最新电工学(下册)电子技术基础第4章习题解答

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电路与电子技术基础第4章习题参考答案

τ=
L 1 = R0 7
(s)
利用三要素公式，可得
i (t ) = 4 + (0 − 4)e −7t = 4(1 − e −7 t ) ( A)
4-4 电路如题图 4-3(a)所示，i(t)=10mA、R=10kΩ、L=1mH。开关接在 a 端为时已久，在 t=0 时开关由 a 端投向 b 端，求 t≥0 时，u(t)、iR(t)和 iL(t)，并绘出波形图。
《电路与电子技术基础》第四章参考答案
第6页
u c (t ) = U oc (1 − e τ )(V)
根据已知条件，得：Uoc=20V，τ=2s。因为τ=R0C，所以 R0=2/0.2=10Ω 当电容 C=0.05F 时，时间常数τ=10×0.05=0.5s。电容电压初始值为 uc(0+)=5V，稳态值为 uc(∞)=20V，由三要素公式，可以得到全响应
u c (0 _ ) = 1 × 2 = 2(V)
开关闭合后
u c (0 + ) = u c (0 _ ) = 2(V)
τ = R0 C = (2 // 1) × 3 = 2(s)
u c (∞) = 1 × (1 // 2) =
所以
2 (V) 3
− t
u c (t ) = u c (∞) + (u c (0) − u c (∞))e 2 2 + (2 − )e −0.5t 3 3 2 − 0.5t − 0.5t = 2 e2 ) 1 3 + 3 (1 − e 14243 零输入响应 =
uc (0) = 3 × 2 = 6(V)
当开关投向 b 时电容电压的初始值
uc (0 + ) = uc (0 − ) = 6(V)

《电工学-电子技术-下册》习题册习题解答

《电工与电子技术》习题与解答电工电子教研室第九章：半导体二极管和三极管、第十章：基本放大电路一、单项选择题*1．若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）A 、正、反向电阻相等B 、正向电阻大，反向电阻小C 、反向电阻比正向电阻大很多倍D 、正、反向电阻都等于无穷大 *2．电路如题2图所示，设二极管为理想元件，其正向导通压降为0V ，当U i =3V 时，则U 0的值( D )。

A 、不能确定B 、等于0C 、等于5VD 、等于3V**3．半导体三极管是具有( B )PN 结的器件。

A 、1个 B 、2个 C 、3个 D 、4个5．晶体管的主要特性是具有（ D ）。

A 、单向导电性B 、滤波作用C 、稳压作用D 、电流放大作用 *6．稳压管的稳压性能是利用PN 结的（ D ）。

A 、单向导电特性 B 、正向导电特性 C 、反向截止特性 D 、反向击穿特性8．对放大电路进行动态分析的主要任务是（ C ） A 、确定静态工作点QB 、确定集电结和发射结的偏置电压C 、确定电压放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ，r 0D 、确定静态工作点Q 、放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ，r o *9．射极输出器电路如题9图所示，C 1、C 2足够大，对输入的交流信号u 可视作短路。

则输出电压u 0与输入电压u i 之间的关系是( B )。

A 、两者反相，输出电压大于输入电压B 、两者同相，输出电压小于且近似等于输入电压C 、两者相位差90°，且大小相等D 、两者同相，输出电压大于输入电压 *11．在共射极放大电路中，当其他参数不变只有负载电阻R L 增大时，电压放大倍数将( B )A 、减少B 、增大C 、保持不变D 、大小不变，符号改变 13．在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路，直流电源也视为短路，这种处理方法是( A )。

题2图题9图A 、正确的B 、不正确的C 、耦合电容视为短路是正确的，直流电源视为短路则不正确。

(完整版)电工技术基础与技能(周绍敏)第4章电容课后习题及答案.docx

电工技术基础与技能第四章电容练习题一、是非题 (2X20)1、平行板电容器的电容量与外加电压的大小是无关的。

（） 2、电容器必须在电路中使用才会带有电荷，故此时才会有电容量。

（） 3、若干只不同容量的电容器并联，各电容器所带电荷量均相等。

（）4、电容量不相等的电容器串联后接在电源上，每只电容器两端的电压与它本身的电容量成反比。

（）5、电容器串联后，其耐压总是大于其中任一电容器的耐压。

（） 6、电容器串联后，其等效电容总是小于任一电容器的电容量。

（） 7、若干只电容器串联，电容量越小的电容器所带的电荷量也越少。

（） 8、两个 10μ F 的电容器，耐压分别为 10V 和 20V ，则串联后总的耐压值为 30V 。

（） 9、电容器充电时电流与电压方向一致，电容器放电时电流和电压的方向相反。

（） 10、电容量大的电容器储存的电场能量一定多。

（）二、选择题（ 2X20）1、平行板电容器在极板面积和介质一定时，如果缩小两极板之间的距离，则电容量将( )。

A. 增大B.减小C.不变D. 不能确定2、某电容器两端的电压为40V 时，它所带的电荷量是 0.2C ，若它两端的电压降到10V 时，则()。

A. 电荷量保持不变B. 电容量保持不变C. 电荷量减少一半D.电荷量减小3、一空气介质平行板电容器，充电后仍与电源保持相连，并在极板中间放入ε r=2 的电介质，则电容器所带电荷量将( )。

A. 增加一倍B.减少一半C.保持不变D.不能确定4、电容器 C 1 和一个电容为 8μ F 的电容器 C 2 并联，总电容为电容器 C 1的 3 倍，那么电容器 C 1 的电容量是 ( )μF 。

A. 2B. 4C. 6D.85、两个电容器并联，若C 1=2C ，则 C 1、 C 2 所带电荷量 Q 1、 Q 2 的关系是 ( )。

A. Q 1= 2Q 2B. 2Q1= Q 2C. Q 1= Q 2D.不能确定 6、若将上题两电容串联，则( )。

电工学第三、四章习题答案(1)

