(模拟电子技术基础)第4讲晶体三极管

输出
输入
回路
偏回路）
因集电区面积大，在外电场作用下大 部分扩散到基区的电子漂移到集电区
因基区薄且多子浓度低，使极少 数扩散到基区的电子与空穴复合
因发射区多子浓度高使大量 电子从发射区扩散到基区
扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极 电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。
为简化分析，本讲解5 中省略了少子的运动。
ICm aV xC 2C R U c CE S(5 50)m A 1mA
1. 分别分析uI=0V、5V时T是工作在截止状态还是导通状态； 2. 已知T导通时UBE＝0.7V， β=100，若uI=2V。分别求 Vcc=12V 和Vcc=5V 时的Ic值（设T饱和时UCES=0）。
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讨论二
2.7
截止区
β是常数吗？ 通常，我们可以看成 8
晶体管的三个工作区域
状态 截止 放大 饱和
uBE ＜Uon ≥ Uon ≥ Uon
iC ICEO βiB ＜βiB
uCE VCC ≥ uBE ≤ uBE
晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC几乎仅仅
决定于输入回路的电流 iB，即可将输出回路等效为电流 iB
ΔiC
PCMiCuCE
uCE=1V时的iC就是ICM
iC iB
UCE
U（BR）CEO
由图示特性求出PCM、ICM、U （BR）CEO 、β。
13
作业：
1、预习 4.2 2、教材习题，
P122：4.6 (a) (c) (e)
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控制的电流源iC 。
9
四、温度对晶体管特性的影响
T(℃ ) ICEO
u B 不 E iB 变 ， i时 B 不 即 u 变 B E 时
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五、主要参数
• 直流参数：
、
、ICBO、 ICEO
IC
IE
iC
iE
1
• 交流参数：β、α、fT（使β＝1的信号频率）
• 极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO
对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线 可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。
7
2. 输出特性 iC f(uCE) IB
对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。 饱和区
iC
放大区
uCE较小时iC随uCE变化很大；进 入放大状态曲线几乎是横轴的
平行线。
iBBiblioteka CiBUCE常量最大集电 极电流
c-e间击穿电压
最大集电极耗散功 率，PCM＝iCuCE
安全工作区
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讨论一
通过uBE是否大于Uon判断管 子是否导通。
讨论一
IBuI R U bBE (21 00 .7)m 0 A 1μ 3A
IC 1 •IB 1 0 1u 0 3 A 1 .3 mA
ICm aV x C1 C R U cCE S (15 20)m A 2.4mA
模拟电子技术基础
第四讲 晶体三极管
1
一、晶体管的结构和符号
小功率管
中功率管
大功率管
多子浓度高
多子浓度很 低，且很薄
面积大
晶体管有三个区、三个极、两个PN结。 三个极： e (em4itter)、 b (base)、c (collector)。
二、晶体管的放大原理
放
大
的条 uuC BB E件 U 0， o（ n 即 u发 CE射 uB（ E结集 正电 偏结 ）反
• 电流分配： IE＝IB＋IC
IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流
重要的比例关系：
直流电流 放大系数
IC
IB
iC
iB
交流电流 放大系数
动画9
6
三、晶体管的共射输入特性和输出特性
1. 输入特性
iB f(uBE)UCE
为什么像PN结的伏安特性？ UCE增大曲线右移； UCE增大到一定值后，曲线右 移就不明显了。