CAS1UF2V

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详解铝电解电容器的参数

详解铝电解电容器的参数铝电解电容器的参数详解之一铝电解电容器的基本参数主要有电压、电容量、最高工作温度及寿命、漏电流和损耗因数，有的铝电解电容器，如开关电源输出滤波用钽电容的铝电解电容器还有额定纹波电流、ESR等参数。

电压铝电解电容器的电压指标主要有额定DC电压、额定浪涌电压、瞬间过压和反向电压，下面将逐一介绍。

1．反向电压钽电容是有极性电容器，通常不允许工作在反向电压。

在需要的地方，可通过连接一个二极管来防止反极性。

通常，采用导通电压约为0. 8V的二极管是允许的。

在短于Vs的时间内，小于或等于1.5V的反向电压也是可以承受的，但仅仅是短时间，绝不能是连续工作状态。

2．工作电压V OP工作电压是电容器在额定温度范围内所允许的连续工作的电压。

在整个工作温度范围内，电容器既可以在满额定电压（包括叠加的交流电压）下连续工作，也可以连续工作在0V与额定电压之间任何电压值。

在短时间内，电容器也可承受幅值不高于-1. 5V的反向电压。

反向电压的危害主要是反向电压将产生减薄氧化铝膜的电化学过程，从而不可逆地损坏铝电解电容器。

3．额定DC电压VR额定DC电压VR是电容器在额定温度范围内所允许的连续工作电压，它包括在电容器两电极间的直流电压和脉动电压或连续脉冲电压之和。

通常，钽电容的额定电压在电容器表面标明。

通常额定电压≤100V为“低压”铝电解电容器，TDK电感而额定电压≥150V为“高压”铝电解电容器。

额定电压的标称电压为：3V、4V、6.3V、(7.5V)、10V、16V、25V、35V、(40V)、50V、63V、80V、100V、160V、200V、250V、300V、(315V)、350V、(385V)、400V、450V、500V、(550V)。

其中括号中的电压值为我国不常见的。

4．额定浪涌电压Vs额定浪涌电压Vs是铝电解电容器在短时间内能承受的电压值，其测试条件是：电容器工作在25℃，在不超过30s，两次间隔不小于5min。

钨铜微电子封装材料的性能特点

一、产品介绍：
铝铜合金是一种铝和铜的复合材料，设计这种材料的主要目的是即采用铝的低膨胀特性，又采用铜的高导热特性，通过调整鸨、铜元素的不同配比，来达到鸨铜合金具有适合的热膨胀系数和高导热系数的目的。

正是由于鸨铜合金具有可以与陶瓷材料、半导体材料、金属材料等形成良好的热膨胀匹配的特性，同时又具有相对很高的导热性能，因此铝铜材料在机械、电力、电子、冶金、航空航天领域得到了广泛的应用。

比如真空触头材料，电极材料，大功率器件封装的材料（基片、下电极等）；高性能的引线框架；军用和民用的热控装置的热控板和散热器等。

二、物理化学性能
三、鸨铜合金的生产工艺
1 .未添加烧结活化元素，保持着良好的导热性能；.产品的金相显示，没有铜池现象；
2 .相对密度299%,孔隙率低，产品气密性好，氮质谱仪检漏测验W5X10-9Pa- m3/S可完全通过；
3 .良好的尺寸掌握，表面光滑度和平整度；.电镀质量好，耐热冲击。

应用：
适用于与大功率器件封装的材料，如基片、下电极等；高性能的引线框架；军用和民用的热控装置的热控板和散热器等。

《半导体物理》习题答案第八章

第8章半导体表面与MIS 结构2.对于电阻率为8cm Ω⋅的n 型硅，求当表面势0.24s V V =-时耗尽层的宽度。

解：当8cm ρ=Ω⋅时：由图4-15查得1435.810D N cm -=⨯∵22D d s rs qN x V εε=-，∴1022()rs s d D V x qN εε=-代入数据：11141352219145211.68.85100.24 4.9210()()7.3101.610 5.8109.2710d x cm -----⨯⨯⨯⨯⨯==⨯⨯⨯⨯⨯3.对由电阻率为5cm Ω⋅的n 型硅和厚度为100nm 的二氧化硅膜组成的MOS 电容，计算其室温（27℃）下的平带电容0/FB C C 。