电工学第三、四章习题答案(1)篇一：第4章习题解答(电工技术基础)第4章习题解答4.2.1 图4.01所示的是时间t=0时电压和电流的相量图，并已知U=220V，I1=10A，I2=52A，试分别用三角函数式及复数式表示各正弦量。

解：(1) 复数式??220/0?UV，?I?1?10/90?j10A，??52/?45??5?j5I2A(2) 三角函数式u=2202sin(?t)V，i1?102sin(?t?90)A，i2 =10?sin（?t?45）A??4.2.2 已知正弦量U?220ej30??=-4-j3A，试分别用三角函数式、正弦波形V和I及相量图表示它们。

如I?= 4-j3A，则又如何？解: (1) 三角函数式u=2202sin(?t?30?)V?= -4-j3 A时，i =52sin(?t?143.1?)A 当I当I??= 4-j3 A时，i??52sin(?t?36.9?) A (2) 正弦波形及相量图（图T4.2.2）4.4.8 图4.05是一移相电路。

如果C=0.01?F，输入电压u1??2sin6280tV，今欲使输出电压u2在相位上前移60，问应配多大的电阻R？此时输出电压的有效值U2等于多少？解：(方法一) 相量图法画出相量图T4.4.8，由相量图知：U2?U1cos60??12VVUC?U1sin60??32又XC?1?16280?0.01?10?6?C??15.9K?I?UCXC3/215.9?54.5mAR?∴?9.2K?U2I?1/254.5(方法二) 相量法(复数计算) ??1?V由题意可知，U1 XC?1?16280?0.01?10?6?C?15.9K??电路的阻抗为：Z?R?jXC?R?j I???U1Z?1?1?C?R?j15900R?j15900?R?15900?15900)212arctan(?15900)?R?R12?1590012arctan()2?159002(R15900R??I?R?U2R2?15900?2(15900)欲使输出电压u2在相位上前移60(即：使输出电压u2在相位上超前输入电压u160?)，则arctan(即15900R15900R?)?0?60。

数字电子技术基础(第四版)课后习题答案_第四章

第4章触发器[题4.1]画出图P4.1所示由与非门组成的根本RS触发器输出端Q、Q的电压波形，输入端S、R的电压波形如图中所示。

图P4.1[解]见图A4.1图A4.1[题4.2]画出图P4.2由或非门组成的根本R-S触发器输出端Q、Q的电压波形，输出入端S D，R D的电压波形如图中所示。

图P4.2[解]见图A4.2[题4.3]试分析图P4.3所示电路的逻辑功能，列出真值表写出逻辑函数式。

图P4.3 [解]：图P4.3所示电路的真值表S R Q n Q n+1 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 1 0 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 0 0* 1 110*由真值表得逻辑函数式 01=+=+SR Q R S Q nn[题4.4] 图P4.4所示为一个防抖动输出的开关电路。

当拨动开关S 时，由于开关触点接触瞬间发生振颤，D S 和D R 的电压波形如图中所示，试画出Q 、Q 端对应的电压波形。

图P4.4[解] 见图A4.4图A4.4[题4.5] 在图P4.5电路中，假设CP 、S 、R 的电压波形如图中所示，试画出Q 和Q 端与之对应的电压波形。

假定触发器的初始状态为Q =0。

图P4.5[解]见图A4.5图A4.5[题4.6]假设将同步RS触发器的Q与R、Q与S相连如图P4.6所示，试画出在CP 信号作用下Q和Q端的电压波形。

己知CP信号的宽度t w = 4 t Pd 。

t Pd为门电路的平均传输延迟时间，假定t Pd≈t PHL≈t PLH，设触发器的初始状态为Q=0。

图P4.6图A4.6[解]见图A4.6[题4.7]假设主从结构RS触发器各输入端的电压波形如图P4.7中所给出，试画Q、Q端对应的电压波形。

设触发器的初始状态为Q=0。

图P4.7[解] 见图A4.7图A4.7[题4.8]假设主从结构RS触发器的CP、S、R、DR各输入端的电压波形如图P4.8所示，1DS。

电工学少学时1-4章课后习题答案

电工学少学时1-4章课后习题答案第一章电路的基本概念和基本定律一、填空题1、电路的作用是实现电能的传输和转换，以及对电信号的传递和处理。

2、电流的实际方向规定为正电荷定向移动的方向，电压的实际方向规定为由高电位指向低电位。

3、电阻元件的伏安特性曲线是一条过原点的直线，其斜率表示电阻的大小。

4、电源的电动势是电源将其他形式的能转化为电能的能力的物理量，其方向规定为在电源内部由负极指向正极。

二、选择题1、已知空间有 a、b 两点，电压 Uab=10V，a 点电位为 Va=4V，则b 点电位 Vb 为（）A 6VB －6VC 14VD －14V答案：B解析：Vb ＝ Va Uab ＝ 4 10 ＝－6V2、一电阻元件，当其电流减为原来的一半时，其功率为原来的（）A 1/2B 1/4C 2 倍D 4 倍答案：B解析：P ＝ I²R，当 I 变为原来的一半时，P' ＝（I/2)²R ＝ 1/4 I²R三、计算题1、如图所示电路，已知 E1 ＝ 18V，E2 ＝ 12V，R1 ＝3Ω，R2 ＝6Ω，R3 ＝9Ω，求各支路电流。

解：首先设各支路电流方向如图所示。

根据基尔霍夫电压定律（KVL），对于回路①：E1 I1R1 I3R3 ＝ 0即 18 3I1 9I3 ＝ 0 （1）对于回路②：E2 I2R2 ＋ I3R3 ＝ 0即 12 6I2 ＋ 9I3 ＝ 0 （2）根据基尔霍夫电流定律（KCL），在节点 A 处：I1 ＝ I2 ＋ I3 （3）联立（1）、（2）、（3）式，解得：I1 ＝ 3A，I2 ＝ 1A，I3 ＝ 2A第二章电路的分析方法一、填空题1、支路电流法是以支路电流为未知量，应用基尔霍夫定律列出方程组求解的方法。

