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Al_Cu合金GP区的价电子结构

Al_Cu合金GP区的价电子结构

文章编号:1009-3818(2003)02-0019-03Al-Cu合金GP区的价电子结构*高英俊刘慧(广西大学物理系广西南宁530004)摘要:应用固体电子理论(EET),对Al-Cu合金G.P区的价电子结构进行计算,在价电子结构层次上,对Al-Cu合金的时效硬化过程进行了分析.关键词:Al-Cu合金;G.P区;价电子结构中图分类号:TG111.1文献标识码:AAl-Cu合金由于具有良好的室温和高温性能而得到广泛应用,特别是含4~5%wt.Cu的高强度铸造Al-Cu合金,其力学性能优异,完全可以替代钢铁材料,近年来得到了较快的发展[1~3].对Al中添加少量的Cu,形成Al-Cu固溶体可以增加合金的强度[4].在较低的温度下对Al-Cu合金进行人工时效,可以从过饱和固溶体A相中依次地析出G.P(I)区、亚稳相H d、H c和稳定相(Al2Cu),其中亚稳相H d、H c和H的界面与A存在一定的共格或半共格关系,而稳定相H则是与基体完全不共格[5].这些析出的G.P(I)区、H d、H c和H相在不同的时效状态下,对合金的强化作用贡献不同,有的起强化作用,有的起弱化作用.析出相对基体的强化和弱化作用,都与析出相的价电子结构有着密切的关系.基于价键理论[6]建立的固体电子理论(EE T)[7],提供了一个处理复杂体系价电子结构的简捷实用的经验方法)))键距差(B LD)法,该方法已在合金改性及设计上得到了广泛应用并取得了成功[8].本文应用EE T方法对Al-Cu合金中时效形成的G.P区的电子成键特征进行计算,尝试从价电子结构层次解释时效过程中析出的G.P区对合金强化的原因.收稿日期:2003-03-20第一作者:高英俊(1962-)男教授,材料学博士研究方向为金属物理*基金项目:国家自然科学基金项目[50061001];广西科学基金匹配项目[桂科配0135006];广西科学基金项目[0007020];广西/十百千人才工程0项目[2001207]1模型1.1A-Al的晶体结构图1AL-cu合金G、P区模型Fig.1G、P Zone of Al-Cu alloy图2G、P区的单位晶脆Fig.2Unit cell of G、P zone对纯金属Al和Cu,它们的晶体结构均为面心立方结构,Al和C u的晶格常数分别为a Al= 0.40496nm和a Cu=0.36147nm.在Al-C u固溶相中,文献[4]指出,铝的晶格常数随含铜量的增加成直线下降,在平衡溶解极限5.7%Cu时为0.403 8nm.以含4wt.%Cu的Al-Cu合金为例,此时合金的晶格常数为0.40416nm.时效前的淬火态,可以认为溶质Cu原子是杂乱分散在溶剂Al中,形成无序A固溶体.由于固溶体A相与纯Al、Cu金属同属于面心立方结构,而且原子的点阵排列,也只是由Al或Cu原子之间相互替换混合而成,故可采用/平均原子0模型[7]描述原子的状态.1.2G.P区结构模型Al-Cu合金淬火后,在时效进行的初期,会在固溶体中形成与基体共格的G.P区.Al-Cu合金中G.P区的原子排列模型已由文献[9]给出,如图1所第15卷第2期常德师范学院学报(自然科学版)Vol.15No.2 2003年6月Journal of Changde Teachers University(Natural Science Edition)Jun.2003示.图中所表示的原子排列为(100)面,而(001)和(010)面则垂直于图面.当一层Cu原子集中在(001)面上时,由于Cu原子的半径较Al原子要小,将引起Cu附近的晶格发生畸变,影响范围在1~2层原子范围.按文献[9]给出的Cu原子半径为0.118nm,Al 原子的半径为0.124nm,因此,近似认为Cu原子引起的邻近两层Al原子向Cu原子收缩畸变约为5%.因此,依据图1的G.P区结构模型,可设想这个G.P区的单位晶胞结构如图2所示.这个晶胞结构与基体Al的晶胞结构(fcc)是完全共格的,只是(001)面上的Al原子被Cu原子所替代.由于在[001]方向,G.P区引起晶格畸变,C u原子层最近邻的两层Al原子层间距收缩大约为5%,次近邻各原子层间距亦将有不同程度的收缩,距铜原子层愈远,收缩也愈少.为简化起见,在一级近似情况下,只考虑最近邻的两层Al原子间距变化,忽略第二层以上的Al 层的弹性畸变.这样,G.P区的晶胞可以近似看成为L10型晶胞结构,晶胞的晶胞常数由实验给出为a= 0.404nm,c=0.380nm.2计算方法与结果按照EET[7]理论,原子的共价电子是分布在连接最近邻、次近邻以及A近邻原子的键上.各键上共价电子对数(即键级n s)由下列键距公式表示:D(n A)=R A+R B-B lgn A(1)这里R是单键半径,参数B按文献[6]中的取值选取,晶胞内的共价电子数可以写成下述关系式:k1n A c+k2n B c=6A I A n A(2)式中k1、k2分别为晶胞中A、B原子的个数,n A c、n B c 分别为A、B原子的共价电子数.I s为n s键级的等同键数,各等同键数的确定可依照文献[7]的作法.由于各晶胞的晶体结构已确定,晶格常数已有实验结果,因此,运用键距差(BLD)方法[7]建立n A 方程,参见文献[7,10]的求解步骤,求解(1)、(2)方程组,逐个计算各晶胞中原子的电子结构,计算结果分别列在表1和表2.表1给出了面心立方的无序A固溶体晶胞的价电子结构,它是根据/平均原子0模型[7]计算求得.按照图2简化的G.P区模型,计算得到的G.P区价电子结构结果列在表2.表1A-Al(无序Al-Cu)晶胞的价电子结构Tab.1The electronic structure of A-Al unit cella:0.40416nm B=0.710Al CuR Al:4n c:2.5296R(I):0.119n m R Cu:9n c:4.5504R(1):0.11481nm键名I A D n A(nm)D n A(nm)n A$D(nm) D n A S120.285770.285760.21160.00001 D n B S60.404160.404140.00460.00001表2G.P区单位晶胞(Al-Cu晶胞)的价电子结构T ab.2The electronic structure of G.P zone cella0:0.404n m B=0.710a Cu:0.380n mAl CuR Al:3n c:1.1734R(I):0.119n m R Cu:8n c:4.4006R(1):0.11492nm键名I A D n A(nm)D n A(nm)n A$D(n m) D n A Al-Cu320.277320.276760.24920.00056 D nB Al-Al80.285670.285120.21700.00056 D n C Cu-Cu80.285670.285120.16650.00056 D nD Al-Al20.380000.379440.01020.00056 D nE Al-Al100.404000.403440.00470.00056 D n F Cu-Cu80.404000.403440.00360.00056 20常德师范学院学报(自然科学版)2003年3讨论经淬火后的Al-Cu过饱和固溶体,由于基体残存空位等缺陷,在时效的初期铜原子容易通过这些空位缺陷扩散,在基体的(001)面上偏聚出Cu原子,逐渐形成G.P区.从表1和表2分别列出的对无序A固溶体Al-Cu晶胞和G.P区晶胞的价电子结构计算结果,可以解释G.P区形成对基体强化作用的结果:由表1可见基体A固溶体的最强键Al-Al键的共价电子对数为n A=0.2116,而在G.P区的单位晶胞中,表2给出的最强键为Al-Cu键,共价电子对数为n A=0.2492,次强的Al-Al键共价电子对数为n A=0.2170,均比基体A固溶体的最强键要强得多.因此,这些较强的Al-Cu键有规则的排列,易形成Cu原子偏聚的Al-Cu原子区域)))G.P区.由于G.P区与基体完全共格,当大量的G.P区脱溶沉淀出时,将起到提高合金整体键强的作用,因而使得合金的强度得到明显提高.参考文献1Shan Liu,R.E.Napoli tano,R.Trivedi.Measurement Of Anisotropy Of Crystal-Melt Interfacial Energy For A B-inary Al-Cu Alloy[J].Acta mater.2001,4:4271-4276.2J.M.Silcock,ments on the nucleati on and growth of in AlCu alloys.[J].Scripta M ater.,2002,46:389-394.3S.P.Ringer,K.Hono.Microstructural Evolution and Age Hardening in Aluminiu m Alloys[J].Mater.Characteriza-tion,2000,44:101-131.4L.F.蒙多尔福编著.铝合金的组织与性能[M].北京:冶金工业出版社,1984,221-240.5P.哈森.物理金属学[M].北京:科学出版社,1984, 183.6L.鲍林著.化学键本质[M].上海:上海科学技术出版社,1966,393.7张瑞林.固体与分子经验电子理论[M].吉林:吉林科学技术出版社,1993,1-3008刘志林.合金价电子结构与成分设计[M].吉林:吉林科学技术出版社,1990,290.9K.Hono,T.Satoh,and K.Hi rano,Evidence of multi-layer GP zones in Al-Cu alloy[J].Philos.Mag.A,1986,53:493-504.10高英俊,钟夏平,刘慧.微量Sc对Al-Mg合金晶粒细化影响的电子结构分析[J].中国有色金属学报,2002(S.2):132-134.CALCULATION ON VALENC EELECTRON STRUC TURES OFAl-Cu ALLOY IN EA RLYAGING COND ITIONGAO Ying-jun LIU Hu i(Department of Physics,Guangxi Universi ty,Nanning,Guangxi530004,P.R.China)Abstract According to the/E mpirical Electronic Theory in Solid and Molecules0(EE T),the valence electron s tructures of the GP zones of Al-Cu alloy in aging condition were calculated and the process of strength in aging was investigated.Key words Al-Cu alloy;G.P zone;valence electron struc-ture(责任编校:熊振国)21第2期高英俊刘慧Al-Cu合金GP区的价电子结构。

金属间化合物

金属间化合物

Fe3Al型(D03型)
2.2.1几何密排相特点

以体心立方结构为基的 长程有序结构 Cu2MnAl型(L21型) 化学式为A2BC。Al 原子占据B位置,Mn原 子占据C位置,Cu原子 占据A位置。典型例子有 Cu2MnAl,Cu2MnSn, Ni2TiAl等。
B A
C
Cu2MnAl型(L21型)
W f ( P, T , , )
其中:W为相结构参数,P为压强,T为温度,ω为原子百分比,α表示原子之间 相互作用能,与原子的结构有关,受原子尺寸、负电性和电子浓度等因素的影 响。
2.3.1几何密排相的稳定性
几何密排相是由密排面堆垛而成的,根据密排 面上原子排列方式和堆垛方式的不同,又分为多种 结构形式。下面以CuAu,CuPd,CuPt和CuRh为 例进行说明。 原子百分比均为50%; CuAu的晶体结构为L10型,CuPt的晶体结构为L11 型,CuPt的晶体结构为B2型,CuRh化合物不存在 (室温下它自动分解为Cu和Rh)。
金属间化合物
晶体结构、结构稳定性 及电子理论
ห้องสมุดไป่ตู้定义
金属间化合物是指由两个或更多的金属组元或 类金属组元按比例组成的具有金属基本特性和不同 于其组元的长程有序晶体结构的化合物。
TiAl(L10)
2晶体结构分类

以面心立方结构为 基的长程有序结构 以体心立方结构为 基的长程有序结构
Cu3Au型(L12型) CuPt型(L11型) CuAuⅠ型(L10型)等 CuZn型(B2型) Fe3Al型(D03型)
3.1金属间化合物的结合键形式 前两类金属间化合物在化学式规定成 分两侧通常具有一定的成分范围,后一类 金属间化合物在化学式规定成分两侧没有 成分范围。主要研究方向是第二类金属间 化合物。

经典电子理论

经典电子理论

电流密度为



nev


ne(eE
/
vme )

(ne2
/ vme )E
E
其中,电导率为 ne2 / vme
从金属的电子理论导出了欧姆定律的微分形式,
而且得到了电导率的表达式。
从电导率表达式知:电导率与自由电子的密度
成正比,与电子的平均自由程成正比;还定性地说
明了温度升高,电导率下降的原因。
只有在量子理论基础上建立起来的金属导电 理论,才能得到与实验相符的结果。
自由电子在运动过程中频繁地与晶格碰撞, 碰后电子向各个方向运动的几率相等。因此可认 为每个电子在相邻两次碰撞间做初速为零匀加速 直线运动。
大量自由电子的统计平均,就是以平均定向
漂移速度 逆v 着电场线漂移。
从金属的电子理论导出欧姆定律的微分形式
从金属的电子理论导出欧姆定律的微分形式
设导体a内的F恒/ m定e场强为eEE/
金属的经典电子理论的缺陷
金属的经典电子理论的缺陷 电子的热运动速度与温度的平方根成正比, 而从该理论得到的电导率与平均热运动速度成反 比,所以电导率似乎应与温度的平方根成反比, 但是实验结果是与温度成反比。
金属的经典电子理论的主要缺陷是把适用于 宏观物体的牛顿定律应用到微观的电子运动中, 并且承认能量的连续性。
只有在量子理论基础上建立起来的金属导电 理论,才能得到与实验相符的结果。
金属的经典电子理论的缺陷
金属的经典电子理论的缺陷 电子的热运动速度与温度的平方根成正比, 而从该理论得到的电导率与平均热运动速度成反 比,所以电导率似乎应与温度的平方根成反比, 但是实验结果是与温度成反比。
金属的经典电子理论的主要缺陷是把适用于 宏观物体的牛顿定律应用到微观的电子运动中, 并且承认能量的连续性。

