ROM-RAM-Flash等存储设备总结

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什么是ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH及区别

什么是ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH及区别
09-05-29 14:02
发表于：《南京安防工程》分类：未分类
在门禁系统中，控制器的内存是一个很关键的参数，大家一体来了解一下各种内存的感念和区别吧，网上摘录，供大家参考：
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素：
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。
DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
B) 位交换

RAM,ROM,EEPROM,FLASH区别

ROM是只读内存（Read-Only Memory）的简称，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。

其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。

通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，并且资料不会因为电源关闭而消失。

ROM所存数据，一般是装入整机前事先写好的，整机工作过程中只能读出，而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。

ROM所存数据稳定，断电后所存数据也不会改变；其结构较简单，读出较方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。

此类存储器多用来存放固件，比如计算机启动的引导程序，计算机启动用的BIOS芯片，手机、MP3、MP4、数码相机等一些电子产品的相应的自带程序代码，这种用户可以通过刷机方式读写RAM。

此内存的制造成本较低，常用于电脑中的开机启动如启动光盘，在系统装好的电脑上时，计算机将C盘目录下的操作系统文件读取至内存，然后通过cpu调用各种配件进行工作这时系统存放存储器为RAM 。

EPROM、EEPROM、Flash ROM(NOR Flash 和NAND Flash)，性能同ROM，但可改写。

一般读出比写入快，写入需要比读出更高的电压（读5V写12V）。

而Flash可以在相同电压下读写，且容量大、成本低，如今在U盘、MP3中使用广泛。

在计算机系统里，RAM一般用作内存，ROM用来存放一些硬件的驱动程序，也就是固件。

RAM（random access memory）随机存储器。

存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。

这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。

按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机存储器（Dynamic RAM,DRAM)。

所谓“随机存取”，指的是当存储器中的数据被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。

相对的，读取或写入顺序访问（Sequential Access）存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系（如磁带）当电源关闭时RAM不能保留数据。

ROM、RAM、Flash memory的区别(表格版)

用于对存储容量要求较高的MP3、存储卡、U盘等领域。正是如此，NAND Flash也被称为数据闪存（Data Flash）。
RAM
不同SRAM
特点
SRAM
DRAM
DDRAM（基于）
全称
Static RAM，静态随机存储器
DynamicRAM，动态随机存储器
Double Data Rate SDRAM，双倍速率随机存储器
PROM、EPROM、E2PROM
速度
较快
较慢
ROM
不同ROM
特点
Mask ROM
PROM
EPROM
E2PROM
Flash ROM
写入次数
一次性由厂家写入数据，用户无法修改
出厂并未写入数据，由用户编程一次性写入数据
通过紫外光的照射，擦掉原先的程序。芯片可重复写入
通过加电擦出原数据，通过高压脉冲可以写入数据。使用方便但价格较高，而且写入时间较长，写入较慢
存储设备
存储器
特点
RAM
Flash Memory
ROM
中文名称
（Random Access Memory）的全名为随机存取器
FLASH存储器又称闪存
ROM（Read Only Memory）的全名为只读存储器
电源关闭数据是否保留
否
是
是
主要分类
SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）
NOR Flash和NAND Flash型
可靠性和耐用性
寿命(耐用性)
NAND Flash中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR Flash的读写次数是十万次。典型的NAND Flash块尺寸要比NOR型闪存小8倍。

ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别

ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。

RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。

另一种称为动态RAM（Dynamic RAM /DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。

DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和S DRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。

这是目前电脑中用得最多的内存。

在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

内存工作原理：内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。

具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。

但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。

单片机中的ROM,RAM和FLASH的作用

单⽚机中的ROM,RAM和FLASH的作⽤ROM,RAM和FLASH的区别，下⾯主要是具体到他们在单⽚机中的作⽤。

⼀、ROM,RAM和FLASH在单⽚中的作⽤ROM——存储固化程序的（存放指令代码和⼀些固定数值，程序运⾏后不可改动）c⽂件及h⽂件中所有代码、全局变量、局部变量、’const’限定符定义的常量数据、startup.asm⽂件中的代码（类似ARM中的bootloader或者X86中的BIOS，⼀些低端的单⽚机是没有这个的）通通都存储在ROM中。

