电力电子技术-模拟试题2-试卷
电力电子技术试卷及答案(2)
电力电子技术》试题(G)
一、填空题 (每空 1 分,34分)
1、实现有源逆变的条件
为和
2、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中,两组变流装置分别工作在正组状态、状态、反组状态、状态。
3、在有环流反并联可逆系统中,环流指的是只流经而不流经
的电流。为了减小环流,一般采用α β 状态。
4、有源逆变指的是把能量转变成能量后送给装置。
5、给晶闸管阳极加上一定的电压;在门极加上电压,并形成足够的电流,
晶闸管才能导通。
6、当负载为大电感负载,如不加续流二极管时,在电路中出现触发脉冲丢失时
与电路会出现失控现象。
7、三相半波可控整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z ;而三相全控桥
整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z ;这说明电路的纹波系数比电路要小。
8、造成逆变失败的原因有、、、等几种。
9、提高可控整流电路的功率因数的措施有、、、等
四种。
10 、晶闸管在触发开通过程中,当阳极电流小于电流之前,如去掉脉冲,晶闸管
又会关断。
、判断题:(每题 2 分,20 分)对√,错×。
1、有源逆变指的是把直流能量转变成交流能量送给用电器。()
2、给晶闸管加上正向门极电压它就会导通。()
3、在半控桥整流带大电感负载,不加续流二极管电路中,电路不正常时可能会出现失控现象。()
4、三相半波可控整流电路中,如果三个晶闸管采用同一组触发装
置,则 120o。
α的移相范围只有
5、设置补偿电容可以提高变流装置的功率因数。()
6、三相半波可控整流电路也要采用双窄脉冲触发。()
7、KP2—5表示的是额定电压 200V,额定电流 500A 的普通型晶闸管。()
模拟电子技术试卷2附答案
考试科目 《模拟电子技术》 专业 (A 类B 卷)
学号 姓名 考试日期: 年 月 日
一、选择题(8小题,每空2分,共20分)
1.电路如图所示,()V sin 05.0i t u ω=,当直流电源电压V 增大时,二极管V D 的动态电阻
将__ __。
A .增大,
B .减小,
C .保持不变
2.已知某N 沟道增强型MOS 场效应管的)GS(th U =4V 。 GS u =3V ,DS u =10V ,判断管子工作在 。
A .恒流区,
B .可变电阻区 ,
C .截止区
3. 某直接耦合放大电路在输入电压为 0.1V 时,输出电压为 4V ;输入电压为 0.2V 时,输出电压为 8V (均指直流电压)。则该放大电路的电压放大倍数为________________。
A .80 ,
B .40,
C .-40,
D .20 4. 在某双极型晶体管放大电路中,测得)m V 20sin (680B
E t u ω+=,
A μ)10sin (20
B t i ω+=,则该放大电路中晶体管的
_ ___。
A .2,
B .34,
C .0.4,
D .1
5. 差分放大电路如图所示。设电路元件参数变化所引起静态工作点改变不会使放大管出现截止或饱和。若R e 增加,差模电压放大倍数d u A 。
A .增大,
B .减小,
C .基本不变
6. 为使其构成OCL 电路,V 2CES ≈U ,正常工作时,三极管可能承受的最大管压降
≈CEmax U 。
A .36V
B .34V
C .32V
D .18V
(-18V)
7. 已知图示放大电路中晶体管的=50,=1k 。该放大电路的中频电压放大倍数
电力电子技术考前模拟题(有答案)
电力电子技术考前模拟题
一、选择题
1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。
A、180°,
B、60°,c、360°, D、120°
2、α为C度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。
A,0度,B,60度,C,30度,D,120度,
3、晶闸管触发电路中,若改变 B 的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的。
A、同步电压,
B、控制电压,
C、脉冲变压器变比。
4、可实现有源逆变的电路为A。
A、三相半波可控整流电路,
B、三相半控桥整流桥电路,
C、单相全控桥接续流二极管电路,
D、单相半控桥整流电路。
5、在一般可逆电路中,最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理A。
A、30o-35o,
B、10o-15o,
C、0o-10o,
D、0o。
6、在下面几种电路中,不能实现有源逆变的电路有哪几种BCD。
A、三相半波可控整流电路。
B、三相半控整流桥电路。
C、单相全控桥接续流二极管电路。
D、单相半控桥整流电路。
11、下面哪种功能不属于变流的功能(C)
A、有源逆变
B、交流调压
C、变压器降压
D、直流斩波
