《模拟电子技术基础》复习提纲
《模拟电子技术基础(第五版 康华光主编)》 复习提纲
模拟电子技术基础复习提纲第一章绪论）信号、模拟信号、放大电路、三大指标。
（放大倍数、输入电阻、输出电阻）第三章二极管及其基本电路）本征半导体：纯净结构完整的半导体晶体。
在本征半导体内，电子和空穴总是成对出现的。
N型半导体和P型半导体。
在N型半导体内，电子是多数载流子；在P型半导体内，空穴是多数载流子。
载流子在电场作用下的运动称为漂移；载流子由高浓度区向低浓度区的运动称为扩散。
P型半导体和N型半导体的接触区形成PN结，在该区域中，多数载流子扩散到对方区域，被对方的多数载流子复合，形成空间电荷区，也称耗尽区或高阻区。
空间电荷区内电场产生的漂移最终与扩散达到平衡。
PN结最重要的电特性是单向导电性，PN结加正向电压时，电阻值很小，PN结导通；PN结加反向电压时，电阻值很大，PN结截止。
PN 结反向击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿；PN结的电容效应包括扩散电容和势垒电容，前者是正向偏置电容，后者是反向偏置电容。
）二极管的V-I 特性（理论表达式和特性曲线））二极管的三种模型表示方法。
（理想模型、恒压降模型、折线模型）。
（V BE=）第四章双极结型三极管及放大电路基础）BJT的结构、电路符号、输入输出特性曲线。
（由三端的直流电压值判断各端的名称。
由三端的流入电流判断三端名称电流放大倍数））什么是直流负载线什么是直流工作点）共射极电路中直流工作点的分析与计算。
有关公式。
(工作点过高，输出信号顶部失真，饱和失真，工作点过低，输出信号底部被截，截止失真)。
）小信号模型中h ie和h fe含义。
）用h参数分析共射极放大电路。
（画小信号等效电路，求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻）。
）常用的BJT放大电路有哪些组态（共射极、共基极、共集电极）。
各种组态的特点及用途。
P147。
（共射极：兼有电压和电流放大，输入输出电阻适中，多做信号中间放大；共集电极（也称射极输出器），电压增益略小于1，输入电阻大，输出电阻小，有较大的电流放大倍数，多做输入级，中间缓冲级和输出级；共基极：只有电压放大，没有电流放大，有电流跟随作用，高频特性较好。
模拟电子技术复习提纲1
第一章1 二极管的单向导电性和伏安特性2 场效应管的基本原理3 三极管的基本放大原理第2章基本放大电路复习内容1 放大电路的基本概念2 单极放大电路能否放大动态信号的判断3 晶体管三个极的判断 npn and pnp4 各种放大电路的性能特点及其选用5 放大电路的静态工作点的计算6 放大电路的直流通路和交流通路的求解和交流等效电路7 共集，共射，共基，共源，共漏放大电路的静态和动态分析（电压放大倍数，输入电阻和输出电阻）8 基本接法的判断9 放大电路失真类型的判断和改善第三章多极放大电路复习内容1 多极放大电路的耦合方式（定型）2 多极放大电路的耦合方式阻容耦合放大电路的动态分析3 直接耦合放大电路的作用（抑制零点漂移）4 差分放大电路的分析计算（四种差分放大电路的电压放大倍数，输入电阻和输出电阻）5恒流源的主要作用第四章集成运算放大电路1 集成运放的组成和作用（基本了解）2 比例电流源和基本电流源的分析计算3 有源负载的分析（要掌握）4 集成运放的主要特点（开环差模增益，差模输入电阻，共模抑制比，输出电阻）5 特殊运放的性能特点高阻型高精度型（了解）第五章放大电路的频率响应1 