RAM——程序运⾏中数据的随机存取（掉电后数据消失）整个程序中，所⽤到的需要被改写的量，都存储在RAM中，“被改变的量”包括全局变量、局部变量、堆栈段。

FLASH——存储⽤户程序和需要永久保存的数据。

例如：现在家⽤的电⼦式电度表，它的内核是⼀款单⽚机，该单⽚机的程序就是存放在ROM⾥的。

电度表在⼯作过程中，是要运算数据的，要采集电压和电流，并根据电压和电流计算出电度来。

电压和电流时⼀个适时的数据，⽤户不关⼼，它只是⽤来计算电度⽤，计算完后该次采集的数据就⽤完了，然后再采集下⼀次，因此这些值就没必要永久存储，就把它放在RAM⾥边。

然⽽计算完的电度，是需要永久保存的，单⽚机会定时或者在停电的瞬间将电度数存⼊到FLASH⾥。

⼆、ROM,RAM和FLASH在单⽚中的运作原理1、程序经过编译、汇编、链接后，⽣成hex⽂件；2、⽤专⽤的烧录软件，通过烧录器将hex⽂件烧录到ROM中注：这个时候的ROM中，包含所有的程序内容：⼀⾏⼀⾏的程序代码、函数中⽤到的局部变量、头⽂件中所声明的全局变量，const声明的只读常量等，都被⽣成了⼆进制数据。

疑问：既然所有的数据在ROM中，那RAM中的数据从哪⾥来？什么时候CPU将数据加载到RAM中？会不会是在烧录的时候，已经将需要放在RAM中数据烧录到了RAM中？答：（1）ROM是只读存储器，CPU只能从⾥⾯读数据，⽽不能往⾥⾯写数据，掉电后数据依然保存在存储器中；RAM是随机存储器，CPU既可以从⾥⾯读出数据，⼜可以往⾥⾯写⼊数据，掉电后数据不保存，这是条永恒的真理，始终记挂在⼼。

RAM或ROM_和FLASH存储的区别总结

储存器IC：RAM随机储存器ROM只读储存器一、RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)RAM的特点是：电脑开机时，操作系统和应用程序的所有正在运行的数据和程序都会放置其中，并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存取。

它的工作需要由持续的电力提供，一旦系统断电，存放在里面的所有数据和程序都会自动清空掉，并且再也无法恢复。

根据组成元件的不同，RAM内存又分为以下十八种：01.DRAM（Dynamic RAM，动态随机存取存储器）这是最普通的RAM，一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，DRAM将每个内存位作为一个电荷保存在位存储单元中，用电容的充放电来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数据会丢失。

存取时间和放电时间一致，约为2~4ms。

因为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。

02.SRAM（Static RAM，静态随机存取存储器）静态，指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。

每6颗电子管组成一个位存储单元，因为没有电容器，因此无须不断充电即可正常运作，因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定，往往用来做高速缓存。

03.VRAM（Video RAM，视频内存）它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中，有效降低绘图显示芯片的工作负担。

它采用双数据口设计，其中一个数据口是并行式的数据输出入口，另一个是串行式的数据输出口。

多用于高级显卡中的高档内存。

04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器）改良版的DRAM，大多数为72Pin或30Pin的模块。

传统的DRAM在存取一个BIT的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。

而FRM DRAM 在触发了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行内，则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。

由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的，这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据。

各类ROM.FLASH,RAM,内存芯片理解

接口ROM Real Only Memory，EEPROM .flash现在俗称都可以算ROMNAND FLASH 仅有IO口，地址和数据复用IO口，其他片选,时钟等类似，掉电保持。

可以将程序写在NAND中，ARM中有控制器会将NAND中的程序引导至片上RAM然后运行，读写是按扇区NOR FLASH 地址口，数据口分开，同时可以EIP,execute in place片上执行，听说是作为启动FLASH的好东西，读取方式和SDRAM是一样的EEPROM 在FLASH之前，统治ROM很久，目前使用的，最大区别是，读写简单，很多使用SPI或者I2C接口，存储用字节，很适合在程序运行过程中，存储一些运行数据，而FLASH更多用于存程序而不是运行数据，因为写入EEPROM写入要比FLASH简单RAM 各类SDRAM,SRAM,DRAM等都属于RAM。

RamdomAccessMemory，指能够在任意时刻在任意存储位置进行读写，读写速度与数据位置无关，区别于早期的顺序存储Sequential Access，如磁带等。

