第五章-多级放大电路
多级放大电路
多级放大电路一、实验目的:1、研究多级放大电路的静态、动态参数;2、进一步掌握放大器的静态工作点设置、A V 、R i 、R 0的测量方法。
二、实验器材: 1、信号发生器 2、电子管毫伏表 3、双踪示波器 4、数字万用表5、其它所需实验器件三、实验原理: 电路如图示上述电路为两级放大电路,其中第一级为共射电路,第二级为共集电路。
由已学知识知:1、共射电路的放大倍数为:A v1 =-βR L ’ / r be共集电路的放大倍数为:A v2≈1多级放大电路的放大倍数为:A v = A v1·A v22、共射电路的输入电阻R i =R b //r be 不太大 共集电路的输入电阻R i =R b //[r be +(1+β)R L ’] 较大3、共射电路的输出电阻R o =R c 较大 共集电路的输出电阻R o ≈(r be +R S ’)/(1+β) 较小4、共集电路在多级放大电路中多作为输入、输出级或中间缓冲级,它作为中间缓冲级时,可间接地提高前级共射电路的放大倍数。
四、实验步骤: 电路参数如下: V CC =12V ,第一级:R S =1.5K ,R b1=51K+1M (可调),R b2=20K ,R C1=5.1K ,R e1=1.2K , C 1=C 2=10μF ,C 3=47μF ,第二级:R b1=47K+680K (可调),R b2=20K ,R e2=1.5K ,R L =500Ω,C 4=10μF 1、设置静态工作点:a 、按图连接电路,电容在电路中是隔直通交,所以,静态工作点各不相关,各自调整;υ01=υi2 C 2C 34R Sb、静态工作点设置:调第一级的R b1使V C1为6V左右;调第二级R b1使V e2为6V左右;2、观察单级放大电路a、断开第二级共集电路,将R L=500Ω直接接入C2与地之间;b、输入端加入v s为5KHz,5mV的电压,用示波器观察输入、输出波形;c、按表格要求用晶体管毫伏表测v s、v i、v o等电压值,将测得数据录入表中;d、根据放大倍数、输入/输出电阻的测量表达式计算,并将结果填入表中;3、观察多级放大电路a、接入第二级共集电路,并将R L=500Ω接至第二级输出C4与地之间;b、再用示波器观察输入、输出波形,看此时的输出波形时否增大;c、用晶体管毫伏表测相应电压,将测得数据录入表中;d、根据放大倍数、输入/输出电阻的测量表达式计算,并将结果填入表中;e、比较两种情况的放大倍数、输入/输出电阻。
第五章 功率放大电路
V C( C V
CC U CE (sat)) RL
2.2W
m
π 4
V CC
U CE(sat) V CC
65%
5.2.2 OTL电路
1 、 OCL 电 路 线 路 简 单 、 效率高,但要采用双电源供电, 给使用和维修带来不便。
2、采用单电源供电的互 补对称电路,称为无输出变压 器(Output transformerless)的 功放电路,简称OTL电路,如 图5.2.5所示。其特点是在输出 端负载支路中串接了一个大容 量电容C2。
第五章 功率放大电路
5.1 功率放大电路概述 5.2 乙类互补对称功率放大电路 5.3 集成功率放大器 *5.4 功率管的安全使用
教学目标
1、了解功放电路特点、分类、对功放电路要求。熟悉低频
功放电路主要技术指标。
2、熟悉OCL、OTL电路组成、工作原理、性能参数估算方
法。
3、掌握交越失真产生原因、消除交越失真方法。 4、掌握复合管组成原则。
教学目标
5、熟悉常用集成功率放大器(LA4102、LM386、TDA2030
等)引脚功能,了解其主要技术指标。熟悉集成功放应用电 路组成、外接元器件作用,会估算闭环增益。
6、选学BTL电路原理及其由集成功放构成的应用电路。
7、选学功放管二次击穿和热致击穿现象及其保护措施,功
放管等功率器件散热计算及散热片的选择。
2、功放管的最大耐压U(BR)CEO 当一只管子饱和导通时,另一只管子承受的最大反向电
压为2VCC。故
U (BR)CEO 2VCC
3、功放管的最大集电极电流
I
CM
VCC RL
4、选择示例
第五章 放大电路的频率响应-new
1 ZC = jωC
C1
& Ib I& c
& Ib
V&O
前面分析, 前面分析 隔直电容 处理为:直流开路 交流短路 处理为 直流开路,交流短路 直流开路
f 1Hz 10Hz 100Hz 1kHz 10kHz
60 40
带宽 20 0 2
2. 频率响应的分析任务
20 fL
2× 102
2× 103