2、网孔电流法是以网孔电流为未知量，列写网孔的 KVL 方程进行求解的方法。

3、节点电压法是以节点电压为未知量，列写节点的 KCL 方程进行求解的方法。

电工学唐介第4章思考题及习题解答答案

4.5(2) 照明灯开关是接到灯的相线端安全,还是接到工作零线端安全?为什么?
[答] 开关接到相线端安全, 因为当开关断开时,可以使照明灯与相线断开, 保证灯体不带电。(如下图)
S
√(a)
S (b)
S
(c)
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4.6 (1) 安全电压供电的系统就绝对安全吗？
[答] 由于人体的阻抗值与工作环境和身体状况等因素有关,所以，安全电压并不是绝对安全的。
4.6 (2) IT、TN 系统防止间接接触触电的基本思想是什么?
[答] IT 系统(保护接地)的基本思想是在用电设备出现漏电或一相碰壳时,使外壳的对地电压降低至接近零,以消除
触电危险。 TN 系统(保护接零)的基本思想是在用电设备出现漏电
或一相碰壳时,因该相电流很大,使得接于该相上的短路保护装置或过流保护装置动作,迅速切断电源,消除触电危险。
下一题
4.2(1) 三相负载对称是指下列三种情况中的哪一种？
× × √ (a) |Z1| = |Z2| = |Z3 | (b) 1 = 2 = 3 (c) Z1 = Z2 = Z3
4.2 (2) 在对称三相电路中,下列两式是否正确?
Up
× (a) Il = Z
Ul
×(b) Il = Z
√ 正确的为: (c) IP = Up Z
[答]
IpΔ U pΔ / Z UlΔ / Z
220 / Z
1
IpY U pY / Z UlY / 3 Z 380 / 3 Z
IlΔ 3IpΔ 3
I lY
I pY
PΔ PY
3UlΔ IlΔ 3UlY IlY
3220 IlΔ 220 3 1 3220 IlY 380

电工电子第四版答案(最新)

第1章思考题与习题解答1-3 I 1的实际方向向下，I 2的实际方向向左，I 3的实际方向向上；U 1的实际方向下正上负，U 2的实际方向向右正左负，U 3的实际方向下正上负；W 360111-==I U P 释放功率 W 210222=-=I U P 吸收功率 W 150333==I U P 吸收功率1-4 （a ）W 162A V 8=⨯=P（b ）W 123A V 4-=⨯-=P （c ）W 51A V 5=⨯=P （d ）W 183A V 6-=⨯-=P 1-6 V 600==RI U W 1802==RI P 1-7 []900kWh kWh 30)(3100)10100(3=⨯⨯⨯⨯==-Pt W1-8 （a ）A 1A 268=-=I V 2V )12(bc -=⨯-=U （b ）8V V )152512(S =⨯++-⨯+U 4V S =U 1-9 （a ）V 1V 2V 3ab =-=U（b ）1)V 2(V 5⨯+-=R Ω=7R1-10 （a ）A 2)A 221(=+=I电压源功率：W 42)W 2(US -=⨯-=P 电流源功率：W 21)W 2(IS =⨯=P电阻功率：W 2W 222R =⎥⎦⎤⎢⎣⎡=P（b ）1V V )211(=⨯+-=U电压源功率：W 22)W 1(US -=⨯-=P电流源功率：[]W 2W 2)1(2)W (IS -=⨯--=⨯-=U P 电阻功率：[]W 4W 122R =⨯=P 1-11 0521=-+I I I0645=--I I I 0236=-+I I I0134=--I I I0S11144S455=-++-U I R I R U I R 0S44433S366=+--+U I R I R U I R05566S222=--+-I R I R U I R 其他回路电压方程略1-12 5V 2)V 756366(-=⨯-+⨯+=U 1-13 0321=-+I I I0S13311=-+U I R I R0S23322=-+U I R I R将已知数据代入方程，得：A 121=I ，A 42-=I ，A 83=I 以b 点位参考点， 0b =V0V 1233a ==I R V 0V 18S1c ==U V 0V 8S2d ==U V 0V 10d c cd =-=V V U以d 点位参考点， 0d =V0V 422a =-=I R V 0V 8S2b -=-=U V 0V 10S2S1c =-=U U V 0V 10d c cd =-=V V U第2章思考题与习题解答2-1 （a ）图中四个电阻并联，Ω=2R（b ）图中两个2Ω电阻并联后与3Ω电阻串联，然后与4Ω电阻并联，再与6Ω电阻串联，最后与 8Ω电阻并联，Ω=4R 2-2 开关打开A 91.2A 2624)2(6)2(410=++++⨯+=I开关闭合A 94.2A 2222646410=+⨯++⨯=I2-3 （a ）（b ）6V（c2-4 将电路进行等效变换，可求出电流。

电子电路基础习题册参考答案-第四章

第四章集成运算放大器的应用§4-1 集成运放的主要参数和工作点1、理想集成运放的开环差模电压放大倍数为Aud=∞，共模抑制比为K CMR= ∞，开环差模输入电阻为ri= ∞，差模输出电阻为r0=0 ，频带宽度为Fbw=∞。

2、集成运放根据用途不同，可分为通用型、高输入阻抗型、高精度型和低功耗型等。

3、集成运放的应用主要分为线性区和非线性区在分析电路工作原理时，都可以当作理想运放对待。

4、集成运放在线性应用时工作在负反馈状态，这时输出电压与差模输入电压满足关系；在非线性应用时工作在开环或正反馈状态，这时输出电压只有两种情况；+U0m 或-U0m 。

