二极管整流电路试题
第一章 二极管章节测试题
第1 页 共 2页第一章 二极管章节测试题一、选择(每空2分,共22分) 1、本征半导体又叫( )A 、普通半导体B 、P 型半导体C 、掺杂半导体D 、纯净半导体 2、关于晶体二极管的正确叙述是:( )A 普通二极管反向击穿后,很大的反向电流使PN 结温度迅速升高而烧坏。
B 普通二极管发生热击穿,不发生电击穿。
C 硅稳压二极管只发生电击穿,不发生热击穿,所以要串接电阻降压。
D 以上说法都不对。
3、如下图所示的四只硅二极管处于导通的是( )-5.3V -6V -6V -5.3V -5V -5V 0V -0.7V4、变压器中心抽头式全波整流电路中,每只二极管承受的最高反向电压为( ) A 、U 2 B 、2U 2 C 、1.2 U 2 D 、22 U 25、关于滤波器,正确叙述是:( )A 电容滤波器电路的电容量越大,负载越重,输出直流越平滑。
B 电容量越小,负载越重,输出电压越接近脉动电压峰值。
C 电感滤波器是利用电感具有反抗电流变化的作用,使负载电流的脉动程度 减小,从而使输出电压平滑。
D 电感量越大,产生的自感电动势越大,滤波效果越差。
6、在下图所示电路中,正确的稳压电路为( )7、如右图,电源接通后,正确说法为:( ) A H 1、H 2、H 可能亮。
B H 1、H 2、H 都不亮。
C H 1可能亮,H 2、H 不亮。
D H 不亮,H 2、H 1可能亮。
8、二极管两端加上正向电压时( )A 一定导通B 超过死区电压才能导通 B 超过0.7伏才能导通 D 超过0.3伏才能导通 9、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将( )。
A. 增大 B. 不变 C. 减小10、稳压二极管稳压时,其工作在( ),发光二极管发光时,其工作在( )。
A .正向导通区 B .反向截止区 C .反向击穿区二、判断(每题1分,共10分) ( )1、本征半导体中没有载流子。
( )2、将P 型半导体和N 型半导体简单的接触并连在一起,就会形成PN 结。
模拟电路之二极管考试题库完整
二级管电路习题选1 在题1.1图所示电路中,U0电压为()。
(a)12V (b)-9V (c)-3V2 在题1.2图所示电路中,所有二极管均为理想元件,则D1、D2、D3的工作状态为()。
(a)D1导通,D2、D3截止(b)D1、D2截止,D3导通(c)D1、D3截止,D2导通题1.1图题1.2图3 在题1.3图所示电路中,所有二极管均为理想元件,则D1、D2的工作状态为()。
(a)D1导通,D2、截止(b)D1、D2均导通(c)D1、截止,D2导通题1.3图题1.4图4 在题1.4图所示电路中,D1、D2为理想元件,则电压U0为()。
(a)3V (b)5V (c)2V5 电路如题1.5图(a)所示,二极管D为理想元件,输入信号u i为图(b)所示的三角波,则输出电压u0的最大值为()。
(a)5V (b)17V (c)7V(a)(b)题1.5图6 在题1.6图所示电路中,二极管为理想元件,u A=3v,u B=2sinωtV,R=4KΩ,则u F等于( ).(a)3V (b)2sinωtV (c)3+2sinωtV题1.6图题1.7图7 在题1.7图所示电路中,二极管为理想元件,则输出电压U0为()。
(a)3V (b)0V (c)-12V8 在题1.8图(1)所示电路中,二极管D为理想元件,设u1=2sinωtV,稳压二极管D Z的稳定电压为6V,正向压降不计,则输出电压u0的波形为图(2)中的波形()。
(1) (2)9 在题1.9图所示电路中,稳压二极管D Z2的稳定电压为6V,D Z2的稳定电压为12V,则输出电压U0等于()。
(a)12V (b)6V (c)18V10 在题1.10图所示电路中,稳压二极管D Z1和 D Z2的稳定电压分别为6V和9V,正向电压降都是0.7V。
则电压U0等于()。
(a)3V (b)15V (c)-3V11 在题1.11图所示电路中,稳压二极管D Z1的稳定电压U Z1=12V,D Z2的稳定电压U Z2=6V,则电压U0等于()。
晶体二极管和整流电路测试题
第1章:晶体二极管和二极管整流电路一.填空题:1.二极管的P 区接电位 端,极管的N 区接电位 端,称正向偏置,二极管导通;反之称反向偏置,二极管截止;所二极管具有 性。
2.二极管的PN 结面积不同可分为点接触型、面接触型和 型; 型二极管适用于高频、小电流的场合, 型二极管适用于低频、大电流的场合。
3.普通二极管工作时要避免工作于 ,而稳压管通常工作于 。
4.单相 用来将交流电压变换成单相脉动直流电压。
5.直流电源中,除电容滤波电路外,其它形式的滤波电路包括 、 等。
8.发光二极管能将电信号转换成 信号,它工作时需要加 偏置电压;光电二极管能将 转换成电信号,它工作时需要加 偏置电压; 二.1.二极管在反向电压超过最高反向工作电压V RM 时会损坏。
( )2.稳压二极管在工作中只能作反向连接。
( )3.电容滤波电路适用于小负载电流,而电感滤波电路适用于大负载电流。
(三.选择题:1.图1.17所示符号中,表示发光二极管的为 ( )2.从二极管的伏安特性可以看出,二极管两端压降大于( )时,处于正向导通状态。
( )A .0B .死区电压C .反向击穿电压D .正向压降4.直流稳压电源中,滤波电路的作用是 ( )A .将交流电变为较平滑的直流电B .将交流电变为稳定的直流电C .滤除直流电中的交流成分D .将交流电变为脉动直流电四.1.画出桥式整流电容滤波电路图,若要求V L =20V ,I L =100mA ,①试求电路元件的有关参数;②变压器二次电压的有效值V 2;③整流二极管参数V F 和V RM ;。
2.图1.18给出了一些元器件的电路符号,请合理连线,构成一个5V 的直流稳压电源。
五.综合题: 1.二极管电路如图1.20电压V 0。
设二极管的导通电压降为0.7V 。
2②导通区;③截止区;④击穿区。
A .B .C .D .图1.17图1.20V V ~220V ①②③④⑤⑥W 7805V 0=5V +-+⑦⑧⑨⑩111213输入端输出端R L 图1.18。
整流电路
整流电路一、填空题;1、将交流电变换成的过程叫做整流,利用二极管的实现整流。
2、二极管具有单向导电性,当二极管加,二极管导通,正向电阻,当加,只要不引起反向击穿,二极管截止,呈现,这样,二极管就相当于一个,整流电路就是利用这种特性构成的。
3、单相半波整流电路,负载两端电压VO的平均值是,电流平均值是,流过二极管的正向电流的平均值与负载RL上的电流的平均值,二极管截止时,承受的最高反向电压为,可见,正确选用二极管必须满足,。
4、单相全波整流电路中,二极管截止时,承受的最高反向电压为。
5、滤波电路中,利用电容、电感滤波,其中电容应与负载,电感应与负载。
6、RC滤波电路中,R不宜。
7、LED的正向电压比普通二极管,约,而反向击穿电压比普通二极管,约左右。
8、稳压二极管与普通二极管的伏安特性相似,只是曲线和特性曲线均比普通二极管。
9、稳压二极管能稳定电压是利用的特性来实现的。
