电子技术基础习题带答案

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（完整版）电子技术基础习题答案

（完整版）电子技术基础习题答案三、选择题：（每小题2分，共20分）1、单极型半导体器件是（C）。

A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。

2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。

A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。

3、稳压二极管的正常工作状态是（ C）。

A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。

4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（C）。

A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。

5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。

A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。

6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。

A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。

7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。

A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断。

8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。

A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。

9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。

A、集电极最大允许电流I CM；B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率P CM；D、管子的电流放大倍数。

10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C）A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。

三、选择题：（每小题2分，共20分）1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C）。

A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。

2、基本放大电路中的主要放大对象是（B）。

A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。

3、分压式偏置的共发射极放大电路中，若V B点电位过高，电路易出现（B）。

A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。

电子技术基础练习题库及答案

电子技术基础练习题库及答案一、单选题（共70题，每题1分，共70分）1、本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。

A、✔B、×正确答案：A2、单相半波整流电路，负载电阻RL=750W，变压器次级电压有效值，U2=20V，则输出电压平均值U0为。

A、18VB、20VC、9V正确答案：C3、PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是（）A、少数载流子。

B、既有多数载流子又有少数载流子。

C、多数载流子。

正确答案：C4、符号IB表示三极管基极电流的（）A、直流分量。

B、交流分量。

C、直流分量和交流分量之和。

正确答案：A5、在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，若静态工作点设置太低，将产生（）A、截止失真。

B、放大失真。

C、饱和失真。

正确答案：A6、三端集成稳压器cw7812的输出电压是（）A、5VB、9VC、12V正确答案：C7、测得在放大状态的三极管的三个管角电位分别是15.5v,6v,6.7v，则该三极管类型是（）A、npn型硅管。

B、npn型锗管C、PnP型锗管正确答案：A8、稳压管的稳压区是指其工作在（）的区域。

A、正向导通。

B、反向击穿。

C、反向截止。

正确答案：B9、在由运放组成的电路中运放工作在非线性状态的电路是。

（）A、差值放大器。

B、反相放大器。

C、电压比较器。

正确答案：C10、组合逻辑电路的输出与电路的原状态（）A、无关B、有关C、不一定正确答案：B11、组合电路的特点是任意时刻的输出与电路的原状态有关。

A、×B、✔正确答案：A12、下列三种电路中，输入电阻最大的电路是（）A、共集放大电路。

B、共射放大电路。

C、共基放大电路。

正确答案：A13、最常用的显示器件是（）数码显示器。

A、七段B、五段C、九段正确答案：A14、逻辑代数运算于普通代数运算结果（）A、相同B、不想同C、有的相同，有的不相同。

正确答案：C15、非门的逻辑功能是（）A、有0出0。

全1出1。

B、有1出1。

电子技术基础与技能模拟习题(附答案)

电子技术基础与技能模拟习题（附答案）一、单选题（共40题，每题1分，共40分）1、能完成两个1位二进制数相加并考虑到低位来的进位的器件称为A、译码器B、全加器C、编码器D、半加器正确答案：B2、在编码器74LS148中，关于输入使能端说法正确的为A、该引脚为低电平时，所有输出端为高电平B、该引脚为低电平时，编码器正常工作C、该引脚为高电平时，编码器正常工作D、该引脚为高电平时，所有输入端为高电平正确答案：B3、用指针式万用表检测某晶体三极管时，用红表笔搭接1脚，黑表笔分别搭接2、3脚时，指针偏转角均较大。

这说明此三极管类型为A、PNP型，且1脚为基极B、NPN型，且1脚为基极C、NPN型，且2脚为基极D、PNP型，且2脚为基极正确答案：A4、甲类功放的效率低是因为A、静态电流过大B、管子通过交流电流C、单管放大的能力小D、变压器效率低正确答案：A5、74LS192是( )进制可逆计数器。

A、异步、十B、异步、十六C、同步、十六D、同步、十正确答案：D6、温度影响了放大电路中( )的参数，从而使静态工作点不稳定。

A、电源B、三极管C、电阻D、电容正确答案：B7、8421BCD码1000 1001表示的十进制数码为A、67B、68C、79D、89正确答案：D8、下列所述中，属于串联型稳压电路的特点的是A、调试方便B、输出电压不可调C、输出电流小D、输出电压稳定度高且可调节正确答案：D9、在登录你的电子信箱的过程中，要有两个条件，一个是用户名，一个是与用户名对应的密码，要完成这个事件( 登陆成功)，它们体现的逻辑关系为A、“与”关系B、不存在逻辑关系C、“非”关系D、“或”关系正确答案：A10、一个八进制计数，最多能记忆的脉冲个数为A、10B、7C、9D、8正确答案：B11、Q0~Q3为74LS194的A、并行数据输端B、串行数据输入端C、并行数据输出端D、串行数据输出端正确答案：C12、开关电源若不能启动，应重点调整A、误差放大级B、脉宽控制级C、调整管基极偏置D、脉冲变压器正确答案：C13、8位二进制数能表示十进制数的最大值是A、256B、255C、298D、292正确答案：B14、若逻辑函数L=( )( )，则L可简化为A、L=A+BCB、L=AB+CC、L=AC+BD、L=ABC正确答案：A15、下列不属于组合逻辑电路的有A、译码器B、计数器C、数据分配器D、编码器正确答案：B16、D触发器的D端和Q端相连，D触发器的初态为“0”状态，试问经过10个时钟脉冲后触发器的状态为A、1状态B、0状态C、不定状态D、高阻状态正确答案：B17、译码器是一类多输入多输出器件，属于A、组合逻辑电路B、基本门电路C、编码器D、时序逻辑电路正确答案：A18、若逻辑函数L=(A+BCD )AB，则L可简化为A、L=AB、L=BCDC、L=ABD、L=A+BCD正确答案：C19、将一位十进制数的输入信号转换成8421BCD码的电路属于一种A、加法器B、数据比较器C、编码器D、译码器正确答案：C20、74LS161是( )进制加计数器。