这里的随机，我个人觉得意思接近于随意，任意的意思，而不是随机的不定SRAM Static RAM，不需要刷新，既可以保持数据，掉电丢失。

贵，通常用于CPU内部的片上内存-Cache缓存DRAM dynamic RAM，区别于SRAM，需要刷新电路才可以保持数据，否则数据就会丢失。

掉电一样丢数据,一般以SDRAM形式出现。

SDRAM Synchronous Dynamic RAM，同步的DRAM，注意S是同步，不是静态！同步意思之前已经了解了，即通讯时双方需要建立时钟同步，CLK引脚实现。

时钟片选读写许可，地址口，数据口DDR SDRAM 有的时候会简称DDR，因为现在基础速度的SDRAM已经很落后，DDR-Dual Date Rate SDRAM,双倍速度，在CLK上升沿和下降沿均传输一次数据。

RAM、ROM和Flash的区别

一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On Chip)和我们通常用的"闪盘"，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Mxic，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba及Hynix。
ROM(Read Only Memory)的全名为唯读记忆体，它相当于PC机上的硬盘，用来存储和保存数据。ROM数据不能随意更新，但是在任何时候都可以读取。即使是断电，ROM也能够保留数据。但是资料一但写入后只能用特殊方法或根本无法更改，因此ROM常在嵌入式系统中担任存放作业系统的用途。现在市面上主流的PDA的ROM大小是64MB以及128MB。
内存工作原理：内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM)，动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。
具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于 1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。
ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM(可擦除可编程ROM)两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。

RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器区别

RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器区别常见存储器概念：RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器可以分为很多种类，其中根据掉电数据是否丢失可以分为RAM（随机存取存储器）和ROM（只读存储器），其中RAM的访问速度比较快，但掉电后数据会丢失，而ROM掉电后数据不会丢失。

在单片机中，RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据.FLASH:单片机运行的程序存储的地方。

SRAM：存储单片机运行过程中产生的了临时数据。

EEPROM：视用户的需要而定，一般用来存储系统的一些参数，这些参数可能需要修改，也可能不会修改。

ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。

ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。

另外，一些变量，都是放到RAM里的，一些初始化数据比如液晶要显示的内容界面，都是放到FLASH区里的（也就是以前说的ROM区），EEPROM可用可不用，主要是存一些运行中的数据，掉电后且不丢失RAM 又可分为SRAM（Static RAM/静态存储器）和DRAM（Dynamic RAM/动态存储器）。

SRAM 是利用双稳态触发器来保存信息的，只要不掉电，信息是不会丢失的。

DRAM是利用MOS（金属氧化物半导体）电容存储电荷来储存信息，因此必须通过不停的给电容充电来维持信息，所以DRAM 的成本、集成度、功耗等明显优于SRAM。

SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。

DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

Flash、RAM、ROM的区别

一、ROM(Read Only Memory)ROM(Read Only Memory),只读存储器。

用来存储和保存数据。

ROM数据不能随意更新，但是在任何时候都可以读取。

即使是断电，ROM也能够保留数据。

ROM也有很多种:PROM是可编程一次性(无法修改)的ROM;EPROM是紫外线可擦除可编程的ROM；EEPROM是电可擦除可编程的ROM,按字节进行删除和重写,写入时间很长，写入很慢;现在多用作非易失的数据存储器。

特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。

这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。

具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。

因此目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K的。

二、RAM(Random Access Memory)RAM(Random Access Memory),随机存取存储器。

是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫内存。

它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介,当电源关闭时RAM不能保留数据。

RAM可以进一步分为静态RAM（SRAM）和动态内存（DRAM）两大类。

静态RAM（Static RAM/SRAM）:SRAM速度非常快，不需要刷新电路即能保存数据，是目前读写最快的存储设备了，但是集成度较低，非常昂贵，多用于CPU的一级缓存，二级缓存(L1/L2Cache)。