10、稳定电压VZ是指稳压二极管在管子两端的电压值。
11、稳压管的耗散功率PCM是的乘积。
12、光敏二极管是一种将转变成的半导体器件。
13、光敏二极管工作时应加电压,若加反,就失去了光照产生电流的意义。
14、整流器由、和组成。
15、稳压二极管能够稳定电压,需要的两上基本条件是、。
16、载流子是指的粒子,有两种载流子,带正电荷,带负电荷。
17、半导体的导电能力介于和之间,而且导电能力随着、和、温度条件的不同而发生很大变化。
18、N型半导体又称为型半导体,是导电的半导体,在N 型半导体中,是多数载流子,是少数载流子,而P型半导体中,是多数载流子,是少数载流子。
19、空穴半导体呈性,电子型半导体呈性。
20、经过特殊的工艺加工,将半导体和半导体紧密结合在一起,则两种半导体的交界处就会出现个阻碍的阻档层,称PN结。
21、PN结的正向导通,则P接电位,N接电位,PN结反向偏置,P接电位,N接电位。
22、PN结反向截止时,在PN结的内外电路,只能形成反向电流,而且在很大范围基本不随变化而变化,即保持。
2018《电工电子》测验二极管整流电路
济南电子机械工程学校2017—2018学年第二学期(18上半年)《电工电子》测验2班级________ 姓名________ 学号____ (考试时间:90分钟)一、填空题1、PN结正向偏置时,反向偏置时,这种特性称为PN结的。
但是当硅材料的PN结正向偏压小于 V,锗材料的PN结正向偏压小于 V时,PN结仍不导通,我们把这个区域称为。
2.线性稳压电源主要由、和三部分组成。
3.将交流电转换为直流电的过程称为。
4.把脉动直流电变成较为平稳的直流电的过程,称为。
5.常用的滤波电路有、和三种。
6.在单相桥式整流电路中,如果负载电流为20A,则流过每只晶体二极管的电流为。
二、选择题1、在P型半导体中()A.空穴是多数载流子,电子是少数载流子B.电子是多数载流子,空穴是少数载流子C.空穴的数量略多于电子 D.没有电子2、把电动势是1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则该管()A.电流为零 B.电流基本正常 C.击穿 D.被烧坏3、二极管两端加上正向电压时()A.一定导通 B.超过死区电压才能导通C.超过0.7伏才导通 D.超过0.3伏才导通4、在如图所示电路中工作于正常导通状态的二极管是()5、电路如图所示,设二极管正向电阻为零,反向电阻为无穷大,则电压UAB为()A.-3伏B.5伏C.8伏D.-8伏6、有热敏特性的半导体材料受热后,半导体的导电性能将()A、变好B、变差C、不变D、无法确定7、P型半导体是指在本征半导体中掺入微量()A、硅元素B、硼元素C、磷元素D、锂元素8、N型半导体是指在本征半导体中掺入微量()A、硅元素B、硼元素C、磷元素D、锂元素9、二极管正向电阻比反向电阻()A、大B、小C、一样大D、无法确定10、二极管在反向截止区的反向电流()A、随反向电压升高而升高B、随反向电压升高而急剧升高C、基本保持不变D、随反向电压升高而减少11、晶体二极管内阻是()A、常数B、不是常数C、不一定D、没有电阻12、电路如图所示,输出电压U O应为()A、0.7VB、3.7VC、10VD、3V13、将交流电压U i经单相半波整流电路转换为直流电压Uo的关系是()A、Uo=U iB、Uo=0.45U iC、Uo=0.5U iD、i14、下面列出的几条曲线中,哪条表示的是二极管的伏安特性曲线()A B C D15、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时,应把欧姆挡拨到()A、R×100Ω或R×1KΩB、R×1ΩC、R×10ΩD、R×100Ω16、当环境温度升高时,二极管的反向电流将()A、减少B、增大C、不变D、缓慢减少17、如图所示,设二极管为理想状态,则电压U AB为()A、3VB、6VC、-3VD、-6V18、如图所示的电路中,理想二极管D1、D2的工作状态为()A、D1、D2均导通B、D1截止,D2导通C、D1、D2均截止D、D1导通,D2截止19、将交流220V经单相桥式整流电路转换为直流电压的值为()A、110VB、0.9×220VC、220V D、220V20、某晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零时,则该二极管()A、正常B、已被击穿C、内部短路D、内部开路21、已知输入正弦波Ui,欲获取图示输出波形Uo,应选取的合适电路是()A 、B 、C 、D22、两只相同的灯泡L1、L2接在如图所示的电路中,则()A、L1比L2亮B、L2比L1亮C、L1、L2一样亮D、以上答案都不对23、在单相半波整流电路中,如果电源变压器二次电压为100V,则负载电压将是()A.100vB.45V;C.90V24、在单相半波整流电路中,如果负载电流为10A,则流经整流晶体二极管的电流为()A.4.5A;B.5A;C.10A25、在单相桥式整流电路中,若电源变压器二次电压为100V,则负载电压为()A.45VB.50VC.90V26、在单相桥式整流电路中,如果负载电流为10A,则流过每只整流晶体二极管的电流为()A.10A;B.5A;C.4.5A27、在单相桥式整流电路中,如果一只整流晶体二极管接反,则()A.将引起电源短路;B.将成为半波整流电路;C.仍为桥式整流电路二、判断题1、二极管导通后,其电流大小与正向电压成正比。
第一章 二极管试题打印
一.选择题(60分)1.如图1.1.1所示电路图中,当电源V1=5V 时,测得I=1mA 。
若把电源电压调到V1=10V ,则电流的大小将是___。
A 、I=2mAB 、I<2mAC 、I>2mA2.图1.1.1中,设电路中V1=5保持不变,当温度为20°C 时,测得二极管的电压Vd=0.7V,当温度上升到40°C 时, 则Vd 的大小将是___。
A 、Vd=0.7V B 、Vd>0.7V C 、Vd<0.7V5.如图1.1.3所示电路中,D1-D3为理想二极管,A 、B 、C 白炽灯泡功率相同,其中最暗的灯是___。
A 、B B 、C C 、A6.如图1.1.4所示电路中,二极管是理想的,电阻R=6欧姆。
当普通指针式万用表置于R*1欧姆档时,用黑表笔(带正电)接A 点,红表笔(带负电接B 点),则万用表的指示值为___.A 、18欧姆B 、6欧姆C 、3欧姆D 、2欧姆7.在同一测试电路中,分别测得A,B 和C 三个二极管的电流如下表所示.你认为哪一个二极管的性能最好?A 、AB 、BC 、C10.设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V 和8V,正向压降均为0.7V,求图1.1.7中电路的输出电压Vo 。
A 、Vo=13VB 、Vo=1.4VC 、Vo=5VD 、Vo=0.7V1.场效应管属于__ 控制型器件。
2.在图1.1.9所示电路中,已知稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为6V 和7V,且具有理想稳压特性,求输出电压Vo=__。