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一、单选题1.测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是U =1.2V ，U =0.5V ，U =3V，该三极管处在（）B E C状态。

A. 击穿B.截止C.放大D.饱和2.二极管的主要特性是（）。

A. 放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在 N 型半导体中（）。

A. 只有自由电子B. 只有空穴C.有空穴也有电子D. 没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。

A. 放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流 I B=10μA时，I C=1mA；而 I B=20μA时，IC=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。

A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、 -10V和 -9.3V，则该管为（）。

A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷9.测得 NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V ， U E=2.1V ， U C＝ 3.6V ，则该管处于（）状态。

精品文档10.P 型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。

A. 大于B.小于C.等于D.大于或等于11.N 型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。

A. 自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。

模拟电子技术基础部分练习题含答案

模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。

A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。

A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。

A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。

A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。

A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。

A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。

A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。

电工电子技术基础习题答案解析

第1章电路的基本知识1.1电路的概念 (1) 略(2) 电路通常由电源、负载和中间环节(导线和开关)等部分组成。

A •电源的作用：将其他形式的能转换成电能。

B •负载的作用：将电能转换成其他形式的能。

C •中间环节的作用：传递、分配和控制电能。

1.2电路中的主要物理量 (1) 零、负电位、正电位 (2) 3、1.5、3、1.5、0、3 (3) -7,-5 1.3电阻 (1) 3: 4 (2)查表1.3，知锰铜合金的电阻率 J =4.4 10亠」m1.4欧姆定律 (1)电动势、内压降(2)当R= R 时，电路处于开路状态，其特点是电路中电流为零，电源端电压等于电源电动势；当R=0时，电路处于短路状态，其特点是短路电流极大，电源端电压等于。

由于I =0.22A=220mA . 50mA ，故此人有生命危险。

1.5电功与电功率P 40(2)略(3) W 二Ult =220 0.2 7200 = 316800J思考与练习一、判断题1" 2. X 3. V 4. X 5. V 6. X 7. X 8. V 9. X 二、选择题1. C2. C3. B4. B5. B6. B7. C8. B根据t ，得1RS 3 0.21 10 P 4.4如0二=1.43 m(3)U 220R "1000= 0.22 A(1)t=W 二空£=25h三、填空题1 •正、相反；2•参考点；3•负极、正极； 4 •高、低、低、高； 5•材料、长度、横截面积、 R - ； 6• 1800、土 5%; 7. 220S四、计算题1 • U ab =V a -V b =10 - 5 = 5VU bc *b-V c =5-(-5) =10 V U ac 二V a-V c =10 -(-5) =15V U ca - —U ac - - 15VR = U420门I0.2 220100 10(2)U =IR =2 100=200V(3) U r =lr =2 10 =20V 4.( 1)P =UI = 220 4 =880W(2)W 二 Pt =880 1800 =1584000J2 2(3) Q =l Rt =4 0.5 1800 =14400J(4) E =W -Q =1584000 -14400 =1569600 J第2章直流电路的分析与计算2.1电阻的连接(1) I mb =0.5AR 1 4U 2 = IR 2 =0.5 20 =10V U U U 2 =210 =12VR 2故 P 2』P 二10 28 =14WR 2 202. I24 120= 0.2A 3・(1)(2)由于P P 2 R 1 U 2 R 2 R 1WORD 格式整理10(3) (a ) R ab(b) R ab(R R)RR 」R 3(R R) R (c) R ab=R=1门R (2 R)RR（汀）R32 —Q 52.2基尔霍夫定律 (1) 5、3、6、3 (2) 假设I 2、I 3的方向和回路绕行方向如图 I 1 R 1 1 3R 3 = E 1 12 R 2 T 3 R 3 = E2 0.008 I 2 =丨3 0.008 50 8OI3 =3 I 丨2艮 +8013 =12解得 =0.0245 A=24.5mA =0.0325 A=32.5mA R 2 = 384门2.3电压源与电流源的等效变换（1） I s =—、不变、并、E — I s r 、不变、r （2）（ a ）把两个电压源等效变换为电流源，如图- ----1Q0Q200 n 10¥ a -O rn,evO匸(a)2.2（ a ）所示。

(完整版)电工电子技术基础_习题解答

10．有一只双量程电压表电路如图 1-33所示。已知其表头的内阻R0=120Ω，允许通过的电流I0=500μA，求串联分压电阻R1、R2的阻值及功率。
图1-33 题10图
解：
（1）10V量程
R1=10/0.5-0.12=19.88kΩ，电阻功率：P=UI=10×0.5=5mW
（2）50V量程
R2=50/0.5-0.12=99.88kΩ电阻功率：P=UI=50×0.5=25mW ，1/4W。
图2-31题8图
解：
（1） V
（2） V
第3章习题
3-1判断题
1．作周期性变化的电量称为交流量。（×）
2．按正弦规率变化的电量称为正弦交流量。（√）
3．交流电的三要素是周期、频率和角频率。（×）
4．两个同频率的正弦交流量在任何时候其相位差不变。（√）
14．自感电动势的大小与线圈的电感量成正比。（√）
15．如果两个线圈的互感磁通固定不变，则两个线圈中的互感电动势为零。（√）
2-2计算题
1．如图2-27所示，分别标出各载流导线所受磁场力的方向。
图2-27题1图
解：
2．有一匀强磁场，磁感应强度B=0.13T，磁力线垂直穿过S=10cm2的平面，介质的相对磁导率μr=3000。求磁场强度H和穿过平面的磁通Φ。
11．有一微安表头，它的最大量程是I0=100μA，内阻为R0=1kΩ，如果改成最大电流为100mA的电流表，求分流电阻R1=?（改装电路参见图1-34所示。）
图1-34 题11图
解：
总电阻为
U0=I0R0=0.1V
R=U0/I=0.1/100=0.001kΩ=1Ω
分流电阻为
根据电阻并联公式计算：
I=U/R=0.302A