利用经验电子理论(EET)分析Al对Fe-Cr高温合金冲击韧性的影响

利用经验电子理论(EET)分析Al对Fe-Cr高温合金冲击韧性的影响
O 1 Y i ac ltd b sn h r d ra c ot r h r a ac n o i e i r y d f a t n a ay i h .2 s c u a e y u i g t e mo - mis s f l  ̄ n wa e T e m l c .a d c mbn d w t X— i rc i n l ss t e l h a f o p a e c mp st n o e n w aly i d f e .On t i a i ,t e v l n e ee to t cu e,C Y l n o d e eg n a . h s o o i o ft e l S e n d i h o i h sb ss h ae c lc rn sr tr u O ae t n n r y a d lt b i e e e to s o o e i n lhg h o u c s r n a l m n rc l cr n fc nv nto a ih c r mi m a tio nd au ium— a n — lo s ae a ay e by u i o i n be t g Fe Cra ly r n lz d sng s ld a d i
0 1Y) . 2 的相 图 , 结合 x射 线衍 射 分析 , 定 了该 合 金 的相 组 成。在 此 基 础上 , 确 运用 固体 与 分子 经 验 电 子理 论 ( E ) 分析 了普通 高铬铸铁 和含铝 F — r ET , eC 合金的价 电子结构 、 共价键 键能 以及 晶格 电子数 , 电子层 面揭示 含铝 从 F —r ec 合金冲击韧性下降 的微观机理 。结 果表 明 , 添加 5 5 %A 后 ,eC 合金 中 出现 了含铝 结构单 元 , .0 1 F .r 这些单 元 中最强键共价 电子对数从04 64 降低 为0 4 0 l次强键共价 电子 对数 也从0 198 降低到0 18 8 同时 晶格 电 .8 0 .5 , 3 . 9 3 . 1 , 8 子数有所减少 , 从而导致其 冲击韧性下 降。含 5 5 %A 的 F —r .0 1 ec 高温合金冲击韧性的 E T预测结果与实测结果吻 E

环氧二十碳三烯酸心血管保护作用研究进展

环氧二十碳三烯酸心血管保护作用研究进展

环氧二十碳三烯酸心血管保护作用研究进展作者:海春霞夏妍来源:《价值工程》2011年第32期Research Progress of Protective Effects of Epoxyeicosatrienoic Acid on Cardiovascular DiseaseHai Chunxia; Xia Yan(长沙医学院,长沙 410219)(Changsha Medical University,Changsha 410219,China)摘要:心血管疾病是危害人类健康的严重疾病,也是造成人类死亡的主要原因之一。

大量研究表明心脏前后负荷增大、冠状动脉血液灌流不足、心肌组织氧气和能量供应障碍是导致心血管疾病发生的主要机制。

环氧二十碳三烯酸(EET)是一种内源性心血管活性物质,它可作用于心血管疾病的多种发病机制,如抗心肌缺血、抗炎症反应、改善内皮功能、抗血小板黏附与聚集等作用,在治疗各种心血管疾病中发挥了重要作用。

本文就EET对心血管的保护作用及其机制做一综述,为研究开发新的治疗心血管疾病的药物提供理论依据。

Abstract: Cardiovascular disease is not only a serious disease that risks to human health, but also one of the main causes of death. Numerous studies show that the main mechanism that lead to cardiovascular disease is the load of heart before and after increases, coronary artery blood perfusion is not enough, cardiac muscle tissues oxygen and energy supply barriers. Epoxyeicosatrienoic acid (EET) is an endogenous cardiovascular active substances, it can act on the various pathogenesis of cardiovascular diseases, such as myocardial ischemia, inflammatory response, improving endothelial function, anti-platelet adhesion and aggregation and so on, and it plays an important role in the treatment of various cardiovascular diseases. In this paper, protective effects and mechanisms of EET on the cardiovascular was to do a review, so as to provide theoretical basis for developing new drugs of curing cardiovascular disease.关键词:环氧二十碳三烯酸心血管疾病保护作用Key words: epoxyeicosatrienoic acid;cardiovascular disease;protective effects 中图分类号:R2文献标识码:A文章编号:1006-4311(2011)32-0287-020引言高血压、动脉粥样硬化、心肌缺血等心血管疾病是严重威胁人类生命健康的危险因素,其主要发病机制包括:循环阻力增高,心脏前后负荷增大,心肌耗氧量增加,冠状动脉血液灌流不足,心肌组织氧气和能量供应障碍,导致心肌细胞大量凋亡、坏死,最终引起心泵功能受损甚至衰竭。

俄罗斯的言语生成模型理论

俄罗斯的言语生成模型理论

俄 罗 斯 的 言 语 生 成 模 型 理 论
贾旭 杰
( 龙江大学 俄语 系,黑 龙江 哈 尔滨 10 8 ) 黑 50 0
摘 要 :言 语 的 生 成 是 心 理 语 言 学 研 究 中 的 一 个 重 要 课 题 。 西 方 心 理 语 言 学 界 比较 流 行 的 言 语 生 成 模 型 有 串行 模 型 、
研 究 的主要 问题 之 一 ,始 终 备 受 关 注 。心 理 语 言学 这 是从 分 析人 们 的言 语 失 误 中得 到 的启 发 ,符 合 事
家们试 图解释并希望 以模 型来展现言语生成 时各个 先有 准 备 的话 语 ,但 该模 型 的 倡 导 者 将 言 语 生 成 各 层 面 的心 理表 征 。西 方 心 理 语 言 学 界 比较 流 行 并 得 个层 面 的运 动 绝 对 化 、孤 立 化 了 ,在 解 释 无 准 备 话
音表征映射到对 肌 肉所发 出的肌动命令 。后来 ,弗 句 法层 面 、形 态 层 面 和语 音 层 面 。但 他 们 认 为 ,在
罗姆 金本 人 和 卡 勒 特 ( art)将 这 一 模 型 理 论 进 言语 生 成 过 程 中 ,当 一 个 层 面 上 的节 点 被 激 活 时 , G ret
并行模 型和列维特 ( e e )模 型三种。俄 罗斯心理 语言学家们 从维果 茨基 (_ L vl t J.C.B rr x f I b cc H )开始 ,建 构 了一 系列 言语 rr i 生成 模型 ,从这 些模 型 可以看到俄 罗斯心理 语言 学发展 的基本 概貌。 关键词 :言语 生成 ;言语活动 ;模 型 中图分 类号 :H0 0 3 文献标识 码 :A 文章编号 :10 —2 X (0 2 30 3 .4 0 27 2 2 0 )0 —0 10

杰弗逊与麦迪逊——美国多数民主与多元民主理论的先驱

杰弗逊与麦迪逊——美国多数民主与多元民主理论的先驱
Ap . 2 1 r 01
21 0 1年 4月
文章 编 号 :6 17 4 ( 0 1 0 — 0 90 1 7 .0 1 2 1 ) 20 6 — 4
杰 弗 逊 与 麦 迪 逊
— —
美 国 多数 民主 与 多元 民主理 论 的先 驱
刘 鸿 鹤
( 连理 工大 学 人 文 社 会 科 学 学 院 , 宁 大 连 16 2 ) 大 辽 1 0 4
代 的多元 民主 理论 。 这 种理 论 认 为 在 现代 社 会 中 , 人们 由于经 济 、 宗教 、 种族 等 种种 利益 的 不 同而形 成 各种 不 同的群 体或集 团。当这 些有 组 织 的群 体或 集
团试 图花费 时 间和 金 钱来 影 响政 府 的政 策 时 , 们 他
Ab ta t Th h oy o h jrtra d lo e c rc sr c: e te r ft e maoiain mo e f d mo a y
民 主 与 多元 民主 理 论 的 先 驱 。 杰 弗 逊 的 民 主 理 论 建 立 在 性
善论 和 自然 权 利 学 说 基 础 上 , 张 通 过 普 选 制 的 机 制 和 教 主 育 、 闻 出版 自由 等 途 径 来 使 人 民 群 众 积 极 参 与 政 治 , 选 新 来 举、 监督 和 控 制 政 府 官 员 。 而 分 寸 、 制 与平 衡 感 则 是 麦 迪 节 逊思想的显著特色。他 主张 鼓励社会 上各 种利 益集 团之 间
J f e'o nd M a io e fl n a s ds n

民就 可 以制 约或者 控制 政府 。这 种理 论 相 信人 民具
frr n eso h oiso S.maoiain o eu n r fte r fU. e jrtra

EET税收优惠模式能否拯救我国企业年金?--兼论对企业年金发展滞后的反思

EET税收优惠模式能否拯救我国企业年金?--兼论对企业年金发展滞后的反思

75EET税收优惠模式能否拯救我国企业年金?——兼论对企业年金发展滞后的反思仲 超( 四川大学公共管理学院,四川 成都 610064 )【摘 要】企业年金是我国多层次养老保险体系的重要组成部分,但自其建立以来,发展较为滞后,而缺乏税收优惠政策则被普遍认为是制约我国企业年金发展的主要因素。

2014年起,我国企业年金开始实行国际上普遍采用的、具有较强激励作用的EET税收优惠模式。

然而,出乎意料的是,企业年金并未因此而迅速增长,反倒是增速有所降低。

EET模式为何没有达到预期效果?个中缘由必然深植于企业年金自身性质、所处的制度环境以及企业特点之中。

【关键词】企业年金;税收优惠;EET企业年金是企业及其职工在依法参加基本养老保险的基础上,自愿建立的补充养老保险制度,是我国多层次养老保险体系的重要组成部分,是基本养老保险制度的重要补充。

早在20世纪80年代,一些地方就开始了对建立企业年金的探索。

但长期以来,我国企业年金一直处于缓慢发展的状态。

一方面,企业年金规模很小,企业和职工参与率从未突破10%;另一方面,企业年金发展极不平衡,呈现出明显的地区、企业所有制和行业差异。

对于我国企业年金发展缓慢的问题,学界普遍认为缺乏税收优惠政策是最主要的因素。

对企业年金进行税收优惠是国际上的普遍做法。

企业年金征税涉及筹资、投资运营和领取年金三个环节。

从理论上看,企业年金存在7种税收优惠模式,即EET、TEE、EEE、ETT、ETE、TET、TTE(E代表免税,T代表征税)。

从激励企业建立企业年金以及平衡国家税收和职工企业年金收益的角度来看,与其他模式相比,EET是一种比较理想的模式。

大多数建立企业年金的国家也选择了EET税收优惠模式。

一、我国企业年金税收优惠模式的演变企业年金实施之初并未明确制定税收优惠政策,进入21世纪之后才逐步出台了一些税收优惠规定。

在2014年以前,学术界一般认为我国企业年金采取的是TEE模式的税收优惠政策。

多元系统理论视角下的晚清侦探小说翻译

多元系统理论视角下的晚清侦探小说翻译
2 ) 。当时 的翻译文 学在 中国文 9” 学多元 系统 中具有举 足轻重 的地 位 ,在 相 当长 的一段 时期 内发挥 着 比创 作小 说更 为 重要 的影 响 。
种条件下 会在 目的语 的文 学多元 系统 中占据 中心地 位 ,下 面我们
将 针 对 这 三 种 条 件 分 别 探 讨 分
学教
和社 会变革 的手段 ,梁启 超等竭
力 倡导 “ 文学 救 国 ” 提倡 译 介西 , 方小说 , 以作 为开启 民智 的工具 。 晚清侦 探小说 大量译入 以致形成
侦 探 热 , 约 是 在 10 年 之 后 , 大 97 到
良群 治 , 自小说 界革命始 ; 新 必 欲
民 , 自新 小说始 ” 饮 冰 ,9 9 。 必 ( 18 ) 把小 说 视为 “ 良群 治 ” 救 国救 改 ,
梦见”周桂笙 ,943 。作为中国 ( 10 :)
翻译小说 的一种类型 , 侦探小说在
近 代 译 介 较 早 ,86 至 19 年 19 年 87
世 纪7 年 代初 提 出 的一 种理 论 。 0 该 理论 以俄 国形式 主义文 艺理论 为基础 , 汲取 了结构 主义 、 一般 系 统 理 论 与 文 化 符 号 学 的 积 极 因 素 ,将 翻译 文学 视为文 学多元 系 统中的子系统。
析。
1 .第一个 条件—— 晚清时期 新小说处 于建立 中
清 朝 末 年 ,大 多 数 具 有 改 良
投身这 股翻译 侦探小说 热潮 的译
者有程 小青 、 孙了红 、 周桂 笙 、 悉若
翻译侦 探小说作 为 当时翻译小 说
的主流 之一 ,在 当时 的中国 文坛
意识 的文人将 文学作 为政治 改 良

