双向可控硅好坏检测方法

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单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法

单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法

单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法可控硅的检测1.单向可控硅的检测万用表选用电阻R×1档,用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑笔接的引脚为控制极G,红笔接的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。

此时将黑表笔接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极K。

此时万用表指针应不动。

用短接线瞬间短接阳极A和控制极G,此时万用表指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。

如阳极A接黑表笔,阴极K接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。

2.双向可控硅的检测用万用表电阻R×1档,用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻,结果其中两组读数为无穷大。

若一组为数十欧姆时,该组红黑表笔所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G,另一空脚即为第二阳极A2。

确定A、G极后,再仔细测量A1、G极间正反向电阻,读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1,红表笔所接引脚为控制极G。

将黑表笔接已确定了的第二阳极A2,红表笔接第一阳极A1,此时万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大。

再用短接线将A2、G极瞬间短接,给G极加上正向触发电压,A2、A1间阻值约为10欧姆左右。

随后断开A2、G极短接线,万用表读数应保持10欧姆左右。

互换红黑表笔接线,红表笔接第二阳极A2,黑表笔接第一阳极A1。

同样万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大。

用短接线将A2、G极间再次瞬间短接,给G极加上负向的触发电压,A1、A2间阻值也是10欧姆左右。

随后断开A2、G极间短接线,万用表读数应不变,保持10欧姆左右。

符合以上规律,说明被测双向可控硅管未损坏且三个引脚极性判断正确。

检测较大功率可控硅管是地,需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池,以提高触发电压。

双向可控硅(TRIAC)在控制交流电源控制领域的运用非常广泛,如我们的日光灯调光电路、交流电机转速控制电路等都主要是利用双向可控硅可以双向触发导通的特点来控制交流供电电源的导通相位角,从而达到控制供电电流的大小[1]。

双向可控硅好坏检测方法

双向可控硅好坏检测方法

双向可控硅好坏检测方法单/双向可控硅的检测方法大全用万用表即可判断双向可控硅的好坏,但具体参数测不出来。

用万用表测量的方法如下。

T2极的确定:用万用表R×1档或R×100档,分别测量各管脚的反向电阻,其中若测得两管脚的正反向电阻都很小(约100Ω左右),即为T1和G极,而剩下的一脚为T2极。

T1和G极的区分:将这两极其中任意一极假设为T1极而另一极假设为G极,万用表设置为R×1档,用两表笔(不分正负极)分别接触已确定的T2极和假设的T1极,并将接触T1的表笔同时接触假设的G极,在保证不断开假设的T1极的情况下,断开假设的G极,万用表仍显示导通状态。

将表笔对换,用同样的方法进行测量,如果万用表仍然显示同样的结果,那么所假设的T1极和G极是正确的。

如果在保证不断开假设的T1极的情况下,断开假设的G极,万用表显示断开状态,说明假设的T1和G极相反了,从新假设再进行测量,结果一定正确。

如果测量不出上述结果,说明该双向可控硅是坏的。

这种方法虽然不能测出具体参数,但判断是否可用还是可行的。

1.硅分单向可控硅、双向可控硅。

单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。

双向可控硅有第一阳极A1(T1),第二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。

只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压,同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时,方可被触发导通。

此时A、K间呈低阻导通状态,阳极A与阴极K间压降约1V。

单向可控硅导通后,控制器G即使失去触发电压,只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压,单向可控硅继续处于低阻导通状态。

只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变(交流过零)时,单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。

单向可控硅一旦截止,即使阳极A和阴极K 间又重新加上正向电压,仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。

单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态,用它可制成无触点开关。

可控硅好坏如何测量

可控硅好坏如何测量

可控硅好坏如何测量 Pleasure Group Office【T985AB-B866SYT-B182C-BS682T-STT18】一、可控硅的特性可控硅分单向可控硅、双向可控硅。

单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。

双向可控硅有第一阳极A1(T1),第二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。

只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压,同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时,方可被触发导通。

此时A、K间呈低阻导通状态,阳极 A与阴极K间压降约1V。

单向可控硅导通后,控制器G即使失去触发电压,只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压,单向可控硅继续处于低阻导通状态。

只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变(交流过零)时,单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。

单向可控硅一旦截止,即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压,仍需在控制极G 和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。

单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态,用它可制成无触点开关。

双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间,无论所加电压极性是正向还是反向,只要控制极G和第一阳极 A1间加有正负极性不同的触发电压,就可触发导通呈低阻状态。

此时A1、A2间压降也约为1V。

双向可控硅一旦导通,即使失去触发电压,也能继续保持导通状态。

只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小,小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时,双向可控硅才截断,此时只有重新加触发电压方可导通。