动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短(需要内存刷新电路，每隔一段时间，刷新充电一次，否则数据会消失)，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。

flash，Rom，RAM，nvram的区别（思科设备）

flash，Rom，RAM，nvram的区别（思科设备）路由器的启动过程简单来说分为三个部分1.硬件检查2.运⾏IOS3.导⼊配置⽂件。

要了解路由器的启动过程⾸先要来了解⼀下路由器的主要存储硬件和它们的作⽤。

ROM是⼀个⽤于维护路由器的硬件它存储着POST程序bootstrap程序以及Mini IOS。

Flash它是⽤来存储路由器完整IOS镜像的硬件。

IOS就相当于思科路由器的没有IOS或者IOS镜像损坏的路由器是⽆法⼯作的。

NVRAM是⽤于存放路由器的启动配置⽂件Startup-config的硬件。

路由器启动前最后⼀次保存的配置都储存在这⾥。

RAM存储路由器启动时由启动配置⽂件拷贝⽽来的运⾏配置⽂件Running-config解压后的IOS以及学习到的路由表Routing-table和包队列。

接下来详细了解⼀下思科路由器的启动过程⼀、路由器加电后⾸先运⾏ROM中的POST程序Power On Self Test对路由器的硬件进⾏检测俗称加电⾃检。

⼆、检测通过后紧接着执⾏ROM中的引导程序bootstrap并根据寄存器值register来决定启动⽅式。

寄存器值的格式为0x21YZ Y列的状态0x210Z从nvram加载配置⽂件0x214Z不从nvram加载配置⽂件Z列的状态0x21Y0从rommon启动提⽰符为路由器启动时按CtrlBreak0x21Y1从mini ios启动提⽰符为Routerboot0x21Y，从flash启动提⽰符为Router我们经常使⽤的两个寄存器值0x2102正常0x2142不读取保存的配置。

三、如果正常启动则按引导程序到Flash中查找IOS镜像。

如果找到IOS镜像则读取后正常启动。

如果没有找到IOS镜像则进⼊即Mini IOS启动。

下可使⽤TFTP上的IOS或使⽤TFTP/X-modem为路由器重新灌⼀个IOS。

如果Mini IOS也启动失败则进⼊rom monitor模式。

嵌入式学习之彻底搞清ROM、RAM、DRAM和FLASH

嵌入式学习之彻底搞清ROM、RAM、DRAM和FLASHROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。

ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。

RAM有两大类，一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。

另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。

DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。

这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM。

在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

内存工作原理：内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM)，动态内存中所谓的“动态”，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。

具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。

计算机存储器的种类及其特点

计算机存储器的种类及其特点计算机存储器是计算机系统中的重要组成部分，用于存储程序和数据。

随着计算机技术的进步，各种类型的计算机存储器相继出现。

本文将详细介绍计算机存储器的种类及其特点。

一、内存的种类及特点1. 随机存储器（RAM）随机存储器（Random Access Memory，RAM）是计算机中应用最为广泛的存储器。

RAM以字节为单位存储数据，并可以随机访问任意存储单元，具有读写速度快的特点。

RAM一般分为静态随机存储器（SRAM）和动态随机存储器（DRAM）两种。

SRAM的读写速度更快，但体积较大，价格较高；DRAM则具有体积小、价格低的优势。

2. 只读存储器（ROM）只读存储器（Read-Only Memory，ROM）是一种只能读取而不能写入的存储器。

ROM中的数据在生产之前被录入，用户不能更改。

ROM一般用于存储系统的启动程序和固化数据，具有稳定性高、可靠性好的特点。

3. 可擦写可编程存储器（EPROM）可擦写可编程存储器（Erasable Programmable Read-Only Memory，EPROM）是一种介于ROM和RAM之间的存储器。

