06-07第2学期模电卷B

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模拟电子技术基础b卷答案终审稿)

模拟电子技术基础B卷答案公司内部档案编码：[OPPTR-OPPT28-OPPTL98-OPPNN08]2007-2008学年第_2_学期《模拟电子技术基础》B 卷答案满分：100分一、（10分）当u i 大于6V 时，二极管导通，输出等于u i ，否则，二极管截止，输出为6V 。

二、(20分)解: (1) 画直流通路（2分）求静态工作点：V V R R R V 3.415246024CC b2b1b2B =⨯+=⋅+≈mA R V V I I 16.37.03.4e BE B E C =-=-=≈ (1分) uA I I 20501CB ===β(1分) V R R I V R I R I V V 4.8)6.33(115)(e c C CC e E c C CC CE =+⨯-=+-≈--= (1分)(2)如换上β为100的管子,放大电路能正常工作, β变化后I C 静态工作点不变,这是此电路的特点(1分)。

β对电压放大倍数影响不大(1分)。

从表达式可见A v =-βR C ∕R be 和r be =300+(1+β)26mV∕I E (mA) (1分)（3）微变等效电路图(3分)(4)求电压放大倍数A v 、输入电阻和输出电阻;A v =-βR C ∕R be =(50×3)∕=-94(倍)(发射极电阻被电容交流短路) (3分)r be =300+(1+β)26（mV ）∕I E (mA)= ( kΩ) Ri=R b1//R b2// r be =60//24//≈ ( kΩ) (1分) R O =R C =3( kΩ) (1分)（5）考虑信号源内阻R S 时,电源电压放大倍数A vs =A v Ri ∕(R S + R i ) A vs =A v Ri ∕(R S + R i )= -94×∕+=-71(倍) （2分）（6）交流负载线和直流负载线重合。

（2分）三、（10分）什么是集成运算放大器（4分）答：集成的、高增益、高输入电阻、低输出电阻的、直接耦合的、多级放大电路。

模拟电子技术ⅡB习题答案及评分标准

(模拟电子技术Ⅱ)课程考试试卷(B)卷考试时间 120分钟，满分100分要求：闭卷[√ ]，开卷[ ]；答题纸上答题[√]，卷面上答题[ ] (填入√)一、填空（20分）1．PN 结加反向电压时，空间电荷区将。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2．当晶体管工作在放大区时，发射结电压偏，集电结电压应为偏。

3．工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到32μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为。

4．在本征半导体中加入五价元素，形成N 型半导体，其多数载流子为：。

5．放大电路的静态分析通常使用的两种方法是、。

6．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。

7．差分放大电路主要用来抑制。

8．振荡电路一般有三种，分别是：、、。

9．互补对称式功率放大电路中，根据静态工作点的设置不同，电路可以处在甲类、乙类和甲乙类，则甲类功放电路缺点是：，乙类功放电路的缺点是：，甲乙类功放电路的优点是：。

10．整流的作用是将电转换成电。

11．集成运放理想化的三个条件是：、、。

二、（10分）如图示，tV u V E i ωsin 105==，，二极管正向压降忽略，画出输出电压uo 的波形。

（第二题图）三、（15分）电路如图所示，晶体管的β＝80，r be =1k Ω。

（1）求出Q 点；（2）分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的Au 和Ri 及Ro 。

四、（10分）已知一个电压串联负反馈放大电路的电压放大倍数Au f ＝20，其基本放大电路的电压放大倍数Au 的相对变化率为10％，Au f 的相对变化率小于0.1％，试问F 和Au 各为多少？（第四题图）（第五题图）五、（10分）判断如图的电路为什么类型的负反馈？六、（10分）求如图输出U O 与输入U I2、U I2之间的关系。

（第六题图）（第七题图）七、（10分）计算如图中的阈值电压，并画出电压传输特性。

模拟电子技术试卷及答案_2

模拟电子技术试卷及答案（本题共5小题, 每小题4分, 共20 分）一、填空题1.二极管的伏安特性曲线上共分个工作区；二极管正常工作在伏安特性曲线的正向导通区,但导通压降最少需在 1.3V以上；二极管正常工作在伏安特性曲线的反向截止区；二极管正常工作在伏安特性曲线的反向击穿区。