放大电路的频率响应（高通和低通滤波器）2 波特图的应用（复习电路里面关于波特图的章节）3 单极放大电路的上限频率和下陷频率的求解（重点掌握）见课件4 放大电路频率响应的定性分析（多极）5 上限频率和下限频率的物理意义6 掌握单极放大电路的全频段的交流等效电路（重点）7 波特图的分析（掌握）习题5-1 5-7第6章负反馈1 反馈的概念见课件详细分析2 负反馈的四种组态的判断（见课件）要掌握方法连接位置判别法3 如何根据电路要求引入负反馈4 深度负反馈的计算（重点掌握）四种见课件或书5 负反馈的应用 (多极放大电路和运放的应用)6 负反馈的作用（重点掌握）7 差分放大电路加上运放如何引入负反馈和计算（重点）习题 6-5 6-6第七章1 反相和同相比例运算电路2 反相求和同相求和电路3 差分器和加法器 (重点)4 2-3个运放的组合，求出关系表达式 (重点) 见课件5 一阶有源滤波器的分析和计算6 模拟乘法器的运用第八章1 正弦波发生电路的判断2 RC正弦波振荡电路的分析（重点掌握）3 电压比较器（单限，滞回窗口）（会定性分析）电压传输特性4 非正弦发生电路的基本原理5 波形的变换和信号的转换重点电压和频率的转换会分析习题8-7 8-8 8-9第九章1 功率放大电路的特点和最大输出功率效率的有关概念2 功率放大电路类型的判别3 ocl otl 电路最大输出功率和效率的估算，功放管的选择4 功率放大电路的故障分析重点第九章的课后习题到9-13第10章直流电源1 直流电源的组成四部分2整流电路的基本原理和计算3 滤波电路的基本原理和计算4 稳压电路的基本原理和计算限流电阻的选择5 串联型稳压电路的组成，输出电压调节范围的估算，调整管的极限参数以及故障分析课后习题10-12到12-19 要掌握。
模拟电子技术课程复习提纲（复习必备）
模拟电子技术课程复习提纲（复习必备）第一章半导体器件§1.1半导体基础知识1、本征半导体：本征半导体、本征激发、复合、本征半导体导电机理；2、杂质半导体：杂质半导体、N 型半导体、P 型半导体、多数载流子、少数载流子；3、PN 结：PN 结的形成机理、扩散运动与漂移运动、PN 结的本质、PN 结的单向导电特性；4、温度对本征半导体、杂质半导体、PN 结导电能力的影响；5、PN 结的伏安特性：)1(-=T U u S D e I I ，当T=300K 时mV U T 26=，伏安特性曲线：反向击穿区、反向截止区、死区、正向导通区；6、PN 结的反向击穿特性：击穿类型、击穿原因（雪崩击穿、齐纳击穿）；7、PN 结的电容效应：势垒电容C T 、扩散电容C D ，PN 结电容效应的非线性、正偏和反偏时主要考虑那个电容。
§1.2半导体二极管1、二极管的结构、分类、符号；2、二极管的伏安特性：)1(-=T D U u S D e I I ，⑴正向特性：死区开启电压U th =0.5V （Si ）、0.1V （Ge ），正向导通电压U D(on)=0.7V （Si ）、0.2V （Ge ），⑵反向特性：反向截止区，反向击穿区；3、二极管的温度特性；4、二极管的参数及其含义：F I 、R U 、R I 、M f 、D R 、d r 、DQD T D I mV I U r )(26≈=； 5、二极管的等效模型：理想模型、理想二极管串联恒压将模型、折线模型、小信号（微变等效）模型（注意微变等效模型的应用条件）；6、二极管电路的分析方法：⑴直流图解法、⑵模型解析法⑶交流图解法（在Q 点附近i u 幅度较小时使用）、⑷微变等效电路分析法；7、稳压二级管：稳压二极管工作原理、稳压二极管参数及含义、简单电路参数计算；8、二极管应用（单向导电特性、二极管导通截止的判断）⑴静态工作分析、⑵整流电路（单管半波整流、双管全波整流、桥式整流）、⑶限幅电路（串联限幅、并联限幅、上限幅、下限幅、双向限幅）、⑷门电路；9、特种二极管的工作条件、符号、特性、参数，发光二极管、光敏二极管、激光二极管、红外二极管、光电耦合器件、变容二极管。
