隔离器规格书
MSC302E-C0C0配电隔离器说明书
输入参数(Input): AC0~250V
辅助电源: DC12V±10% Power Supply: DC12V±10%
输出参数(Output): DC4~20mA
注：订货时，请用户根据实际需要按上表仔细核对类型、
输入范围、输出范围和辅助电源。 Please check the Type, Input range, Output range and Power supply at your order.
输出 DC Output
O1: 0~5V, O2: 1~5V, O3: 0~20mA, O4: 4~20mA, O5: RS485.
范例1 (Example 1): YDD-I-A2-P2-O4
说明：
YDD系列单交流电流变送器
Details： YDD Series Single Phase AC Current Transducer
型号规格 产品型号 MSC302E-C0C0 MSC302E-C0CC MSC302E-CCCC
输入 1 信号 4~20mADC 4~20mADC 4~20mADC
输入 2 信号 无输入 2 无输入 2
4~20mADC
输出 1 信号 4~20mADC 4~20mADC 4~20mADC
输出 2 信号 无输出 2 4~20mADC 4~20mADC
输入参数(Input): AC0~300V
辅助电源: AC220V±15% Power Supply: AC220V±15%
输出参数(Output): DC4~20mA
注：订货时，请用户根据实际需要按上表仔细核对类型、输入范
围、输出范围和辅助电源。 Please check the Type, Input range, Output range and Power supply at your order.
伊顿电气有限公司DMVCI系列隔离器使用说明书
DMVCI系列隔离器使用说明书伊顿电气有限公司Eaton Electrical Ltd.装箱单随机文件和附件产品型号说明书合格证手柄操作轴柜外操作机构标准件限制件DMV63CI/3.41111DMV100CI/3.411111DMV63CI/3.4G 111111DMV100CI/3.4G 1111111DMV160-630CI/3.41111DMV160-630CI/3.4G 11111DMV1000CI/3.41112DMV1000CI/3.4G 111112DMV1250-1600CI/3.41114DMV1250-1600CI/3.4G111114尊敬的用户：欢迎您使用本公司生产的DMVCI系列隔离器产品!为了您能安全正确地使用本系列产品,敬请您在安装调试和使用前熟读本说明书。
本产品符合GB/T14048.3、IEC60947-3标准，并通过了国家CCC认证。
目录一.用途 (4)二.产品的工作条件 (4)三.结构与特点 (4)四.主要规格及技术参数 (4)五.外型与安装尺寸 (5)六.安装方法 (9)七.使用与维修 (14)八.订货须知 (14)一、用途DMVCI系列隔离器（以下简称开关），适用于交流50Hz，额定电压690V，额定电流为63～1600A。
在配电系统中做隔离电路用。
二、产品的工作条件开关在如下条件下可靠运行：安装地点的海拔高度不超过2000米；周围空气温度不超过+40℃，而且其24h内的平均温度值不超过+35℃；周围空气温度的下限为-5℃；最高温度为+40℃时，空气的相对湿度不超过50%，在较低的温度下可以允许有较高的相对湿度，例如20℃时达90%。
对由于温度变化偶尔产生的凝露应采取特殊的措施；污染等级为3级。
注：若预期使用条件与以上标准不同，应在落单前提出。
三、结构与特点开关由不饱和聚酯玻璃纤维增强模塑料(DMC)制造的外壳；弹簧储能加速机构能快速实现接通与分断；触头结构为并联双断点两个分离触头面，并由片状弹簧保证触头压力；开关能够自动确定通断的极限位置，而且具有明显的通断标记来指示通断位置。
永林电子 DP-105R RS-485 信号隔离器 说明书
DP-105RRS-485信号隔离器【使用手册】永林电子（上海）有限公司 网址： Email：*************************.tw目录第一章产品介绍 (2)1-1功能特点 (2)1-2产品规格 (2)1-3尺寸标注 (2)1-4外观功能介绍 (3)1-5系统图 (3)保证说明 (4)第一章 产品介绍1-1 功能特点z RS-485信号隔离。
z信号传输距离延长1000m(理论值)。
1-2 产品规格z电源供应：设备工作电源由RS-485通讯口提供，工作电压为DC12V z通讯协议：RS-485z数字信号连接头：4pin绿色端子 x 2z外观尺寸：66( W ) x 54( H ) x 23( D ) mmz重量：128g1-3 尺寸标注1-4 外观功能介绍2 11. 4pin绿色端子，RS-485通讯口，提供DP-105R工作电压DC 12V2. 4pin绿色端子，RS-485通讯口1-5 系统图保证说明我公司保证履行以下承诺：1、我公司只对DP-105R设备本身负责。
2、在销售之日起，一年内免费保修任何Lite-Puter的由于工艺、材料等原因引起的故障产品。
3、我们不提供上门服务。
如果Lite-Puter设备出现故障,请将设备送至我分公司或台北总公司。
*** 特殊说明 ***由于滥用、错用、不小心（碰撞或不适当安装）或不可抗因素造成的故障不在以上服务范围之内。
变更记录版本说明A 最初发行发行时间：2010年5月台湾总公司：咏真实业股份有限公司地址：台北县汐止市大同路三段196号9楼邮编：22103电话：+886-2-86472828传真：+886-2-86472727网址：邮箱：*******************.tw上海分公司：永林电子（上海）有限公司地址：上海市闵行区虹梅南路3509弄298号B5楼邮编：201108电话：+86-21-54408210传真：+86-21-64978079上海销售中心（漕河泾办公室）：地址：上海市徐汇区田林路487号宝石大厦701室邮编：201103电话：+86-21-33674316/33674850传真：+86-21-33674013网址：邮箱：*************************.tw。
ADUM1250 1251双向隔离器产品系列 说明书
ADUM1250/1251双向隔离器产品系列一、功能介绍：ADUM1250/ADUM1251是美国ADI （Analog device,inc ）公司推出的一款无锁存双向传输的I 2C 总线隔离器，支持热插拔。
这消除了传统的光电隔离方案需把I 2C 信号分为单独的接收或发送信号所带来的不必要麻烦。
ADUM1250提供两个可双向通信的通信信道，完全兼容I 2C 总线协议，是I 2C 总线端隔离器的首选。
ADUM1251提供一个双向通信信道和一个单向通信信道，可应用于控制时钟信号无需双向通信的情况。
ADUM1250和ADUM1251都具有热插拔功能，可有效防止芯片热插拔过程中带来的数据扰动。
ADUM1250和ADUM1251是基于ADI 全球专利的icoupler 磁耦隔离技术的新型产品。
磁耦隔离是基于芯片级变压器的磁隔离技术，没有传统光电隔离的光电转换步骤，在体积、性能、功耗方面都有光电隔离器件无法比拟的优势。
图1它们内部框图，其主要特点如下：二、典型应用参数一、特征：●双向I 2C 通讯●开漏输出●支持热插拔●驱动电流30mA.●隔离电压：2500V ●工作频率：1000KHZ ●工作电压：3.0V/5.5V ●SOIC-8无铅封装●最高工作温度：105℃二、应用领域：●I 2C 总线隔离●SM 总线隔离●PM 总线隔离●以太网供电●1---Wire总线工作参数表示符号最小值最大值单位工作电压V DD1（side1） 3.05.5V V DD2(side2)输入输出信号电压V SDA1，V SCL1V SDA2，V SCL2 5.5V 信号输出电流I SDA1、I SCL10.53mA.I SDA2、I SCL20.530三、引脚功能说明四、使用说明1、功能详述：ADUM1250/ADUM1251接口的两端都可传输I 2C 信号，在其内部可将I 2C 信号分解为接收或发送信号并通过专用的两个磁耦隔离通道来实现I 2C 信号的双向传输。
NSi812x高可靠双通道数字隔离器数据手册说明书
C O NF ID EN T IA LNSi8120/NSi8121/NSi8122: High ReliabilityDual-Channel Digital IsolatorsDatasheet (EN) 1.8Product OverviewThe NSi812x devices are high reliability dual-channel digital isolator. The NSi812x device is safety certified by UL1577 support several insulation withstand voltages (3.75kV rms , 5kV rms ), while providing high electromagnetic immunity and low emissions at low power consumption. The data rate of the NSi812x is up to 150Mbps, and the common-mode transient immunity (CMTI) is up to 150kV/us. The NSi812x device provides digital channel direction configuration and the default output level configuration when the input power is lost. Wide supply voltage of the NSi812x device support to connect with most digital interface directly, easy to do the level shift. High system level EMC performance enhance reliability and stability of use. AEC-Q100 (Grade 1) option is provided for all devices.Key Features• Up to 5000V rms Insulation voltage• Date rate: DC to 150Mbps• Power supply voltage: 2.5V to 5.5V • All devices