5、理想集成运放工作在线性区的两个特点：（1）up=uN ，净输入电压为零这一特性成为虚短，（2）ip=iN，净输入电流为零这一特性称为虚断。

6、在图4-1-1理想运放中，设Ui=25v,R=1.5KΩ，U0=-0.67V,则流过二极管的电流为10 mA ，二极管正向压降为0.67 v。

7、在图4-1-2所示电路中，集成运放是理想的，稳压管的稳压值为7.5V，Rf=2R1则U0=-15 V。

二、判断题1、反相输入比例运算放大器是电压串联负反馈。

（×）2、同相输入比例运算放大器是电压并联正反馈。

（×）3、同相输入比例运算放大器的闭环电压放大倍数一定大于或等于1。

（√）4、电压比较器“虚断”的概念不再成立，“虚短”的概念依然成立。

（√）5、理想集成运放线性应用时，其输入端存在着“虚断”和“虚短”的特点。

（√）6、反相输入比例运算器中，当Rf=R1，它就成了跟随器。

（×）7、同相输入比例运算器中，当Rf=∞，R1=0，它就成了跟随器。

（×）三、选择题1、反比例运算电路的反馈类型是（B ）。

A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈2、通向比例运算电路的反馈类型是（A ）。

A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电压串联正反馈3、在图4-1-3所示电路中，设集成运放是理想的，则电路存在如下关系（B ）。

电工电子技术习题答案第四章

U C 10 ( 10 j) 100－－＝ 90
U0
U UR
2 1
2
100 2V
4－10 电路如图， R=XL＝5Ω，XC＝10 Ω，V1读数为10V，求各表读数。
V5 V6 V1
V2
R
L C
V4
V3

I =V1/R= 2A V2＝IXL＝10V V3＝IXC＝20V V4＝V3－V2＝10V
2
2
220 2V
作相量图：

U L＝ 220135

U L
IC

U

U C＝ 220 20

I
45°
IR
UC
4 17 已知i 10 2 sin tA －，求 I1 、2 、U、P。 I
R

设İ= 10∠0° i1 2Ω i2 按分流公式：

5Ω
u

i 8Ω
I2 I
u i
37 ° fuU fi =2ω/2π = 50Hz) = 20 0(V

ωu = ωi = 314 rad/s
4－2 已知 u1 = 100sin(ωt+π / 6)V, u2 = 60sin (ωt+φ) V, 试求u=u1+u2 在U为最大和最小时， φ =？Um=？解：
当φ = π / 6时，Um最大，
○ ○
i1 、i2 反相 I0＝I1－I2＝5－3＝2A
A0
○
○
10V V 1 R V0
V2 10V C
U0
U U2
2 1
2
10 2V
10A A1 A0 10Ω V1 R 5Ω V0

电工学少学时1-4章课后习题答案

电工学少学时1-4章课后习题答案第一章电路的基本概念与基本定律11 电路和电路模型1、（1）实际电路是由各种电气器件按照一定的方式连接而成的，用于实现电能的传输、分配和转换，以及信号的传递、处理和控制等功能。

（2）电路模型是对实际电路的理想化和简化，它由理想电路元件组成，如电阻、电感、电容、电源等，用特定的符号表示，以便于对电路进行分析和计算。

2、常见的理想电路元件包括电阻元件、电感元件、电容元件、电压源和电流源。

电阻元件表示消耗电能并将电能转化为热能的元件；电感元件表示储存磁场能量的元件；电容元件表示储存电场能量的元件；电压源提供恒定的电压；电流源提供恒定的电流。

12 电流和电压的参考方向1、电流的参考方向是人为假定的电流流动的方向，若实际电流方向与参考方向相同，电流为正值；若实际电流方向与参考方向相反，电流为负值。

2、电压的参考方向也是人为假定的，通常从高电位指向低电位。

当实际电压方向与参考方向相同时，电压为正值；反之，电压为负值。

13 电功率和电能1、电功率是电路中单位时间内消耗或产生的电能，P ＝ UI。

当 P＞ 0 时，元件吸收功率；当 P ＜ 0 时，元件发出功率。

2、电能是电功率在一段时间内的积累，W ＝ Pt。

电能的单位通常是焦耳（J）。

14 电路元件1、电阻元件的伏安特性是一条通过原点的直线，其电阻值是常数。

2、电感元件的电压与电流的关系为：＄u ＝ L\frac{di}｛dt}＄。

3、电容元件的电流与电压的关系为：＄i ＝ C\frac{du}｛dt}＄。

15 电源元件1、理想电压源的端电压恒定不变，与通过它的电流无关。

2、理想电流源的输出电流恒定不变，其两端电压由外电路决定。

16 基尔霍夫定律1、基尔霍夫电流定律（KCL）：在任一时刻，流入一个节点的电流之和等于流出该节点的电流之和。

2、基尔霍夫电压定律（KVL）：在任一时刻，沿任一闭合回路，各段电压的代数和恒等于零。

第二章电路的分析方法21 电阻串并联连接的等效变换1、电阻串联时，等效电阻等于各个电阻之和，即＄R_{eq} ＝ R_1 ＋ R_2 ＋＼cdots ＋ R_n$。

电工学(下册)电子技术基础第4章习题解答讲课教案

第4章场效应管放大电路与功率放大电路4.1 图4.1所示为场效应管的转移特性，请分别说明场效应管各属于何种类型。

说明它的开启电压th U （或夹断电压p U ）约是多少。

GSGS (a)(b)(c)图4.1 习题4.1图解：(a) N 沟道耗尽型FET U P =－3V ； (b) P 沟道增强型FET U T =－4V ； (c) P 沟道耗尽型FET U P =2V 。

4.2 某MOSFET 的I DSS = 10mA 且U P = －8V 。

(1) 此元件是P 沟道还是N 沟道？(2) 计算U GS = －3V 是的I D ；(3) 计算U GS = 3V 时的I D 。

解：(1) N 沟道； (2) )mA (9.3)831(10)1(P GS DSS D =-⨯=-=U U I I (3) )mA (9.18)831(10)1(P GS DSS D =+⨯=-=U U I I 4.3 画出下列FET 的转移特性曲线。

(1) U P = －6V ，I DSS = 1mA 的MOSFET ；(2) U T = 8V ，K = 0.2mA/V 2的MOSFET 。

解：(1)/V(2)i D /V4.4 试在具有四象限的直角坐标上分别画出4种类型MOSFET的转移特性示意图，并标明各自的开启电压或夹断电压。

解：i Du GSo耗尽型N沟道增强型N沟道U P U TU PU T耗尽型P沟道增强型P沟道4.5判断图4.2所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。