电子技术基础复习题及答案

电子技术基础复习题及答案一、选择题1.下列哪种元件被广泛应用于逻辑门电路中？A. 电阻B. 电容C. 晶体管D. 电感答案：C2.以下哪个元件可以将交流电转换成直流电？A. 电容B. 反向阻止二极管C. 普通二极管D. NPN 晶体管答案：B3.下列哪个元件的阻值可以随输入信号的变化而变化？A. 可调电阻器B. 电阻C. 电感D. 电容答案：A4.以下哪个元件用于在电路中存储数据？A. 电阻B. 电容C. 晶体管D. 二极管答案：B5.下列哪个元件用于限制电路中的电流？A. 电阻B. 电容C. 晶体管D. 电感答案：A二、填空题6.一个电路中，有一个电源和两个电阻分别为10 Ω 和20 Ω，求电路总电阻。

答案：30 Ω7.以下哪个定律用于计算电路中的电压？答案：欧姆定律8.以下哪个定律用于计算电路中的电流？答案：基尔霍夫定律9.在直流电路中，电容器的电压和电流的关系为I = C dU/dt。

答案：I = C dU/dt三、简答题10.什么是 P 型半导体和 N 型半导体？答：P 型半导体是通过在硅片中添加杂质元素，如硼 (B) 等，使得硅片中存在过多的空穴来形成的。

N 型半导体则是加入不同的杂质，如砷 (As) 等，以形成过量的自由电子。

11.什么是逻辑门？答：逻辑门是指用于数字电路中的基本电路元件，以处理输入信号以产生输出信号的设备。

常见的逻辑门有与门、或门、非门、异或门等。

四、编程题12.写一个 Python 函数，以计算并返回一个电路总电阻。

该函数应该接受一个包含所有电阻值的列表参数。

def calculate_total_resistance(resistances):total =0for resistance in resistances:total += resistancereturn total本文涵盖了电子技术基础中的多个主题，包括逻辑门、半导体、电路中的电压和电流以及电容器和电阻的定律。

电子技术基础知识练习题与答案

电子技术基础知识练习题与答案电子技术基础知识练习题与答案电子技术是根据电子学的原理，运用电子元器件设计和制造某种特定功能的电路以解决实际问题的科学，包括信息电子技术和电力电子技术两大分支。