are AEC-Q100 qualified • High CMTI: 150kV/us • Chip level ESD: HBM: ±6kV• High system level EMC performance:Enhanced system level ESD, EFT, Surge immunity• Default output high level or low level option • Isolation barrier life: >60 years• Low power consumption: 1.5mA/ch (1 Mbps) • Low propagation delay: <15ns • Operation temperature: -40℃~125℃ • RoHS-compliant packages:SOIC-8 narrow body SOIC-16 wide bodySafety Regulatory Approvals• UL recognition: up to 5000V rms for 1 minute per UL1577• CQC certification per GB4943.1-2011• CSA component notice 5A • DIN VDE V 0884-11:2017-01Applications• Industrial automation system • Isolated SPI, RS232, RS485• General-purpose multichannel isolation • Motor controlFunctional Block DiagramsC O NF ID EN T IA LIndex1.0 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS .............................................................................................................................. 3 2.0 SPECIFICATIONS ........................................................................................................................................................... 3 2.1. E LECTRICAL CHARACTERISTICS .................................................................................................................................................. 3 2.2. TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS ........................................................................................................................... 7 2.3. P ARAMETER M EASUREMENT I NFORMATION . (8)3.0 HIGH VOLTAGE FEATURE DESCRIPTION (9)3.1. INSULATION AND SAFETY RELATED SPECIFICATIONS (9)3.2. DIN VDE V 0884-11（VDE V 0884-11）:2017-01 INSULATION CHARATERISTICS ....................................................................... 9 3.3. R EGULATORY INFORMATION ................................................................................................................................................... 11 4.0 FUNCTION DESCRIPTION ..........................................................................................................................................11 5.0 APPLICATION NOTE ................................................................................................................................................... 12 5.1. PCB L AYOUT ...................................................................................................................................................................... 12 5.2. H IGH SPEED PERFORMANCE ................................................................................................................................................... 12 5.3. T YPICAL S UPPLY C URRENT E QUATIONS ..................................................................................................................................... 13 6.0 PACKAGE INFORMATION ......................................................................................................................................... 13 7.0 TAPE AND REEL INFORMATION ............................................................................................................................. 17 8.0 ORDER INFORMATION .............................................................................................................................................. 20 9.0 REVISION HISTORY . (21)C O NF ID EN T IA L1.0 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSPower Supply Voltage VDD1, VDD2 -0.5 6.5 V Maximum Input Voltage VINA, VINB -0.4 VDD+0.41 V Maximum Output Voltage V OUTA , V OUTB -0.4 VDD+0.41 VMaximum Input/Output Pulse VoltageVINA, VINB, V OUTA , V OUTB-0.8VDD+0.8VPulse width should be less than 100ns, and the duty cycle should be less than 10%Common-Mode Transients CMTI ±150 kV/us Output currentIo -15 15mAMaximum Surge Isolation VoltageV IOSM5.3kVOperating Temperature Topr -40125 ℃Storage Temperature Tstg -40150℃Electrostatic dischargeHBM±6000VCDM±2000V1 The maximum voltage must not exceed 6.5V.2.0 SPECIFICATIONS2.1. ELECTRICAL CHARACTERISTICS(VDD1=2.5V~5.5V, VDD2=2.5V~5.5V, Ta=-40℃ to 125℃. Unless otherwise noted, Typical values are at VDD1 = 5V, VDD2 = 5V, Ta =25℃)Power on ResetVDD POR2.2 V POR threshold as during power-upVDD HYS 0.1 V POR threshold Hysteresis Input ThresholdV IT1.6 V Input Threshold at rising edge V IT_HYS 0.4 V Input Threshold Hysteresis High Level Input Voltage V IH 2 V Low Level Input Voltage V IL 0.8 V High Level Output Voltage V OH VDD-0.3 V I OH ≤ 4mA Low Level Output VoltageV OL0.3VI OL ≤ 4mAC O NF ID EN T IA LOutput Impedance R out 50 ohm Input Pull high or low CurrentI pull 8 