解：(a) 能放大(b) 不能放大，增强型不能用自给偏压(c) 能放大（d）不能放大，增强型不能用自给偏压。

共漏1<uA&，可增加R d，并改为共源放大，将管子改为耗尽型，改电源极性。

图4.2 习题4.5电路图4.6 电路如图4.3所示，MOSFET的U th = 2V，K n = 50mA/V2，确定电路Q点的I DQ和U DSQ值。

电工学少学时1-4章课后习题答案

电工学少学时1-4章课后习题答案第一章电路的基本概念和基本定律11 电路和电路模型电路是电流通过的路径，它由电源、负载、导线和开关等组成。

电路模型是对实际电路的理想化抽象，用理想的电路元件来表示实际电路中的部件。

12 电流和电压的参考方向电流的参考方向是人为假定的电流流动的方向，若实际电流方向与参考方向相同，电流为正值；反之则为负值。

电压的参考方向也是假定的，从高电位指向低电位。

13 电功率和电能电功率表示单位时间内电路所消耗或产生的电能，若功率为正值，说明电路吸收功率；若为负值，则电路释放功率。

电能是功率在时间上的积累。

例 1：在一个电路中，已知电流 I ＝ 2 A，从 a 点流向 b 点，电阻 R ＝5 Ω，求 a、b 两点间的电压 Uab 及电阻消耗的功率 P。

解：根据欧姆定律 Uab ＝ IR ＝ 2×5 ＝ 10 V电阻消耗的功率 P ＝ I²R ＝ 2²×5 ＝ 20 W例 2：某电路元件两端电压 U ＝－5 V，电流 I ＝ 3 A，问该元件是吸收还是发出功率？解：元件的功率 P ＝ UI ＝－5×3 ＝－15 W，功率为负，说明元件发出功率。

第二章电路的分析方法21 电阻串并联连接的等效变换串联电阻的等效电阻等于各电阻之和；并联电阻的等效电阻的倒数等于各电阻倒数之和。

22 电源的两种模型及其等效变换实际电源可以用电压源和电流源两种模型表示，它们之间可以进行等效变换。

23 支路电流法以支路电流为未知量，依据基尔霍夫定律列出方程组求解。

24 结点电压法选择电路中的一个结点为参考点，其余结点相对于参考点的电压称为结点电压，利用结点电压来求解电路。

例 3：求图中所示电路的等效电阻 Rab。

在此处插入相应的电路图解：先将两个6 Ω 的电阻并联，等效电阻为3 Ω；再与3 Ω 的电阻串联，总电阻为6 Ω；最后与4 Ω 的电阻并联，Rab ＝24 Ω。

电工与电子技术基础第4章答案

第4章半导体器件习题解答习4.1 计算题4.1 图所示电路的电位UY。

（1）UA=UB=0 时。

（2）UA=E，UB=0 时。

（3）UA=UB=E 时。

题解：此题所考查的是电位的概念以及二极管应用的有关知识。

假设图中二极管为理想二极管，可以看出A、B 两点电位的相对高低影响了DA 和DB 两个二极管的导通与关断。

当A、B 两点的电位同时为0 时，DA 和DB 两个二极管的阳极和阴极（UY）两端电位同时为0，因此均不能导通；当UA＝E，UB＝0 时，DA 的阳极电位为E，阴极电位为0（接地），根据二极管的导通条件，DA 此时承受正压而导通，一旦DA 导通，则UY ＞0，从而使DB 承受反压（UB＝0）而截止；当UA＝UB＝E 时，即DA 和DB 的阳极电位为大小相同的高电位，所以两管同时导通，两个1kΩ的电阻为并联关系。

本题解答如下：（1）由于UA＝UB＝0，DA 和DB 均处于截止状态，所以UY＝0；9kΩ ⋅ E 9 ＝E；1kΩ + 9kΩ 10 18 2 × 9kΩ ⋅ E ＝E。

（3）由于UA＝UB＝E，DA 和DB 同时导通，因此UY＝ 2 × 9kΩ + 1kΩ 19（2）由UA＝E，UB＝0 可知，DA 导通，DB 截止，所以UY＝4.2 在题4.2 图所示电路中，设VD 为理想二极管，已知输入电压uI 的波形。

试画出输出电压uO 的波形图。

题4.1 图题4.2 图解：此题的考查点为二极管的伏安特性以及电路的基本知识。

首先从（b）图可以看出，当二极管D 导通时，电阻为零，所以uo＝ui；当D 截止时，电第4章半导体器件习题解答阻为无穷大，相当于断路，因此uo＝5V，即是说，只要判断出 D 导通与否，就可以判断出输出电压的波形。

要判断D 是否导通，可以以接地为参考点（电位零点），判断出D 两端电位的高低，从而得知是否导通。

uo 与ui 的波形对比如右图所示：4.3 同？试比较硅稳压管与普通二极管在结构和运用上有何异答：硅稳压管与普通二极管在结构是一样的，都有一个PN 结，引出两个电极，但由于做PN 结的工艺不同，二者在运用中就不相同，硅稳压管可以工作在反向击穿区而普通二极管就不能工作在反向击穿区，如果外加反向电压小于稳压值时，稳压管可作二极管使用。

电工学第七版下册电子技术课后练习题含答案

电工学第七版下册电子技术课后练习题含答案前言作为一名电子技术专业的学习者，掌握电工学知识是基础中的基础。

而掌握电工学知识的最好方法，就是不断练习。

本文提供了电工学第七版下册的课后练习题及其答案。

希望能够对大家在学习电工学的过程中提供一定的帮助。

第一章电子技术基础1. 有一只20kΩ，±5%的电阻，求它允许误差的范围？答案允许误差的范围为: 20kΩ × 5% = 1kΩ所以这只电阻的阻值范围为: 20kΩ±1kΩ2. 什么是三极管？答案三极管是一种半导体器件，也叫做双极型晶体管。