模拟电子技术考试复习提纲 (1)
模拟电子技术考试复习提纲第一章半导体二极管及其基本电路熟练掌握1．两种载流子，扩散和漂移，PN结的形成，半导体二极管的单向导电性，稳压管的稳压作用；2．半导体二极管的外特性，主要参数的定义；正确理解3．使用注意事项；第二章双极型晶体管及放大电路基础熟练掌握1．晶体管的外特性和放大作用，三种工作状态；2．放大倍数、输入电阻、输出电阻；3．静态、动态，直流通路、交流通路；4．微变等效电路；5．CE、CC、CB的工作原理及各种计算（单级、多级）；6．合理的近似。
7．晶体管的极限参数正确理解8．用图解法确定静态工作点及输出波形失真及最大不失真输出电压；9．三种组态的比较和选择；第三章场效应管及其放大电路熟练掌握1．耗尽层，沟道，场效应管的外特性及放大作用，三种工作状态；2．放大倍数、输入电阻、输出电阻；3．静态、动态，直流通路、交流通路；4．场效应管的微变等效电路；5．CS的工作原理及各种计算（单级、多级）；正确理解6．CD的工作原理及计算；7．阻容耦合、变压器耦合；第四章功率放大电路熟练掌握1．功放的基本原理，输出功率、效率和非线性失真；2．OCL直接耦合功率放大电路的工作原理、输出功率的估算；3．交越失真的概念，消除方法4．攻放管的选择及计算；正确理解5．甲乙类互补对称功率放大电路的工作原理、分析计算；第五章集成电路运算放大器熟练掌握1．零点漂移、差模、共模、恒流源等概念；2．差模放大倍数的有关计算；正确理解3．共模抑制比及其计算；4．镜象电流源及集成运算放大器的工作原理；5．运算放大器的主要参数。
第六章放大电路的频率响应熟练掌握1．频率特性等概念及影响频率特性的因素；2．波特图与表达式的转换；3．能够定性画出含有一个时间常数的波特图正确理解4．多级放大电路与单级放大电路频宽之间的关系。
第六章负反馈放大电路熟练掌握1．开环、闭环、正反馈、负反馈、直流反馈、交流反馈等概念；2．负反馈放大电路增益的一般表达式3．判断组态的方法；4．深度负反馈放大电路的近似估算；5．四种组态的特点及其对放大电路性能的影响；正确理解6．负反馈放大电路产生自激的原因；7．用Bode图判断负反馈放大电路是否会自激；消除自激的基本方法。
模拟电子技术复习提纲2011-12
《2011．12．10第一章一．基本概念和基本知识1．PN结具有单向导电性：加正向电压时导通，加反向电压时截止。
2. 二极管的伏安特性正向特性：U I<开启电压时，I D≈ 0 ,U I 大于开启电压后逐渐导通，I D增加，二极管导通后，正向压降≈0.7伏（对于硅管）。
反向特性：当U I < 反向击穿电压时，I D≈ 0 。
若U I≥反向击穿电压时。
反向电流急剧增加，将会使二极管击穿而损坏。
3．稳压二极管是一种特殊的二极管。
在电路中主要用于稳定电压。
稳压二极管工作于反向击穿状态。
使用时，必须与负载并联，并且串接有稳压和限流功能的电阻。
4．晶体三极管分为NPN和PNP型两大类。
要求熟练记住其符号以及正确加载电源电压的极性。
对于NPN管集电极和基极的偏置电源必须接外接电源的正极。