2× 104 fH
f/Hz
(1)频率响应表达式 AV = AV (ω )∠ϕ (ω ) )频率响应表达式: & 下限频率f (2)带宽 )带宽BW、上限频率 f H、下限频率 L 、
继续
3. AV随 f 变化的原因
继续
(1)高通电路:频率响应 )高通电路:
fL
& Uo jωRC & = Au = & U i 1 + jωRC
1 & = j f fL 令f L = ,则Au 2 πRC 1 + j f fL
f>>fL时放大 倍数约为1 倍数约为
f fL & Au = 1 + ( f f L )2 ϕ = 90° − arctan( f f L )
由于放大电路中耦合电容、旁路电容、 由于放大电路中耦合电容、旁路电容、半导体器 耦合电容 极间电容的存在 使放大倍数为频率的函数。 的存在, 件极间电容的存在,使放大倍数为频率的函数。
继续
5.1 频率响应概述
频率响应——放大器的电压放大倍数 放大器的电压放大倍数 频率响应 与频率的关系
第五章 放大电路的频率响应
1 fH 2 RC
1 fL 2 RC
当信号频率等于上(下)限频率时,放大电路的 增益下降3dB,且产生±45°相移
近似分析时,可用折线化的波特图表示电路的频 率特性
一个电容对应的渐进线斜率为20dB/十倍频
简单 RC 电路的频率特性
Ui
•
R C
Uo
•
Ui
•
C R
Uo
•
RC 低通电路
RC 高通电路
Au
• |Au |
1 0.707
1 f 1 j fH
1 0.707
Au
1 fL 1 j f
|Au |
fL
f
•
O
fH f
f
O
O –45° –90°
90° 45° O
f
研究频率响应的方法 (1) 三个频段的划分 1) 中频区(段) 特点:Aus与f无关
与f无关
5.4 单管放大电路的频率响应
本节以单管共射电路为例,介绍频率响应的一般 分析方法。
5.4.1 单管共射放大电路的频率响应
1、画出全频段的微变等效电路
+VCC RB C1 + . Ui VT RL . Uo RC C2 + + . Ui _ RB rb′e
C1
rbb′ . gmUb'e Cπ′
C2 + RC . RL U o _
R
fL
L 1 1 下限截止频率 2 2 2 RC
Au பைடு நூலகம்
1
L 1 j
1 fL 1 jf
f j fL f 1 j fL
1、RC高通电路的频率响应
多级放大电路和差分放大电路
小结: 小结:
1、多级放大器的耦合方式和指标计算 2、差分放大电路的性能分析
作业:见参考书2,P104 17
U O1 U O2 U O3 Au = ⋅ ⋅ = Au1 ⋅ Au2 ⋅ Au3 U i U i2 U i3
加以推广到n级放大器
Au = Au1 ⋅ Au2 ⋅ Au3 ⋅ ⋅ ⋅ ⋅ ⋅ ⋅ Aun
图6 三级阻容耦合放大电路
+ UCC Rb C1 + + Ui - Rb ri
11 2
+ UCC Rb C2 Rc
22 2
Rc
12
1
C2 + V Uo
1
C3 + Uo ri
+
V
3
2
Rb
Re
1
+ Ce
21
Re
2
1+ Ce2Fra bibliotek(a)
(b)
图7 考虑前后级相互影响
(2) 输入电阻和输出电阻 一般说来, 多级放大电路的输入电阻就是输入级的 输入电阻, 而输出电阻就是输出级的输出电阻。由于多 级放大电路的放大倍数为各级放大倍数的乘积, 所以, 在 设计多级放大电路的输入级和输出级时, 主要考虑输入 电阻和输出电阻的要求, 而放大倍数的要求由中间级完 成。 具体计算输入电阻和输出电阻时, 可直接利用已有 的公式。但要注意, 有的电路形式, 要考虑后级对输入级 电阻的影响和前一级对输出电阻的影响。
第一级:
I BQ
U CC − U BE 14.3 = = ≈ 0.012mA Rb1 + (1 + β ) Re1 150 + 1020
I CQ = βI BQ = 50 × 0.012 = 0.61mA U CEQ ≈ U CC − I CQ Re1 = 15 − 0.61 × 20 = 2.8V
第5章_共基电路与共集电路多级放大-郭
只有电压放大作用,没有电流放大,有电流跟随作用,输入电阻小,输 出电阻与集电极电阻有关。高频特性较好,常用于高频或宽频带低输入阻抗 的场合,模拟集成电路中亦兼有电位移动的功能。
24
(1)直接耦合
直接 连接
既是第一级的集电极电阻, 又是第二级的基极电阻
能够放大变化缓慢的信 号,便于集成化, Q点相互 影响,存在零点漂移现象。
第一级 Q1合适吗?