应用余氏经验电子理论计算马氏体开始转变温度M_S

应用余氏经验电子理论计算马氏体开始转变温度M_S

第4期
张山纲 :应用余氏经验电子理论计算马氏体开始转变温度 MS
55
为奥氏体中的 C 的质量分数 。
4 计算 MS 公式的建立
4. 1 计算 MS 的数学模型 与传统的计算 MS 的模型相同 ,由于阻碍马氏体
相变驱动力是前述 C2Fe 、C2Fe2Me 和 C2Mex2Mey 晶胞 中强 共 价 键 的 ICa2Fe 、nCa - Fe 、IAC2Me 、nAC2Me 、WC 、WMe 的 函 数 ,所以作者认为计算 MS 可以用下式表示 :
∑ E0C =
a
Ba
Ia na D ( na)
Fa
+
Bl
nl D ( nl)
f′+
bu am3 d
-
bu CW
(1) 式中 : B a 表示 a 键键能同时受到 u 和υ两个不同原 子的屏蔽 、交换效应的因子 。Ia 表示 a 键的等同键 数 。na 表示 a 键两原子 u 、υ的共用电子对数 。 Fa 表示 u 、υ两个原子对 a 键贡献的共价电子的成键能 力 。D ( na) 表示 a 键的键距 。B l = ( m + n) bμm bvn , m 、n 为 分子式中包含的 u 和υ原子数 , bu 、bυ 为 u 、υ元素晶
D ( nl) 是等效键距 。f′表示晶格电子成键能力 。 a 是 一个参数 , a = 011542 。m3 d 是原子的磁电子数 。 C
为一个参数 , C = 01907 P , P 值随元素而变化 。W =
(哑对电子 + 磁电子) Π外壳电子总数 。(1) 式中第一
项是共价键对结合能的贡献 ;第二项是晶格电子对结
Mex2Mey
晶胞

【国家自然科学基金】_eet理论_基金支持热词逐年推荐_【万方软件创新助手】_20140801

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2011年 科研热词 推荐指数 键能 3 电子结构 3 价电子结构 3 eet 3 经验电子理论 2 储氢 2 高温发汗自润滑 1 颗粒增强型均质复 1 金属陶瓷 1 软磁材料 1 胞壁等效曲梁计算方法 1 胞体结构 1 统计值 1 结合能 1 纳米晶 1 粉末冶金 1 相界面 1 相对密度广义表达式 1 润滑控制 1 汗腺式微孔分布表征模型 1 有序孔结构几何表征模型 1 强化 1 弹性模量修正hirsch模型 1 孔隙率广义表达式 1 多孔复合材料 1 固溶强化 1 发汗机理 1 原子成键 1 厚壁单胞体接触力学模型 1 力学性能 1 仿生润滑 1 仿生学 1 tife2 1 tife 1 tfdc 1 ni-ti合金 1 mg2ni 1 lani5 1 fe-cu合金 1 eet理论 1 cu-zn合金 1 al-li-zr合金 1
推荐指数 6 4 3 3 3 2 2 2 2 2 2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
2014年 序号 1 2 3 4 5 6 7
2014年 科研热词 价电子结构 键能 第二相粒子 硬度 抗粉化 微合金钢 平衡氢压 推荐指数 2 1 1 1 1 1 1
2012年 序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
科研热词 价电子结构 相的稳定性 亚稳相 zr hf) al_3m(m=ti 结合能 稀土 熔点 晶体硅 太阳能电池 光谱响应
推荐指数 4 2 2 2 2 2 1 1 1 1 1 1
2013年 序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29
科研热词 价电子结构 eet 界面 原子成键 al-mg-si合金 界面电子密度差 析出相 择优取向 光电转换 eet理论 cigs 键能 金刚石 超高压高温 经验电子理论 稀土-铝合金 碳锰结构钢 硫化镉 石墨 相变过程 界面系数 性能分析 固态反应 β ′析出相 fe-mn晶胞 cuti2 crcun纳米复合膜 crcun 纳米复合膜 al-ce化合物

Fe_Cu合金析出强化行为的价电子结构理论研究

Fe_Cu合金析出强化行为的价电子结构理论研究

第47卷第18期2011年9月机械工程学报JOURNAL OF MECHANICAL ENGINEERINGVol.47 No.18Sep. 2011DOI:10.3901/JME.2011.18.033Fe-Cu合金析出强化行为的价电子结构理论研究*王海燕1, 2任慧平1高雪云3刘宗昌1王玉峰1(1. 内蒙古科技大学材料与冶金学院包头 014010;2. 北京科技大学材料科学与工程学院北京 100083;3. 中冶东方工程技术有限公司包头 014010)摘要:运用固体与分子经验电子理论,建立Fe-Cu二元合金固态时效过程中基体及析出相的价电子结构模型,从电子层次揭示Fe-Cu合金强化机理。

理论计算结果表明,合金中Cu原子与Fe原子通过化学键结合,其时效峰值处所形成的类B2结构亚稳相的最强和次强键的共价电子对数远高于合金基体α-Fe晶胞的最强和次强键,同时析出相各键的结合能也高于合金基体,这种较强的Fe-Cu键形成规则排列,使得Fe-Cu最强键上的共价电子对数增加,起到提高合金整体键强的作用。

同时,高键能的Fe-Cu偏聚形成的析出相会增加位错运动的阻力,使合金的强度得到明显提高。

利用EET理论预测Fe-Cu析出强化结果与实测结果吻合良好,验证了该方法的有效性和可靠性。

关键词:Fe-Cu合金强化价电子结构经验电子理论中图分类号:TG113Valence Electron Structure Analysis on Precipitation Strengthening ofFe-Cu AlloyWANG Haiyan1, 2 REN Huiping1 GAO Xueyun3 LIU Zongchang1 WANG Yufeng1(1. School of Materials and Metallurgy, Inner Mongolia University of Science and Technology, Baotou 014010;2. School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083;3. Beris Engineering and Research Corporation, Baotou 014010)Abstract:Valence electron structure model of matrix and precipitates of Fe-Cu binary alloys are established by using empirical electron theory (EET) of solids and molecules, to reveals the Fe-Cu alloy strengthening mechanism from the electronic level. Theoretical results show that the Cu and Fe atoms form by chemical bonds in alloy, the covalent electron pairs of the strongest and the second strong bond of the metastable B2-like structure phase, which formed in the aging peak, is far stronger than that of α-Fe matrix cell, and the bond binding energy of precipitates is higher than the matrix as well. The strong Fe-Cu bonds arranged regularly, increases the covalent electron pairs of Fe-Cu strongest bond, and stabilize total bond of the alloy. At the same time, high bond energy Fe-Cu precipitates increases the resistance of dislocation motion, and strengthen the alloy. There is a good agreement between the EET theory analysis and experimental results for Fe-Cu precipitation hardening, so the reliability of the method is validated.Key words:Fe-Cu alloy Strengthening Valence electron structure Empirical electron theory0 前言含铜高纯净钢的强化作用由铜的时效析出引起,因此,认识铜在钢中的析出规律是分析含铜钢时效强化的重要依据。

elevator simulation电梯仿真软件的应用

elevator simulation电梯仿真软件的应用

机电工程技术MECHANICAL&ELECTRICAL ENGINEERING TECHNOLOGY第48卷第12期Vol.48No.12 DOI:10.3969/j.issn.1009-9492.2019.12.070曹嘉佳.Elevator Simulation电梯仿真软件的应用[j]•机电工程技术,2019,48(12):211-212.Elevator Simulation电梯仿真软件的应用*曹嘉佳(苏州工业园区职业技术学院,江苏苏州215123)摘要:目前高职院校机电专业已经把电梯作为一个典型的工业案例引入到学生的PLC课堂中,但多数院校主要是通过单部电梯的实验箱模型来完成实践操作,这种电梯的实验箱具有一定的局限性,只是单部的运动,而现实生活中更多是多部电梯接收复杂的信号,同时运动载客。

为了让实验案例更加接近实际生活应用,引入了Elevator Simulation电梯仿真软件,通过以太网通信连接编程计算机与电梯仿真模型机,在计算机上引入博途V14软件进行编程控制,通过Elevator Simulation电梯仿真软件对电梯进行仿真调试,不仅提高了学生的操作能力,更提升了学生的工程创造能力。

关键词:PLC课堂;Elevator Simulation电梯仿真软件;高职院校中图分类号:TP319文献标志码:A文章编号:1009-9492(2019)12-0211-02Application of Elevator Simulation Software of Elevator SimulationCAO Jiajia(Suzhou Industrial Park Institute of Vocational Technology,Suzhou,Jiangsu215123,China)Abstract:The electrical and mechanical major of higher vocational colleges has introduced the elevator as a typical industrial case into students z PLC classes at present,but most colleges mainly complete the practical operation through the experimental box model of a single elevator,which has certain limitations,only a single movement.In real life,many elevators receive complex signals and move at the same time to receive passengers.In order to make the experimental case more close to the practical application,the elevator simulation software was introduced,the programming computer was connected with the elevator simulation model machine through Ethernet communication,and the Botu V14software was introduced into the computer for programming control.The elevator simulation and debugging are carried out through the elevator simulation software,which not only improves the operation ability,but also improves the engineering creation ability of the students.Key words:PLC class;Elevator Simulation software;higher vocational colleges0引言随着社会人口的日益增加,高层建筑日益增加,电梯已经成为高层建筑必不可少的运输工具,所以对电梯的研究具有深远的意义叫目前在高职院校的机电类专业中,电梯已经成为一个典型的案例引入到PLC的教学课堂中叫为了让学生更加深刻的理解理论知识,并且进行一定是实践操作,学校投入了大量经费采购了仿真的电梯模型供学生上课使用。

也谈庞德的“误读”

也谈庞德的“误读”

译者的意识来看, 可分为有意识误读和无意识误读, 本文将 主要探讨《 华夏集》 中的有意误读。 接受美学( eet n etec) R c i s t s即接受理论( eet n po A h i Rc i po T er) 2 世纪六七十年代在德国出现的一种文艺美学 hoy是 O
我们翻开薄薄的《 华夏集》就会发现其误读误译可谓是信手 , 拈来 , 如李白的《 长干行》 变成了《 河商之妻的一封信》诗中 ,
革命”并预计:三百年后,华夏集》 , “ 《 会被公正地称为二十世
纪诗歌的杰出典范。[ ” 2 尽管《 华夏集》 享誉英美, 但从未
踏上华夏大地 的庞德 也因诗集 中过 多的误译 而遭鞭挞 , 如方
志彤 ( hlsF n ) Acie ag 在论 文“ e ols n o n ” , 一 l F n l aa dP u d 中 逐 o

位的诗歌译作《 华夏集》 也一直备受庞学研究者关注。该诗
集是庞德译自美 国东方学家费诺罗萨的中国古诗手稿, 自

“ 误读” 的界定与接受美学理论
11 年问世就获得褒贬不一的评论 : 95 英国评论家福特(od Fr
Mao od评价道:《 dxFr) “华夏集》 译诗精美绝伦, 它们就是诗 的严格典范。如果意象和技法的新鲜气息能帮助我们的诗, 那么, 就是这些诗带来了我们需要的新鲜气息。[( 艾略 ”1 _ ” 特( . .Ei ) T S lt o 称庞德的译作“ 在创作和欣赏上引起了一场
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也 谈 庞 德 的 “ 读" 误
许 敏
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《2024年促进微生物胞外电子转移的纳米材料研究进展》范文

《2024年促进微生物胞外电子转移的纳米材料研究进展》范文

《促进微生物胞外电子转移的纳米材料研究进展》篇一一、引言微生物胞外电子转移(Extracellular Electron Transfer,EET)是微生物与电子受体之间进行电子交换的重要过程,对于生物电化学系统、生物燃料电池、环境修复等领域具有重要应用价值。

近年来,纳米材料因其独特的物理化学性质,在促进微生物胞外电子转移方面展现出巨大的潜力。

本文将就促进微生物胞外电子转移的纳米材料研究进展进行详细介绍。

二、纳米材料在促进微生物胞外电子转移中的应用1. 碳基纳米材料碳基纳米材料如碳纳米管、石墨烯等因其良好的导电性、大的比表面积和生物相容性,被广泛应用于促进微生物胞外电子转移的研究中。

