桂林电子科技大学909材料科学基础2018年考研初试真题

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桂林电子科技大学912土木工程材料17-18年真题

6、影响新拌混凝土和易性的因素有：1）单位用水量 2）水灰比 3）(13) 4）(14) 5）(15) 6） (16) .
7、评价沥青混合料高温稳定性的实验方法有(17) 、(18) ；评价沥青混合料水稳定性的实验有 (19)和冻融劈裂实验。
8、沥青混合料体积指标有 VV、VFA、VMA 等，其中 VV 是指(20)，VFA 是指(21)，VMA 是指(22)。
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桂林电子科技大学 2017 年硕士研究生统一入学考试试题
科目代码: 912
科目名称:土木工程材料
A卷
注意：答案必须全部写在答题纸上，写在试题上无效；答案要标注题号，答题纸要填写姓名和考号，并标注页码与总页数；交卷时，将答题纸与试题一起装入试卷袋，密封签字。
一、填空题（30 分，每空 1 分）
A 酸性 B 碱性 C 中性 D 以上都不对
9、改善酸性石料与沥青粘附性的措施有
A、加抗剥落剂
B、加 2%生石灰粉
C、加 2%水泥
D、加乳化剂
10、乳化沥青的优点
A 可冷态施工，节约能源，减少环境污染；
B 常温下具有较好的流动性，能保证洒布的均匀性，可提高路面修筑质量；
C 采用乳化沥青，扩展了沥青路面的类型，如稀浆封层；
A 试杆法 B 试锥法 C 沸煮法 D 雷氏夹法
16、沥青混合料高温稳定性评价试验方法为
（）
A 马歇尔试验
B 车辙实验
C 软化点试验
D 冻融劈裂实验
17、下列属于沥青混合料低温性实验的是
A 劈裂实验 B 小梁实验 C 延度实验 D 针入度实验
（）
18、水泥石中的水的形式有：
（）
A 自由水 B 吸附水 C 结晶水 D 孔隙水

桂林电子科技大学2018年《813材料科学基础(A)》考研专业课真题试卷

第1 页共2 页桂林电子科技大学2018年考研专业课真题试卷科目代码: 813 科目名称: 材料科学基础（A ）注意：答案必须全部写在考点提供的答题纸上，写在试题上无效；答案要标注题号，答题纸要填写姓名和考号，并标注页码与总页数；交卷时，将答题纸与试题一起装入原试卷袋，用我校提供的密封条密封并签名。

一单项选择题（本大题共5小题，每小题3分，共15分）1. 对面心立方晶体而言，表面能最低的晶面是 .A 、 (100)；B 、(110)；C 、(111)；D 、(121)；2. 面心立方结构的铝中，每个铝原子在本层（111）面上的原子配位数为。

A 、12；B 、6；C 、4；D 、33.已知聚氯乙烯的平均相对分子质量是27500，则其平均聚合度是。

A 、4400；B 、4800；C 、3600；D 、50004．间隙相和间隙固溶体的区别之一是。

A 、间隙相结构比间隙固溶体简单；B 、间隙相的间隙原子比间隙固溶体中的间隙原子大；C 、间隙相的固溶度比间隙固溶体大；D 、间隙相的结构和其组元的结构不同5. 在面心立方晶体结构的置换型固溶体中，原子扩散的方式一般为。