解：当5cm ρ=Ω⋅时，由图4-15查得143910D N cm -=⨯；室温下0.026eV kT =，0 3.84r ε=（SiO 2的相对介电系数）代入数据，得：1141/20002197722110.693.84(11.68.85100.026)11()11.6 1.61010010310FBr rs rs A C C kT q N d εεεε---===⨯⨯⨯+⋅+⨯⨯⨯⨯⨯此结果与图8-11中浓度为1⨯1015/cm 3的曲线在d 0=100nm 的值非常接近。

4. 导出理想MIS 结构的开启电压随温度变化的表示式。

解：按定义，开启电压U T 定义为半导体表面临界强反型时加在MOS 结构上的电压，而MOS结构上的电压由绝缘层上的压降U o 和半导体表面空间电荷区中的压降U S （表面势）两部分构成，即oST S Q U U C =-+ 式中，Q S 表示在半导体表面的单位面积空间电荷区中强反型时的电荷总数，C o 单位面积绝缘层的电容，U S 为表面在强反型时的压降。

U S 和Q S 都是温度的函数。

以p 型半导体为例，强反型时空间电荷区中的电荷虽由电离受主和反型电子两部分组成，且电子密度与受主杂质浓度N A 相当，但反型层极薄，反型电子总数远低于电离受主总数，因而在Q S 中只考虑电离受主。

ARM9 韦东山 JZ2440v2原理图

28 LnOE 11 LnWE 26 nGCS0 37 46 27 47 VDD3.3V A
VDD3.3V
1
2
3
4ห้องสมุดไป่ตู้
5
6
7
8
1
2
3
4
VDD3.3V
RA11
D
1 2 3 4
1K
8 7 6 5
SPIMOSI nSS_SPI SPIMISO SPICLK
J2 LADDR8 LADDR10 LADDR12 LADDR14 LADDR16 LADDR18 LADDR20 LnOE RA1A RA1C RA2A RA2C RA3A RA3C RA4A RA4C 1 3 1 3 1 3 1 3 22 22 22 22 22 22 22 22 8 6 8 6 8 6 8 6 1 3 5 7 9 11 13 15 17 19 21 23 25 27 29 31 33 35 37 39 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 7 5 7 5 7 5 7 5 nRESET LDATA17 LDATA19 LDATA21 LDATA23 LDATA30 LDATA28 LDATA26 LDATA24 nXDREQ1 2 22 RA1B 4 22 RA1D 2 22 RA2B 4 22 RA2D 2 22 RA3B 4 22 RA3D 2 22 RA4B 4 22 RA4D LADDR9 LADDR11 LADDR13 LADDR15 LADDR17 LADDR19 LnWE nGCS1
EINT11
1 2 TD-15EA S5
3 4
EINT19 B
1 2

江苏振华新云电子有限公司片式固体电解质钽电解电容器规格书说明书

片式固体电解质钽电解电容器规格书新云型号：CA45-A-35V-0.47μF-K1. 产品特点该产品为模压封装、片式引出，具有密封性好、重量轻、电性能优良、稳定可靠等特点。

适用于移动通讯、摄像机、程控交换机、计算机、汽车电子等各种电子设备的直流或脉动电路。

2. 产品型号及编码说明CA45 - A - 35v - 0.47μF - K型号壳号额定电压标称电容量容量偏差K：±10％3. 产品外形及尺寸：见图1及表1图1 电容器外形尺寸图表1 电容器的外形尺寸单位：mm4．电性能参数4.1 工作温度范围：-55℃～125℃；85℃以上施加降额电压。

4.2 标称电容量允许偏差（25℃，120Hz）：K：±10%；4.3 主要电性能参数：见表2表2 电性能参数表5.标志 5.1标志内容（1）商标及正极标识（2）标称电容量（3）额定工作电压5.2 标志说明（举例）：见图2。

6. 产品外观质量6.1 产品本体应无针眼、缺角、缺块、发黑、漏封、裂纹、引出片断裂等现象。

6.2 产品标志：应清晰、完整、正确；无重影、漏打等现象。

7.包装7.1 产品编带的尺寸及卷绕方向：见图3、图4、表3。

注：用户未要求时，编带卷绕方向通常按左旋卷绕方向。

7.2包装数量：7.30.47 X容量标识额定电压标识公司标识及正极标识358 应用指南8.1室温电性能的测量8.1.1 电容量(C)和损耗角正切(tgδ)的测量●施加电压：直流偏压：U-=2.20 -1.0V；交流偏压（有效值）的范围：U～=1.00 -0.5V●测量时，确保电容器正、负极的接法正确，否则读数会产生较大的偏差。