这些材料可以作为电子穿梭体,将电子从微生物传递到电子受体,从而提高EET的效率。

2. 金属及金属氧化物纳米材料金属及金属氧化物纳米材料如金、银、氧化铁等也具有促进微生物胞外电子转移的作用。

这些材料可以通过吸附、催化等作用,降低电子传递的能量壁垒,从而提高EET的速率。

3. 复合纳米材料复合纳米材料结合了不同材料的优点,具有更高的EET促进效果。

例如,碳基纳米材料与金属及金属氧化物纳米材料的复合材料,既具有良好的导电性,又具有催化活性,可以更有效地促进微生物胞外电子转移。

三、研究进展近年来,关于促进微生物胞外电子转移的纳米材料研究取得了显著进展。

研究者们通过实验和理论计算,深入探讨了纳米材料的结构、性质与EET效率之间的关系,为进一步优化纳米材料提供了理论依据。

此外,研究者们还尝试将纳米材料应用于实际环境中,如生物电化学系统、生物燃料电池、环境修复等领域,取得了良好的效果。

四、未来展望尽管目前关于促进微生物胞外电子转移的纳米材料研究已经取得了一定的成果,但仍存在许多挑战和机遇。

未来研究可以在以下几个方面展开:1. 开发新型纳米材料:继续探索具有更高EET促进效果的纳米材料,如新型碳基纳米材料、金属及金属氧化物纳米材料以及复合纳米材料等。

附加元件定理及其应用

附加元件定理及其应用

TIANSheping1,WANG Runxin2,ZHANG Feng1
(1.SchoolofElectronic,InformationandElectricalEngineering,ShanghaiJiaoTongUniv.,Shanghai200240,China; 2.LogisticsEngineeringCollege,ShanghaiMaritimeUniv.,Shanghai201306,China)
(1) 式中,H|Z→∞表示当阻抗 Z开路时的网络函数, 亦即图 1(a)中未接入附加元件时的网络函数;Zd 为图 1(b)电路令 X=0时从 Z两端看出去的等效阻 抗;Zn为图 1(b)电路当 Y=0时从 Z两端看出去的 等效阻抗。
图 1 附加元件定理
证明:由替代定理,对图 1(b)用电流源 I替代 阻抗 Z。由叠加定理,则响应 Y和阻抗 Z两端的电 压 U可表示为
基础,该学者及所在团队后续还相继提出了附加两 元件 定 理 [3]2EET(TwoExtraElementTheorem)、附 加 N元件定理[4]NEET(N ExtraElementTheorem) 等。近十余年来,随着其在研究中作用的显现,国外 对这些定理的重要性开始愈发重视,已有影响很广 的经典文献在附录中花大篇幅详细介绍相关内容, 也已有 欧 美 大 学 在 电 路 课 程 中 开 始 讲 授 这 些 定 理 。 [5,6]
0 引言
电路定理是对电路规律的理论总结。在电路分 析中充分利用电路定理可简化计算,达到事半功倍 的效果。电气及电子领域的研究和应用日新月异, 高校电路教材或电路课程,除讲授好最基础、已成熟 的内容外,还有必要把国际、国内研究中普遍适用的 较新成果适时引入到教材和课堂,在教学内容上做 到与时俱进。