二、可控硅的管脚判别晶闸管管脚的判别可用下述方法:先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值,阻值小的两脚分别为控制极和阴极,所剩的一脚为阳极。

再将万用表置于R*10K挡,用手指捏住阳极和另一脚,且不让两脚接触,黑表笔接阳极,红表笔接剩下的一脚,如表针向右摆动,说明红表笔所接为阴极,不摆动则为控制极。

三、单向可控硅的检测万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。

可控硅好坏简易判断方法

可控硅好坏简易判断方法

可控硅好坏简易判断方法可控硅是一种具有开关功能的半导体器件,广泛应用于电子电路中。

它的好坏直接影响到电路的性能和稳定性。

那么,如何判断可控硅的好坏呢?本文将介绍一些简易的判断方法。

我们可以通过外观来初步判断可控硅的好坏。

正常的可控硅外观应该无明显的损坏、变形或烧焦现象。

若外观存在明显的损坏,如裂缝、破损等,很可能已经失效,需要更换。

可以使用万用表来测试可控硅的导通性。

首先,将万用表的测试笔分别连接到可控硅的控制极和主极上,然后将测试笔的选择档位调到电阻档位。

如果万用表显示的电阻值为无穷大,即开路状态,那么可控硅很可能已经损坏。

而如果显示的电阻值接近于零,即短路状态,也说明可控硅存在问题。

可以通过观察可控硅的发热情况来初步判断其好坏。

正常工作的可控硅在通电过程中会有一定的发热现象,但不应过热。

如果可控硅在工作过程中过热,可能是由于负载过大、环境温度过高或可控硅本身存在问题等原因。

这时需要进行进一步检查和调试。

可以通过可控硅的正常工作状态来判断其好坏。

可控硅在正常工作时应能够准确地控制电路的导通与断开。

可以通过输入控制信号来观察可控硅的工作情况。

如果可控硅无法正常地开启或关闭,或者控制信号无法准确地控制可控硅的导通与断开,很可能是可控硅出现了问题。

可以使用专业的测试设备来进一步判断可控硅的好坏。

例如,使用特定的测试仪器可以对可控硅进行静态和动态特性测试,来检测其各项参数是否符合规格要求。

这种方法需要一定的专业知识和设备,适用于对可控硅的详细评估和性能分析。

通过外观检查、导通性测试、发热情况观察、工作状态检查以及专业测试等方法,我们可以初步判断可控硅的好坏。

当然,对于一些特殊场合和要求更高的应用,可能需要更加专业的检测手段和设备,以确保可控硅的性能和可靠性。

因此,在实际应用中,我们应根据具体情况选择合适的方法和工具来判断可控硅的好坏,以保证电路的正常运行和稳定性。

单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法

单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法

单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法可控硅的检测1.单向可控硅的检测万用表选用电阻R×1档,用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑笔接的引脚为控制极G,红笔接的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。

此时将黑表笔接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极K。

此时万用表指针应不动。

用短接线瞬间短接阳极A和控制极G,此时万用表指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。

如阳极A接黑表笔,阴极K接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。

2.双向可控硅的检测用万用表电阻R×1档,用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻,结果其中两组读数为无穷大。

若一组为数十欧姆时,该组红黑表笔所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G,另一空脚即为第二阳极A2。

确定A、G极后,再仔细测量A1、G极间正反向电阻,读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1,红表笔所接引脚为控制极G。

将黑表笔接已确定了的第二阳极A2,红表笔接第一阳极A1,此时万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大。

再用短接线将A2、G极瞬间短接,给G极加上正向触发电压,A2、A1间阻值约为10欧姆左右。

随后断开A2、G极短接线,万用表读数应保持10欧姆左右。

互换红黑表笔接线,红表笔接第二阳极A2,黑表笔接第一阳极A1。

同样万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大。

用短接线将A2、G极间再次瞬间短接,给G极加上负向的触发电压,A1、A2间阻值也是10欧姆左右。

随后断开A2、G极间短接线,万用表读数应不变,保持10欧姆左右。

符合以上规律,说明被测双向可控硅管未损坏且三个引脚极性判断正确。

检测较大功率可控硅管是地,需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池,以提高触发电压。

双向可控硅(TRIAC)在控制交流电源控制领域的运用非常广泛,如我们的日光灯调光电路、交流电机转速控制电路等都主要是利用双向可控硅可以双向触发导通的特点来控制交流供电电源的导通相位角,从而达到控制供电电流的大小[1]。