3.在图1.1.10所示电路中,已知稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为6V 和7V,且具有理想稳压特性,求输出电压Vo=__。
4.设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V 和8V,正向压降均为0.7V,求图1.1.11中电路的输出电压Vo=__。
5.如图1.1.8所示。
试估算A 点的电位为__。
第一章二极管及其应用(1)第一章二极管及其应用(2)1、填空:(每空1分40分)(1)、半导体是一种导电能力介于 与 之间的物体。
二极管整流电路试题
二极管整流电路试题作者:日期:晶体二极管及整流电路试题(一)姓名 _________ 学号 ____________1、纯净的半导体称为 ,它的导电能力很 。
在纯净的半导 体中掺入少量的 价元素,可形成P 型半导体,又称 型半导体, 其中多数载流子为 ,少数载流子为 。
2、在本征半导体中掺入 ______ 价元素,可形成N 型半导体,其中多数载流 子为 ________ ,少数载流子为 ________ ,它的导电能力比本征半导体 _____3、如图,这是 材料的二极管的 ________ _______________ 曲线,在正向电压超过 V 后,二极管开始导通,这个电压称为 — 电压。
正常导通后,此管的正向压降约 为 V 。
当反向电压增大到 —V 时, 即称为 电压时,反向电流会急剧增大,该现象为 _____________ 。
若反向电压 继续增大,容易发生 __________ 现象。
其中 稳压管一般工作在 ___________ 区。
4、二极管的伏安特性指 _____________ 和 __________ 关系,当正向电压超过 _____ 后,二极管导通。
正常导通后,二极管的正向压降很小,硅管约为 V, 锗管约为_v5、 二极管的重要特性是 ____________ ,具体指:给二极管加 _____ 电压, 二极管导通;给二极管加 ________ 电压,二极管截止。
6、 PN 结的单向导电性指 _______________________ ,当反向电压增大到 时,反向电流会急剧增大,这种现象称 ______________ 。
7、 二极管的主要参数有 _______________ 、 _____________ 、 ___________ 和 _____________ ,二极管的主要特性是 ____________ 。
8、 用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、 反向电阻时,若两次测得的阻值 都较小,则表明二极管内部 _______ ;若两次测得的阻值都较大,则表明二极 管内部 _______ 。
二极管试题及答案
二极管试题及答案1. 二极管是一种具有单向导电性的半导体器件,其正向导通电压约为多少伏?A. 0.3VB. 0.7VC. 1.5VD. 2.0V答案:B2. 在电路中,二极管的正极通常用哪个符号表示?A. -B. +C. ○D. ∆答案:B3. 以下哪个不是二极管的特性?A. 单向导电性B. 整流作用C. 放大作用D. 稳压作用答案:C4. 稳压二极管的工作原理是什么?A. 利用PN结的正向导通特性B. 利用PN结的反向击穿特性C. 利用PN结的正向击穿特性D. 利用PN结的反向导通特性答案:B5. 在整流电路中,二极管的作用是什么?A. 放大信号B. 整流C. 稳压D. 滤波答案:B6. 以下哪个二极管不是按照材料分类的?A. 硅二极管B. 锗二极管C. 稳压二极管D. 肖特基二极管答案:C7. 一个二极管的正向电流为10mA,反向电流为1nA,那么它的正向电流与反向电流的比值是多少?A. 1000B. 10000C. 100000D. 1000000答案:D8. 以下哪个参数不是二极管的主要特性参数?A. 最大整流电流B. 反向击穿电压C. 导通电压D. 频率响应答案:D9. 在电路中,二极管的正向导通电压一般是多少?A. 0.2VB. 0.7VC. 1.0VD. 2.0V答案:B10. 稳压二极管的反向击穿电压称为什么?A. 导通电压B. 反向击穿电压C. 稳压电压D. 正向导通电压答案:C。
晶体二极管和二极管整流电路试题
晶体二极管一、选择题(每题分,计分)1.二极管正向导通时,呈现 ············································································ ( )A. 较小电阻B. 较大电阻C. 不稳定电阻D. 无法确定2.硅稳压管稳压电路适用于 ············································································ ( )A. 输出电流较大、输出电压可调、稳定性能要求较高的场合B. 输出电流不大、输出电压固定、稳定性能要求不高的场合C. 输出电流不大、输出电压可调、稳定性能要求较高的场合D. 输出电流较大、输出电压固定、稳定性能要求不高的场合3.关于晶体二极管的正确叙述是 ······································································ ( )A. 普通二极管反向击穿后,很大的反向电流使PN结温度迅速升高而烧坏B. 普通二极管发生热击穿,不发生电击穿C. 硅稳压二极管只发生电击穿,不发生热击穿,所以要串接电阻降压D. 以上说法都不对4.硅材料二极管的正向压降一般为( ) VA. 0.2B. 0.3C. 0.5D. 0.75.通常要求二极管正反向电阻相差 ··································································· ( )A. 越小越好B. 越大越好C. 无差别较好D. 无穷大最好6.判别二极管的极性是用万用表的 ··································································· ( )A. 电阻挡B. 直流电压挡C. 直流电流挡D. 交流电流挡7.二极管两端加正向电压时 ············································································ ( )A. 一定导通B. 超过死区电压才导通C. 超过0.7V导通D. 超过0.3V才导通8.二极管的正向电阻与反向电阻关系是 ····························································· ( )A. 正向电阻远大于反向电阻B. 正向电阻远小于反向电阻C. 正向电阻等于反向电阻D. 无法确定9.用万用表判断发光二极管正负性时,一般选用电阻量程 ····································· ( )A. R×1B. R×10C. R×100或R×1KD. R×10K10.