A. 原子互换机制；B.间隙机制；C.空位机制； D 环绕机制二、如图1所示，在一个立方晶胞中确定6个表面面心位置的坐标。

6个面心构成一个正八面体，指出这个八面体各个表面的晶面指数、各个棱边和对角线的晶向指数。

（本题共15分）图1三、面心立方结构晶胞和体心立方结构晶胞中各有几种间隙，间隙个数各有几个？（本题共15分）四、简述铸锭典型组织。

（本题共15分）。

2018年广西桂林电子科技大学高等代数考研真题A卷

2018年广西桂林电子科技大学高等代数考研真题A 卷一、（本题15分）计算行列式121212.....................n nn x m x x x x m x x x x m---.二、（本题10分）设,,A B C 均为n 阶方阵，且A 和B 均可逆，证明矩阵BB C A C ⎛⎫ ⎪-⎝⎭可逆，并求其逆.三、（本题15分）求齐次线性方程组1234123423405330x x x x x x x x -+-=⎧⎨+++=⎩的解空间V 的一组标准正交基，并写出V 在4R 中的正交补.四、（本题20）设1234(,,,)x x x x '是4[]P t 中多项式()f t 在基231()443f t t t t =+++，232()7752f t t t t =+++，233()2533f t t t t =---，234()3855f t t t t =-+++下的坐标，1234(,,,)y y y y '为()f t 在基1234(),(),(),()g t g t g t g t 下的坐标，且11235,y x x =+2122,y x x =+ 33423,y x x =-43458,y x x =-+（1）求由基1234(),(),(),()g t g t g t g t 到基1234(),(),(),()f t f t f t f t 的过渡矩阵；（2）求基1234(),(),(),()g t g t g t g t ；（3）求多项式23()1g t t t t =-+-+在基1234(),(),(),()g t g t g t g t 下的坐标.五、（本题20）求矩阵120020221A ⎛⎫ ⎪= ⎪ ⎪---⎝⎭的初等因子及若尔当标准形.六、（本题20分）已知22R ⨯的线性变换为12234134********,x x x x x x x x x x x x x x x x τ+--+⎛⎫⎛⎫=⎪⎪-+-++⎝⎭⎝⎭对任意的122234x x R x x ⨯⎛⎫∈⎪⎝⎭.（1）证明τ是对称变换；（2）求22R ⨯的一组标准正交基，使得τ在这组基下的矩阵为对角矩阵.七、（本题15分）已知22P⨯的线性变换为2212(),,,03X MX XM X P M σ⨯⎛⎫=-∀∈= ⎪⎝⎭求σ的值域与核.八、（本题15分）设1234111111,,,111111a a A A A A a a ⎛⎫⎛⎫⎛⎫⎛⎫==== ⎪ ⎪ ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭⎝⎭⎝⎭为22P ⨯中的矩阵，讨论1234,,,A A A A 的线性相关性.九、（本题10分）设A 为s n ⨯的实矩阵，证明：()()T Tn s R E A A R E AA n s ---=-.十、（本题10分）证明：若()()nf x f x ，则()f x 的根只能是零或者单位根.。