12、三相半波可控整流电路的自然换相点是( B )
A、交流相电压的过零点;
B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处;
C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°;
D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。
13、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V,则该晶闸管的额定电压应为
(B)
A、700V
B、750V
C、800V
《电力电子技术》测试题及答案
《电力电子技术》测试题及其答案
一、判断题
1、表示各种电力半导体器件的额定电流,都是以平均电流表示的。(错)
2、对于门极可关断晶闸管,当门极上加正触发脉冲时可使晶闸管导通,当门极加上足够的负触发脉冲时又可使导通着的晶闸管关断。(对)
3、晶闸管由正向阻断状态变为导通状态所需要的最小门极电流,称为该管的维持电流。
(错)
4、在规定条件下,不论流过晶闸管的电流波形如何,也不论晶闸管的导通角是多大,只要通过管子的电流的有效值不超过该管额定电流的有效值,管子的发热就是允许的。
(错)
5、三相半波可控整流电路的最大移相范围是0°~180°。(错)
6、无源逆变是将直流电变换为某一频率或可变频率的交流电供给负载使用。
(错)
7、正弦波脉宽调制(SPWM)是指参考信号为正弦波的脉冲宽度调制方式。
(对)
8、直流斩波器可以把直流电源的固定电压变为可调的直流电压输出。(错)
9、斩波器的定频调宽工作方式,是指保持斩波器通端频率不变,通过改变电压脉冲的宽度来使输出电压平均值改变。
(对)
10、电流型逆变器抑制过电流能力比电压型逆变器强,适用于经常要求起动、制动与反转拖动装置。
(对)
11、三相桥式全控整流大电感负载电路工作于整流状态时,其触发延迟角的最大移相范围为0°~90°。
(对)
12、额定电流为100A的双向晶闸管与额定电流为50A两只反并联的普通晶闸管,两者的电流容量是相同的。
(错)
13、晶闸管的正向阻断峰值电压,即在门极断开和正向阻断条件下,可以重复加于晶闸管的正向峰值电压,其值低于转折电压。
(对)
14、在SPWM调制方式的逆变器中,只要改变参考信号正弦波的幅值,就可以调节逆变器输出交流电压的大小。
电力电子技术考前模拟题(有答案)
电力电子技术考前模拟题
一、选择题
1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。
A、180°,
B、60°,c、360°,D、120°
2、α为C度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。
A,0度,B,60度,C,30度,D,120度,
3、晶闸管触发电路中,若改变B的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的。
A、同步电压,
B、控制电压,
C、脉冲变压器变比。
4、可实现有源逆变的电路为A。
A、三相半波可控整流电路,
B、三相半控桥整流桥电路,
C、单相全控桥接续流二极管电路,
D、单相半控
桥整流电路。
5、在一般可逆电路中,最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理A。
A、30o-35o,
B、10o-15o,
C、0o-10o,
D、0o。
6、在下面几种电路中,不能实现有源逆变的电路有哪几种BCD。
A、三相半波可控整流电路。
B、三相半控整流桥电路。
C、单相全控桥接续流二极管电路。
D、单相半控桥
整流电路。
11、下面哪种功能不属于变流的功能(C)
A、有源逆变
B、交流调压
C、变压器降压
D、直流斩波
12、三相半波可控整流电路的自然换相点是(B)
A、交流相电压的过零点;
B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处;
C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°;
D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。
13、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V,则该晶闸管的额定电压应为
(B)
A、700V
B、750V
C、800V
D、850V
电力电子技术基础试题 (2)
B、研究电力电子器件的技术
C、研究变频电路的技术
D、研究 DC-DC 变换的技术
二 、(15 分)多项选择题(多选、少选均不给分,在正确的选项上打√)
1、晶闸管导通的条件是…………………………………………………(
)
A、阳极和阴极之间加正向电压
B、阳极和阴极之间加反向电压
C、控制极和阴极之间加正向触发脉冲 D、控制极和阴极之间加反向触发脉冲
A. Ud=2.34U2cosα
B.