如图,电源接通后,正确说法为·································································· ( )A. H1、H2、H都可能亮B. H1、H2、H都不亮C. H1可能亮,H2、H不亮D. H不亮,H1、H2可能亮11.下列说法正确的是···················································································· ( )A. N型半导体带负电B. P型半导体带正电C. PN结型半导体为电中性体D. PN结内存在着内电场,短接两端会有电流产生12.PN结的主要特性为 ·················································································· ( )A. 正向导通特性B. 单向导电性C. 反向击穿特性D. 反向截止特性13.当环境温度升高时,半导体二极管的反向饱和电流将 ······································ ( )A. 减小B. 不变C. 增大D. 消失14.从二极管的伏安特性可以看出,二极管两端压降大于( ) 时,处于正向导通状态A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降15.半导体在外电场作用下,( ) 做定向移动形成电流A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 无法确定16.单相半波整流电容滤波电路,当负载开路时,输出电压为 ································ ( )C. 0.45U2D. U2A. 0B.17.当温度升高时,二极管反向饱和电流将························································· ( )A. 增大B. 减小C. 不变D. 等于零18.二极管导通后,当流过它的电流增加一倍时,它两端的电压将 ·························· ( )A. 增加一倍B. 略有增加C. 增加一倍以上D. 不变19.用万用表的“R×10”档和“R×100”档测量同一个二极管的正向电阻,两次测得的值分别为R1和R2,则二者相比 ············································································ ( )A. R1>R2B. R1=R2C. R1<R2D. 说不清哪个大20.晶体二极管正向偏置是指··········································································· ( )A. 正极接高电位,负极接低电位B. 正极接低电位,负极接高电位C. 二极管没有正负极之分D. 二极管的极性任意接21.半导体中的导电粒子有·············································································· ( )A. 自由电子B. 正电荷C. 空穴D. 自由电子和空穴22.如图,V为理想二极管,描述正确的是························································· ( )A. V导通,V AB=0VB. V导通,V AB=15VC. V截止,V AB=12VD. V截止,V AB=3V23.二极管内部是由( ) 所构成的。
4整流电路
第四讲整流电路A.基础题一、填空题1.整流是将___交流____电压变换为___脉动直流____电压的过程。
2.单相整流电路按其电路结构特点来分,有__半波__整流电路、_全波_整流电路和__桥式___整流电路。
3.利用二极管的___单向导电_______特性可组装成__整流____电路,从而将交流电路转换成单向脉动的直流电。
4.选用整流二极管主要考虑的两个参数是__IFM _________和_____URM______。
5.在桥式整流电路中,输出电压为30V,负载电流为250mA,则通过每只二极管的电流为__125mA_______。
6.在单相桥式整流电路中,若负载电流为10mA,负载两端电压为18V,则流过每只晶体二极管的电流为___5___mA,每只二极管承受的反向电压为__28.28____V。
7.在单相全波整流电路中,如果流过负载电阻RL的电流是2A,则流过每只晶体二极管的电流是__1A____。
8.桥式整流电路由四个二极管组成,故流过每个二极管的电流为(设IO为输出电流的平均值)__1/2Io____。
9.单相全波整流电路中,如果变压器二次电压U2=10V,负载电阻为100Ω,则流过二极管的电流IV是__0.045A____。
10.若半波整流电路负载两端的平均电压为4.5V,则二极管的最高反向电压应为____14.14____V。
11.有一直流负载两端的电压为12V,流过的电流为0.5A,若采用桥式整流、电容滤波电路供电,则电源变压器的副边电压为__10V____,二极管承受的最高反向电压为___14.14___V。
12.若桥式整流电路中变压器二次单相电压为10V,则二极管的最高反向工作电压就不小于__14.14____V,若负载电流为800mA,则每只二极管的平均电流应大于__400____mA。
13.在单相桥式整流电路中,电源变压器二次侧电压有效值U2=100V,若负载电阻RL断开,则晶体二极管两端最高反向电压能达到___141.4V___。
晶体二极管及二极管整流电路试题
《晶体二极管及二极管整流电路》试题一、判断题(每空2分,共36分)1. N型半导体中,主要依靠自由电子导电,空穴是少数载流子。
()2. 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。
()3. 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。
()4. 二极管是线性器件。
()5. 二极管处于导通状态,呈现很大的电阻,在电路中相当于开关的断开特性。
()6. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。
()7. PN结的单向导电性,就是PN结正向偏置时截止,反向偏置时导通。
()8. 二极管两端加反向电压时,反向电流不随反向电压变化而变化,这时二极管的状态为截止。
()9. 二极管只要工作在反向击穿区,就一定会被击穿损坏。
()10. 热击穿和电击穿过程都是不可逆的。
()11. 所谓理想二极管,就是当其正向偏置时,结电阻为零,等效成开关闭合;当其反向偏置时,结电阻为无穷大,等效成开关断开。
()12. 使用稳压管时应阳极接高电位,阴极接低电位。
13. 稳压二极管如果反向电流超过允许范围,二极管将会发生热击穿,所以,与其配合的电阻往往起到限流的作用。