桂林电子科技大学初试及复试科目参考书目一览表

数据库系统概论+程序设计基础故事创意与命题论文法理学财务管理市场营销管理信息系统产业经济学常微分方程概率与数理统计电子测量技术
221
电子技术综合
222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 304 305 306 307 308 309 310 311
《毛泽东思想与中国特色社会主义理论体系概论》，高教出版社2010年版。《材料科学基础》(第2版)，石德珂主编，机械工业出版社。《金属材料及热处理》，史美堂主编，上海科学技术出版社《高分子化学》，林尚安主编，科学出版社。《材料成型工艺基础》，翟封祥主编，哈尔滨工业大学出版社。
《半导体物理》,刘恩科,西安交通大学出版社。
注：如复试科目为多选一，不得与初试科目相同。
复试科目参考书目
参考书目《理论力学》，哈工大理论力学教研室，高等教育出版社，占40%。《材料力学》，刘鸿文，高等教育出版社，占60%。《电工学》（下册），秦增煌，高等教育出版社。《电子技术》（第六版），秦增煌，高等教育出版社。《用户体验与产品创新设计》（第一版），罗仕鉴，机械工业出版社出版。《通信原理》（第六版），樊昌信等，国防工业出版社《微机原理及应用》，黄冰，重庆大学出版社，占50%。《数字电子技术基础》（第五版），阎石，高等教育出版社，占50%。《电磁场与电磁波》（第四版），谢处方等，高等教育出版社。《微波技术与天线》，王新稳等，西安电子科技大学出版社。《光纤通信》，刘增基，西安电子科技大学出版社。《光电子技术》，安毓英等，电子工业出版社。《高频电子电路》（第二版），王卫东，电子工业出版社，占50%。《verilog数字系统设计教程》（第二版），夏宇闻，北京航空航天大学出版社，占50%。《自动化仪表与过程控制》，施仁、刘文江，电子工业出版社。《微型计算机控制技术实用教程》，潘新民等，电子工业出版社。《离散数学》，邵学才，电子工业出版社。《程序设计基础》，吴文虎，清华大学出版社。《数据库系统概论》，王珊、萨师煊，高等教育出版社。《程序设计基础》，吴文虎，清华大学出版社。《动画创作基础》，贾否，清华大学出版社。《法理学》（第三版），张文显等，高等教育出版社，北京大学出版社。《财务管理》，荆新，中国人大出版社。《市场营销学》，吴健安，高等教育出版社。《管理信息系统》，黄梯云，高等教育出版社。《产业经济学》，苏东水，高等教育出版社。《常微分方程》, 张伟年主编, 高等教育出版社。《概率论与数理统计》第二版,吴赣昌、徐安农、黄文韬、李郴良,中国人民大学出版社。《电子测量与仪器》，陈尚松等，电子工业出版社。《电子测量》，孙续等，计量出版社。《模拟电子技术》（第五版），康光华等，高等教育出版社。占50%。《数字电子技术基础（第五版）》，阎石，高等教育出版社。占50%。

2017年广西桂林电子科技大学材料科学基础考研真题A卷

2017年广西桂林电子科技大学材料科学基础考研真题A卷一、填空题（每题4分，共24分）1、体心立方的配位数为，每一个晶胞中共有个原子。

2、面心立方的致密度为，密排面为。

3、晶体中位错的基本类型分为和。

4、位错在晶体中运动有两种方式：和。

5、材料发生扩散的根本原因是；材料发生凝固的必要条件是。

6、金属材料在外力的作用下发生变形与断裂，一般要经历、和断裂三个阶段。

二、单项选择题（每题3分，共15分）7、共价键的特点是（A）有方向性（B）无饱和性（C）结合力较弱8、晶体学中，根据点阵参数之间的关系和特点划分为_________个晶系（A）5 （B）7 （C）99、在一定温度下具有一定平衡浓度的缺陷是（A）点缺陷（B）位错（C）晶界10、在均匀形核的过程中，当初始晶核为时，所需的临界形核功最小。

（A）球形（B）立方体形（C）圆柱体形11、多晶体发生塑性变形，至少需要个独立的滑移系。

（A）1 （B）3 （C）5三、名词解释（任选三个作答，每题4分，共12分）12、晶胞；13、显微组织；14、位错；15、共晶转变；16、珠光体四、简答分析题（任选三题作答，每题10分，共30分）17、什么是细晶强化？细晶强化的机理是什么？18、材料在凝固的过程中，获得细晶粒的三个主要措施是什么？19、什么是置换型固溶体，影响固溶体溶解度的因素有哪些？20、在同一晶胞中画出立方晶系中的)321(晶面以及]121[晶向。

五、综合题（共19分）21、根据下图所示的Ag－Cu二元合金相图，请分析以下问题。

（1）写出图中的液相线、固相线、共晶反应线；（3分）（2）Cu在Ag中的固溶度曲线是，最大固溶度为多少？Ag在Cu中的固溶度曲线是，最大固溶度为多少？（4分）（3）计算w(Cu)=60%的Ag-Cu合金（yy 线）在M点对应温度下β相和液相的相对含量；（3分）（4）英磅的银币中含有92.5wt.%的Ag和7.5wt.%的Cu，试根据Ag-Cu相图，说明选择这一成份，而不是纯Ag制造银币的原因。