如何测量可控硅的好坏

如何测量可控硅的好坏
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其他回答
一、若为单向可控硅:1、用万用表的两只表笔分别连接可控硅的任意两脚,当交换前后均无指示的情况下,稍微扭动与第三只管脚相邻的表笔,使其与第三脚有轻微的接触后迅速断离,若此时连接的两脚间有指示,断定此可控硅可用;若仍保持断路状态,可断定此可控硅报废。2、若不论连接任何两脚,都处于导通状态也可断定报废。二、若为双向可控硅:1、进行一、1、步骤后,交换一下表笔,重复触碰第三只管脚,按一、1、作出判断。2、同一、2、。3、双·1···向可控硅一般双向同时损坏,偶有单向损坏者,但已不能用在双向开关电路中了。
2. 双向可控硅的检测。
用万用表电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻,结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时,该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G,另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后,再仔细测量A1、G极间正、反向电阻,读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1,红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2,红表笔接第一阳极A1,此时万用表指针不应发生偏转,阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接,给G极加上正向触发电压,A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线,万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线,红表笔接第二阳极A2,黑表笔接第一阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接,给G极加上负的触发电压,A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线,万用表读数应不变,保持在10欧姆左右。符合以上规律,说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。
检测较大功率可控硅时,需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池,以提高触发电压。

单向可控硅与双向的区分判断好坏

单向可控硅与双向的区分判断好坏

单向双向可控硅的判断
首先:可控硅(也叫晶闸管)分为单向可控硅和双向可控硅两种类型。

这两种类型都有着三个引脚,但三个引脚的种类两种类型的可控硅却不一样。

单向可控硅的三个引脚分别为:G(控制极)、A(阳极)、K(阴极);
双向可控硅的三个引脚则是:G(控制极)、T1(输入端)、T2(输出端)。

其实,双向可控硅就是由两个单向可控硅反向并联所组成的。

说一下单向可控硅与双向可控硅的区分方法:
1、区分单向、双向可控硅的方法:拿来一只万用表,用万用表的RX1档来分别对可控硅三个引脚进行两两正反的测量,这样一共需要测量这个可控硅六次,且这六次中,如果只有一次测得可控硅的数值在几十到几百欧之间,则可以判定测量的这个可控硅是单向可控硅。

万用表上的红笔所接的引脚是K极,黑笔接的则是G极,剩下的那个引脚是A极。

如果在测量当中的结果上,有两个引脚的正反值都在几十到几百欧之间的话,那么这个可控硅就是双向可控硅。

2、区分可控硅的好坏:
在单向可控硅中:把万用表打到RX1档上,红笔连接到K极,黑笔则同时连接到G极和A极上,然后,松开G极的同时,不要断开A极,这时候的万用表指针应该在几十到一百欧之间,然后在断开A极,这个时候指针就退回原位去了,这就说明这个单行可控硅是好的。

在双向可控硅中:用万用表的红笔接T1极,黑笔同时连接G、T2极,然后和单向可控硅的步骤一样,第一次指针完了之后,再次重复指针要比上一次大十几几十欧左右,则可以说明双向可控硅是正常的。

区分单向和双向可控硅的方法,你学会了吗?。

双向晶闸管好坏及触发能力检测方法

双向晶闸管好坏及触发能力检测方法

双向晶闸管(可控硅)的电极,好坏及触发能力检测方法(1)判别各电极:用万用表R×1或R×10档分别测量双向晶闸管三个引脚间的正、反向电阻值,若测得某一管脚与其他两脚均不通,则此脚便是主电极T2。

找出T2极之后,剩下的两脚便是主电极Tl和门极G3。

测量这两脚之间的正、反向电阻值,会测得两个均较小的电阻值。

在电阻值较小(约几十欧姆)的一次测量中,黑表笔接的是主电极T1,红表笔接的是门极G。

螺栓形双向晶闸管的螺栓一端为主电极T2,较细的引线端为门极G,较粗的引线端为主电极T1。

金属封装(To—3)双向晶闸管的外壳为主电极T2。

塑封(TO—220)双向晶闸管的中间引脚为主电极T2,该极通常与自带小散热片相连。

图5是几种双向晶闸管的引脚排列。

(2)判别其好坏:用万用表R×1或R×10档测量双向晶闸管的主电极T1与主电极T2之间、主电极T2与门极G之间的正、反向电阻值,正常时均应接近无穷大。

若测得电阻值均很小,则说明该晶闸管电极问已击穿或漏电短路。

测量主电极T1与门极G之问的正、反向电阻值,正常时均应在几十欧姆(Ω)至一百欧姆(Ω)之间(黑表笔接T1极,红表笔接G极时,测得的正向电阻值较反向电阻值略小一些)。