()14. 整流电路由二极管组成,利用二极管的单向导电性把直流电变为交流电。
()15. 用两只二极管就可实现单相全波整流,而单相桥式整流电路却用了四只二极管,这样做虽然多用了两只二极管,但降低了二极管承受的反向电压。
()16. 在电容滤波整流电路中,滤波电容可以随意选择()17. 在电容滤波整流电路中,电容耐压值要大于负载开路时整流电路的输出电压。
()18.电容滤波器中电容器容量越小滤波效果越好。
()二、单选题(每空2分,共32分)1. 本征半导体是()。
A. 掺杂半导体B. 纯净半导体C. P型半导体D. N型半导体2. P型半导体的多数载流子是()。
A. 电子B. 空穴C. 电荷D. 电流3. 关于P型、N型半导体内参与导电的粒子,下列说法正确的是()。
A. 无论是P型还是N型半导体,参与导电的都是自由电子和空穴B. P型半导体中只有空穴导电C. N型半导体中只有自由电子参与导电D. 在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电4. 半导体的导电能力随温度升高而(),金属导体的电阻随温度升高而()。
二极管整流电路分析习题解答
任务2.1 二极管整流电路分析习题解答一、测试(一)判断题1、半导体二极管按其结构的不同,可分为点接触型、面接触型和反向型3种。
答案:F解题:半导体二极管按其结构的不同,可分为点接触型、面接触型和平面型3种。
2、点触型二极管其接触面积小,结电容小,所以流过的电流小,但允许的最高频率低。
一般在低频检波和小功率整流中使用。
答案:F解题:点触型二极管其接触面积小,结电容小,所以流过的电流小,但允许的最高频率高。
一般在高频检波和小功率整流中使用。
3、面接触型: 接触面积大,结电容大,所以流过的电流大,但允许的最高频率低。
一般用于整流管中。
答案:T解题:面接触型: 接触面积大,结电容大,所以流过的电流大,但允许的最高频率低。
一般用于整流管中。
4、二极管正、反向电阻的测量值相差越大越好,一般二极管的正向电阻测量值为几百欧,反向电阻为几十千欧到几百千欧。
答案:T解题:二极管正、反向电阻的测量值相差越大越好,一般二极管的正向电阻测量值为几百欧,反向电阻为几十千欧到几百千欧。
5、二极管是电子电路中最常用的半导体器件之一。
利用其单向导电性及导通时正向压降很小的特点,可应用于整流、检波、钳位、限幅、开关以及元件保护等各种电路。
答案:T解题:二极管是电子电路中最常用的半导体器件之一。
利用其单向导电性及导通时正向压降很小的特点,可应用于整流、检波、钳位、限幅、开关以及元件保护等各种电路。
6、二极管的基本结构就是一个PN结,因此二极管具有和PN结安全相同的特性。
答案:F解题:二极管的基本结构就是一个PN结,因此二极管具有和PN结相同的特性。
但是,由于管子存在电中性区的体电阻和引线电阻等,在外加正向电压相同的情况下,二极管的正向电流要小于PN结的电流,大电流时更为明显。
7、当二极管的正向电压U F开始增加时(即正向特性的起始部分),此时U F较小,正向电流仍几乎为零,该区域称之为死区,硅管的死区电压约为0.5V,锗管约为0.1V。
二极管试题
永州综合职业中专学校电子技术基础半导体二极管及整流滤波电路试题班级:______、姓名______、得分________。
一、填空题1、纯净的半导体称为,它的导电能力很。
在纯净的半导体中掺入少量的价元素,可形成P 型半导体,其中多数载流子为,少数载流子为。
2、在本征半导体中掺入价元素,可形成N 型半导体,其中多数载流子为,少数载流子为。
3、如图,这是材料的二极管的____曲线,在正向电压超过 V后,正常导通后,此管的正向压降约为 V 。
当反向电压增大到 V 时,即称为电压时,反向电流会急剧增大,该现象为。
其中稳压管一般工作在区。
4、二极管的主要特性是,具体指:给二极管加电压,二极管导通;给二极管加电压,二极管截止。
5、PN 结的单向导电性指。
6、二极管的主要参数有 ________、_________和。
7、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时,若两次测得的阻值都较小,则表明二极管内部;若两次测得的阻值都较大,则表明二极管内部。
两次测的阻值相差越大,则说明二极管的性能越好。
8、整流是指_______________________________________。
9、有一直流负载R L =9Ω,需要直流电压V L =45V,现有2CP21(I FM =3000mA,V RM =100V)和2CP33B(I FM =500mA, V RM =50V) 两种型号的二极管,若采用桥式整流电路,应选用型二极管只。
10、滤波器的作用是将整流电路输出的中的成分滤去,获得比较的直流电,通常接在电路的后面。
它一般分为、和三类。
二、判断题1、( )将P 型半导体和N 型半导体的接触并连在一起,就会形成PN 结。
2、()P 型半导体可通过纯净半导体中掺入五价磷元素获得。
3、()P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。
4、()硅二极管死区电压是0.3V ,正向压降是0.7V 。
5、()硅的导通电压为0.3V ,锗的导通电压为0.7V 。
电工技术试题及答案整流滤波电路
第一章整流滤波电路一、填空题1、(1-1,低)把P型半导体N型半导体结合在一起,就形成PN结。
2、(1-1,低)半导体二极管具有单向导电性,外加正偏电压导通,外加反偏电压截至。
3、(1-1,低)利用二极管的单向导电性,可将交流电变成直流电。
4、(1-1,低)根据二极管的单向导电性性,可使用万用表的R×1K挡测出其正负极,一般其正反向的电阻阻值相差越大越好。
5、(1-1,低)锗二极管工作在导通区时正向压降大约是,死区电压是。
6、(1-1,低)硅二极管的工作电压为,锗二极管的工作电压为。
7、(1-1,中)整流二极管的正向电阻越小,反向电阻越大,表明二极管的单向导电性能越好。
8、(1-1,低)杂质半导体分型半导体和型半导体两大类。
9、(1-1,低)半导体二极管的主要参数有、,此外还有、、等参数,选用二极管的时候也应注意。
10、(1-1,中)当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时,反向电流会突然增大,此现象称为现象雪崩。
11、(1-1,中)发光二极管是把能转变为能,它工作于状态;光电二极管是把能转变为能,它工作于状态。
12、(1-2,中)整流是把转变为。
滤波是将转变为。
电容滤波器适用于的场合,电感滤波器适用于的场合。
13、(1-1,中)设整流电路输入交流电压有效值为U2,则单相半波整流滤波电路的输出直流电压U L(AV)= ,单相桥式整流电容滤波器的输出直流电压U L(AV)= ,单相桥式整流电感滤波器的输出直流电压U L(AV)= 。
14、(1-1,中)除了用于作普通整流的二极管以外,请再列举出2种用于其他功能的二极管:,。
15、(1-1,低)常用的整流电路有和。