15 uA Start Up Time after POR trbs 40 usec Common Mode Transient ImmunityCMTI±100±150kV/us(VDD1=5V± 10%, VDD2=5V± 10%, Ta=-40℃ to 125℃. Unless otherwise noted, Typical values are at VDD1 = 5V, VDD2 = 5V, Ta = 25℃)Supply currentNSi8120 I DD1(Q0) 0.58 0.87 mAAll Input 0V for NSi8120x0 Or All Input at supply for NSi8120x1 I DD2(Q0) 1.18 1.77 mA I DD1(Q1) 2.92 4.38 mA All Input at supply for NSi8120x0 Or All Input 0V for NSi8120x1I DD2(Q1) 1.241.86mAI DD1(1M) 1.71 2.56 mA All Input with 1Mbps, C L =15pFI DD2(1M)1.382.07mAI DD1(10M) 1.78 2.67 mA All Input with 10Mbps, C L =15pF I DD2(10M)3.24.8mA I DD1(100M)2.103.15 mA All Input with 100Mbps, C L =15pFI DD2(100M)21.031.5mANSi8121/ NSi8122 I DD1(Q0) 1.031.55 mA All Input 0V for NSi812xx0 Or All Input at supply for NSi812xx1 I DD2(Q0) 1.00 1.5 mA I DD1(Q1)2.203.3 mA All Input at supply for NSi812xx0Or All Input 0V for NSi812xx1 I DD2(Q1)2.133.2 mA I DD1(1M) 1.72 2.58 mA All Input with 1Mbps, C L =15pFI DD2(1M) 1.68 2.52 mA I DD1(10M) 2.62 3.93 mA All Input with 10Mbps, C L =15pFI DD2(10M) 2.71 4.06 mA I DD1(100M) 11.01 16.5 mA All Input with 100Mbps, C L = 15pF I DD2(100M)12.8 19.2 mA Data RateDR 0 150 MbpsC O NF ID EN T IA LPropagation Delayt PLH 5 8.20 15 ns See Figure 2.7 , C L = 15pF t PHL 5 10.56 15 ns See Figure 2.7, C L = 15pF Pulse Width Distortion |t PHL – t PLH | PWD5.0nsSee Figure 2.7 , C L = 15pFRising Time t r 5.0 ns See Figure 2.7 , C L = 15pF Falling Timet f 5.0 ns See Figure 2.7 , C L = 15pFPeak Eye Diagram Jitter t JIT (PK) 350 ps Channel-to-Channel Delay Skewt SK (c2c) 2.5 nsPart-to-Part Delay Skewt SK (p2p)5.0ns(VDD1=3.3V± 10%, VDD2=3.3V± 10%, Ta=-40℃ to 125℃. Unless otherwise noted, Typical values are at VDD1 = 3.3V, VDD2 = 3.3V, Ta =25℃)Supply currentNSi8120 I DD1(Q0) 0.550.83mA All Input 0V for NSi8120x0 Or All Input at supply for NSi8120x1 I DD2(Q0) 1.12 1.68 mA I DD1(Q1) 2.87 4.3 mA All Input at supply for NSi8120x0 Or All Input 0V for NSi8120x1 I DD2(Q1)1.18 1.77mA I DD1(1M)1.72.55mA All Input with 1Mbps, C L = 15pFI DD2(1M)1.271.91 mA I DD1(10M) 1.732.6 mA All Input with 10Mbps, C L = 15pF I DD2(10M)2.413.6 mA I DD1(100M) 2.05 3.08 mA All Input with 100Mbps, C L = 15pF I DD2(100M)14.0521.08mANSi8121/ NSi8122 I DD1(Q0) 0.98 1.47 mA All Input 0V for NSi812xx0 Or All Input at supply for NSi812xx1 I DD2(Q0) 0.95 1.43 mA I DD1(Q1) 2.14 3.21 mA All Input at supply for NSi812xx0 Or All Input 0V for NSi812xx1 I DD2(Q1) 2.08 3.12 mA I DD1(1M) 1.63 2.45 mA All Input with 1Mbps, C L = 15pFI DD2(1M) 1.59 2.39 mA I (10M)2.223.33mAAll Input with 10Mbps,C O NF I D EN T IA LI DD2(10M) 2.25 3.38 mA C L = 15pFI DD1(100M) 7.57 11.36 mA All Input with 100Mbps, C L = 15pF I DD2(100M)8.5 12.75 mA Data RateDR 0 150 Mbps Minimum Pulse Width PW 5.0 nsPropagation Delayt PLH 5 9.20 15 ns See Figure 2.7 , C L = 15pF t PHL5 10.40 15 ns See Figure 2.7, C L = 15pF Pulse Width Distortion |t PHL – t PLH | PWD5.0nsSee Figure 2.7 , C L = 15pFRising Time t r 5.0 ns See Figure 2.7 , C L = 15pF Falling Timet f5.0 nsSee Figure 2.7 , C L = 15pFPeak Eye Diagram Jitter t JIT (PK) 350psChannel-to-Channel Delay Skewt SK (c2c)2.5nsPart-to-Part Delay Skew t SK (p2p)5.0ns(VDD1=2.5V± 10%, VDD2=2.5V± 10%, Ta=-40℃ to 125℃. Unless otherwise noted, Typical values are at VDD1 = 2.5V, VDD2 = 2.5V, Ta =25℃)Supply currentNSi8120I DD1(Q0) 0.53 0.8 mA All Input 0V for NSi8120x0 Or All Input at supply for NSi8120x1 I DD2(Q0) 1.11.65 mA I DD1(Q1)2.85 4.28 mA All Input at supply for NSi8120x0 Or All Input 0V for NSi8120x1 I DD2(Q1)1.15 1.73 mA I DD1(1M) 1.632.45 mA All Input with 1Mbps, C L = 15pFI DD2(1M) 1.21 1.82 mA I DD1(10M) 1.68 2.52 mA All Input with 10Mbps, C L = 15pFI DD2(10M) 2.05 3.08 mA I DD1(100M) 1.95 2.93 mA All Input with 100Mbps, C L = 15pFI DD2(100M)10.415.6mANSi8121/ NSi8122I DD1(Q0) 0.96 1.44 mA All Input 0V for NSi812xx0 Or All Input at supply for NSi812xx1I (Q0)0.931.395mAF ID EN T IA LI DD1(Q1) 2.11 3.165 mA All Input at supply for NSi812xx0Or All Input 0V for NSi812xx1 I DD2(Q1) 2.05 3.075 mA I DD1(1M) 1.58 2.37 mA All Input with 1Mbps, C L = 15pFI DD2(1M) 1.54 2.31 mA I DD1(10M) 2.02 3.03 mA All Input with 10Mbps, C L = 15pFI DD2(10M) 2.04 3.06 mA I DD1(100M) 6.03 9.045 mA All Input with 100Mbps, C L = 15pF I DD2(100M)6 9 mAData RateDR 0 150 Mbps Minimum Pulse Width PW 5.0 nsPropagation Delayt PLH 5 10 15 nsSee Figure 2.7 , C L = 15pF t PHL5 10 15nsSee Figure 2.7, C L = 15pFPulse Width Distortion |t PHL – t PLH | PWD5.0nsSee Figure 2.7 , C L = 15pFRising Time t r5.0ns See Figure 2.7 , C L = 15pF Falling Timet f5.0 ns See Figure 2.7 , C L = 15pFPeak Eye Diagram Jitter t JIT (PK)350ps Channel-to-Channel