8.1.2漏电流（I）的测量●施加电压：额定电压测量时，应串联1000Ω的保护电阻。

施加额定电压后3至5分钟，漏电流指针稳定后读数。

●测量漏电流时，严禁将产品的正、负极接反，如不慎接反，该只电容器应报废，即使电性能仍合格，也不能再使用。

步步高VS1000_家庭影院_

TC303 47uF/16V
LDO-AV33
C241 104
2
C277 C280 105 105
2
A C203 1uF
D C204 1uF
RFO
C206 C205 DNS
100pf
C R201
0R
B R202
0R
A R203
0R
D R204
0R
SUBA
SUBB
SUBC
SUBD
E
F R228 0R MDI1 MDI2
6
JITFO C233 100pF JITFN
R227
750K
HSYNC#
L203
A
VSYNC#
DACVDD3 FB DV33
1
2
3
R308
VCC R309
100K
10K
R311
IOA
DV33
VREFN
R223 15K VREFP
C228
10K V305
3904-S
A
R310
C234 C235 C236 C237 104 104 104 104
C238 104
C240 1uF
C239 104
V303
V304
100K VCC
AGND DVDA DVDB DVDC DVDD DVDRFIP DVDRFIN MA MB MC MD SA SB SC SD CDFON CDFOP TNI TPI MDI1 MDI2 LDO2 LDO1 SVDD3 CSO/RFOP RFLVL/RFON SGND V2REFO V20 VREFO FEO TEO TEZISLV OP_OUT OP_INN OP_INP DMO FMO TROPENPWM PWMOUT1/V_ADIN9 TRO FOO USB_VSS USBP USBM USB_VDD3 FG/V_ADIN8 TDI/V_ADIN4 TMS/V_ADIN5 TCK/V_ADIN6 TDO/V_ADIN7 DVDD18 IOA2 IOA3 IOA4 IOA5 IOA6 IOA7 HIGHA0 IOA18 IOA19 DVSS APLLCAP APLLVSS

优力威 HVI 26产品安全技术说明书

修订日期: 02 二月 2022 SDS 编号:7003679XCN最初编制日期: 23 January 2016 版本:3.08 ______________________________________________________________________________________________________________________化学品安全技术说明书产品产品名称: 优力威 HVI 26产品简介: 基础油及添加剂产品代码: 201560109730, 431015-80推荐用途: 液压液公司资料供应商: 埃克森美孚( 中国 )投资有限公司美罗大厦17楼天钥桥路30号上海市 200030 中国二十四小时应急电话(+86**************供应商联系电话(+86*************电子邮件*************************.cn传真(+86*************供应商: 埃克森美孚化工商务(上海)有限公司紫星路1099号闵行区上海市, 中国中国二十四小时应急电话供应商联系电话电子邮件传真(+86**************(+86**************************************.cn (+86*************紧急情况概述:物理状态: 液体外观: 清澈的颜色: 浅黄色气味: 特有的根据法规指引（参阅第十五部分)，本产品不属于危险品。

高压射向皮肤可能会造成严重的损伤过度接触会造成眼部、皮肤或呼吸刺激。

高档DV电路

41
D
DGND
DGND
PVDD
AVDD1
VCOML
VCOMH
PCDL
DGND
DGND
DGND
DGND
DGND
FPC 0.5mm Pitch 40pin Top Contact ZIF
C157 1uF/16V 0603C
C158 1uF/16V 0603C
C159 2.2uF/16V 0603C
C160 2.2uF/16V 0603C
LED_POWER A2_GPIO43 E
B Q6 MMBT3904 R135 24R C1,1F.,NO1,Li-Hsin 1st. Rd.,Hsinchu Science Park,Hsinchu City 30078,Taiwan, R.O.C. TEL:+886-3-666-8828 FAX:+886-3-666-1282
2 1
AV33_AUD
C
AUDIO-OUT MICMIC1 MIC MIC+
VCOM
VCOC
AVDD
AVSS
PDN
1K
CSN
1
2
3
4
5
6
C126
1uF C168 10uF
ASGND R108 DGND
SVSS SVDD AOUT BEEP/MICN MPI MIC/MICP U8 AKM4633
BICK FCK SDTO SDTI CDTI CCLK
0.1uF 0.1uF 0.1uF 0.1uF 0.1uF 0.1uF 0.1uF 0.1uF 0.1uF 0.1uF 0.1uF 0.1uF 0.1uF 0.1uF 0.1uF