16、(1-2,中)为消除整流后直流电中的脉动成分,常将其通过滤波电路,常见的滤波电路有,,复合滤波电路。
17、(1-2,难)电容滤波器的输出电压的脉动τ与有关,τ愈大,输出电压脉动愈,输出直流电压也就愈。
18、(1-2,中)桥式整流电容滤波电路和半波整流电容滤波电路相比,由于电容充放电过程(a.延长,b.缩短),因此输出电压更为(a.平滑,b.多毛刺),输出的直流电压幅度也更(a.高,b.低)。
二极管和二极和二极整流电路练习题
晶体二极管和二极管整流电路一(二极管的单向导电性)一、填空题:1、晶体二极管加时导通,加电压时截止,这一导电特性称为晶体二极管的单向导电性。
二、判断题:1、二极管加上反向电压时,它的正极电位比负极电位高。
()2、由于二极管具有单向导电性,所以二极管要正向接入电路才能发挥作用。
()3、二极管两端加上正向电压就导通。
()4、二极管导通时两端所加的是正向偏置电压。
()三、选择题:1、晶体二极管的阳极电位是-10V,阴极电位是-5V,则该晶体二极管处于()状态。
A零偏B反偏D正偏2、如果把二极管的阳极接到6V的电源正极,把阴极接到电源的负极,二极管会()。
A正偏B反偏C不允许这样接3、晶体二极管正偏时相当于()A断开的开关B闭合的开关C以上都不对4、二极管具有()A信号放大作用B单向导电性C双向导电性D负阻特性二(PN结)一、填空题:1、半导体是指导电性能的物体。
2、在半导体中存在两种载流子:一种是,带电;一种是,带电。
3、称为本征半导体。
4、P型半导体又称半导体,其内部空穴数量(填“多于”或“少于”)自由电子数量,是多数载流子。
5、P型半导体又称半导体,其内部空穴数量(填“多于”或“少于”)自由电子数量,是多数载流子。
6、在本征半导体中加入微量的硼元素可得到型半导体,在本征半导体中加入微量的磷元素可得到型半导体。
7、在硅或锗单晶基片上加工出P型区和N型区,二极管的正极从区引出,负极从区引出。
在P型区和N型区的结合部是一个特殊的薄层,称为。
8、二极管之所以具有单向导电性,是因为其内部有一个具有单向导电性的。
二、判断题:1、空穴是半导体中特有的一种带正电的电荷。
()2、N型半导体中导电的是自由电子。
()3、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。
()4、在半导体内部,只有空穴是载流子。
()5、在P型半导体中多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。
()6、半导体中导电的是多数载流子。
()7、把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起就能形成PN结。
第一章__整流滤波电路(附答案)[1]
第一章整流滤波电路一、填空题1、(1-1,低)把P型半导体N型半导体结合在一起,就形成。
2、(1-1,低)半导体二极管具有单向导电性,外加正偏电压,外加反偏电压。
3、(1-1,低)利用二极管的,可将交流电变成。
4、(1-1,低)根据二极管的性,可使用万用表的R×1K挡测出其正负极,一般其正反向的电阻阻值相差越越好。
5、(1-1,低)锗二极管工作在导通区时正向压降大约是,死区电压是。
6、(1-1,低)硅二极管的工作电压为,锗二极管的工作电压为。
7、(1-1,中)整流二极管的正向电阻越,反向电阻越,表明二极管的单向导电性能越好。
8、(1-1,低)杂质半导体分型半导体和型半导体两大类。
9、(1-1,低)半导体二极管的主要参数有、,此外还有、、等参数,选用二极管的时候也应注意。
10、(1-1,中)当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时,反向电流会突然增大,此现象称为现象。
11、(1-1,中)发光二极管是把能转变为能,它工作于状态;光电二极管是把能转变为能,它工作于状态。
12、(1-2,中)整流是把转变为。
滤波是将转变为。
电容滤波器适用于的场合,电感滤波器适用于的场合。
13、(1-1,中)设整流电路输入交流电压有效值为U2,则单相半波整流滤波电路的输出直流电压U L(A V)= ,单相桥式整流电容滤波器的输出直流电压U L(A V)= ,单相桥式整流电感滤波器的输出直流电压U L(A V)= 。
14、(1-1,中)除了用于作普通整流的二极管以外,请再列举出2种用于其他功能的二极管:,。
15、(1-1,低)常用的整流电路有和。
16、(1-2,中)为消除整流后直流电中的脉动成分,常将其通过滤波电路,常见的滤波电路有,,复合滤波电路。
17、(1-2,难)电容滤波器的输出电压的脉动τ与有关,τ愈大,输出电压脉动愈,输出直流电压也就愈。
18、(1-2,中)桥式整流电容滤波电路和半波整流电容滤波电路相比,由于电容充放电过程(a.延长,b.缩短),因此输出电压更为(a.平滑,b.多毛刺),输出的直流电压幅度也更(a.高,b.低)。
二极管及整流电路试题及答案
二极管及整流电路试题及答案一、单选题1.二极管两端加正向电压时,A、立即导通B、超过死区电压就导通C、超过0.2V就导通D、超过击穿电压就导通【正确答案】:B2.当二极管工作在正向特性区,且所受正向电压大于其死区电压时,则二极管相当于A、大电阻B、大电容C、断开的开关D、接通的开关【正确答案】:D3.以下关于单相半波整流电路的各种叙述中,正确的是A、流过整流管的电流小于负载电流B、流过整流管的电流与负载电流相等C、整流管的端电压为零D、整流管承受的最大反向电压等于负载电压平均值【正确答案】:B4.普通二极管导通时,则二极管两端所加的电压是A、正向偏置B、反向偏置C、无偏置D、零偏置【正确答案】:A5.半导体中的空穴和自由电子数目相等,这样的半导体称为A、杂质半导体B、本征半导体C、P型半导体D、N型半导体【正确答案】:B6.二极管正极电位为9V,负极电位为5V,则该管处于A、零偏B、反偏C、正偏D、击穿【正确答案】:C7.下图所示电路中,输入电压"-:',;八」V,二kQ。
则当开关SI、S2均断开时,输出电压的平均值’为A、45VB、90vC、100vD、120v【正确答案】:A8.下列关于电感滤波电路的叙述中,正确的是A、电路的滤波,利用了电感器的B、电感器端电压为电路输入脉动直流电中的直流分量;C、电路的输出电压平均值得到提升;D、电感量L越大,滤波效果便越好。
【正确答案】:D9.面接触型二极管比较适用于A、小信号检波B、小功率整流C、大电流开关D、大功率整流【正确答案】:D10.半导体中导电的载流子是A、电子B、空穴C、离子D、电子和空穴【正确答案】:D11.锗二极管的导通电压是A、0.1V左右B、0.3V左右C、0.5V左右D、0.7V左右【正确答案】:B12.电路如图,VD为理想二极管,则二极管的状态是A、导通B、截止C、击穿D、烧坏【正确答案】:A13.下图所示电路中,输入电压「「’•…':l V,匚-kQ。
电子线路单元测试题二极管部分
电子线路单元测试题(二极管部分)根据湖北技能高考考纲命题 2017年秋一是非题:(每题2分,共40分)1.半导体的导电能力随温度、掺入杂质或受光照等因素变化而发生变化。