下面跟着小编来看看电子技术基础知识练习题与答案吧！希望对你有所帮助。

一、基础知识。

1.按照调制方式分类，光调制可以分为：强度调制、相位调制、波长调制、频率调制、偏振调制。

2.半导体激光器发光是由能带之间的电子空穴对复合产生的。

3.激励过程是使半导体中的载流子过程从平衡态激发到非平衡态。

4.固体激光器是以固体为工作物质的激光器，也就是以掺杂的离子型绝缘晶体和玻璃为工作物质。

5.光纤传感器中常用的光电探测器：光电二极管、光电倍增管、光敏电阻。

6.红外探测器的响应波长范围参数指探测器电压响应率与入射的红外波长之间的关系。

7.光子探测原理是指利用半导体在入射光的照射下产生光子效应。

8.利用温差电势制成的红外探测器称为热电偶。

9.红外辐射在大气中传播时由于大气中水分子、蒸汽等吸收和散射使辐射在传播过程中衰减。

10.当红外辐射照在热敏电阻上时，使温度上升，内部粒子无规则运动加剧，自由电子数随温度而上升，所以电阻会减小。

11.辐射出射度：辐射体单位面积向半空间发出的辐射通量。

12.光电磁是利用光生伏特效应将光能变成电能。

13.任何物质只要温度高于0K就会向外辐射能量。

14.红外无损检测是通过测量热流或热量来检测。

15.内光电探测器可分为光电导、光伏特、光电磁三种探测器。

16.红外探测器的性能参数：电压响应率、噪声等效功率、时间常数。

17.光束扫描根据其应用的目的可分为模拟扫描和数字扫描。

模拟扫描用于显示，数字扫描用于光存储。

18.固体摄像器件主要有：CCD、CMOS、CID。

19.声光相互作用分为：拉曼—纳斯衍射和布喇格衍射。

20.磁光效应：外加磁场作用引起材料光学各向异性的现象。

D的基本功能：电荷存储、电荷转移。

按结构分为线阵CCD和面阵CCD。

电子技术基础习题带答案

理论测验一、单项选择题：1．不属于对助焊剂的要求的是 CA、常温下必须稳定,熔点应低于焊料B、在焊接过程中具有较高的活化性,较低的表面张力,粘度和比重应小于焊料C、绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用,焊接后的残留物难清洗D、不产生有刺激性的气味和有害气体,熔化时不产生飞溅或飞沫2．松香酒精溶液的松香和酒精的比例为 BA、1：3B、3：1C、任何比例均可3．烙铁头按照材料分为合金头和纯铜头,使用寿命长的烙铁头是 AA、合金头B、纯铜头4．焊接一般电容器时,应选用的电烙铁是 AA、 20W内热式B、35W内热式C、60W外热式D、100W外热式5．150W外热式电烙铁采用的握法是 BA、正握法B、反握法C、握笔法6．印刷电路板的装焊顺序正确的是 CA、二极管、三极管、电阻器、电容器、集成电路、大功率管,其它元器件是先小后大;B、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管,其它元器件是先大后小;C、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管,其它元器件是先小后大;D、电阻器、二极管、三极管、电容器、集成电路、大功率管,其它元器件是先大后小; 7．在更换元器件时就需要拆焊,属于拆焊用的工具的是 AA、电烙铁、铜纺织线、镊子B、电烙铁、铜纺织线、螺丝刀C、电烙铁、镊子、螺丝刀D、铜纺织线、镊子、螺丝刀二、多项选择题1．焊点出现弯曲的尖角是由于 ABA、焊接时间过长,烙铁撤离方向不当B、焊剂太多,烙铁撤离方向不当C、电烙铁功率太大造成的D、电烙铁功率太小造成的2．焊接一只低频小功率三极管应选用的电烙铁是 AA、20W内热式B、35W内热式C、50W外热式D、75W外热式３．75W外热式电烙铁 BA、一般做成直头,使用时采用握笔法B、一般做成弯头,使用时采用正握法C、一般做成弯头,使用时采用反握法D、一般做成直头,使用时采用正握法４．下列电烙铁适合用反握法的是 DA、20WB、35WC、60WD、150W５．20W内热式电烙铁主要用于焊接 DA、8W以上电阻B、大电解电容器C、集成电路D、以上答案都不对６．焊点表面粗糙不光滑 BA、电烙铁功率太大或焊接时间过长B、电烙铁功率太小或焊丝撤离过早C、焊剂太多造成的D、焊剂太少造成的７．电烙铁“烧死”是指 CA、烙铁头不再发热B、烙铁头粘锡量很多,温度很高C、烙铁头氧化发黑,烙铁不再粘锡D、烙铁头内电热丝烧断,不再发热８．一般电烙铁有三个接线柱,其中一个是接金属外壳的,接线时应 BA、用三芯线将外壳保护接地B、用三芯线将外壳保护接零C、用两芯线即可,接金属外壳的接线柱可空着９．所谓夹生焊是指 CA、焊料与被焊物的表面没有相互扩散形成金属化合物B、焊料依附在被物的表面上,焊剂用量太少C、焊件表面晶粒粗糙,锡未被充分熔化;三、判断题1．在检测电阻的时候,手指可以同时接触被测电阻的两个引线,人体电阻的接入不会影响测量的准确性; ×2．在应用SMT的电子产品中分为两种安装方式：完全表面安装和混合安装; √3．笔握法适用于小功率的电烙铁焊接印制板上的元器件; √4．焊接时每个焊点一次焊接的时间应该是3～5秒; ×四、简答题：1．在焊接过程中,助焊剂的作用是什么答：1除去氧化物;为了使焊料与工件表面的原子能充分接近,必须将妨碍两金属原子接近的氧化物和污染物去除,助焊剂正具有溶解这些氧化物、氢氧化物或使其剥离的功能;2防止工件和焊料加热时氧化;焊接时,助焊剂先于焊料之前熔化,在焊料和工件的表面形成一层薄膜,使之与外界空气隔绝,起到在加热过程中防止工件氧化的作用; 3降低焊料表面的张力;使用助焊剂可以减小熔化后焊料的表面张力,增加其流动性,有利于浸润;2．怎样做可以避免烙铁头烧死,烙铁不再粘锡答：烙铁头不粘锡主要是其温度过高,表面氧化所致,首先要在烙铁加热后在松香里反复摩擦去掉氧化皮,再沾上焊锡就可以了;3．电烙铁的握法有哪几种正握法主要适用于什么场合答：电烙铁的握法有正握、反握和笔握;正握法适于中等功率烙铁或带弯头电烙铁的操作;4．