EPROM中的数据可被用户编程，并可多次擦写。

EPROM的一大特点是数据可以长期保存，即使在断电或断电后重新上电也能保持数据。

但擦写需要特殊的设备和操作。

4. 闪存存储器闪存存储器（Flash Memory）是一种可擦写的存储器，也被广泛用于存储数据。

与EPROM相比，闪存存储器具有容量大、体积小、功耗低、擦写速度快等优点。

闪存存储器一般分为NAND Flash和NOR Flash两种类型，用途不同。

NANDFlash主要用于存储大容量数据，如移动设备中的存储卡；而NOR Flash更适用于读取频繁的应用，如固态硬盘。

二、外存的种类及特点1. 硬盘驱动器（HDD）硬盘驱动器（Hard Disk Drive，HDD）是一种机械式的存储设备，常用于计算机的外部存储。

ROM、RAM、Flash memory的区别

2、NOR Flash容量一般较小，通常在1MB~8MB之间。而NAND Flash只是用在8MB以上的产品当中，这也说明了NOR Flash主要应用在代码存储介质中，NAND Flash适用于资料存储。NAND Flash在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场所占份额最大。
NAND Flash
性能比较
1、NOR Flash的读速度比NAND Flash的读速度；
2、NAND Flash的写入速度比NOR Flash快很多；
3、NAND Flash的4ms擦出速度远比NOR Flash的5s快。大多数写入操作需要先进行擦除操作。
4、NAND Flash的随机读取能力差，适合大量数据的连续读写。
PROM、EPROM、E2PROM
速度
较快
较慢
ROM
不同ROM
特点
Mask ROM
PROMEPROME2 NhomakorabeaROMFlash ROM
写入次数
一次性由厂家写入数据，用户无法修改
出厂并未写入数据，由用户编程一次性写入数据
通过紫外光的照射，擦掉原先的程序。芯片可重复写入
通过加电擦出原数据，通过高压脉冲可以写入数据。使用方便但价格较高，而且写入时间较长，写入较慢
2、NAND Flash读和写操作采用512B的块，有点像硬盘管理操作。因此基于NAND Flash结构可以取代硬盘或其他设备。
容量和成本
1、NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR Flash的一半，由于生产过程更为简单，NAND Flash结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也相应地降低了价格。
接口差别
1、NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND Flash地址、数据和命令共用8位总线(Samsung公司某些新的NAND Flash有16位总线)，每次读写都要使用复杂的I/O接口串行地存储数据，8个引脚用来传送控制、地址和资料信息。

计算机存储器的种类和特点详解

计算机存储器的种类和特点详解计算机存储器是计算机硬件中非常重要的组成部分，它用于存储和读取数据。

根据存储介质和特点的不同，计算机存储器可以分为以下几种主要类型：内存、硬盘、固态硬盘(SSD)、光盘和闪存。

下面将详细介绍每一种存储器的特点。

1. 内存 (Memory):内存是计算机中最重要的存储器之一，也被称为主存储器。

它用于存储计算机正在运行的程序和数据，以便CPU可以快速访问。

内存分为随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)两种类型。

- RAM: RAM是一种易失性存储器，数据存储在内存中，但在断电后会丢失。

RAM的特点是读写速度快，能够同时读写多个地址，但成本较高。

- ROM: ROM是一种只读存储器，其中存储的数据是在制造过程中写入的，用户无法修改。

ROM的特点是数据永久保存，断电后数据不会丢失。

2. 硬盘(Hard Disk Drive, HDD):硬盘是一种机械式存储器，用于长期存储大量数据。

通过将数据保存在旋转的磁盘上，硬盘可以实现读写操作。

硬盘的特点包括：- 大容量: 硬盘可以提供较大的存储容量，能够满足用户对大量数据存储的需求。

- 较低的成本: 硬盘相对于其他存储器类型具有较低的成本，使其成为用户经济实惠的选择。

- 机械构造: 硬盘采用机械旋转磁盘结构，导致读写速度相对较慢，不适合大量随机读写操作。

3. 固态硬盘 (Solid State Drive, SSD):与硬盘相比，固态硬盘采用了不同的存储技术。

它使用闪存芯片进行数据存储，而不是机械式旋转磁盘。

固态硬盘的特点包括：- 快速读写速度: 由于采用了闪存芯片的存储结构，固态硬盘具有快速的数据读写速度，适合大量随机读写操作。

- 低功耗: 固态硬盘相比硬盘具有较低的功耗，有助于延长笔记本电脑电池的使用时间。

- 可靠性: 由于无机械旋转部件，固态硬盘相对于硬盘有较高的可靠性和耐用性。

4. 光盘 (Optical Disc):光盘是一种利用激光对光学介质进行读写的存储器。

RAM、ROM和FLASH三大类常见存储器介绍

RAM. ROM和FLASH三大类常见存储器介绍电脑存储器在计算机上有两种含义。

一种指的是物理存储器，它决定计算机可以存储多少文件。

而另一种指的是随机存取存储器RAM ,它在很大程度上决定了计算机的运行速度。

RAM:速度最快，掉电丢失数据，容量小，价格贵RAM英文名random access memory ,随机存储器，之所以叫随机存储器是因为：当对RAM进行数据读取或写入的时候，花费的时间和这段信息所在的位置或写入的位置无关。