()2.以自由电子为主要导电方式的半导体称为P型半导体。
()3.当温度升高时,半导体的导电能力将增强。
()4. PN结反向偏置时,电阻大,电流小,处于截止状态。
()5.桥式整流电路中,流过二极管的平均电流等于负载电流。
()6.二极管加反向电压时,处于截止状态,此时没有电流流过二极管。
()7.在本征半导体中,空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。
()8. 以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。
()9.普通硅稳压二极管起稳压作用时,是工作在反向偏置状态。
()10.桥式整流电路中,变压器次级电压有效值为150V,则输出电压平均值为135V。
()11.晶体二极管的反向电压上升到一定值时,反向电流剧增,二极管被击穿,就不能再使用了。
()12.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。
()13.在常温下,硅二极管的死区电压约为0.1-0.2V,正向导通电压为0.3V。
()14.单向桥式整流电路在输入交流电压时每半周内只有两只二极管导通。
()15.P、N型半导体都不带电。
()16.晶体二极管的反向电压上升到一定值时,反向电流剧增,说明二极管被击穿。
()17.发光二极管点亮后它的正向压降一般大于0.7V. ()18.单相半波整流电路中,流过二极管的平均电流就是流过负载电流。
()19.二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型,点接触型二极管适用于高频、小电流的场合,面接触型二极管适用于低频、大电流的场合。
()20.二极管的电压和电流变化不呈线性关系,其内阻不是常数,所以二极管属于非线性器件。
()二单选题:(每题3分,共60分)1.以下属于半导体的是()。
A. 锗B.塑料C.铜D.云母2.P型半导体中的多数载流子是()。
A.负电荷B.自由电子C.正电荷D.空穴.3.将PN结P区接电源负极,N区接电源正极,此时PN结处于()偏置。
二极管整流电路试题 月考
2012级12月电子月考试题一、填空1、在本征半导体中掺入价元素,可形成N型半导体,其中多数载流子为,少数载流子为,它的导电能力比本征半导体。
2、如图,这是材料的二极管的____曲线,在正向电压超过 V后,二极管开始导通,这个电压称为电压。
正常导通后,此管的正向压降约为 V。
当反向电压增大到 V时,即称为电压时,反向电流会急剧增大,该现象为。
若反向电压继续增大,容易发生现象。
其中稳压管一般工作在区。
3、用万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时,若两次测得的阻值都较小,则表明二极管内部;若两次测得的阻值都较大,则表明二极管内部。
两次测的阻值相差越大,则说明二极管的越好。
4、整流是指_______________________________________,将交流电转换成较稳定的直流电,一般要经过以下过程: ___________ →____________ →____________ →____________5、有一直流负载R L=9Ω,需要直流电压V L=45V, 现有2CP21 (I FM=3000mA,V RM=100V)和2CP33B (I FM=500mA, V RM=50V) 两种型号的二极管若干,若采用桥式整流电路,应该选用型的二极管只。
6、滤波器的作用是将整流电路输出的中的成分滤去,获得比较的直流电,通常接在电路的后面。
它一般分为、和两类,其中的滤波效果较好。
7、图中,V为硅二极管。
1)S与A接通时,V的状态,V MN= V与B接通时,的状态,V MN= V二、判断题1、( )将P型半导体和N型半导体简单的接触并连在一起,就会形成PN结。
2、()P型半导体可通过纯净半导体中掺入五价磷元素获得。
3、()P型半导体带正电,N型半导体带负电。
4、()硅二极管死区电压是0.3V,正向压降是0.6V。
5、()硅的导通电压为0.3V,锗的导通电压为0.7V 。
6、()二极管在使用中必须防止进入电击穿区而烧坏二极管。
(完整版)二极管习题
二极管电路习题一、选择题1、在题 1.1 图所示电路中,U A0 电压为( ) (a )12V (b )-9V (c )-3V2 在题 1.2 图所示电路中,所有二极管均为理想元件,则 D1、D2、D3 的工作状 态为( ) 。
(a )D1 导通,D2、D3 截止 (b )D1、D2 截止,D3 导通 (c )D1、D3 截止,D2 导通3 在题 1.3 图所示电路中,所有二极管均为理想元件,则 D1、D2 的工作状态为 ( ) 。
(a )D1 导通,D2、截止 (b )D1、D2 均导通 (c )D1、截止,D2 导通4 在题 1.4 图所示电路中,D1、D2 为理想元件,则电压 U0 为( ) (a )3V (b )5V (c )2V5 电路如题 1.5 图(a )所示,二极管 D 为理想元件,输入信号 ui 为图(b )所 示的三角波,则输出电压 u0 的最大值为( ) 。
(a )5V (b )17V (c )7V6 在题 1.6 图所示电路中,二极管为理想元件,uA=3v,uB=2sinωtV ,R=4KΩ,则 uF 等于( ). (a )3V (b )2sinωtV (c )3+2sinωtV7 在题 1.7 图所示电路中,二极管为理想元件,则输出电压 U0 为( ) (a )3V (b )0V (c )-12V8 在题 1.8 图(1)所示电路中,二极管 D 为理想元件,设 u1=2sinωtV,稳压二 极管 DZ 的稳定电压为 6V ,正向压降不计,则输出电压 u0 的波形为图(2)中的 波形( )12V9V(c) RV O题1.1图9 在题1.9 图所示电路中,稳压二极管DZ2 的稳定电压为6V,DZ2 的稳定电压为12V,则输出电压U0 等于()。
(a)12V (b)6V (c)18V10 在题1.10 图所示电路中,稳压二极管DZ1 和DZ2 的稳定电压分别为6V 和9V,正向电压降都是0.7V。
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一、晶体二极管和二极管整流电路
一、填空
1、纯净的半导体称为本征半导体,它的导电能力很。
在纯净的半导体中掺入少量的 3 价元素,可形成P型半导体,又称型半导体,其中多数载流子为,少数载流子为。
2、在本征半导体中掺入价元素,可形成N型半导体,其中多数载流子为,少数载流子为,它的导电能力比本征半导体。
3、如图,这是材料的二极管的____
曲线,在正向电压超过 V
后,二极管开始导通,这个电压称为
电压。
正常导通后,此管的正向压降约
为 V。
当反向电压增大到 V时,
即称为电压时,反向电流会急剧
增大,该现象为。
若反向电压
继续增大,容易发生现象。
其中
稳压管一般工作在区。