2....型三极管是用基极小电流控制集电极大电流....控制型器件....型三极管是用栅源间电压控制漏极大电流.... 控制型器件。

3.放大电路中的负反馈类型分.......负反馈.......负反馈...... 负反馈........负反馈四种。

4.由运放的理想化条件导出的两个重要概念.... .... ，是运放线性应用电路分析的重要依据；在运放非线性应用电路的分析中....的概念不再成立.... 的概念仍然适用。

5.实用技术中，串联型直流稳压电路应用较为广泛，它通常.... 环节、基准电压..... 环节.....四部分组成。

其....工作在放大状态。

（本题共12小题, 每小题1分, 共12分）二、判断正、误题1.雪崩击穿和齐纳击穿都是场效应式的电击穿, 不会损坏二极管。

..）2.双极型三极管各种组态的放大电路, 输入、输出均为反相关系。

..）3.本征半导体中掺入五价杂质元素, 会生成P型半导体, 其多子是空穴载流子。

..）4.OTL甲乙类功放采用了单电源供电方式, 其输出大电容起负电源的作用。

..）5.功率放大器中, 甲乙类功放的性能最优良, 高保真较甲类强, 效率较乙类高。

..）6.NPN型三极管工作在放大状态时, 其发射极电位最高, 集电极电位最低。

..）7.不同类型的放大电路, 其静态分析的目的也各不相同, 但动态分析的目的总是相同的。

..）8.频率响应引进的失真属于线性失真, 放大电路的饱和失真和截止失真则是非线性失真。

..）9.无论是单门限还是双门限的电压比较器，电路中一定存在正反馈环节。

..）10.并联型稳压电路中的整流环节通常采用整流桥, 滤波环节大多采用电感元件。

模电试卷

三、（10分）右图画出了某固定偏流放大电路中 BJT的输出特性及交、直流负载线，试求： 1 电源电压VCC ，静态电流 IB ，IC ，管压降VCE的值。 2 电阻 Rb ，Rc的值。 (3) 输出电压的最大不失真幅度（4）要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？
四、（8分）一比较器电路如右图所示，设运放是理想器件。 1、试求门限电压值Vth，并画出比较器的传输特性vo=f(vi)。 2、画出输入为vi=6sin(ωt)V的正弦信号所对应的输出电压波形。
P
OM
1 V CES ) 2 2 V CC (
10 2
28
2
2R
L
（5）（2分）三极管的集电极最大反向电压应大于>VCC
四．如图所示各电路。（1）判别各电路的反馈类型，在图上标出反馈极性。（6分）（2）从反馈效果看，为什么（a）图的信号源内阻RS越小越好，（b）图的信号源内阻RS越大越好？（6分）（共12分）
二、电路如图所示。(5分) 试判断二极管是否导通，并求出AO两端电压VAO。设二极管是理想的
三、电路如图所示。两个晶体管的值均为50。（18分） 1.确定T1、T2的静态工作点。 2.画出简化的微变等效电路。
３、计算中频电压放大倍数Aus、输入电阻及输出电阻。
四、电路如图。(12分)判断电路的反馈类型，如果是负反馈，计算深度负反馈条件下大电压放大倍数AVS。根据题目提供的基本电路，完成电路的连接，实现电流串联负反馈；并计算深度负反馈下的电压放大倍数。
五、分析电路并回答问题。（12分）某同学连接了一个如（a）图所示的RC串并联网络桥式振荡电路，但电路不起振。请你帮他找出错误，在图中加以改正；若要求振荡频率为480HZ，试确定 R的值。分析（b）和（c）图示电路能否振荡。