若测得T1极与G极之间的正、反向电阻值均为无穷大,则说明该晶闸管已开路损坏。

(3)触发能力检测:对于工作电流为8 A以下的小功率双向晶闸管,可用万用表R×1档直接测量。

测量时先将黑表笔接主电极T2,红表笔接主电极T1,然后用镊子将T2极与门极G 短路,给G极加上正极性触发信号,若此时测得的电阻值由无穷大变为十几欧姆(Ω),则说明该晶闸管已被触发导通,导通方向为T2→T1。

再将黑表笔接主电极T1,红表笔接主电极T2,用镊子将T2极与门极G之间短路,给G极加上负极性触发信号时,测得的电阻值应由无穷大变为十几欧姆,则说明该晶闸管已被触发导通,导通方向为T1→T2。

可控硅的检测方法

可控硅的检测方法

可控硅的检测方法
可控硅(或称为双向可控硅、双向晶闸管)是一种电子元件,用于控制交流电流的流动。

为了确保可控硅的正常工作和可靠性,常需要进行以下几种常用的检测方法:
1. 静态电压检测:使用数字万用表或示波器测量可控硅上的正向和反向电压,以确保其在正常工作范围内。

正向电压通常应小于可控硅的额定电压。

2. 静态电流检测:使用数字电流表或示波器检测可控硅的正向和反向电流,以确保其在正常工作范围内。

正向电流应小于可控硅的额定电流。

3. 触发电流检测:通过施加一个正向触发电流来测试可控硅是否能正常触发。

触发电流应小于可控硅的额定触发电流。

4. 动态特性检测:使用示波器观察可控硅在不同触发角和负载条件下的电压和电流波形,以确定其动态响应和工作状态。

5. 温度测试:通过红外测温仪或接触式温度计测量可控硅的温度,以确保其不会过热并影响性能。

这些检测方法可以帮助判断可控硅的工作状态和健康程度,以便于及时进行维修或更换。

然而,在进行任何检测之前,应确保在实验室、车间或其他适当的环境
条件下进行,以避免可能的危险或损坏。

单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法

单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法

单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法可控硅的检测1.单向可控硅的检测万用表选用电阻R×1档,用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑笔接的引脚为控制极G,红笔接的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。

此时将黑表笔接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极K。

此时万用表指针应不动。

用短接线瞬间短接阳极A和控制极G,此时万用表指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。

如阳极A接黑表笔,阴极K接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。

2.双向可控硅的检测用万用表电阻R×1档,用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻,结果其中两组读数为无穷大。

若一组为数十欧姆时,该组红黑表笔所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G,另一空脚即为第二阳极A2。

确定A、G极后,再仔细测量A1、G极间正反向电阻,读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1,红表笔所接引脚为控制极G。

将黑表笔接已确定了的第二阳极A2,红表笔接第一阳极A1,此时万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大。

再用短接线将A2、G极瞬间短接,给G极加上正向触发电压,A2、A1间阻值约为10欧姆左右。

随后断开A2、G极短接线,万用表读数应保持10欧姆左右。

互换红黑表笔接线,红表笔接第二阳极A2,黑表笔接第一阳极A1。

同样万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大。

用短接线将A2、G极间再次瞬间短接,给G极加上负向的触发电压,A1、A2间阻值也是10欧姆左右。

随后断开A2、G极间短接线,万用表读数应不变,保持10欧姆左右。

符合以上规律,说明被测双向可控硅管未损坏且三个引脚极性判断正确。

检测较大功率可控硅管是地,需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池,以提高触发电压。

双向可控硅(TRIAC)在控制交流电源控制领域的运用非常广泛,如我们的日光灯调光电路、交流电机转速控制电路等都主要是利用双向可控硅可以双向触发导通的特点来控制交流供电电源的导通相位角,从而达到控制供电电流的大小[1]。

用万用表检测双向可控硅

用万用表检测双向可控硅

用万用表检测双向可控硅双向可控硅是一种使用较广泛的硅晶体闸流管。

利用双向可控硅可以实现交流无触点控制,具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高等优点,较多的使用在电机调速、调光、调温、调压及各种电器过载自动保护电路中。

