干货 谈谈关于MOS管当中的米勒平台

干货谈谈关于MOS管当中的米勒平台
MOS管是一种在模拟和数字电路中应用的非常广的器件。

只要接触电子电路设计，就无可避免的要接触它。

在MOS管使用过程中，有一种现象被称为米勒现象，这种现象通常会在MOS管的开通期间发生。

本篇文章来自于对论坛高手发言的总结，希望能够帮助大家更高的理解MOS 管中的米勒平台。

 米勒电容是指MOSFET的GD之间的电容，那幺电源中的米勒效应究竟指的是什幺呢?
 图1
 to~t1: Vgs from 0 to Vth。

Mosfet没通。

电流由寄生二极管Df。

 t1~t2: Vgs from Vth to Va。

Id t2~t3: Vds下降。

引起电流继续通过Cgd。

Vdd越高越需要的时间越长。

 Ig 为驱动电流，开始降的比较快，当Vdg接近为零时,Cgd增加。

直到Vdg变负,Cgd增加到最大，下降变慢。

t3~t4: Mosfet 完全导通,运行在电阻区。

Vgs继续上升到Vgg。

 如图2所示，在这个平台期，MOS管是要开通的，也就是DS电压下降，那幺原来DG之间的电容就要放电，电流为由G到D，也就是说，驱动的电流实际是从G流向了D，没有对GS电容充电，因此VGS电压就出现一个平台。

 图2
 当斜率为dt 的电压V施加到电容C上时（如驱动器的输出电压），将会增。