（完整版）模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二（1）

（完整版）模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二（1）模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二(本科)及其参考答案试卷二一、选择题（这是四选一选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共22分）1．某放大电路在负载开路时的输出电压4V ，接入Ωk 12的负载电阻后，输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为（）a. 10Ωkb. 2Ωkc. 4Ωkd. 3Ωk2．某共射放大电路如图1-2所示，其中Ω=Ω=k 2,k 470c b R R ，若已知I C =1mA,V CE =7V ，V BE =0.7V ，r be =1.6Ωk ,50=β，则说明（）a. 107.07BE CE i o ====V V V V A V &&&b. 37.021BE c C i o -=?-=-==V R I V V A V &&&c. 5.62//be b c i c i b c C i o -≈-=-=-==r R R R R R I R I V V A V ββ&&&d. 5.626.1250be c i o -=?-=-==r R V V A V β&&&图1-23．为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入（）。

a. 共射电路b. 共基电路c. 共集电路d. 共集-共基串联电路4. 在考虑放大电路的频率失真时，若i v 为正弦波，则o v （）a. 有可能产生相位失真b. 有可能产生幅度失真和相位失真c. 一定会产生非线性失真d. 不会产生线性失真5. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在（）。

a. 开环或正反馈状态b. 深度负反馈状态c. 放大状态d. 线性工作状态6. 多级负反馈放大电路在（）情况下容易引起自激。

a. 回路增益F A &&大b. 反馈系数太小c. 闭环放大倍数很大d. 放大器的级数少7. 某电路有用信号频率为2kHz ，可选用（）。

模拟电子技术(48学时)考题(B)bz

---○---○------○---○---………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题，密封线外不准填写考生信息，违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 中南大学考试试卷（B ）时间110分钟2006 ~2007学年 1学期模拟电子技术课程期末考试试题 48 学时， 3 学分，闭卷，总分100分，占总评成绩 70 % 一、填空题(本题20分，每空1分) 1. 在本征半导体中掺入价杂质元素，形成N 半导体。

P 型半导体中多子为，少子为。

2. 理想二极管正偏时，其电阻＝，反偏时其电阻＝。

3. 三极管工作在放大区时，发射结应偏置，集电结应偏置。

4. 场效应管的导电沟道有和两种，在无任何外接偏置时，型MOS 管存在导电沟道，而型MOS 管不存在导电沟道。

5. 三极管的甲类、乙类和甲乙类工作状态，类的导通角最大，类的电路交越失真最大。

6. 理想运放的开环差模电压放大倍数＝，共模电压放大倍数＝。

7. 将输入电压信号转换为输出电流信号应引入反馈，引入该反馈后，其输入电阻输出电阻。

8. 虑除50Hz 左右的干扰信号应采用滤波，直流稳压电源中对交流整流后应采用的滤波。

二、判断题（本题10分，每空1分）凡对者在括号内打“√”，凡错者在括号内打“×”。

1. 稳压管的稳压区是工作在反向截止区（）。

2. 理想情况下，双入－双出差动放大电路的共模抑制比等于零（）。

3. 若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈（）。

4. 根据二极管的伏安特性可知，二极管的直流电阻与交流电阻相等（）。

5. 只要电源电压稳定，三极管的静态工作点就稳定（）。

6. 射极输出器（射极跟随器）无电压放大作用，但有电流放大作用（）。

7. 阻容耦合放大电路与直接耦合放大电路都可以放大交流信号（）。

8. 互补对称功率放大电路中的两个功率管都工作在甲类状态（）。

模拟电子技术试卷及答案

模拟电子技术测验试卷一一、填空题：将正确的答案填入空格中。

（本大题分15小题，每小题2分，共30分）1、在P型半导体中，__________是多数载流子，__________是少数载流子。

2、下图所示电路中，设二极管导通时正向电压为0.7V，则二极管处于__________状态，电流I D=__________。

3、振荡器的振幅平衡条件为__________，而起振时，则要求__________。

4、两个电流放大系数分别为β1和β2的BJT复合，其复合管的β值约为__________。

5、一个由NPN型BJT组成的共射极组态的基本交流放大电路，如果其静态工作点偏低，则随着输入电压的增加，输出将首先出现__________失真；如果静态工作点偏高，则随着输入电压的增加，输出将首先出现__________失真。