π Ud=2.34U2[1+cos(
+α)]
3
C. Ud=1.17U2cosα
D.
Ud=0.675U2[1+cos(
π 6
+α)]
3、使变流器工作于有源逆变状态的整流输出电压的条件是………………( )
A.负载端有直流电势存在 B.直流电势的极性要和晶闸管的导通方向一致
)
A、异步调制
B、同步调制
C、分段同步调制
D 、分段异步调制
5、在 DC-DC 变换技术中,为什么要提高转换开关的频率…………(
)
A、可以减小滤波器的参数 B、有效降低装置的重量
C、开关损耗降低
D、提高电路效率
2
三、(10 分)是非判断题(正确打√,错误打×)
1、三相全控整流电路输出电压是电源线电压的一部分。……………….( )
电力电子技术模拟试题及答案
XX学院 20XX年秋季学期
电力电子技术模拟试题2(开卷,时间:120分钟)
(所有答案必须写在答题纸上)
一、填空题(40分,每空1分)
1. GTO的结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
2.GTO的开通控制方式与晶闸管相似,但是可以通过在门极使其关断。
3. GTO导通过程与普通晶闸管一样,只是导通时饱和程度,导通时管压降。
4. GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值I GM之比称
为, 该值一般很小,只有左右,这是GTO的一个主要缺点。
5. GTR导通的条件是:且。
6. 在电力电子电路中GTR工作在开关状态, 在开关过程中,在区和
区之间过渡时,要经过放大区。
7. 电力MOSFET导通的条件是:且。
8. 电力MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的、前者的饱和区对应后者的、前者的非饱和区对应后者的。
9.电力MOSFET的通态电阻具有温度系数。
10.IGBT是由和两类器件取长补短结合而成的复合器件10.PWM控制的理论基础是原理,即相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。
11.根据“面积等效原理”,SPWM控制用一组的脉冲(宽度按
规律变化)来等效一个正弦波。
12.PWM控制就是对脉冲的进行调制的技术;直流斩波电路得到的PWM波是等效波形,SPWM控制得到的是等效波形。
13.PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式称控制方式,PWM 波形在正负极性间变化的控制方式称控制方式,三相桥式PWM型逆变电路采用控制方式。
电力电子技术试题(二)
电力电子技术 试题(A )
注:卷面
85分,平时成绩15分
一、 回答下列问题
1、下列器件的分类表中,将符合每一类别的全部选项添入表中。(8
分)
选项:(根据选项填空时,只需写选项的代号,如:A,B,….) A. SCR
F.电力二极管 。
2、判断下列各题的正确性,正确的打“√”,不正确的打“×”。(6分)
(1)某晶闸管,若其断态重复峰值电压为500V,反向重复峰值电压700V,则该晶闸管的额定电压是700V。()
第 1 页(共 8 页)试题:电力电子技术班号:姓名:
(2)对于输入接整流变压器的可控整流电路,变压器存在直流磁化的有三相半波整流电路、单相半波整流电路和单相全波整流电路。()
(3)单相全控桥式变流电路,“阻感——反电势”负载,已知60
β=o,
2100
U V
=,50
E V
=,电路处于可逆变状态。()
3、画出全控型器件RCD关断缓冲电路,并分析缓冲电路中各元件作用。(6分)
第 2 页 (共 8 页)
试 题: 电力电子技术 班号: 姓名:
二、对于三相全控桥式变流电路,在不同的负载形式和控制要求下,
回答下列问题。 1、
画出该电路带“阻感——反电势” 负载,并工作于整流方式时的电路图
(要标明反电势极性)。(5分)
u u
u 2、当该电路工作于整流状态时,设触发角60α=o 且负载电流连续,请在图中画出此时整流器 输出电压u d 和晶闸管电流1VT i 在一个周期内的波形。(5分) i VT10
3、设该电路为大电感负载且工作于整流状态,V U 1002=,负载中E=47V ,
Ω=5R ,当60α=o 时,试计算整流输出平均电压d U 、负载电流d I 和晶闸管电流 平均值dVT I 。(5分)
《模拟电子技术》模拟题1-5(含答案)
专升暑假权威资料
模拟电子技术》模拟题 1
一、判断( 10 分)
1、以自由电子导电为主的半导体称为 N 型半导体。( )
2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。 ( )
3、 PN 结具有单向导电特性。 ( )