对于PNP管则集电极和基极的偏置电源必须接外接电源的负极。
5. 为了使晶体三极管实现电流放大作用，供电电源接法应保证：发射结正向偏置，集电结反向偏置。
6．三极管的电流关系：I E = I B＋I C ; 在放大区I C =β I B7．三极管的输出特性曲线有三个区：截止区、放大区、饱和区。
三极管工作在放大状态时，必须保证在线性放大区，不能进入截止区和饱和区。
在数字电路中则工作于截止区和饱和区。
8．三极管的主要参数：（1）共射电流放大倍数β = ∆I C / ∆I B 共基电流放大倍数∆α = ∆I C / ∆I E ;α = β / (1+ β)β = α / (1 - α)(2)集电极最大电流I CM ; 集电极最大功耗P CM ;(3)反向击穿电压U(BR)CEO U(BR)CBO U(BR)EBO9场效应管（1）场效应管分为结型场效应管和绝缘栅型效应管两大类。
从导电沟道分：分为N沟道和P沟道两大类；绝缘栅型效应管可分为耗尽性和增强型两大类。
（2）场效应管是电压控制器件；而双极型三极管则是电流控制器件。
（3）要求熟记各种类型场效应管的电路符号以及所加电源电压的极性。
《模拟电子技术》复习要点
《模拟电子技术》复习要点
1．半导体的基础知识（本证半导体和杂质半导体的概念及特点、温度对半导体导电性能的影响、PN结的形成及特性）
2．晶体管的管脚、类型的判断
3．晶体管和场效应管的三种工作状态的特点及外部条件、晶体管和场效应管放大电路的三种组态及特点
4．放大电路的基本分析方法及其适用场合
5．基本放大电路（包括差分放大电路）的分析（包括失真分析）和计算（静态和动态）
6．多级放大电路的耦合方式、特点、适用场合及其分析和计算
7．基本的运算电路的分析和计算（比例、加法、减法、乘法、除法、微分、积分、乘方、开方）
8．负反馈类型的判断、性能的改善、引入原则、深度负反馈放大电路的分析和计算
9．正弦波振荡电路（包括RC正弦波振荡电路和LC正弦波振荡电路）的起振和稳幅振荡条件、组成、电路特点、判断
10．电压比较器的种类及其电压传输特性的分析和计算
11．功放的特点、种类、两个主要性能指标及其分析（包括失真分析）和计算（最大输出功率、效率）、功放管的选择
12．直流稳压电源的组成、整流、滤波、稳压原理及其简单计算（包括整流元件的选择）。
模拟电子技术基础总复习
第四章 集成运算放大器
理想模型
第五章 频率响应
一、单极共射放大电路的频率响应； 画波特图的方法：时间常数法。 二、多级放大电路的上、下限截止频率的近似估算。
第六章 反馈
1、判断反馈类型。 2、深度负反馈放大器估算。
3、负反馈对放大器性能的影响。
4、正确引入负反馈。
第七章 信号的处理
一、理想运放工作在线性区的两个特点：虚短、虚断； 二、基本运算电路：比例、求和、加减、积分 （组成、结论、一般电 路求解方法） 三、有源滤波电路：分类及电路结构形式， 定性分析幅频特性。
四、场效应管（分类及电流控制关系）
第二章 基本放大电路
一、放大电路的组成原理及正常工作条件 二、放大电路的分析方法（工作点求解，图解法 ／微变等效电路法） 三、晶体管和场效应管基本放大电路（三种连接 方式）
第三章 多级放大电路
一、多级放大电路的求解
1、工作点求解 2、放大倍数：等于各级放大倍数之积（将后级 输入电阻作为前级的负载） 3、输入电阻：是第一级的输入电阻 4、输出电阻：是末级的输出电阻 二、差分放大电路 4种输入输出方式的分析、计算
模拟电子技术基础总复习
2003.11.