6、在低频段，当放大电路增益下降到中频增益的__________倍时，所对应的频率称为下限频率。

7、放大电路对不同频率的信号具有不同的增益而引起的输出波形失真称为____________________。

8、理想运算放大器的差模输入电阻等于__________，开环增益等于__________。

9、差动放大电路的共模抑制比定义为______________________（用文字或数学式子描述均可）；在电路理想对称情况下，双端输出差动放大电路的共模抑制比等于__________。

10、单相桥式整流电路，若其输入交流电压有效值为10V ，则整流后的输出电压平均值等于__________。

11、如下图(a)所示电路的输入v i 为正弦交流电压，其输出v o 的波形如下图(b)所示，则可知功放管__________工作不正常。

v o v i(a)t(b)12、下图所示放大电路中引入的反馈组态是____________________。

该反馈能稳定电路的输出电__________。

13、根据相位平衡条件判断下图所示电路是否可能振荡，答：__________。

模拟电子技术微课版教程(第2版)试卷及试题库

学院 202 -202 学年第学期《模拟电子技术》试卷（A 卷专业级）考试方式：闭卷本试卷考试分数占学生总评成绩的 60 %（本题共5小题，每小题4分，共 20 分）一、填空题 1.多级放大电路常见的三种耦合方式中，若要求各级静态工作点互不影响，可选用耦合方式；若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号，可选用耦合方式；若要求能实现阻抗变换，使负载与输出级阻抗相匹配，可选用耦合方式。

2. 某放大电路中，晶体管三个电极的电流测出分别为：I 1=1.2mA 、I 2=0.03mA 、I1=1.23mA 。

由此可知：电极1是极，电极2是极，电极3是极。

若已知I 1电流方向流入晶体管，则I 2电流方向与I 1电流方向、I 3电流方向与I1电流方向。

3. 硅二极管导通压降的典型值是 V 、锗二极管导通压降的典型值是 V ；NPN 型管的集电极电流和基极电流晶体管；PNP 型管的集电极电流和基极电流晶体管。

4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同，其中饱和失真和截止失真属于失真；幅频失真和相频失真属于失真。

5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小，称为反馈；若反馈量使放大电路的净输入量增大，称为反馈。

放大电路通常采取反馈。

6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是元件；串联型直流稳压电路的调整管正常工作在状态；开关型直流稳压电路的调整管正常工作在状态。

（本题共10小题，每小题1分，共10分）二、判断正、误题 1. 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（） 2. PN 结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。

（） 3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时，才能称为具有放大作用。

（） 4. 发光二极管正常工作在正向导通区，其导通压降为0.7V 。

（）5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管，复合管的类型取决于第一个管子的类型。

(完整word版)模拟电路考试试题10套和答案(打印版).

第0 页坑爹的模电试卷编号 01……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）：1．整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。

2．在PN 结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。

3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。

4．在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。

5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________;引入交流负反馈的作用是___________。

6．正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成.7．某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为__________，总的放大倍数为__________.8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e 对__________信号的放大无影响，对__________信号的放大具有很强的抑制作用。

共模抑制比K CMR 为__________之比。

9．某放大电路的对数幅频特性如图1所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB 。

图1二、判断（本题共10分，每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（）构成各种半导体器件的基础是PN 结，它具有单向导电和反向击穿特性. 2、( ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。

3、（）在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。

二模电试题B答案

二模电试题B答案 The Standardization Office was revised on the afternoon of December 13, 20202008—2009学年第二学期《模拟电子技术》B卷答案一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