双向可控硅由五层半导体材料、三个电极构成,三个电极分别为第一阳极(又称主电极)T1、第二阳极(又称主端子)T2和门极G,其特点是触发后可双向导通。

目前双向可控硅的型号、规格繁多,其外型及引脚排列随生产厂家的不同而不同,一般情况下不易直接判断出其管脚及好坏,我们可用万用表对双向可控硅进行简单检测。

一、电极的确定首先,把万用表置于R×10Ω档,测双向可控硅能相互导通的两个电极,这两个电极对第三个电极都不导通,则第三个电极为第一阳极T1。

其次,把万用表置于R×1Ω档,测余下两个电极的正反向电阻,取其中电阻小的一次,黑表笔所接的是第二阳极T2,红表笔所接的是门极G。

二、触发性能的检测双向可控硅有四种触发方式,即T1+G+、T1+G-、T1-G+、T1-G-,其中T1-G+触发方式灵敏度较低,所需门极触发功率较大,实际使用时只选其余三种组合。

而T1+G+、T1-G-触发形式的可靠性较高,较常使用,检测触发性能时可只检测这两种形式。

用万用表检测双向可控硅的触发性能,可按下列步骤进行:把万用表置于R×1Ω档,先检查T1+G+形式的触发能力。

用万用表黑表棒与T1极接触,红表棒与T2极接触,万用表指针应停在无穷大处。

保持黑表棒与T1极接触、红表棒与T2极接触,用万用表黑表棒同时接触门极,则指针应有较大幅度的偏转;再松开黑表棒与门极的接触,指针读数不变,说明T1+G+触发性能良好。

然后检查T1-G-形式的触发能力:黑表棒与T2极接触,红表棒与T1极接触,万用表指针应停在无穷大处。

保持黑表棒与T2极接触、红表棒与T1极接触,用红表棒接触门极,指针应有较大幅度的偏转,再松开红表棒与门极的接触,指针读数不变,说明T1-G-触发性能良好。

双向可控硅测试方法

双向可控硅测试方法

双向可控硅测试方法双向可控硅是双向交流开关,可以在最高600V 电压下控制高达25A rms电流的负载。

它们用于电机速度、加热器和白炽灯的控制。

逻辑型双向可控硅对微控制器驱动器件尤有吸引力。

微控制器输出端口可以直接驱动一只双向可控硅,因为可控硅的触发电流只有3~10mA。

与所有电子器件一样,双向可控硅也存在一些内部问题,在将其用于某个设计以前可以检测这些问题。

图1,双向可控硅测试仪用一只开关转换测试信号的极性。

图1是一个简单而成本低廉的测试设备,它可测试Littelfuse公司的L2004F31、L2004F61、L2004L1和L4004V6TP双向可控硅,也可以用于测试任何其它的引线式双向可控硅,因为所有标准封装(包括TO-220AB、TO-202AB、TO-251和Ipak)都有相同的管脚布局。

用一个IC插座可以便于插入待测双向可控硅。

这种方法也适用于SMD(表面贴装器件),前提是能找到或创建一个合适的测试插槽。

极性开关S1是一只DPDT(双刀双掷)器件,用于检查双向的导通性。

切换开关S2是瞬时SPST(单刀单掷)按键器件,通过电阻R2连接栅极(Pin 3)与MT2(Pin 2),以触发待测的双向可控硅(图1)。

表1,双向可控硅的测试测试过程只花不到5s,包含4个步骤(表1)。

LED向测试操作者显示每个步骤的结果。

如果所有四步测试均获通过,则双向可控硅合格。

在制造期间要再做一次双向可控硅测试,以保证装配板没有问题,双向可控硅工作正常。

这一测试可节约时间与人工,避免整件产品装配完后才发现问题。

做此测试时双向可控硅已焊在电路板上。

使用的电源电压为标称120/220V AC。

测试应对DUT有最小影响,并使用最少的时间与工作量。

测试中用双向可控硅测试仪代替一个负载。

从测试仪到DUT的连接可以有变化,而且要确保在连接120/220V AC时采取一些安全措施。

图2,对于阻性负载,测试仪用两只LED指示两个方向的成功与失败。

单向可控硅、双向可控硅如何进行极性判别?

单向可控硅、双向可控硅如何进行极性判别?

单向可控硅、双向可控硅如何进行极性判别?
本文介绍单、双向可控硅如何进行极性判别,判别好坏与导通性能。

希望能对大家有所帮助。

 单向可控硅的检测
 1.极性判别
 单向可控硅有三个极,即控制极G、阳极A与阴极K,其符号与基本检测方法如图所示。

单向可控硅的G、K极间为一个PN结。

根据PN结单向导通的特性,可很快判断其三个电极。

把万用表置于Rx100挡,轮流测量各极间的正、反向电阻,总有~次测得的阻值较小(约1kQ),这时黑表笔接的是控制极G,红表笔接的是阴极K,剩下的是阳极A。

 2.判别好坏与导通性能
 当测量B与A、K与A之间阻值均为无限大或均为小阻值时,说明可控硅已损坏。

当用万用表(Rx1挡)黑表笔接阳极A,红表笔接阴极K时(这时无阻值),把G极与A极短接后(利用万用表内电源正极瞬时给G极一个触发电压),可控硅便处于导通状态,若即便是G极与A极脱离后,阳极A与阴极K仍处于导通状态,则说明可控硅良好,否则说明其已损坏。