第二级
输入为零,输出 产生变化的现象 称为零点漂移
当输入信号为零时,前级由温度变化所引起的电流、电 位的变化会逐级放大。
求解Q点时应按各回路列多元一次方程,然后解方程组。
ii iRe ie iRe (1 β )ib iRe vi / Re ib vi / rbe
Ri vi / ii vi
Re
||
rbe 1 β
vi Re
(1
β)
vi rbe
小信号等效电路
③ 输出电阻 vs短接,可以推得vbe=0,即ib=0,则ib=0。 所以: Ro Rc
VCC
ICQ
IEQ
VEQ Re
VBQ
VBEQ Re
VCEQ VCC ICQRc IEQ Re
VCC ICQ(Rc Re )
IBQ
ICQ β
2020/3/3
SCHOOL OF PHYSICS AND TECHNOLOGY N. N. U.
12
2.动态指标
第五章 放大电路频率响应
ωH 2π
1 2 ππ o C o
fH为RoC’o低通电路的上限频率。 那么
Au
1 j 1 ( f
f fH )
2
1 1 j ω ωH
1 1 j f fH
(2)频率特性
fH
①幅频特性分析
Au
1 1 ( f fH )
2
当f<<fH时(即中频及以下): A u 1; 当f=fH时:
R rbe //rbb ( Rs // Rb )
Ausm Uo rbe Ri gm Rc Rs Ri rbe Us
二、单管共源放大电路及其等效电路
单管共源放大电路及其等效电路
在中频段 C 开路,C短路,中频电压放大倍数为
gs
A um
Uo
gm U
gs
( R d // R L )
gs
g m RL
Ui
U
在高频段,C短路,考虑 C gs 的影响,Rg和 C 组成 低通电路,上限频率为:
其近似波特图自行画出。
四、高频段的频率特性
1.高频段交流通路
2.电路的输出电阻Ro与管子的结电容Ccb、Cbe以及输出电 路元件分布电容Co组成低通电路
C o 为Ccb、Cbe以及Co的等效电容。考虑
它们的影响后,uce中不同频率成分在 等效电容上的分压不同。利用相量分压 法讨论分压,进而得频率特性。
和低频段下降的主要原因分别是什么。
本章讨论的问题:
1.为什么要讨论频率响应?如何讨论一个RC网络的频 率响应?如何画出频率响应曲线?
2.晶体管与场效应管的h参数等效模型在高频下还适应吗? 为什么? 3.什么是放大电路的通频带?哪些因素影响通频带?如何 确定放大电路的通频带? 4.如果放大电路的频率响应窄,应该怎么办? 5.对于放大电路,通频带愈宽愈好吗? 6.为什么集成运放的通频带很窄?有办法展宽吗?
电子电工学——模拟电子技术 第五章 场效应管放大电路
场效应管正常工作时漏极电流的上限值。
2. 最大耗散功率PDM
由场效应管允许的温升决定。
3. 最大漏源电压V(BR)DS 当漏极电流ID 急剧上升产生雪崩击穿时的vDS值。
4. 最大栅源电压V(BR)GS
是指栅源间反向电流开始急剧上升时的vGS值。
5.2 MOSFET放大电路
场效应管是电压控制器件,改变栅源电压vGS的大小,就可以控制漏极 电流iD,因此,场效应管和BJT一样能实现信号的控制用场效应管也 可以组成放大电路。
场效应管放大电路也有三种组态,即共源极、共栅极和共漏极电路。
由于场效应管具有输入阻抗高等特点,其电路的某些性能指标优于三极 管放大电路。最后我们可以通过比较来总结如何根据需要来选择BJT还
vGS<0沟道变窄,在vDS作用下,iD 减小。vGS=VP(夹断电压,截止电 压)时,iD=0 。
可以在正或负的栅源电压下工作,
基本无栅流。
2.特性曲线与特性方程
在可变电阻区 iD
Kn
2vGS
VP vDS
v
2 DS
在饱和区iD
I DSS 1
vGS VP
2
I DSS KnVP2称为饱和漏极电流
4. 直流输入电阻RGS
输入电阻很高。一般在107以上。
二、交流参数
1. 低频互导gm 用以描述栅源电压VGS对漏极电流ID的控制作用。
gm
iD vGS
VDS 常数
2. 输出电阻 rds 说明VDS对ID的影响。
rds
vDS iD
VGS 常数
3. 极间电容
极间电容愈小,则管子的高频性能愈好。
三、极限参数
D iD = 0
第5章 功率放大电路
集电极电 流波形
QA
ICQ
=2
uCE
0
2 ωt
(2) 乙类放大电路 静态工作点在截止区,如图5.1.3所示,静态集电极电流 为零,无静态功耗,但输出波形严重失真。 iC 特点 集电极电 流波形 iC2 a. 静态功耗 =π
PC U CEQ I CQ 0
b. 能量转 换效率高
QA
0 uCE
给功率管(T1和T2)一定的直流偏置,使其工作于微 导通状态,即甲乙类工作状态。 U CC (1) 甲乙类互补推挽电路 a. 利用二极管提供偏压 电路如图5-6所示 二极管提供偏 压,使T1、T2 呈微导通状态
2 U CC 4 PT1(U om U CC ) ( ) 0.137Pom RL 4
这是不是最 在理想情况下(即无静态电流,忽略管子饱和压降), 大的管耗呢?