电子产品组装时,元件安装有哪些标准答：1元件器的标志方向应按照图纸规定的要求,安装后能看清元件上的标志;若装配图上没有指明方向,则应使标记向外易于辨认,并按从左到右、从下到上的顺序读出;2元器件的极性不得装错,安装前应套上相应的套管;3安装高度应符合规定要求,同一规格的元器件应尽量安装在同一高度上;4安装顺序一般为先低后高,先轻后重,先易后难、先一般元器件后特殊元器件;5元器件在印制电路板上的分布应尽量均匀、疏密一致,排列整齐美观;不允许斜排、立体交叉和重叠排列;6元器件外壳和引线不得相碰,要保证1mm左右的安全间隙,无法避免时,应套绝缘套管;7元器件的引线直径与印制电路板焊盘孔径应有～0.4mm的合理间隙;8MOS集成电路的安装应在等电位工作台上进行,以免产生静电损坏器件,发热元件不允许贴板安装,较大的元器件的安装应采取绑扎、粘固等措施;5．电子产品装配工艺文件包括哪几部分答：、由四个部分组成：企业区分代号、该工艺文件的编制对象设计文件的十进分类编号、工艺文件简号以及区分号;理论测验一、判断题：1. 逻辑变量的取值,１比０大; ×2. 因为逻辑表达式A+B+AB=A+B成立,所以AB=0成立; ×3．在时间和幅度上都断续变化的信号是数字信号,语音信号不是数字信号; ×4．组合逻辑电路的特点是具有记忆功能×5．只用与非门不能实现Y=A B＋BC; × 6译码显示器既要完成译码功能,还有将译码后的结果或数据显示出来; √7．优先编码器对同时输入的信号中只对优先级别最高的一个信号编码; √8．半导体数码管采用共阴极方式时,译码器输出低电平驱动相应的二极管发光; ×9.同或门的逻辑功能是“相同出0,相异出1”; ×10.译码器的功能是将二进制数码还原成给定的信息; √二、填空题1.有一数码,作为自然二进制数时,它相当于十进制数 147 ;2.优先编码器允许同时输入两个以上的编码信号,但工作时只对优先级别高的输入信号进行编码,其余的输入信号可看成无效信号 ;3.客观事物的最基本的逻辑关系有_与逻辑、_或逻辑和_非_逻辑三种;个“1”连续进行非运算,其结果是 0 ;与非门多余的输入端应接高电平 ;6.同或门和异或门的关系可以用非逻辑关系表示;7.对TTL与非门闲置端不用的处理方法是悬空 ;8.组合逻辑电路的设计步骤是根据实际要求的逻辑关系建立真值表、由真值表写出逻辑表达式、化简逻辑表达式、画逻辑电路图 ;9.译码显示器是先将输入的二进制码译码成十进制数的信号,再利用译码输出驱动显示数字;三、选择题：1.十进制整数转换成二进制整数一般采用 B 方法;A. 除2取整法B. 除2取余法C. 乘2取整法D. 除10取余法2．当A = B = 0时,能实现Y = 1的逻辑运算是 C ;A．Y = AB B．Y = A+B C．Y A B=+=+D．Y A B 3．二进制的减法运算法则是 D ;A．逢二进一B．逢十进一C．借一作十D．借一作二4．MOS或门的多余输入端应 C ;A．悬空B．接高电平C．接低电平D．高低电平均可5．组合逻辑电路应该由哪种器件构成 C ;A．触发器B．计数器C．门电路D．振荡器6．三位二进制编码器输出与输入端的数量分别为 B ;A．3个和2个B．3个和8个C．8个和3个D．2个和3个7．七段显示译码器,当译码器七个输出端状态为abcdefg = 0110011时,高电平有效,输入一定为 C ;A．0011 B．0110 C．0100 D．0101 8．下列门电路,不属于基本门电路 D ;A．与门B．或门C．非门D．与非门9．组合逻辑电路的特点有 A ;A．电路某时刻的输出只决定于该时刻的输入B．含有记忆元件C．输出、输入间有反馈通路D．电路输出与以前状态有关10．TTL逻辑电路是以 A 为基础的集成电路;A．三极管B．二极管C．场效应管D．不能确定四、问答题：1. 十进制转换成二进制的具体转换方法是什么答：十进制数的整数部分采用“除2取余法”；小数部分采用“乘2取整法”;2. 分别描述异或门和同或门的逻辑功能,并说明他们之间的关系;答：异或门的逻辑功能是：同为0,异为1;同或门的逻辑功能是：同为1,异为0;异或逻辑和同或逻辑之间是非逻辑关系;3．简述图7-4中与发光二极管串联电阻的作用,如果将电阻值更换为100kΩ,则发光二极管还能正常发光吗为什么答：电路中与发光二极管串联的的电阻起到分压作用;如果将阻值更换为100kΩ,会导致电流过小,使二极管不能正常发光;4.译码的含义是什么为什么说译码是编码的逆过程译码器和编码器在电路组成上有什么不同答：译码的含义是把某种输入代码翻译成一个相应的信号输出;由于编码是将各种输入信息编成二进制代码输出,所以说译码是编码的逆过程;编码器电路有n2个输入端,则有n个输出端；而译码器电路有n个输入端,则有n2个输出端;理论测验一、判断题：1.脉冲技术现在已经广泛应用于电子计算机、自动控制、遥控遥测、电视、雷达和广播通讯等许多领域; √2.正弦波属于脉冲波的特殊形式; ×3.矩形波是脉冲波的常用波形之一,理想的矩形波都有一个上升边沿和下降边沿,中间为平顶部分; √电路中电容器的充电速度与R和C的大小有关,放电的速度取决于时间常数√积分电路的工作特点是对脉冲信号起到“突出恒定量,压低变化量”的作用;√微分电路的工作特点是对脉冲信号起到“突出变化量,压低恒定量”; √7.多谐振荡器是一种能自动反复输出矩形脉冲的自激振荡电路,并且含有丰富的多次谐波; √8．施密特触发器广泛用于将连续变化的波形,如三角波、正弦波等变换成矩形波;√9．A/D转换器是用来通过一定的电路将模拟量转变为数字量;模拟量可以是电压、电流等电信号,也可以是压力、温度、湿度、位移、声音等非电信号; √10. 数/模转换器DAC的主要性能参数是分辨率、线性误差、建立时间、温度灵敏度和输出电平; √二、填空题1.电阻R和电容C构成的简单电路叫RC电路,常用于脉冲波形变换的电路是RC微分电路和 RC积分电路;2. 微分电路是脉冲电路中常用的一种波形变换电路,能把矩形脉冲波变换成一对正、负极性的尖峰脉冲波;3. 积分电路也是脉冲电路中常用的一种波形变换电路,能把矩形脉冲波变换成三角波,也叫锯齿波;4.触发器的两种输出状态是高电平或低电平,如果其中一个是稳定状态而另一个是暂稳状态,这种触发器称为单稳态触发器 ;5.常用的集成施密特触发器有两种类型,一种是 TTL 施密特触发器,另一种是CMOS 施密特触发器;6. 单稳态触发器不仅能用于延时电路,而且可以把不规则的波形变换成幅度和宽度都相等的脉冲形;7 多谐振荡器工作时,不需要外加触发信号,电路的输出状态会在高低电平两种状态间反复不停地翻转,没有稳定的状态,所以又称无稳态电路;;三、选择题：1．