知识点复习资料(3)

知识点1 –成膜

（第一份）

1.Sputter设备生产FFS产品时，Glass表面温度约为多少摄氏度（230 ）

2.B3 CF Sheet ID：CBM3X9803EFHG-123400，各位号码意思（）

3.在B3 CF分厂，下列选项中全部都有6轴（Robot RWL,ICL,ANL,ITO4个）

4.各Line与设备之间的通讯协议是以下哪一项（）

5. CSA、CSB、CSC及CSD中Crane数量分别为（1,2,1.1 ）

6.下列靶材与Sputter背板直接接触的物质是（氧化铟锡）

7.B3 CF ITO Line共有多少个六轴Robot（4）

8.正确的防尘服穿着顺序是（）

9. C/F制作过程中,32寸产品与18.5寸产品主要不同点（TN与FFS模式不同点）

10.属于PM时正确做法的是（）

12．Unpack装Glass的是Crate，一般每个Crate装0.7t的Glass的片数是（300 ）13. Sputter设备的腔体有Heater的腔体是（M3.1、M4.1、M5.1、M6.1、M7.1、

M7.2、M6.2、M5.2）

15.B3 CF Sputter设备每个Carrier上Clamp的数量为（18）

16.B3 CF Sputter使用的Carrier上部从玻璃边缘到第一个Clamp的距离为

（26mm ）

17. TFT-LCD显示器的显示性能指标包括（分辨率，色度，响应速度对比度等）

18. Carrier到达Sputter Process Chamber时Carrier与Carrier之间的间隔为（重

叠）

19. 量产时，Sputter Process Chamber内通入的气体为（氩气和氧气）

20. 在生产的过程中，设备重启PLC后，哪个部分不需回到原（HOME）点

（Magazine ）

21. B3 CF Sputter设备Robot Vaccum数值多少以上为正常（-90 ）

22.关于FFS MODE正确工艺流程的是（）

23. TN Mode时Line Flow中正确流程（）

24. 3正5S中属于3正的是（正品、正位、正量）

25.洁净间内产生最大的污染源因素是（人）

26.RWL的全称是（Rework Line ）

27.等离子体是整体上呈现（辉光放电）

28. Sputter设备中阳极的电压是（Carrier上，电势为零）

29. Sputter设备中作为阳极的是（Carrier接地）

30. TN模式中ITO薄膜的主要作用是（共同电极）

31.FFS模式中ITO薄膜的主要作用是（电场屏蔽）

32.属于ITO工艺参数的是（温度、氧气和氩气气体流量及比例、腔体压力、Power

功率）

33. ITO生产模式是（Product Mode ）

34. ITO的Bake模式是（Standby mode）

35. ITO的Offline首件模式是（Starting Dummy Mode ）

36. SCS区的Buffer存放的是（Inner Dummy ）

37. SCS区的Buffer一般存放玻璃（44枚）

38. Online情况下需要ITO特性值确认时，Sample玻璃投入口为（port口）

39.Offline情况下需要首件确认时，Sample玻璃投入口为（SCS的LD口）

40. ITO 首件Sample特性值确认项不包括（透过率阻抗膜厚）

41. TN模式ITO膜厚Spec为（115-145nm 最大：145NM，最小：115NM，平

均：117~130NM）

42. TN模式ITO阻抗spec为（<35 最大：＜50，最小：无，平均：＜40）

43. FFS模式ITO阻抗spec为（<150 最大：＜140，最小：无，平均：＜120）

44. 19. TN模式ITO透过率spec为（Peak Wavelength>93% 最大：无，最小：

＞90%，平均：＞92%）

45. TN 模式玻璃镀膜表面温度（120 ）

46. TN模式ITO膜要经过Anneal的PBK工序是为了（使ITO结晶更完全）

47. TN型产品经过Anneal的后的ITO薄膜阻抗值（<35 ）

48. TN型产品经过Anneal的后的ITO薄膜透过率（>93% ）

49. Sputter 正常生产使用Carrier 的数量为（11）

50. Sputter中起辉气体是（Ar ）

51. Sputter设备共使用靶材的数量为（7 ）

52. Sputter使用的陶瓷靶，其成分In2O3与SnO2的比例为（9:1）

53. ITO特性值管控项目管控不包括（管控透过率，阻抗，膜厚）

54. 影响ITO膜厚的因素有（Power）

56. 提高成膜温度对ITO薄膜的影响（结晶更完全）

57. 设定Carrier定期更换的主要作用是（防止OutGas引起的阻抗超标）

58. carrier更换后要进行必要那些检查（peak、Clamp，弹簧）

59. ITO工序外观检查设备是（Visual）

60. ITO色差外观异常产生原因是（成膜不均匀）

61. Carrier停滞发生后玻璃基板应如何处理（Though Mode单独存放与CST

RWK）

62. ITO particle多发时段在（在中期PM和末期PM前）

63. ITO树状Mura产生的原因（放电异常）