2 1 U CCU om U om 求管耗的极值: PT 2 PT1 ( ) RL 4
令
dPT 1 2VCC U om 0 dU om RL π
uo
T2
RL
静态功耗为零
U CC
图5-2(a)乙类OCL功放电路原理图
b. ui >0 时 T1导通,T2截止
c. ui <0 时
T2导通,T1截止
输入信号ui
0 t
U CC
U CC
ui
0 t
T1
ic1
RL
ui
T2
电流io方向
ic 2
RL
uo
输入信号ui 电流io 方向
uo
uo≈ui
uo≈ui
5.2 乙类互补对称功率放大电路
电子技术基础第五章 放大电路的频率特性
对数幅频特性和相频特性表达式为 20lg| |=20lg| |–20lg
四、波特图
图5.4.5
5.4.2 单管共源放大电路的频率响应
图5.4.7
5.4.3 放大电路频率响应的改善和增益带宽积 为改善低频特性,需加大耦合电容及其回路 路电阻以降低下限频率,直接耦合方式,下限 频率为0。 为改善高频特性,需减小 或 及其回路 电阻,以增大上限频率。
二、超前补偿
图5.6.6
图5.6.7
5.7 频率响应与阶跃响应
5.7.1 阶跃响应的指标 1、上升时间tr: 0.1Um~0.9Um的时间 2、倾斜率δ
3、超调量:上升值 超过终了值的部 分,一般用百分 比来表示。 图5.7.2
5.7.2 频率响应与阶跃响应的关系
图5.7.3 所在回路是低通回路,在阶跃信号作用时, 上的电压 将按指数规律上升,其起始值为 0,终了值为 ,回路时间常数为 ,因而
5.2 晶体管的高频等效模型
5.2.1 晶体管的混合π模型 一、完整的混合π模型
图 5.2.1
二、简化的混合π模型
图 5.2.2
等效变换: 在图(a)电路中,从b’看进去Cμ中流过的电流为
为保证变换的等效性,要求流过 的电流仍 为 ,而它的端电压为 ,因此 的电抗为
在近似计算时, 取中频时的值,所以 | | = 说明 是 的 (1+| |)分之一,因此 | |) 间总电容为 | 用同样的方法可以得出 |)
要减小 ,则要减小 ,这将使电压放大 倍数减小。可见提高 和增大电压放大倍数是 矛盾的。
单管共射放大电路的增益带宽积为 | || |
设 则 |
,则 ;设 。 则 |
;设
,则
,且
模拟电路第05章 放大电路的频率响应图
图5.1.1 高通电路及频率响应
返回
图5.1.2 低频电路及其频率响应
返回
图5.1.3 高通电路与低通电路的波特图
返回
5.2 晶体管的高频等效模型
• 图5.2.1 晶体管结构示意图及混合π模型 • 图5.2.2 混合π模型的简化 • 图5.2.3 的分析 • 图5.2.4 的波特图
返回
C1
RS +
VS -
VCC
大 RB
RC
C2 + RL VO -
b rbb b’cBiblioteka RS+ VS
-
e
rbe gmvbe
RL Vo
e
中频增益:
Am
VO VS
Vbe VS
VO Vbe
rbe
gm Vbe RL
RS rbb rbe
Vbe
RS
rbe rbb
rbe
gm RL
O RL rbe O RL
5、查手册得:rbb、cbc、fT (已知条件);
6、
e
结电容:cbe
gm
2 fT
cbc
Miller 定理
I1
Z
Z in + V1 ~ -
Ii I +
ri AV1 -
I2
单向化
Z in
+
+ I1
V2 -
V1 ~ -
Z1
Ii II +
ri AV1 -
I2
+ Z2 V2
-
加 V1 产生 V2 :
Z1 IIV 1 I
返回
图5.6.1 未加频率补偿的集成运放的频率响应
多级放大电路
第五章多级放大电路第一节多级放大电路在实际工作中,为了放大非常微弱的信号,需要把若干个基本放大电路连接起来,组成多级放大电路,以获得更高的放大倍数和功率输出。
多级放大电路内部各级之间的连接方式称为耦合方式。
常用的耦合方式有三种,即阻容耦合方式、直接耦合方式和变压器耦合方式。
1.多级放大电路的耦合方式1.1阻容耦合通过电容和电阻将信号由一级传输到另一级的方式称为阻容耦合。
图所示电路是典型的两级阻容耦合放大电路。
优点:耦合电容的隔直通交作用,使两级Q相互独立,给设计和调试带来了方便;缺点:放大频率较低的信号将产生较大的衰减,不适合传递变化缓慢的信号,更不能传递直流信号;加之不便于集成化,因而在应用上也就存在一定的局限性。
1.2直接耦合多级放大电路中各级之间直接(或通过电阻)连接的方式,称为直接耦合。
直接耦合放大电路具有结构简单、便于集成化、能够放大变化十分缓慢的信号、信号传输效率高等优点,在集成电路中获得了广泛的应用。
直接耦合放大电路存在的最突出的问题是零点漂移问题。
所谓零点漂移是指把一个直接耦合放大电路的输入端短路时,即输入信号为零时,由于种种原因引起输出电压发生漂移(波动)。