2018年广西桂林电子科技大学数字信号处理考研真题A卷

2018年广西桂林电子科技大学数字信号处理考研真题A 卷一、填空（每空3分，共计30分）1、序列()()cos 0.60.3x n n ππ=+的周期是。

2、已知序列(){1,4,5,2},12x n n =-≤≤，且有*()()j j Y e X eωω-=，则()j Y e ω的离散时间傅里叶反变换为()y n = 。

3、在16点按时间抽选的基2-FFT 中，需要次复数乘法。

4、若30},6,9,3,1{)(≤≤=n n x ，则圆周反折=>-<)(5n x 。

5、若)(n x 和)(n h 都是长度为4的序列，且30≤≤n ，若线性卷积 60},3,7,8,7,5,2,1{)(*)()(≤≤-==n n h n x n y l ，则圆周卷积)()(n x n y c =⑤=)(n h 。

6、对一个频带宽度为80Hz~40kHz 的连续时间信号进行采样，采样频率最低不少 Hz 时，可以由采样信号不失真地恢复原连续信号；将采样信号通过截止频率为 Hz 的理想低通网络，可不失真地恢复成原连续时间信号。

7、若序列)(n x 的DTFT ()cos(3)j X e ωω=，则序列()x n =8、在双线性变换法设计IIR 数字滤波器中，s 平面和z 平面的映射关系为。

9、在窗函数法设计FIR 滤波器中，窗具有最大的阻带最小衰减。

二、计算题（12分）设两个有限长序列()21,07x n n n =-≤≤，(){1,1,1},02h n n =-≤≤，（1）用基于6点DFT 和IDFT 的重叠相加法计算线性卷积；（2）计算7点圆周卷积。

三、计算题（12分）设44-},6,2,2,5-7,0,3-1,3{)(≤≤=n n x ，，，其离散时间傅里叶变换记为()j X e ω。

求下列关于()j X e ω函数的值。

（1）0()j X e（2） ()j X e π（3）-()j X e d πωπω⎰（4）2-()j X e d πωπω⎰四、计算题（12分）若50),(≤≤k k X ，是一个长度为6点实序列)(n x 的DFT ，且其前4个样值为{}0,56-,32,8)(j j k X +-=，(1)确定)(k X 剩下的样值；(2)若记()j X e ω为)(n x 的DTFT ，定义2/5()()04j k Y k X ek π=≤≤，，且)(n y 表示为其5点IDFT ，求)(n y 。

精编版-2018年广西桂林电子科技大学半导体物理考研真题A卷

2018年广西桂林电子科技大学半导体物理考研真题A卷请注意：答案必须写在答题册上（写在试题上无效）。

答题纸请注明页码与总页数。

一、解释什么是扩散运动。

（10分）
二、解释什么是PN结内建电场？（10分）
三、解释受主杂质的电离过程（10分）
四、解释N型半导体的简并化条件（10分）
五、解释基区宽度调变效应（10分）
六、作出正向偏压下PN结能带图，并简要说明形成过程（15分）
七、作出半导体、导体、金属的能带图并解释（15分）
八、（20分）已知突变结两边的杂质浓度为NA=1E16cm-3，ND=1E20cm-3，1）求势垒高度和势垒宽度；2）画出电场E(x)，V(x)图。