DVD与5.1杜比环绕功放组合,SPHE8281D-216PIN解码板原理图

CP38 CP34 470uF/16V GND GND CP35 1000P 100n LP7 SD_VCC3 600R/100M
TP15 CP39 100n GND DVCC ON/OFF 1,9 3.3VS 8050C QP510 3 RP505 RP518 3.3K 2 2 10K CP27 100n GND RP504 330R 1/4W 1206 RP506 0R 1206(NC) TP1 5VS QP502 2SB772,TO-126 1 3 RP503 GND 10K RP501 330R 1/4W 1206 3 QP505 8550 1 12V QP501 8050C RP513 47K TP33 RP24 PLL3.3V GND GND 1 3 2 RP502 10K ON/OFF 1,3,7 CP11 NC VGND CP12 NC 2 LP17 A+5V 600R/100M 5VD TP8 LP3 600R/100M V+5V QP503 2SB772,TO-126 1 3 5VM LP5 600R/100M
TP53 RAD+ TP54 FOC+ TP55 FOCFOC- 4 FOC+ 4 RAD+ 4 RAD- 4
A+5V RFGND C D PUHRF A B F RFGND 1 2 QS1 2SK3018 3 3 RS5 100K 1 QS2 8050C RFGND RS9 470R QS3 2SK3018 2 RS12 100K LDSW
1
Rev 2.1 Sheet 1 of 10
VGND Date:
4 3 2
5
4
3
2
1
U4 SST39VF088-70-4C-EKE, TSOP-48 RESET_B RA1 RA2 RA3 RA4 RA5 RA6 RA7 RA8 RA9 RA10 RA11 RA12 RA13 RA14 RA15 RA16 RA17 RA18 RA19 25 24 23 22 21 20 19 18 8 7 6 5 4 3 2 1 48 17 16 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11 A12 A13 A14 A15 A16 A17 A18 DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 DQ8 DQ9 DQ10 DQ11 DQ12 DQ13 DQ14 DQ15/A-1 NC NC NC NC RY/BY VCC GND GND 29 31 33 35 38 40 42 44 30 32 34 36 39 41 43 45 9 10 13 14 15 37 46 27 RD0 RD1 RD2 RD3 RD4 RD5 RD6 RD7 RESET_B 3,9

极品电容知识

转一份极品电容知识不知哪位大侠写的。

觉得不错。

分享一下补品电容欧美各国生产高品质音频用电容的厂家：法国SIC-SAFCO，瑞典RIFA，德国ROE，德国ERO，美国思碧(SP)，法国L.M.T，法国S.L.C.E，荷兰飞利浦(BC)，德国西门子，意大利AV，德国威马(WIMA)，德国FRAKO，英国BHC，丹麦杰森JENSEN，美国MIT，美国REL-CAP，美国摩罗利(Mallory)，美国伊利诺(IC)，法国苏伦(SOLEN)，瑞典EVOX，以色列威世(Vishay)。