1.3变压器耦合变压器耦合放大电路如图所示。
这种耦合电路的特点是:级间无直流通路,各级Q独立;变压器具有阻抗变换作用,可获最佳负载;变压器造价高、体积大、不能集成,其应用受到限制。
1.4级间耦合的优、缺点及应用比较2.直接耦合放大电路的特殊问题——零点漂移2.1零点漂移所谓零点漂移是指当把一个直接耦合放大电路的输入端短路时,即输入信号为零时,由于种种原因引起输出电压发生漂移(波动)。
产生零点漂移的原因很多。
如晶体管的参数随温度的年华、电源、电压的波动等,其中,温度的影响是最重要的。
在多级放大电路中,又已第一、第二级的漂移影响最为严重。
因此,抑制零点漂移着重点在第一、第二级。
2.2差分式放大电路(观看视频)在直接耦合多级放大电路中抑制零点漂移最有效的电路结构是差动放大电路。
第5章放大电路的频率响应
f L(H)
1 = 2 πτ
4、频率响应有幅频特性和相频特性两条曲线。 、频率响应有幅频特性和相频特性两条曲线。
5.2、ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ大电路的频率参数 5.2、放大电路的频率参数
高通 电路 低通 电路 下限频率
f bw = f H f L
上限频率
在低频段,随着信号频率逐渐降低,耦合电容、 在低频段,随着信号频率逐渐降低,耦合电容、旁路电 容等的容抗增大,使动态信号损失,放大能力下降。 容等的容抗增大,使动态信号损失,放大能力下降。 在高频段,随着信号频率逐渐升高, 在高频段,随着信号频率逐渐升高,晶体管极间电容和 分布电容、寄生电容等杂散电容的容抗减小, 分布电容、寄生电容等杂散电容的容抗减小,使动态信号 损失,放大能力下降。 损失,放大能力下降。
f << fβ 时,& ≈ β0; β
& β βo
β f = fβ 时 β = 0 ≈ 0.707β0 , = -45°; ,& 2 & ≈ fβ β ;f →∞时 β →0, →-90° f >> fβ 时 β , ,& 0 f
电流放大倍数的波特图: 电流放大倍数的波特图: 采用对数坐标系
折线化近似画法
晶体管的高频等效电路
1、混合π模型:形状像Π,参数量纲各不相同 混合π模型:形状像Π
结构:由体电阻、结电阻、结电容组成。 结构:由体电阻、结电阻、结电容组成。 因面积大而 阻值小
因多子浓度 高而阻值小
rbb’:基区体电阻 rb’e’:发射结电阻 Cπ:发射结电容 re:发射区体电阻 rb’c’:集电结电阻 C:集电结电容 rc:集电区体电阻
C连接了输入回路 和输出回路, 和输出回路,引入 了反馈, 了反馈,信号传递 有两个方向, 有两个方向,使电 路的分析复杂化。 路的分析复杂化。
放大电路的频率特性
幅频特性
幅频特性是描绘放大倍数的幅度随频率变化 而变化的规律。即 Au F( f )
相频特性
相频特性是描绘输出信号与输入 信号之间相位差随频率变化而变化 的规律。即 ∠A ∠U o ∠U i ( f )
Au Aum 0.707 Aum
典型的单管共射放大电路的幅频特性和相频特性
fZ 20dB/ 十倍频
f
90o
45o
f
0
0.1 fZ f Z 10 fZ
例1、
Au
10 6 jf 10 4
解、
20lg Au / dB
40
A u
10 6
10 4 (1
j
f 10
4
)
102
1
j
f 104
0
20
0
45o 90o
103 104 105
f / Hz
f / Hz
f fH
20lg Au
0dB
0dB 3dB 20dB 20lg( f fH )
0o 5.710 450 84.290
900
幅频响应:
│Au│
1 1 ( f fH)2
当 f fH 时,
20 lg | Au (| dB)
0.1fH fH 10fH 100fH
线称为波特图,是分析放大电路频率响应的重要手段。
(2)RC 高通电路
电压传输系数的幅频特性和相频特性
Au
U o U i
令
fL
1
2RC
f
j
则
Au
1 1 j
fL
模拟电子技术5
1
(
2
π
C
' π
)
A u A u m ( 1 jffL )(1 1 j j 3 ff3 fL f) L (2 f L 1 1 j f f L 2fL 3)(3 1 jffH )
n个放大管
m
fL 1.1
f
2 Lk
k1
1 1.1
fH
n1 f2
k1 Hk
1.1为修正 系数
结论:1. 放大电路的级数越多,频带越窄; 2. 若 fLk 远高于其它各级,则 fL≈fLk; 3. 若fHk远低于其它各级,则 fH≈fHk;
例5-2:某电路各级均为共射电路,求:fL, fH, Au。
例5-1:
Au
(1j
10jf f )(1j
f
)
10 105
试求解:
(1)Aum=?fL=?fH =?