2018年桂林电子科技大学考研试题806电路、信号与系统

（3）若激励 ᆀ Ŗᆚᆀ 簸ᆀ彰，求系统的响应 ᆀ。
电路分析基础部分（75 分）
一、单项选择题（每小题 3 分共 15 分） 1. 下列说法错误的是（）
A. 电阻 R= 等效为开路，而 R=0 等效为短路；
B.电阻元件是一种耗能元件，不向外电路提供能量； C.在分析电路时，将独立电压源置零的作用相当于开路，而独立电流源置零的作用相当于短路
C. 50 0.4 H
D. 25 0.2 H
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5. 图 4 所示互感（耦合）元件的 T 型等效关系式正确的是（）
A.
La Lb
L1 L2
M M
B.
La Lb
M L2
M
C.
La Lb
L1 L2
M M
Lc M
Lc L1 M Lc M
D.
La Lb
L1 L2
a
a
1
1
R
4V —
U oc
2V
—
—
b
b
（a）（b）图2
4. 图 3 所示 RLC 串联谐振电路，通过调节电容 C 使得 I 与U 同相，此时测得的电压有效值 U=50V，
UL=200V，电流有效值 I=1A。已知 103 rad / s ，则 R 和 L 分别为（）
A. 50 0.2 H B. 50 0.1 H
线； D.受控源是一种线性、时不变的有源元件，反映的是电路中某种控制与被控制的关系。
2．图 1 所示电路中 1A 电流源产生的功率为（）
A. -4 W
B. –2 W
C. 2 W
D. 4 W
1A
2V
1
图1
3. 图 2 所示电路（a）的戴维南等效电路（b）的 U0C 和 R 分别为（）

2018年广西桂林电子科技大学通信原理考研真题A卷

2018年广西桂林电子科技大学通信原理考研真题A卷一、填空题（每小空2分，共40分）1．平稳随机过程的统计特性与无关。

2．AM信号的解调可以采用两种方式，分别是和。

3．一个随机数字信号由稳态波和交变波两部分构成，对应的功率谱分别为和。

4．数字基带系统中，为了提高频带利用率，可以采用技术。

5. 若基带传输滤波器有滚降特性，则频带利用率与滚降系数的关系为。

6. 幅度调制是用去控制载波的幅度参量。

7. 接收端对模拟信号解调时可能产生门限效应的调制方式是和。

8. 随参信道的主要特性有：信号传输的衰减时变，信号传输的时延时变和。

9. 编码信道的特性可以用概率来描述，这种概率通常称为。

10．常用的具有尖锐自相关特性的群同步码是码。

11．解调器的输出信噪比/输入信噪比称为。

12．对于均匀PCM编码方式，每增加1位编码将增加 dB的量噪比。

13．低频的话音信号能够在高频上传输，是因为采用了技术。

14. 影响数字基带系统可靠性的两个主要干扰因素是、。

15. 一个消息中包含信息量的多少和消息的重要程度。

16．最小频移键控MSK方式信号在码元的转换点时刻保持连续。

二、简答题（每小题6分，共30分）1. 通信中经常提到的高斯白噪声，其中的“高斯”和“白”分别具体表示什么？2. 简述时域均衡系统的基本思想。

3. 接收机中常见的带通滤波器其主要作用是什么？4. 与模拟系统相比，数字系统最突出的优缺点分别是什么？5. 写出下列缩写的完整英文：SSB，CDMA，PSK。

三、计算题（每小题10分，共30分）1. 设信源发送的信息代码为0110010，载波频率1500Hz，码元速率1000Bd。

（1）画出2PSK和2DPSK信号的波形；（2）画出等概时2PSK信号的最佳相关接收机的原理框图并给出最佳的误码率公式。

2．码元速率为4800 B的二进制数据通过一个数字基带系统传送，（1）要求无码间串扰，则系统带宽最小为多少？（2）若接收的数据为+1-1+10-1000-1+100+1-1+100-10+1，若为HDB3码，则相应的消息码为何？此时能否判断有无误码？3．采用13折线A律编码电路，设接收端收到的码组为“10110101”，设最小量化间隔为1个量化单位，并已知段内码采用自然二进制码：（1）试问译码器输出为多少量化单位；（2）写出对应于该7位码（不包括极性码）的均匀量化11位自然二进码。

2014桂林电子科技大学年硕士研究生入学考试复试试卷材料科学基础

桂林电子科技大学硕士研究生入学考试复试试卷考试科目代码： 223 考试科目名称：材料科学基础（A 卷）请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。