（每空1分，共10分）（1）（×）；（2） (× )；（3） (×)；（4）（√）；（5）（×）；（6）（√）；（7）（√）；（8）（×）；（9）（√）；（10）（×）二、选择合适答案填入空内（每空1分，共20分）（1）A；（2）B；（3） A；A；（4）B；A；（5）C；（6）B；（7）B；（8）B；（9）C；（10）C；（11）B；B；C；（12）A；（13）B；B；C；（14）D三、绘图题（共25分）（1）解：⑴--⑷；⑵--⑹；⑸--⑺；⑶--⑻；⑺--⑼；⑻--⑾；⑽--⑿；⒀--⑾（8分）（2）解：如图1所示（6分）u u u图1（3）解：如图2所示（6分）be1L +-+-U o图2（4）解：如图3所示（横坐标也可以标注ωt ）（5分）图3四、计算题（共33分）（1）解：① 直流通路如图4所示，交流等效电路如图5所示（4分）+V CCR CR b1R b2R eT I b1I b2I bq Ic qI eq图4L U -+-U o图5② b1BQ b1b2R U R +R CC V ≈⋅5122525V =⨯=+ （6分）e20.71.3mA R 1BQ BEQEQ U U I --=== 1.313A 100EQBQ I I μβ≈== CEQ CC CQ C EQ e U V I R I R =--()CC EQ C e V I R R ≈-+12 1.3(51) 4.2V =-+=动态分析：（4分）i b1b2be R R R r =∥∥121221b b be in b b b be b be R R r R R R R r R r =++ 'r (1)T be bb EQ U r I β=++26100101 2.1k 1.3=+⨯≈Ω525 2.11.452.125 2.1525k ⨯⨯=≈Ω⨯+⨯+⨯5o c R R k ==Ωbe'o L u in U R A U r β==- 51003976 2.1=-⨯≈-⨯③ 如果电容Ce 开路，则电路的输入电阻R in 将增大，（2分）i b1b2be e [(1)]R R R r R β=++∥∥R in =Ω交流等效电路如图6所示图6o b c L u in b be e eU I R R A U I r I R β==-⨯+（）电压放大倍数降低；（2分）输出电阻R o 不变。

2009-2010学年二学期模拟电子技术期末考试试卷B卷

《模拟电子技术》试卷 B 卷第 1 页共 4 页南京邮电大学 2009/2010学年第 2 学期《模拟电子技术》期末试卷 B 卷院 (系班级学号姓名一、填空题 (18分1. 如果输入信号源为高内阻电压源, 则多级放大电路中的输入级应采用⎽⎽⎽⎽;A 、共射放大电路,B 、共基放大电路,C 、共集放大电路2.在线性放大条件下,调整图 1示电路有关参数,试分析电路状态和性能指标的变化A 、增大 B 、减小 C 、基本不变, (1当 R b 减小时,静态电流 I BQ 将 ____,电压放大倍数 uA 将 ____,输入电阻 R i 将 ____,输出电阻 R o将 ____;(2当管子β减小时,静态电流 I BQ将 ____,电压放大倍数 uA 将 ____,输入电阻 R i 将 ____,输出电阻 R o 将 ____。

3. 当 PN 结外加正向电压时,扩散电流 PN 结外加反向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层。

A 、大于,B 、小于,C 、等于,D 、变宽,E 、变窄,F 、不变4. 在保持二极管反向电压不变的条件下,二极管的反向电流随温度升高而 ____;在保持二极管的正向电流不变的条件下,二极管的正向导通电压随温度升高而 ____。

A 、增大 , B 、减小, C 、不变5. 放大电路的输入信号频率升高到上限截止频率时,放大倍数幅值下降到中频放大倍数的 __________倍,或者说下降了 _________dB;放大倍数的相位与中频时相比,附加相移约为 __________度。

二、 (12分由理想集成运放 A 和晶体管 VT 1、 VT2组成的反馈放大电路如图 2所示。

试计算电路的下列性能指标: 1.闭环源电压放大倍数 sof u u A uus =; 2.输入电阻 f i R ; ,3.输出电阻 of R 。

装订线内不要答题自觉遵守考试规则 , 诚信考试 , 绝不作弊《模拟电子技术》试卷 B 卷第 2 页共 4 页R ifu图 2三、 (12分由集成运放 A 1、 A 2等元器件组成的两个反馈放大电路如图 3所示,设 A 1、 A 2均为理想运放。

06级模电期末考试

武汉理工大学考试试题（B 卷）课程名称模拟电子技术基础C 专业班级计算机0601—4备注：学生不得在试题纸上答题（含填空题、选择题等客观题）一. 填空题：（每空1分，共20分）1.在P 型半导体中，多数载流子为（），少数载流子为（）. P 型半导体主要靠（）导电。