基于价电子理论的Ag-Sn金属间化合物形成机理

基于价电子理论的Ag-Sn金属间化合物形成机理

第47卷第6期2021年6月北京工业大学学报JOURNAL OF BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGYVol.47No.6Jun.2021基于价电子理论的Ag⁃Sn 金属间化合物形成机理马立民1,2,齐楚晗1,王乙舒1,2(1.北京工业大学材料科学与工程学院,北京 100124;2.北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室,北京 100124)摘 要:SnAgCu 焊点中的金属间化合物(intermetallic compounds,IMCs)Ag 3Sn 脆性大且电阻高,对焊点可靠性具有重要影响,有必要明确其形成过程和相变机制以控制其生长.采用固体与分子经验电子理论(empirical electron theory,EET)研究Ag⁃Sn 系统中的主要扩散元素及原子运动路径,应用自洽键距差(self⁃consistent bond length difference,SCBLD)法计算了Ag⁃Sn 系统内参与反应相的价电子结构及可能形成的固溶体的结合能,根据结合能变化趋势从价电子层面描述出Ag 3Sn 在焊点内部的形成过程.研究结果表明:Ag⁃Sn 系统中的主要扩散元素为Sn,Sn原子进入Ag 晶胞形成固溶体,固溶体内原子重新排布,形成结合能更高㊁排布更均匀的共价键,造成晶格膨胀,位于(110)晶面和面心位置的Ag 原子随之向外扩张,形成了同样具有良好对称性的Ag 3Sn,与前人研究Ag⁃Sn 系统扩散的实验结果相符.关键词:经验电子理论(EET);相变;扩散;金属间化合物(IMCs);自洽键距差(SCBLD)法;结合能中图分类号:TG 401文献标志码:A文章编号:0254-0037(2021)06-0655-08doi :10.11936/bjutxb2019100006收稿日期:2019⁃10⁃15基金项目:北京市自然科学基金资助项目(2172006);北京市青年拔尖人才支持计划资助项目(CIT&TCD201804007)作者简介:马立民(1983 ),男,副教授,主要从事微电子连接材料与技术方面的研究,E⁃mail:malimin@Formation Mechanism of Ag⁃Sn Intermetallic CompoundsBased on the Empirical Electron TheoryMA Limin 1,2,QI Chuhan 1,WANG Yishu 1,2(1.College of Materials Science and Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100124,China;2.Key Laboratory of Advanced Functional Materials,Ministry of Education,Beijing University of Technology,Beijing 100124,China)Abstract :Ag 3Sn in SnAgCu solder formed by Ag and Sn has a pivotal role in reliability of solder joints due to its brittle nature and high resistivity.Therefore,it is necessary to confirm the phase transformation process and mechanism of Ag 3Sn to control its growth.The domain diffusion element and atom movement pathway in Ag⁃Sn system was investigated by using the empirical electron theory (EET)of solids and molecules,which clearly described the formation of Ag 3Sn from the aspect of electron level.The valence electron structures of Ag,Sn,Ag 3Sn and probable solid solutions in Ag⁃Sn system have been calculated by self⁃consistent bond length difference (SCBLD)method.Results show that the domain diffusion element is Sn in Ag⁃Sn system.Sn atoms first come into Ag unit cell to form solid solution.Atoms in solid solution units rearrange to form new covalent bonds that have higher cohesive energy and well⁃distributed in units.The new covalent bonds cause lattice to expand,which leads to movement of Ag atoms in solid solution.Ag 3Sn with good symmetry forms,which verifies former studies about Ag⁃Sn system diffusion.Key words :empirical electron theory (EET);phase transformation;diffusion;intermetallic compounds (IMCs);self⁃consistent bond length difference (SCBLD)method;cohesive energy北 京 工 业 大 学 学 报2021年 自2006年‘关于限制在电子电器设备中使用某些有害成分的指令“标准在全球推行实施以来,互连焊点的材料逐步向无铅钎料转变.无铅钎料的主要成分为Sn基合金,其中以SnAgCu系钎料应用最广[1].为了使无铅钎料的性能达到SnPb钎料的优良稳定性,诸如Cu㊁Ag㊁Ni等贵稀金属在Sn基钎料中所占比例逐步提高,虽然提高了Sn基无铅钎料的稳定性,但脆性金属间化合物(intermetallic compounds,IMCs)的数量也随着加入的贵稀金属的种类和数量越来越多[2].近10年,三维封装密集程度的不断提高使得SnAgCu系钎料与焊盘所产生的金属间化合物的占焊点体积比例越来越大, Lee等[3]认为,焊点尺寸的减小使焊点成为最薄弱的连接环节.相应地,焊点的机械性能㊁导电性能和热稳定性等都将成为影响互连微焊点可靠性的关键因素.因此,对IMCs的相关性质展开系统性研究,并从机理上对焊点内部IMCs的相变反应和微观组织的演变有较为深入的认识与理解显得极其重要.Ag3Sn作为Cu/SnAgCu/Cu焊点中唯一生成的Ag⁃Sn IMCs一般在焊点内部形成,不同于Cu⁃Sn系金属间化合物通常位于钎料与基板界面处,虽然数量较少,但在电迁移条件下会继续长大,对于焊点内部基体的力学和电学性能造成较大影响[4].当SnAgCu钎料中Ag的质量分数较低时,焊接后快速冷却,纳米颗粒状的Ag3Sn相弥散分布在基体中起到强化基体的作用,但也会在Cu6Sn5晶粒上形成并影响其生长[5].在钎料中w(Ag)≥3.5%时,焊接后的冷却过程中在基体内会生成尺寸较大的板片状或者块状Ag3Sn,同时在后续的服役条件下也会出现粗大的板条状Ag3Sn,降低焊点的抗冲击及抗跌落性能[6].实验表明[7],片状的Ag3Sn弥散分布在Cu/SnAg/Cu焊点的β⁃Sn相中,由于弥散强化机制的原因,Cu/SnAg/Cu焊点具有较好的力学性能.但当w(Ag)=4.0%时,焊点内部将形成板状的Ag3Sn 相,该脆性相的形成会明显恶化焊点的性能.相比于Cu⁃Sn界面反应而言,现有的关于Ag⁃Sn扩散反应的研究相对较少,对于Ag3Sn的形成机理研究更是不系统,且对于Ag⁃Sn界面反应中的主要扩散元素均有不同声音出现,Chen[8]在研究Ag⁃Sn⁃Cu三元合金的相平衡时发现Sn元素在Cu/ SnAg/Cu焊点界面反应中是最活跃㊁扩散最快的元素;在研究SnAg/Au凸点的界面反应时,发现在Sn⁃Ag界面反应中Ag是不易移动的,这些都从侧面印证了Ag⁃Sn界面反应中是Sn向Ag中扩散.而Brunson等[9]在研究中发现,Ag在Sn中的扩散速度比Sn自身的扩散速度要快一些,并且扩散速度随温度升高而加快.Sen等[10]采用Ag⁃Sn薄膜来研究其界面扩散反应,发现了2种不同的扩散行为:Sn通过晶界扩散进入Ag和Ag通过体扩散进入Sn. Marinkovic等[11]在室温下测得Ag和Sn界面反应得到Ag3Sn的互扩散系数为6.6×10-13cm2/s.本文采用固体与分子经验电子理论(empirical electron theory,EET),通过计算Ag⁃Sn固溶体模型结合能确定主要扩散元素,在确定扩散元素的基础上,利用计算得到的Ag㊁Sn㊁Ag3Sn的价电子结构阐述Ag3Sn形成机理.1 IMCs理论计算研究现状在IMCs的理论研究方面,主要应用第一性原理(first principle calculation)研究Sn⁃Cu或Sn⁃Ni化合物的晶体结构㊁稳定性[12].分子动力学(molecular dynamics,MD)则主要应用于体系中扩散和IMCs生长机理方面的问题研究.对于Ag⁃Sn 化合物的研究以实验较多,理论研究方面的报道较为少见.也有研究认为,Cu㊁Ag㊁Au等贵金属同属元素周期表的ⅠB副族,所以对Sn⁃Cu化合物扩散机理进行过研究后,他们认为Ag和Cu的扩散趋势具有相似之处,不需要再另外研究[13].1.1 第一性原理密度泛函计算和平面波赝势方法常用来研究无铅焊点的稳定性和力学性能[12].王宏伟等[14]基于上述方法研究了Ni3Sn4和Cu6Sn5的结构稳定性和弹性性能,得到了Ni3Sn4和Cu6Sn5的剪切模量㊁弹性模量和泊松比等参量,并比较了它们的物理和力学性能.Ghosh等[15]系统地计算研究了Cu6Sn5的2种相η和η′的晶体结构和稳定性,所获得的理论晶格常数与实验测量值吻合较好.Chen等[16]则计算了Cu6Sn5和Cu3Sn两种IMCs的弹性性能.王娟等[17]研究了Ni⁃Sn IMCs中的Ni3Sn㊁Ni3Sn2等二元化合物的电子结构和力学稳定性.Yu等[18]研究了η′⁃(Cu,Ni)6Sn5晶体结构的稳定性,并认为这种Ni占位结构比η′⁃Cu6Sn5更稳定.1.2 分子动力学Tu等[19]在研究固态的Cu/Sn界面反应时发现长程有序的η′⁃Cu6Sn5相的形成,室温下Cu在η′相中为晶界扩散,进入Sn中则为间隙扩散.生长动力学显示η′相呈线性生长.由于Cu熔点较高,从Cu656 第6期马立民,等:基于价电子理论的Ag⁃Sn金属间化合物形成机理晶格中释放原子较难,导致室温下扩散速度受限. Tu[20]还提出,Cu3Sn的形成是以消耗Cu6Sn5为代价,即在Cu/Cu6Sn5界面形成而非Cu/Sn界面,动力学曲线呈抛物线.而Bhedwar等[21]的发现与上述研究事实相反,在200℃下形成η⁃Cu6Sn5时Sn为主要扩散元素且η⁃Cu6Sn5的动力学曲线为抛物线而非线性,因为高温下体扩散占主导,而低温时短程扩散为主要扩散机制.Onishi等[22]的研究证实了Bhedwar的结论,同时在190~220℃温度区间内分别计算了Cu6Sn5和Cu3Sn的互扩散系数~Dε=1.43×10-4(exp-70760)RT(1) ~Dη=1.55×10-4(exp-64895)RT(2)通过比较可以看出,Cu3Sn的互扩散活化能更高,也说明Cu3Sn的生长相比于Cu6Sn5需要更高的温度.Kim等[23]建立了焊点界面IMCs在液态反应中的生长动力学模型,发现IMCs生长受界面反应通量和熟化通量两部分控制,并推导出生长方程,对于扇贝状的Cu6Sn5,其生长机制为r~t13,其中r为Cu6Sn5尺寸,t为重熔时间.对于等温老化过程中IMCs的生长动力学,目前认为IMCs生长于老化时间符合t12的关系,生长受体扩散控制[24].2 计算方法1978年,余瑞璜等[25]在L.Pauling原子状态杂化理论[26]的基础上提出了固体或分子中原子价层电子分布的一种描述方法,即EET理论.以构造原子双态杂化为基础,通过解L.Pauling键距方程确定晶体原子各条共价键上电子分布及原子所处状态.相比于第一性原理应用的泛函密度理论[27],EET理论以能带理论㊁价键理论及电子浓度理论为出发点,因此不需要计算烦琐的薛定谔方程,相对来说更简洁易懂;且只需获得晶体的一些初始数据就可以计算第一性原理无法应用的原子数量较多的大体系;除此之外,EET理论虽然计算晶体的微观性质,却能很容易地和晶体的宏观性质及实验结果产生联系,进而为一些实验结果提供有力的解释[28].应用EET理论,确定晶体内各组元原子的状态并描述晶体的价电子结构,建立经验方程求得晶体中总价电子㊁晶格电子㊁共价电子数目和单键半距,利用键距差法(bond length difference,BLD)求得晶格中各原子之间共价电子的分布[29],建立其晶体或分子的价电子结构,从原子角度分析解释Ag⁃Sn界面反应的相变过程.通过BLD法得到的晶格常数的统计值,能满足一般情况下的计算.为进一步提高EET理论的计算精度,Lin等[29]在EET中BLD法的基础上提出了自洽键距差(self⁃consistent bond length difference, SCBLD)法,引入了 迭代自洽方法”.通过SCBLD 法,可以获得精度较高的晶格常数理论计算值及优化的β值.SCBLD法的计算过程如图1[30]所示.图1 SCBLD法的计算过程[29]Fig.1 Calculation process of self⁃consistent bond length difference method[29]在EET理论体系中,将晶体结构的所有电子参数结合能的和作为整个晶体结构的结合能:在晶体结构中主要有4种价电子数,分别是共价电子数n C㊁晶格电子数n l㊁磁电子数n m㊁哑对电子数n d[31].晶体的结合能可由这4类价电子表征.为了提高计算结合能的精度,利用SCBLD分析法计算符合晶体原子状态的晶格常数a′㊁b′㊁c′,再将其代入到BLD 分析法中,计算所选物质的结合能E C,具体计算过程[32]如图2所示.3 Ag⁃Sn系统主扩散元素IMCs是焊盘与钎料在焊接中通过发生化学反应,产生良好冶金结合的证明[13].由于IMCs的宏观㊁微观特征性质与焊盘和钎料的不尽相同对焊点756北 京 工 业 大 学 学 报2021年图2 结合能计算过程[31]Fig.2 Calculation process of cohesive energy[31]可靠性产生了关键影响,因此了解互连结构中IMCs 相的形成及转变成为当务之急.虽然Ag在SnAgCu钎料中的质量分数很低,但在反应温度下,钎料中的Ag会快速与熔融的Sn发生反应.在图3的Ag⁃Sn二元相图上[33],仅存在2种金属间化合物.一种是无序结构的Ag4Sn(ζ相),有报道称在450℃下将SnAg焊点退火720h后发现了少量的Ag4Sn[34];另一种是属正交晶系的短程有序的Ag3Sn相,为Cu/SnAgCu/Cu焊点中常见IMCs之一.图3 Ag⁃Sn二元相图[32]Fig.3 Phase diagram of Ag⁃Sn[32]3.1 Ag和Sn的价电子结构Ag的结构单元为面心立方晶胞,在Ag结构单元中,有2种共价键,它们各自的实验键距和等同键数分别为D Ag⁃AGn A=2a2,I A=1×12×1=12D Ag⁃Ag n B=a,I B=1×6×1=6Ag结构单元中2种共价键的键距分别为D n A=2R(1)Ag-βlg n A(3)D n B=2R(1)Ag-βlg n B(4)式中β=0.0578nm.用式(4)减去式(3),再做适当变形,得lg n B nA=D n A-D n Bβ(5)根据n A=∑n C∑I a r a(6)和Ag元素的杂化表以及结构单元中α共价键的等同键数Iα,可以求得Ag结构单元中最强键上的共用电子对数n A,令γα=nαn A,即n A=∑j n C∑αIαγα=n Ag C12+6γB(7)所以,Ag结构单元中任一共价键的共价电子数nα= n Aγα.Ag结构单元中2种共价键的理论键距分别为D n A=2R(1)Ag-βln n A(8)D n B=2R(1)Ag-βlg n B(9)计算Ag的结合能E C和它的统计值E′C,即E′C=∑σN i=1c i㊃E C i(10) Ag的价电子结构可按照上述过程求出,详细的价电子结构参数如表1所示. Sn的结构单元为四方晶胞,如图4(a)所示.在Sn结构单元中,有5种共价键,它们各自的实验键距和等同键数分别为D Sn⁃Sn n A=5(4a2+c2)4,I A=1×4×1=4D Sn⁃Sn n B=c,I B=1×2×1=2D Sn⁃Sn n C=13(4a2+c2)4,I C=1×4×1=4D Sn⁃Sn n D=3(2a2+c2)2,I D=1×8×1=8D Sn⁃Sn n E=4a2+25c24,I E=1×4×1=4 Sn的价电子结构可按照上述求解Ag的过程求出,这里式(3)(4)中的β=0.0572nm.856 第6期马立民,等:基于价电子理论的Ag⁃Sn金属间化合物形成机理表1 Ag、Sn和Ag3Sn价电子结构参数Table1 Valence electron parameters of Ag and Ag3Sn相键名IαD u-v nαn′αE′α/ (kJ㊃mol-1)Ag B Ag⁃Ag A120.288960.350622.179270B Ag⁃Ag B60.408650.00300.133218B Sn⁃Sn A40.302240.406021.71497B Sn⁃Sn B20.318230.213310.83299 Sn B Sn⁃Sn C40.376810.02020.86549B Sn⁃Sn D80.441990.00150.05350B Sn⁃Sn E40.493210.00020.00610B Ag1⁃Ag1A10.292820.348921.61402B Ag1⁃Ag2A20.294430.329820.32571B Ag1⁃Ag2B20.294980.438631.39658B Ag1⁃Ag2B10.294990.323419.89676B Ag1⁃SnB10.296610.414629.51635B Ag1⁃Ag1B10.298440.287217.46156B Ag1⁃Ag2C10.301640.343924.38833B Ag1⁃Ag2C10.303260.243014.54204 Ag3Sn B Ag1⁃Ag1C20.418110.00460.19898B Ag1⁃Ag1D10.423300.00380.16420B Ag1⁃Ag1E10.478080.00060.02188B Ag2⁃SnB10.297320.404528.71910B Ag2⁃SnB10.298450.389027.51605B Ag2⁃SnC10.416990.00650.32676B Ag2⁃Ag2A10.422050.00400.17192B Ag2⁃Ag2B0.50.478080.00100.02187B Sn⁃Sn A10.420490.00800.36857B Sn⁃Sn B0.50.478080.00100.044263.2 Ag⁃Sn固溶体模型建立在Ag⁃Sn界面反应中不论是Ag扩散进入Sn还是Sn扩散进入Ag都会形成固溶体,因此这里以Ag⁃x Sn和Sn⁃x Ag两种结构单元代表可能形成的2种固溶体,x表示扩散元素进入单个晶胞的原子个数占比.下面以Sn⁃x Ag结构单元为例,Ag⁃x Sn结构单元的计算方法相同,可参照下述方法.当Ag原子溶入Sn晶胞中后将占据Sn原子的位置.Ag加入Sn晶胞后所有的点阵位置都是由一种X原子占据,X原子既不是Ag原子,也不是Sn 原子,而是一种假设的Sn+x Ag原子混合成的原子,如图4(b)所示.其单键半距㊁共价电子数㊁成键能力㊁屏蔽系数等性质为组成固溶体的各种元素原子的加权平均值[35].假设有1个Ag原子进入Sn 晶胞,此时x取值为0.25,得出R X(1)=34R Sn(1)+14R Ag(1)(11)n X C=34n Sn C+14n Ag C,n X1=34n Sn1+14n Ag1(12)n X m=34n Sn m+14n Ag m,n X d=34n Sn d+14n Ag d(13)f X=34f Sn+14f Ag,b X=34b Sn+14b Ag(14)虽然Ag原子进入了Sn晶胞会造成晶格畸变,但此时Sn⁃x Ag结构单元仍可以保持四方晶格,如图4(b)所示.文献[30]中介绍了这种固溶体结构单元的价电子结构计算方法,按照文中所叙述的方法可求得Sn⁃x Ag中的晶格常数以及结合能E′C.由于进入Sn晶胞的Ag原子个数并不固定,x的取值也不固定,因此x存在一系列取值,每一个取值都存在对应的晶格常数和结合能,如图5所示.图4 Sn和固溶体晶胞模型Fig.4 Sn unit cell and solid solution models图5 Ag⁃Sn固溶体模型结合能曲线Fig.5 Cohesive energy curves of Ag⁃Sn solidsolution models同理,按照上述步骤可以求出Ag⁃x Sn结构单元的价电子结构参数和结合能,假设有1个Sn原子进956北 京 工 业 大 学 学 报2021年入Ag 晶胞,此时x 取值为0.25,Ag 3Sn 的形成机理如图6所示,其中图6(a)为Ag⁃0.25Sn 结构单元示意图.图6 Ag 3Sn 形成机理模型Fig.6 Formation mechanism model of Ag 3SnSn 的熔点为232℃,在回流焊接温度下,Sn 会变成熔融状态,而Ag 的熔点接近1000℃,在250℃的温度下是不会熔化的,处于固态的Ag 对于晶格内Ag 原子的束缚能力要比处于熔融状态下的Sn 对晶格内原子的束缚能力强很多,这样就形成了熔融状态的Sn 包裹着微米级的Ag 颗粒的状态,在这种状态下会形成Ag 3Sn [36].从图5的结合能曲线可以看出,当x 的取值在[0,0.25],Ag⁃x Sn 结构单元和Sn⁃x Ag 结构单元的结合能均处于上升阶段,虽然Sn⁃x Ag 结构单元的上升速率不及Ag⁃x Sn 结构单元.在EET 理论中结合能是指1mol 物质从自由原子形成固态物质时所释放的能量或是从固态物质分解为自由原子时所吸收的能量[37].根据结合能的定义,结合能越大,物质在结合或分解时释放或吸收的能量也就越多,形成或破坏的物质也就越不易被分解或还原,因此这一阶段2种结构单元均处于进入晶胞原子越多,结合能越大,结构越稳定的状态.且Ag⁃0.25Sn 结构单元的结合能为最大值,这说明Ag⁃0.25Sn 在这一系列结构单元中稳定性最好,且结构单元内的原子比例与Ag 3Sn 晶胞内的原子比例相同,最有可能继续转变为化合物Ag 3Sn.当x 的取值在[0.25,0.5]时,2种结构单元的结合能开始迅速下降,说明随着进入单个晶胞的原子数增多固溶体结构单元愈发不稳定,不能稳定存在就不具备转变为化合物的先决条件.因此可以判断在Cu /SnAgCu /Cu 焊点中Ag 3Sn 是唯一形成并稳定存在的Ag⁃Sn IMCs.综上所述,Ag⁃Sn 界面反应中Sn 为主要扩散元素,并形成化合物Ag 3Sn.4 Ag 3Sn 的形成过程4.1 Ag 3Sn 的价电子结构Ag 3Sn 的晶体结构为正交晶系,空间群为Pmmn(59),如图6(d)所示,晶胞中有6个Ag 原子和2个Sn 原子.该晶体中共有18种共价键,下面仅列出几种实验间距和等同键数的计算结果,其余共价键采用Diamond 软件测量出实验间距并计算等同键数,计算方法可参照3.1小节的详细步骤,最终得到的结果在表1中展示.D Ag1⁃Ag1n B=a 2,I Ag1⁃Ag1B =12×2×1=1D Sn⁃Sn n B =b ,I Sn⁃Sn B =14×2×1=12D Ag2⁃Ag2n A=a 2,I Ag2⁃Ag2A =14×4×1=14.2 Ag 3Sn 的形成机理Sn 原子扩散进入Ag 晶胞首先会形成Ag⁃x Sn固溶体结构单元.当固溶体结构单元变为Ag⁃0.25Sn 时已满足Ag 3Sn 的成分比例,即Ag 和Sn 原子比为3∶1,如图6(a)所示.此时Ag⁃0.25Sn 结构单元的晶胞仍旧保持面心立方晶格,但在温度和时间的双重驱动下,这种无序状态的固溶体需要对结构单元内的原子进行有序化以维持稳定存在.由于面心立方晶格的键能空间分布十分均匀,具有高度对称性,为了能够使结构单元内的原子重新排布,结构单元内仅存在的2种共价键会全部断裂,共价键的结合能分别为28.82和0.17kJ /mol,以图6(a)中标有黑色叉子的键为例.此时,原子重新排布,键能也重新分布,由于原子性质的不同,扩散进入的Sn 原子会与Ag 原子形成结合能更强㊁排布更均匀的共价键,即图6(b)中的黄色键.而结合力弱的键会使得原子间相互作用减弱,进而相互远离甚至离开结构单元.因此形成了新的原子排布,如图6(b)所示.新共价键的形成使结构单元晶格膨胀,原位于(110)晶面和面心位置的Ag 原子也随之向外扩张,原子运动方向如图6(c)的红色箭头所示,晶胞内原有原子位置的变化导致Ag1原子变为66 第6期马立民,等:基于价电子理论的Ag⁃Sn金属间化合物形成机理Ag2原子,形成了同样具有高度对称性的Ag3Sn晶胞,此时Ag1和Ag2原子与Sn原子形成的最强共价键的结合能分别为31.4㊁29.5㊁27.5kJ/mol,如图6(d)所示.5摇结论1)构建Ag⁃x Sn和Sn⁃x Ag两种固溶体结构单元并计算了它们的结合能,确定了Ag⁃Sn界面反应中的主要扩散元素为Sn,印证了Chen在相关研究中得到的实验结果.2)在确定了Ag⁃Sn系统中主要扩散元素的基础上,采用SCBLD法计算得到了Ag㊁Sn㊁Ag3Sn的价电子参数和结合能.3)利用固溶体模型解释了Ag3Sn相变的机制. Sn扩散进入Ag晶胞先形成Ag⁃0.25Sn结构单元,这种无序固溶体需要有序化以稳定结构单元.Sn 原子会与Ag原子形成结合能更强,排布更均匀的共价键,同时结合力弱的键会使得原子间相互作用变弱,使原子从结构单元中游离.新共价键的形成使结构单元晶格膨胀,位于(110)晶面和面心位置的Ag原子也随之向外扩张,形成了同样具有良好对称性的Ag3Sn.参考文献:[1]杨世华.含有限晶粒SnAgCu/Cu焊点的微观力学行为[D].哈尔滨:哈尔滨工业大学,2010:1⁃12. YANG S H.Micro⁃mechanical behavior of Sn⁃Ag⁃Cu/Cu solder joints consisting of numerable crystal grains[D]. Harbin:Harbin Institute of Technology,2010:1⁃12.(in Chinese)[2]TU K N,ZENG K.Reliability issues of Pb⁃free solder joints in electronic packaging technology[C]∥Electronic Components and Technology Conference2002.Piscataway: IEEE Xplore,2002:1194⁃1200.[3]LEE B,PARK J,JEON S,et al.A study on the bonding process of Cu bump/Sn/Cu bump bonding structure for3D packaging applications[J].Journal of the Electro⁃Chemical Society,2010,157(4):H420⁃H424. [4]OCHOA F,DENG X,CHAWLA N.Effects of cooling rate on creep behavior of a Sn⁃3.5Ag alloy[J].Journal of Electronic Materials,2004,33:1596⁃1607. [5]CHANG T C,WANG M C,HON M H.Growth and morphology of the intermetallic compounds formed at the Sn⁃9Zn⁃2.5Ag/Cu interface[J].Journal of Alloys and Compounds,2005,402:141⁃148.[6]HAMADA N,UESUGI T,TAKIGAWA Y,et al.Effect ofaddition of small amount of zinc on microstructural evolution and thermal shock behavior in low⁃Ag Sn⁃Ag⁃Cu solder joints during thermal cycling[J].Mater Trans, 2013,54:796.[7]SUN L,ZHANG L,XU L,et al.Effect of nano⁃Al addition on properties and microstructure of low⁃Ag content Sn⁃1Ag⁃0.5Cu solders[J].J Mater Sci Mater Electron, 2016,27:7665⁃7673.[8]YEN Y W,CHEN S W.Phase equilibria of the Ag⁃Sn⁃Cu ternary system[J].Journal of Materials Research,2004, 19(8):2298⁃2305.[9]BRUSON A,GERL M.Diffusion coefficient of113Sn, 124Sb,110mAg,and195Au in liquid Sn[J].Physical Review B,1980,21(12):5447⁃5454. [10]SEN S K,GHORAI A,BANDYOPADHYAY A K,et al.Interfacial reactions in bimetallic Ag⁃Sn thin film couples[J].Thin Solid Films,1987,155(2):243⁃253. [11]MARINKOVI'CŽ,SIMI'C V.Kinetics of reaction at roomtemperature in thin silver⁃metal couples[J].Thin SolidFilms,1991,195(195):127–136. [12]SEGALL M D,LINDAN P J D,PROBERT M J,et al.First⁃principles simulation:ideas,illustrations and theCASTEP code[J].Journal of Physics:CondensedMatter,2002,14(11):2717⁃2744.[13]LAURILA T,VUORINEN V,KIVILAHTI J K.Interfacial reactions between lead⁃free solders andcommon base materials[J].ChemInform,2005,49(1⁃2):1⁃60.[14]王宏伟,孙实春,徐振清,等.Cu6Sn5和Ni3Sn4结构性能的第一原理计算[J].焊接学报,2012,33(9):77⁃80.WANG H W,SUN S C,XU Z Q,et al.First⁃principlesinvestigation on structure and properties of Cu6Sn5andNi3Sn4intermetallic compounds[J].Transactions of theChina Welding Institution,2012,33(9):77⁃80.(inChinese)[15]GHOSH G,ASTA M.Phase stability,phasetransformations,and elastic properties of Cu6Sn5:Abinitio calculations and experimental results[J].Journal ofMaterial Research,2005,20(11):3102⁃3117. [16]CHEN J,LAI Y S,YANG P F.First⁃principlescalculations of elastic properties of Cu3Sn and Cu6Sn5intermetallics[J].IEEE Transactions on AdvancedPackaging,2009,32(4):754⁃757.[17]王娟,侯华,赵宇宏,等.压力下Ni⁃Sn化合物力学性能和电子结构的第一性原理[J].特种铸造及有色合金,2017,37(2):208⁃213.WANG J,HOU H,ZHAO Y H,et al.First⁃principles166北 京 工 业 大 学 学 报2021年analysis of mechanical properties and electronic structureof the nickel⁃stannum compounds under pressure[J].Special⁃cast and Non⁃ferrous Alloys,2017,37(2):208⁃213.(in Chinese)[18]YU C,LIU J,LU H,et al.First⁃principles investigationof the structural and electronic properties of Cu6⁃x Ni x Sn5(x=0,1,2)intermetallic compounds[J].Intermetallics,2007,15(11):1471⁃1478. [19]TU K N,THOMPSON R D.Kinetics of interfacialreaction in bimetallic Cu⁃Sn thin films[J].ActaMetallurgica,1982,30(5):947⁃952. [20]TU K N.Interdiffusion and reaction in bimetallic Cu⁃Snthin films[J].Acta Metallurgica,1973,21(4):347⁃354.[21]BHEDWAR H C,RAY K K,KULKARNI S D,et al.Kirkendall effect studies in copper⁃tin diffusion couples[J].Scripta Metallurgica,1972,6(10):919⁃922.[22]ONISHI M,FUJIBUCHI H.Reaction⁃diffusion in the Cu⁃Sn system[J].Trans Jpn Inst Met,1975,16:539⁃547.[23]KIM H K,TU K N.Kinetic analysis of the solderingreaction between eutectic SnPb alloy and Cu accompaniedby ripening[J].Physical Review B Condensed Matter,1996,53(23):16027⁃16034[24]罗伯D.计算材料学[M].北京:化学工业出版社,2002:109⁃132.[25]余瑞璜.固体与分子经验电子理论-等效价电子假定[J].科学通报,1978,23:214⁃217.YU R H.Empirical electron theory of solids andmolecules⁃equivalent valence electron hypothesis[J].Chinese Science Bulletin,1978,23:214⁃217.(inChinese)[26]PAULING L.The nature of the chemical bond[M].NewYork:Cornell Univ,1960:175⁃211.[27]林成,刘志林.价电子结构参数的统计值在钛合金相变温度及共析转变研究中的应用[J].中国科学:技术科学,2009,39(2):214⁃223.LIN C,LIU Z L.Application of statistical valenceelectron structure parameters in the study of phasetransition temperature and eutectic transition of titaniumalloys[J].Science in China E:Technology,2009,39(2):214⁃223.(in Chinese)[28]于佳石,张爱民,赵志伟,等.钛铝合金中氧化膜TiO2的价电子结构分析[J].绿色科技,2017(20):198⁃200.YU J S,ZHANG A M,ZHAO Z W,et al.Analysis ofvalence electron structure of TiO2film in titanium⁃aluminum alloy[J].Journal of Green Science andTechnology,2017(20):198⁃200.(in Chinese) [29]LIN C,YIN G,ZHAO Y,et al.Analysis of the effect ofalloy elements on martensitic transformation in titaniumalloy with the use of valence electron structure parameters[J].Materials Chemistry&Physics,2011,125(3):411⁃417.[30]LIN C,ZHAO Y Q,YIN G L.Calculation of the latticeconstant of solids with the use of valence electronstructure parameters[J].Computational MaterialsScience,2015,97:86⁃93.[31]LIN C,ZHAO Y Q,YIN G L,et al.Analysis of theeffect of alloy elements on allotropic transformation intitanium alloys with the use of cohesive energy[J].Computational Materials Science,2016,111:41⁃46.[32]LIN C,ZHAO Y Q,YIN G L.Calculation of thecohesive energy of solids with the use of valence electronstructure parameters[J].Computational MaterialsScience,2015,101(11):168⁃174.[33]OKAMOTO H,MASSALSKI T B.Binary alloy phasediagrams requiring further studies[J].Journal of PhaseEquilibria,1994,15(5):500⁃521.[34]汤文明,IVEY G D.电沉积Ag/Sn偶界面反应及其动力学[J].中国有色金属学报,2009,19(5):930⁃935.TANG W M,IVEY G D.Interfacial reaction and itskinetics of electroplated Ag/Sn couples[J].The ChineseJournal of Nonferrous Metals,2009,19(5):930⁃935.(in Chinese)[35]LIN C,HUANG S,YIN G,et al.A simple model toascertain the initial formation concentration of athermalωphase in titanium alloys[J].Computational MaterialsScience,2016,123:263⁃267.[36]SUZUKI K,KANO S,KAJIHARA M,et al.Reactivediffusion between Ag and Sn at solid state temperatures[J].Materials Science&Engineering A,2006,406(1):134⁃141.[37]LIN C,YIN G,ZHANG A,et al.Simple models toaccount for the formation and decomposition of athermalωphase in titanium alloys[J].Scripta Materialia,2016,117:28⁃31.(责任编辑 杨开英)266。