模拟电子技术知识结构
半导体器件
放大器频响
各种放大器
各种放大器的应用
单管放大器
多级放大器
功率放大器
运算放大器
信号处理
波形产生与变换
直流电源
负反馈
第一章 常用半导体器件
一、杂质半导体与PN结（P型N型等基本概念） 二、半导体二极管（单向导电性及二极管方程）
三、晶体管（PNP/NPN电流分配关系）
第十章 直流电源
一、整流、滤波电路的组成、工作原理 及主要参数计算
《电子技术基础》复习提纲
《电子技术基础》复习提纲电子技术基础是电子工程专业的一门基础课程，它是其他高级课程的基石，具有重要的理论和实践意义。
本文将为大家提供一份《电子技术基础》（模拟部分）的复习提纲，帮助大家系统地复习这门课程。
一、放大器基础知识1.放大器的基本概念和分类2.放大器的工作原理3.放大器的特性参数及定义4.放大器的增益和功率的计算5.放大器的频率响应6.放大器的电压与电流放大倍数二、放大器的基础电路1.单级放大器的基本电路2.双级放大器的基本电路3.电压放大器与电流放大器4.共射放大器、共集放大器和共基放大器5.三极管放大器的工作特性和基本电路三、运算放大器1.运算放大器的基本原理2.运算放大器的非线性特性及其补偿方法3.运算放大器的频率响应特性4.运算放大器的反馈电路基础知识5.理想运算放大器的特性与模型四、振荡电路1.振荡电路的基本概念和分类2.LC振荡器的工作原理及其频率稳定性3.RC振荡器的工作原理及其频率稳定性4.利用晶体谐振现象的谐振器5.压控振荡器的基本原理及应用领域五、滤波电路1.滤波电路的基本概念和分类2.一阶滤波器和二阶滤波器的工作原理3.滤波器的频率响应特性4.低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器的设计与应用5.有源滤波器和无源滤波器的比较六、功率放大电路1.功率放大电路的基本概念和分类2.A类功率放大器、B类功率放大器、AB类功率放大器和C类功率放大器的工作原理和特点3.功率放大电路的效率与失真4.功率放大电路的反馈设计与应用七、综合应用电路1.信号发生器的基本原理和电路设计2.信号检测电路的基本原理和电路设计3.比较器的基本原理和电路设计4.电压参考电路的基本原理和电路设计5.音频放大电路的基本原理和电路设计以上就是《电子技术基础》（模拟部分）的复习提纲，希望对大家的复习有所帮助。
复习过程中，可以结合教材和课堂笔记，进行有针对性的复习和问题解答。
此外，还可以通过做题、实验等方式进一步巩固知识，提高对电子技术基础的理解和应用能力。
完整版模电总结复习资料模拟电子技术基础
G ）二极管屯路 5）图解分析I 第一章I 半导体二极管一.半导体的基础知识1. 半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质 （如硅Si 、错Ge ）。
2. 特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3. 本征半导体----4. 两种载流子-5. 杂质半导体---- *P 型半导体：*N 型半导体： 纯净的具有单晶体结构的半导体。
-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子） 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴） 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN 结 结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V ，错材料约为0.2~0.3V 。
结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
结的伏安特性 * PN1L jp/mA 1 玩1 M 0 沪向特性赵亦V ft 反向特性 匸th «Fry JflZuA 二.半导体二极管* PN8. PN*单向导电性---- *二极管伏安特性 *正向导通压降-* 死区电压—— 正向导通，反向截止。
----同PN 结。
--- 硅管 0.6~0.7V ，错管 0.2~0.3V 。
硅管0.5V ，错管0.1V 。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 若V 阳＞V 阴（正偏），二极管导通（短路）； 若V 阳＜V 阴（反偏） 1）图解分析法 该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点 ，二极管截止（开路）。