2.当PN 结正向偏置时使空间电荷区（），加剧了多数载流子的（）运动，形成正向电流，此时PN 结处于（）状态。

3.根据导电沟道结构上的不同，场效应管可以分成（）和（）两大类型，他们的导电过程仅仅取决于（）的运动。

4. 当晶体管工作在放大区时，发射结电压应为（）偏置和集电结电压应为（）偏置。

5.共射放大电路有（）电压增益，（）电流增益，温度升高时，其增益均会（）。

6.对于由晶体管组成的共射极、共集电极和共基极三种基本放大电路，若希望电流放大倍数大，可选用（）和（）组态电路；若希望放大器的高频响应好，应选用（）组态电路。

7.电流源电路的特点是输出电流（），直流等效电阻（），交流等效电阻（）。

二.选择填空题（每空1分，共20分） 1.只含三价元素杂质的半导体是（）。

① P 型半导体；② N 型半导体；③ 本征型半导体2. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是（）。

①. I S e U ②. TU U I eS ③. )1e (S －T U U I3.如果晶体管的基极——发射极短路，则（）。

① 管子深饱和；② 发射结反偏；③ 管子截止；④ 发射结正偏；⑤ 集电结烧坏 4.人们说晶体管具有放大电流的能力，这是指它在电路中采用（）和（）。

① 共发射极接法时；② 共基极接法时；③ 共集点极接法时；④ 任何接法时 5. U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。

①. 结型管 ②. 增强型MOS 管 ③. 耗尽型MOS 管 ④ 防止输入信号交流短路6.检查放大电路中的BJT 在静态时是否进入截止区，最简单可靠的是测量（）。

(完整word版)模电试卷二及答案

1．单项选择题（在每一小题的四个备选答案中,选出一个正确的答案,并将其序号写在题干后的( )内。

每小题2分，共20分）(1)杂质半导体中的少数载流子浓度取决于( ）。

A．掺杂浓度 B．工艺 C.温度 D．晶体缺陷（2)硅稳压管在稳压电路中稳压时,工作于( ）。

A．正向导通状态 B．反向电击穿状态 C．反向截止状态 D．反向热击穿状态(3）测得一放大电路中的三极管各电极相对于“地"的电压如图1所示，A．NPN型硅管 B．NPN型锗管 C．PNP型锗管 D．PNP型硅管（4）温度上升时，半导体三级管的（）。

A．β和ICBO 增大，UBE下降 B．β和UBE增大,ICBO减小C．β减小，ICBO 和UBE增大 D．β、ICBO和UBE均增大（图1)(5）在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，ｕｏ与ｕｉ相位相反、︱AU︱>1的只可能是( )。

A．共集电极放大电路 B．共基极放大电路C．共漏极放大电路 D．共射极放大电路（6)在四种反馈组态中，能够使输出电压稳定，并提高输人电阻的负反馈是( ）。

A．电压并联负反馈 B．电压串联负反馈 C．电流并联负反馈 D．电流串联负反馈(7）关于多级放大电路下列说法中错误的是（）。

A．Aｕ等于各级电压放大倍数之积 B．Rｉ等于输入级的输入电阻C．R。

等于输出级的输出电阻 D．Ａｕ等于各级电压放大倍数之和（8) 用恒流源电路代替典型差动放大电路中的公共射极电阻RE，).．︱Aｕｄ︱ B．︱Aｕｅ︱ C．ＲｉｄD．ＫＣＭＲ）电路如图2所示，其中U２＝20V，C＝100ｕF。

变压器内阻,该电路的U０≈( )。

．24V B．28VC．－28V D．－18V(图2)（10）在下列四种比较器中．抗干扰能力强的是( )。

A．迟滞比较器 B．零比较器 C．三态比较器D．窗口比较器2．填充题（每格１分，共20分)(11)当放大电路输入非正弦信号时,由于放大电路对不同频率分量有不同的放大倍数而产生的输出失真称为(幅频)失真，由于相位滞后与信号频率不成正比而产生的输出失真称为(相频)失真，①-8V ③-2.2V+u这两种失真统称为(频率)失真或（线性）失真。