Delay Skewt SK (c2c)2.5ns Part-to-Part Delay Skew t SK (p2p)5.0ns2.2. TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICSFigure 2.1 NSi8120 VDD1 Supply Current vs Data Rate Figure 2.2 NSi8120 VDD2 Supply Current vs Data RateC OE2.3. PARAMETER MEASUREMENT INFORMATIONC LFigure 2.7 Switching Characteristics Test Circuit and WaveformFigure 2.8 Common-Mode Transient Immunity Test CircuitC O NF ID EN T IA L3.0 HIGH VOLTAGE FEATURE DESCRIPTION3.1. INSULATION AND SAFETY RELATED SPECIFICATIONSMinimum External Air Gap (Clearance)L(I01) 4.0 8.0 mm Shortest terminal-to-terminal distance through air Minimum External Tracking (Creepage)L(I02)4.08.0mmShortest terminal-to-terminal distance across the package surfaceMinimum internal gap DTI 20 um Distance through insulationTrackingResistance(Comparative Tracking Index) CTI>400VDIN EN 60112 (VDE 0303-11); IEC 60112Material GroupⅡ3.2. DIN VDE V 0884-11（VDE V 0884-11）:2017-01 INSULATION CHARATERISTICSSOIC-8 SOIC-16 Installation Classification per DIN VDE 0110For Rated Mains Voltage ≤ 150V rms Ⅰto Ⅳ Ⅰto Ⅳ For Rated Mains Voltage ≤ 300V rms Ⅰto Ⅲ Ⅰto Ⅳ For Rated Mains Voltage ≤ 400V rms Ⅰto Ⅲ Ⅰto Ⅳ Climatic Classification10/105/2110/105/21 Pollution Degree per DIN VDE 0110, Table 122Maximum repetitive isolation voltageVIORM 565 849 Vpeak Input to Output Test Voltage, Method B1V IORM × 1.5 = V pd (m) , 100%production test, t ini = t m = 1 sec, partial discharge < 5 pCV pd (m)8471273VpeakInput to Output Test Voltage, Method AAfter Environmental Tests Subgroup 1V IORM × 1.2= V pd (m) , t ini = 60 sec, t m = 10 sec, partial V pd (m)6781018VpeakC O N T IA LAfter Input and /or Safety Test Subgroup 2 and Subgroup 3 V IORM × 1.2= V pd (m) , t ini = 60 sec, t m = 10 sec, partialdischarge < 5 pC V pd (m)6781018VpeakMaximum transient isolation voltage t = 60 sec VIOTM 5300 7000 Vpeak Maximum Surge Isolation VoltageTest method per IEC60065,1.2/50uswaveform, VTEST=VIOSM×1.3VIOSM53845384VpeakIsolation resistance VIO =500V RIO >109 >109 Ω Isolation capacitance f = 1MHzCIO 0.6 0.6pFInput capacitanceCI22pF Total Power Dissipation at 25℃Ps1499 mW Safety input, output, or supply currentθJA = 140 °C/W, V I = 5.5 V, T J = 150 °C, T A = 25 °C Is160mAθJA = 84 °C/W, V I = 5.5 V, T J = 150 °C, T A = 25 °C237 mA Case TemperatureTs150150℃Figure 3.2 NSi8120W/NSi8121W/NSi8122W Thermal Derating Curve, Dependence of Safety Limiting Values with Case Temperature per DIN VDE V 0884-11C O NF ID EN T IA L3.3. REGULATORY INFORMATIONThe NSi8120N/NSi8121N/NSi8122N are approved by the organizations listed in table.UL 1577 Component Recognition Program 1Approved under CSA ComponentAcceptance Notice 5ADIN VDE V 0884-11:2017-012Certified by CQC11-471543-2012 GB4943.1-2011Single Protection, 3750V rms Isolation voltageSingle Protection, 3750V rms IsolationvoltageBasic Insulation 565Vpeak, V IOSM =5384VpeakBasic insulation at 400V rms (565Vpeak)File (E500602)File (E500602)File (5024579-4880-0001)File (pending)1 In accordance with UL 1577, each NSi8120N/NSi8121N/NSi8122N is proof tested by applying an insulation test voltage ≥ 4500 Vrms for 1 sec.2 In accordance with DIN VDE V 0884-11, each NSi8120N/NSi8121N/NSi8122N is proof tested by applying an insulation test voltage ≥ 847 V peak for 1 sec(partial discharge detection limit = 5 pC). The * marking branded on the component designates DIN VDE V 0884-11 approval.The NSi8120W/NSi8121W/NSi8122W are approved by the organizations listed in table.UL 1577 Component Recognition Program 1Approved under CSAComponent Acceptance Notice5ADIN VDE V 0884-11(VDE V 0884-11):2017-012 Certified by CQC11-471543-2012 GB4943.1-2011Single Protection, 5000V rms Isolation voltageSingle Protection, 5000V rmsIsolation voltageBasic Insulation 849Vpeak, V IOSM =5384Vpeak Basic insulation at 800V rms (1131Vpeak) Reinforced insulation at 400V rms (565Vpeak)File (E500602)File (E500602)File (5024579-4880-0001)File (pending)1 In accordance with UL 1577, each NSi8120W/NSi8121W/NSi8122W is proof tested by applying an insulation test voltage ≥ 6000 V rms for 1 sec.2 In accordance with DIN VDE V 0884-11, each NSi8120W/NSi8121W/NSi8122W is proof tested by applying an insulation test voltage ≥ 1273 V peak for 1 sec(partial discharge detection limit = 5 pC). The * marking branded on the component designates DIN VDE V 0884-11 approval.4.0 FUNCTION DESCRIPTIONThe NSi812x is a Dual-channel digital isolator based on a capacitive isolation barrier technique. The digital signal is modulated with RF carrier generated by the internal oscillator at the Transmitter side. Then it is transferred through the capacitive isolation barrier and demodulated