脉冲数字系统中,经常要处理脉冲的产生、延时、整形等问题,而实现这些功能的电路有 ABC ;A、多谐振荡器B、单稳态触发器C、施密特触发器D、正弦波发生器2.下列集成电路中属于单稳态触发器的是 ABC ;A、CT74121B、CT74LS123C、CT74122D、NE5553. 下列集成电路属于CMOS型施密特触发器组件的是 AD ;A、CC40106B、CT74LS132C、CT7414D、CC40934．把经过计算机分析处理的数字信号转换成模拟信号,去控制执行机构的器件,称为数模转换器,即 B 转换器;A、A/DB、D/AC、TTLD、CMOS5．A/D转换后,输出的数字信号可以有ABCD 等;A、8位B、10位C、12位D、16位6．555定时器是一种数字与模拟混合型的中规模集成电路,应用广泛;外加电阻、电容等元件可以构成ABC等典型电路;A、多谐振荡器B、单稳电路C、施密特触发器D、稳压器四、问答题：1.什么是脉冲信号矩形波的主要参数是什么答：脉冲指含有瞬间突然变化、作用时间极短的电压或电流称为脉冲信号;矩形波的主要参数如下： 1 脉冲幅度Vm 2 上升时间tr 3 下降时间tf 4 脉冲宽度tp 5 脉冲周期T;2. 简述555定时器引脚功能答：1 8脚是集成电路工作电压输入端,电压为5～18V;2 1脚为地;32脚为触发输入端;43脚为输出端;5 6脚为阈值端;64脚是复位端;75脚是控制端;87脚称放电端;3. 555定时器可以构成的常见电路是那三种,各有什么特点答：555定时器可以构成的常见电路有单稳态触发器、多谐振荡器和施密特触发器;多谐振荡器的特点：无外输入信号、外围有RC元件、且6、2端短接在一起;单稳态触发器的特点：有一外输入信号、外围有RC元件、6、2端分开且分别与它们连接;施密特触发器的特点：外围没有RC元件、6、2短接、并引入外输入信号;4. A/D和D/A转换各是什么意思答： A/D转换是指将模拟量转变为数字量;D/A转换是指将数字量转换成模拟量;理论测验一、判断题：1.触发器属于组合逻辑电路;×2.触发器具有两个状态,一个是现态,另一个是次;×3．时钟脉冲的作用是使触发器翻转;×4.主从JQ触发器和边沿JK触发器的逻辑功能相同;×5．基本RS触发器可以由两个或非门交叉耦合构成;√6. 即使电源关闭,移位寄存器中的内容也可以保持下去;√7. 所有的触发器都能用来构成计数器和移位寄存器;×8.移位寄存器74LS194可串行输入并行输出,但不能串行输入串行输出;×9. 同步计数器的计数速度比异步计数器快;√10．移位寄存器只能串行输入;×二、填空题1. 基本RS触发器,当、都接高电平时,该触发器具有_ 保持功能;2.同步RS触发器状态的改变与同步信号CP 同步;3.时序电路通常包组合电路和存储电路两个组成部分;4．主从触发器是一种能防止空翻的触发器;触发器是在JK触发器基础上,增加一个与非门,把J和K两个输入端合为一个输入端D 组成的;6．仅具有“置0”、“置1”功能的触发器叫 T触发器 ;7．时序电路的次态输出不仅与即时输入有关,而且还与现态有关;8．在一个CP脉冲作用期间,触发器状态产生二次或多次翻转称＿＿空翻＿现象;9．JK触发器的逻辑功能为＿置0 、＿置1＿、＿翻转＿和＿保持＿;10．将JK触发器的两个输入端接在一起,就构成了＿＿D＿＿触发器,其逻辑功能为＿＿置0＿＿和＿置1＿;三、选择题：1. R-S型触发器不具有 B 功能;A. 保持B. 翻转C. 置1D. 置02. 触发器的空翻现象是指 CA.一个时钟脉冲期间,触发器没有翻转；B.一个时钟脉冲期间,触发器只翻转一次C.一个时钟脉冲期间,触发器发生多次翻转D.每来2个时钟脉冲,触发器才翻转一次3. 下列触发器中不能用于移位寄存器的是 C ;触发器触发器 C.基本RS触发 D.负边沿触发D触发器4.触发器是一种 B ;A、单稳态电路B、双稳态电路C、无稳态电路5.下面4种触发器中,抗干扰能力最强的是 CA.同步D触发器B.主从JK触发器C.边沿D触发器D.同步RS触发器6. 对于JK触发器,若希望其状态由0转变为1,则所加激励信号是 D=0X =X0 =X1 =1X7．仅具有保持和翻转功能的触发器是 DA．JK触发器 B;RS触发器 C;D触发器 D;T触发器8．对于JK触发器,输入J=0,K=1,CP时钟脉冲作用后,触发器的Q n+1应为AA．0 B.1 C.可能为0,也可能为1 D. 与Q n 有关四、问答题：1．怎样实现普通机械式开关的防抖功能答：用两个按键S1、S2、CD4011等构成了一个无抖动开关;电路如图所示;用集成块CD4011内部的两个与非门连接成一个基本RS触发器,当按钮开关S3、S2闭合时可使RS触发器复位端R和置位端S的电平变为0,断开时可使R、S的电平变为1;通过S3、S2可给RS触发器设置输入状态,从而决定输出状态;当S3闭合、S2断开时,R=0,S=1,触发器的输出端Q=0,LED2不会点亮,当S3断开、S2闭合时,R=1,S=0,触发器的输出端Q=1,LED2点亮;当S3、S2都断开时,R=S=1,触发器的输出端Q保持原来的状态即R=S=1之前的那个状态,输出端Q的电平变化,相当于开关的闭合和断开;这种闭合与断开是无抖动的可用示波器在测试点P3观察Q端的电平变化,是矩形波;2.怎样由JK触发器构成D触发器答：在JK触发器的基础上,增加一个与非门把J、K两个输入端合为一个输入端D,CP为时钟脉冲输入端;这样,就把JK触发器转换成了D触发器;3.什么是触发器的空翻现象答：在一个时钟脉冲周期中,触发器发生多次翻转的现象叫做空翻;4．查阅资料,画出用D触发器构成一个4位右移寄存器的原理图,并说明工作过程;答：用D触发器构成的四位移位寄存器,当CP上升沿同时作用于所有触发器时,触发器输入端的状态都为现态;于是,CP上升沿到达之后,各触发器按状态函数进行状态转换;输人代码DI存人触发器F0,Q1按Q0原来状态翻转,Q2按Q1原来状态翻转、Q3按Q2原来状态翻转;总的看来,移位寄存器中的代码依次右移了一位;可见,经过4个CP信号后,串行输入的四位代码全部移入了移位寄存器,并在四个输出端得到并行输出代码;利用移位寄存器可实现代码的串行—并行转换;若再加4个CP信号,寄存器中的四位代码还可以从串行端依次输出;。