(2)画出波特图。
100 j f
A u
(1
j
f
10 )( 1 j
f
)
10
10 5
A u m 100
f L 10 Hz
f H 10 5 Hz
5.4.3 放大电路频率响应的改善 和增益带宽积
若R : brbe Ri Rb//rberbe RbRs Rb//Rs Rs C' (1gmRL ' )CC,gmRL ' 1 C' CC' gmRL ' C
| Ausmfbw|2r1bb'C
| Ausmfbw|2r1bb'C
因 rbb’ 和 Cμ由晶体管决定,故管子选定后, 放大电路增益带宽积就大体确定。即:增益 增大多少倍,带宽几乎就变窄多少倍。
基本放大电路_放大电路的基本概念及其性能指标;共发射极放大电路的组成和静态分析
共发射极放大电路
RB RC +C2
C1 + iB + ui
+ uCE − RL
−
+VC
C
+ uo
−
第五章 基本放大电路
共发射极放大电路
放大电路中各点的电压或 电流都是在静态直流上附加了 小的交流信号。
放大电路的基本概念及其性能指标
3.输出电阻
ro的求法 —外施电源法
+
Us
Rs Ii
roro
U+ i
+
U放o 大电路
Io IT
U+ o
+UR TL
在信号源短路,负载开路条件下,在放大电路的输出端
加一测试电压,相应的产生测试电流。
ro
U T IT
U S 0 RL
第五章 基本放大电路
放大电路的基本概念及其性能指标
I Cmax
VCC RC
12 6
2mA
RB
C1 + + ui
−
RC +C2
+VC
C
+
RL uo
−
第五章 基本放大电路
当RB =600k时
IB
VCC U BE RB
VCC RB
12 0.02mA 20A
600
IC IB 50 0.02 1mA ICmax
Q 位于放大区
共发射极放大电路
VCC RB
IC IB
输出回路
UCE VCC RC IC
共发射极放大电路
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第五章多级放大电路第一节多级放大电路在实际工作中,为了放大非常微弱的信号,需要把若干个基本放大电路连接起来,组成多级放大电路,以获得更高的放大倍数和功率输出。
多级放大电路内部各级之间的连接方式称为耦合方式。
常用的耦合方式有三种,即阻容耦合方式、直接耦合方式和变压器耦合方式。
1.多级放大电路的耦合方式1.1阻容耦合通过电容和电阻将信号由一级传输到另一级的方式称为阻容耦合。
图所示电路是典型的两级阻容耦合放大电路。
优点:耦合电容的隔直通交作用,使两级Q相互独立,给设计和调试带来了方便;缺点:放大频率较低的信号将产生较大的衰减,不适合传递变化缓慢的信号,更不能传递直流信号;加之不便于集成化,因而在应用上也就存在一定的局限性。
1.2直接耦合多级放大电路中各级之间直接(或通过电阻)连接的方式,称为直接耦合。
直接耦合放大电路具有结构简单、便于集成化、能够放大变化十分缓慢的信号、信号传输效率高等优点,在集成电路中获得了广泛的应用。
直接耦合放大电路存在的最突出的问题是零点漂移问题。
所谓零点漂移是指把一个直接耦合放大电路的输入端短路时,即输入信号为零时,由于种种原因引起输出电压发生漂移(波动)。
1.3变压器耦合变压器耦合放大电路如图所示。
这种耦合电路的特点是:级间无直流通路,各级Q独立;变压器具有阻抗变换作用,可获最佳负载;变压器造价高、体积大、不能集成,其应用受到限制。
耦合方式优点缺点应用直接耦合·可放大直流及缓慢变化的信号,低频响应好。
·便于集成·各级Q不独立,使设计、计算、调试不便。
·有严重的零点漂移问题。
直流或交流放大,分立或集成电路阻容耦合·各级Q独立·传输交流信号损失小,增益高·体积小,成本低·无法集成·不能放大直流及缓慢变化的信号,低频响应差交流放大分立电路变压器耦合·各级Q独立·可以改变交流信号的电压、电流和阻抗·无法集成·高频和低频响应差·体积大,笨重功率放大调谐放大2.直接耦合放大电路的特殊问题——零点漂移2.1零点漂移所谓零点漂移是指当把一个直接耦合放大电路的输入端短路时,即输入信号为零时,由于种种原因引起输出电压发生漂移(波动)。
产生零点漂移的原因很多。