4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。 ( )
5、交流放大器工作时,电路中同时存在直流分量和交流分量,直流分量表示静态工作点,交流分
量表示 信号的变化情况。 ( )
6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。 ()
7、直流负反馈不能稳定静态工作点。 ()
8、晶体二极管击穿后立即烧毁。 ()
9、采用集成电路和 R,C 元件构成的电路称为无源滤波电路。 () 10、集成稳压器 79XX 系列输出的是正向电压。 () 二、选择( 10 分) P 型半导体是在本征半导体内掺杂 ( ) 价元素。 、4
1、 A 、
2、 稳压管工作于 ( ) 状态下,可以稳定电压。 A 、 正偏导通 B 、反偏截止 C 、反向击穿
3、 三极管放大的外部条件 A 、 正偏导通,反偏截止
、正偏截止, 反偏导通 C 、
正偏导通,反偏导通 、正偏截止, 反偏截止
4、 既能放大电压,也能放大电流的电路 A 、 共发射极
B 、共集电极
、共基级 D
、以上均不能
5、 共模抑制比 KCMR 越大,表明电路(
)。
A 、 放大倍数越稳定;
B 、交流放大倍数越大;
C 、 抑制温漂能力越强;
D 、输入信号中的差模成分越大。 6、放大电路中为增大输入电阻应引入(
)反馈,为稳定输出电压应引入( )反馈,为稳定输出电流
专升暑假权威资料 应引入( )反馈,为减小输出电阻,应引入
《模拟电子技术》模拟试题2
《模拟电子技术》模拟试题四
一、填空题(每空1分,共32分)
1、自由电子为()载流子,空穴为()载流子的杂质半导体称为()半导体。
2、PN结的单向导电性,就是PN结正偏时(),反偏时()。
3、扩展运动形成的电流是()电流,漂移运动形成的电流是()。
4、所谓理想二极管就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等效成开断。
5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是()控制文件。
6、当温度升高时三极管的集电极电流IC(),电流放大系数β()。
7、为了提高三极管放大电路的输入电阻,采用()负反馈。为了稳定输出电流,采用()负反馈。
8、负反馈使放大电路增益(),但()增益稳定性。
9、()称为负反馈深度,其中F=( ),称为()。
10、差模信号是大小(),极性(),差分电路不抑制()漂移。
11、甲乙类互补功率放大器,可以消除()类互补功率()失真。
12、用低频信号去改变高频信号的()称为调幅,高频信号称为()信号。
13、当频率升高时,晶体管电流放大系数()共基极电路比共射极电路的高频特性(),f δ=()fβ
14、振荡电路的平衡条件是(),正反馈才能保证振荡电路的()。
15半波整流电路电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是()。
二、选择题(每空2分,共30分)
1、三端集成稳压器CW7906的输出电压是()
A -6V
B -9v
C -12v
2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是(),该管是()型。
A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)
全国自考(模拟、数字及电力电子技术)模拟试卷2(题后含答案及解析)
全国自考(模拟、数字及电力电子技术)模拟试卷2(题后含答案及
解析)
题型有:1. 单项选择题 2. 填空题 3. 分析计算题 4. 设计题
单项选择题
1.在某种纯净的半导体中掺入【】物质,可以形成N型半导体。
A.含四价元素的杂质
B.含空穴的杂质
C.三价元素镓
D.五价元素磷
正确答案:D
解析:掺入正三价硼可以构成P型半导体;掺入正五价磷可以构成N型半导体。
2.场效应晶体管是一种【】元件。
A.电压控制电压
B.电压控制电流
C.电流控制电压
D.电流控制电流
正确答案:B
解析:场效应管工作在恒流区时,漏极电流iD的大小基本上由栅源电压uGS 控制,uGS越大,iD越大,所以称场效应管为电压控制电流型器件。
3.在基本共射放大电路中,负载电阻RL增大时,输出电阻Ro将【】A.增大
B.减少
C.不变
D.不能确定
正确答案:C
解析:共射极放大电路的输出电阻与负载电阻RL无关。
4.某两级放大电路中,第一级电压放大倍数为30倍,第二级电压放大倍数为40倍,则放大电路总的电压当大倍数为【】
A.70
B.1 200
C.40
D.80
正确答案:B
解析:多级放大电路的总的放大倍数等于各级电压放大倍数的乘积。
5.已知某逻辑电路的输入、输出波形如题5图所示,该电路完成【】