211092758_第三支柱个人养老金制度的税收优惠模式分析——以美国IRA为例

211092758_第三支柱个人养老金制度的税收优惠模式分析——以美国IRA为例
2018 年所进行的个人税收递延型商业试点,采用的也是 EET 模式。同时实行这两种税收优惠模式的
典型例子是美国的个人退休账户(IRA)计划,传统 IRA 使用的是 EET 模式,而罗斯 IRA 使用的是 TEE
模式。
在税收政策方面,尽管 EET 模式和 TEE 模式具有相同的目的,都是为参与者积累养老资金的一
只不过这对 TEE 模式来说更为明显。但是从另一个角度看,无论未来税率如何,TEE 模式下的账户收
益面临的都是零税率。相比之下,EET 模式账户的未来税后净收益率则是不确定的。当预期税后收
益率水平不足以补偿这种不确定性,即便是退休时的预期税率低于工作期间的税率,风险厌恶型的参
与者也更偏好 TEE 模式。
有 70.5 岁以下雇员无论其是否拥有职业养老金计划都可以创立 IRA 账户,缴费限额提高到 2000 美元
为,税收政策是优化美国养老保险制度体系的关键政策工具,对其养老保险制度体系的发展功不可
没,美国用强大的税收优惠制度设计极大地促进了养老金三支柱的发展与完善。①
当前,我国养老金第一支柱发展不堪重负,第二支柱企业年金发展缓慢、规模有限,第三支柱个人
养老金制度发展晚于许多发达国家。因此,在建设和发展第三支柱养老金制度时,可以从国外制度的
费限额均设为 a,应纳税的 TEE 模式下最大税前投资为
85
a
,而受缴费限额的限制,进入 EET 模式的
1-t
at
a
的税前投资。但是对于拥有超过
投资金额的人,进入两个账户的资金相同,因
1-t
1-t
此 EET 模式下的投资者可能将多余的资金投向其他的投资或消费项目。而相同的投资资金分别进入
资金将多出
两种不同税收优惠的账户,在相同的利率下,TEE 模式会积累更多的资金。因为进入 TEE 账户的最大