一、名词解释（共20分）1、均匀形核；2、布拉菲格子；3、柯肯达尔效应；4、显微组织；5、临界分切应力、临界分切应力二、简答题（共30分）6、根据细晶强化有关知识回答以下问题、根据细晶强化有关知识回答以下问题（1）什么是细晶强化？（5分）分）（2）细晶强化的机理是什么？（5分）分）（3）写出Hall-Petch 公式，说明公式中各字母的含义。

（10分）分）（4）举例说明Hall-Petch 公式在细晶强化方面应用的优缺点。

（5分）分）（5）材料在凝固的过程中，获得细晶粒的措施主要有哪些？（5分）分）三、作图计算题（共20分）7、在同一晶胞中画出FCC 晶体中的)021(晶面以及]211[晶向。

（10分）分） 8、在Al 单晶中，（111）面上有一位错]110[21a b =。

()111面上有另一位错]011[22a b =。

若两位错发生反应，请画图绘出新位错，并判断其性质。

(10分) 四、综合分析题(30分)9、根据下图所示的Fe-Fe 3C 相图相图 (第2页) （图中未标注的各点的横坐标分别为，H ：0.09，J ：0.17，B ：0.53，P ：0.0218，Q ：0.0008）（1）标注出图中（I ）、（II ）、（III ）、（IV ）区域内的相。

（4分）分）（2）请问纯Fe 从室温至熔点过程中经历了哪三种晶体结构的转化。

（3分）分）（3）什么是奥氏体，碳在奥氏体中的最大固溶度是多少？奥氏体属于空间点阵（3分）分）（4）计算w (C)=2.5%的二次渗碳体的析出量。

（5分）分）（5）画出w (C)=0.77%的共析钢的冷却曲线，并在冷却曲线上标出相应的相以及存在的相变，以及室温组织示意图。

（5分）分）（注意：画图时请在冷却曲线上标注与图中共析钢成分线旁边注明的1、2、3(33(3’’)、4等对应的关键点）。

2018年桂林电子科技大学《908电子技术综合(B)》研究生入学考研真题

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【试题六】（20 分）某时序逻辑电路如题 6 图所示。 ⑴ 写出驱动方程，求出状态方程。 ⑵ 画出状态转换图。 ⑶ 电路能否自启动，为什么？。 =1 Q F1 C CP 题6图【试题七】（15 分）题 7 图所示电路，已知其 VOH = 3.6V，VOL = 0.3V，VTH = 1.4V。试问： ⑴ 该电路的功能是什么？电阻 R 的取值如何限制？ ⑵ 电路稳态下 Vi 和 Vo 的电平值时多少？ ⑶ 电路对输入脉冲的宽度有何要求？若 R = 300Ω，C = 470µF，求输出脉宽 TW。 & Vi 1 R VA C 题7图 Vo Q C Q1 Q F2 Q C Q2 Q F3 Q Q3

A
uO
2R
2R R
2R R
2R R 题8图
2R +VREF i
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第 4 页共 4 页
10k
+
100k
Rg Rg 2

RL
Rs
+ uO _
ui
_
10M

10k
10k
2.4k
题3图
【试题四】（20 分）题 4 图所示的电路为理想运放电路。 ⑴ A1、A2、A3 各组成什么运算电路？ ⑵ A1、A2、A3 中有虚地吗？如果有指出虚地的位置。 ⑶ 写出 U o1 ， U o 2 和 U o 的表达式。
R2 U DZ
题2图
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【试题三】（20 分）题 3 图所示放大电路，已知场效应管 gm=1.4mA/V，所有电容对交流信号压降可忽略。试回答以下问题： ⑴ 指出 T 为何种类型的场效应管? ⑵ 试画出微变等效电路。 ⑶ 求其输入电阻、输出电阻和电压放大倍数。