RAM分为两大类：SRAM和DRAM OSRAM是静态（S指的static ） RAM，静态指的不需要刷新电路，数据不会丢失, SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了。

DRAM是动态RAM ,动态指的每隔一段时间就要刷新一次数据，才能保存数据，速度也比SRAM慢,不过它还是比彳皆可的ROM都要快。

ROM:掉电不丢失数据，容量大，价格便宜ROM英文名Read-Only Memory ,只读存储器，里面数据在正常应用的时候只能读，不能写，存储速度不如RAM。

PROM : （P指的programmable ）可编程ROM,根据用户需求，来写入内容，但是只能写一次，就不能再改变了。

EPROM :PROM的升级版，可以多次编程更改只能使用紫外线擦除；EEPROM : 升级版，可以多次编程更改，使用电擦除。

FLASH :掉电不丢失数据，容量大，价格便宜FLASH :存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM ）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据。

分为NAND FLASH 和NOR FLASH , NOR FLASH 读取速度比NAND FLASH 快，但是容量不如NAND FLASH，价格上也更高，但是NOR FLASH可以芯片内执行，样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。

NANDFLASH密度更大，可以作为大数据的存储。

RAM、ROM和FLASH三大类常见存储器简介

RAM、ROM和FLASH三大类常见存储器简介
最近因为在找实习工作,做了一些大公司的硬件笔试题,发现很多公司都有
对存储器的考察,从来没有系统的整理过存储器的种类，是时候来一波整理了
以下主要讲了：RAM、ROM和FLASH三大类。
RAM包括：SRAM、DRAM、SDRAM、DDRSDRAM、DDR2SDRAM
和DDR3SDRAM
ROM包括：PROM、EPROM和EEPROM
FLASH包括：NORFLASH和NANDFLASH
RAM
速度最快，掉电丢失数据，容量小，价格贵
RAM英文名randomaccessmemory，随机存储器，之所以叫随机存储器
是因为：当对RAM进行数据读取或写入的时候，花费的时间和这段信息所
EEPROM：升级版，可以多次编程更改，使用电擦除
FLASH
掉电不丢失数据，容量大，价格便宜
FLASH：存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电
子可擦ห้องสมุดไป่ตู้可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读
取数据。分为NANDFLASH和NORFLASH，NORFLASH读取速度比
ROM
掉电不丢失数据，容量大，价格便宜
ROM英文名Read-OnlyMemory，只读存储器，里面数据在正常应用的时
候只能读，不能写，存储速度不如RAM。
PROM：（P指的programmable）可编程ROM，根据用户需求，来写入
内容，但是只能写一次，就不能再改变了
EPROM：PROM的升级版，可以多次编程更改，只能使用紫外线擦除
SDRAM是同步（S指的是synchronous）DRAM，同步是指内存工作需要

单片机的存储结构

单片机的存储结构单片机作为一种集成电路芯片，是现代电子产品中不可或缺的组成元素。

单片机具有存储和处理信息的功能，而其存储结构则起着至关重要的作用。

本文将介绍单片机的存储结构，包括ROM、RAM和Flash存储器以及EEPROM和外部存储器等方面的内容。

一、ROM（只读存储器）ROM是单片机中一种常见的存储器类型，其中存储的数据通常是在生产过程中被写入的，且在芯片被制造后无法被改变。

ROM中的数据在单片机启动时被直接读取，可供程序使用。

ROM又可分为Mask ROM和EPROM，其中Mask ROM在制造过程中被编程，无法被擦除和写入新的数据；EPROM则可通过特殊设备进行擦写和编程操作。

二、RAM（随机存储器）RAM是单片机中的一种易失性存储器，数据在断电后会丢失。

RAM被用来存储程序运行时需要的临时数据和变量。

单片机中常见的RAM类型包括静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）。

SRAM 速度较快，且易于控制，但占用空间较大；DRAM则容量较大，但需要定期刷新以保持数据的正确性。

三、Flash存储器Flash存储器是一种具有非易失性特性的存储器，它在断电后可以保持数据。

Flash存储器通常用于存储单片机的程序。

与EEPROM相比，Flash存储器具有容量大、速度快和擦写次数多等优势，但在擦写操作时需要整体擦除，而无法对单个字节进行擦写。

四、EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）EEPROM是一种可以通过电子方法擦除和编程的存储器。