SIC-SAFCO是拥有84年厂史的法国电容厂，就是著名的特弗龙电容的生产厂。

ALSIC系列电容是其生产的LL型长寿命低阻抗系列105度耐高温品种，来自法国的补品电解电容SIC-SAFCO，音色高贵。

高速，高Ripple电流，低自感，极低内阻，超长寿命直逼rifa 124系列。

低频下潜好，弹性十足，音色甜美温暖，声音秀气象二八少女一样纯情，解析力也相当高。

用它来摩CD机解码，做退藕部分相当完全。

其高压电容十分受胆友喜欢。

德国ROE发烧极品电容。

这个就是传说中ROE里声音最柔美的EB系列，轴向结构。

大名鼎鼎的ROE电解电容是德国造的高级电解电容，广泛使用在很多价格不菲的高档音响中,金的胶皮包装，令人不由得联想起泛着黄金般光泽的音质与音色。

品质优异，性能稳定，而且寿命很长。

耦合，退耦极品，声音中性偏温暖，速度快，解析力很高，音场开阔和思碧电容搭配使用可以说是天下无双。

瑞典生产的RIFA PEG124长寿命发烧电容，RIFA PEG124系列是RIFA电解电容中寿命最长的几个系列之一。

使用寿命大于30年远超过著名的RIFA PEH169系列。

轴向安装设计，大电流纯铜引脚。

低内阻，低分布电感，高涟漪电流，低泄露，长寿命，耐高温125度。

本品为全新品极为少见。

RIFA PEG124效果极佳。

其效果主要表现在以下几个方面： 1.音色极为优美，各音域表现异常全面，几乎无懈可击。

um二极管参数

一、概述二极管是一种最基本的电子器件，具有单向导电性，广泛应用于电子电路中。

在电路中常用的二极管有硅二极管和锗二极管两种。

本文将从以下几个方面来介绍二极管的参数。

二、正向特性参数1. 正向导通电压（VF）：当二极管正向导通时，二极管两端的电压为正向导通电压VF。

对于硅二极管而言，VF约为0.6V~0.7V，对于锗二极管而言，VF约为0.2V~0.3V。

2. 正向导通电流（IF）：当二极管正向导通时，二极管内部会产生正向导通电流IF。

正向导通电流大小与正向导通电压成正比。

3. 正向阻抗（rF）：正向阻抗是指在正向导通状态下，二极管两端电压变化单位与正向导通电流变化单位之比。

三、反向特性参数1. 反向击穿电压（VR）：即当二极管的反向电压超过反向击穿电压时，二极管会发生反向击穿现象，形成反向电流。

反向击穿电压是二极管的一个重要指标。

对于硅二极管而言，反向击穿电压一般都在50V以上，而对于锗二极管而言，反向击穿电压一般都比较低，一般在10V 以下。

2. 反向漏电流（IR）：在反向电压下，由于少量载流子穿越pn结，会形成反向漏电流IR。

反向漏电流大小与反向电压成指数关系。

3. 反向阻抗（rR）：反向阻抗是指在反向电压下，二极管两端电压变化单位与反向电流变化单位之比。

四、其他参数1. 最大耗散功率（PD）：二极管的最大耗散功率是指在规定的工作条件下，二极管允许承受的最大功率。

一般情况下，最大耗散功率与二极管封装形式有关，不同封装形式的二极管的最大耗散功率也不同。

2. 漏电流温度系数（α）：反向漏电流随着温度的升高而增大，漏电流温度系数α是指反向漏电流每升高1℃时的变化量。

3. 热阻（θJA）：热阻是指二极管在规定工作条件下，从温度升高1℃所需要的散热功率。

对于同一型号的二极管，不同封装形式的热阻也不同。

以上便是二极管的主要参数。

在工程设计中，根据具体的需求和实际情况进行选择，以满足电路要求。

0.1uf 谐振电容

0.1uf 谐振电容摘要：1.谐振电容的定义和作用2.0.1uf 谐振电容的特点3.0.1uf 谐振电容的用途4.0.1uf 谐振电容在电子设备中的应用5.如何选择合适的0.1uf 谐振电容正文：谐振电容是一种电子元件，主要用于电路的谐振，它的电容量虽然不大，但在电路中起到关键作用。

0.1uf 谐振电容是一种常见的谐振电容，具有以下特点：1.稳定性好：0.1uf 谐振电容的稳定性非常好，可以在各种环境下保持稳定的性能，适用于各种电子设备。

2.容量精度高：0.1uf 谐振电容的容量精度非常高，能够满足高精度电路的需求。

3.温度特性优良：0.1uf 谐振电容具有优良的温度特性，能够在高温或低温环境下保持稳定的性能。

4.可靠性高：0.1uf 谐振电容具有很高的可靠性，能够长时间稳定工作，不易损坏。

0.1uf 谐振电容广泛应用于各种电子设备中，如通信设备、计算机、音响等，主要用途有以下几点：1.谐振电路：0.1uf 谐振电容主要用于谐振电路，可以提高电路的谐振频率，改善电路的性能。

2.滤波电路：0.1uf 谐振电容也可以用于滤波电路，可以滤除电路中的杂波，提高电路的稳定性。

3.振荡电路：0.1uf 谐振电容还可以用于振荡电路，可以产生稳定的振荡信号，用于各种电子设备。

在选择0.1uf 谐振电容时，需要考虑以下几个因素：1.容量精度：选择容量精度高的0.1uf 谐振电容，可以保证电路的稳定性。

2.稳定性：选择稳定性好的0.1uf 谐振电容，可以在各种环境下保持稳定的性能。

3.温度特性：选择温度特性优良的0.1uf 谐振电容，可以在高温或低温环境下保持稳定的性能。

4.可靠性：选择可靠性高的0.1uf 谐振电容，可以长时间稳定工作，不易损坏。

总之，0.1uf 谐振电容是一种非常重要的电子元件，具有稳定性好、容量精度高、温度特性优良、可靠性高等特点，广泛应用于各种电子设备中。