4、二极管的伏安特性指和关系,当正向电压超过_____后,二极管导通。
正常导通后,二极管的正向压降很小,硅管约为 V,锗管约为 V。
5、二极管的重要特性是,具体指:给二极管加电压,二极管导通;给二极管加电压,二极管截止。
6、PN结的单向导电性指,当反向电压增大到时,反向电流会急剧增大,这种现象称。
7、二极管的主要参数有 ________、_________和,二极管的主要特性是。
8、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时,若两次测得的阻值都较小,则表明二极管内部;若两次测得的阻值都较大,则表明二极管内部。
两次测的阻值相差越大,则说明二极管的性能越好。
9、整流是指_______________________________________,单相整流电路分、和电路。
将交流电转换成较稳定的直流电,一般要经过以下过程:
___________ →____________ →____________ →____________
10、有一直流负载R
L =9Ω,需要直流电压V
L
=45V,现有
2CP21(I
FM =3000mA,V
RM
=100V)和2CP33B(I
FM
=500mA, V
RM
=50V) 两种型号的二极
管,若采用桥式整流电路,应选用型二极管只。
11、稳压二极管的稳压特性指,动态电阻r
Z 越大,
说明稳压性能越。
12、滤波器的作用是将整流电路输出的中的成分滤去,获得比较的直流电,通常接在电路的后面。
它一般分为、和三类,其中的滤波效果较好。
13、有一锗二极管正反向电阻均接近于零,表明该二极管已_______ ,又有一硅二极管正反向电阻均接近于无穷大,表明该二极管已_______ 。
14、如图,V
1、V
2
为理想二极管。
1
状态,V
2
状态。
AB
= V
15、如图,V为理想二极管。
状态,
V
AB
= V
16、图中,V
为硅二极管。
与A接通时,
V的状态,V
MN
= V
2)S与B接通时,
的状态,V
MN
= V
17、如图,V
1
、V
2
为硅稳压二极管,若V
i
足够大,则输出电压
O
= V
二、判断题
1、( )将P型半导体和N型半导体简单的接触并连在一起,就会形成PN 结。
6V
V I o
+
-
2、()P型半导体可通过纯净半导体中掺入五价磷元素获得。
3、()P型半导体带正电,N型半导体带负电。
4、()硅二极管门坎电压是0.3V,正向压降是0.6V。
5、()硅的导通电压为0.3V,锗的导通电压为0.7V 。
6、()二极管在使用中必须防止进入电击穿区而烧坏二极管。
7、()二极管只要加上了正向电压,就一定能导通。
8、()二极管正向使用时不能稳压。
9、()变压器中心抽头式全波整流电路,二极管承受的反向峰值电压为2V2。
10、()电感滤波器一般常用于负载电流较小的场合。
11、()电容滤波器实质上是在整流电路负载电阻旁串联一个电容器,常选用于负载电流较小的场合。
12、()稳压二极管一般工作在反向击穿区。
13、()稳压管的动态电阻越小,稳压性能越好。
14、()稳压二极管正向使用时,和普通二极管的特性相同。
15、()单相桥式整流电路属于单相全波整流电路。
16、()选择整流二极管主要考虑两个参数:反向击穿电压和正向平均电流。
17、()单相桥式整流电路在输入交流电压的每个半周内都有两只二极管导通。
18、()单相桥式整流电路输出的直流电压平均值是半波整流电路输出的直流电压平均值的2倍。
19、()直流稳压电源只能在电网电压变化时使输出电压基本不变,而当负载电流变化时不能起稳压作用。
三、单项选择题
1、()关于晶体二极管的正确叙述是:
A 普通二极管反向击穿后,很大的反向电流使PN结温度迅速升高而烧坏。
B 普通二极管发生热击穿,不发生电击穿。
C 硅稳压二极管只发生电击穿,不发生热击穿,所以要串接电阻降压。
D 以上说法都不对。
2、()关于滤波器,正确叙述是:
A 电容滤波器电路的电容量越大,负载越重,输出直流越平滑。
B 电容量越小,负载越重,输出电压越接近脉动电压峰值。
C电感滤波器是利用电感具有反抗电流变化的作用,使负载电流的脉动程度减小,从而使输出电压平滑。
D 电感量越大,产生的自感电动势越大,滤波效果越差。
3、( )如图,电源接通后,正确说法为 A H 1、H 2、H 可能亮。
B H 1、H 2、H 都不亮。
C H 1可能亮,H 2、H 不亮。
D H 1不亮,H 2、H 可能亮。
4、( )如图,V 为理想二极管
A V 导通,V A
B =0V 。
B V 导通,V AB =15V 。
C V 截止,V AB =12V 。
D V 截止,V AB =3V 。
5、( )如图,V 为理想二极管
A V 截止,V A
B =12V 。
B V 导通,V AB =6V 。
C V 导通,V AB =18V 。
D V 截止,V AB =0V 。
6、( )二极管两端加上正向电压时
A 一定导通
B 超过死区电压才能导通 B 超过0.7伏才能导通 D 超过0.3伏才能导通 7、( )在测量二极管反向电阻时,若用两手把管脚捏紧,电阻值将会:
A 变大
B 变小
C 不变化
D 不能确定
四、分析判断题
1、硅稳压二极管,稳定电压如图所示,当V I 足够大时,计算各V O 值。
V O =________________ V O =_______________
3K
12V
V
A
B
15V
3K
V 12V
A B 6V
V o 8V 7.5V V I + +
-- V o 8V 7.5V V I ++ - -
V O =________________ V
O
=_______________
2、如图,V
1、V
2
为理想二极管。
V AB = S合上时,V
P
=
S断开时,V
P
= 五、计算分析题
1、变压器中心抽头式全波整流电路中,已知V
L =54V,I
L
=2A。
求:
1)电源变压器次级半个绕组电压V
2
;
2)整流二极管承受的最大反向电压V
RM
;
3)流过二极管的平均电流I
V。
2、在桥式整流电路中,已知V
L =9V,I
L
=1A。
求:
1)电源变压器次级电压V
2
;
2)整流二极管承受的最大反向电压V
RM
;
3)流过二极管的平均电流I
V 。
3V
R
V1
12V
B
V o
8V
7.5V
V I
++ --
V o
8V
7.5V I
++ --
R V2
P
3、桥式整流电路中,若:
内部短路,会出现什么现象?
1)V
1
虚焊,会出现什么现象?
2)V
1
方向接反,会出现什么现象?
3)V
1
4)若四只二极管的极性全部接反,对输出有何影响?
4、画出带有滤波及稳压电路的桥式整流电路,并说明:
↑时,电路的稳压过程。
1)负载变化,使V
O
↓时,电路的稳压2)当电网电压变化,引起图中整流、滤波后的电压V
I
过程。
5、在桥式整流电路中,若要求输出电压为18V,负载电流为2A,试求:
;
1)电源变压器次级电压V
2
;
2)整流二极管承受的最大反向电压V
RM
3)流过二极管的平均电流I。
V
管内部短路,整流电路会出现什么现象?
4)若V
1。