第五章3 载流子扩散 杂质浓度分布与...

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第5章载流子的输运现象
半导体物理学
爱因斯坦关系
仍然以前面分析过的非均匀掺杂半导体材料为例,在热平衡 状态下,其内部的电子电流和空穴电流密度均应为零,即:
dn J n enn Ex eDn 0 dx
E Ec EF EFi Ev x
第5章载流子的输运现象
半导体物理学
假设仍然近似的满足电中性条件 n N d 则有: dN d x
第5章载流子的输运现象
半导体物理学
载流子(空穴)在横向电场中受电场力作用,最终与洛仑 兹力相平衡:
qE y qvx Bz
VH E yW vxWBz 霍尔电压: 载粒子(空穴)的漂移速度: Jx Ix vx ep ep Wd
故有:
I x Bz VH epd
测得霍尔电压后,可计算出浓度: I x Bz p edVH
EF EFi n0 ni exp[ ] N d ( x) KT
第5章载流子的输运现象
半导体物理学
热平衡时费米能级EF恒定,所以对x求导可得:
dEFi KT dNd ( x) dx N d ( x) dx
因此,电场为:
KT 1 dNd ( x) E x ( ) e N d ( x) dx
例5.1
J n eN d x n Ex eDn
将电场的表达式代入:
dx
0
kT e n N d x e
得到:
KT 1 dNd ( x) E x ( ) e N d ( x) dx
dN d x 1 dN d x eDn 0 dx N d x dx
第5章载流子的输运现象
半导体物理学
粒子的扩散 空间分布不均匀(浓度梯度) 无规则的热运动 若粒子带电,则定向的扩散形成定向的电流:扩散电流
光照
第5章载流子的输运现象
半导体物理学
x-l
x+l
扩散粒子流密度: F 一维模型:粒子只能在一维方向上运动。 在某一截面两侧粒子的平均自由程l (l=vthг)范围内,由于热运动而穿过 截面的粒子数为该区域粒子数的1/2。
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半导体物理学
5.2.2总电流密度
半导体中四种独立的电流:电子的漂移及扩散电流; 空穴的漂移及扩散电流。 总电流密度为四者之和:
dn dp J enn Ex ep p Ex eDn eDp dx dx
漂移电流:相同 的电场下,电子 电流与空穴电流 的方向相同。 扩散电流:相同的 浓度梯度下,电子 电流与空穴电流的 方向相反。
在半导体中,电子和空穴的扩散系数分别与其迁移率有关
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半导体物理学
§5.3 杂质浓度分布与爱因斯坦关系
前边讨论的都是均匀掺杂的半导体材料,在实际的半导体 器件中,经常有非均匀掺杂的区域。
热平衡状态下:非均匀掺杂将导致在空间的各个位置杂质 浓度不同,从而载流子浓度不同。形成的载流子浓度梯度 将产生扩散电流。并且由于局域的剩余电荷(杂质离子) 存在而产生内建电场。 内建电场形成的漂移电流与扩散电流方向相反,当达到动 态平衡时,两个电流相等,不表现出宏观电流,从而造成 了迁移率和扩散系数之间的关联:爱因斯坦关系。
由上式看出,由于存在非均匀掺杂,将使得半导体中产生 内建电场。一旦有了内建电场,在非均匀掺杂的半导体材 料中就会相应地产生出内建电势差。
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半导体物理学 例题5.5 已知掺杂浓度线性变化,求热平衡半导体中的感生电场。 假设t=300k时,n型半导体的施主杂质浓度为 Nd ( x) 1016 1019 x(cm3 ) 其中x 的单位为cm,且 解:因为

7 1017 cm3
求扩散电流密度。
线性变化。若电子的扩散系数为
解:扩散电流密度表达式:
J n / dif eDn
dn n eDn dx x
J n / dif
11018 7 1017 1.6 10 19 225 108 A / cm2 0.10
适当的浓度梯度产生显著的扩散电流
x(-l) x x(+l)
浓度 电子流
n(+l) n(0) n(-l)
电子电流
x(-l) x x(+l)
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半导体物理学
例5.4 已知浓度梯度,求扩散电流密度 在一块n型GaAs半导体中,T=300K时,电子浓度在0.10cm距离内电子浓度从
11018 cm3
Dn 225 cm2 / s
因而扩散系数和迁移率有关系:
Dn
kT VT n e
热电压,常温下为0.0259V 例5.6
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半导体物理学
同样,根据空穴电流密度为零也可以得到:
将上述两式统一起来,即:
此式即为统一的爱因斯坦关系
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半导体物理学
例5.6 已知载流子的迁移率,求扩散系数 已知: T=300K时
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半导体物理学
同样的,对于n型材料中的电子:
IxL n enVxWd
在实际的霍尔测试中,需要注意:
欧姆接触的制作 衬底材料或外延材料的厚度影响 样品尺寸的影响
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半导体物理学
小结