at the Receiver side.The NSi812x devices are high reliability dual-channel digital isolator with AEC-Q100 qualified. The NSi812x device is safety certified by UL1577 support several insulation withstand voltages (3.75kV rms , 5kV rms ), while providing high electromagnetic immunity and low emissions at low power consumption. The data rate of the NSi812x is up to 150Mbps, and the common-mode transient immunity (CMTI) is up to 150kV/us. The NSi812x device provides digital channel direction configuration and the default output level configuration when the input power is lost. Wide supply voltage of the NSi812x device support to connect with most digital interface directly, easy to do the level shift. High system level EMC performance enhance reliability and stability of use.The NSi812x has a default output status when VDDIN is unready and VDDOUT is ready as shown in Table 4.1, which helps for diagnosis when power is missing at the transmitter side. The output B follows the same status with the input A within 1us after powering up.C O NF ID EN T IA LCopyright © 2019, NOVOSENSEPage 12 Table 4.1 Output status vs. power statusH Ready Ready H Normal operation.L Ready Ready L XUnreadyReadyL HThe output follows the same status with the input within 60us after input side VDD1 is powered on.X Ready Unready XThe output follows the same status with the input within 60us after output side VDD2 is powered on.5.0 APPLICATION NOTE5.1. PCB LAYOUTThe NSi812x requires a 0.1 µF bypass capacitor between VDD1 and GND1, VDD2 and GND2. The capacitor should beplaced as close as possible to the package. Figure 5.1 to Figure 5.4 show the recommended PCB layout, make sure the space under the chip should keep free from planes, traces, pads and via. To enhance the robustness of a design, the user may also include resistors (50–300 Ω ) in series with the inputs and outputs if the system is excessively noisy. The series resistors also improve the system reliability such as latch-up immunity.The typical output impedance of an isolator driver channel is approximately 50 Ω, ±40%. When driving loads where transmission line effects will be a factor, output pins should be appropriately terminated with controlled impedance PCB traces.Figure5.1 Recommended PCB Layout — Top Layer Figure5.2 Recommended PCB Layout — Bottom LayerFigure5.3 Recommended PCB Layout — Top Layer Figure5.4 Recommended PCB Layout — Bottom Layer5.2. HIGH SPEED PERFORMANCEFigure 5.5 shows the eye diagram of NSi812x at 200Mbps data rate output. The result shows a typical measurement on the NSi812x with 350ps p-p jitter.C O NF ID EN T IA LFigure5.5 NSi812x Eye Diagram5.3. TYPICAL SUPPLY CURRENT EQUATIONSThe typical supply current of NSi812x can be calculated using below equations. I DD1 and I DD2 are typical supply currents measured in mA, f is data rate measured in Mbps, C L is the capacitive load measured in pFNSi8120:I DD1 = 0.19 *a1+1.45*b1+0.82*c1. I DD2 = 1.36+ VDD1*f* C L *c1*10-9When a1 is the channel number of low input at side 1, b1 is the channel number of high input at side 1, c1 is the channel number of switch signal input at side 1.NSi8121/ NSi8122:I DD1 = 0.87 +1.26*b1+0.63*c1+ VDD1*f* C L *c2*10-9I DD2 = 0.87 +1.26*b2+0.63*c2+ VDD1*f* C L *c1*10-9When b1 is the channel number of high input at side 1, c1 is the channel number of switch signal input at side 1, b2 is the channel number of high input at side 2, c2 is the channel number of switch signal input at side 2.6.0 PACKAGE INFORMATIONVDD GND 22VDD INA GND 2VDD 2Figure 6.1 NSi8120N Package Figure 6.2 NSi8121N PackageC O NF ID EN T IA LVDD INBGND 22Figure 6.3 NSi8122N PackageFigure 6.4 SOIC8 Package Shape and Dimension in millimeters (inches)Table6.1 NSi8120N/ NSi8121N/ NSi8122N Pin Configuration and DescriptionNSi8121N PIN NO.NSi8122N PIN NO.SYMBOL FUNCTION1 1 1 VDD1 Power Supply for Isolator Side 12 7 2 INA Logic Input A3 3 6 INB Logic Input B4 4 4 GND1 Ground 1, the ground reference for Isolator Side 15 5 5 GND2 Ground 2, the ground reference for Isolator Side 26 6 3 OUTB Logic Output B7 2 7 OUTA Logic Output A888VDD2Power Supply for Isolator Side 2C O NFVDD GND GND 2VDD 2GND 2GND NC NCNC VDD GND GND 2VDD 22GND NC NC NCFigure 6.5 NSi8120W Package Figure 6.6 NSi8121W PackageVDD INB GND GND 2VDD 2GND 2GND NC NC NCFigure 6.7 NSi8122W PackageFigure 6.8 WB SOIC16 Package Shape and Dimension in millimeters and (inches)C O NF ID EN T IA LTable 6.2 NSi8120W/ NSi8121W/ NSi8122W Pin Configuration and Description1 1 1 GND1 Ground 1, the ground reference for Isolator Side 12 2 2 NC No Connection.3 3 3 VDD1 Power Supply for Isolator Side 14 13 4 INA Logic Input A5 5 12 INB Logic Input B6 6 6 NC No Connection.7 7 7 GND1 Ground 1, the ground reference for Isolator Side 18 8 8 NC No Connection. 