如晶体管的参数随温度的年华、电源、电压的波动等,其中,温度的影响是最重要的。
在多级放大电路中,又已第一、第二级的漂移影响最为严重。
因此,抑制零点漂移着重点在第一、第二级。
2.2差分式放大电路(观看视频)在直接耦合多级放大电路中抑制零点漂移最有效的电路结构是差动放大电路。
因此,在要求较高的多级直接耦合放大电路的前置级和集成电路中广泛采用这种电路。
2.2.1差分放大电路的组成差分放大电路是由对称的两个基本放大电路,通过射极公共电阻耦合构成的,如图所示。
对称的含义是两个三极管的特性一致,电路参数对应相等。
β1=β2=βV BE1=V BE2=V BErbe1=r be2=r be I CBO1=I CBO2=I CBORc1=R c2=R c R b1=R b2=R b2.2.2 差分放大电路的输入和输出方式差分放大电路一般有两个输入端:同相输入端,反相输入端。
根据规定的正方向,在一个输入端加上一定极性的信号,如果所得到的输出信号极性与其相同,则该输入端称为同相输入端。
反之,如果所得到的输出信号的极性与其相反,则该输入端称为反相输入。
信号的输入方式:若信号同时加到同相输入端和反相输入端,称为双端输入;若信号仅从一个输入端加入,称为单端输入。
差分放大电路可以有两个输出端,一个是集电极C1,另一个是集电极C2。
从C1和C2输出称为双端输出,仅从集电极C1或C2对地输出称为单端输出。
2.2.3. 差模信号和共模信号差模信号是指在两个输入端加上幅度相等,极性相反的信号;共模信号是指在两个输入端加上幅度相等,极性相同的信号。
如图所示。
差分放大电路仅对差模信号具有放大能力,对共模信号不予放大。
温度对三极管电流的影响相当于加入了共模信号。
差分放大器是模拟集成运算放大电路输入级所采用的电路形式。
3.多级放大电路的分析方法(图见书P73)分析多级放大电路的基本方法是:化多级电路为单级,然后再逐级求解。
化解多级电路时要注意,后一级电路的输入电阻作为前一级电路的负载电阻;或者,将前一级输出电阻作为后一级电路的信号源内阻。
3.1输入电阻和输出电阻多级放大电路的输入电阻就是第一级放大电路的输入电阻,其输出电阻就是最后一级放大电路的输出电阻。
有时第一级的输入电阻也可能与第二级电路有关,最后一级的输出电阻也可能与前一级电路有关,这就取决于具体电路结构。
11211////be i ii r R R I U R ===11//be ii i r R I U R ==,其中12111//R R R =,为第一级的等效偏流电阻。
202c o R R R ==3.2电压放大倍数式中A u1、A u2…A un :多级放大电路各级的电压放大倍数。
A u (dB )= A u1(dB )+ A u2(dB )+ …+ A un (dB )注意:在计算每一级电压放大倍数时,要把后一级的输入电阻视为它的负载电阻。
1'11be L u r R A β-=,其中21'1//i c L R R R =,而222212////be i r R R R =,可见,'1L R 为1c R 、21R 、22R 、2be r 四个电阻并联。
2'222be L u r R A β-=,其中L c L R R R //2'2= ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-==2'221'1121be L be L u u u r R r R A A A ββ, 又有un u u n u A A A A K 21)1(-=例题3-1补充 例题 三级放大电路如图Z0225所示。
计算该电路的Au 、r i 、r o 。
(略)解:(1)电压放大倍数按前述分析方法将三级放大电路划分为3个单级放大电路,如图Z0226所示。
由上图可见,第一级电路和第三级电路为共集电极放大电路,其电压放大倍数为:A u1=A u3≈1,第二级电路为共射极放大电路,它的电压放大倍数为A u2 = - β(R C2∥r i3)/r be2总电压放大倍数为: A u =A u1·A u2·A u3≈(2)输入电阻 第一级电路为射极输出器,它的输入电阻为:故:(3)输出电阻第三级电路为射极输出放大电路则:由上例可以看出,分析多级放大电路的关键在于正确地划分出各单级放大电路。