半导体中的两种基本输运机制:漂移运动与扩散运动 半导体中载流子的散射 弱场下迁移率恒定,强场下速度饱和(107cm/s)。迁 移率和温度以及电离杂质之间的关系 迁移率和电导率之间的关系 载流子扩散与扩散系数和浓度梯度成正比 扩散系数和迁移率的关系(爱因斯坦关系) 利用霍尔效应(运动载流子在磁场中的作用)可测试 半导体的载流子浓度和迁移率。
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半导体物理学
缓变杂质分布引起的内建电场
热平衡状态的半导体材料费米能级保持为一个常数,因而非 均匀掺杂半导体不同位置∆E=Ec-EF不同。其能带结构如图 所示:
E Ec EF EFi Ev x x
E
nx Ec EF EFi Ev
E
热平衡状态下的均匀掺杂半导体
热平衡状态下的不均匀掺杂半导体
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半导体物理学
同样,对于N型半导体材料,其霍尔电压为负值:
I x Bz VH end
I x Bz n edVH
一旦确定了半导体材料的掺杂类型和多数载流子的浓度之 后,我们还可以计算出多数载流子在低电场下的迁移率, 对于P型半导体材料,有:
J x ep p Ex Jx Ix IxL p epEx ep Vx Wd epVxWd L
第5章载流子的输运现象
半导体物理学
谢 谢
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半导体物理学
§5.2 载流子扩散
扩散定律
当载流子在空间存在不均匀分布时,载流子将由高浓度区 向低浓度区扩散。 扩散是通过载流子的热运动实现的。由于热运动,不同区 域之间不断进行着载流子的交换,若载流子的分布不均匀, 这种交换就会使得分布均匀化,引起载流子在宏观上的运 动。因此扩散流的大小与载流子的不均匀性相关,而与数 量无直接关系。
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半导体物理学
对于一块非均匀掺杂的N型半导体材料,我们定义各处电 势(电子势能除以电子电量-e): 注意:电子势能负
EF EFi e 半导体各处的电场强度为:
值;电子电量负值; 电势正值;
d 1 dEFi Ex dx e dx
假设电子浓度Leabharlann Baidu施主杂质浓度基本相等(准电中性条件), 则有:
1000 (cm2 / V .s)
解:
kT D 0.0259 1000 25.9cm2 / s e
注意数量级!!!
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半导体物理学
下表所示为室温条件下硅、砷化镓以及锗单晶材料中电子、空穴的迁移率 和扩散系数的典型值。
迁移率:反映载流子在电场作用下运动的难易程度 扩散系数:反映存在浓度梯度时载流子运动的难易程度
Dn vthl v
2 th n
e n n * mn
爱因斯坦关系中的系数和温度有关,载流子的迁移率也是与温度强烈相关 的,所以载流子的扩散系数同样也是与温度有着非常强烈的依赖关系。
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半导体物理学
§4.5 霍尔效应
带电粒子在磁场中运动时会受到洛伦兹力的作用,利用这一 特点,我们可以区别出N型半导体材料和P型半导体材料, 同时还可以测量出半导体材料中多数载流子的浓度及其迁移 率。 如图所示,在一块 半导体材料中通入 电流Ix,并将其置入 磁场Bz中,这时就 会在半导体材料Y方 向两侧产生电场Ey,
半导体物理学
扩散电流密度: 对于带电粒子来说,粒子的扩散运动形成扩散电流。
J p eFp elvth eD p
扩散 系数
dp x dx
浓度
dp x
n(+l) n(0) n(-l)
空穴流 空穴电流
dx dn x J n eFn elvth dx dn x eDn dx
扩散流密度:单位时间通过扩散的方式 流过垂直的单位截面积的粒子数
x
1 1 1 F n l vth n l vth vth n l n l 2 2 2 2l dn x dn x F lvth dx dx
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0 x 1m
KT 1 dNd ( x) E x ( ) e N d ( x) dx
dNd ( x) 10 19 (cm4 ) dx
0.0259 10 19 Ex 1016 1019 x
x0
我们有
而且:
故有: 假如在
Ex 25.9V / cm
很小的电场也能产生相当大的漂移电流,所以非均匀掺杂感生出的电场 能够显著影响半导体器件的特性。
第5章载流子的输运现象
半导体物理学
无规则的热运动导致粒子向各个方向运动的几率都相同。 平衡态:各处浓度相等,由于热运动导致的各区域内粒 子交换的数量相同,表现为宏观区域内粒子数不变,即 统一的粒子浓度。 不均匀时:高浓度区域粒子向低浓度区域运动的平均粒 子数超过相反的过程,因而表现为粒子的净流动,从而 导致定向扩散。 扩散与浓度的不均匀有关,并且只与不均匀有关,而与 总浓度无关。 例: 10:8 20:18 100: 98 10000: 9998 类比:势能:只与相对值有关,而与绝对值无关。水坝 势能只与落差有关,而与海拔无关。
第5章载流子的输运现象
半导体物理学
多数载流子(电子)从浓度高的位置流向浓度低的位置,即 电子沿着x的方向流动,同时留下带正电荷的施主离子,施 主离子和电子在空间位置上的分离将会诱生出一个指向x方 向的内建电场,该电场的形成会阻止电子的进一步扩散。
注意:这里没有考虑少子空穴的扩散,为什么?
达到平衡后,空间各处电子的浓度不完全等同于施主杂质 的掺杂浓度,但是这种差别并不是很大。(准电中性条件)
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