它由三个掺杂浓度不同的半导体材料构成（一般为PNP或NPN），分别称为发射极、基极和集电极。

三极管是一种电流控制器件，通过控制基极电流来控制集电极电流。

三极管在电子技术中广泛应用，尤其是在放大器、开关电路和振荡电路中使用较为广泛。

第二章半导体二极管1. 硅板在常温下引入施主原子，会发生什么变化？答案硅板在常温下引入施主原子（如磷原子），会使其变成N型半导体。

引入施主原子的过程叫做掺杂。

在N型半导体中，掺有大量的自由电子，这些自由电子会带负电荷。

由于施主原子掺入的电子不会和晶体中的晶格原子结合，因此其自由电子是比导带中的电子能量更低的电子，即位于导带下方。

2. 硅板在常温下引入受主原子，会发生什么变化？答案硅板在常温下引入受主原子（如硼原子），会使其变成P型半导体。

引入受主原子的过程叫做掺杂。

在P型半导体中，掺有大量的空穴，空穴带正电荷。

由于受主原子掺入的空穴缺少了一个电子，因此其空穴的能量比空穴带中的能量更高，即位于空穴带上方。

第三章晶体管及其基本电路1. 晶体管的三个引脚分别代表什么？答案晶体管的三个引脚分别代表：1.发射极（E）：用来连接基极和集电极之间的导体，主要负责发射电子。

2.基极（B）：设置在发射极与集电极之间的控制电极，主要控制电流。

3.集电极（C）：负责接受发射极电子，主要负责放大电流。

《电工学(唐介主编)》第4章习题答案

练习题5.4.2 已知变压器的二次绕组有 400 匝，一次绕组和二次绕组的额定电压为 220/55 220/55 VV 。

求一次绕组的匝数。

5.4.3 已知某单相变压器 S N = 50 kV = 50 kV··A ，U 1N /U 2N = 6 600/230 V ，空载电流为额定电流的3%，铁损耗为 500 W ，满载铜损耗 1 450 1 450 WW 。

向功率因数为 0.85 的负载供电时，满载时的二次侧电压为 220 220 VV 。

求：(1) 一、二次绕组的额定电流；(2)空载时的功率因数；(3)电压变化率；(4)满载时的效率。

5.4.1 收音机中的变压器，一次绕组为 1 200 匝，接在 220 220 V V 交流电源上后，得到 5 5 V V 、6.3 V 和 350 350 V V 三种输出电压。

求三个二次绕组的匝数。

w.k hd a w.c o 课后答案网5.4.4 某单相变压器容量为 10 10 kV kV kV··A ，额定电压为3 300/220 3 300/220 V V 。

如果向 220 220 VV 、60 W 的白炽灯供电，白炽灯能装多少盏？如果向 220 220 V V 、40 W 、功率因数为 0.5 的日光灯供电，日光灯能装多少盏？5.4.5 某50 50 kV kV kV··A 、 6 600/220 V 单相变压器单相变压器，，若忽略电压变化率和空载电流。

求：(1(1) ) 负载是 220 220 VV 、40 W 、功率因数为 0.5 的 440 盏日光灯时，变压器一、二次绕组的电流是多少？(2) 上述负载是否已使变压器满载？若未满载，还能接入多少盏 220 220 VV 、40 W 、功率因数为 1 的白炽灯？ 5.4.6 某收音机的输出变压器某收音机的输出变压器，，一次绕组的匝数为 230，二次绕组的匝数为 80，原配接 8 Ω 的扬声器，现改用 4 Ω的扬声器，问二次绕组的匝数应改为多少？w.k hd a w.c o 课后答案网5.4.7 电阻值为 8 Ω 的扬声器，通过变压器接到E = 10 V 、R 0= 250 Ω 的信号源上。

电工与电子技术基础(第四版)习题册答案

三、选择题
1．B 2．C
四、简答题
1．（1）通电长直导线的磁场方向确定:用右手握住导线,让伸直的拇指所指的方向跟电流的方向
一致,则弯曲的四指所指的方向就是磁感线的环绕方向.
（2）通电通电螺线管的磁场方向确定:用右手握住通电螺线管,让弯曲的四指所指的方向跟电流
的方向一致,则拇指所指的方向就是螺线管内部磁感线的方向,也就是通电螺线管的磁场 N 极的方向.
一个月节约 816×0.8=652.8 元
§1—4 复杂电路的分析
4
一、填空题 1．基尔霍夫第一定律节点电流定律流入节点的电流之和流出节点的电流之和 2．电流连续性原理 3．基尔霍夫第二定律回路电压定律闭合回路各段电阻上的电压降的代数和电动势的代数和 4．升高或降低 5．正号负号 6．电桥对臂电阻的乘积相等 7．热线式空气流量压敏电阻式进气压力二、判断题 1．× 2．√ 3．√ 4．√ 5．× 6．√ 7．√ 三、选择题 1．B 2．A 3．B 四、简答题１．(１)合理选取节点,这样可以简化对复杂电路的分析和计算. (２)电流的参考方向可以任意规定,如果计算的结果为负值,则表明实际电流的方向与电流的参考方向相反. ２．(１)沿选定的回路绕行方向所经过的电路电位升高,反之,则电路电位下降. (２)回路的“绕行方向”是任意选定的,一般以虚线表示. (３)基尔霍夫电压定律不仅适用于电路中的具体回路,还可以推广应用于电路中的任一假想回路. 五、综合题 1．解：设流进节点的方向为正方向 I+3-4-3=0 I=4A 2．解：设绕行方向为逆时针 -E1+IR1+IR2+IR3+E2+IR4=0 -12+0.2×10+0.2×5+0.2×10+ E2+0.2×5=0 E2=12-0.2×30=6V

电工学第四版习题解答

第1章习题解答(部分)1.5.3 有一直流电源，其额定功率P N =200 W ，额定电压U N ＝50 V ，内阻只ＲN ＝0.5Ω，负载电阻Ｒ0可以调节，其电路如图所示。