2018年广西桂林电子科技大学工程力学考研真题A卷

2021年广西桂林电子科技大学工程力学考研真题A卷1.图示的压榨机构中，铰链B固定不动。

作用在铰链A处的水平力F使压块C压紧物体D。

试求物体D所受的压力。

杆自重及摩擦均不计。

〔10分〕第1题图第2题图2.图示均质杆AB，长为1.5 m,重为150 N,由绳子挂于房顶。

杆的两端与光滑铅锤壁接触。

试求A、B两点处的约束力。

〔15分〕3. 试计算图示平面桁架1、2、3杆的内力。

〔25分〕第3题图第4题图4. 图示均质矩形板用三根铅锤绳悬挂。

板重P=300 N，〔1〕假设a =0.64 m,试求板在水平位置保持平衡时三根绳中的拉力；〔2〕假设三根绳的拉力均为100 N,试问a的大小是多少？〔20分〕5.图示构架，自重不计，AC=AD=a=1.6m,CB=l=2 m,C与杆AB接触处的静摩擦系数f=0.35,铅锤力F=200 N。

假设在杆CD上加一力偶M e,试求〔20分〕：〔1〕抬起AB所需的力偶M e的大小〔10分〕〔2〕阻止AB下落的力偶矩M e的大小〔10分〕。

第5题图第6题图6.某吊杆构造的计算简图如下图。

CA是钢杆，横截面积A1=200 mm2,弹性模量E1=210GPa;DB 是铜杆，横截面积A2=800 mm2,弹性模量E1=100GPa。

设水平梁AB的刚度很大，其变形可忽略不计。

〔20分〕〔1〕欲使吊杆变形之后，梁AB仍保持水平，试求荷载F离杆DB的距离；〔10分〕〔2〕在上述条件下假设水平梁的竖向位移不得超过2mm,那么力F最大等于多少？〔10分〕7.变宽度悬臂梁如下图，其厚度h为常数，梁在自由端有集中力P作用，梁在固定端的宽度为b,假设P、l、b、h均为，试求梁的挠曲线方程。

〔20分〕第7题图第8题图8.杆AB长l = 0.2m,以等角速度ω=0.5rad/s绕点B转动，故φ=0.5t.与杆铰接的滑块B 那么按规律x B=0.2+0.5sinωt (单位：m)沿水平线做简谐振动。

试求点A的轨迹及t =0时的速度。

2018年广西桂林电子科技大学电子技术综合(A)考研真题

2021年广西桂林电子科技大学电子技术综合(A)考研真题第一部分模拟电子技术〔总分值75分〕一、选择题〔每题2分共20分〕1、由NPN 管组成的单管共射放大电路，当输入正弦波电压时，输出u O 如下图，可确定输出波形产生的失真为〔〕。

A 、饱和失真B 、截止失真C 、交越失真D 、频率失真2、某传感器产生的电压信号〔几乎不能提供电流〕，进过放大后希望输出电压信号成正比，这时放大电路应选〔〕A ．电流串联负反应B ．电压并联负反应C ．电流并联负反应D ．电压串联负反应 3、工作在电压比拟器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是：A ．开环或正反应状态B ．深度负反应状态C ．放大状态D ．线性工作状态 4、某负反应放大电路，其开环增益9.9mS iu A =，反应系数10ui F k =Ω，开环输入电阻5.0i R K '=Ω，可推算出其闭环输入电阻ifR '=〔〕。

A. 500k Ω；B. 50k Ω；C.50Ω；D. 5Ω5、有两个增益一样，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一个具有内阻的信号源电压进展放大。

在负载开路的条件下，测得A 放大器的输出电压小，这说明A 的〔〕 A ．输入电阻大 B ．输入电阻小 C ．输出电阻大 D ．输出电阻小6、在负反应电路中自激振荡的平衡条件是〔〕。