电子技术基础(含答案)

82.电路如图所示，晶体管的＝80， =100Ω。分别计算RL＝∞时的Q点、、Ri和Ro。
83.已知图所示电路中晶体管的＝100，rbe=1kΩ。
（1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，估算Rb约为多少千欧；
（2）若测得和的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻RL为多少千欧？
84.放大电路如图所示，已知图中Rb1＝10kΩ， Rb2＝2．5kΩ，Rc＝2kΩ，Re＝750Ω，RL＝1．5kΩ，Rs＝10kΩ，Vcc＝15V，β＝150。设Cl，C2，C3都可视为交流短路，试用小信号分析法计算电路的电压增益AV，源电压放大倍数AVS，输入电阻Ri，输出电阻Ro。
21.如果三极管的发射结反偏，则三极管处于的状态是（）
A.放大B.饱和C.截止D.倒置
22.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
A.饱和B.截止C.交越D.频率
23.射极输出器的主要特点是（）
A.电压放大倍数无穷大，输出电阻高，输入电阻低
B.电压放大倍数接近1，输出电阻低，输入电阻高
A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零
16.以下电路中，可用作电压跟随器的是（）。
A．差分放大电路B．共基放大电路C．共射放大电路D．共集放大电路
17.共模抑制比KCMRR是（）。
A. 差模输入信号与共模输入信号之比
B. 输入量中差模成份与共模成份之比
C. 差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)之比
C.除放大电路以外还有信号通道 D.输出与输入信号成非线性的关系
40.对于放大电路，所谓开环是指（）。
A．无信号源 B．无反馈通路 C．无电源 D．无负载
41.整流的目的是（）。
A.将交流变为直流 B.将高频变为低频 C.将正弦波变为方波D.将直流变为交流

电子技术基础习题答案

第1章检测题（共100分.120分钟）一、填空题：（每空分.共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为自由电子 .少数载流子为空穴 .不能移动的杂质离子带正电。

P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为空穴 .少数载流子为自由电子 .不能移动的杂质离子带负电。

2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。

三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。

3、PN结正向偏置时.外电场的方向与内电场的方向相反 .有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时.外电场的方向与内电场的方向一致 .有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散 .这种情况下的电流称为反向饱和电流。

4、PN结形成的过程中.P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散.N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。

扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区 .其方向由N区指向P区。

空间电荷区的建立.对多数载流子的扩散起削弱作用.对少子的漂移起增强作用.当这两种运动达到动态平衡时. PN结形成。

5、检测二极管极性时.需用万用表欧姆挡的R×1K档位.当检测时表针偏转度较大时.与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。

检测二极管好坏时.两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时.说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时.说明该二极管已经绝缘老化。

6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。

其导电沟道分有N沟道和P沟道。

7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管.正常工作应在特性曲线的反向击穿区。

8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空.务必将各电极短接。

二、判断正误：（每小题1分.共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电.说明P型半导体呈负电性。

(完整版)电子技术基础(含答案)

一、单选题1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在（）状态。

A. 击穿B. 截止C. 放大D. 饱和2.二极管的主要特性是（）。

A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在N型半导体中（）。

A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有电子D.没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。

A.放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。

A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。

A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管处于（）状态。

A.饱和B.截止C.放大D.击穿10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。

A.大于B.小于C.等于D.大于或等于11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。

A.自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。

A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结反偏13.下列关于半导体的说法正确的是（）。

电子技术基础(第五版)习题册参考答案

８. 正偏ꎻ 反偏ꎻ 正偏ꎻ 反偏ꎻ 零偏ꎻ 反偏ꎻ 零偏ꎻ 反偏
９. 控制ꎻ 用较小的电流控制较大的电流
１０. ＵＣＥ ꎻ ＩＢ ꎻ 无
２３８
１１. 饱和ꎻ 截止ꎻ 发射ꎻ 集电
１２. 增大ꎻ 增大ꎻ 减小ꎻ 向左移
１３. 发射ꎻ 集电极与基极间的反向饱和
１４. 较小ꎻ 不稳定
１５. 放大ꎻ 开关
ＶＣＣ１２
＝
＝００６ ( ｍＡ) ＝６０ ( μＡ)
ＲＢ２００
ＵＣＥ＝ＶＣＣ－ＩＣＲＣ＝１２－４ＩＣ
令ＩＣ＝０ꎬ 则ＵＣＥ＝１２Ｖꎬ 得点Ｍ (１２ꎬ ０) ꎬ 令ＵＣＥ＝０ꎬ 则
８. 最大整流电流ꎻ 最高反向工作电压
９. 烧毁ꎻ 击穿
１０. 硅ꎻ 稳压ꎻ 锗ꎻ 普通ꎻ 硅ꎻ 整流ꎻ 锗ꎻ 开关
１１. 击穿ꎻ 开路
１２. 小ꎻ 好
１３. 电ꎻ 光ꎻ 光ꎻ 电ꎻ 发光二极管
二、判断题
１.
８.
１４.
× ꎻ ２.
× ꎻ ９.
× ꎻ ３.
× ꎻ ４. √ꎻ ５.
× ꎻ １０. √ꎻ １１.
× ꎻ ７. √ꎻ
× ꎻ １３. √ꎻ
三、选择题
１. Ｃꎻ ２. Ａꎻ ３. ＡＣＤꎻ ４. Ａꎻ ５. Ｂꎻ ６. Ａꎻ ７. Ｃꎻ ８. Ａꎻ
９. ＡＢＤꎻ １０. Ｃꎻ １１. Ｃꎻ １２. Ｂꎻ １３. Ｄꎻ １４. Ｃꎻ １５. Ｂꎻ
１６. Ａꎻ １７. Ｃꎻ １８. Ｂꎻ １９. Ｃꎻ ２０. Ｃꎻ ２１. Ａꎻ ２２. Ｄꎻ
ｕｏ ( Ｖ)
０
０
导通截止
０