试求： (1)额定工作状态下的电流及负载电阻， (2)开路状态下的电源端电压，分析电源的额定值有额定功率P N 。

额定电压U N 和额定电流I N 。

三者间的关系为 P N =U N I N 。

额定电压U N 是指输出额定电流I N 时的端电压，所以额定功率P N 也就是电源额定工作状态下负载所吸收的功率。

解（1）额定电流 A U P I N N N 450200===负载电阻 5.12450===N N I U R Ω （2）开路状态下端电压U 0 等于电源电动势E 。

U 0＝E ＝U N ＋I N Ｒ0＝50＋4×0.5＝52 V1.5.6 一只100V ，8W 的指示灯，现在要接在380V 的电源上，问要串多大阻值的电阻?该电阻应选用多大瓦数的?分析此题是灯泡和电阻器额定值的应用。

白炽灯电阻值随工作时电压和电流大小而变，但可计算出额定电压下的电阻值。

电阻器的额定值包括电阻值和允许消耗功率。

解据题给的指示灯额定值可求得额定状态下指示灯电流I N 及电阻只R NΩ≈==≈==1510073.0110A 073.01108N N N N N N U U R U P I串入电阻R 降低指示灯电压，使其在380V 电源上仍保持额定电压U N ＝110V 工作，故有Ω≈-=-=3710073.01103800N N I U U R 该电阻工作电流为I N =0.073 A,故额定功率为W R I P N R 6.193710073.022≈⨯=⋅=可选额定值为3.7k Ω,20 W 的电阻。

1.5.7在图1.03的两个电路中，要在12V 的直流电源上使6V ，50 mA 的电珠正常发光，应该采用哪一个联接电路？解要使电珠正常发光，必须保证电珠获得6V ，50mA 电压与电流。

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第4章场效应管放大电路与功率放大电路4.1 图4.1所示为场效应管的转移特性，请分别说明场效应管各属于何种类型。

说明它的开启电压th U （或夹断电压p U ）约是多少。

GSGS (a)(b)(c)图4.1 习题4.1图解：(a) N 沟道耗尽型FET U P =－3V ； (b) P 沟道增强型FET U T =－4V ； (c) P 沟道耗尽型FET U P =2V 。

4.2 某MOSFET 的I DSS = 10mA 且U P = －8V 。

(1) 此元件是P 沟道还是N 沟道？(2) 计算U GS = －3V 是的I D ；(3) 计算U GS = 3V 时的I D 。

解：(1) N 沟道； (2) )mA (9.3)831(10)1(P GS DSS D =-⨯=-=U U I I (3) )mA (9.18)831(10)1(P GS DSS D =+⨯=-=U U I I 4.3 画出下列FET 的转移特性曲线。

(1) U P = －6V ，I DSS = 1mA 的MOSFET ；(2) U T = 8V ，K = 0.2mA/V 2的MOSFET 。

解：(1)/V(2)i D /V4.4 试在具有四象限的直角坐标上分别画出4种类型MOSFET 的转移特性示意图，并标明各自的开启电压或夹断电压。

解：i Du GSo 耗尽型N 沟道增强型N 沟道U PU TU PU T耗尽型P 沟道增强型P 沟道4.5判断图4.2所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。

解： (a) 能放大(b) 不能放大，增强型不能用自给偏压(c) 能放大（d ）不能放大，增强型不能用自给偏压。

共漏1<uA ，可增加R d ，并改为共源放大，将管子改为耗尽型，改电源极性。

图4.2 习题4.5电路图4.6 电路如图4.3所示，MOSFET 的U th = 2V ，K n = 50mA/V 2，确定电路Q 点的I DQ 和U DSQ 值。

解：)V (13.3241510015DD g2g1g2GSQ =⨯+=⨯+=V R R R U22DQ n GSQ th ()50(3.132)63.9(mA)I K U U =-=⨯-=)V (2.112.09.6324d DQ DD DSQ =⨯-=-=R I V UR g1R g2100k 15k Ω(a)图4.3 习题4.6电路图图4.4 习题4.7电路图4.7 试求图4.4所示每个电路的U DS ，已知|I DSS | = 8mA 。

解：(a) U GSQ =0(V) I DQ =I DSS =8(mA) U DSQ =V DD －I DQ R d = 12－8×1=4(V) (b) U GSQ =0(V) I DQ =I DSS =－8(mA)U DSQ =V DD －I DQ R d = －9+8×0.56=－4.52(V)4.8 电路如图4.5所示，已知VT 在U GS = 5V 时的I D = 2.25mA ，在U GS = 3V 时的I D = 0.25mA 。

现要求该电路中FET 的V DQ = 2.4V 、I DQ = 0.64mA ，试求：(1) 管子的K n 和U th 的值； (2) R d 和R S 的值应各取多大？解：（1）I D =K n (U GS -U th )22.25= K n (5-U Th )2 0.25= K n (3-U th )2 → U th1=3.5(V) (不合理，舍去)，U th2=2(V) 求得：K n =0.25mA/V 2，U th =2V（2）V DQ =V DD -I DQ ·R d 2.4=12－0.64R d →R d =15k Ω2GSQ )2(25.064.0-=U →U GSQ1=0.4(V)(不合理，舍去) U GSQ2=3.6(V)U GSQ =10－0.64·R s ∴R s =10k Ω4.9 电路如图4.6所示，已知FET 的U th = 3V 、K n = 0.1mA/V 2。

现要求该电路中FET 的I DQ = 1.6mA ，试求R d 的值应为多大？V DDSSV DD R g 1.2M图4.5 习题4.8图图4.6 习题4.9图解：1.6=0.1(U GSQ －3)2 ∴U GSQ1=7(V) U GSQ2=－1(V)(不合理，舍去) U DSQ =U GSQ =7(V) U DSQ =15－1.6×R d ∴R d =5k Ω4.10 电路如图4.7所示，已知场效应管VT 的U th = 2V ，U (BR)DS = 16V 、U (BR)GS = 30V ，当U GS = 4V 、U DS = 5V 时的I D = 9mA 。