A.与非逻辑
B.或逻辑
C.异或逻辑
D.或非逻辑
正确答案:C
解析:从图中可以看出,当输入信号A、B相同时,输出Y为0;当输入信号A、B相反时,输出Y为1,所以该电路完成的是异或关系。
6.L=AB+C的对偶式为【】
A.L’=A+BC
B.L’=(A+B)C
C.L’=A+B+C
电力电子技术 模拟卷 答案
华东理工大学网络教育学院(全部答在答题纸上,请写清题号,反
面可用。试卷与答题纸分开交)电力电子技术1606模拟卷1答案
一、单选题(共10题,每题2分,共20分)
1. 可实现有源逆变的电路为( )。(2分)
A.单相半波可控整流电路,
B.三相半波可控整流桥带续流二极管电路,
C.单相全控桥接续流二极管电路,
D.三相半控桥整流电路。.★标准答案:B
2. 晶闸管串联时,为达到静态均压,可在晶闸管两端并联相同的()。(2分)A.电阻 B.电
容 C.电
感 D.阻容元件
.★标准答案:A
3. 当晶闸管随反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在( ) (2分)
A.导通状态
B.关断状态
C.饱和状态
D.不
定
.★标准答案:B
4. 单相全控桥式带电阻性
负载电路中,控制角α的最大移相范围是()(2分)
A.90°
B.120°
C.150°
D.180°
.★标准答案:D
5. 有源逆变电路中,晶闸管大部分时间承受正压,承受反压的时间为()。(2分)A.π-β B.30
°+β C. 10°+β
D.β
.★标准答案:D 6. 单相全控桥式整流大电感负载电路中,控制角α的移相范围是()(2分)
A.0~90°
B.0~180°
C.90°~180°
D.180°~360°
.★标准答案:A
7. 单相全控桥,带反电动势负载,当控制角α大于不导电角δ时,晶闸管的导通角θ为(2分)
A.π-α-δB .π-α+δ C.π-2αD .π-2δ
.★标准答案:A
8. 下列几种电力电子器件
中开关频率最高的是( ) (2分)
A.功率晶体管
电力电子技术试题(二)
注:卷面85分,平时成绩15分
1、下列器件的分类表中,将符合每一类别的全部选项添入
表中。(8分)
选项:(根据选项填空时,只需写选项的代号,如:A,B,….)
A.SCR
F.电力二极管。
2、判断下列各题的正确性,正确的打“√”,不正确的打“×”。(6分)
(1)某晶闸管,若其断态重复峰值电压为500V,反向重复峰值电压700V,则该晶闸管的额定电压是700V。()
第 1 页(共 8 页)
试题:电力电子技术班号:姓名:
(2)对于输入接整流变压器的可控整流电路,变压器存在直流磁化的有三相半波整流电路、单相半波整流电路和单相全波整流电路。
()
(3)单相全控桥式变流电路,“阻感——反电势”负载,已知60
β=,
2100
U V
=,50
E V
=,电路处于可逆变状态。()
3、画出全控型器件RCD关断缓冲电路,并分析缓冲电路中各元件作用。(6分)
第 2 页(共 8 页)试题:电力电子技术班号:姓名:
二、对于三相全控桥式变流电路,在不同的负载形式和控制
要求下,
回答下列问题。
1、
画出该电路带“阻感——反电势” 负载,并工作于整流方式时的电路图
(要标明反电势极性)。(5分)
3、设该电路为大电感负载且工作于整流状态,V U 1002=,负载中E=47V , Ω=5R ,当60α=时,试计算整流输出平均电压d U 、负载电流d I 和晶闸管电流
u u u 2、当该电路工作于整流状态时,设触发角60α=且负载电流连续,请在图中画出
此时整流器
平均值
dVT
I。(5分)
第 3 页(共 8 页)试题:电力电子技术班号:姓名:
电力电子技术考前模拟题(有标准答案)
电力电子技术考前模拟题
一、选择题
1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。
A、180°,
B、60°,c、360°, D、120°
2、α为C度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。
A,0度,B,60度,C,30度,D,120度,
3、晶闸管触发电路中,若改变B 的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的。
A、同步电压,
B、控制电压,
C、脉冲变压器变比。
4、可实现有源逆变的电路为A。
A、三相半波可控整流电路,
B、三相半控桥整流桥电路,
C、单相全控桥接续流二极管电路,
D、单相半控桥整流电路。
5、在一般可逆电路中,最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理A。
A、30º-35º,
B、10º-15º,
C、0º-10º,