A 、附加相移2,1n AF ϕπ∆=±≥B 、附加相移2(1),1n AF ϕπ∆=±+=C 、附加相移2,1n AF ϕπ∆=±<D 、附加相移2(1),1n AF ϕπ∆=±+< 7、放大电路产生零点漂移的主要原因是〔〕 A ．采用了直接耦合方式 B ．采用了阻容耦合方式 C ．采用了正、负双电源供电 D ．增益太大8、二阶压控电压源低通有源滤波器通带外幅频响应曲线的斜率为〔〕A ．20dB/十倍频程B ．-20dB/十倍频程C ．40dB/十倍频程D ．-40dB/十倍频程 9、甲乙类互补对称电路与乙类互补对称电路相比，主要优点是〔〕。

桂林电子科技大学材料科学基础B2013—2018年考研真题试题

第 1 页共 3 页桂林电子科技大学2013年研究生统一入学考试试题
（A 卷）
科目代码：909 科目名称：材料科学基础（B ）请注意：答案必须写在答题纸上（写在试题上无效）。

一、名词解释（任选6题作答，每题5分，共30分）
1、晶面间距；
2、肖特基缺陷；
3、刃型位错；
4、非均匀形核；
5、柯肯达尔效应；
6、莱氏体；
7、桥氧；
8、烧结
二、简答题（任选4题作答，每题10分，共40分）
1、证明理想密排六方结构晶体的轴比
c/a 为1.633。

2、什么是细晶强化？简述细晶强化的机理。

3、什么是置换固溶体？影响置换固溶体溶解度的因素有哪些？形成无限固溶体的必要条件是什么？
4、简述F-R （弗兰克-瑞德）位错增殖机制，并予以图示。

5、NaCl 溶入CaCl 2中形成空位型固溶体，请写出其缺陷反应式。

6、试描述固相烧结过程中三个阶段的特点？
三、分析题（任选2题作答，每题15分，共30分）
1、在同一晶胞中画出立方晶系中的晶面以及晶向。

)321(]123[2、分析位错反应能否发生？（要求写出判断依据）。

]111[3]
211[6]110[2a
a
a 3、根据Al 2O 3-SiO 2系统相图（下图）说明，为了保持较高的耐火度，在生产硅砖时应注意什么？。

桂林电子科技大学材料科学基础A卷2013年考研复试专业课真题试卷

桂林电子科技大学 2013 年硕士研究生入学考试复试试卷
考试科目代码： 223
考试科目名称：材料科学基础（A 卷）
请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。一、名词解释（每题 4 分，共 20 分）
1、非均匀形核；2、肖特基缺陷；3、柯肯达尔效应；4、显微组织；5、珠光体二、简答题（每题 10 分，共 40 分） 6、（1）什么是细晶强化？（2）细晶强化的机理是什么？（3）写出 Hall-Petch 公式，并说明公式中各字母的含义以及该公式在细晶强化方面的应用价值。（4）材料在凝固的过程中，获得细晶粒的措施主要有哪些？
7、分析位错反应
a[100]

a 2
[111]

a 2
[111]
能否发生？（要求写出判断依据）
8、写出 FCC 晶体结构的配位数，致密度，密排晶面，并计算密排面的面间距（设晶格常
数为 a，要求写出计算过程）。
9、假设晶体内部原子从 A 处迁移到 B 处，在 500°C 时的跳跃频率（Γ）为 5×108 次/s，800°C
（注意：画图时请在冷却曲线上标注与图中共析钢成分线旁边注明的 1、2、 3(3’)、4 等对
应的关键点）。
（5）结合自己的学习和工作实际，谈谈 Fe-Fe3C 相图在生产实践和科研工作中的地位和作用。（8 分）。
共11、根据下图所示的 Fe-Fe3C 相图 (第 2 页) （图中未标注的各点的横坐标分别为，H：0.09，J：0.17，B：0.53，P：0.0218，Q：0.0008）
共 2页
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请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。（1）标注出图中（I）、（II）、（III）、（IV）区域内的相。（4 分）