EET理论简介

EET理论简介

EET理论简介固体与分⼦经验电⼦理论简介1978年,余瑞璜提出“固体与分⼦经验电⼦理论”(简称EET)[1]。

EET通过构造原⼦态来确定价键电⼦数,再由价键电⼦数求键长。

该理论从“经验背景”出发,⾸先构造两个原⼦态,即head(h)和tail(t)态,然后根据杂阶公式求得原⼦的⼀系列杂化态,再求出各种电⼦数;借助晶体空间群资料,将价键电⼦分配到⼀些特定的⽅向(键)上。

然后使⽤修改后的Pauling公式计算键长,得到理论键距。

另⼀⽅⾯,根据晶格常数计算各种近邻距离,得出实验键距。

最后将实验键距和理论键距进⾏对⽐,如果两者之差⼩于定数(0.05?,也称0.05判据),则认为构造的原⼦态(电⼦结构)是合理的,否则重新构造,重新计算,直到理论键距和实验键距之差符合判据。

⽂献[2]给出了EET杂阶公式的量⼦⼒学背景,但是,EET的h态和t态的构造完全凭借经验[3-4]1 固体与分⼦中原⼦的状态EET认为,在分⼦和固体中原⼦的状态由原⼦的价态特征和尺⼨特征两个因素表述,确定的原⼦状态意味着该原⼦具有确定共价电⼦数n、晶格电⼦数l n、c单键半距()1R值的原⼦状态。

1.1 EET中价电⼦及其种类——原⼦状态的价态特征在分⼦或固体中,原⼦间的相互作⽤使原⼦内部电⼦状态发⽣变化,经证明这种变化主要发⽣在原⼦核外部未被电⼦填满的电⼦壳层中——价电⼦层,⽽原⼦内部被电⼦完全填满的壳层——闭壳层中的电⼦基本上与原来⾃由原⼦状态时相同,通常将原⼦核连同这些闭壳层⼀起作为原⼦的芯(或者离⼦实),分⼦和固体中的离⼦实与⾃由原⼦中的没有明显差别。

价电⼦是处于价电⼦层中的电⼦。

原⼦的价数取决价电⼦的组态,⼀般来说原⼦的价数就是原⼦在正常基态或某个容易形成的价态所具有的被⼀个电⼦占据的轨道的数⽬(或者价电⼦层电⼦数与该层填满时所需要电⼦数的差额)。

⼀个原⼦的价数是可变的,对应于原⼦基态的价电⼦组态所给出的原⼦价态称为正常价态(或者⾃然价态)。

Al_Mg_Si合金的价电子结构分析

Al_Mg_Si合金的价电子结构分析

文章编号: 1672-6146(2003)04-0009-03Al-Mg-Si合金的价电子结构分析3高英俊 李云雯(广西大学物理学院 广西南宁 530004)摘 要: 用经验电子理论(EET)对Al-Mg-S i合金中主要成分(如α-Al、镁、硅,以及强化相(β-Mg2S i)的价电子结构进行计算,计算结果表明各成分晶胞最强键上的共价电子对数与其密度、熔点、硬度、电负性有对应关系;Mg、S i原子上次强键的共价电子分布有利于β相的形成.关键词: Al-Mg-S i合金;Mg2S i;价电子结构中图分类号:TG111.1 文献标识码:AAl-Mg-Si合金由于具有优良的屈服强度、伸长率、电阻率、冲击韧性、耐腐蚀等性能[1-2],在航空航天、汽车、电子工业等领域得到广泛应用[3].随着对航空航天材料性能要求的提高,从微观结构层次对含Si的铝合金进行改性研究和开发具有高性能的铝合金材料,已成为当前材料科学家对Al-Mg合金关注的重点[4].基于价键理论和能带理论建立的固体电子理论(EET)[5],提供了一个处理复杂体系价电子结构的计算方法———键距差(BLD)法,并成功地用于合金的电子结构计算与合金相变研究,使得研究合金的宏观性能可以追溯到合金原子的价电子结构层次,为合金改性设计提供了深层次的理论指导[6-7].本文则是运用EET理论对Al-Mg-Si合金的若干相的价电子结构进行计算,为设计和开发性能更好的Al-Mg-Si合金提供电子层次的键信息.1 模型铝晶胞为面心立方晶体结构,晶胞内含有4个Al原子,晶格常数为a=0.40496nm,晶胞结构如图1(a)所示;镁的晶体结构为六角密集结构,一个镁晶胞中含有4个镁原子,构成一个六面体结构,如图1(b)所示,镁晶胞的晶格常数为a=0.32094nm,c =0.52056nm.硅晶胞的空间结构为金刚石结构,一个硅晶胞中含有8个硅原子,构成一个四面体,如图1(c)所示,硅晶胞的晶格常数为a=0.54307nm. 由文献[8]知Al-Mg-Si合金中主要的析出相收稿日期:2003-09-203基金项目:国家自然科学基金项目[50061001],广西科学基金项目桂科配[0135006]、桂科自[0007020]、桂科基[0342004-1],广西“十百千人才工程”项目[2001207].第一作者:高英俊(1962-)男教授,材料学博士研究方向合金的微观结构与物理性能为Mg2Si相—β相,它在合金中起着强化的作用.一个Mg2Si晶胞中含有12个原子,为CaF2型结构,晶格常数为a=0.639nm,如图2所示.由于成分存在范围很窄,与α-Al基呈伪共晶关系,它的生成过程[8]可用如下表达式表示:S olute clusters(溶解团)→G PⅠZ ones(spherical,球状)→G PⅡ→Z ones/β″(针状)→β′(棒状)→β(面第15卷第4期湖南文理学院学报(自然科学版)V ol.15N o.4 2003年12月Journal of H unan U niversity of Arts and Science(N atural Science Edition)Dec.2003心立方).上述变化过程在Al-Mg-Si合金中,最终生成的相是β相,本文重点是对Mg2Si晶胞的键结构进行分析.2 计算方法与结果表1 纯Al晶胞的电子结构T ab.1 The electronic structure of Al键名D Al-Al IαD nα nm D′nα nm nαn A120.286350.286330.20857n B60.404960.404940.00445注:σ=4;a=0.40496nm;β=0.710;n c=2.5296;R Al(1)=0.1190nm;ΔD nα=0.000017nm表2 纯Mg晶胞的电子结构T ab.2 The electronic structure of Mg键名D Mg-Mg IαD nα nm D′nα nm nαn A60.319500.319590.11025n B60.320940.321030.10521n C60.452860.452950.00145n D20.520560.520650.00016n E60.555890.555980.00005注:σ=3,β=0.710;n c=1.3022;R Mg(1)=0.12580nm;ΔDnα=0.00009nm表3 纯S i晶胞的电子结构T ab.3 The electronic structure of S i键名D Si-Si IαD nα nm D′nα nm nαn A40.235160.234910.97105n B120.384010.383760.00778n C120.450290.450040.00091n D240.470310.470060.00047n E60.543070.542820.00004注:σ=6;β=0.710;n c=4;R Si(1)=0.1170nm;ΔD nα=0.00025nm.表4 Mg2S i的电子结构T ab.4 The electronic structure of Mg2S i键名IαD nα nm D′nα nm nαD Mg-Si(n A)160.276690.272110.32466D Mg-Mg(n B)120.319500.314920.08804D Si-Si(n C)120.451840.447260.00027D Mg-Mg(n D)240.451840.447260.00055D Mg-Si(n E)480.528310.525250.00002注:β=0.600;ΔD nα=0.004580nm;σ=3;R Mg(1)=0.12580nm;n c= 1.3022;σ=4;R Si(1)=0.1170nm;n c=3.664. 按照EET[5]理论,原子的共价电子是分布在连接最近邻、次近邻,以及s近邻原子的键上.各键上共价电子对数(即键级n s)由下列键距公式表示:D(n s)=R A+R B-βlg n s(1)这里R是单键半径,β按文献[5]中的取值选取,晶胞内的共价电子数可以写成下述方程:k1n A c+k2n B c=6s I s n s(2)式中k1、k2分别为晶胞中A、B原子的个数,n A c、n B c 分别为A、B原子的共价电子数.I s为n s键级的等同键数,各等同键数的选取可依照文献[5]的作法来确定.由于各晶胞的结构已确定,晶格常数已有实验结果,因此,运用键距差(BLD)方法[5]建立n A方程,参见文献[5,9]的求解步骤,联立(1)、(2)等方程组,逐个计算各晶胞中原子的价电子结构.计算结果如表1至4所示.3 分析和讨论从表1至表4给出的计算结果可见,铝晶胞的最强键上分布的电子对数为n A=0.20857,镁晶胞的最强键上分布的共价电子对数为n A=0.110251,硅晶胞的最强键上分布的共价电子对数为n A =0.97105,而Mg2Si晶胞的最强键上分布的共价电子对数为:n A=0.32799,介于镁与硅的最强键之间.从物理特性上看,硅的熔点为1414℃,密度为2.32g/cm3;镁的熔点为649℃,密度为1.74g/cm3;铝的熔点为660.3℃,密度为2.7g/cm3,而Mg2Si晶体具有较高的熔点(1085℃)、较低的密度(1.9g/ cm3)和热膨胀系数(7.5×10-6K-1)[11].显然Mg2Si 的密度、熔点也介于镁与硅的密度、熔点之间,与本文计算得到的最强共价键上分布的电子对数的情况相对应.其次,电负性是表征元素的原子在分子内吸引电子的能力,电负性越大,吸引电子的能力也就越强.硅的电负性为1.90,镁为1.31,铝为1.61,由表1至表4可见Al、Mg和Si的电负性与其最强键分布的电子对数成正比关系,电负性越大,最强键分布的电子对数越多.再次,发现最强共价键分布的电子对数也与其硬度成正比的关系:最强键分布的共价电子对数越多,硬度越大,铝的莫氏硬度为2.9,镁的莫氏硬度为2.0;硅的莫氏硬度为7.0.Mg2Si的莫氏硬度4.6介于Mg和Si的莫氏硬度之间.文献[11]的实验中:在β″相形成前期,晶胞中仍含有铝原子,在时效过程中,铝逐渐被硅所代替,因为最终生成的Mg2Si最强键上分布的共价电子对数比铝要相对多;Mg和Si的百分比含量比Al相对少得多,但这两种元素的次强键(Mg的次强共价键上分布的电子对数为n B=0.1052,Si的次强键上分布的共价电子对数为n B=0.0078)比铝(次强键上分布的电子对数为n B=0.004453)要大,因此形成01 湖南文理学院学报(自然科学版)2003年Mg 2Si 相后,结构更为稳定,其空间结构为十六面体,均匀分布在合金中.4 结论(1)各成分的熔点和密度与其对应晶胞最强键上的电子对数成正比关系,即最强键上的电子对数多,则其熔点、硬度和密度也相应地高.(2)晶胞中原子的电负性和晶胞的硬度也与其所对应的晶胞最强键上电子对数成正比关系.(3)在形成Mg 2Si 相时,Mg 和Si 原子的次强键上分布的共价电子对数起了一定的作用.参 考 文 献1 Ф.H.科瓦索夫主编.韩秉诚译.工业铝合金[M].北京:冶金工业出版社,1987:50-64.2 L.F.M ondolfo.S tructrue and Properties of Aluminum Alloy[M].London :Butterw orth &C o (Publishers )Ltd ,1976:566.3 R Chen ,Z Hang.M icrostructure of Al -Mg -S i Alloy[J ].Mater.Sci.Eng.,2000,A280:146.4 K Matsude ,Y Uetuni ,T Sato.Metastable phase in an Al -Mg -S i alloy[J ].Metal.Mater.T rans.,2001,A 32:1293.5 张瑞林.固体与分子经验电子理论[M].长春:吉林科学技术出版社,1993,1-90.6 刘志林.合金价电子结构与成分设计[M].长春:吉林科学技术出版社,1990,1-29.7 刘志林,孙振国,李志林.余氏理论和程氏理论在合金研究中的应用[J ].自然科学进展,1998,8(2):150.8 C D Mariora ,S J Andersen.Atomic M odel for G P -Z onesIn Al -Mg -S i Alloy[J ].Acta Mater.,2001,(49):321.9 高英俊,钟夏平,刘慧,等.微量Sc 对Al -Mg 合金晶粒细化影响的电子结构分析[J ].中国有色金属学报,2002,12(S2):132.10 Carbonneau Y,C outure A ,Van Neste.The observation ofa new ternary AlMgS i phase in Mg -S i alloys[J ].Metal.Mater.T rans.,1998,A 29:1759.11 A K Cupta ,D J Uloyd.Precipitation hardening processesin an Al -Mg -S i alloy [J ].Mater.Sci.Eng.,2001,A301:140.ANALYSIS OF VALENCE E LECTR ONIC STRUCTURES OF Al -Mg -Si ALLOYG AO Y ing -jun LI Y un -wen(Physics college of G uangxi University ,Nanning ,G uangxi 530004) Abstract Based on the em pirical electron theory (EET )thevalence electron structure of α-Al ,Mg ,S i and equilibrium (β-Mg 2S i )phase in Al -Mg -S i alloy was calculated.The calculated results show that there are represent the correspondence between the co -valence electrons which distribute in the strongest bonds with the density ,melting point ,hardness and electronegativity ,and the co -valence electrons which distribute in the second neighbor -bonds of Magnesium and S ilicon are of benefit to the appearance of βphase. K ey w ords Al -Mg -S i alloy ;Mg 2S i ;the valence electronstructure(责任编校:江 河) 我刊被评为湖南省一级期刊由湖南省科技厅、湖南省新闻出版局共同组织的2002年度湖南省科技期刊审读和等级评定工作日前结束。

