （6）峰点电流Ip。 单结晶体管刚开始导通时，发射极电 压为峰点电压时的发射极电流。
单结晶体管的识别与检测
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• 单结晶体管的结构、外形及特点 • 单结晶体管（简称UJT）又称双基极二极管，是一种只有一
个晶体 管（简称UJT）又称基极二极管，它的基片为条状的高阻N 型硅片，两端分别用电阻接触引出两个基极b1和b2。
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• 单结晶体管的型号命名法 • 单结晶体管型号命名与二极管、三极管有所
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