第二节放大电路的频率特性1.频率响应概述前面讨论放大电路时,为了便于研究,都假定了输入信号v i是单一频率的正弦波,而实际工作中所要放大的信号并不是单一频率的正弦波。
由于放大电路中电抗元件的存在,放大电路对不同频率分量的信号放大能力是不相同的,而且不同频率分量的信号通过放大电路后还会产生不同的相移。
因此,衡量放大电路放大能力的放大倍数也就成为频率的函数。
放大电路的电压放大倍数与频率的关系称为幅频特性,输出信号与输入信号的相位差与频率之间的关系称为相频特性。
两者统称频率特性。
晶体管PN结两侧电荷的分布使之具有一个附着的小电容,我们称之为极间电容或结电容。
结电容、放电电路中耦合电容和旁路电容、电路联线分布电容,这些使得实际放大电路的电压放大倍数随着频率的变化而变化。
在工业电子技术中,最常用的是低频放大电路,其频率范围约为20~10000Hz。
在分析放大电路的频率特性时,再将低频范围分为低、中、高三个频段,分别求出各频段中的频率特性,然后综合求得完整的频率特性。
放大电路的频率特性中有三项性能指标,它们是:(1)下限频率在低频段,放大电路的电压放大倍数降到中频段电压放大倍数A vo的0.707A vo时的频率值叫做下限频率f L,如图(a)所示。
引起低频段电压放大倍数下降的原因主要是输入耦合电容、输出耦合电容和射极旁路电容,对低频信号形成较大的衰减,从而使电压放大倍数下降。
(2)上限频率在高频段,放大电路的电压放大倍数降到中频段电压放大倍数A vo的0.707A vo时的频率值叫做上限频率f H,如图(a)所示。
引起高频段电压放大倍数下降的原因主要是三极管的极间电容和放大电路的输入电路和输出电路的分布电容,将高频信号旁路,从而使电压放大倍数下降。
(3)通频带在频率特性的中频段,放大电路的各种电容对交流信号的影响均可以忽略,因此电压放大倍数A vo基本不变。
这个频率带宽B=f H-f L,称B为通频带。
放大电路的通频带越宽,即放大电路的频率特性就越好。
对于任一放大电路都有一确定的通频带,在设计电路时,必须首先了解信号的频率范围,以便使所设计的电路具有适应于该信号频率范围的通频带;在使用电路前,应查阅手册、资料,或实测其通频带,以便确定电路的适用范围。
三个特点:(1)中频区:耦合电容(大电容)和结电容(小电容)均可忽略。
可认为增益的大小和相位差不随频率变化。
(2)低频区:结电容(小电容)可以忽略。
但耦合电容(大电容)不可忽略。
可认为增益的大小随频率减小而降低。
(3)高频区:耦合电容(大电容)可以略,结电容(小电容)不可忽略。
可认为增益的大小随频率升高而降低。
多级电路频率特性的总带宽小于各级电路的带宽第三节功率放大电路(OTL)观看视频前面讨论的各种放大电路的主要任务是使负载上获得尽可能大的不失真电压信号,它们的主要指标是电压放大倍数。
而功率放大电路的主要任务则是,在允许的失真限度内,尽可能高效率地向负载提供足够大的功率。
因此,功率放大电路的电路形式、工作状态、分析方法等都与小信号放大电路有所不同。
1. 对功率放大电路的基本要求(1)功率要大输出功率P o=V o I o,要获得大的输出功率,不仅要求输出电压高,而且要求输出电流大。
因此,晶体管往往工作在极限状态,应用时要考虑管子的极限参数,注意管子的安全。
(2)效率要高放大信号的过程就是晶体管按照输入信号的变化规律,将直流电源提供的能量转换为交流能量的过程。
其转换效率为负载上获得的信号功率和电源供给的功率之比值,即:式中:P o负载上获得的信号功率;P V电源供给的功率。
(3)合理的设置功放电路的工作状态在这里,我们主要讨论三种功放电路:甲类、甲乙类、乙类。
(略)由于在能量转换的过程中,晶体管要消耗一定的能量,从而造成了η下降。
显然,要提高η,就要设法减小晶体管的损耗。
而晶体管的损耗与静态工作点密切相关。
图2.9.1 给出了晶体管的几种工作状态及对应的输出波形。
由图可见,甲类状态,i C始终存在,没有信号输入时,直流电源供给的能量全部消耗在晶体管上,这种状态的效率很低;乙类状态,没有信号输入时,i C= 0,晶体管不消耗能量,这种状态的效率较高。