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固体与分子经验电子理论简介1978年,余瑞璜提出“固体与分子经验电子理论”(简称EET)[1]。

EET通过构造原子态来确定价键电子数,再由价键电子数求键长。

该理论从“经验背景”出发,首先构造两个原子态,即head(h)和tail(t)态,然后根据杂阶公式求得原子的一系列杂化态,再求出各种电子数;借助晶体空间群资料,将价键电子分配到一些特定的方向(键)上。

然后使用修改后的Pauling公式计算键长,得到理论键距。

另一方面,根据晶格常数计算各种近邻距离,得出实验键距。

最后将实验键距和理论键距进行对比,如果两者之差小于定数(0.05Å,也称0.05判据),则认为构造的原子态(电子结构)是合理的,否则重新构造,重新计算,直到理论键距和实验键距之差符合判据。

文献[2]给出了EET杂阶公式的量子力学背景,但是,EET的h态和t态的构造完全凭借经验[3-4]1 固体与分子中原子的状态EET认为,在分子和固体中原子的状态由原子的价态特征和尺寸特征两个因素表述,确定的原子状态意味着该原子具有确定共价电子数n、晶格电子数l n、c单键半距()1R值的原子状态。

1.1 EET中价电子及其种类——原子状态的价态特征在分子或固体中,原子间的相互作用使原子内部电子状态发生变化,经证明这种变化主要发生在原子核外部未被电子填满的电子壳层中——价电子层,而原子内部被电子完全填满的壳层——闭壳层中的电子基本上与原来自由原子状态时相同,通常将原子核连同这些闭壳层一起作为原子的芯(或者离子实),分子和固体中的离子实与自由原子中的没有明显差别。

价电子是处于价电子层中的电子。

原子的价数取决价电子的组态,一般来说原子的价数就是原子在正常基态或某个容易形成的价态所具有的被一个电子占据的轨道的数目(或者价电子层电子数与该层填满时所需要电子数的差额)。

一个原子的价数是可变的,对应于原子基态的价电子组态所给出的原子价态称为正常价态(或者自然价态)。

EET根据价层电子在原子结合成分子或固体时的分布和作用特点,将其分为4类:哑对电子、磁电子、共价电子和晶格电子。

(1)哑对电子在价电子层中,由两个自旋相反的电子占据同一轨道,在原子相互结合时仍保持在原来的原子内并不与其他原子发生共有化,这种满轨道填充的电子被称为哑对电子或孤对电子。

哑对电子不直接参与原子间的结合,但是它们影响其它电子的结合行为。

在EET中将哑对电子记为“↑↓”或者“∣∣”,哑对电子数用n表示。

d(2)磁电子磁电子是价电子层的一种半满轨道(单占据轨道)中的电子,它在原子相互作用时保持在原来的原子内而不发生共有化,一般是原子磁矩的主要来源,故称为磁电子。

在EET中将这类电子记为“↑”,磁电子数用n表示。

m(3)共价电子(成键电子)共价电子是价电子层中单占据轨道的一种电子,在原子间相互结合时它们将与附近其他原子中的一个单占据轨道中的自旋与其相反的价电子相互配对,共同占有这两个原子共有的轨道,形成两个成键原子的共有电子对。

这种共有化电子对是原子间结合的主要基础。

形成共价结合的分子或固体中的原子的价数就是原子的共价电子数。

在EET中将共价电子记为“˙”,共价电子数用n表示。

c(4)晶格电子晶格电子是由多个原子组成的固体体系内,处于由3个、4个甚至6个原子所围绕的空间内的价电子。

这些电子既不分布于它们所属的原子内,也不处于成键的两个原子间的连线上,而是处于一个比较宽阔的、由3个或更多原子围成的空间内。

它们对原来的原子轨道的占据可以是填满的,也可以是单占据的。

由于它们在晶格间隙空间内比较自由地分布,原来在同一原子轨道上的一对电子可能位于在同一能带内的不同能级上,因此即使在原来的原子中它们处于同一轨道内,但在晶体内它们也比较远离原来的原子,在晶体能带内对这一对电子来说已没有彼此必须自旋相反的要求。

晶格电子来自价电子中的“s”电子,有时它可由等效于s的p电子构成。

在EET中,晶格电子用符号“Φ”或“Φ”表示,前者表示满轨道的晶格电子,后者表示单占据轨道的晶格电子。

晶格电子数用nl 表示。

从价电子在分子或固体中的分布区域来看,上述4种价电子又可分为两类:保持在原来原子内部的原子式电子,包括哑对电子和磁电子;不同程度地对原来原子发生离域的公有化电子,包括共价电子和晶格电子。

按EET价电子分类,共价电子、磁电子都是单占据的,晶格电子也可以是单占据的。

但是由于磁电子是原子式电子,晶格电子不分布在“键”上,他们都不直接参与原子间的化学键合,因此这两类电子数不在计算原子价时加入,在EET中原子价数只与共价电子数有关。

1.2 单键半距R(1)——原子状态的尺寸特征当把原子看作刚性小球时,“原子半径”可以作为原子尺度的标志。

实际上原子不是刚性小球,同一原子在形成离子化合物、共价晶体或金属时,它的“半径”可能是完全不同的。

以量子理论为基础建立的原子尺度的概念是以原子核外原子的电子密度分布范围为基础的,一般认为可以把最外部的电子密度峰离核的距离作为衡量原子尺度的标志。

原子的共价半径与金属半径两者数值基本一致,这也是认为金属键在本质上是一种共价键的依据之一。

在EET中引入元素的共价半径—单键半距,作为表征原子尺度的特征量。

(1)键距和键数键距是以共价键联结的两个原子间的平均距离,有时也称为键长;若在A、B两个形成共价键的原子间有n个公用的键电子对,则称数n为该键的键数,n 可以是整数也可以为分数。

影响键距的因素主要是由键上的共价电子对数n来决定,但在同样的n值下,成键原子间的电负性差和形成共价键的原子轨道的成分还是会引起键距的少量变化。

成键原子的电负性差的大小反映原子间键的离子性成分的大小,一般来说离子性的存在会使共价键距发生少量的缩短;形成共价键的原子轨道的成分不同,成键原子轨道的电荷密度中心离开原子核的距离将不同,这个距离的变化将直接影响键距值。

(2)单键半距的定义实验表明,一般情况下分子和晶体中以固定形式的共价键相连接的两个原子A 和B 间的平衡距离基本相同,因此有可能为A —B 键的键距确定一个能在含有这个键的任何分子或晶体中使用的定值。

将相同原子(A —A 或B —B )形成的共价单键(键数n=1时的共价键)的键距值的一半取为定值,称为原子(A 或B )的单键半距或者单键半径,通常用()1R 来表示。

对于给定元素的原子来说,当它与其他原子形成共价键时,无论是在哪种分子或晶体中,它的单键半距都是确定不变的定值,单键半距可以作为表征原子尺度的一个特征量。

根据原子单键半距的确定性,对于形成共价键的两个原子间的距离可以看作是单键半距之和,即单键半距具有相加性。

单键半距由室温下分子和晶体中的键合原子的平均核间距离确定。

2 EET 的基本假设2.1 关于分子和固体中原子状态的假定在固体与分子中,一个原子一般由两个原子状态杂化而成,分别称为头态h 和尾态t ,其中至少有一个在基态或靠近基态的激发态,两个状态都拥有各自共价电子数c n 、晶格电子数l n 和单键半距()1R 。

能带理论和分子轨道理论所说的杂化一般都是指原子轨道的杂化,它的含义是指在同一个原子状态下(一种确定的价电子组态)各个价层原子轨道的混合,参与混合的各个原子轨道的相对数量原则上可以任意变化。

EET 中所指的原子状态杂化与上面所说的原子轨道杂化不同,它是指不同的原子状态(一般来说对应着不同的价电子组态)间的混合。

当然,对于原子状态来说,就其结果的形式来看也是各种价层原子轨道间的混合,但这种混合与直接的轨道杂化不同,参与混合的各种轨道中的成分受参与杂化的原子状态的约束。

杂化时,两个原子态以整体形式参加杂化,改变杂化成分只能是改变原子态整体的成分,而不能随意改变其中任意个别轨道的成分。

对于原子轨道杂化,每个参与杂化轨道的原子轨道的成分可以个别地任意调整。

比如对于3sp 型杂化轨道,它是由s ,x p ,y p ,z p 轨道杂化构成,杂化轨道波函数z y x h p a p a p a s a 4321+++=ψ。

为了确定h ψ,需要确定各原子轨道参数a ,一般来说这些系数的确定可以用量子力学的解久期方程的方法,也可以用某种半经验方法,这样的计算比较复杂。

在EET 中采用原子双态杂化,由于h 态、t 态中各种轨道的成分是已知的,只要知道了杂化中包含的h 态和t 态的成分,立即就可以确定杂化中各种原子轨道的成分,而无需求解久期方程。

h 态和t 态的成分可以根据所研究的晶体或分子的具体结构,直接用EET 理论的键距差方法给出。

2.2 关于不连续状态杂化的假定在一定情况下,状态杂化是不连续的。

对于在确定的分子或晶体结构中的原子来说,为使该原子的成键轨道是稳定的,即在给定周围配位原子的空间配置时该原子的成键轨道电荷密度峰位于键轴上,原子的杂化态应为某种确定的成分,即在无限多种成分的原子杂化状态中,对于某种具体结构来说只有一种是稳定的状态。

同一原子在不同结构中,或在同一结构的不同性质的位置上,由于周围的环境的不同,它可能处于具有不同杂化成分的状态下,即原子具有不同的稳定杂化状态。

若将由一对确定的h 态和t 态构成的所有原子杂化状态称为原子的一种杂化状态的话,则把在某种杂化状态下所能具有的各种不同的稳定杂化(成分)的原子杂化态称为杂化台阶,简称杂阶。

在EET 中,一个杂阶表示着一个确定的原子状态,这是EET 描述分子和固体的价电子结构时使用的一个最基本的概念。

对于一个给定的原子,在确定的杂化状态下有多少个杂化台阶?每个杂阶中包含的h 态和t 态的成分是多少?对于含有s 、p 及d 轨道杂化的原子态,在EET 中引入参数k ,若用h C 和t C 分别表示h 态和t 态在杂化状态中的成分,则在多数结构中,将由下式给出:211k C t +=,t h C C -=1(2-2-1)在h 态,0=t C ,∞=k ;t 态时,1=t C ,0=kn m l n m l n m l n m l n m l n m l k '±'±'±±⨯++'+'+'⨯++'+'+''=5353ττ(2-2-2a)(价电子全部是共价电子或价电子含有共价电子和晶格电子)式中,l ,m ,n ;l ',m ',n '分别表示h 态和t 态中的s ,p ,d 共价电子和晶格电子数,τ为参数,当s 电子是共价电子时1=τ,当s 电子是晶格电子时0=τ。

当h 态的价电子全部是晶格电子时上式不适用,因为此时0=++n m l 。

对于这种情况,k 可用如下公式给出:n m l n m l l n m l k '±'±''+'+'⨯'+'+'=53(2-2-2b)(价电子全部是晶格电子)在EET 中,对于一对给定的h 态和t 态,具体给出它有多少个杂阶;在每个杂阶中包含的h 态和t 态的成分是多少?在每个杂阶中原子的状态参量各为何值?将这些资料汇集成的表格就是杂化表。

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