(完整版)电子技术基础习题答案(于宝明)

第一章习题1。

1 如需将PN结二极管处于正向偏置，应如何确定外接电压的极性?答:如需将PN结二极管处于正向偏置，外接电压的极性应该是P区端接高电位,N区端接低电位。

1。

2 PN结二极管的单向导电性是在什么外部条件下才能显示出来？答：在外部施加了正、反相电压且出现正相导通、反相截止时才能显示出来。

1。

3 PN结两端存在内建电位差，若将PN结短路，问有无电流流过？答:二极管短路时没有电流。

原因是ＰＮ结两端虽有电位差,但是在半导体和金属电极接触处，也有”接触电位差”,后者抵消了ＰＮ结两端的电位差。

金属一半导体结和ＰＮ结不同：(１）没有单向导电性,(２）接触电位差和外加电压的极性及幅值无关。

这种接触叫做"欧姆接触"。

从另一种角度分析，如果有电流，金属导线就会发热，二极管就要冷却。

作为一个热平衡的整体,要产生这种现象是不可能的.所以,二极管短路时Ｉ＝０。

1。

4 比较硅、锗两种二极管的性能。

在工程实践中，为什么硅二极管应用得较普遍？答：锗有32 、硅有14 个电子，最外围都有四个价电子。

电子数量、层数越多，受热激发的后价电子脱离共价健束缚的可能性就越大，所以,硅半导体更稳定。

1.5 当输入直流电压波动或外接负载电阻变动时，稳压管稳压电路的输出电压能否保持稳定?若能稳定,这种稳定是否是绝对的?答：当输入直流电压波动或外接负载电阻变动时,稳压管稳压电路的输出电压能保持基本稳定，但是由于其反相击穿特性曲线并非完全垂直下降，所以这种稳定不是绝对的。

1.6 光电子器件为什么在电子技术中得到越来越广泛的应用？试列举一二例。

答：因为可以利用可见或不可见光进行信号指示、遥控、遥测。

减少了导线的连接和一些干扰，带来了方便，比如电视机等家电的遥控器、指示灯等都是应用实例.1。

7 如何用万用表的“Ω”挡来辨别一只二极管的阳、阴两极？（提示：模拟型万用表的黑笔接表内直流电源的正端，而红笔接负端）答：如果二极管的内阻较小，模拟型万用表的黑笔接的是P端，而红笔接的是N端。

电工类第五版《电子技术基础》全章节习题与及答案

电工类第五版《电子技术基础》全章节习题与及答案一．填空题：(共59题)1.PN结正向偏置时，应该是P区的电位比N区的电位高。

2.硅二极管导通时的正向管压降约为0.7V 。

3.锗二极管导通时的正向管压降约为0.2V 。

4.半导体三极管放大的实质是小电流控制大电流。

5.工作在截止和饱和状态的三极管可作为开关器件使用。

6.三极管的极限参数分别是I CM、P CM和U CEO。

7.在共射极放大电路中输出电压和输入电压的相位相反。

[此处图片未下载成功]8.小功率三极管的输入电阻经验公式= 30 09.放大电路产生非线性失真的根本原因静态工作点不合适。

10.在放大电路中负载电阻值越大其电压放大倍数越大。

11.反馈放大器是由基本放大电路和反馈电路组成。

12.电压负反馈的作用是稳定输出电压。

13.电流负反馈的作用是稳定输出电流。

14.反馈信号增加原输入信号的反馈叫正反馈。

15.反馈信号减弱原输入信号的反馈叫负反馈。

16.放大直流信号时放大器应采用的耦合方式为直接耦合。

17.为克服零漂常采用长尾式和具有恒流源的差动放大电路。

18.集成运放按电路特性分类可分为通用型和专用型。

19.线性状态的理想集成运算放大器，两输入端电位差=0。

20.线性状态的理想集成运算放大器，两输入端的电流=0。

21.单门限电压比较器中的集成运放工作在开环状态。

22.单门限电压比较器中的集成运放属于线性应用。

23.将交流电变换成直流的过程叫整流。

24.在单相桥式整流电路中，如果负载电流是20A,则流过每只晶体二极管的电流是10 A。

25.在输出电压平均值相等的情况下，三相半波整流电路中二极管承受的最高反向电压是三相桥式整流电路的2倍.26.整流二极管的冷却方式有自冷、风冷和水冷三种。

27.检查硅整流堆正反向电阻时对于高压硅堆应用兆欧表。

28.三端可调输出稳压器的三端是指输入、输出和调整三端。

29.三端固定输出稳压器CW7812型号中的12表示为 12 V。

电子技术基础l练习习题答案 (1)

第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。

P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。

2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。

三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。

3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。

4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。

扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。

空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN 结形成。

5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。

检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。

7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。

二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。

（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。

（对）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。