Q 。
At2）等效电路法? 直流等效电路法*总的解题手段----若V阳>V阴（若V阳<阴（*三种模型Cd）小信吋模型三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性…正常工作时处在PN结的反向击穿区,第一.三极管的结构、类型及特点1.类型… 分为NPN和PNP两种。
模拟电子技术复习提纲
第3章 二极管及其基本电路知识重点：1、杂质半导体的导电机理；2、PN 结的形成及其单向导电性；3、半导体二极管的伏安特性；4、稳压管的应用基本知识：1、空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特点，在本征半导体中掺入三价元素杂质后即成为P 型半导体。
2、半导体二极管只有一个PN 结，它的基本特性是具有单向导电特性。
3、稳压二极管接入电路时，一定要串入一个电阻，其原因是利用电阻调节作用。
4、下面电路中电阻R 1=6kΩ，R 2=1kΩ，试判断理想二极管D 1与D 2是导通还是截止,并计算电压V ab ，。
（）第4章 三极管及其放大电路知识重点：1、半导体三极管的放大条件以及电流控制和放大作用；2、BJT 的输入特性、输出特性及主要参数；3、BJT 的代表符号、BJT 的特性曲线，尤其是输出特性曲线的四个区域的理解；基本知识：1、双极性晶体管放大电路的三种基本放大方式为共射、共基与共集放大，其中共集放大 放大电路也叫做射极输出器。
2．三极管的输入电阻Rbe 是个动态电阻，但是与静态工作点是有关联的。
3、双极性晶体管对温度变化较敏感，硅管与锗管相比，硅管受温度影响较小。
aba b4．电压放大器的输出电阻越小，意味着放大器带负载能力越强。
5、双极性晶体管是一种电流型控制元件。
6．在基本共射电路中，若晶体管的β增大一倍，电压放大倍数也相应增大，但达不到一倍。
7、在放大电路中测得某管的3个电极电位分别为-2.5V, -3.2V,-9V，则这个三极管的管型是PNP型硅管。
8、单极放大电路的3种组态都有功率放大作用。
9、多极放大器的电压放大倍数为各级放大倍数之积。
10、一个NPN管在电路中正常工作，现测得Ube>0,Ubc>0,Uce>0，则此管的工作区为饱和区。
11、图示电路中β=50, V CC=6V, R b1=10KΩ, R b2=2KΩ , R c=2KΩ，R e=300Ω，R L=2 KΩ，试：①估算Q点(取V BE =0.7V)；②画出小信号模型图；③r be=1KΩ时，计算Av、r i与r o。
模拟电子技术基础复习大纲
模拟电子技术基础复习大纲书中有关符号的约定·大写字母、大写下标表示直流量。
如，VCE、IC等。
·小写字母、大写下标表示总量（含交、直流）。
如，vCE、iB等。
上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。
如，vce、Ib等。
第一章半导体器件基础1、理解半导体中有两种载流子电子空穴——当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，共价键就留下一个空位，这个空位就称为空穴。
2、理解本征半导体和本征激发本征半导体——化学成分纯净的半导体本征激发的特点——两种载流子参与导电，自由电子数（n）=空穴数（p）外电场作用下产生电流，电流大小与载流子数目有关导电能力随温度增加显著增加3、理解杂质半导体（通过掺杂，提高导电能力）（重点）少数载流子是由电子—空穴对（本征激发）产生而来，多子浓度主要取决于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
4、熟练掌握PN结形成——由于浓度差，而出现扩散运动，在中间形成空间电荷区（耗尽层），又由于空间电荷区的内电场作用，存在漂移运动，达到动态平衡。
——（重点）不外加电压，扩散运动=漂移运动，iD=0加正向电压（耗尽层变窄），扩散运动＞漂移运动形成iD加反向电压（耗尽层变宽），扩散运动为0，只有很小的漂移运动形成反向电流特性方程：iD=IS（eVo/VT-1）特性曲线：正向导通：死区、导通区反向截止：截止区、击穿区5、理解二极管单向导电性、特性方程及特性曲线与PN结相同主要参数：最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、反向电流IR、极间电容、最高工作频率分析模型：理想模型、恒压降模型、折线模型、小信号模型导通管的压降看做常值（硅0.7V，锗0.2V）或0V（理想二极管）；截止管所在支路看做断开，电路中所有二极管状态判明后，进一步计算所要求的各物理量。