D、0º。
6、在下面几种电路中,不能实现有源逆变的电路有哪几种BCD。
A、三相半波可控整流电路。
B、三相半控整流桥电路。
C、单相全控桥接续流二极管电路。
D、单相半控桥整流电路。
11、下面哪种功能不属于变流的功能(C)
A、有源逆变
B、交流调压
C、变压器降压
D、直流斩波
12、三相半波可控整流电路的自然换相点是( B )
A、交流相电压的过零点;
B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处;
C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°;
D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。
13、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V,则该晶闸管的额定电压应为
(B)
A、700V
B、750V
C、800V
D、850V
电力电子技术模拟题及答案
四川大学网络学院
《电力电子技术》模拟试题一
一、选择题(在每个小题四个备选答案中选出一个正确答案,填在题末的括号中)(本大题
共5小题,每小题2分,总计10分)
1、晶闸管稳定导通的条件()
A、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流
B、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流
C、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流
D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电
流
2、晶闸管通态平均电流I T(A V)与其对应有效值I的比值为()
A、1.57
B、1/1.57
C、1.75
D、1/1.17
3、对于升降压直流斩波器,当其输出电压小于其电源电压时,有()
A、α无法确定
B、0.5
C、0
D、以上说法均是错误的
4、有源逆变发生的条件为()
A、要有直流电动势
B、要求晶闸管的控制角大于900
C、直流电动势极性须和晶闸管导通方向一致
D、以上说法均是错误的
5、对于电阻负载单相交流调压电路,下列说法错误的是()
A、输出负载电压与输出负载电流同相
B、α的移项范围为00
C、输出负载电压U O的最大值为U1
D、以上说法均是错误的
二、填空题(每空2分,共计30分)
1、电力电子技术是使用电力电子器件对电能进行和的技术。
2、电力变换通常可分为:、、和。
3、电力电子学是由、和交叉而形成的边缘科学。
4、根据对输出电压平均值进行调制的方式不同,直流斩波电路有三种控制方式
、和。
5、按照电力电子器件能够被控制信号所控制的程度,可以将电力电子器件分为
、和。
三、作图题(每小题5分,共计10分)(要求:图标清楚,比例适
当)
1、电路如图1所示,输入电压为u2,触发脉冲为u g ,其波形如图
电力电子技术试卷及答案-第二章
电力电子技术试题(第二章)
一、填空题
1、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压,保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的被触发,才能得到稳定的直流电压。
1、同步、时刻。
2、晶体管触发电路的同步电压一般有同步电压和电压。
2、正弦波、锯齿波。
3、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用与一个或几个的叠加,利用改变的大小,来实现移相控制。
3、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。
4、在晶闸管两端并联的RC回路是用来防止损坏晶闸管的。
4、关断过电压。
5、为了防止雷电对晶闸管的损坏,可在整流变压器的一次线圈两端并接一个或。
5、硒堆、压敏电阻。
6、用来保护晶闸管过电流的熔断器叫。
6、快速熔断器。
7、晶闸管整流装置的功率因数定义为侧与之比。
7、交流、有功功率、视在功率
8、晶闸管装置的容量愈大,则高次谐波,对电网的影响。
8、愈大,愈大。
9、在装置容量大的场合,为了保证电网电压稳定,需要有补偿,最常用的方法是在负载侧。
9、无功功率;并联电容。
二、判断题对的用√表示、错的用×表示(每小题1分、共10分)
1、在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安全。(√)
2、为防止“关断过电压”损坏晶闸管,可在管子两端并接压敏电阻。(×)
3、雷击过电压可以用RC吸收回路来抑制。(×)