9 9 9 GND2 Ground 2, the ground reference for Isolator Side 210 10 10 NC No Connection. 11 11 11 NC No Connection. 12 12 5OUTB Logic Output A 13 4 13OUTALogic Output B 14 14 14 VDD2 Power Supply for Isolator Side 215 15 15 NC No Connection.161616GND2Ground 2, the ground reference for Isolator Side 27.0TAPE AND REEL INFORMATIONLAITNEDIFNOCC O NF ID EN T IA LFigure 7.1 Tape and Reel Information of SOIC8LAITNEDIFNOCFigure 7.2 Tape and Reel Information of WB SOIC16NF ID EN T IA L8.0 ORDER INFORMATIONNSi8120N0 3.75 2 0 150 Low -40 to 125℃ NO SOIC8 NSi8120N1 3.75 2 0 150 High -40 to 125℃ NO SOIC8 NSi8121N0 3.75 1 1 150 Low -40 to 125℃ NO SOIC8 NSi8121N1 3.75 1 1 150 High -40 to 125℃ NO SOIC8 NSi8122N0 3.75 1 1 150 Low -40 to 125℃ NO SOIC8 NSi8122N1 3.75 1 1 150 High -40 to 125℃ NO SOIC8 NSi8120W0 5 2 0 150 Low -40 to 125℃ NO WB SOIC16 NSi8120W1 5 2 0 150 High -40 to 125℃ NO WB SOIC16 NSi8121W0 5 1 1 150 Low -40 to 125℃ NO WB SOIC16 NSi8121W1 5 1 1 150 High -40 to 125℃ NO WB SOIC16 NSi8122W0 5 1 1 150 Low -40 to 125℃ NO WB SOIC16 NSi8122W1 5 1 1 150 High -40 to 125℃ NO WB SOIC16 NSi8120N0Q 3.75 2 0 150 Low -40 to 125℃ YES SOIC8 NSi8120N1Q 3.75 2 0 150 High -40 to 125℃ YES SOIC8 NSi8121N0Q 3.75 1 1 150 Low -40 to 125℃ YES SOIC8 NSi8121N1Q 3.75 1 1 150 High -40 to 125℃ YES SOIC8 NSi8122N0Q 3.75 1 1 150 Low -40 to 125℃ YES SOIC8 NSi8122N1Q 3.75 1 1 150 High -40 to 125℃ YES SOIC8 NSi8120W0Q 5 2 0 150 Low -40 to 125℃ YES WB SOIC16 NSi8120W1Q 5 2 0 150 High -40 to 125℃ YES WB SOIC16 NSi8121W0Q 5 1 1 150 Low -40 to 125℃ YES WB SOIC16 NSi8121W1Q 5 1 1 150 High -40 to 125℃ YES WB SOIC16 NSi8122W0Q 5 1 1 150 Low -40 to 125℃ YES WB SOIC16 NSi8122W1Q 5 1 1 150 High -40 to 125℃YES WB SOIC16 NOTE: All packages are RoHS-compliant with peak reflow temperatures of 260 °C according to the JEDEC industry standard classifications and peak solder temperatures. All devices are AEC-Q100 qualified.Part Number Rule:NSi(81)(2)(1)(N)(1)(Q)C O NF ID EN T IA LNSi8120/NSi8121/NSi81229.0 REVISION HISTORY1.0 Original2017/11/15 1.1 Change to Ordering information2018/3/26 1.2 Add maximum operation current specification. 2018/6/20 1.3 Change block diagram 2018/7/28 1.4 Correct Table 6.2 Pin No.2018/8/20 1.5 Add specification “Input Pull high or low Current” 2018/9/10 1.6 Add “Maximum Input/Output Pulse Voltage” 2018/10/91.7 Change to Ordering information 2018/12/20 1.8 Change Certification Information2019/06/17。
moc3063规格书
moc3063规格书MOC3063规格书MOC3063是一种高性能光耦隔离器，常用于电气隔离和信号传输的应用中。
它的规格书详细描述了该器件的电气特性、光学特性以及封装信息，为用户提供了使用该器件的重要参考。
该规格书首先介绍了MOC3063的主要特点和应用领域。
MOC3063具有高速开关性能、高耐压能力和低输出耦合电容等特点，适用于工业控制、电力电子和通信设备等领域。
接下来，规格书详细列出了该器件的封装信息，包括引脚定义、尺寸和材料等。
这些信息对于用户进行电路设计和焊接工艺选择非常重要。
在电气特性方面，规格书对MOC3063的工作电流、工作电压和输出电压等进行了详细描述。
其中，工作电流是指在正常工作条件下器件所需的电流，工作电压是指器件能够承受的最大电压，输出电压是指在给定的输入条件下器件输出的电压。
这些特性的准确描述对于用户选择合适的工作条件和保证电路的可靠性至关重要。
光学特性是MOC3063规格书的另一个重要部分。
光耦隔离器通过发射器和接收器之间的光信号来隔离输入和输出电路，因此光学特性对于器件的性能至关重要。
规格书详细描述了MOC3063的发射器和接收器的光电参数，包括发射器的峰值波长、发射功率和接收器的响应时间等。
这些参数的准确描述对于用户选择合适的光耦隔离器和设计稳定的工作条件非常重要。
规格书还介绍了MOC3063的工作温度范围和存储温度范围。
工作温度范围是指器件能够正常工作的温度范围，存储温度范围是指器件能够安全存储的温度范围。
用户在使用该器件时，需要根据实际应用环境选择合适的工作温度范围，以确保器件的稳定性和可靠性。
MOC3063规格书是使用该器件的重要参考资料，它详细描述了该器件的电气特性、光学特性和封装信息。
用户通过仔细阅读和理解规格书，可以更好地选择和使用MOC3063，确保电路的稳定性和可靠性。
moc3020规格书
moc3020规格书MOC3020是一种光耦隔离器，用于控制高电压和高电流负载。
它是由一枚发光二极管（LED）和一枚光敏三极晶体管（TRIAC）组成的。
MOC3020的主要特性包括输入和输出之间的高隔离电压、低输入电流需求和快速开关速度。
首先，MOC3020的输入输出之间具有高隔离电压。
这意味着它可以有效地将输入信号与输出负载电路隔离开来，以防止电流通过输入电路中的逆变器攻击输出负载电路。
该隔离电压通常为7500伏特，提供了足够的保护，确保系统的安全性。
其次，MOC3020具有低输入电流需求。
这意味着它可以在较低的电流条件下操作，从而降低了功耗和发热。
这对于减少系统的能耗和提高效率非常重要。
MOC3020的典型输入电流为5毫安，这在许多应用中都能满足需求。
此外，MOC3020还具有快速开关速度。
这对于控制高频率操作或要求快速响应的应用非常重要。
该器件的开关速度为1微秒，可以迅速地传输信号，使得系统能够在短时间内完成开关操作。
根据MOC3020的规格书，它的工作温度范围为-40摄氏度至+100摄氏度，电流传输比为100%，并且其封装形式为6引脚的DIP（双列直插包装）。
此外，该器件还具有耐电压脉冲和高稳定性的优点。
在实际应用中，MOC3020主要用于控制交流电流，例如控制灯光、电动机、加热器和交流继电器等设备。
它通过光耦隔离的方式，使得低电压信号可以安全地控制高电压和高电流负载。
它还可以在工业自动化、电力管理和家庭电器等领域中发挥重要作用。
总之，MOC3020是一款广泛应用于控制高电压和高电流负载的光耦隔离器。
它具有高隔离电压、低输入电流需求和快速开关速度等优点，适用于多种应用领域。
无论是在工业领域、商业领域还是家庭领域，MOC3020都能够提供可靠的电流控制和隔离保护。
MSC302-说明书
功能
向现场2/3线制变送器提供工作电源，同时采样变送器 的输出电流，经过隔离转换后，输出到DCS 或PLC 。
也可用于4线制变送器，隔离变送器输出的电流信号。
型号规格及代码
技术指标
工作电源：24VDC ±10% 功 耗：≤2.5W
配电电压：18.5~28.5V
配电保护：最大短路电流，30mA
输入阻抗：电流采样等效电阻≤100Ω 输出负载：电流输出，≤350Ω
电压输出，≥5k Ω
转换精度：±0.2%F.S
温度漂移：±0.015% F.S/℃ 绝缘强度：输入/输出，≥2000VAC （1min ）
输入/电源，≥2000VAC （1min ）
输出/电源，≥1000VAC （1min ） 绝缘电阻：输入/输出/电源，≥100M Ω（500VDC ）
工作条件
工作温度：0~50℃ 存储温度：-40~85℃ 相对湿度：10~90%RH 大气压力：86~106kPa
安装方法
35mm 导轨卡装；主机与底座可以插拔分离
外形尺寸图 120mm*95mm*23mm。
moc3032规格书