以上单向可控硅是MCR100型号,用MF47F型万用表测试。

 双向可控硅的检测
 双向可控硅也有三个极,巳Ij控制饭G与第一阳极T1、第二阳极T2。

实际上T1与T2是可互换使用的。

双向可控硅的符号基本检测方法如上图所示。

 1.极性判别。

可控硅好坏如何测量?

可控硅好坏如何测量?

一、可控硅的特性可控硅分单向可控硅、双向可控硅。

单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。

双向可控硅有第一阳极A1(T1),第二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。

只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压,同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时,方可被触发导通。

此时A、K间呈低阻导通状态,阳极A与阴极K间压降约1V。

单向可控硅导通后,控制器G即使失去触发电压,只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压,单向可控硅继续处于低阻导通状态。

只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变(交流过零)时,单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。

单向可控硅一旦截止,即使阳极AG A2间压极A1A。

此极A A接黑表用万用表电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻,结果其中两组读数为无穷大。

若一组为数十欧姆时,该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G,另一空脚即为第二阳极A2。

确定A1、G极后,再仔细测量A1、G极间正、反向电阻,读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1,红表笔所接引脚为控制极G。

将黑表笔接已确定的第二阳极A2,红表笔接第一阳极A1,此时万用表指针不应发生偏转,阻值为无穷大。

再用短接线将A2、G极瞬间短接,给G极加上正向触发电压,A2、A1间阻值约10欧姆左右。

随后断开A2、G间短接线,万用表读数应保持10欧姆左右。

互换红、黑表笔接线,红表笔接第二阳极A2,黑表笔接第一阳极A1。

同样万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大。

用短接线将A2、G极间再次瞬间短接,给G极加上负的触发电压,A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。

随后断开A2、G极间短接线,万用表读数应不变,保持在10欧姆左右。

符合以上规律,说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。

检测较大功率可控硅时,需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池,以提高触发电压。

双向可控硅好坏检测方法

双向可控硅好坏检测方法

双向可控硅好坏检测方法双向可控硅是在普通可控硅的基础上发展而成的,它不仅能代替两只反极性并联的可控硅,而且仅需一个触发电路,是比较理想的交流开关器件。

其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。

1.双向可控硅的检测方法一:测量极间电阻法。

将万用表置于皮R×1k档,如果测得T2-T1、T2-G之间的正反向电阻接近∞,而万用表置于R×10档测得T1-G之间的正反向电阻在几十欧姆时,就说明双向可控硅是好的,可以使用;反之,若测得T2-T1,、T2-G之间的正反向电阻较小甚或等于零.而Tl-G之间的正反向电阻很小或接近于零时.就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。

不能使用;如果测得T1-G之间的正反向电阻很大(接近∞)时,说明控制极G与主电极T1之间内部接触不良或开路损坏,也不能使用。

方法二:检查触发导通能力。

万用表置于R×10档:①如图,1(a)所示,用黑表笔接主电极T2,红表笔接T1,即给T2加正向电压,再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开,如果表头指针发生了较大偏转并停留在一固定位置,说明双向可控硅中的一部分(其中一个单向可控硅)是好的,如图1(b)所示,改黑表笔接主电极T1,红表笔接T2,即给T1加正向电压,再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开,如果结果同上,也证明双向可控硅中的另一部分(其中的一个单向可控硅是好的。

测试到止说明双向可控硅整个都是好的,即在两个方向(在不同极性的触发电压证)均能触发导通。

图1判断双向可控硅的触发导通能力方法三:检查触发导通能力。

如图2所示.取一只10uF左右的电解电容器,将万用表置于R×10k档(V电压),对电解电容器充电3~5s后用来代替图1中的短路线,即利用电容器上所充的电压作为触发信号,然后再将万用表置于R×10档,照图2(b)连接好后进行测试。

测试时,电容C的极性可任意连接,同样是碰触一下后离开,观察表头指针偏转情况,如果测试结果与“方法二’相同,就证明双向可控硅是好的。

可控硅好坏如何测量?

可控硅好坏如何测量?