6、特殊二极管——稳压管（工作在反向击穿区）反向偏置且VI＞VZ稳压原理：无论输入变化或负载变化，引起的电流变化都加于稳压管上，使输出电压稳定参数：VZ、IZ、PZM、rZ7、理解半导体三极管①类型：结构、材料硅管（VBE=0.7V）、锗管（VBE=0.2V）NPN管和PNP管电流的流向——重点②电流控制器件（重点）⎧β⎪⎪⎨⎪α⎪⎩==ICIIBCIEα==1+αβ1+β③三个工作区（重点）特性曲线输入：输出：饱和区：发射结、集电结均正偏，VBE=0.7V,VCES=0.3V放大区:发一正,集一反,VBE=0.7遵循iC=βiB截止区:发射结、集电结均反偏VBE＜0.5V时已进入截止区④放大条件发射区杂质浓度大，集电区杂质浓度低，基区窄，杂质浓度低。
模拟电子技术复习提纲资料
;
1
;
E
C B
C
I I I I 中小值
和取不产生饱和失真不产生截止失真om
om
om CES
CEQ
om
L
CQ om
U
U
U U U U R I U 模拟电子技术复习提纲
（各章重点及公式汇编）
第三章1. 半导体
2．PN 结正偏时：反偏时：
削弱内电场增强内电场PN 结变窄，导通；
PN 结变宽，截止
第四章
1、三极管工作在放大区
2、电流分配关系
条件关系式NPN 型
PNP 型
BE 结正偏
BC 结反偏
Ic=βIb 放大功能
V BE = 0.7V(Si)
0.2V(Ge)
U CE ＞1V
V BE =- 0.7V (Si)
-0.2V (Ge) U CE ＞-1V
I E = I C +I B
3、三极管热稳定性差;
I E ≥I C ＞＞I B
反向饱和电流
I CBO ；穿透电流I CEO = (1+β) I CBO
4、共射放大器
（2）最大不失真
V om （振幅）计算
（1）图解方法：
半导体N 型P 型掺杂
5价施主杂质
3价受主杂质多子电子空穴少子
空穴
电子。
模拟电子技术复习提纲
模拟电子技术复习提纲第一章1 对半导体基础知识的理解2 二极管、稳压管、晶体管和场效应管工作状态的判断及输出电压的求解3 pn 结的单向导电性及二极管的电压和电流关系方程4 三极管的参数如何受温度的影响？5场效应管的特点和特性？讨论题 第三讲 1 1.3V 3.7V 2 有解答第二章1 放大电路的基本概念2 各种基本放大电路的性能特点及选用3 放大电路的交流通路和直流通路的画法4 共集、共射、共基、共源和共漏放大电路的静态和动态分析当输入信号增大时，空载情况下输出电压首先出现饱和失真；当接上负载时输出电压首先出现截止失真。
5 单管放大电路基本接法的主要特点，及如何选取电路。
讨论题 第四讲 有解答第5讲 有解答第六讲讨论2 94页 讨论3 1 空载时首先出现饱和失真，当接上负载时出现截止失真。
讨论4，5均有答案。
第7讲 课本上有答案第8讲 习题13 讨论2 有答案第9讲 书上有答案第三章1 多级放大电路的定性分析2 多级放大电路的分析计算3 差分放大电路的分析计算第10讲 讨论2第11讲 有答案第四章1电流源电路及其应用电路的分析2 有源负载的应用第13讲 讨论2 课件第五章1 对频率响应有关概念的正确理解2 放大电路频率响应的定型分析3 放大电路上限频率和下限频率的求解4 根据波特图求放大电路的频率参数及电压放大倍数。
自测题 二 答案 （1） 178-=usm A （2） pf c 1602/=π（3） Hz f H 175= Hz f L 14=三 （1） 60，310± （2） 10，410第六章1 反馈和反馈性质的判断方法，判断电路中引入反馈的类型，如何根据电路性能要求引入反馈；2 深度负反馈条件下放大倍数的估算方法3 根据需求引入合适负反馈的原则及方法第17讲 讨论题 课件上有答案第18讲 讨论题 课件上有答案第七章1 运算电路的识别2 运算电路的分析计算3 根据需求选择运算电路4 有源滤波器的识别及电路分析（只要求一阶电路）5 工作在线性区的集成运放的其它应用电路的分析第21讲讨论1 111011i f u R R u ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+= 232013201i f f u R R u R R u ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++-= 讨论二 1 根据基本运放电路的分析可以求出2 差分放大电路 02010u u u -=讨论三 1 课件上有答案 2 绝对值电路 ，具体见书上例题第8章1 rc 桥式正弦波振荡电路的组成特点以及振荡频率和幅值的估算，电路是否产生自激振荡的判断，改正电路中的错误使之有可能产生正弦波振荡；2 电压比较器电路的识别及电压传输的求解，已知电压传输特性判断电压比较器的类型及其主要参数，已知电压传输特性设计电压比较器电路等；3矩形波、三角波和锯齿波发生电路的工作原理和波形的分析，振荡频率和幅值的求解和调节、改错等。