moc3032规格书MOC3032是一种三端光耦隔离器，具有高电压耐受能力和快速开关速度。
它是MOC30xx系列中的一员，用于在输入和输出之间提供电气隔离和信号转换。
本规格书将详细介绍MOC3032的特点、应用和性能参数。
特点：1. 三端光耦隔离器：MOC3032由一个输入侧LED和一个输出侧光敏三极管组成，在输入和输出之间提供电气隔离。
2. 高电压耐受能力：MOC3032具有400V的高电压耐受能力，能够在高压环境下稳定工作。
3. 快速开关速度：MOC3032具有高速开关特性，能够在短时间内完成开关操作，适用于高频率应用。
4. 低功耗：MOC3032采用低功耗设计，能够有效降低能耗，提高整体效率。
应用：1. 高电压控制：MOC3032可用于高电压控制电路中，例如交流电机驱动、照明系统等，提供可靠的隔离和转换功能。
2. 电力电子：MOC3032广泛应用于电力电子设备中，如变频器、UPS系统、逆变器等，实现输入和输出之间的隔离和信号转换。
3. 工业自动化：MOC3032适用于工业自动化领域，例如PLC控制、传感器信号隔离和处理等，确保可靠的数据传输和控制。
4. 医疗设备：由于MOC3032具有高电压耐受能力和电气隔离特性，它也常被应用于医疗设备中，如心电图仪、血压监护仪等。
性能参数：1. 隔离电压：MOC3032具有高达7500VAC的隔离电压，确保输入和输出之间的电气隔离安全可靠。
2. 最大工作电压：MOC3032的最大工作电压为400V，可适应不同的电压条件。
3. 输出负载电流：MOC3032的最大输出负载电流为50mA，能够满足常见的应用需求。
4. 工作温度范围：MOC3032的工作温度范围为-40℃至+85℃，适用于各种环境条件下的工作。
5. 封装类型：MOC3032采用DIP-6封装，易于安装和布线。
总结：MOC3032是一款卓越的三端光耦隔离器，具有高电压耐受能力、快速开关速度和低功耗的特点。
CA-IS3020, CA-IS3021 I2C 隔离器 数据手册说明书
CA-IS3020, CA-IS3021上海川土微电子有限公司ObjectiveCopyright © 2020, Chipanalog Incorporated上海川土微电子有限公司CA-IS302x 低功耗双向通讯I 2C 总线隔离器1. 产品特性• 隔离双向通讯，兼容I 2C 总线通讯协议 • 信号传输速率：DC to 1MHz • 宽电源电压范围：3V to 5.5V • 宽温度范围： -55°C to 125°C •开漏输出• A 侧具有3.5mA 电流下拉能力 • B 侧具有35mA 电流下拉能力 • 优异的电磁抗扰度 • CMTI:：±150kV/µS • 浪涌：10kV • ESD ：8kV• 高达5kV RMS 的隔离电压 • 隔离栅寿命: >40年• 封装：SOIC8、宽体SOIC8 •符合RoHS 标准2. 应用• 隔离I 2C 总线• SMBus 和 PMBus 接口 • 电机驱动系统 •I 2C 电平转换3. 概述CA-IS3020和CA-IS3021芯片为兼容I 2C 接口的双向通讯低功耗隔离器，隔离器的输入侧与输出侧具备电气隔离特性，该电气隔离屏障由二氧化硅构成的高压隔离电容构成。
CA-IS302x 系列隔离器具有高达5kVrms 的超高绝缘能力，可以防止数据总线或其他电路上的噪声和浪涌进入本地接地端而干扰或损坏敏感电路。
高达150kV/µS 的CMTI 抗干扰的能力可以保证信号在恶劣噪声环境下的正确传输。
CA-IS3020芯片的数据传输通道（SDA ）和时钟传输通道（SCK ）均具有双向传输功能；CA-IS3021芯片的数据传输通道支持双向通信而时钟通道为单向通道。
CA-IS3020芯片适用于多主机（Master ）应用而CA-IS3021芯片适用于单主机应用。
如果在实际应用场景中，存在从机（Slave ）下拉时钟线的可能性，则需要使用CA-IS3020芯片。
MTL5032 脉冲隔离器产品说明说明书
EUROPE (EMEA) Tel: +44 (0)1582 723633 Fax: +44 (0)1582 422283AMERICAS Tel: +1 281 571 8065 Fax: +1 281 571 8069 ASIA PACIFIC Tel: +65 6 487 7887 Fax: +65 6 487 7997 E-mail:***************************: Aug 2008MTL5032 PULSE ISOLATOR The MTL5032 isolates pulses from a switch, proximity detector, currentpulse transmitter or voltage pulse transmitter located in a hazardous area.SPECIFICATIONSee also common specificationNumber of channelsOneLocation of switchZone 0, IIC, T6 hazardous areaDiv. 1, Group A hazardous locationLocation of proximity detector or transmitter Zone 0, IIC, T4–6 hazardous area if suitably certifiedDiv. 1, Group A hazardous locationSafe-area outputMaximum off-state values: V = 35V, I = 10µAMaximum on-state current: 50mAVoltage drop: [1 + (0.1 x current in mA)] VOutput off if supply failsHazardous-area inputSwitch: output-on (off) if switch closed (open)Proximity detector: meets NAMUR and DIN 19234 standards Pulse (I): Supply 16.5V dc at 20mA,Short-circuit current 24mAOutput on (off) >8.9mA (<6.8mA)Switching hysteresis: 0.5mA typical Pulse (V): Input impedance >10kΩSwitching point voltage (V sp): 3, 6 or 12V(selectable)Output on (off) if input >1.2 x V sp (<0.8 x V sp)Switching hysteresis: 0.11 x V sp typical Pulse widthHigh: 10µs minimumLow: 10µs minimumFrequency range0 to 50kHz Terminal Function1 C ommon–ve2 Proximity detector +ve3 C urrent+ve4 Transmitter+ve5 Voltage+ve11 Output–ve12 Output+ve13 Supply–ve14 Supply+veLED indicatorsGreen: power indicationYellow: statusSupply voltage20 to 35V dcMaximum current consumption65mA at 24V dc70mA at 20V dc55mA at 35V dcMaximum power dissipation within unit1.35W at 24V1.75W at 35VSafety descriptionTerminals 2 to 110.5V, 800Ω, 14mATerminals 5 to 4 and 128V, 94mA, 0.65WTerminals 4 to 3 and 128V, 300Ω, 93mATerminal 3 to 1Non-energy-storing apparatus ≤1.2V, ≤0.1A, ≤20µJ and ≤25mW;can be connected without further certification into any IS loop with an open-circuit voltage <28V。
DT-50型号隔离器说明书
DT-50型号隔离器说明书
输入电流或电压信号，变送输出隔离的电流或电压信号，实现了输入、输出与电源之间三端隔离。
本产品响应快，功耗低，温度特性好。
可与各类仪表及DCS，PLC等设备配套使用，在石油、石化、制造、电力、冶金等行业的重大工程中有着广泛应用。
隔离传输准确度:+0.2%F·S (25℃+2℃)
输出纹波: <1mV
响应时间: ≤0.2ms;可订制更快响应时间的产品稳定时
间:≤2ms
频率响应: 0Hz~300Hz (0Hz～5kHz可定制)温度漂移:<30ppm/c 输入阻抗:电流:≤60Q2;
电压:0V~5V: ≥1MQ;0V～10V: ≥2MQ
PWR:电源指示灯(绿色)。
仪表正常工作时常亮。
正负信号输出的产品仅支持一入一出。
单回路输入最多可以有两路输出，双回路输入每路只能对面面板指示应一路输出。
220V供电产品的电源线接入电源端子L、N之间，L接相线，N 接零线;直流24V供电的产品电源线接入15-、16+端子间。
如接地线可靠接地,可确保本产品符合IEC61000-4系列中第三类工业现场环境对抗电磁干扰的要求，如不接地线则会降低该项指标，但仍然可保证符合第二类以下的工业现场环境的应用，这已适用于绝大部分的工业现场。
NH17 系列隔离器 说明书
1 主要用途NH17系列隔离器NH17系列隔离器 (以下简称隔离器) 适用于交流50Hz、60Hz，额定工作电压400V（380V）、690V（660V），额定电流为630A～3900A的配电网络中，一般用在主开关之前，用来作为配电网络检修时的安全隔离。
3 正常工作条件2 型号及含义N H 17- □ / □隔离器极数，以阿拉伯数字表示，3极时省略隔离器壳架等级额定电流企业设计序号企业隔离开关代号企业代号2.1 型号含义2.2 分类a、使用类别：AC-20B；b、安装方式：抽屉式；c、操作方式：手动操作。
3.1 周围空气温度a、周围空气温度的上限值不超过+40℃；b、周围空气温度的下限值不低于-5℃；c、周围空气温度24h的平均值不超过+35℃。
注：周围空气温度的下限值为-10℃或-25℃的工作条件，在订货时用户须向制造厂申明； 周围空气温度的上限值超过+40℃或下限值低于-25℃的工作条件，用户应与制造厂协商。