一、可控硅的特性可控硅分单向可控硅、双向可控硅。

单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。

双向可控硅有第一阳极A1(T1),第二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。

只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压,同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时,方可被触发导通。

此时A、K间呈低阻导通状态,阳极A与阴极K间压降约1V。

单向可控硅导通后,控制器G即使失去触发电压,只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压,单向可控硅继续处于低阻导通状态。

只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变(交流过零)时,单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。

单向可控硅一旦截止,即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压,仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。

单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态,用它可制成无触点开关。

双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间,无论所加电压极性是正向还是反向,只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压,就可触发导通呈低阻状态。

此时A1、A2间压降也约为1V。

双向可控硅一旦导通,即使失去触发电压,也能继续保持导通状态。

只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小,小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时,双向可控硅才截断,此时只有重新加触发电压方可导通。

二、可控硅的管脚判别晶闸管管脚的判别可用下述方法:先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值,阻值小的两脚分别为控制极和阴极,所剩的一脚为阳极。

再将万用表置于R*10K挡,用手指捏住阳极和另一脚,且不让两脚接触,黑表笔接阳极,红表笔接剩下的一脚,如表针向右摆动,说明红表笔所接为阴极,不摆动则为控制极。

三、单向可控硅的检测万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。

四招轻松判断可控硅质量好坏

四招轻松判断可控硅质量好坏

四招轻松判断可控硅质量好坏可控硅作为一种在电路设计中最经常用到的基础元件,其质量的优劣直接关系到整个系统的运行安全,因此需要工程师在进行设计之前便对可控硅的性能质量进行判断。

本文将会介绍四个判断可控硅质量优劣的方法,一起来看看这四个方法都有哪些吧。

判断一个可控硅元件是否完好,工程师需要从四个方面进行检查,首先是判断该元件的三个PN结应完好,其次是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断不导通,第三是当控制极开路时,阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通,第四是给控制极加上正向电流,给阴极与阳极加正向电压时,可控硅应当导通,把控制极电流去掉后仍处于导通状态。

满足以上四个条件的可控硅元件,才是符合设计使用要求的。

想要看一个可控硅元件是否符合以上要求,其实非常简单,只需要用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻,就可对前三个方面的好坏进行判断。

具体的操作方法是:用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻(控制极不接电压),此两个阻值均应很大。

电阻值越大,表明正反向漏电电流愈小。

如果测得的阻值很低,或近于无穷大,说明可控硅已经击穿短路或已经开路,此可控硅不能使用了。

接下来需要检测的是控制极与阴极之间的PN结是否损坏。

我们可以用万用表的R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻,正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。

用R×1k或R×100挡,测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右,如出现正向阻值接近于零值或为无穷大,表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。

反向阻值应很大,但不能为无穷大。

正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。

如果想要判断可控硅是否已经被击穿损坏,工程师可以使用万用表选电阻R×1挡,然后将黑表笔接阳极,红表笔仍接阴极,此时万用表指针应不动。

红表笔接阴极不动,黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。

判断测量双向可控硅极性的方法

判断测量双向可控硅极性的方法

判断测量双向可控硅极性的方法
(1).将三用电表置于Rx1档,量其三接脚,如表所示,不管红表笔如何测量,于T1与G之间的电阻皆为20到50姆,因此另一接脚为T2。

(2).将三用电表置于Rx1档,测试棒分别接于可控硅的T2与T1,以导线连接T2与G再移开,那么T2与T1间呈低电阻(可控硅已被触发),设其电阻为R1。

(3).再用三用电表分别测T2和G,以导线连接T2与T1再移开,那么T2与G之间呈低电阻(可控硅已被触发),设其电阻为R2,通常R1小于R2,那么可区分T1和G两点。

黑表笔紅表笔电阻值
T2 T1 ∞
T1 T2 ∞
T2 G ∞
G T2 ∞
T1 G 20 - 50Ω
G T1 20 - 50Ω
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可控硅好坏如何测量