《模拟电子技术基本教程》课程复习提纲
《模拟电子技术基本教程》课程复习提纲一、基本要求（一）基本要求1.掌握半导体器件的基本工作原理2.掌握放大电路的基本分析方法，能够正确估算基本放大电路的静态工作点和动态参数。
3.掌握多级放大电路的耦合方式的优缺点，正确估算多级放大电路的动态参数。
4.能够正确判断电路中反馈的性质和交流负反馈的组态。
5.掌握集成运放组成的基本运算电路的分析方法。
（二）重点掌握的内容常用半导体器件的工作原理，外特性；放大电路的基本概念及分析方法，放大电路中反馈的判断，基本运算电路的分析。
二、复习内容1.集成运算及其基本应用（1）放大的概念及其指标（2）集成运算放大电路（3）理想运放组成的基本运算电路（4）电压比较器2.半导体二极管及其应用（1）半导体基础知识（2）半导体二极管及其应用电路（3）其它二极管及应用电路3.晶体三极管及放大电路（1）晶体三极管（2）放大电路的组成原则（3）放大电路的基本分析方法（4）放大电路的三种组态4.场效应管及基本放大电路（1）场效应管（2）基本放大电路5.集成运算放大电路（1）多级放大电路（2）放大电路简介（3）差分放大电路（4）功率放大电路6.放大电路中的反馈（1）负反馈的基本概念和分析方法（2）负反馈电路的框图及一般表达式（3）放大倍数分析（4）负反馈对放大电路性能的影响7、直流稳压电源（1）直流稳压电源的组成及作用（2）单相整流电路（3）滤波电路（4）稳压管稳压电路（5）线性稳压电源（6）开关型稳压电源。
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《模拟电子技术基础》复习提纲
第一章常用半导体器件
1．基本概念:本征半导体，杂质半导体，PN结，二极管的单向导电性，稳压管的稳压作用，晶体三极管和场效应管的放大作用及三个工作区域。
2．二极管电路的分析和计算
3．稳压管电路的分析和计算
作业：1.1 1.3 1.4 1.5 1.6 1.9
第二章基本放大电路
1．基本概念:放大，静态工作点，放大倍数，输入电阻，输出电阻，直流负载线和交流负载线，最大不失真输出电压。
2．三极管放大电路的计算（共射、共集）:求静态工作点，动态参数A u、R i、R o。
3．场效应管放大电路的计算（共源，共漏）:求静态工作点，动态参数A u、R i、R o。
作业：2.1 2.5 2.6 2.7 2.11 2.12 2.13 2.16
第三章多级放大电路
1．基本概念:零点漂移，共模信号，差模信号，共模放大倍数，差模放大倍数，共模抑制比。
2．差分放大电路的计算（四种接法）:求静态工作点，动态参数A u、R i、R o。
作业：3.6 3.7
第四章集成运算放大电路
1．了解集成运放的组成及各部分的作用，理解主要指标参数的物理意义。
2．了解电流源电路的工作原理。
作业：4.3
第五章放大电路的频率响应
1．基本概念:f L和f H，通频带，波特图。
2．了解多级放大电路频率响应的计算。
作业：5.2 5.3 5.5 5.6
第六章放大电路中的反馈
1．反馈的判断
2．了解产生自激振荡的原因，能够利用环路增益的波特图判断电路的稳定性。
作业：6.1 6.2 6.4 6.6 6.13
第七章信号的运算和处理
比例、加减、积分电路的分析和计算。
作业：7.6 7.10 7.11 7.16
第八章波形的发生和信号的转换
1．RC桥氏正弦波振荡电路的组成、起振条件和振荡频率。
2．电压比较器电路的分析和求输出波形。
作业：8.6 8.8 8.14 8.15
第九章功率放大电路
1．基本概念:晶体管的三种工作状态，最大输出功率、转换效率。
2．OCL电路的分析和计算:求最大输出功率、转换效率
作业：9.2 9.4 9.9
第十章直流电源
1．了解直流电源的组成及各部分的作用
2．整流电路的计算:求输出电压及输出电流的平均值。
作业：10.3 10.6 10.7。