3.2 安装地点的海拔不超过2000m。
3.3 大气条件大气相对湿度在周围空气温度+40℃时不超过50%；在较低温度下可以有较高的相对湿度；最湿月的月平均最大相对湿度为90%，同时该月的月平均最低温度为+25℃，并考虑到因温度变化发生在产品表面上的凝露而采取必要的特殊措施。
3.4 污染等级 3级3.5 安装类别隔离器的安装类别为Ⅳ。
3.6 安装条件隔离器应按说明书要求成套安装使用，与垂直面的倾斜不超过5°。
4 主要技术数据及性能4.1 隔离器的额定电流、额定电压、额定绝缘电压及额定冲击耐受电压见表1630、800、1000、1250、1600、19002000、2500、29002500、3200、3900壳架等级额定电流190029003900表1 Inm（A）额定电流In（A）额定工作电压Ue（V）额定绝缘电压Ui（V）额定冲击耐受电压Uimp（kV）AC400AC690AC69084.2 隔离器的额定短时耐受电流见表2壳架等级额定电流Inm(A)表2额定短时耐受电流 Icw（kA）/1s1900290039005070804.3 隔离器的操作性能隔离器操作性能用操作循环次数表示，见表3壳架等级额定电流Inm(A)表2每小时循环操作次数（次/小时）190029003900202010操作次数 （次）600600400隔离器为立体布置。
g-4103-220隔离器说明书
g-4103-220隔离器说明书
结构特征
隔离器内设有专用电路板，装于隔爆外壳中；外壳由钢板焊接而成，呈圆筒状，上设有由出线嘴、密封圈、堵板、喇叭口等组成的引入装置；电路板设计有光电隔离、电源转换、过流、过压、短路保护等电路。
工作原理
通过光电隔离及芯片处理原理实现如下功能：
1、将非本安 485 信号转换为本安 485 信号；
2、将非本安基带信号转换为本安基带信号；
3、将非本安基带信号转换为本安 485 信号；
4、将非本安 485 信号转换为本安基带信号。
安装
1、接电源线电缆
电源线电缆由大喇叭口（源电压输入口）引入，电缆由用户自行配备。
电缆穿过喇叭口引入电源箱中，剥开外皮，拧在信号接线板接线端子上，调好长度，将喇叭口中密封圈、垫圈、压紧螺母依次送入，并将其拧紧、压牢、不得松动。
2、接输出电缆
隔离器输出电缆经小喇叭口引入，根据需要将各信号进行接线，分别接至信号线路板上的相应端子，调好长度，将喇叭口中密封圈、
垫圈、压紧螺母依次送入，并将其拧紧、压牢、不得松动。
使用注意事项
1、当隔离器开盖后，隔爆面不允许划伤、磕碰，并要涂204防锈油脂。
2、隔爆外壳的密封圈不允许随意更换，如须更换，必须经过检验合格后方可进行更换。
3、需打开盖进行检修时，必须切断电源后开盖。
4、接线安装完成后将箱盖用螺栓紧固，并将外壳可靠接地，在确认完好后，方可送电。
5、定期检查接线是否良好，检查时，严禁带电打开。
6、安装、使用、维修、保养必须按照煤矿井下用电器设备安全规程进行，严禁违章操作。
7、不得随意改变本安电路及其关联的电气参数及元件型号、规格、参数等。
DGG2100信号隔离器(川仪)
DGG-2100型信号隔离器DGG型信号隔离器是DG系列导轨式前级处理仪表中的一个主要品种，它集我厂多年从事设计开发与生产各种信号隔离的丰富经验，并融汇了国外公司的最新技术成果。
DGG型信号隔离器是一种小型化导轨式结构的仪表，体积小、重量轻外形精巧美观，安装灵活、方便。
DGG型信号隔离器采用高性能的模块化电路设计、运用先进的表面贴装（SMT）工艺，整机结构紧凑，精度高、温漂小，并采用电磁隔离技术，将其输入、输出和供电电源三者之间相互隔离，大大提高了仪表的可靠性。
DGG型信号隔离器在安装配电状态下，可带电进行表体插拔与更换，极大地提高了系统的可维护性。
二，DGG2100信号隔离器的功能DGG型信号隔离器的主要功能是将输入的1～5Vd.c.或4～20mAd.c.标准信号装换成与之相互隔离的1～5Vd.c.或4～ 20mAd.c.标准信号输出，以供指示仪、记录仪、数据采集器、调节器或分散型控制系统使用，从而组成各种各样的工业自动化控制系统或监测系统，可广泛应用于石油、冶金、化工、电站等行业的过程控制系统中。
DGG型信号隔离器包括三个品种：一入一出型（单通道）仪表、一入二出型仪表和二入二出型（双通道）仪表。
■型号规格（型谱）产品的型号规格如下，型谱中的各位的具体含义见表1。
D G G -2100①②③④⑤⑥表1产品型谱中各种的具体含义■主要性能参数及技术指标●基本（输入输出）参数：见表2。
●基本误差（精度）：±0.20％。
●输出交流分量：≤40mV。
●温度漂移：≤0.2％/10°Ｃ●供摸抑制比：≥120dB（at 50Hz）。
●供电电源：24Vd.c.±10％，纹波含量小于1％。
●消耗功率：1）一入一出型信号隔离器的消耗功率：≤1.5W。
2）一入二出型二入二出型信号隔离器的消耗功率：≤2.5W。
●重量：一入一出型和一入二出型仪表表体重约200g，二入二出型仪表表体重约300g。
德力西电气 HD13-T系列刀形隔离器产品 说明书
B二级配电■ 基本介绍■ 符合标准■ 产品特征■ 应用范围HD13-T系列隔离器，适用于额定频率为50Hz，额定绝缘电压至1140V，额定工作电压至AC400V/690V，额定工作电流至1500A的低压配电系统中，用作电源隔离使用。
GB/T 14048.3-2017优质用材：动静触头采用高品质紫铜铜材，外壳采用高阻燃材质，性能可靠精益生产：零部件从选材到制作，均自主加工可控，产品一致性高系列齐全：电流涵盖600-1500A，旋转操作机构、灭弧罩可选，满足客户不同需求产品认证：CCC海拔高度：安装地点不超过2000m周围气温：-5℃ - +40℃安装环境：通风良好，无明显污秽、腐蚀性气体、导电粉尘、可燃物和可燃气体安装条件：水平安装，无显著摇动和冲击振动二级配电如客户需要HD13-600T 三极 400V 600A ，只需说明产品型：HD13-600T/30 600A 。
■ 订货须知型号规格600A 1000A1500A3P 4P 3P 4P 3P 4P HD13-T 中央杠杆操作机构隔离器A 260360310430340470B 292292314314353353C 100200120240130260D 160160160160160160E 100100120120130130G 后240~260240~260240~260H180180304304353353J 254254240240255255K 39.539.549.549.569.569.5L 78.578.581.581.568.568.5O --25253535P --25253535R 180180180180180180S 100100100100100100M 161612121212Φ99991111。
4-20ma 无源信号隔离器说明书
Tel:0755-83356002
ISOLATOR MODUEL
产品通用参数：
参数 隔离电压 绝缘阻抗 漏电流 温漂 非线性度 输入信号电压范围 输出线性范围 输出电流 Io 输出压降 Voh 输出信号纹波 频率响应（信号带宽）
外形尺寸
深圳市维君瑞科技有限公司
隔离模块产品中文资料
ISOLATOR MODUEL
深圳市维君瑞科技有限公司
SIP12 4-20ma 无源信号隔离器
特点： >>小体积、标准 SIP12 阻燃封装 >>信号输入/输出:3000VDC 隔离 >>输入输出无需外部电源供电、无需外接元件 >> 4-20mA 电流输入/输出精度高（失真<0.2%） >>工业级宽温度（-45—+85 ℃） >> （7.5—32V）超宽范围输入电压 >>高线性度（非线性度<0.2%） >>频率响应（信号带宽）：50HZ（Io=20mA） >>低阻抗（压降<4V）
外形尺寸引脚描述最小值典型值最大值单位隔离电压30s3000vdc绝缘阻抗10?1??pf漏电流240vrms50hz05ua458550100ppm非线性度全量程范围内0102fsk输入信号电压范围输出线性范围00320ma输出电流io00340ma输出压降vohio20mamv频率响应信号带宽io20ma50hzpin引脚引脚功能说明iin信号输入gnd信号输入io信号输出10io信号输出11io信号输出12io信号输出
应用： >> 模拟信号数据隔离、采集 >> 隔离 4-20mA 或 0-20mA 信号传输 >> 工业现场信号隔离 >> 信号长线无失真传输 >> 仪器仪表信号收发 >> 电力监控、医疗设备隔离 >> 地线干扰抑制
隔离器双舱URS
XXXXXX有限责任公司用户需求书起草审核批准目录序号内容页码、用户亲求原因2二设备概述性介绍2 2.1设备主要用途3 2.2现有设备描述3 2.3欲购置设备工艺描述3 2.4法规要求3三设备功能性需求3 3.1设备总体要求3 3.2设备具体技术要求5用户需求原因1I本设备/系统性质：请在下列方框中打J（单选或者多选）新建或者改建口购置公用系统口购置生产设备口购置检验设备口定制设备0其他（请具体列出）口1. 2本设备/系统需求原因：本公司有无菌药品，需进行无菌检查。
根据2010版GMP规范及实施指南相关要求，无菌检查应在环境洁净度B级下的局部洁净度A级的单向流空气区域或隔离系统中进行，因此新厂房需要添置一台无菌检验隔离器。
二、无菌测试隔离器概述性介绍无菌测试隔离器为封闭系统，能够利用可再生并且有效的方式去除污染，密封的或是通过高效空气过滤器（HEPA）实现空气交换，以此防止周围环境中微生物的进入及人员带有的污染物进入受控。
系统允许物料通过设计和验证过的通路进入及（或）排出，并排除污染物的进入。
主要用于无菌处理或无菌测试。
2.1无菌测试隔离器主要用途用于XXXXXXXX等产品及原辅料的无菌检测。
2.2现有的系统描述无现有系统。
2.3欲购置的系统工艺描述：该系统应至少包括以下几个部分：无菌隔离操作区域（操作舱）、物料传递区域（传递窗）、灭菌系统、控制系统、配套的无菌检测设备。
2.4法规要求该系统应符合以下法规要求：2. 4.1设备所提供的检测环境应能符合《中国药典》2010年版附录XII“无菌检查法的相关要求。
2. 4.2设备的设计、制造、确认及所进行的验证，应能符合中国GMP（2010版）的规定及《药品GMP指南一质量控制实验室及物料系统》关于无菌隔离器的要求，并能通过中国GMP认证。
三、设备的功能性需求3.1隔离系统总体要求3. 3备品备件要求3. 3.1供应商须提供满足两年维护维修需要的备件(列出备件清单与价格)，并带有订购信息及技术规格3. 3.2针对设备，各提供一套设备维修专用工具3.4设备测试3.4.1供方内部测试3.4.1.1供应商在执行FAT之前，应根据业主的URS完成内部测试，并出具内部测试报告3.4.1. 2供应商应提供测试偏差分析报告，并提交相应纠偏措施。