请分析这四个电路中的场效应管各工作在什么状态(截止、恒流、可变电阻、击穿)？R g 1.2M R dΩ15VR g 1.2M R d Ω20VR g 1.2M R d Ω12VR g 1.2M R d Ω12V(a)(b)(c)(d)图4.7 习题4.10图解：(a) 截止(b) U DSQ =20V>U (BR)DS ，击穿(c) I D =K n (U GS -U th )2 9= K n (4－2)2 ∴K n =2.25mA/V 2 U GSQ =3V I DQ =2.25(3－2)2 ∴I DQ =2.25mA → U DSQ =12－2.25×5=0.75(V)<U GSQ －U th =1V ∴处于可变电阻区(d) U DSQ =12－2.25×3=5.25(V)>U GSQ －U th =1V∴处于恒流区4.11 图4.8所示场效应管工作于放大状态，ds r 忽略不计，电容对交流视为短路。

跨导为m 1ms g =。

（1）画出电路的交流小信号等效电路；（2）求电压放大倍数u A •和源电压放大倍数us A •；（3）求输入电阻i R 和输出电阻o R 。

图4.8 习题4.11电路图解：R sR g3R g2R g1R 1R d R iR osiU gsU gsm U g +－+－oU+－(2) R i =R g3+R g2//R g1=2+0.3//0.1=2.075(M Ω) R o =R d =10k Ω(3) 3.321110111m d -=⨯+⨯-=+-==R g R g U U A m i o u3.33.3001.0075.2075.2-≈⨯+-=+=us i i us A R R R A 4.12 电路如图4.9所示，已知FET 在Q 点处的跨导g m = 2mS ，λ=0，试求该电路的uA 、R i 、R o 的值。

u iC 1C 2R g1VTu o+V DD 20VR g2R S 2M Ω0.5M Ω3k ΩR L 10k Ω图4.9习题4.12电路图解：R i =R g2//R g1=2//0.5=0.4(M Ω) R o =R s //m g 1=3//21=429(Ω) 822.010//32110//32//1//L s L s =⨯+⨯=+=R R g R R g A m m uR g2R g1R sR iR oiU gsU gsm U g +－+－oU +－R L4.13 由于功率放大电路中的晶体管常处于接近极限工作的状态，因此，在选择晶体管时必须特别注意哪3个参数？解：最大集电极电流I CM 、最大集电结耗散功率P CM 和反向击穿电压U (BR)CEO4.14 一双电源互补对称功率放大电路如图4.10所示，设CC 12V V =，L 16R =Ω，i u 为正弦波。

求：（1）在晶体管的饱和压降U CES 可以忽略的情况下，负载上可以得到的最大输出功率om P ；（2）每个晶体管的耐压|U (BR)CEO |应大于多少；（3）这种电路会产生何种失真，为改善上述失真，应在电路中采取什么措施。

解：(1) )W (5.4162122)(2L 2CES CC om =⨯=-=R U V P ，(2) )V (242||CC (BR)CEO =≥V U(3) 会产生交越失真，工作于甲乙类工作状态可以消除这种失真。

图4.10 习题4.14电路图图4.11 习题4.15电路图4.15 一个单电源互补对称功放电路如图4.11所示，设CC 12V V =，L 8R =Ω，C 的电容量很大，iu为正弦波，在忽略晶体管饱和压降U CES的情况下，试求该电路的最大输出功率omP。

解：)W(25.28262)2/(2L2CESCCom=⨯=-=RUVP4.16 在图4.12所示的电路中，已知CC16VV=，L4R=Ω，iu为正弦波，输入电压足够大，在忽略晶体管饱和压降U CES的情况下，试求：（1）最大输出功率omP；（2）晶体管的最大管耗CMP；（3）若晶体管饱和压降CES1VU=，最大输出功率omP和η。

解：(1) )W(3242162)(2L2CESCCom=⨯=-=RUVP(2) )W(4.62.0omCM=≥PP(3) )W(1.2842152)(2L2CESCCom=⨯=-=RUVP，%6.731611644CCom=-⋅=⋅=ππηVU4.17 在图4.13所示单电源互补对称电路中，已知CC24VV=，L8R=Ω，流过负载电阻的电流为o0.5cos(A)i tω=。

求：（1）负载上所能得到的功率oP；（2）电源供给的功率VP。

图4.12 习题4.16电路图图4.13 习题4.17电路图解：)W(1825.02o=⨯⎪⎭⎫⎝⎛=P)W(82.35.0241122cmCCLomCCV=⨯⨯=⨯⋅=⨯⋅=πππIVRUVP4.18 在图4.14中哪些接法可以构成复合管？哪些等效为NPN管？哪些等效为PNP管？图4.14 习题4.18电路图解：(a) 不能 (b) 不能 (c) 能 NPN (d) 能 PNP4.19 图4.15所示电路中，三极管β1 = β2 = 50，U BE1 = U BE2 = 0.6V 。

(1) 求静态时，复合管的I C 、I B 、U CE ；(2) 说明复合管属于何种类型的三极管； (3) 求复合管的β。

I BI CR b 1.5M ΩR e 2k ΩU CE-15VR b1.5M ΩR c 300Ω+15VVT 1VT 2VT 1VT 2U CEI CI B(a)(b)图4.15 习题4.19电路图解：(a) )μA (2.95.16.06.015BQ =--=I)mA (92.23)1(BQ 21BQ 1CQ2CQ1CQ=++=+=I I I I I βββ)V (824.73.092.231515c CQ CEQ =⨯-=⋅-=R I U 250021=⋅≈βββ 相当于NPN (b) )μA (18.2]1[6.015c211b BQ =+++-=R R I βββ)mA (56.5)1(BQ 12EQ2CQ=+==I I I ββ)V (88.32)00218.056.5(1515c EQ CEQ =⨯+-=⋅-=R I U 250021=⋅≈βββ 相当于PNP医院感染管理质量评价标准（试行）。

最新电工学(下册)电子技术基础 第4章 习题解答