4、硒堆发生过电压击穿后就不能再使用了。(×)
5、晶闸管串联使用须采取“均压措施”。(√)
6、为防止过电流,只须在晶闸管电路中接入快速熔断器即可。(×)
7、快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。(√)
8、晶闸管并联使用须采取“均压措施”。(×)
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电力电子技术模拟试题2(开卷,时间:120分钟)
(所有答案必须写在答题纸上)
一、填空题(40分,每空1分)
1. GTO的结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
2.GTO的开通控制方式与晶闸管相似,但是可以通过在门极使其关断。
3. GTO导通过程与普通晶闸管一样,只是导通时饱和程度,导通时管压降。
4. GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值I GM之比称
为, 该值一般很小,只有左右,这是GTO的一个主要缺点。
5. GTR导通的条件是:且。
6. 在电力电子电路中GTR工作在开关状态, 在开关过程中,在区和
区之间过渡时,要经过放大区。
7. 电力MOSFET导通的条件是:且。
8. 电力MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的、前者的饱和区对应后者的、前者的非饱和区对应后者的。
9.电力MOSFET的通态电阻具有温度系数。
10.IGBT是由和两类器件取长补短结合而成的复合器件10.PWM控制的理论基础是原理,即相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。
11.根据“面积等效原理”,SPWM控制用一组的脉冲(宽度按
规律变化)来等效一个正弦波。
12.PWM控制就是对脉冲的进行调制的技术;直流斩波电路得到的PWM波是等效波形,SPWM控制得到的是等效波形。
13.PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式称控制方式,PWM 波形在正负极性间变化的控制方式称控制方式,三相桥式PWM型逆变电路采用控制方式。
14.SPWM波形的控制方法:改变调制信号u r的可改变基波幅值;改变
调制信号u r的可改变基波频率;
15.得到PWM波形的方法一般有两种,即和,实际中主要采用。
16.根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况,PWM调制方式可分为
和。一般为综合两种方法的优点,在低频输出时采用方法,在高频输出时采用方法。
二、简答题(20分,每题2分)
1. 什么是电力电子技术?
2. 电能变换电路的有什么特点?机械式开关为什么不适于做电能变换电路中的开关?
3. 电力电子变换电路包括哪几大类?
4.电压型逆变电路中反馈二极管的作用是什么?为什么电流型逆变电路中没有反馈二极管?
5.什么是电流跟踪型PWM变流电路?采用滞环比较方式的电流跟踪型变流器有何特点?采用三角波比较方式电流跟踪型逆变电路有何特点?
6.什么是PWM整流电路?它和相控整流电路的工作原理和性能有何不同?
7.交交变频电路的最高输出频率是多少?制约输出频率提高的因素是什么?
8.IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?
9.说明电力电子装置中产生过电压和过电流的原因。各举出3种常用的过电压和过电流保护措施,画出它们的配置简图,并说明其工作原理。
10.试画出间接直流变流电路的结构并简述采用这种结构的原因。
三、画图题(10分)
1. 下图所示的单相全桥逆变电路工作于双极性SPWM模式。设载波比N=9要求:画出1个调制信号波周期内的开关控制信号波形和输出电压u O的波形。
四、计算题(30分,每题10分)
1.流经晶闸管的电流波形如下图所示,其电流最大值为Im。试计算电流波形的平均值、有效值。若取安全裕量为2,问额定电流为100A的晶闸管,其允许通过的电流平均值和最大值为多少?
2. 三相桥式全控整流电路带电阻负载工作,设交流电压有效值U2=400V,负载电阻Rd=10Ω, 控制角 α= π/2 rad, 试求:(1)输出电压平均值Ud;(2)输出电流平均值Id。
3. 桥式可逆斩波电路如题下图所示,电机为正向电动状态。
当电机处于低速轻载运行状态(即负载电流较小且正负交变),完成下题:
采用双极型控制方式时,画出V1~V4驱动信号的波形,负载上电压和电流的波形;并在此基础上结合电流波形说明在一个周期内的不同区段上负载电流的路径以及在该区段内电机的工作状态。