可控硅好坏如何测量

一、可控硅的特性可控硅分单向可控硅、双向可控硅;单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚;双向可控硅有第一阳极A1T1,第二阳极A2T2、控制极G三个引出脚;只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压,同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时,方可被触发导通;此时A、K间呈低阻导通状态,阳极A与阴极K间压降约1V;单向可控硅导通后,控制器G即使失去触发电压,只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压,单向可控硅继续处于低阻导通状态;只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变交流过零时,单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态;单向可控硅一旦截止,即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压,仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通;单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态,用它可制成无触点开关;双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间,无论所加电压极性是正向还是反向,只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压,就可触发导通呈低阻状态;此时A1、A2间压降也约为1V;双向可控硅一旦导通,即使失去触发电压,也能继续保持导通状态;只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小,小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时,双向可控硅才截断,此时只有重新加触发电压方可导通;二、可控硅的管脚判别晶闸管管脚的判别可用下述方法:先用万用表R1K挡测量三脚之间的阻值,阻值小的两脚分别为控制极和阴极,所剩的一脚为阳极;再将万用表置于R10K挡,用手指捏住阳极和另一脚,且不让两脚接触,黑表笔接阳极,红表笔接剩下的一脚,如表针向右摆动,说明红表笔所接为阴极,不摆动则为控制极;三、单向可控硅的检测万用表选电阻R1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A;此时将黑表笔接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极K;此时万用表指针应不动;用短线瞬间短接阳极A和控制极G,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右;如阳极A接黑表笔,阴极K接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏;四、双向可控硅的检测用万用表电阻R1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻,结果其中两组读数为无穷大;若一组为数十欧姆时,该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G,另一空脚即为第二阳极A2;确定A1、G极后,再仔细测量A1、G极间正、反向电阻,读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1,红表笔所接引脚为控制极G;将黑表笔接已确定的第二阳极A2,红表笔接第一阳极A1,此时万用表指针不应发生偏转,阻值为无穷大;再用短接线将A2、G极瞬间短接,给G极加上正向触发电压,A2、A1间阻值约10欧姆左右;随后断开A2、G间短接线,万用表读数应保持10欧姆左右;互换红、黑表笔接线,红表笔接第二阳极A2,黑表笔接第一阳极A1;同样万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大;用短接线将A2、G极间再次瞬间短接,给G极加上负的触发电压,A1、A2间的阻值也是10欧姆左右;随后断开A2、G极间短接线,万用表读数应不变,保持在10欧姆左右;符合以上规律,说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确;检测较大功率可控硅时,需要在万用表黑笔中串接一节干电池,以提高触发电压;。

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双向可控硅好坏检测方法
双向可控硅是在普通可控硅的基础上发展而成的,它不仅能代替两只反极性并联的可控硅,而且仅需一个触发电路,是比较理想的交流开关器件。

其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。

1.双向可控硅的检测
方法一:
测量极间电阻法。

将万用表置于皮R×1k档,如果测得T2-T1、T2-G之间的正反向电阻接近∞,而万用表置于R×10档测得T1-G之间的正反向电阻在几十欧姆时,就说明双向可控硅是好的,可以使用;反之,若测得T2-T1,、T2-G之间的正反向电阻较小甚或等于零.而Tl-G之间的正反向电阻很小或接近于零时.就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。

不能使用;如果测得T1-G之间的正反向电阻很大(接近∞)时,说明控制极G与主电极T1之间内部接触不良或开路损坏,也不能使用。

方法二:
检查触发导通能力。

万用表置于R×10档:①如图,1(a)所示,用黑表笔接主电极T2,红表笔接T1,即给T2加正向电压,再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开,如果表头指针发生了较大偏转并停留在一固定位置,说明双向可控硅中的一部分(其中一个单向可控硅)是好的,如图1(b)所示,改黑表笔接主电极T1,红表笔接T2,即给T1加正向电压,再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开,如果结果同上,也证明双向可控硅中的另一部分(其中的一个单向可控硅是好的。

测试到止说明双向可控硅整个都是好的,即在两个方向(在不同极性的触发电压证)均能触发导通。

图1判断双向可控硅的触发导通能力
方法三:
检查触发导通能力。

如图2所示.取一只10uF左右的电解电容器,将万用表置于R×10k档(V电压),对电解电容器充电3~5s后用来代替图1中的短路线,即利用电容器上所充的电压作为触发信号,然后再将万用表置于R×10档,照图2(b)连接好后进行测试。

测试时,电容C的极性可任意连接,同样是碰触
一下后离开,观察表头指针偏转情况,如果测试结果与“方法二’相同,就证明双向可控硅是好的。

图2判断双向可控硅的触发导通能力
应用此法判断双向可控硅的触发导通能力更为可靠。

由于电解电容器上充的电压较高,使触发信号增大,更利于判断大功率双向可控硅的触发能力。

2.双向可控硅参数符号
IT(AV)--通态平均电流
VRRM--反向反复峰值电压
IDRM--断态重复峰值电流
ITSM--通态一个周波不反复浪涌电流
VTM--通态峰值电压
IGT--门极触发电流
VGT--门极触发电压
IH--维持电流
dv/dt--断态电压临界上升率
di/dt--通态电流临界上升率
Rthjc--结壳热阻
VISO--模块绝缘电压
Tjm--额定结温
VDRM--通态反复峰值电压
IRRM--反向重复峰值电流
IF(AV)--正向平均电流。

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