与Flash存储器相似，EEPROM具有非易失性特性，但相比之下擦写速度较慢，擦写次数也相对较少。

EEPROM的应用范围广泛，常用于存储单片机中需要修改的配置信息、用户数据等。

五、外部存储器除了上述的内部存储器之外，单片机还可以通过外部存储器进行扩展。

外部存储器可以是闪存卡、SD卡、硬盘等，通过外部接口与单片机进行数据交互。

外部存储器的主要优势是容量大且便于数据的传输和存储，但也会增加系统的复杂性和成本。

内存_RAM或ROM_和FLASH存储的真正区别总结

内存_RAM或ROM_和FLASH存储的真正区别总结1.什么是内存什么是内存呢？在计算机的组成结构中，有⼀个很重要的部分，就是存储器。

存储器是⽤来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常⼯作。

存储器的种类很多，按其⽤途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器⼜称内存储器（简称内存），辅助存储器⼜称外存储器（简称外存）。

外存通常是磁性介质或光盘，像硬盘，软盘，磁带，CD等，能长期保存信息，并且不依赖于电来保存信息，但是由机械部件带动，速度与CPU相⽐就显得慢的多。

内存指的就是主板上的存储部件，是CPU直接与之沟通，并⽤其存储数据的部件，存放当前正在使⽤的（即执⾏中）的数据和程序，它的物理实质就是⼀组或多组具备数据输⼊输出和数据存储功能的集成电路，内存只⽤于暂时存放程序和数据，⼀旦关闭电源或发⽣断电，其中的程序和数据就会丢失。

2.内存⼯作原理：内存是⽤来存放当前正在使⽤的（即执⾏中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的''动态''，指的是当我们将数据写⼊DRAM后，经过⼀段时间，数据会丢失，因此需要⼀个额外设电路进⾏内存刷新操作。

具体的⼯作过程是这样的：⼀个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，⽆电荷代表0。

但时间⼀长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进⾏检查，若电量⼤于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量⼩于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。

ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是⼀次性的，也就是软件灌⼊后，就⽆法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使⽤了，⽽EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是⼀种通⽤的存储器。

ROMRAMFLASH知识汇总

ROMRAMFLASH知识汇总ROM（只读存储器）：ROM是一种只能读取数据的存储器，它是一种非易失性存储器，不断电时数据不会丢失。

ROM是在制造时被写入数据的，因此它的内容在使用时不能被修改或删除。

ROM广泛应用于电子设备中，如计算机、手机、电视等。

ROM主要有以下几种类型：1. Mask ROM：也称为固化ROM，它是在制造过程中使用工艺将数据硬编码到存储芯片中的。

Mask ROM具有稳定的性能和可靠性，但其数据无法改变。

2.PROM（可编程只读存储器）：PROM可以在生产时由用户自行编程，但一旦编程完成，数据便无法修改或删除。

3.EPROM（可擦除可编程只读存储器）：EPROM在编程前需要先擦除数据，擦除方式可以通过紫外线照射或电子擦除。

擦除后，EPROM的存储单元可以重新编程，但编程次数有限。

4.EEPROM（电可擦可编程只读存储器）：EEPROM与EPROM相似，但擦除和编程过程可以在电子设备中进行，无需移除芯片。

EEPROM可以通过电压调节存储单元的电荷来编程和擦除数据。

5. Flash ROM：它是一种使用闪存技术的ROM，具有电可擦可编程的特性。

Flash ROM主要用于存储固件、操作系统和用户数据。

Flash ROM可以通过特定的技术和算法擦除和重新编程数据。

RAM（随机存取存储器）：RAM是一种适于读写操作的存储器，它可以读取或写入数据，并且数据可以随机访问，也能够将数据保存在电源关闭时。

RAM是一种易失性存储器，当断电时数据将丢失，因此通常需要一个电源来保持数据的持久性。

RAM有两种主要类型：1.SRAM（静态随机存取存储器）：SRAM使用触发器电路来存储每个位的数据。

SRAM速度快，存取时间短，但它的功耗较高，在相同容量下会占用较多的芯片面积。

2.DRAM（动态随机存取存储器）：DRAM使用电容来存储每个位的数据，每个位都需要不断刷新来保持数据的持久性。

DRAM速度相对较慢，但它的功耗低，在相同容量下占用较少的芯片面积。